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=rS DE POTÊNCIA EM
CONVERSORES QUASE - RESSONANTES TIPO ZCS
b =RDS(on)min . [1+(Tamb-25) . k]
o Circuito elétrico equivalente é mostrado na Fig. 2.
Utilizando as equações (1), (2) e (3), para um T = 125°C,
ITOT = 32A e n = 5 obtém-se, para o pior caso, os seguintes
valores:
L
R(max)T = 0,25Q
I(max) = 25,3A
• • •
R(min) = 0,17Q
L...
--+---.... -~-------
t--"..,"'It"'\_......... ~ _
A partir de uma temperatura máxima de junção desejada (Tj =
125°C), temperatura de cápsula (Te = 70°C) e de uma
....... t.....
resistência térmica junção-cápsula (RaJC = 2,2°CIW), a
máxima potência de dissipação pode ser calculada:
Fig. 1 : Circuito equivalente simplificado levando em
conta os parâmetros parasitas. Tj-Tc 125 -70
PDmax = ---"--- ---=25W (4)
A resistência máxima de condução de cada um dos
RalC 2,2
componentes de limite superior de RDS(on) operando em uma
Te - tamb 70 - 25
temperatura T é dada por: ReCA = = = 1 8° C/ W (5)
PDmax 25 '
RnS(on)max [1 + (tamb - 25). k]
R(max)T = 2 (1) Com a determinação de RaCA o dissipador fica definido.
hOT ]
1- RnS(on)max. - - . ReJA. k
[ (n-1)
lltot
UH HOSFET I
co.. ROStOft'.ã.~
R_in R.á.
j Cn-U HOSF. ET.'S. EM
PARALELO. TOOOS
COM ROStan ••ã.
1
Cn-H ltot
• (n-1)
Fig. 2 : Circuito equivalente simplificado em regime permanente para estimação do desequilíbrio de corrente
SBA Controle & Automação 1 Vol. 6 n2 31 Setembro-Outubro 1995 113
cada componente). Entretanto, mesmo sem gozar do benefício c) EFEITO DA VELOCIDADE DE CHAVEAMENTO NA
do coeficiente positivo de temperatura, é possível se obter uma DISTRIBUIÇÃO DA CORRENTE
distribuição razoável da corrente, em condições dinâmicas,
agindo-se sobre o circuito de "gate" do conjunto paralelo. A qualidade da distribuição da corrente em regime dinâmico
em um conjunto de MOSFET's em paralelo depende em muito
As questões de maior interesse envolvendo este assunto são da velocidade, de subida ou de descida, da tensão gate - source
discutidas abaixo: do circuito de comando e da curva de transcondutância (gFS
relação entre a corrente de dreno e a tensão gate - source), dos
componentes.
a) INFLUÊNCIA DOS PARÂMETROS DO MOSFET
Dependendo da curva gFS um componente pode entrar em
Os parâmetros que interferem no grau de distribuição de
condução em frações de nanossegundos primeiro que os outros
corrente em regime dinâmico são: a transcondutância gFS
e, dessa forma a distribuição de corrente fica comprometida.
(relação entre a corrente de dreno e a tensão gate - source
Esse é um problema de solução extremamente difícil. A
(Motorola, 1988)), a tensão limite gate - source [V GS(lim)], a
recomendação dada pelos fabricantes é no sentido de se adotar
capacitância de entrada, e a resistência de entrada em componentes cujos os valores de gFS e VGS sejam os mais
condução RDS(on)' A transcondutância é o principal
próximos possíveis, situação nem sempre simples de ser
parâmetro para estabelecer o bom comportamento do adotada a nível prático.
paralelismo de MOSFET's durante a entrada de condução ou
bloqueio do conjunto. Para se obter uma boa distribuição da Quando o chaveamento é lento as proporções do problema são
corrente durante os períodos de comutação é importante que diminuidas. Portanto uma solução interessante, seria diminuir
todas as tensões gate - source dos diversos componentes da a velocidade de chaveamento. Contudo, em certas situações
associação cresçam ou diminuam simultaneamente. Esse esse procedimento nem sempre é possível, particularmente nas
procedimento garante que nenhum MOSFET será submetido a operações com conversores Quase - Ressonante onde a
um "stress" muito violento devido a um possível desequilíbrio frequência média de chaveamento situa-se na faixa de 500
de corrente. KHz a lMHz (isto nas operações empregando técnicas ZCS).
Nesses casos a distribuição de corrente em regime dinâmico
Diante disso -os autores recomendam, sempre que possível, a fica bastante prejudicada. Entretanto, a diferença de tempos é
utilização de componentes com curvas idênticas para operação extremamente pequena e com a entrada em regime
em paralelo em alta frequência (acima de 200 KHz). permanente o efeito estático inicia sua ação e a distribuição da
corrente, nos vários componentes, assume uma posição de
b) VARIACÃO DE PARÂMETROS DENTRO DE UM uniformidade. Assim, na maioria dos casos empregando-se
MESMO LOTE DE COMPONENTES conversores Quase - Ressonantes tipo ZCS é possível conviver
com esse problema. A indutância parasita do terminal Source
Os valores máximos e mínimos limite de tensões gate - source, desempenha um papel importante neste item, uma vez que
transcondutância e resistência de condução são os parâmetros dependendo do seu valor a velocidade de entrada em condução
que mais estão sujeitos a variações dentro de um lote de ou bloqueio do conjunto é efetuada.
componentes de um mesmo fabricante. Evidentemente, que a
possibilidade de aumentar o expectro de variação desses
parâmetros diminui a medida que a frequência de amostragem
dos lotes aumenta. 3. CONSIDERAÇÕES SOBRE O "LA Y - OUT'
DO CONJUNTO PARALELO
Para evitar ajustes freqüentes no comando dos MOSFET's,
sempre que esses forem substituídos, é importante conceber
um circuito de ataque e comando que possa sensibilizar os Na colocação em paralelo dos MOSFET's de potência o "lay -
componentes em paralelo dentro de uma faixa relativamente out" desempenha um papel fundamental. A assimetria nas
larga de variações dos principais parâmetros. Na referência disposições dos semicondutores é uma das principais causas da
(Motorola, 1988), encontram-se algumas tabelas fornecendo a distribuição desbalanceada das correntes e do surgimento de
variação dos limites máximos e mínimos dos parâmetros aqui oscilações. Esse desbalanceamento torna-se mais crítico a
citados, dentro de um mesmo lote de um determinado medida que a frequência de chaveamento aumenta.
componente. Assim é possível ter-se uma ordem de grandeza
percentual dessa variação e, portanto ajustar o comando para Para garantir uma operação segura e confortável de uma
cobrir essa faixa de variação. Por exemplo, a faixa de variação associação em paralelo de MOSFET's, é importante que eles se
média entre os limites máximos e mínimos de um mesmo lote concentrem bem próximos uns dos outros, de maneira que a
de RDS(on) do MTP8N20 da Motorola é de aproximadamente fiação não seja muito longa, evitando assim o surgimento de
indutâncias parasitas de valor importante. Outro detalhe que
22% e da tensão gate - source de 25%. não pode ser esquecido diz respeito à distribuição equidistante
dos semicondutores. Esse problema pode ser sensivelmente
No item 4 desse artigo é sugerido um circuito de comando, que reduzido dispondo os terminais dreno - source e gate - source
foi testado para dois tipos de componentes de um mesmo em uma configuração estrela, conforme mostrado na Fig. 3.
fabricante (4 x BUZ 210 e 5 x BUZ 382, ambos da Isso permite que se obtenha uma distribuição uniforme da
SIEMENS). Para ambos os casos o desempenho do conjunto fiação que interligam esses terminais, reduzindo sobremaneira
foi considerado satisfatório. as discrepâncias entre os parâmetros parasitas gerados.
RI - 2,2Kn /1W
RS - 100Q/ 5W
Cs - 150pF / 400V
"'I '"
~-.J ~
QQQQ
--
~ ~
b) Vista superior
ao
1S
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70
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65
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2.2K1\
1.8n
1W
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80330
, ,
Fig. 8 Circuito de Comando dos MOSFET's em paralelo
SBA Controle & Automação IVol. 6 nll 3/setembro-Outubro 1995 117
Lorenz, L., R. Merkl & H. Amann, (1989) "A High - Current
MOS Switch by Parallel- Switching ofMOS Modules".
Proccedings 01 the 18th PCIM'89, Munich, West
Germany, VoI. 18, Gun.) pp. 142-156.
a) Po = 300W e VS = 52V
b) Po =40W e VS =52V