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E SCOLA P OLITÉCNICA DA U NIVERSIDADE DE S ÃO P AULO Departamento de Engenharia Mecatrônica

ESCOLA POLITÉCNICA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO

Departamento de Engenharia Mecatrônica e de Sistemas Mecânicos

PMR 2433

Experiência 7

Eletrônica Analógica e Digital

2 o Semestre 2015

TRANSISTORES BIPOLARES (REV. A)

PARTE I TEORIA
PARTE I
TEORIA

Nesta experiência, vamos estudar alguns aspectos do funcionamento de transistores bipolares. Para isso, você

deve fazer uma revisão do capítulo 5 do livro texto (Sedras & Smith, “Microeletrônica”).

  • 7.1 Transistor como chave circuito emissor comum

A aplicação mais simples para um transistor é a utilização como chave eletrônica: ora desligada, ora ligada. Para esta aplicação, a configuração mais utilizada é a emissor comum, mostrada na Figura 7.1. O resistor R C faz o papel de carga e a corrente I C que o atravessa é controlada pelo transistor Q.

  • V BB

V CC I C  R C C R B B Q V  CE I
V
CC
I C 
R C
C
R B
B
Q
V
CE
I
B
V
E
BE

Figura 7.1 Circuito emissor comum

  • 7.1.1 Circuito de base

O chamado circuito de base é composto pela fonte V BB , o resistor R B e a junção base-emissor (BE) do transistor. Essa junção opera como um diodo diretamente polarizado. Dessa forma, V BE é equivalente a tensão de limiar

de condução V D0 dos diodos, e costuma ser indicada nos datasheets como V BEsat (V BE de saturação). transistores de silício em geral, tem-se tipicamente V BEsat igual a 0,6 ou 0,7 V. No circuito da Figura 7.1, desde que V BB > V BEsat , a corrente de base I B é dada por

Nos

I

B

V

BB

V

BEsat

R

B

,

(7.1)

caso contrário (se V BB < V BEsat ) , o diodo base-emissor não conduz e tem-se I B = 0.

  • 7.1.2 Circuito de coletor

O circuito de coletor compreende a fonte V CC , o resistor R C e os terminais coletor-emissor (CE) do transistor. Repare que o emissor faz parte dos dois circuitos daí o nome dessa configuração. O transistor controla a corrente de coletor I C por meio da tensão coletor-emissor V CE . Como veremos logo mais, a corrente I B aumenta proporcionalmente a condutividade entre o coletor e o emissor, fazendo a tensão V CE cair e a corrente I C aumentar. Pelas leis de Kirchhoff, a relação entre V CE e I C é regida pela equação

V

CE

V R I

CC

C

C

,

(7.2)

conhecida como reta de carga. É importante entender os limites dessa reta no caso do circuito da Figura 7.1. O transistor é um elemento passivo e não pode fornecer energia ao sistema. De imediato, sabemos que V CE não pode ser maior que a tensão de alimentação V CC , e portanto a corrente I C no mínimo será nula mas não

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negativa. Isso determina o chamado ponto de corte da reta de carga, em que o transistor funciona como uma chave aberta e se tem I C = 0 e V CE = V CC . Por outro lado, V CE não pode se tornar negativo pois passaria a operar como gerador. Idealmente, o limite inferior de V CE seria 0 V, no entanto V CE não consegue cair abaixo de uma tensão mínima conhecida como V CEsat (V CE de saturação). Tem-se assim o outro extremo da reta de carga, chamado de ponto de saturação, no qual o transistor melhor se aproxima de uma chave fechada, tal que V CE = V CEsat e a corrente de coletor atinge a máxima I Csat (I C de saturação) dada por

I

C

sat

V CC
V
CC

V

CE sat

R

C

.

(7.3)

O V CE de saturação é fornecido nos datasheets e varia de 0,2 V (nos transistores de sinal) a alguns Volts (nos transistores de potência).

  • 7.1.3 Ganho de corrente

Entre os limites de corte e saturação, o transistor pode ser aproximado por um dispositivo linear tal que

I

C

I

B

,

(7.4)

onde é um adimensional conhecido como ganho de corrente. Nos datasheets , esse parâmetro é representado

pelo símbolo h FE , (usaremos o símbolo nas próximas páginas em prol de uma notação mais concisa) e tipicamente varia de 100 a 400 (A/A) nos transistores de sinal e ficando em torno de 50 nos transistores de potência. Teoricamente então seria possível colocar o transistor em operação no meio da reta de carga (definida pela expressão 7.2) com tensão V CE = V CEQ e corrente I C = I CQ arbitrários. Assim, para uma dada tensão de entrada V BB no circuito de base, no circuito de coletor tem-se

I

CQ

V

BB

V

BEsat

R

B

,

e

V

CEQ

V

CC

R

C

V

BB

V

BEsat

R

B

 

(7.5)

,

(7.6)

lembrando que V BEsat é tensão no diodo base-emissor, que é praticamente constante. O ponto (V CEQ , I CQ ) é chamado de ponto quiescente e deve se situar entre os pontos de corte e saturação, ou seja (V CC > V CEQ > V CEsat ) e (0 < I CQ < I Csat ).

Dissemos “teoricamente” porque na prática o ganho não pode ser usado como parâmetro de projeto

confiável. Como veremos no laboratório, o valor de varia muito de um transistor a outro de mesmo modelo e também com a temperatura, com a corrente I C e com a tensão V CE . Por isso, a configuração emissor comum não deve ser usada quando se precisa fazer o transistor operar na região linear mais adiante veremos uma configuração mais apropriada para isso, denominada polarização de emissor.

  • 7.1.4 Modos de operação: corte, linear e saturação.

Para deixar o transistor cortado e ter I C igual a 0, basta zerar a corrente de base I B fazendo V BB < V BEsat . Já a saturação do transistor requer uma análise mais detalhada. Com o ganho de corrente, podemos determinar a tensão V BB (do circuito de base) que leva a tensão V CE (do circuito de coletor) ao limiar de saturação. Sendo V BBlim e I Blim a tensão e corrente de limiar, temos

I

B lim

I

C

sat

V

CC

V

CE

sat

R

C

V

BBlim

R I

B

Blim

V

BEsat

,

,

e

(7.7)

 

(7.8)

Como I C satura em I Csat , uma corrente de base maior que I Blim (ou equivalentemente V BB > V BBlim ) a princípio não contribui para aumentar a corrente I C (na verdade, I C chega a aumentar um pouco devido a diminuição de V CEsat por conta do aumento da corrente de base). Entre o corte e a saturação, temos o transistor operando na região linear com tensão V CE e corrente I C impostas pela reta de carga da equação 7.2.

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A Tabela 7.1 resume os limites de operação do transistor no circuito da Figura 7.1. Tabela 7.1 Modos de operação do transistor no circuito emissor comum

Operação

I B (A)

I C (A)

V CE (V)

 

0

0

  • V CC

Corte (Q aberto) Região linear

0 < I B < I Csat /

I B

V CC R C I C

Saturação (Q fechado)

I B > I Csat /

I

Csat

  • V CEsat

  • 7.1.5 Saturação fraca e forte

Suponha que se queira garantir que o transistor Q do circuito da Figura 7.1 esteja saturado com uma certa tensão de entrada V BB = V BBH . Com a equação 7.6, pode-se especificar o resistor de base R B tal que

R

B lim

V

BBH

V

BE

sat

I

B

lim

V

BBH

V

BE

sat

I

C

sat

,

(7.9)

Repare que R Blim é o valor de resistência que levaria o transistor ao limiar de saturação se o ganho de

corrente fosse estável e conhecido com precisão. Como isso não acontece, é necessário usar um resistor R B menor para impor uma corrente de base I B maior que o limiar I Blim e garantir a saturação do transistor. Por exemplo, pode-se adotar uma corrente de base 5 vezes maior e assim tem-se R B = R Blim /5, o que é

equivalente a projetar o circuito de base adotando um ganho 5 menor que o esperado. Esse critério de projeto é conhecido como saturação fraca. Outro critério também usado é a chamada saturação forte, em que se usa uma corrente de base 10 vezes

maior e por conseguinte R B = R Blim /10 (ou equivalentemente, adota-se um ganho /10).

  • 7.2 Amplificador de pequenos sinais

Uma das principais aplicações de transistores é a implementação de amplificadores de sinais. A Figura 7.2 mostra um amplificador de pequenos sinais, isto é, para sinais oscilatórios de pequena amplitude e média nula.

V CC R C R 1 V OUT C 1 V Q IN R 3 +
V
CC
R C
R 1
V
OUT
C
1
V
Q
IN
R 3
+
R 2
R E
C
2
Figura 7.2
Amplificador classe A de pequenos sinais

O circuito da Figura 7.2 é conhecido como amplificador classe A. Esse amplificador apresenta a vantagem de ter boa linearidade e baixa distorção na saída. No entanto, possui baixo rendimento pois o transistor dissipa continuamente, mesmo quando nenhum sinal é injetado na base, uma potência dada por aproximadamente V CEQ x I CQ . A tensão coletor-emissor V CEQ e a corrente de coletor I CQ definem o chamado de ponto quiescente, isto é, a tensão e a corrente impostas pelo circuito de polarização a que o transistor está sujeito quando a entrada V IN se encontra desconectada.

  • 7.2.1 Polarização do Transistor

Para determinar o ponto quiescente (I CQ , V CEQ ) do transistor, vamos simplificar a Figura 7.2. Sem a fonte V IN para fornecer um sinal alternado, todas as correntes e tensões do circuito tendem a valores constantes e os capacitores se comportam como circuitos abertos. A impedância elétrica de um capacitor C, em regime senoidal, é dada por

X

C

1

j

C

,

(7.10)

onde é a frequência (em rad/s).

Portanto, o capacitor se comporta como um circuito aberto para correntes

CC (i.e, o módulo de X C tende a infinito quando tende a 0), e como um curto-circuito para sinais de alta

frequência (X C tende a zero quando tende a infinito). Escola Politécnica da USP, Dep. de Eng. Mecatrônica e de Sistemas Mecânicos

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Sem os capacitores, resulta o circuito mostrado na Figura 7.3. Repare que o resistor R 3 foi eliminado juntamente com o capacitor C 2 , uma vez que estavam em série. Além disso, separamos a alimentação V CC para deixar claro que as tensões aplicadas a R 1 e R C são fixas (e poderiam até ser diferentes).

V V CC CC I 1  I C  R 1 R C I B
V
V
CC
CC
I 1 
I C 
R 1
R C
I
B
V
Q
V
CE
B
V
BE
I 2 
 I E
R 2
R E

Figura 7.3

Polarização de emissor por divisor resistivo

Podemos determinar I C e V CE de forma aproximada, assumindo que o ganho de corrente (ou h FE ) do transistor é elevado. A polarização procura manter o transistor na região linear (ou seja, fora da saturação), e

portanto temos que I C = I B . Se é elevado e I C não, podemos supor que a corrente de base I B é muito pequena e desprezível em relação às correntes I 1 e I 2 que fluem pelos resistores do divisor resistivo. Assim,

  • I B

I  1
I
1

I

1

I

2

V

CC

R

1

R

.

2

(7.11)

Com isso, a tensão V B praticamente não varia com a corrente I B e pode ser aproximada por

V

B

  • I R

2

2

V

CC

R

1

R

2

R

2

.

(7.12)

A tensão de base impõe a corrente de emissor I E . Isso porque, como já vimos, a tensão V BE permanece praticamente constante se a junção base-emissor estiver conduzindo. Tem-se então

I

E

V B
V
B

V

BE

R

E

I

C

,

(7.13)

já aproximando I C por I E dado que I E = I C + I B e I B é muito menor que I C , uma vez que assumimos um ganho de corrente elevado (I B << I C ). Dessa forma, a tensão entre o coletor e o emissor pode ser calculada por

VCE VCC RCIC RE IE

VCE VCC IC RC RE .

(7.14)

Com as expressões 7.13 e 7.14 podemos estimar o ponto de operação quiescente (I CQ , V CEQ ) do circuito. Para projetar um amplificador como o da Figura 7.2, estipulamos uma corrente I CQ baixa, da ordem de alguns mili-Ampères, para minimizar a potência quiescente desperdiçada. Escolhemos R C e R E de modo a deixar a tensão do coletor (V CQ ) próximo à V CC /2 (metade da tensão de alimentação), e o emissor (V EQ ) próximo à zero (na prática, de 5 a 10% de V CC ). Quando o amplificador estiver em operação, a tensão V CE poderá excursionar por uma faixa mais ampla, tanto para cima como para baixo. Por exemplo, podemos adotar

V

C

V R I

CC

C

C

0,5

V

CC

e

V

E

I R

C

E

0,1

V

CC

.

(7.15)

Os resistores R 1 e R 2 devem ser escolhidos seguindo a expressão 7.12 para estabelecer na base do transistor a tensão V B = V E + V BE , com V BE = 0,7 V (para transistores de silício). Ao final convém verificar se nossa suposição inicial, dada pela expressão 7.11, é satisfeita. Ou seja, verifique se

I

B

I V CQ CC  R  R . 1 2
I
V
CQ
CC
R
R
.
1
2

(7.16)

Se não for o caso, basta utilizar resistores R 1 e R 2 menores para aumentar a corrente no divisor resistivo.

  • 7.2.2 Análise do Amplificador

Veja novamente a Figura 7.2. Note que um aumento na tensão de entrada V IN causa um aumento na corrente de base I B , que leva a um aumento na corrente de coletor I C . Com isto, a tensão V CE do transistor

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diminuir, uma vez que a queda de tensão nos resistores R C e R E aumenta. Portanto, injetando-se um sinal em V IN , a saída V OUT vai apresentar um sinal invertido com relação à entrada, e oscilando em torno da tensão quiescente no coletor do transistor (V CQ ), como mostra a Figura 7.4. Nela, destacamos também o fenômeno de saturação da saída V OUT : se a excursão do sinal de entrada for muito ampla, a tensão de saída satura em valores próximos a V CC ou a 0 V, que são os limites físicos de tensão que a fonte de alimentação do circuito pode fornecer.

V IN t
V
IN
t
V OUT V CC V CQ V EQ t
V
OUT
V
CC
V
CQ
V
EQ
t

Figura 7.4

Sinais de entrada e saída de um amplificador classe A

A análise completa do amplificador classe A é um pouco complexa, mas podemos tentar entender qualitativamente como o sinal é amplificado pelo transistor. A base do circuito é um transistor NPN em configuração polarização de emissor. O sinal V IN é injetado na base do transistor através de um capacitor de desacoplamento. O capacitor elimina o nível CC imposto na base pela polarização, pois sua impedância tende a zero em altas frequências, conforme a expressão 7.10, e apenas as componentes alternadas do sinal são injetadas na base.

As componentes CA do sinal causam variações na tensão de base, que são amplificadas e modulam a

tensão V CE do transistor. Neste caso, o fator de amplificação não é o ganho de corrente , mas a relação exponencial entre a corrente I E de emissor e a tensão V BE sobre a junção base-emissor, dada por

  • V BE

I

E

(

V

BE

)

I e

S

V

T

I

S

,

(7.17)

onde I S (corrente de saturação reversa) é a pequena corrente de fuga que circula entre o emissor e a base quando essa junção está reversamente polarizada, da ordem de nano-Ampères (nA). A tensão V T varia com a temperatura e deriva do princípio quântico de funcionamento do transistor. Seu valor é dado por

V T

kT

,

(7.18)

q

onde k é a constante de Boltzmann (1,38 x 10 -23 J/K), q é a carga elementar do elétron (1,60 x 10 -19 C), e T é a temperatura da junção base-emissor, em Kelvin. Em temperatura ambiente (25 o C, ou 298 K), V T vale aproximadamente 26 mV. Assim, pequenos sinais injetados em V BE causam grandes variações na corrente de coletor do transistor. No entanto, como esta relação é não linear, as flutuações em V BE devem ser de pequena amplitude para que o sinal de saída não seja distorcido significativamente. Considerando-se apenas sinais CA de pequena amplitude, o circuito de saída da Figura 7.2 pode ser aproximado pelo circuito da Figura 7.5, onde o transistor foi substituído por uma fonte de corrente controlada

por V BE (variações em V BE ). Note que, na análise CA, a fonte de alimentação se comporta como um ponto de

terra, uma vez que a tensão sobre ela não varia (V CC = 0). Além disso, o resistor R 3 foi aterrado, uma vez que o capacitor C 2 funciona como um curto-circuito para altas frequências.

R C C V OUT V BE I E (V BE ) V IN E r
R C
C
V OUT
V BE
I E (V BE )
V IN
E
r E
B
R E
R 3
Figura 7.5
Modelo CA do amplificador classe A

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Conforme mostra a figura, a resistência vista pelo emissor cai para um valor denominado r E , que é resultado da associação em paralelo entre R E e R 3 ,

r E
r
E

E

3

R

E

R

3

R

R

.

(7.19)

Supondo que o ganho de corrente do transistor seja alto, podemos admitir que os circuitos de base e de coletor sejam independentes, ou seja, variações de corrente de coletor I C não afetam significativamente a

tensão de base V B . Desta forma, o sinal de entrada V IN pode ser escrito como

V V r I

IN

BE

E

.

E

(7.20)

Admitimos também que I C é aproximadamente igual a I E , o que também é válido se é alto. Tem-se dessa forma que o sinal CA resultante na saída será dado por

V OUT C E . Linearizando a expressão 7.17 em torno do ponto de operação quiescente de I E , temos

 R .I

V

OUT

  R

C

V

BE

.

I

EQ

(7.21)

(7.22)

A derivada parcial acima representa o inverso da chamada transresistência r TR . Desprezando o termo I S na expressão 7.17 e lembrando que as correntes I E e I C são próximas se é alto, temos que

1  I E r  V TR BE I  I E
1
 I
E
r
V
TR
BE
I
 I
E

EQ

r

TR

V

T

I

EQ

V T
V
T

I

CQ

.

(7.23)

A expressão do ganho G do amplificador é dado pela razão entre os sinais de saída e de entrada. Usando as igualdades 7.22 e 7.23, temos

G

V

OUT

V

IN

 

R

C

V BE
V
BE

1

r

TR

V

IN

.

(7.24)

A relação V BE /V IN pode ser calculada derivando-se a expressão 7.20, ou seja,

V

IN

V

BE

1

 

r

E

I

EQ

V

BE

r

TR

V

IN

r

TR

r E
r
E

,

(7.25)

de tal forma que o ganho final pode ser aproximado simplesmente por

G

V

OUT

V

IN

 

R

C

r

TR

r E
r
E

,

(7.26)

com r E dado pela expressão 7.19 e r TR definido pela expressão 7.23. Note que o ganho é negativo. Isso significa que, aplicando-se um sinal senoidal de pequena amplitude na entrada, o sinal senoidal de saída estará defasado de 180 o em relação ao sinal de entrada.

  • 7.3 Resposta em Frequência

O amplificador classe A que acabamos de estudar não apresenta ganho de tensão constante em todas as frequências. Os capacitores do circuito da Figura 7.2, em associação com os resistores e outras resistências, funcionam como filtros, que acabam por atenuar os sinais para certas frequências. O capacitor C 1 funciona como principal filtro do circuito. Como está em série com a fonte de sinal V IN , apenas sinais de alta frequência passam por ele para atingir a base do transistor. Uma análise completa do comportamento em frequência do amplificador está um pouco além do escopo deste curso, mas podemos descrever o efeito do capacitor C 1 da seguinte forma.

Como mostra a Figura 7.6, para a fonte V IN de pequenos sinais senoidais, todo o circuito do amplificador equivale a uma única resistência, representada na figura por r IN . Comparando este circuito com o da Figura 7.2, vemos que o ponto B desse circuito corresponde à base do transistor.

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Figura 7.6

V IN

C 1 B r IN
C 1
B
r IN

V B

Circuito equivalente visto pela fonte de pequenos sinais

Repare que quando a frequência do sinal de entrada tende a infinito, o módulo da impedância do capacitor (dada pela equação 7.10) tende a zero e o capacitor se comporta como um curto-circuito. Assim, o

sinal V B no ponto B tende a se igualar ao sinal de entrada. Esse circuito se comporta como um filtro passa-altas de um pólo, e no ponto B os sinais são fortemente atenuados para frequências abaixo da frequência de corte f 0 (em Hz), dada por

1 f  0 2 r C , IN 1 e na frequência f 0 o
1
f
0
2 r C
,
IN
1
e na frequência f 0 o sinal no ponto B cai a
V
1
B
 0,707
,
V
2
IN
f
f
0
ou, equivalentemente em decibéis,
V
20log
B
 
3dB
.
  
V
 
IN
f
f
0

(7.27)

(7.28)

(7.29)

Pode-se mostrar que, para pequenos sinais, a resistência equivalente r IN é dada por

1

1

1

1

r

IN

R

1

R

2

r

(

TR

r E
r
E

)

,

(7.30)

ou seja, é a associação em paralelo de todas as resistências ligadas à base do transistor. Repare que o último termo da equação 7.30 representa a resistência presente no emissor do transistor no modelo de pequenos sinais,

multiplicada pelo ganho de corrente . Ou seja, podemos “transportar” a resistência de emissor para o circuito

de base, multiplicando-a por . Isso faz sentido, já que a corrente de emissor é aproximadamente vezes maior que a corrente de base. Por fim, para dimensionar o capacitor C 2 , devemos lembrar que aproximamos a resistência r E pela expressão 7.19 assumindo que a impedância de C 2 tende a zero em altas frequências. Portanto, para que toda essa análise funcione, é necessário escolher um capacitor C 2 suficientemente grande para que, na frequência de corte, a sua impedância seja desprezível com relação ao resistor R 3 que está em série com o ele. Isto é,

1

f C

2

0

2

1 R  C 3 2 2  f R . 0 3
1
R
C
3
2
2
 f R
.
0
3

(7.31)

A princípio, o amplificador deveria funcionar como um filtro passa-altas, com um ganho de tensão G praticamente constante em frequências acima da frequência de corte f 0 . No entanto, quando a frequência das tensões e correntes do circuito aumenta muito, a impedância de outras capacitâncias parasitas do circuito começam a se tornar significativas, aumentando as perdas do circuito, e o ganho de tensão volta a cair. Dessa forma, o amplificador na verdade se comporta como um filtro passa-faixa, apresentado uma frequência de corte inferior (f 0L ) e outra superior (f 0H ).

7.4 Materiais

7.4.1 LED

Usaremos um LED (Light Emission Diode) de 5 mm, cujo desenho se encontra na Figura 7.7. São leds de baixo custo, com baixa eficiência luminosa, mais usados em sinalização de painéis.

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C. M. Furukawa

PMR2433 Eletrônica Analógica e Digital Experiência 7 (rev. A) C. M. Furukawa Anodo Catodo Figura 7.7
Anodo Catodo
Anodo
Catodo

Figura 7.7 Dimensões do led mm [pol.], e seu símbolo

São feitos materiais semicondutores como fosfeto de gálio (GaP) ou fosfeto-arsenieto de gálio (GaAsP), e apresentam tensão de limiar de condução direta (V D0 ) consideravelmente superior aos 0,6 ou 0,7 V de um diodo retificador de silício. A Tabela 7.2 mostra as características dos leds mais comuns. Para que acendam com razoável brilho, devem conduzir entre 10 a 20 mA de corrente direta.

Tabela 7.2 Características de alguns leds de 5 mm

Cor

Comprimento

Tensão direta

Intensidade luminosa

de onda (nm)

(V D0 )

(mcd) @ 20 mA

Azul

  • 460 3,2 a 3,4

a 465

 

5000

a 6000

Verde

a 520

3,2 a 3,4

  • 515 12000 a 14000

Amarelo

  • 587 1,8 a 2,0

a 595

 

4000

a 5000

Vermelho

  • 615 1,8 a 2,0

a 625

 

4000

a 5000

Infravermelho

900

1,4 (típico)

 

-

  • 7.4.2 Transistor 2N2222

Nesta experiência utilizaremos o transistor NPN 2N2222, mostrado na Figura 7.8. Para montá-lo nos circuitos, guie-se pela aba metálica existente na parte de baixo do encapsulamento para identificar corretamente os pinos.

PMR2433 Eletrônica Analógica e Digital Experiência 7 (rev. A) C. M. Furukawa Anodo Catodo Figura 7.7

Vista lateral

C

3 2 aba 1 E
3
2
aba
1
E

B

Vista superior

C

B

3 2 2N2222 1 E Esquemático
3
2
2N2222
1
E
Esquemático

Figura 7.8 Transistor 2N2222: vistas e pinagem.

7.5 Pré-Relatório

ATENÇÃO: leia as atividades por completo para fazer os exercícios corretamente! Total de exercícios: 9

O pré-relatório é composto pelos EXERCÍCIOS contidos nesta apostila. Você deverá entregar o pré- relatório até o começo da aula de sua turma, caso contrário não poderá fazer a experiência. Os exercícios podem ser resolvidos a lápis, mas as respostas finais devem ser escritas à caneta. Faça-os com antecedência, para ter tempo para tirar dúvidas e fazer todos os exercícios. A nota do pré-relatório depende também de uma ARGUIÇÃO ORAL que poderá ser feita em a aula. Portanto, revise o pré-relatório e a apostila antes da aula. A argüição oral também poderá ser feita para esclarecer partes confusas ou mal feitas no pré-relatório, por isso é importante que você o faça com esmero. Leia com atenção todas as atividades da Parte II antes da aula, e não apenas os exercícios. Isso é necessário para fazer os exercícios corretamente pois muitos detalhes estão descritos nas atividades em que se inserem. Além disso, você já terá uma noção das atividades e perderá menos tempo durante a aula. Traga para a aula a apostila IMPRESSA. Os pontos importantes das atividades devem estar destacados ou grifados. As anotações serão avaliadas e contarão na nota final da experiência.

IMPORTANTE: faça com cuidado os diagramas elétricos dos circuitos e as formas de onda pedidos no pré- relatório. Caso contrário, você terá que REFAZÊ-LOS no laboratório.

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PARTE II

PRÁTICA

Atividade 1 Ganho de corrente

Anotação 1a Anote no cabeçalho do relatório: nome dos integrantes da equipe, número da bancada e a hora de início das atividades.

Vamos usar o circuito emissor comum mostrado na para medir o ganho de corrente do transistor em condições de tensões e correntes da mesma ordem de grandeza dos experimentos que faremos. E para poder comparar com o previsto no datasheet do transistor, usaremos aproximadamente uma das condições de teste prevista nele: I C = 10 mA e V CE = 10 V.

  • V BB

V CC =12 V 470R R C C R B B Q 1 2N2222 56K E
V CC =12 V
470R
R C
C
R B
B
Q 1
2N2222
56K
E

Figura 7.9 Circuito para medida do ganho de corrente

Exercício 1 Neste exercício, assuma que o transistor Q 1 tenha h FE = 150, V CEsat = 0,5 V e V BEsat = 0,7 V. Determine: a) o código de cores dos resistores; b) a corrente I C e tensão V BB que faz o transistor operar na região linear no ponto quiescente em que V CE = 8 V.

Exercício 2 Encontre no datasheet do transistor 2N2222 os parâmetros a seguir na condição de teste mais próxima aos valores nominais de I C e V CE adotados nesta atividade: V CE de saturação (V CEsat ), V BE de saturação (V BEsat ), ganho de corrente (h FE ). Transcreva o valor mínimo (Min.), típico (Typ.) e máximo (Max.) deles, bem como as condições em que são válidos e não esqueça as unidades. Nos casos em que forem fornecidos apenas o mínimo e o máximo, calcule o valor médio. NOTA: o valor máximo de h FE que é dado no datasheet é válido em todas as condições de teste.

Anotação 1b Separe os componentes. Meça os resistores com o multímetro e anote os valores medidos.

Monte o circuito no protoboard. Sugestão: deixe os bornes da placa à direita e use as trilhas de alimentação como mostra a Figura 7.10. Monte o transistor na metade inferior: insira o emissor na trilha de terra e o coletor e a base em trilhas abaixo da fenda. Atente para a aba do transistor: deve estar entre 6 e 9 h para que o pino B esteja a 3 h.

V BB R C V CC R B C V BB Bornes Q 1 B E
V
BB
R C
V
CC
R B
C
V
BB
Bornes
Q 1
B
E
0 V

Figura 7.10 Circuito emissor comum no protoboard.

Nesta experiência, precisaremos de duas fontes positivas: uma para V BB e outra para V CC . Para isso, interligue os bornes negativos das duas saídas ajustáveis da fonte de alimentação conforme mostra a Figura 7.11 (a saída fixa de +5 V não será usada). O negativo comum também será a referência de tensão (terra) do circuito.

VN VP +5 V ligação externa 0 V
VN
VP
+5 V
ligação externa
0 V

0 V

V N – +
V
N
+

V

BB

V P – +
V
P
+

ligação externa

V

CC

Figura 7.11 Configuração da fonte para dupla alimentação positiva

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Inicialmente, faça o circuito operar em condição próxima da nominal desejada:

  • Ajuste as saídas da fonte ANTES de conectá-las ao circuito: V BB = 0 V e V CC = 12 V. Desligue a fonte.

  • Conecte a fonte aos bornes da placa com cabos banana-banana: preto para 0 V, vermelho para V CC uma outra cor para V BB . Ligue a fonte.

  • Observe a tensão V CE do transistor com o multímetro. Deve começar próximo a 12 V.

  • Aumente V BB aos poucos até que V CE caia para o primeiro valor da Tabela 7.3.

  • Nesse ponto, meça a tensão V BE do transistor e as tensões V RC e V RB sobre os resistores R C e R B .

  • Calcule as correntes e o ganho para preencher a linha da tabela ANTES de passar para a próxima.

  • Repita para os demais valores da tabela. CUIDADO: não deixe V BB ultrapassar 12 V!

Anotação 1c Copie a Tabela 7.3 no relatório e anote as tensões medidas. Com V RC e o valor medido R C , calcule a corrente I C . Repita com V RB e R B para calcular a corrente I B . Calcule o ganho de corrente =I C /I B . Compare os valores medidos de V BE e com os previstos (se seu ganho deu muito abaixo do previsto, verifique se o transistor não está invertido). ATENÇÃO: faça os cálculos e preencha cada linha antes fazer as medidas da linha seguinte se estiver cometendo algum erro de procedimento, vai ficar sabendo mais cedo!

Tabela 7.3

V CE (V)

V BB (V)

V BE (V)

V RC (V)

V RB (V)

I C (mA)

I B (mA)

(A/A)

2,0

             

8,0

             

11,0

             

Anotação 1d Determine o menor e o maior ganho encontrados. Comunique esses valores ao professor para serem tabulados na lousa.

Anotação 1e Compare o ponto quiescente (I CQ , V CEQ ) e o ganho h FE medidos para V CE = 8 V com os previstos no Exercício 1 do pré-relatório. Por que não é possível polarizar o transistor na região linear com precisão neste circuito (emissor comum)?

Anotação 1f Anote a hora. Discuta suas conclusões com o professor.

Atividade 2 Corte e saturação

Vamos modificar o circuito emissor comum da Figura 7.9 para acionar um led. Para isso, insira um led em série com o resistor do coletor, como mostra a figura abaixo. Usaremos um led vermelho e R L = 470 . Troque também o resistor de base: use R B = 4,7 k.

R C

PMR2433 Eletrônica Analógica e Digital Experiência 7 (rev. A) C. M. Furukawa Inicialmente, faça o circuito
R L
R L

O circuito deve ser alimentado com V CC = 12 V e acender o led com I C = 20 mA. O transistor Q será o 2N2222, que deverá operar em saturação quando V BB = 5 V.

Exercício 3 Faça o diagrama do circuito de acionamento do led. Siga o exemplo da Figura 7.9: indique os componente e seus valores nominais ou códigos comerciais (p.ex. “R L 470R”, “Q 1 2N2222”, etc.) e os valores das tensões de alimentação. Faça a lista de materiais (inclua o código de cores dos resistores).

Exercício 4 Considere que o led tenha V D0 = 2,0 V, e que o transistor Q 1 tenha h FE = 150, V CEsat = 0,5 V e

V BEsat = 0,7 V. Determine:

a) a tensão V CE e as correntes I B e I C para V BB = 0 V;

b) a tensão V CE e as

correntes I B e I C e se o transistor opera em saturação fraca ou forte com V BB = 5 V; c) a tensão V BBlim que leva

o transistor ao limiar de saturação. Nota: este circuito poderia ser usado para acionar o led com a saída de uma porta lógica TTL, uma vez que 5 V é nível H nesse padrão.

Anotação 2a Caso seu diagrama elétrico NÃO tenha sido aceito pelo professor refaça-o corretamente. Anotação 2b Meça o novo resistor R B e anote.

Modifique o circuito para acionar o led. DESLIQUE a fonte antes de mexer no circuito! Teste:

  • Ligue a fonte e ajuste V BB = 5 V (o led deve acender).

  • Meça com o multímetro a tensão V D0 sobre o led e a tensão V BE do transistor

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Anotação 2c Anote os valores de V D0 e V BE . Compare com o previsto no pré-relatório.

  • Ainda com V BB = 5 V, meça V CE , V RC e V RB com o multímetro.

  • Calcule as correntes e o ganho para preencher a linha da Tabela 7.4 ANTES de passar para a próxima.

  • Repita para V BB = 0 V.

Tabela 7.4

 

V BB (V)

V CE (V)

V RL (V)

V RB (V)

I C (mA)

I B (mA)

(A/A)

Saturação:

5,0

V

CEsat :

   

I Csat : ___

   

Corte:

0,0

___

       

XXX

Anotação 2d Copie a Tabela 7.4 no relatório. Com V RL e o valor medido R L , calcule a corrente I C . Repita

com V RB e R B para calcular a corrente I B . Calcule o ganho de corrente =I C /I B na saturação (no corte, o ganho não tem sentido).

Repare que no corte a corrente I C é praticamente nula mas a tensão V CE no coletor NÃO é igual a V CC como você deve ter previsto no pré-relatório. Mesmo sendo muito pequena, a corrente de corte do transistor é suficiente para fazer o led polarizar-se com V D0 , apesar deste não ficar visivelmente aceso.

Anotação 2e Na saturação, verifique se o transistor se encontra em saturação fraca e compare os valores de V CEsat , I Csat com os previstos no pré-relatório.

Anotação 2f Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Atividade 3 Ajuste do osciloscópio e do gerador de funções

Verifique a calibração das pontas de prova do osciloscópio. Mas mesmo que as formas de onda estejam muito distorcidas, NÃO mexa no parafuso de ajuste: chame o professor. Faça os demais ajustes a seguir.

  • Ativação e seleção de canais: botão “1” e botão “2”.

  • Atenuação 10x para as duas pontas: selecione o canal; o menu “Probe” deve mostrar “10X Voltage” – caso contrário, selecione o menu “Probe” e em seguida o menu “Attenuation” até ajustar em “10X”.

  • Acoplamento DC nos dois canais: selecione o canal e ajuste o menu “Coupling” para “DC”.

  • Limite de banda nos dois canais: selecione o canal e ajuste o menu “BW Limit” para “On 20MHz”.

  • Configurações de Trigger : aperte o botão “Trig Menu” e faça os seguintes ajustes Source: CH1 compara o sinal no canal 1 com o nível ajustado de trigger para gerar os disparos Type: Edge faz com que o instante de trigger seja uma das bordas do sinal Source Slope: Rising gera os disparos nas bordas de subida do sinal Source Mode: Auto gera disparos automaticamente caso o sinal Source não atinja o nível de trigger. Coupling: DC mantém o nível DC do sinal Source ao compará-lo com o nível ajustado de trigger.

Ajuste no gerador de funções uma onda triangular de 0 a 5 V de amplitude e 5 Hz de frequência.

  • Com o gerador ainda desligado, conecte o cabo BNC/garrinhas à saída “50 ” do gerador de sinais.

  • Conecte a garra positiva (vermelha) do cabo à ponta do canal 1 e as garras de terra.

  • Selecione a onda triangular no painel do gerador (pressione o botão “Function” correspondente).

  • Ajuste a frequência para 5 Hz (selecione a escala correspondente e ajuste girando o botão “Frequency”).

  • O botão “–20 dB” de estar desapertado para não atenuar a saída (a amplitude será maior que 1 V)

  • Botões “WIDTH” e “SYM.”: apertados (para ficarem desativados).

Ligue o gerador. Verifique o sinal no canal 1 do osciloscópio. Como não usaremos a ponta do canal 2 por hora, prenda-o no terminal de terra do painel do osciloscópio e desative-o.

  • Como a frequência f é de 5 Hz, o período T é de

...

0,2 s (certo?). Comece com horizontal = 200 ms/div

  • Como a tensão varia entre 0 a 5 V, comece com vertical = 5 V/div.

  • Centralize o sinal e ajuste aproximadamente a amplitude pico a pico para 5 V (botão “AMP.” do gerador).

  • Se este sinal não aparecer estático na tela, ajuste o nível de trigger (o botão “Set to 50%” ajuda).

  • Aumente os ganhos horizontal e vertical para que o sinal ocupe umas 4 divisões nos dois eixos, e ajuste com mais precisão a amplitude para 5 V pico a pico.

  • Puxe o botão “DC OFFSET” para poder ajustar o valor médio (offset) da onda.

  • Ajuste o offset (botão “DC OFFSET” do gerador) para que o nível inferior seja nulo: alinhado com o nível de referência do canal 1 (indicação “1→” na lateral esquerda da tela).

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Average Caso um sinal esteja muito ruidoso durante a experiência, use o modo “Average” com média de 4 ou mais varreduras: botão “Acquire”, menu “Average” (sem s), e selecione o número de varreduras no menu

Averages” (com s

...

).

Isso melhora a relação sinal/ruído, mas torna a resposta do osciloscópio mais lenta.

Anotação 3a Anote o horário. Em caso de dúvida, peça para o professor conferir a forma de onda.

Atividade 4 Acionamento pisca-pisca

Anotação 4a Calcule a tensão V BB que leva o transistor ao limiar de saturação (V BBlim ). Use as tensões V D0 (do led aceso), V BE e V CEsat medidas na atividade anterior, e o menor ganho de corrente medido na Atividade 1

Vamos usar o gerador de sinais para aplicar em V BB uma onda de baixa frequência e ver o led piscar.

  • Desconecte a fonte ajustável V N do borne do protoboard ligado a V BB .

  • Remova o cabo que interliga os negativos das duas saídas ajustáveis.

  • Ligue a garra positiva (vermelha) do cabo do gerador à entrada V BB do circuito e a garra negativa (preta) à malha de 0 V.

  • Conecte o canal 1 no sinal de entrada (V BB ) e garra de terra da ponta à malha de 0 V.

  • Conecte o canal 2 no coletor do transistor (V CE )

Ligue a fonte e o gerador de sinais. O led deve estar piscando. Observe os sinais no osciloscópio. Para

medi-los com precisão, os níveis de referência (“1” e “2”) dos canais devem estar na base da tela e os ganhos verticais ajustados para que os sinais ocupem o máximo da altura da tela.

Anotação 4b Esboce (à mão livre!) um período dos sinais alinhados verticalmente (não os desenhe sobrepostos). Indique nos sinais os valores máximos e mínimos. Identifique no sinal V CE os pontos de corte (V CE = V CC V D0 ) e saturação (V CE = V CEsat ) do transistor e meça no sinal V BB as tensões limítrofes que colocam o transistor em corte (V BB < V BEsat ) e saturação (V BB > V BBlim ). Compare com o valor de V BBlim calculado na anotação anterior.

EXPERIMENTE: reduza a amplitude de V BB até que o led não acenda mais (V CE continuamente alto) – se necessário, ajuste “DC OFFSET” para manter o mínimo em 0. Aumente “DC OFFSET” do gerador de sinais até o led fique sempre aceso (V CE continuamente baixo).

Anotação 4c Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Atividade 5 Polarização de emissor

Vamos testar inicialmente o circuito de polarização de emissor da Figura 7.3 (depois poderemos aproveitá-lo para montar o amplificador classe A). O circuito será alimentado com V CC = 12 V e deverá operar em torno do seguinte ponto quiescente: I CQ = 1 mA, V CEQ = V CC /2 e V EQ baixo, entre 5 a 10% de V CC . Além do transistor

2N2222, vamos usar R 1 = 8,2 k R 2 = 1,5 k, R C = 4,7 ke R E = 1,0 k. Desmonte o circuito anterior (mantenha apenas as conexões de alimentação). Separe os componentes que faltam para montar o circuito de polarização de emissor.

Anotação 5a Caso seu diagrama elétrico NÃO tenha sido aceito pelo professor refaça-o corretamente.

Anotação 5b Meça os novos resistores (R 1 , R 2 e R E ) com o multímetro e anote os valores medidos. Sugestão: desta vez, monte o transistor Q em cima da fenda como mostra a Figura 7.12.

V IN R C R 1 C Q 1 B V CC E Bornes R 2
V
IN
R C
R 1
C
Q 1
B
V
CC
E
Bornes
R 2
R E
0 V

Figura 7.12 Circuito de polarização de emissor no protoboard.

Por hora, não usaremos um sinal de entrada V IN deixe esse borne do protoboard em aberto. Alimente V CC com uma fonte ajustável - a outra não será usada e deve ficar desconectada.

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Ligue a fonte e meça com o multímetro as tensões V B , V C e V E no transistor (com relação a 0 V!). Anotação 5c Anote os valores das tensões medidas. Compare com as tensões previstas no pré-relatório.

Meça a tensão coletor-emissor V CE do transistor e a tensão V RC sobre o resistor R C . NÃO DESMONTE o circuito. Vamos usá-lo na próxima atividade.

Após terminar,

Anotação 5d Anote as tensões medidas. Usando os valores medidos de R C e R E , calcule as correntes I C e I E . Determine o ponto quiescente (I CQ, ,V CEQ ,).

Anotação 5e Compare o ponto quiescente medido com o previsto no pré-relatório.

Por que a incerteza sobre

valor exato do ganho de corrente não prejudica a polarização do transistor neste circuito? Anotação 5f Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Exercício 5 Faça o diagrama do circuito de polarização de emissor (Figura 7.3) a ser montado nesta atividade. Indique os componente e seus valores nominais ou códigos comerciais (p.ex. “R C 4k7”, “Q 2N2222”, etc) e as tensões de alimentação. Faça a lista de materiais (inclua o código de cores dos resistores).

Exercício 6 Considere que o ganho de corrente do transistor seja infinito e que V BEsat = 0,7 V. Determine de forma aproximada o ponto quiescente de operação do transistor, isto é:

  • a) As tensões V B e V E

  • b) As correntes I E e I C ;

  • c) A tensão coletor-emissor V CE

  • d) A corrente I B (e verifique se esta pode mesmo ser desprezada para se estimar V B ).

Atividade 6 Amplificador classe A

Para completar amplificador classe A da Figura 7.2, vamos especificar numa primeira tentativa um ganho

PMR2433 Eletrônica Analógica e Digital Experiência 7 (rev. A) C. M. Furukawa Ligue a fonte e

G = 23 dB (ou 10 2 V/V, não é?) e uma frequência de corte em torno de f 0 = 1 kHz. Para tanto, usaremos os seguintes componentes adicionais: C 1 = 100 nFC 2 = 22 F e R 3 = 470 . Complete a montagem do amplificador, acrescentado esses componentes no circuito da atividade anterior. CUIDADO PARA NÃO INVERTER A POLARIDADE DO CAPACITOR ELETROLÍTICO C 2 ! Conecte o gerador de sinais à entrada V IN do amplificador. Inicialmente, mantenha o sinal de entrada

em frequência de 10 kHz (período de

100 s, claro), amplitude A IN = 0,4 Vpp (Volts pico a pico), offset zero

... (deixe o botão “DC OFFSET” do gerador apertado) . Observe a entrada V IN no canal 1 do osciloscópio, e a saída V OUT no canal 2. Deixe o canal 1 em

acoplamento AC. Já o canal 2 deve ser deixado em acoplamento DC para que você possa ver o sinal excursionando em torno da tensão V CQ do ponto quiescente. Note que os sinais estão defasados de aproximadamente 180 o (ou seja, o sinal de saída está invertido com relação ao sinal de entrada).

Anotação 6a Meça com o osciloscópio a amplitude A OUT (pico a pico) do sinal de saída em diferentes frequências, preenchendo as duas primeiras linhas da Tabela 7.5. Em cada frequência, reajuste a amplitude de entrada A IN em 0,4 Vpp . Complete a tabela com os valores calculados de ganho de tensão G e compare com o que foi previsto no pré-relatório.

Tabela 7.5

f (kHz)

A IN (Vpp)

A OUT (Vpp)

G (V/V)

10,0

     

100,0

     

f 0L : ____

     

EXPERIMENTE: aumente a amplitude de V IN até causar a saturação de V OUT . Verifique que a saída satura em V CC (em cima) e em V EQ (em baixo). Para encontrar a frequência de corte inferior (f 0L ), calcule a amplitude A OUT média das duas medições

feitas isto está relacionado ao ganho máximo do amplificador. Divida a amplitude média por

2
2

para ter a

amplitude atenuada em 3 dB e procure a frequência (em torno de f 0 previsto no pré-relatório) em que A OUT cai a esse valor comece por exemplo em 2f 0 e vá diminuindo a frequência. Mantenha A IN em 0,4 Vpp, reajustando a amplitude de V IN se necessário.

Anotação 6b Calcule A OUT médio e a amplitude de 3 dB. Encontre a frequência f 0L e preencha a terceira linha da tabela. Compare a frequência encontrada com a prevista no pré-relatório.

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Experiência 7 (rev. A)

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Anotação 6c Anote a hora. Mostre o circuito funcionando e suas e conclusões para o professor.

Exercício 7 Faça o diagrama do circuito do amplificador classe A completo (Figura 7.3). Indique os componente e seus valores nominais ou códigos comerciais (p.ex. “R C 4k7”, “Q 2N2222”, etc), os valores das tensões de alimentação e os pontos do circuito ligados aos canais 1 e 2 do osciloscópio. Liste os componentes não incluídos no circuito de polarização de emissor (inclua o código de cores dos resistores).

Exercício 8 Calcule o ganho de tensão G. Adote V T = 0,026 V (temperatura ambiente).

Exercício 9 Calcule a frequência de corte f 0 (inferior) do amplificador . Verifique se o capacitor C 2 pode mesmo ser desprezado já nessa frequência.

Atividade 7 Finalização

Deixe a bancada em ordem e limpa. Falhas nesse procedimento serão penalizadas.

Anotação 7a Check list Verifique e anote no relatório cada um dos itens abaixo. ESCREVA os nome dos itens e não apenas uma seqüência de meros “sim” e “não”.

  • Equipamentos Liste todos os equipamentos usados. Todos estão desligados?

  • Multímetro Os cabos das pontas de prova do multímetro estão arrumados? Deixe o multímetro sobre o tampo baixo da bancada, para que possamos conferir facilmente se está desligado.

  • Osciloscópio Os cabos das pontas de prova do osciloscópio estão arrumados?

  • Cabos Liste todos os cabos de conexão (exceto os cabinhos) usados. Os cabos foram recolocados nos lugares de origem?

  • Componentes Foram guardados nas devidas gavetas? Há componentes ou cabinhos sobre a mesa ou caidos no chão?

  • Empréstimos Usou alguma coisa de outra bancada? O quê? Foi devolvido?

  • Defeitos Encontrou algum defeito? Preencheu a Comunicação de Defeito?

  • Limpeza A bancada está limpa?

Entregue o relatório feito em sala e o seu pré-relatório.

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2N2219A 2N2222A  HIGH SPEED SWITCHES DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon planar epitaxial NPN
2N2219A
2N2222A
HIGH SPEED SWITCHES
DESCRIPTION
The 2N2219A and 2N2222A are silicon planar
epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for
2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A)
metal case. They are designed for high speed
switching application at collector current up to
500mA, and feature useful current gain over a
wide range of collector current, low leakage
currents and low saturation voltage.
2N2219A
approved to
CECC 50002-100,
2N2222A
approved
to
CECC
50002-101
TO-18
TO-39
available on request.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Voltage (I E = 0)
Value
Unit
Collector-Base
75
V
V CBO
Collector-Emitter Voltage (I B = 0)
40
V
V CEO
Emitter-Base Voltage (I C
Collector Current
= 0)
6
V
V EBO
I C
0.8
A
Total Dissipation at T amb
≤ 25 o C
P tot
for 2N2219A
0.8
W
for 2N2222A
0.5
W
at T case ≤ 25 o C
for 2N2219A
3
W
for 2N2222A
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1.8
W
-65 to 200
o C
T stg
T j
175
o C
June 1999
1/8

2N2219A/2N2222A

THERMAL DATA TO-39 TO-18 Thermal Resistance Junction-Case Max 50 83.3 o C/W R thj-case Thermal Resistance
THERMAL DATA
TO-39
TO-18
Thermal
Resistance
Junction-Case
Max
50
83.3
o C/W
R thj-case
Thermal
Resistance
Junction-Ambient
Max
187.5
300
o C/W
R thj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T case = 25 o C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector Cut-off
V
CB = 60 V
10
nA
I CBO
Current
(I E = 0)
V
=
60
V
= 150 o C
10
A
CB
T case
I CEX
Collector Cut-off
Current (V BE = -3V)
V
CE = 60 V
10
nA
Base Cut-off Current
(V BE = -3V)
V
CE = 60 V
20
nA
I BEX
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I C = 0)
V
= 3 V
10
nA
EB
Collector-Base
Breakdown Voltage
(I E = 0)
I
C = 10 A
75
V
V (BR)CBO
V (BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I B = 0)
I
C = 10 mA
40
V
V (BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I C = 0)
I
E = 10 A
6V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C = 150 mA
I B
= 15 mA
0.3
V
I
C = 500 mA
I B
= 50 mA
1
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
I
C = 150 mA
I B
= 15 mA
0.6
1.2
V
I
C = 500 mA
I B =
50 mA
2
V
h FE
I C
= 0.1 mA
= 10 V
35
V CE
I
C = 1 mA
= 10 V
50
V CE
I
C = 10 mA
= 10 V
75
V CE
I
C = 150 mA
= 10 V
100
300
V CE
I
C = 500 mA
= 10 V
40
V CE
I
=
150
mA
=1V
50
C
V CE
I
C = 10 mA
= 10 V
V CE
T amb = -55 o C
35
h fe
Small Signal Current
Gain
I
C = 1 mA
= 10 V
f = 1KHz
50
300
V CE
I
C = 10 mA
V CE = 10
V
f = 1KHz
75
375
f T
Transition Frequency
I C = 20
mA
V CE = 20 V
300
MHz
f = 100 MHz
Emitter Base
I
C =0
= 0.5 V
f = 100KHz
25
pF
C EBO
V EB
Capacitance
Collector Base
I
E =0
V CB = 10 V
f = 100 KHz
8
pF
C CBO
Capacitance
R e(hie)
Real Part of Input
Impedance
C = 20 mA
f = 300MHz
I
V CE = 20 V
60
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 1 %
2/8

2N2219A/2N2222A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit NF Noise Figure I C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
NF
Noise Figure
I C = 0.1 mA
f = 1KHz
V CE = 10 V
4
dB
R g =
1K
Input Impedance
I C
= 1 mA
= 10 mA
= 10 V
2
8
k
h ie
V CE
I C
V
= 10
V
0.25
1.25
k
CE
-4
Reverse Voltage Ratio
I C
= 1 mA
= 10 mA
= 10 V
8
10
h re
V CE
-4
I C
V
= 10
V
4
10
CE
Output Admittance
I C
= 1 mA
= 10 V
5
35
S
h oe
V CE
I C =
10 mA
V CE = 10
V
25
200
S
t d
Delay Time
V CC = 30 V
I B1 = 15 mA
I C = 150 mA
V BB = -0.5 V
10
ns
t r
Rise Time
V CC = 30 V
I B1 = 15 mA
I C = 150 mA
V BB = -0.5 V
25
ns
t s
Storage Time
V CC = 30
V
I C =
150 mA
225
ns
I B1 = -I B2 = 15 mA
t f
Fall Time
V CC = 30
V
I C = 150
mA
60
ns
I B1 = -I B2 = 15 mA
Feedback Time
r bb’ C b’c
Constant
I C = 20 mA
f = 31.8MHz
V CE = 20 V
150
ps
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 1 %
See test circuit
3/8

2N2219A/2N2222A

Normalized DC Current Gain. Collector-emitter Saturation Voltage. Contours of Constant Narrow Band Noise Figure. Switching Time
Normalized DC Current Gain.
Collector-emitter Saturation Voltage.
Contours of Constant Narrow Band Noise Figure.
Switching Time vs. Collector Current.
4/8