Materiais semicondutores

Prof. Demóstenes Zegarra Rodríguez

 Materiais semicondutores
São materiais que possuem um nível de resistividade ()
que se classifica entre um isolante e um condutor.

L
R  .
A

Material 

Condutor 10-6.cm (cobre, ferro, prata)

Semicondutor 50.cm (germânio), 10k.cm (silício)

Isolante 1012.cm (mica, cerâmica, madeira)

Cristal semicondutor (material intrínseco)

É o material composto apenas por átomos semicondutores

do mesmo tipo. Exemplo: cristal de silício.

Átomo de silício (modelo de Bohr):

núcleo

elétron

Banda de
valência
Simbologia:

átomo

Elétron de
valência -
Si
- -
-

Obs.: 4 elétrons na camada de valência (átomo tetravalente).

 Ligação covalente

É a força que mantém juntos os átomos de um cristal através

do compartilhamento de elétrons. A ligação covalente entre
átomos de silício formam o cristal semicondutor. Cada átomo
compartilha seus elétrons da camada de valência,
completando a camada com 8 elétrons.
-

- Si - Ligação

covalente
-
- - -

- Si - - Si - - Si -

- - -
-

- Si -

-
 Semicondutor intrínseco

• É o cristal semicondutor puro.

• Qualquer elétron da camada de valência pode absorver

energia (térmica, luz, radiação) e se tornar um elétron livre,
diminuindo a resistência elétrica do semicondutor.

• Na temperatura ambiente alguns elétrons de valência

alcançam a banda de condução, onde podem formar corrente
elétrica.

• O espaço vago deixado pelo elétron na banda de valência é

chamado de lacuna.
• O tempo entre a criação e o desaparecimento de um par
elétron-lacuna é chamado tempo de vida.

-
Ligação
- Si -
covalente
rompida
-
- - - Buraco ou
lacuna (+)
- Si - - Si - Si -

- - -
-
-

- Si - Elétron livre

(banda de
- condução)
 Coeficiente de temperatura
• Positivo: nos metais, ao aumentar a temperatura, aumenta a
vibração entre os átomos e por isso dificulta a circulação dos
elétrons livres, aumentando a sua resistência elétrica.
Coeficiente Positivo: Aumenta T => Aumenta Resist.

• Negativo: nos semicondutores, ao aumentar a temperatura,

mais elétrons da camada de valência conseguirão quebrar as
ligações covalentes, tornando-se elétrons livres, portadores
de carga, aumentando a condutividade elétrica.
Coeficiente Negativo: Aumenta T => Diminui a Resist. =>
Aumenta Condut.
 Semicondutor extrínseco

• É o cristal semicondutor com impurezas

(átomos de outro tipo).
• Tipos de semicondutor extrínseco:
– Tipo P
– Tipo N
 Semicondutor tipo N
(material extrínseco tipo N)
É o cristal semicondutor dopado com átomos (impurezas)
pentavalentes (5 elétrons na camada de valência).
Exemplo: Antimônio (Sb), Fósforo (P)
Na ligação entre o átomo de silício e o átomo pentavalente,
sobra um elétron, o qual vai para a banda de condução.
-
Ligação
- Si - covalente

-
- - -

- Si - - P - - Si -

- - -
-
-

- Si - Elétron livre
(portador
majoritário)
-
Simbologia:

Íon positivo Elétron livre

-
+

Obs.:

• Portador majoritário: elétron.

• Portador minoritário : lacuna (buraco).
 Semicondutor tipo P
(material extrínseco tipo P)

• É o cristal semicondutor dopado com átomos trivalentes (3

elétrons na camada de valência). Exemplo: Boro (B)

-
Ligação
- Si - covalente
incompleta
-
- - -

- Si - - B + - Si -

- - -
-

- Si - Buraco ou lacuna
(portador majoritário)
-
• Na ligação entre o átomo de silício e o átomo trivalente,
aparece uma lacuna na banda de valência.
• Quanto maior o nível de dopagem maior será a condutividade
elétrica do material semicondutor.

Simbologia:
Íon negativo Buraco ou lacuna

+
-

Obs.:
• Portador majoritário: lacuna (buraco).
• Portador minoritário (gerado termicamente): elétron.
 Junção PN (diodo semicondutor)

É constituído pelo contato entre um bloco de semicondutor

tipo P e um bloco de semicondutor tipo N.
1 - Antes da junção:
Material tipo P: Material tipo N:
+ + + + - - - -
- - - - + + + +

+ + + + - - - -
- - - - + + + +

+ + + + - - - -
- - - - + + + +
2 - Logo após a junção:

Material tipo P: Material tipo N:

+ + + + - - - -
- - - - + + + +

+ + + + - - - -
- - - - + + + +

+ + + + - - - -
- - - - + + + +
3 - Transcorrido um intervalo de tempo após a junção:

Material tipo P: Material tipo N:

+ + - -

- - - - + + + +

+ + - -

- - - - + + + +

+ + - -

- - - - + + + +

Região de depleção (sem portadores) ou

Barreira de potencial
 Constituição do diodo:

contato terminal

P N
anodo catodo

Símbolo do diodo:

anodo catodo
Polarização reversa do diodo:

P N

+ -
- - - - + + + +

+ -
- - - - + + + +

+ -
- - - - + + + +

Região de depleção (sem portadores) ou

Barreira de potencial
 Obs.:
• Não há fluxo de portadores majoritários (Id = 0A)
• Há um pequeno fluxo de portadores minoritários (corrente de
saturação reversa: Is  0A)

Simbologia:

Id Is
Polarização direta do diodo:

P N

+ + + - - -
- - - - + + + +

+ + + - - -
- - - - + + + +

+ + + - - -
- - - - + + + +

Região de depleção (sem portadores) ou

Barreira de potencial
 Obs.:
• Grande corrente direta (Id > 0A).

Simbologia:

Id
Curva característica do diodo:
 Circuito de teste:
Vf

Id

Vd

Silício X Germânio:
Vf (Si) = 0,7V Is (Si) = nA
Vf (Ge) = 0,3V Is (Ge) = A
 Efeito avalanche:
O potencial de polarização reverso pode fazer com que
portadores minoritários, responsáveis pela corrente de
saturação reversa (Is), aumentem a sua velocidade e liberem
portadores adicionais através das colisões com as estruturas
atômicas, que podem por sua vez liberar outros portadores.
Id

TPI

Vz
Região Vd
zener
 Ruptura Zener:
Quando o nível de dopagem nos materiais P e N são altos, um
forte campo elétrico reverso na região de junção pode
quebrar as ligações gerando portadores (elétrons e lacunas),
gerando uma alta corrente reversa pelo diodo.
O diodo zener é um tipo especial de diodo que é fabricado
para funcionar na região zener da curva característica.

Símbolo do diodo zener:

anodo catodo
 Circuito equivalente do diodo zener

• Polarizado reversamente:

Iz
Iz
Vz
Vz

Real Equivalente
 Diodo emissor de luz (LED)

São diodos que emitem luz quando são diretamente

polarizados. Utilizam o fosfeto de arsenieto de gálio (GaAsP)
como material semicondutor.
Símbolo:

Características elétricas:

Id = 10mA
Vd = 2,5V
Diodo emissor de luz (LED)
635 nm