INSTITUTO TECNOLÓGICO DE AERONÁUTICA

CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO CIENTÍFICO E

TECNOLÓGICO - CNPq
CNPq
CONSELHO NACIONAL DE DESENVOLVIMENTO
CIENTÍFICO E TECNOLÓGICO

PROGRAMA INSTITUCIONAL DE BOLSAS DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA - PIBIC

Estudo de materiais bidimensionais e

heteroestruturas de van der Waals

Lívia Fragoso Pimentel

RELATÓRIO PARCIAL DE ATIVIDADES

Orientadora: Lara Kühl Teles

02 / 2018
 1. Índice

2. Resumo do plano inicial...........................................................................3

3. Resumo das Atividades Realizadas..........................................................4

4. Descrição do Problema.............................................................................5

5. Resultados obtidos....................................................................................7

5.1 Fundamentação Teórica.........................................7

5.2 Fundamentos de programação em Shell Script - Simulando atividades realizadas no

VASP

6. Conclusões.............................................................................................20

7. Plano de Trabalho e Cronograma das Etapas Seguintes........................20

8. Agradecimentos......................................................................................21

9. Bibliografia.............................................................................................21

10. Folha de assinaturas...............................................................................22

11. Formulário de Aprovação de Relatório pelo Orientador.......................23

 2. Resumo do plano inicial

O plano inicial do projeto consiste em estudar as propriedades de materiais

bidimensionais e de diversas heteroestruturas de Van der Waals através de cálculos ab initio
embasados na Mecânica Quântica e na Teoria do Funcional da Densidade. Através deles,
serão resolvidas equações de Kohn-Sham baseadas no método PAW (Projected Augmented
Wave), implementado pela plataforma VASP (Vienna Ab Initio Simulation Package). Nesse
contexto, através de simulações computacionais, será analisada a interação dessas
heteroestruturas com sistemas formados por diversos substratos químicos e será investigado
o modo como suas propriedades eletrônicas podem ser preservadas ou alteradas.
 3. Resumo das Atividades Realizadas

Ao longo dos quatro meses iniciais do projeto, foi realizado um estudo da bibliografia
recomendada (REZENDE; S.M , 2015) e de artigos científicos que possibilitaram o
aprendizado de conceitos fundamentais da Mecânica Quântica subjacentes às propriedades
das Heteroestruturas de Van der Walls. Paralelamente a isso, foi estudada a linguagem de
programação Shell Script, necessária para a posterior manipulação das ferramentas
computacionais aplicadas em simulações através do software VASP (Vienna Ab Initio
Simulation Package).

Seguindo esse planejamento, o primeiro bimestre do projeto foi dedicado ao estudo

dos seguintes temas: Materiais para Eletrônica, Ondas e Partículas na Matéria, O Elétron no
Átomo, Elétrons em Cristais e Materiais Semicondutores. Em seguida, foi realizada uma
introdução a Shell Script, linguagem computacional utilizada para automatizar sequências de
operações na linha de comando do sistema operacional Linux. Nessa etapa, foram estudados
comandos responsáveis pela localização e criação de aplicações, acesso a diretórios e
exploração do sistema de arquivos: cd, cat, echo, ls, mkdir, rmdir, man, exit, login e sed;
Além disso, foram realizadas atividades com comandos utilizados para performar execuções
de forma iterativa como o for e o while.
No segundo bimestre, foram estudados os capítulos da obra recomendada que tratam
sobre diodos , transistores e outros dispositivos semicondutores, materiais e dispositivos
opto-eletrônicos, magnéticos e outros materiais importantes para a eletrônica.
Conjuntamente, estudou-se formas de manipular informações de um arquivo de saída para
posterior análise de dados na linha de comando da plataforma Linux. Nessa etapa, foram
utilizados os comandos grep, cut, tail, head, awk e pipe na realização de atividades de pós-
processamento de arquivos, que possibilitaram a transcrição de informações de vários
arquivos em outros de forma iterativa. Tais atividades corresponderam a uma introdução aos
procedimentos realizados na plataforma VASP, em que cada arquivo gerado
sequencialmente corresponde a uma simulação computacional.
 4. Descrição do Problema

Certamente, a descoberta do grafeno possibilitou um grande salto científico devido

ao vasto universo de possibilidades que ele descortinou a partir de suas inúmeras
propriedades. Altamente resistente, leve, ultrafino, portador de uma alta condutividade
térmica e elétrica e aplicável em diversos setores (do ramo farmacêutico ao aeroespacial),
ele surgiu como um verdadeiro marco na história da ciência e pavimentou o caminho para
pesquisas direcionadas a materiais bidimensionais correlatos, denominados heteroestruturas
de van der Waals.

Nesse contexto, pesquisas acerca das heteroestruturas de van der Waals revelaram
novas propriedades e fenômenos físicos de importante aplicação em ciência e tecnologia.
Elas são formadas por camadas de materiais bidimensionais providos de uma estabilidade
planar garantida por ligações covalentes e são interligadas entre si por forças de van der
Walls. A existência dessas ligações interfaciais relativamente fracas proporciona o
surgimento de diferentes propriedades frente às inúmeras possibilidades de combinações por
empilhamento (GEIM; GRIGORIEVA, 2013). Comparações entre propriedades de camadas
bidimensionais atômicas isoladas e heteroestruturas revelam diferentes comportamentos
dessas últimas frente à dopagem, esforço e aplicação de campos elétricos externos. Com o
empilhamento de camadas formadas por diferentes cristais, importantes efeitos surgem,
como redistribuições de carga e mudanças estruturais que podem ser controladas através do
ajuste da orientação relativa entre as camadas individuais.

De fato, a extensa gama de funcionalidades dessas heteroestruturas têm

proporcionado o surgimento de um vasto campo de possíveis aplicações. Por exemplo,
transistores de alta mobilidade eletrônica são alcançados através do encapsulamento de
grafeno com nitreto de boro hexagonal (hBN) e dispositivos fotovoltaicos e emissores de luz
de alta performance são conseguidos por meio da combinação entre camadas de grafeno e
semicondutores opticamente ativos. Na Figura 1 pode-se observar um exemplo de
heteroestrutura utilizada em estudos de dispositivos aplicados na área de energia renovável
(POMERANTSEVA; GOGOTSI, 2017).
 Figura 1: Exemplo de heteroestrutura de van der Waals formada pela combinação de camadas
bidimensionais de um óxido de metal de transição (TMO - Transition Metal Oxide), grafeno,
carbeto de metal de transição (MXene) e dicalcogenetos de metal de transição (TMDC - Transition
Metal Dichalcogenite).

Entretanto, a incomensurabilidade dos fenômenos associados às propriedades de

simetria e às constantes de rede dessas estruturas representam um grande obstáculo às
construções experimentais e teóricas que buscam analisá-las (KODA; BECHSTEDT;
MARQUES; TELES, 2017). Frente a isso, faz-se necessário o estabelecimento de uma
metodologia sólida para lidar com problemas de otimização de recursos computacionais em
cálculos utilizados nos estudos teóricos de heteroestruturas fundamentais para o
desenvolvimento da eletrônica e optoeletrônica bidimensionais. Tal panorama é regido por
conceitos fundamentais da mecânica quântica e da física de semicondutores estudados nas
etapas iniciais desse projeto, como os teoremas de Bloch e das Redes Recíprocas e o método
da Teoria do Funcional da Densidade.
 5. Resultados obtidos

5.1 Fundamentação Teórica

Na etapa inicial do projeto, importantes conceitos pertencentes ao âmbito da

Mecânica Quântica e da física de Materiais Semicondutores sedimentaram uma
fundamentação teórica necessária para o seu andamento futuro. Nesse contexto, o estudo de
aspectos concernentes a materiais cristalinos foi essencial para a construção de uma base
teórica sólida o suficiente para realizações futuras bem sucedidas.

Com efeito, investigações teóricas acerca de materiais bidimensionais e

heteroestruturas de van der Waals possuem subjacentes a elas o conceito de rede cristalina,
arranjo regular e periódico de átomos ou íons. Nesse conjunto, os elementos que o constituem
ordenam-se de forma a minimizar sua energia eletrostática total e propagam-se pela estrutura
por meio da translação repetitiva de pontos de uma célula unitária (menor estrutura
repetitiva que reproduz a estrutura de um cristal). Na Figura 2, pode-se observar o exemplo
da estrutura de um cristal de cloreto de sódio, em que os íons do par Cs+ e Cl- formam a sua
base.

Figura 2. Célula unitária do cloreto de césio. A base de sua rede cristalina possui um cátion de
césio na posição 000 e um ânion cloreto em 1/2 1/2 1/2. Imagem adaptada de
http://www.if.ufrj.br/~tclp/estadosolido/Rededebravais.pdf. Acesso em 12/02/2018.

Tal conceito é uma abstração matemática presente na definição de uma rede de

Bravais, conjunto de pontos com arranjo e orientação que parecem exatamente os mesmos
quando vistos de qualquer ponto da rede. Cada ponto dessa rede estão localizados em
posições R tais que (ASHCROFT; MERMIN, 1976)
 R  m1a1  m2 a2  m3a3 (5.1)

com ai vetores no 3 e mi números inteiros. Em uma rede cristalina, os planos e eixos que
passam por pontos que a constituem são representados por três algarismos que caracterizam
suas coordenadas, chamados índices de Miller. Tais índices são determinados pelas suas
intersecções com os vetores unitários que formam a base da célula unitária. No exemplo da
Figura 3, pode-se observar a célula unitária do diamante, constituída por uma rede de Bravais
do tipo cúbica de face centrada e uma base com dois átomos idênticos, um na origem e outro
a ¼ da diagonal do cubo. Nesse caso, essa estrutura é representada pela rede de Bravais
a
( xˆ  yˆ  zˆ) . Nesse caso, o comprimento da aresta a é o parâmetro de rede observado.
4

Figura 3. Célula unitária do diamante, que exemplifica a necessidade geral de elementos da família
IV de formar 4 ligações covalentes com seus vizinhos. Imagem adaptada de
http://www.if.ufrj.br/~tclp/estadosolido/Rededebravais.pdf. Acesso em 12/02/2018.

No caso do grafeno, a rede hexagonal que o constitui não é uma rede de Bravais.
Contudo, ela pode ser entendida como uma sobreposição de duas redes triangulares confome
3 3
observa-se na Figura 4, em que os vetores da rede são a1 e a2 , dados por a1  a  ,  e
2 2 
3 3
a2  a  ,  .
2 2 
 Figura 4. Célula unitária do grafeno, que representa um exemplo da sobreposição de duas redees
triangulares. Imagem adaptada de http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/pourfath/node21.html . Acesso
em 10/02/2018.

Em seguida, foi explorado o fenômeno de propagação de ondas, que desempenha um

papel fundamental na Eletrônica e na Física da Matéria Condensada. Nessa etapa, foram
revisados os fundamentos do eletromagnetismo descritos nas equações de Maxwell, que
demonstram a evolução dos campos eletromagnéticos no espaço e no tempo. Com base
nessas equações, estudou-se a relação entre os campos elétrico e magnético e a utilização da
representação complexa desses campos denotada em (5.2) . Tal representação denota um
campo que preenche todo o espaço, o que corresponde a uma situação irreal (REZENDE;
S.M , 2015).

 (r, t )  Re[ 0ei ( kr t  ) ] (5.2)

Nesse caso, qualquer variação no campo elétrico pode ser decomposta em uma soma
de ondas planas através da técnica da transformada de Fourier (5.3) , que exemplifica um
campo elétrico que varia somente na direção x . Tal transformada evidencia o fato de que o
campo elétrico representado é uma superposição de infinitas ondas planas.

 ( x, 0)   e
ikx
k dk (5.3)


Em sequência, a fim de entender o fenômeno de vibração em redes cristalinas, foram

explorados conceitos que descrevem a propagação de ondas elásticas em sólidos. Para isso,
considerou-se o, primeiramente, caso mais simples de dois íons posicionados a uma distância
de equilíbrio a entre si. Quando pequenas perturbações são aplicadas nesse sistema, convém
utilizar uma aproximação parabólica para descrever a variação da energia de interação entre
eles. Essa aproximação é descrita em (5.4) , em que u  x  a representa o desvio em torno
do ponto de equilíbrio, V (u) a energia do sistema e F (u ) a força de interação iônica.
 u  xa
 dV  1  d 2V 
V (u )  V (0)    u    u ²  ...
 du 0 2  du 2 0
1  d 2V  (5.4)
V (u )  V (0)  Cu ²; C   2 
2  du 0
dV
F (u )    Cu
du

Conforme pode-se perceber na aproximação realizada em (5.4), a força de ligação

entre esses íons é praticamente linear , tal como ocorre em um oscilador harmônico simples.

Em redes cristalinas, o mecanismo de propagação de perturbações ocorre de forma

totalmente aleatória, de forma que os movimentos dos íons não são correlacionados. Apesar
disso, essa vibração coletiva pode ser entendida como uma superposição de ondas,
denominadas ondas elásticas. Para estudá-las, é necessário, novamente, considerar um
modelo simplificado de rede, na qual os íons um sistema harmônico simples acoplado,
conforme ilustra a Figura 5.

Figura 5. Modelo de cadeia monoatômica, em que os íons deslocam-se de forma

longitudinal.

De forma análoga à utilizada anteriormente, pode-se considerar a seguinte

aproximação linear para esse sistema, em que un representa o deslocamento do n-ésimo íon.

Fn  C  un1  un    un  un 1    C  un 1  2un  un1 

d 2 un .. (5.5)
m 2
 mu  C  un1  2un  un1 
dt

O movimento dessa rede idealizada é, portanto, descrito por um sistema de infinitas

equações acopladas. A partir de sua solução, obtém-se a expressão (5.6) , denominada de
relação de dispersão em uma cadeia monoatômica linear. A região em que  / a  k   / a
é intitulada de primeira zona de Brillouin. O significado das zonas de Brillouin pode ser
assim definido: as fronteiras das zonas de Brillouin correspondem aos valores de k que
satisfazem a lei de Bragg, para os quais a onda incidente pode ser refletida pela rede periódica
do cristal.
1/2
 2C 
 (k )   1  cos(ka) 
1/2
 (5.6)
 m 

No caso tridimensional, a maior complexidade do sistema resulta na existência de

um maior número de graus de liberdade. Por isso, o deslocamento dos íons com relação a
suas posições de equilíbrio é caracterizado pelo vetor R representado em (5.7), em que r é
a posição do ponto de equilíbrio com relação à origem.

R(r , t )  Re  Ak ei ( k .r t )  (5.7)

Nesse cenário, há para cada direção do vetor de onda k há três polarizações para cada
tipo de onda. Para direções particulares, pode-se ter duas ondas transversais e uma
longitudinal. A Figura 6 ilustra as formas das curvas de dispersão para ondas elásticas em
um cristal cúbico com dois íons por célula unitária. Os ramos presentes nessa figura
correspondem a diferentes polarizações. Se o vetor de onda tiver a direção de um eixo de
simetria elevada do cristal, as ondas que esses ramos representam ou são puramente
longitudinais (L) ou puramente transversais (T), podendo pertencer às regiões de vibração
acústica (A) ou óptica (O).

Figura 6. Curvas de dispersão de ondas elásticas em um cristal cúbico diatômico, com

vetor de onda na direção de um eixo principal. (REZENDE; S.M , 2015).

Na Mecânica Quântica, o estado de uma partícula é determinado pela função de onda

complexa  ( x, t ) , e a evolução temporal dessa função em um sistema físico é determinada
pela equação de Schrödinger (5.8). As condições às quais a função de onda está sujeita são
descritas pelo operador hamiltoniano Ĥ , que contém a dinâmica do sistema de forma
semelhante à da mecânica clássica (KODA, 2017).
 
Ĥ  i  (5.8)
t

A equação de Schrödinger não pode ser deduzida e exprime que a energia total de
uma partícula, em termos de operadores atuando sobre a função de onda é a soma da energia
cinética com a potencial, conforme demonstrado em (5.9)

Top  Vop   Eop (5.9)

Certamente, os fundamentos concernentes à função de onda e à equação de

Schrödinger são essenciais para a compreensão de algumas propriedades básicas de elétrons
em cristais. A partir desses conhecimentos, pôde-se entender a distribuição energética em
forma de bandas, fruto da natureza ondulatória dos elétrons. Por exemplo, para um sistema
formado por N átomos de sódio, cuja configuração é (1s)², (2s)², (2 p)6 , (3s) ,os níveis de
energia de estados equivalentes coincidem e são iguais para uma distância interatômica
infinita. À medida que essa distância diminui, os níveis se separam devido à interação com
os vizinhos, dando origem a várias bandas de energia, conforme exemplifica a Figura 7.

Figura 7. Formação de bandas de níveis de energia devido à aproximação dos átomos em

um sólido. (REZENDE; S.M , 2015).

Nesse cenário, o cálculo quântico dos estados eletrônicos e das energias em um sólido
cristalino é bastante complexo e exige a realização de várias aproximações. As principais
delas consistem em supor que os núcleos dos átomos são fixos e que o problema envolve
somente um elétron (todos os outros seriam considerados como parte integrante dos íons que
criam um potencial periódico. Nota-se, aqui, uma reiteração do conceito de periodicidade
presente nas redes de Bravais denotadas por (5.1). Com base nessas considerações, torna-se
matematicamente possível afirmar que o potencial sentido por um elétron da estrutura é
periódico e respeita a relação
 V (r )  V (r  R) (5.10)

A função de onda do elétron movendo-se por esse potencial periódico é dada pelo
Teorema de Bloch, em que k denota o vetor de onda, n o índice da banda e unk é uma função
cuja periodicidade é definida pela rede de Bravais .

 nk (r )  eikr unk (r ) (5.11)

A partir disso, pode-se afirmar que a função de onda obedece à seguinte

propriedade:

 nk (r  R)  eikR nk (r ) (5.12)

Uma consequência importante da existência das funções de Bloch  nk é que elas

associam elétrons em um cristal a ondas, caracterizadas por vetores de onda k e energia Ek .
Tal energia é função não apenas do módulo de k, mas também de sua direção no cristal, fato
exemplificado na Figura 8, que demonstra a estrutura de bandas de energia do cobre fcc, de
acordo com a direção do vetor de onda.

Figura 8. Estruturas de bandas de energia do cobre cristalino com rede cúbica de faces
centradas. Cada curva representa a variação da energia nas direções principais da primeira zona de
Brillouin desse cristal. (REZENDE; S.M , 2015).

Para tornar factível a análise de um sistema cristalino infinito a partir de limites de

um caso finito, impõe-se condições de contorno de Born-Karman, haja vista seu tratamento
de periodicidade em volumes arbitrariamente grandes (KODA, 2017). De acordo com essas
condições, deve-se ter

 nk (r  Ni a i )  eikN a  nk (r )
i i
(5.13)
 A fim de satisfazer (5.13), deve-se considerar um conjunto de vetores da rede
recíproca G, definidos por
a2  a3
b1  2
a1.  a2  a3  (5.14)
a3  a1
b2  2
a1.  a2  a3 
a1  a2
b3  2
a1.  a2  a3 

Em consequência disso, os vetores de onda de Bloch são dados por

3
mi
k  bi (5.15)
i 1 Ni

Frente a isso, torna-se evidente a importância do conceito de rede recíproca, conjunto

dos vetores de onda G tais que as correspondentes ondas planas têm a mesma periodicidade
da rede de Bravais.

G  n1b1  n2b2  n3b3 (5.16)

A base de vetores dessa rede pode ser interpretada como o resultado de uma série de
Fourier para o espaço discreto da rede de Bravais R. Nesse ponto, retoma-se o conceito de
zona de Brillouin, uma vez que a menor célula que representa a periodicidade da rede
recíproca centrada na origem nada mais é do que a primeira zona de Brillouin. A partir
desse resultado, a análise de Fourier na função de onda denotada em (5.12) conduz aos
resultados (5.17) e (5.18), em que Ec é a energia cinética da onda plana.

 nk  eikr  cnk eiGr (5.17)

G

² ²G² iGr
Ec  ²eiGr   e (5.18)
2m 2m

Para o andamento dos cálculos que serão realizados ao longo do projeto, é

imprescindível explorar conceitos concernentes a materiais semicondutores. Esses materiais,
a 0K, são isolantes, mas possuem uma energia de band-gap (região que separa as bandas de
valência e de condução, na qual a existência de elétrons é proibida) relativamente pequena
(da ordem de 1eV ou menos) (REZENDE; S.M , 2015). Em 0K, os elétrons ocupam os
estados de menor energia preenchendo todos eles, até o nível de fermi EF (nível de energia
acima do qual não há estados ocupados a essa temperatura). Em mecânica estatística, essa
distribuição eletrônica na condição de equilíbrio térmico é determinada pela distribuição de
Fermi-Dirac em que f ( E )dE expressa a probabilidade de estarem ocupados os estados com
energia na faixa  E , E  dE  .

1
f (E)   E  EF  / k BT
(5.19)
1 e

Semicondutores puros, denominados intrínsecos são pouco utilizados devido à grande

sensibilidade de sua condutividade frente à variação da temperatura. Por esse motivo,
utilizam-se semicondutores extrínsecos, dopados com impurezas que permitem uma variação
do nível de Fermi desses materiais. Quando elas são responsáveis pela doação de elétron para
a estrutura do cristal, a dopagem é do tipo n. Caso contrário, ela é denominada dopagem do
tipo p. Em um semicondutor contendo uma região tipo p e outra do tipo n, separadas por uma
fina camada, é formada a junção p-n.

Tratando o sistema formado pela junção p-n de forma simplificada, reduzindo-o a

uma dimensão, pode-se tratar matematicamente as equações que descrevem a carga e o
potencial elétrico nela presentes. Além disso, considera-se que a diferença entre as
concentrações de impurezas doadoras e aceitadoras de carga na junção varia bruscamente.
Nessa região, ocorre a difusão de elétrons do lado n para o lado p e de buracos deste último
para o primeiro, criando a região de depleção indicada na Figura 9.

Figura 9. Surgimento da barreira de potencial em uma junção p-n. (REZENDE; S.M ,

2015).

Certamente, o desbalanceamento da energia de Fermi em cada um dos lados

corresponde a um desbalanceamento do potencial químico. De maneira análoga, em
heteroestruturas de van der Waals há uma perturbação nos alinhamentos das bandas de cada
constituinte da junção. Em heterojunções, a variação do potencial entre os seus dois lados
não é necessariamente contínua, podendo surgir barreiras de potencial, conforme
demonstrado na Figura 10, que ilustra o exemplo da junção formada por GaAs e Gax Al1 x As
(KODA, 2017).

Figura 10. Alinhamentos das bandas de uma heterojunção de GaAs e Gax Al1 x As .

5.2 Programação em Shell Script - Simulando atividades realizadas no

VASP
O software VASP (Vienna Ab initio Simulation Package) é um programa para
modelagem de materiais em escala atômica. Através dele, é possível calcular soluções
aproximadas para a equação de Schrödinger de muitos corpos por meio da Teoria Funcional
da Densidade, que estabelece que propriedades de sistemas físicos são funcionais da
densidade eletrônica no estado fundamental. A fim de utilizá-lo de maneira efetiva em
simulações de sistemas envolvendo heteroestruturas de van der Waals, foi realizado um
estudo da linguagem computacional shell script utilizada nessa plataforma.

A etapa de familiarização com essa linguagem consistiu na realização dos seguintes

desafios, que simulavam tarefas de processamento de arquivos no VASP.

Desafio 1 –Alterar um arquivo

A partir de um arquivo genérico, denominado KPOINTS, cujo formato genérico é

mostrado abaixo, foram criados 12 arquivos do tipo KPOINTS, que diferenciavam-se
apenas no conteúdo da quarta linha, ressaltada em vermelho a seguir.
 Arquivo KPOINTS_3:
Energy_tutorial
0
Gamma
3 3 3
0. 0. 0.

Nessa atividade, cada arquivo continha um nome diferente, com uma terminação
equivalente ao número demonstrado na quarta linha. Por fim, através do código abaixo
proposto como resposta, foram criados 12 arquivos distintos, de KPOINTS_3 a
KPOINTS_15.

Resposta:
for n in 'seq 3 15'; do touch KPOINTS_${n}.txt;
echo "Energy_tutorial" >> KPOINTS_${n}.txt
echo "0" >> KPOINTS_${n}.txt
echo "Gamma" >> KPOINTS_${n}.txt
echo "${n} ${n} ${n}" >> KPOINTS_${n}.txt
echo "0. 0. 0." >> KPOINTS_${n}.txt
done

Desafio 2 –Alterar vários arquivos e pastas

Começando com 4 arquivos definidos (INCAR, POSCAR, POTCAR e KPOINTS),

foram criadas pastas com nomes do tipo ENCUT_n, com n pertencente ao conjunto
{100,150,200,...,800}. Para cada uma dessas pastas, foram introduzidas cópias de três dos
arquivos iniciais (POSCAR, POTCAR e KPOINTS). Em seguida, foi feita uma modificação
das linhas de cada arquivo INCAR que continham a expressão ENCUT=n, de acordo com a
numeração da pasta ENCUT_n utilizada. Como resposta ao desafio, foi utilizado o script
abaixo.

Resposta:
for n in `seq 100 50 800`;
do
mkdir ENCUT_${n}
done

for n in `seq 100 50 800`;

do
cp input/* ENCUT_{n}
done

for n in `seq 100 50 800`;

do
cd ENCUT_${n}
sed -i "s/100/${n}/g" INCAR
cd ..
done
 A solução dos dois desafios iniciais permitiu que fossem aprendidos comandos
necessários para a realização de várias simulações sem a necessidade de alteração manual
dos arquivos texto, o que será imprescindível para o andamento do projeto. Nessas atividades,
os vários diretórios criados com diferentes arquivos de entrada corresponderam a um tipo de
simulação comumente realizada no VASP. Certamente, a realização delas ressaltou a
importância de se lidar com grandes quantidades de informações de maneira organizada.

Desafio 3 –Pós processar um arquivo

Após a familiarização com o processo de criação de vários arquivos com parâmetros

diferentes, o último passo realizado a fim de compreender o método utilizado nas simulações
foi visto nesse terceiro desafio. Essa atividade teve como ponto de partida os diretórios
delta±0.n (com n inteiro entre 0 e 4) presentes no arquivo Livia_desafio3.zip. Essas pastas
apresentavam cálculos baseados na análise de um sistema formado por duas camadas
atômicas com a variação da distância entre elas. De posse desses dados, foi feita uma listagem
da energia dos sistemas em função da distância entre as camadas a fim de verificar a
estabilidade do conjunto.

A tarefa aqui realizada consistiu em buscar nos arquivos do tipo OUTCAR presentes
nessas pastas a última ocorrência da linha free energy TOTEN =
ENERGIA_DESEJADA, que se repetia diversas vezes em todos eles. Tais arquivos contêm
importantes informações do pós-processamento de arquivos no VASP. Utilizando o código-
resposta abaixo, foi criado um arquivo texto que mostrava o valor de delta na primeira coluna
e a energia indicada em OUTCAR na segunda coluna.

Resposta:
for i in {-4..4}; do if ((i<0)); then n=$(expr $i \* -1) ;echo -n "-0.$n "; cd delta-0.$n ; grep "TOTEN"
OUTCAR | tail -1 | variavel= cut -c32-44;echo -n $variavel ; cd .. ;else echo -n "0.${i} "; cd delta0.${i} ;
grep "TOTEN" OUTCAR | tail -1 | variavel= cut -c32-44;echo -n $variavel ; cd ..; fi ; done.

De posse desses conhecimentos, os próximos passos a serem realizados para que se

alcance uma maior familiarização com a plataforma VASP serão viabilizados pelo estudo do
material VASPIRIN, ferramenta de pré e pós processamento de dados para esse programa.
Ele foi criado por membros do Grupo de Materiais e Semicondutores do ITA como um meio
de ensinar os conceitos necessários para lidar com a linguagem de programação utilizada
nesse pacote e de passar oportunas informações acerca do método de realização de
simulações nesse sistema.
 6. Conclusões

Após a descoberta do grafeno em 2004, estudos de cristais bidimensionais estão em

crescimento contínuo, frente às oportunas possibilidades de aplicação desses materiais em
diversos ramos da tecnologia. Especialmente, fenômenos envolvendo heteroestruturas de van
der Waals criaram um novo paradigma no âmbito da nanotecnologia devido às suas
propriedades especiais, que oferecem a possibilidade de construção de materiais eletrônicos
de mais alta performance. Nesse contexto, cálculos ab initio utilizados em simulações dessas
estruturas são essenciais para a descrição de suas propriedades. Para lidar com o problema
da incomensurabilidade de fenômenos associados a elas, torna-se evidente a necessidade de,
tomando como base a Teoria do Funcional da Densidade, buscar técnicas de alta eficiência e
baixo custo computacional.
 7. Plano de Trabalho e Cronograma das Etapas Seguintes
Até o presente momento, foram estudados os fundamentos teóricos necessários para
uma sólida compreensão do atual cenário científico relacionado às pesquisas sobre materiais
bidimensionais e heteroestruturas de van der Waals. As próximas etapas do projeto
consistirão em aplicações dessa teoria em análises de simulações de fenômenos envolvendo
essas estruturas, conforme demonstra o planejamento abaixo. Nele, houve a alteração da
estrutura anterior, totalmente subdividida em bimestres, pois, ao invés de começar em agosto
de 2017, o projeto foi iniciado em novembro desse ano.

1o Bimestre (nov / dez) Revisão bibliográfica. Estudos teóricos dos temas: “Materiais para Eletrônica”, “Ondas
e Partículas na Matéria”, “O Elétron no Átomo”, “Elétrons em Cristais” e “Materiais
Semicondutores”. Familiarização com a linguagem shell script: execução de comandos
de localização e criação de aplicações, acesso a diretórios e exploração do sistema de
arquivos.

2o Bimestre (jan/ fev) Revisão bibliográfica. Análise da teoria sobre diodos , transistores e outros dispositivos
semicondutores, materiais e dispositivos opto-eletrônicos, magnéticos e outros
materiais importantes para a eletrônica. Familiarização com a linguagem shell script
através de atividades de pós processamento de dados.

Elaboração do relatório parcial de atividades.

3o Bimestre (mar / abr) Cálculos de alguns materiais bidimensionais isolados, como por exemplo o h-BN e os
metais de transição dicalcogênitos MTDC). Aplicação de correções aproximadas de
quasipartícula como LDA-1/2 e método de funcionais híbridos como HSE. Em paralelo
estudo dirigido sobre a física de semicondutores.

* Estrutura de bandas relativas às heteroestruras até então estudadas.

- Cálculos preliminares: (i) Convergência de pontos k’s; (ii) casamento das redes para
obtenção da supercélula a ser usada no cálculo; (iii) espaçamento entre as camadas; (iv)
deslocamento entre as camadas; (v) energia de ligação. Obtenção da estrutura final
relaxada.

Cálculos preliminares: (i) Convergência de pontos k’s; (ii) casamento das redes para
obtenção da supercélula a ser usada no cálculo; (iii) espaçamento entre as camadas; (iv)
deslocamento entre as camadas; (v) energia de ligação entre o grafeno e diferentes
MTDCs. Obtenção da estrutura final relaxada.

4o Bimestre (mai/ jun) Estrutura de bandas relativas às heteroestruras até então estudadas.

Análise da variação das estruturas de bandas com a variação do campo elétrico e tensão.

Julho propriedades dos materiais 2D e heteroestruturas de vdW sobre substratos

* Conclusões e Elaboração do relatório científico final

8. Agradecimentos

Primeiramente, ofereço meus sinceros agradecimentos à Profa. Lara Kühl Teles por
sua orientação, pelas aulas inspiradoras e pela valiosa oportunidade de ingresso no ramo
científico através desse projeto. Ao Daniel Schwalbe Koda por me guiar nessa trajetória
inicial e inspirar realizações nesse ramo desde suas aulas de monitoria durante minha
graduação e à todos os integrantes do Grupo de Materiais Semicondutores e
Nanotecnologia do ITA. Agradeço, também, ao CnPQ pelo investimento necessário para
o andamento do projeto.
 9. Bibliografia

REZENDE, S. M. Materiais e dispositivos eletrônicos. 4. ed. São Paulo: Livraria da Física,

2015.

GEIM A.K; GRIGORIEVA I.V. Van der Waals Heterostructures. Nature, v. 499, p. 419,
425.

POMERANTSEVA, P.; GOGOTSI Y. Two-dimensional heterostructures for energy storage.

Nature Energy, v. 2, p. 1, 6.

KODA, D.S ; BECHSTEDT, F. ; MARQUES, M. ; TELES, L.K. Coincidence Lattices of

2D Crystals: Heterostructure Predictions and Applications. The Journal of Physical
Chemistry, v. 120, p. 10895, 10908.

ASHCROFT, N.; MERMIN, N. Solid State Physics. South Melbourne: Thomson Learning,
1976.

KODA, D. S. – Heteroestruturas de van der Waals para aplicação em dispositivos eletrônicos.

São José dos Campos : [s.n.], 2017. Trabalho de Graduação.