UTN REG. SANTA FE – ELECTRONICA I - ING.

ELECTRICA
1-4- Diodos especiales
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DIODOS ESPECIALES

Tenemos una gran variedad de semiconductores de una juntura, con características

eléctricas especiales. Los más relevantes son los siguientes: Diodo Zener, diodo
varicaps., diodo túnel, diodo Schottky, diodo emisor de luz, fotodiodos, diodos de
corriente constante, diodos de recuperación en escalón, diodos invertidos.

Diodos Zener
iz Polariz.
Estos diodos, tienen propiedades similares a directa
la de un diodo normal “pn”. La característica
V—I, obedece en polarizacìon directa, a la Vzk
característica exponencial donde:
id = Is[ e(Vz/η.VT) - 1] para vz > 0. En polarizacìon
inversa, el comportamiento es similar al diodo común, vz
siempre que la tensión inversa no sea excesiva. A
partir de una determinada tensión inversa, Vz=cte
denominada “Vzk”, se produce la “ruptura de la
juntura” que hace que aumente notoriamente la
Polariz.
corriente inversa, sin que aumente la tensión en sus
extremos. Dentro de ciertos límites de corriente inversa
inversa, esta ruptura no es destructiva. De allí la
aplicación de este elemento como “tensión de
referencia” o de “regulación de tensión”.
Mecanismo de ruptura: Existen dos formas de ruptura: Ruptura por avalancha y
ruptura por efecto Zener. En la primera, los portadores de carga generados
térmicamente, adquieren suficiente energía a partir del potencial eléctrico externo
aplicado, produciéndose la ruptura de enlaces covalentes generando pares “electrón –
huecos”. Estos a su vez también adquieren energía para romper otros enlaces covalentes
y así este proceso se hace acumulativo, dando lugar a un aumento de la corriente
inversa. Este proceso se denomina “multiplicación por avalancha”.
La “ruptura Zener”, se produce por el propio campo eléctrico en la zona de la juntura
(zona de la barrera de potencial o campo eléctrico ínter construido) que se ve
incrementado por el potencial eléctrico externo aplicado. Este, provoca la separación de
los electrones de sus enlaces covalentes, generando los portadores de carga “electrón-
hueco”.
Un diodo Zener esta construido, drogando fuertemente las regiones p y n de la juntura
pn. Para diodos con tensiones de ruptura por debajo de los 6 volt, el mecanismo de
ruptura es por “efecto Zener”. Por encima de este valor el mecanismo de ruptura es por
“avalancha”. Cualquiera sea el mecanismo de ruptura, se les denomina “diodos Zener”.
Características de temperatura: La tensión de
ruptura es función de la temperatura. Esta Coef.+
dependencia se especifica, mediante el coeficiente Temp. 6 volt
de temperatura, definido como “el cambio de la
tensión de referencia (%) por grado centígrado de
variación de la temperatura. Este valor suele estar
vz
comprendido entre ± 1% / ªC dependiendo de la
tensión de ruptura. Para diodos Zener por debajo
de los 6 volt, el coeficiente es negativo. Por arriba
de 6 volt, es positivo.

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Resistencia dinámica: En los diodos Zener reales, en la zona de la ruptura, rd no es
constante, sino que se va incrementado levemente, con el aumento de de la corriente
inversa. La reciproca de la pendiente de la curva V—I , en el punto de funcionamiento
se le denomina como ya lo hemos tratado, “resistencia dinámica del diodo Zener”
rd = ∆Vz / ∆Iz. Este valor suele estar comprendido en ≈ 5 Ω para diodos Zener con
tensiones de ruptura de alrededor de los 6 volt. Este valor, se incrementa para tensiones
de ruptura mayores y menores a 6 volt. En la zona del codo de la ruptura (Izk), su valor
se incrementa notablemente. Por ejemplo el diodo zener 1N957 tiene una tensión de
Zener de Vz = 6,8 volt para una corriente Izt = 18,5 ma, con una resistencia dinámica
rd = 4,5 Ω. Para Izk = 1 ma la resistencia dinámica vale rd = 700 Ω. De allí la
conveniencia de utilizar los diodos Zener con corrientes por encima de Izk (corriente
del codo).
Capacidad del diodo Zener: Estos como toda juntura pn, presentan una capacidad
(capacidad de transición) cuyo valor varía en razón inversa a la tensión aplicada
Ct ≈ 10 a 10.000 pF.

Análisis de un circuito básico con diodo Zener

Generalmente en los circuitos que se utiliza un diodo Zener, la carga esta conectada en
paralelo. Conviene simplificarlo utilizando Thevenin en los puntos A y B del circuito.

Vth = (RL . Vcc) / ( R1+RL)

iz
Rth = R1 // RL = R1 . Rl / (R1+RL)

Para resolver analíticamente debemos Vth/Rth

encontrar el modelo aproximado por tramos
Iz,Vz
del diodo Zener y plantear las siguientes
ecuaciones:
Vth
Izk
Vth = Rth . iz + vz

vz = Vzk + rd . iz vz
Para resolver gráficamente, debemos Vzk
superponer la recta de carga con la curva del
diodo Zener como muestra el dibujo aclarando
que la zona de ruptura se la dibuja en el 1º
cuadrante.

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Problema
Para el circuito de la figura, determinar:
a)- La tensión sobre la carga b)- La corriente sobre la carga C)- La corriente del diodo
Vzk = 3,0 volt rd = 0 Ω

Problema
Resolver los mismos valores del problema con la diferencia de la tensión de ruptura del
diodo Zener Vzk = 6,8 volt.

Problema
Se desea diseñar un circuito reductor de tensión continua para alimentar una carga con
una tensión de 9 volt, teniendo en cuenta que la misma tiene un consumo máximo de
0,75 vatios. La fuente primaria, es un toma corrientes de un automóvil el cual
suministra una tensión nominal de 12 volt. El circuito deberá mantener la tensión de
suministro de 9 volt aun cuando la carga se desconecte, y deberá además hacer frente a
las variaciones de la tensión primaria de entrada.
Datos:
Pomax = 0,75 vatios Pomin = 0 vatios
V1nominal = 12 volt V1minimo = 12 volt. V1maximo = 13,6 volt

Solución: Seleccionaremos un diodo Zener con una tensión de ruptura Vzk = 9 volt.
La resistencia R1 la determinaremos teniendo en cuenta que el diodo deberá estar
conduciendo en todo momento en la zona de ruptura y con una corriente mínima (Izk)
dada en la zona del codo. La peor condición se va a dar entonces cuando se este
consumiendo la potencia máxima y al mismo tiempo la tensión primaria (V1) tenga su
valor mínimo.

RL = Vo2 / Po max = 92 / 0,75 = 108 Ω

Io max = VoN / RL = Vzk / RL = 9 / 108 = 83,3 ma
Io min = 0
Izk = 1ma (valor adoptado)
I1 = Izk + Io max. = 1 + 83,3 = 84,3 ma

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R1 = (V1 min – vz) / I1 = (12 – 9) / 0,0843 = 35,6 Ω

PR1 = RL . I12 = 0,25 vatios
Con este valor de R1 debemos ahora calcular la corriente máxima que va a circular por
el diodo Zener. Esta condición se va a dar cuando tengamos el máximo valor de V1 y
la carga desconectada Io = 0

Iz max = (V1 max – vz ) / R1 = (13,6 –9 ) / 35,6 = 130 ma.

Con este valor podemos calcular la máxima potencia que deberá disipar el diodo Zener.
Pzmax = Izmax. Vz = 1,17 vatios.
Con el valor de Vzk, Iz máx. y Pzmax, se deberá seleccionar el diodo que tenga la
tensión de ruptura lo mas próximo y su disipación mayor al valor calculado.
Otra solución respecto al valor máximo de iz es colocar una resistencia de drenaje para
evitar que la corriente de la carga sea cero. Como aclaración final, éste es un cálculo
previo dado que se deberá recalcular, en base a los valores de resistencias y diodo
adoptados.

Diodos de capacidad variable (varicaps)

La juntura “pn” presenta características de “capacidad eléctrica” ante variaciones tanto

de la tensión inversa aplicada, como de la tensión directa. Podemos entonces distinguir
dos tipos de capacidad: la capacidad de la “carga espacial” o de transición (Ct) y la
capacidad de difusión o almacenamiento (Cd).

Capacidad de transición Ct : Esta capacidad aparece cuando polarizamos

inversamente la juntura pn. La polarizacìon inversa provoca que los portadores
mayoritarios se alejen de la juntura dejando descubierta la denominada “carga espacial”
debido a los átomos ionizados. El grueso de esta capa de carga espacial, aumenta con la
tensión inversa. Este aumento de carga puede considerarse como un efecto de
capacidad Ct =│∆Q/∆V│
Donde ∆Q es el aumento decaiga provocado por un aumento de ∆V de la tensión
aplicada. El valor de Ct lo podemos expresar de la siguiente forma:

Ct = ε.A/W
ε ≡ permitividad del material
A≡ Area de la juntura transversal
W≡ Ancho de la zona de la carga espacial

El valor de W se puede expresar mediante las siguientes formula:

W = √(2.ε.Vj/q.Nd) (raiz al cuadrado); para juntura abrupta tipo aleación
W = √(2.ε.Vj/q.Nd) (raiz al cubo); para juntura gradual.
Vj = Vo + Vd
q ≡ carga del electrón
Nd ≡ concentración de impurezas donadoras
Vj ≡ Potencial de la juntura o barrera de potencial con tensión externa inversa aplicada.
Vo ≡ Barrera de potencial sin tensión externa aplicada
Vd ≡ Tensión externa aplicada
El valor de Ct es del orden de los pF y como W aumenta con Vj, entonces la capacidad
de transición disminuye con el aumento de la tensión inversa aplicada.

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Capacidad de difusión: Esta aparece cuando la juntura esta polarizada directamente.

E l origen de esta capacidad tiene lugar en el almacenamiento de las cargas inyectadas
en la vecindad de la juntura, fuera de la región de transición. La variación de esta carga
inyectada, con la variación de la tensión directa aplicad nos define una capacidad
incremental:
Cd ≡ ∆Q/∆V = τ.I / η.vT = τ .g = τ / r siendo g = dI / dV

vT= tension termica ≈ T [ªK]/ 11.600

τ ≡ Tiempo de vida media de los portadores huecos.
I ≡ Corriente directa.
η ≡ Coeficiente de emisión
Por ejemplo si τ = 20 µseg. , η =1 resulta Cd = 20 µF.
Como vemos Cd >> Ct. No obstante de ser Cd un valor grande, no tiene en las
aplicaciones en gral. Inconvenientes dado que rd (resistencia dinámica directa) es muy
bajo y por lo tanto la constante de tiempo “rd.Cd” no es exesiva.

Diodo Varicaps

Son diodos que se utilizan como capacidad variable aprovechando la variación de la

capacidad de transición Ct con la tensión inversa aplicada.

Símbolo
Circuito equivalente
Curvas típicas de variación de Ct

Ct(pf)

20

10

-4 -12 Vd inv.(volt)

Los valores dados en el circuito equivalente son para un determinado diodo varicaps
con una determinada tensión inversa. Estos diodos se los utiliza generalmente en
sistemas de radiocomunicaciones para los circuitos de sintonización tipo LC o también
en osciladores con frecuencias variables.
Veamos un circuito básico de aplicación, para sintonización “LC”

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Antena

C y L forman el circuito de resonancia paralelo principal. L1 acopla la señal sintonizada

a las etapas amplificadoras posteriores. C1 acopla, en paralelo al circuito LC (llamado
circuito tanque), la capacidad de transición Ct. El filtro L de Choke, impide que la señal
de radiofrecuencia, presente el circuito tanque, ingrese a la fuente de alimentación Vcc
y a través de ella, provoque inestabilidad en el resto del circuito (realimentación
positiva). La fuente de alimentación y el potenciómetro, son los encargados de aplicarle
una tensión inversa y variable al diodo barricas. La variación de Ct provoca el cambio
de la frecuencia de resonancia del circuito tanque y con ello la sintonización.

Diodo Túnel

Un diodo común tiene una concentración de impurezas de aproximadamente 1 parte en

10(8)átomos del semiconductor. Con este dopado, la zona de agotamiento o región de
la carga espacial no neutralizada (zona de la barrera de potencial), es del orden de 1
micra. Esta zona es la que restringe la fluencia de portadores mayoritarios de un lado de
la juntura hacia el otro. Si la concentración de impurezas se hace una parte en 10(3)
átomos del semiconductor, la característica de la juntura cambia completamente. El
ancho de la barrera de potencial varía inversamente con la raíz cuadrada de la
concentración de impurezas, reduciéndose a solo un cincuentava parte de la longitud de
la onda de la luz visible. Con este ancho existe una gran probabilidad de que un
electrón penetre a través de la barrera de potencial. Este comportamiento en “Mecánica
Quántica” se lo conoce como “efecto túnel”. Estos dispositivos se los denominan o
conocen, como diodos túnel.

Símbolo
Característica V—I
Región de
Cuando la tensión directa llega a id resistencia
aproximadamente 0,1 volt y hasta 0,3 negativa
Ip
volt, el dispositivo presenta una
característica de resistencia negativa es 1ma
decir aumenta la tensión en los extremos
con disminución de la corriente. Iv
Vp: tensión pico 0,1ma
Ip: corriente pico
Vv: tensión de valle
Iv: corriente de valle Vp Vv Vd(volt)
0,1 0,3
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Una de las aplicaciones de los diodos túnel es la generación de altas frecuencias
mediante los circuitos osciladores con un rango de frecuencias muy angosto. El
reducido rango de tensiones donde ocurre el fenómeno de resistencia negativa, limita
sus aplicaciones. Son dispositivos de baja potencia. Las tensiones directas e inversas
aplicadas es necesario limitarlas a un mínimo. Los materiales utilizados para su
construcción son el Si, GaAs y Ge.

Diodo Schottky

Es posible lograr dos tipos de unión entre metal y semiconductor: una unión “ohmica”
o una unión “rectificante. Para la primera, es el tipo de contacto requerido cuando esta
destinado a unirse a un semiconductor, como el caso de los terminales exteriores que se
unen al material pn de un diodo. El segundo es un diodo “metal—semiconductor
(denominado barrera Schottky), con características eléctricas similares a un diodo pn.
Cuando se forma una unión “metal –semiconductor”, (siendo el metal aluminio, o
platino), con un semiconductor del tipo “n”, fuertemente impurificado (n+), la unión
que se logra es “ohmica”. En cambio si el semiconductor esta ligeramente drogado, se
forma una unión “rectificante. El aluminio o el platino, actúan como dopantes del tipo
“p” (aceptor) cuando se deposita directamente sobre el silicio tipo “n”.
1 Al 2 SiO2

1 2
n+
Juntura
Rectificante
Tipo n
Símbolo
Sustrato tipo “p”

El dibujo es un diodo Schottky formado bajo la técnica de los circuitos integrados. El

Terminal “1” (ánodo), forma una unión rectificante cuando se une el aluminio con el
semiconductor silicio tipo “p”. El terminal”2” (cátodo), forman una unión Ohmica
cuando se une el aluminio con el semiconductor silicio fuertemente drogado tipo “n+”.
A diferencia del diodo de juntura pn de silicio, que tiene un voltaje umbral de alrededor
de 0,5 a 0,7 volt, el diodo Schottky se activa con un voltaje de ≈ 0,3 volt. La corriente
de saturación inversa “Is” de este diodo es mucho más alta que los de silicio “pn”. Una
ventaja importante, es la de poder conmutar de conducción directa a inversa a mas
velocidad que un diodo pn, debido a que no presenta prácticamente “carga almacenada
Q”, introduciendo menos fluctuaciones de voltaje o ruido eléctrico. Este diodo se utiliza
frecuentemente en los circulitos integrados, siendo una de las funciones, la de limitar la
caída de tensión directa o inversa de una juntura pn (fijador de tensión Schottky).

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Problema
En el circuito de la figura, determinar el voltaje del diodo “pn” de silicio y la corriente
i1, cuando se aplica una tensión V1= 5 volt.
Vγ1(Schottky)=0,3 volt
Vγ2(silicio pn) = 0,7 volt

VD

Ambos diodos están polarizados directamente. Cuando la tensión llegue a 0,3 volt, el
diodo que comenzara a conducir será el de menor tensión umbral, en este caso el diodo
Schottky y que por lo tanto fijara en el mismo valor la tensión del diodo de juntura pn.
Vd = Vγ1 =0, 3 volt.
i1 = (V1 – Vγ1) / R1 = (5 – 0,3) / 1 = 4,7 ma.

Fotodiodos

Estos elementos forman parte de la familia de los dispositivos opto electrónicos o

fotonicos, siendo su aplicación, en los procesamiento de señales analógicas y digitales.
Se utilizan extensamente en redes telefónicas y de computadoras, reproductores de
discos compactos (CD, DVD, etc), control a distancia sin cables eléctricos, etc.
Constituyen la interfase entre los medios de transmisión ópticos (fibras ópticas) y los
sistemas electrónicos. Analizaremos el funcionamiento del fotodiodo:
Fotones de distinta Luz externa
Ventana Longitud de onda
Azul rojo Infrarrojo
SO2 ánodo
Lente
convergente
Zona de
la carga ip
+ - zona p+
espacial P N
+ - w
+ - Zona n+
Zona n vp
V1
RL

+ VL -

Cátodo
Símbolo

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El fotodiodo tiene una estructura similar a un diodo “pn” con la excepción que la
juntura pn esta expuesta a la luz a través de un lente concentrador del haz luminoso.
Normalmente es operado bajo condiciones de polarizacìon inversa. En ausencia de luz,
solamente circula la corriente de los portadores minoritarios (denominada “corriente
oscura”) generados térmicamente. Cuando incide la luz, con suficientes “fotones “de
energía, se crean pares electrón – huecos en la región de la carga espacial no
neutralizada, permitiendo un aumento de la corriente inversa. El número de pares
electrón – huecos excedentes generados resulta proporcional a la intensidad de luz
incidente, lo que es una medida de los fotones que inciden en la unión por unidad de
tiempo. Podemos decir que un fotodiodo funciona como un dispositivo de tres
variables: la tensión, la corriente y la intensidad luminosa. En el grafico se puede
observar la relación entre las mismas y las características de sensibilidad luminosa:

Característica tensión-corriente-intensidad luminosa del fotodiodo

Polariz.
inversa
ip[µa] -1/R1
1/R2
6 L3=0,3 mw/cm2
región
fotovoltaica L2=0,2 mw/cm2

2 L1=0,1 mw/cm2

2 4 vp[volt]
Polariz.
directa Intensidad
luminosa cero

Ojo Silicio
Sensibilidad (%) humano GaAs Germanio

100

20
Long.onda
0,2 500 1000 1500 2000 Incidente
λ(µ)
Ultraviolet Luz Infrarrojo Infrarrojo
a visible próximo medio

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El grafico muestra la sensibilidad en por ciento (%) de: el ojo humano, el silicio, GaAs,
y el germanio. Vemos que el silicio cubre y GaAs (arseniuro de galio) cubre el espectro
de luz visible y el infrarrojo próximo. Los elementos emisores como el diodo
luminiscente de GaAs, tiene su máxima emisión en la zona de máxima sensibilidad del
silicio.
Los fotodiodos se fabrican de silicio, GaAs, y de otros semiconductores llamados
de”banda de energía directa vacía”. A diferencia del silicio, en el cual los fotones
absorbidos deben crear “vibraciones” en la red cristalina (llamadas fonones) para
generar pares electrón-huecos, los otros absorben fotones y producen pares electrón—
huecos, sin necesidad de producir “fonones” de movimiento lento. Como resultado los
fotodiodos fabricados de GaAs son mas rápidos para pasar del estado activo al estado
inactivo, que los fotodiodos de silicio.
En las características V—I, vemos que existe una zona donde para “vp” positivo
(polarización inversa) la corriente “ip” permanece prácticamente constante y se la
puede expresar de la siguiente forma:

Ip = βI . LI

βI ≡(intensidad β) es la fotoconductividad del fotodiodo medida en [µa / mw/cm2]

LI ≡ intensidad de luz en [mw / cm2]
Ip ≡ corriente inversa [µa]
La ecuación anterior también se la puede expresar en función del flujo total de luz
(Popt) incidente sobre el fotodiodo, medido en [mw].

Ip = R . Popt donde R, es la “responsividad” medida en [ma / mw]

La ecuación general del fotodiodo la expresamos como:

Ip = Is .[ e(-vp/η.vT) --1] + βI . LI
donde el primer termino representa la corriente de portadores generados por la
temperatura y el Segundo termino la corriente debido a la luz incidente sobre el
fotodiodo.
El fotodiodo como foto-generador (célula fotovoltaica)
Si analizamos la característica tensión—corriente del fotodiodo, vemos que con luz
incidente y “ vp =0” o sea en cortocircuito, circula una corriente inversa. Para el otro
extremo “ip =0” o sea en circuito abierto, aparece una tensión eléctrica en los extremos
del fotodiodo. Como vemos entre estos dos extremos actúa como un generador eléctrico
fotovoltaico (zona de segmentos azules en la característica V—I).

Circuito como Circuito como generador

fotodiodo fotovoltaico

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Diodos emisores de luz

Estos diodos se caracterizan por convertir una corriente eléctrica en una radiación
luminosa, en la zona de luz visible e infrarroja. Tienen muchas aplicaciones como
dispositivos de exhibición visual, con radiación predominantemente monocromática
(varios colores) y como emisores para la transmisión de información por fibras ópticas
o excitadores para fotodiodos. En general, podemos clasificarlos en diodos luminosos
(LED), diodos infrarrojos (IRD o ILD) y diodos Láser.
Los diodos emisores de luz se elaboran a Semiconductor Cubierta de
partir de una unión “pn” de silicio, de plástico
arseniuro de galio, o de otros
semiconductores compuestos del grupo
III y V. Estos materiales comparten la Hilo de
propiedad de que al recombinarse los oro
pares electrón—huecos , generan
fotones de una sola longitud de onda .
Los electrones libres que están en la
banda de conducción, con un nivel Bandeja
energético alto, al pasar a la banda de reflectora
los enlaces covalentes, lo hacen
cediendo energía en forma luminosa.
Esto se logra cuando se polariza en forma
directa la unión “pn”. En esta condición
se inyectan electrones y huecos en Cátodo Ánodo
direcciones opuestas a través de la región
de agotamiento. A medida que los pares electrón—huecos se recombinan con huecos y
electrones en los lados “p” y “n” de la unión, respectivamente, el diodo emite luz. El
espectro de emisión no es monocromático, aunque esta dominado por un solo color.
Los materiales utilizados son: GaAs, GP, y mezclas ternarias de Ga (AsP) y
As (GaAl).
En proporciones adecuadas de estos elementos pueden conseguirse radiaciones visibles
de longitudes de onda desde el infrarrojo próximo hasta la zona verde. (Colores rojo,
naranja, amarillo, verde). Existen LED (recientemente comercializados) que emiten en
“azul”, utilizando el SiC.
La potencia óptica de salida, esta relacionada con la corriente directa:
Popt = ε. Id
ε ≡ emisividad del diodo en [mw/ma] o [µw/ma]
La corriente del diodo vale
id = .[ e(-vd/η.VT) -1].
La caída de tensión directa vd, varía entre 1,7 y 3,3 voltios, dependiendo del tipo de
diodo, el color de su emisión y de la sección transversal del mismo.
Los diodos luminosos sufren envejecimiento con las horas de uso. La radiación emitida
disminuye. Por ejemplo, para un diodo IRD, su potencia de radiación disminuye en
promedia a la mitad, en un tiempo de 10(5) horas.
La tensión inversa que soportan los diodos LED, IRD y Láser es muy baja, de
alrededor de 6 volt o menos. Los requerimientos de potencia eléctrica son típicamente
de 10 a 150 mW, con tiempos de vida superior a las 100000 horas

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Diodos de corriente constante

A diferencia de los diodos Zener que mantienen constante la tensión en sus extremos,
los diodos de corriente constante, mantienen la corriente que circula por ellos en forma
constante, dentro de una amplia variación de la tensión aplicada. Por ejemplo el diodo
1N5305 es un diodo de corriente cte. Con una corriente típica de 2ma, en un intervalo
de tensión de 2 a 100 voltios aplicados en sus extremos.

Diodos de recuperación en escalón

Estos diodos tienen un perfil de impurezas infrecuente ya que la densidad de

portadores, disminuye cerca de la juntura. Esta distribución da lugar a un fenómeno
llamado “desplome en inverso”. Durante el semiciclo positivo de una señal alterna, el
diodo conduce corriente en forma similar a la de un diodo de silicio. Durante el
semiciclo negativo, la corriente inversa conduce durante un tiempo muy corto,
reduciéndose luego abruptamente a cero. Esta corriente de “desplome” es muy rica en
componentes armónicos de la señal de excitación, por lo que se puede filtrar y obtener
ondas senoidales de frecuencia mas alta a la original. Debido a esta particularidad, estos
diodos se utilizan como multiplicadores de señal.

Diodos invertidos

Los diodos Zener tienen una tensión de ruptura mayor a 2 voltios. Incrementando el
nivel de impurezas, puede lograrse el efecto Zener con tensiones próximas a cero
voltios. La conducción con tensión directa ocurre con 0,7 volt, pero con tensión
inversa, comienza a conducir con -0,1 volt o menos. Estos diodos se denominan
“invertidos” y se utilizan para rectificar señales débiles cuyas amplitudes no superen los
+0,7 volt y -0,1 volt.

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