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Azul: Andres
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1. OBJETIVOS
Diferenciar un diodo de Silicio de uno de Germanio.
Entender el funcionamiento del diodo.
Experimentar el comportamiento de la tensión y la corriente según la orientación
del diodo.
2. INTRODUCCIÓN
A lo largo del estudio de la ciencia se han hecho grandes descubrimientos con los cuales el
hombre ha elaborado miles de diseños para la construcción de elementos eléctricos y
electrónicos que son de gran utilidad.
Basado en los conocimientos tales como los elementos conductores y aislantes el hombre
realizó la construcción del diodo, a partir de materiales semiconductores. Sabemos que los
conductores por excelencia son: la plata, el oro, el cobre todos estos elementos constan de
un electrón de valencia. Mientras que los mejores aislantes tienen ocho electrones de
valencia. Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre un conductor
y un aislante; como es lógico los mejores semiconductores son aquellos que tienen 4
electrones de valencia, los más utilizados son el silicio y el germanio. La zona compuesta
entre p (huecos) y n (electrones libres) se le conoce como unión pn esta unión tiene tantas
propiedades útiles como por ejemplo el diodo.
Polarización directa: Cuando la corriente circula en sentido directo, es decir del ánodo A
al cátodo K, siguiendo la ruta de la flecha (la del diodo). En este caso la corriente atraviesa
el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito. El
diodo conduce.
Polarización inversa: Cuando una tensión negativa en bornes del diodo tiende a hacer
pasar la corriente en sentido inverso, opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del
cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prácticamente como un circuito abierto. El diodo está bloqueado.
El tiempo trr es el tiempo de recuperación inversa, normalmente inferior a 1us. Los diodos
de recuperación rápida se diseñan de modo que tengan trr menores que los diodos
diseñados para aplicaciones de 50Hz.
3. MONTAJE EXPERIMENTAL
4. RESULTADOS Y ANÁLISIS
Procedimiento 1:
En una primera parte que hace referencia a la Tabla 1 se muestra el arreglo en el cual el
diodo se colocó de manera que su polaridad va conectada por su lado positivo a la
resistencia y el lado negativo a tierra; la batería disminuye la barrera de potencial debido a
que obliga a los electrones y huecos a moverse a la zona de unión, permitiendo el paso de
electrones libres que crean iones positivos en el extremo derecho de la unión que atraerán
a los electrones hacia el diodo desde el circuito externo. Así los electrones libres pueden
abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del diodo.
El electrón tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho
del diodo. Se desplaza a través de la zona n como electrón libre. En la unión se recombina
con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se desplaza a través de la zona p como
electrón de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del diodo fluye al terminal
positivo de la fuente y podemos ver que completa (cierra) el ciclo.
Después se realizó el mismo arreglo circuital en el cual el diodo se colocó de manera inversa
representando los datos de la Tabla 2 podemos decir que la polarización es inversa ya que
por los datos obtenidos se puede ver que no hay circulación de corriente y esto es debido a
que es más difícil la conducción, porque el electrón libre tiene que subir una barrera de
potencial muy grande de n a p. Entonces ni los electrones libres, ni los huecos no pueden
desplazarse por lo cual no se genera una corriente.
A través del programa Isis Proteus se realizó la simulación del circuito montado
experimentalmente del cual rectificamos los datos y obtuvimos la siguiente tabla:
Figura 10. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 0.4 V
Figura 11. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 0.6 V
Figura 12. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 0.8 V
Figura 15. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1.4 V
Figura 16. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1.6 V
Figura 17. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1.8 V
6
5
4
3
2
1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Voltaje del diodo [V]
Gráfica 2. Linealización de la gráfica 1 a partir de los logaritmos base 10.
En la tabla de a continuación podemos ver los errores debido a la corriente que circula por
el circuito
Tabla 5. Error absoluto y relativo de la corriente en el diodo a partir de su valor
experimental y por proteus
Valor Teórico Valor experimental Error Absoluto Error relativo
0 0 0 0
0 0,0002 0,0002
0 0,00021 0,00021
0,13 0,15 0,02 15,3846154
0,68 0,74 0,06 8,82352941
1,38 1,23 0,15 10,8695652
2,14 1,97 0,17 7,94392523
2,92 3,06 0,14 4,79452055
3,71 3,83 0,12 3,23450135
4,51 4,53 0,02 0,44345898
5,31 5,29 0,02 0,37664783
En las tablas de los errores para ambos casos se puede apreciar que muchos de estos datos
se encuentran en un alto rango de error debido a los errores de instrumentación ya que el
multímetro no se encontraba en óptimas condiciones, además la fuente DC no arrojaba
exactamente el valor, era muy inestable y aumentaba o disminuía su potencial de manera
que no se podía controla .
De los datos obtenidos de la Tabla 2 como podemos observar no hay circulación alguna de
corriente sobre el circuito y esto es debido a que la barrera de potencial dada por el diodo
es mucho mayor, por lo que lo electrones libres no poseen la fuerza para hacer la
conducción de niveles (p-n), por lo que no se generan ni los electrones libre, ni los huecos
y esto podemos verificarlo a través de la simulación en proteus, que para cualquier valor
de voltaje la corriente marcada por el amperímetro es de cero y se ve ejemplificado en la
siguiente figura:
Procedimiento 2:
Realizamos el montaje circuital con los mismos elementos utilizados anteriormente pero
esta vez el arreglo quedo en forma paralela, es decir, el diodo en paralelo con la resistencia
del cual se comporta de manera similar al anterior circuito dejando solo circular la
corriente a través de diodo que ha sido conectado por su ánodo a la resistencia y el cátodo
mandado a tierra, y cuando el diodo se invierte este impide el paso de corriente por el
circuito.
Los datos que se obtuvieron experimentalmente quedan plasmado en la siguiente tabla:
Tabla 6. Voltaje y corriente experimental del diodo en paralelo positivo.
Luego por medio del programa proteus realizamos la representación del circuito en
paralelo positivo para obtener una aproximación más exacta de los resultados que
realmente se debían esperar. De esta simulación obtuvimos la siguiente tabla:
Tabla 8. Voltaje y corriente del circuito en paralelo a partir de la simulación en proteus
Voltaje fuente [V] Vol. diodo [V] Corriente diodo[A]
0 0 0
0,2 0,2 0
0,4 0,4 0
0,6 0,6 0
0,8 0,8 0,02
1 1 0,85
1,2 1,2 2,98
1,4 1,4 5,52
1,6 1,6 8,19
1,8 1,8 10,9
2 2 13,7
Figura 20. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 0.2 V
Figura 21. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 0.4 V
Figura 22. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 0.8 V
Figura 25. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 1.6 V
10
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Voltaje en el diodo [V]
Con esto se pudo realizar la comparación de los datos y de esta manera examinar los errores
obtenidos, tanto del voltaje como de la corriente. Donde utilizamos EC1 y EC2 la cuales
fueron expuestas anteriormente para calcular nuevamente el error en esta ocasión del
circuito dispuesto de manera paralela.
Tabla 9. Error absoluto y relativo del voltaje en el diodo en paralelo a partir de su valor
experimental y por proteus
Valor Teórico Valor experimental Error Absoluto Error relativo
0 0 0 0
0,2 0,18 0,02 10
0,4 0,43 0,03 7,5
0,6 0,57 0,03 5
0,8 0,69 0,11 13,75
1 0,82 0,18 18
1,2 0,85 0,35 29,1666667
1,4 0,86 0,54 38,5714286
1,6 0,87 0,73 45,625
1,8 0,89 0,91 50,5555556
2 0,9 1,1 55
Tabla10. Error absoluto y relativo de la corriente en el diodo en paralelo a partir de su
valor experimental y por Proteus
5. CONCLUSIONES
Los errores obtenidos se debieron en gran parte a que la fuente que se tenía
inicialmente no era para nada estable, por la misma razón no se logró tomar todas
las medidas propuestas en clase.
Las diferencias obtenidas entre los valores simulados y los experimentales se
debieron en gran medida a que en ISIS Proteus no estaba la referencia exacta del
diodo usado en clase.
Una de las diferencias vitales entre el diodo de Germanio y el de Silicio es que sus
tensiones de polarización directas son de 0,3 V y 0,7 V respectivamente a
temperatura ambiente (300 K)
Los diodos de germanio son más eficientes en circuitos eléctricos de baja potencia,
ya que a bajas tensiones no se produce tanta corriente inversa. Mientras que para
circuitos eléctricos de alta potencia son mucho más recomendables los de Silicio
6. BIBLIOGRAFIA
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/ac-dc/archivos/diodo.htm.
Consultado 04/09/2016
http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodo-germanio-del-diodo-
silicio-lista_153695/. Consultado 04/09/2016