Tecnología de Equipos

Informáticos

Transistores Bipolares
BJT

Generalidades del BJT Bipolar Junction

Transistor

• ⌦ Trt Bip. revolucionó la Industria electrónica

• ⌦ 1947 Bardeen, Brattain y Shockley (1948 mejora)
Trt Ge AT&T American Telephone & Telegraf
• ⌦ 1951 Comercializó Trt de Ge y en 1954 Texas
anunció Fab. Trt de Si
• ⌦ 1956 1er premio de Física (Bardeen,
Brattain y Shockley) para un dispositivo

1
 Generalidades del BJT Bipolar Junction
Transistor

• ⌦ BJT dispositivo de tres terminales E, B, C

• ⌦ Principio de funcionamiento Unión p-n (dos)

• ⌦ Denominación Bipolar I e–yh

Generalidades del BJT Bipolar Junction

Transistor
⌦Ventajas frente a las válvulas vacío
Miniaturización Peso, Volumen
Menor tiempo de calentamiento
Consumo E menor
Proceso Fab. Sencillo
Durabilidad (stock)
Menor fragilidad
Rapidez de conmutación
etc.

2
Generalidades del BJT Miniaturización

Generalidades del BJT Miniaturización

3
 Generalidades del BJT Miniaturización

M.
U.

M
A
R
K

I 7

Generalidades del BJT Obleas

4
Generalidades del BJT Oblea (Wafer) – C.I.-
CHIP

Generalidades del BJT

10

5
 Qué es un transistor

TRANSfer resISTOR

11

Qué es un transistor
• Elemento de tres terminales que actúa
como una fuente de corriente controlada
por la corriente (o voltaje) en uno de sus
terminales.
• Dos tipos principales
– Transistor de unión bipolar (Bipolar Junction
Transistor ) (BJT)
– Transistor de efecto de campo (Field Effect
Transistor) (FET)
12

6
 Transistor de unión bipolar
Dos uniones pn en una sola pieza de material
semiconductor. Terminales
Terminales
Estructura típica Conductor
Conductor C
B
E
Material
Material
semiconductor
semiconductor con
con
dopaje
dopaje nn p nnn n
p
n
n

13

Transistor de unión bipolar

Dos uniones pn en una sola pieza de material
semiconductor. Terminales
Terminales
Estructura típica C
B
E
Material
Material
semiconductor
semiconductor con
con
dopaje
dopaje nn p nnn n
p
n

14

7
 Transistor de unión bipolar
Dos uniones pn en una sola pieza de material
semiconductor. Terminales
Terminales
Estructura típica C
B
E
Colector
Colector
nn p nn
n n
Base
Base

Emisor
Emisor 15

Uniones
Vista seccional simplificada

Colector
ColectoryyEmisor
Emisor
no son simetricos Unión
UniónBase
Base
no son simetricos C
Colector
Colector B
B E E
C
n nn p nn
p n n
nn
Unión
UniónBase
Base
Emisor
Emisor
16

8
 npn y pnp
C C
npn pnp
B B
E E
Unión
UniónBase
Unión Base
Base
Colector
Colector
Colector
C B E C B E

n p
p nn
nn pp
Unión
UniónBase
Base Unión
UniónBase
Base
Emisor
Emisor Emisor
Emisor
17

Estructura simplificada
Región npn
Región de
de
la base
la base
Región
Región del
del Región
Región del
del colector
colector
emisor
emisor
Colector
(E) Collector
n p n
Emisor (C)

Emitter

Unión Unión
UniónBase
Base
UniónBase
Base
Enisor Colector
Colector
Enisor Base
(B)
Base 18

9
 pnp C
E C
B
B E

npn
C

E C B
E
B

19

Conexiones básicas

20

10
 Conexiones básicas

• El transistor tiene tres terminales por lo que existen

varias opciones de conexión.
• Uno de los terminales tiene que ser común al
circuito de entrada y salida.
– Emisor común
– Base común
– Colector común
• Cada una de estas configuraciones tiene sus
características.
21

Base común (“Common Base”)

Entrada
Entrada por
por Salida
Salida por
por
el emisor
el emisor colector
colector
E C
+ +
vi v0
- B -

Base
Base eses común
común tanto
tanto
al circuito de entrada
al circuito de entrada
como
como de de salida
salida

22

11
Emisor común (“Common Emitter”)
Salida
Salida por
por
Entrada
Entrada por
por colector
colector
la
labase
base
C
+
v0
+ B -
vi
E
-

Emisor
Emisor eses común
común tanto
tanto
al
al circuito de entrada
circuito de entrada
como
como de de salida
salida
23

Colector común (“Common

Colector”) Salida
Salida por
por
emisor
emisor
Entrada
Entrada por
por
la base
la base E
+
v0
+ B -
vi
C
-

Colector
Colector es
es común
común tanto
tanto
al circuito de entrada
al circuito de entrada
como
como de de salida
salida
24

12
 Polarización

25

Qué es polarización
• Consiste en establecer las condiciones de
operación requeridas para que el transistor opere
en determinado modo.
• Por ejemplo, para el modo activo se requiere que:
– Unión BE tenga polarización directa.
– Unión BC tenga polarización inversora.
• Esto requiere de componentes adicionales.

26

13
 Qué es polarización
Dos puntos de vista:
– Análisis:
• Dado un circuito encontrar el punto de operación y
así determinar su modo de operación.
– Diseño:
• Dado un punto de operación, encontrar un circuito
que lo sostenga.

27

Relación entre las tensiones.

Convención de signos de las tensiones
--
A +
I vAB
-
B
++

28

14
 Polarización: npn
Transistor npn en modo
activo (“active mode”).
Hay que polarizar dos IC
VCB
uniones. C
– BC inversora B
(“reverse”).
– BE directa (“forward”). IB E
VBE IE

29

Polarización: pnp
Transistor pnp en modo
activo (“active mode”). IE
Hay que polarizar dos VEB
uniones. E
– BC inversora B
(“reverse”). IB
– BE directa (“forward”). C
VBC IC

pnp

30

15
 Polarización: comparación

IC IE
VCB VEB
C E
B B
IB E IB
C
VBE VBC
IE IC

npn pnp
31

Posibles modos de operación

32

16
 Posibles modos de operación
npn
Modo Activo (“active mode”)
Unión
UniónBC
BCpolarización
polarización
Unión
UniónBE
BEpolarización
polarización directa
directa inversora
inversora

E n p n

VBE VCB
33

Posibles modos de operación

npn
Modo saturación (“saturation mode”)
Unión
UniónBC BCpolarización
polarización
Unión
UniónBE
BEpolarización
polarización directa
directa directa
directa

E
n p n

VBE VBC
34

17
Posibles modos de operación
npn
Modo corte (“cut-off mode”)
Unión
UniónBC
BCpolarización
polarización
Unión
UniónBE
BEpolarización
polarización inversora
inversora inversora
inversora

E
n p n

VEB VBC
35

Posibles modos de operación

npn
Modo inverso (“inverse mode”)
Unión
UniónBC BCpolarización
polarización
Unión
UniónBE
BEpolarización
polarización inversora
inversora directa
directa

E
n p n

VEB VBC
36

18
 Modos de saturación y corte

Se utilizan ambos modos en cooperación para

hacer que el transistor opere como un conmutador
(“switch”).

37

Modo activo
• Es el modo utilizado para amplificador.

• Demostraremos más adelante que el

circuito de base controla la corriente en el
colector.

38

19
 Activo vs. inverso
• Aparentan ser lo mismo si se intercambian
los nombres de colector y emisor.
• En la práctica no es así.
– Hay diferencias en construcción entre emisor y
colector.
• Modo inverso normalmente no se utiliza en
amplificación.

39

Activo vs. inverso

Tampoco existe simetría entre la zona del

colector y la del emisor.

Es evidente que no es posible intercambiar

los terminales E y C sin que tenga
consecuencias.

40

20
 Modo activo

41

Operación en modo activo

npn
Asuma que VCB >>VBE> VT

Unión
UniónBE
BEpolarización
polarización directa
directa Unión
UniónBC
BCpolarización
polarización
inversora
inversora
E C

n p n

VBE VCB
42

21
 Operación en modo activo
npn
Asuma que VCB >>VBE> VT

VVBE inyecta electrones

BE inyecta electrones

E eeee C

n p n

VBE VCB
43

Operación en modo activo

npn
Asuma que VCB >>VBE> VT

Electrones
Electrones se
se mueven
mueven por
por difusión
difusión hacia
hacia la
la base
base

E eeee C
eeee
n p n

VBE VCB
44

22
 Operación en modo activo
npn
Asuma que VCB >>VBE> VT
El
Elresto
restoes
esatraído
atraídopor
porel
el potencial
potencial más
más alto
alto del
del colector
colector
Modelo de
Corrientes
E C Internas.
eeee eeee
n p n

B
El sentido de la corriente
es opuesto al VBE VCB
movimiento de los
electrones. Parte
Parte se
se recombina,
recombina, 45

Operación en modo activo.

Corrientes Internas PNP
Emisor (p +) Base (n -) Colector (p)
- - - + - + - - - -
+ + - + -
- - - - - + -+ - - - + - -
- - + + -- +
- - - - + -
- -
-
- - - - - - + + - -
IE IB IC
+ - + -

RBB RCC
VBB VCC
IR IHBC
IEBE
+ = ICBO
IHEB IECB
IE = IB + IC IHBC
46

23
 Control

La corriente es controlada por el voltaje

VBE.
– A mayor voltaje VBE, mayor es la inyección de
electrones.
– La corriente de electrones que pasa al lado del
colector es independiente del voltaje VCB.
La región del colector se diseña para proveer un área
bien amplia que facilite recoger los electrones.
47

Descripción matemática.
Modo Activo-Directo

48

24
 Descripción matemática
Objetivo: E C
• Describir la n p n
relación que existe IE IC
entre la corriente B
IB
del colector y lo
VBE VCB
que ocurre en el
circuito de base a IIEE == IIBB ++ IICC
emisor.

• Se trata del comportamiento EXTERNO.

49

Corriente del colector

v BE E C
IC = I S e VT
n p n
IE IC
B
IB
VT es el voltaje termal 25
VBE VCB
mV a temperatura
ambiente.
AE qDn ni2
IS = corriente de saturación IS =
N AW
50

25
 Corriente del colector
IS depende de la geometría y materiales
utilizados.
AE qDn ni2
n p IS =
N AW

AAEE==área
área seccional
seccional de de la
la unión
unión base-emisor
base-emisor
DDn ==constante
constante de difusión de electronesen
de difusión de electrones enlalabase.
base.
n
nni0i0==densidad intrínseca
densidad intrínseca
NNA ==densidad
densidad dede impurezas
impurezas donantes
donantes en
en el
el emisor
emisor
A
W = espesor (ancho) de
W = espesor (ancho) de la base la base
51

Corriente de base
⎛ D P N AW W 2 ⎞ VT
BE v

i B = I S ⎜⎜ + 0 .5 ⎟⎟ e
⎝ N P P
D N L D τ
n b ⎠
beta
beta

v BE

iB =
IS
e VT
=
iC iC = β i B
β β
β depende de la construcción del componente.

La
La corriente
corriente de
de colector
colector es
es directamente
directamente
proporcional
proporcional a la corriente de base.
a la corriente de base.
52

26
 Corriente de emisor
E C
IIEE == IIBB ++ IICC IE
n p n
iC = β i B IC
Así que B
IB
iE = iB + β iB VBE VCB
alfa
o
iE =
iC
+ iC
alfa
iC = α i E beta
beta
β
donde
entonces β β
iC = iE α =
β +1 β +1 53

Ecuaciones que describen al

transistor
Define
Definecómo
cómo vvBE BE
v BE controla
controlaaaiiCC
iC = I S e VT

iC = β i B Define
Definecómo
cómo iiBB
controla
controlaaaiiCC..
iC = α i E
Estas ecuaciones se pueden utilizar para construir
modelos equivalentes para el transistor.
54

27
 Corrientes. Modo activo

55

Relación de Tensiones- npn Activa_directa

C
VCB IC I E = IB + IC
n VCE = VCB + VBE
IB VCE
B p
n
IE
VBE
56
E

28
 Relación de Tensiones- pnp Activa_directa

C
I E = IB + IC C
IC
VBC VEC = VEB + VBC
p
IB VEC
B n

VEB
p
IE
E 57

Resumen Modos de Funcionamiento NPN

58

29
 Modelos

59

El modelo de Ebers-Moll

– Describir el comportamiento externo del

transistor.
– Implanta directamente las ecuaciones.(tensiones
y corrientes)
– No explica lo que ocurre internamente.

60

30
Modo Activa Directa

61

Saturado

62

31
 Corte

63

La corriente de colector como función de la

corriente de base.
IC Saturación
a
ti v
Ac
Z.

Corte IB

Determinación
Determinacióndel
delestado
estadoen
enzona
zona
activa o en saturación en circuitos
activa o en saturación en circuitos

Zona Activa: IICC ≈≈ IIBB·β

Zona Activa: ·β

Saturación: IICC<< IIBB·β

Saturación: ·β 64

32
 Limitaciones de los modelos

Las ecuaciones anteriores no toman en cuenta

el efecto de:
– Resistencia interna en el material
semiconductor.
– Efecto capacitivo presente en las uniones.
– Otros defectos que pueda tener la estructura.

65

Transistor pnp

66

33
 Transistor pnp

• El análisis es similar al p n p
del npn si se hacen los
siguientes ajustes. pnp
– Los huecos son los
portadores mayoritarios iC
(no los electrones)
– Los voltajes y corrientes
tienen polaridad opuesta. iB
iE

67

Análisis grafico

68

34
 Curvas características en emisor común en un
transistor NPN

IC

C
IB +
VCE
+
B
VBE
-
- E

Todas las magnitudes son positivas

69

Circuito Práctico. Características de Entrada

r 70

35
 Curvas características en emisor común en un
transistor NPN
IC
C
+
I
+
B B
VCE
VBE -
E
- IB[µA] VCE=5V

100 VCE=0

Curvas de VCE=10V
entrada
VBE[V]

0 0,6

71

Circuito Práctico. Características de Salida

72

36
 Curvas características en emisor común en un
transistor NPN
IC
+
I C
+ IC [mA]
VCE
B B IB= 400µA
VBE E -
- 40
IB= 300µA

IB= 200µA Curvas de

20 salida
IB=
100µA
IB=0µA VCE [V]

0 2 4 6

73

Potencia Disipada.

PD=VCE IC

74

37
 Curvas características en emisor común en un
transistor NPN
Región de saturación

Región activa
iC

iB = 0.03 mA

iB = 0.02 mA
iB = 0.01 mA

vCE(V)
0 Región de corte 75

Región de saturación
Región de saturación
• vCE cambia muy poco
Región activa con grandes cambios en
iC iC.
iB = 0.03 mA • iC no depende de iB
iB = 0.02 mA • Note que las curvas
iB = 0.01 mA
paramétricas convergen
en esta zona.
vCE(V)
0 Región de corte

En
En saturación:
saturación:
Unión
Unión BE:
BE:polarización
polarizacióndirecta
directa
Unión
Unión BC:
BC:polarización
polarizacióndirecta
directa 76

38
 Región de corte
Región de saturación
• No hay flujo de iC.,
Región activa • vBE por debajo de 0.7 V
iC
• Tampoco fluye iB
iB = 0.03 mA
iB = 0.02 mA
iB = 0.01 mA

vCE(V)
0 Región de corte

En
En corte:
corte:
Unión
Unión BE:
BE:polarización
polarizacióninversora
inversora
Unión
Unión BC:
BC:polarización
polarizacióninversora
inversora
77

Región activa
Región de saturación
• iC depende de vBE.
Región activa • iC depende de iB.
iC
• Esto es lo deseable para
iB = 0.03 mA circuitos que amplifican
iB = 0.02 mA señales.
iB = 0.01 mA

vCE(V)
0 Región de corte

En
En activa:
activa:
Unión
Unión BE:
BE:polarización
polarizacióndirecta
directa
Unión BC:
Unión BC: polarización inversora
polarización inversora78

39
 Resumen Curvas Reales

79

Resumen Curvas según Modelo

0.2V

80

40
 Cómo determinar el punto de
operación

81

Punto de operación
Región de saturación
• Es el conjunto de
Región activa valores que define cómo
iC
está operando el
iB = 0.03 mA transistor en
IC iB = 0.02 mA IB combinación con los
X
iB = 0.01 mA componentes externos
que le rodean.
vCE(V)
0 Región de corte • En este caso, IC, IB y
VCE
VCE

82

41
 Punto de Trabajo. Método Analítico
VCC

RC
IC

IB

RB

VBB
IE RE

83

Punto de Trabajo. Método Analítico

VCC
Malla de Base

RC VBB = RB IB + VBE + RE IE
IC

IB IE = IB + IC ≅ IB + β IB

RB
Malla de Colector

VBB VCC = RC IC + VCE + RE IE

IE RE

IE ≈IC ≈ β IB
84

42
Ejemplo de análisis

Calcular los valores de

todas las corrientes del
RC transistor y los voltajes VC
VCC
y VCE.
Q +
RC = 5K
+ VC RE = 10K
RE VE VCC = 10V
VBB
- VBB = 10 V
-
β = 50
Asuma que VBE = 0.7 V
Calcular
Calcular IICC,,IIBB,,IIEE,,VVCCyyVVCE
CE
85

Ejemplo de análisis

Simplifique el circuito para eliminar el

exceso de líneas y símbolos.
RC
VCC 10V
Q + 5K

+ VC Q VC

VBB RE VE
VE
- -
10K
-10V
Calcular
Calcular IICC,,IIBB,,IIEE,,VVCCyyVVCE
CE
86

43
Ejemplo de análisis Asumiendo
Asumiendoque
queesté
estéactivo,
activo,
ββ=50, V
=50, VBE
BE
== 0.7
0.7 V
V
Calcular
Calcular IICC,,IIBB,,IIEE,,VVCCyyVVCE
CE
10V Análisis lazo superior LVK
5K
11 11 10 = I C (5K) + VC

Q VC Análisis lazo inferior LVK

22 0 = VBE + I E (10K) − 10
VE
10K Como VBE = 0.7V,
-10V 22 2’
2’ 0 = 0.7 + I E (10K) − 10

I E = 9.3V = 0.93mA
10K 87

Ejemplo de análisis Asumiendo

Asumiendoque
queesté
estéactivo,
activo,
ββ=50, V
=50, VBE = 0.7 V
BE = 0.7 V

Calcular
Calcular IICC,,IIBB,,IIEE,,VVCCyyVVCE
CE
Recordando que IC = αIE y
10V
11 que β 50
5K α= = = 0.98
β +1 51
Q VC
Así que:
VE I C = (0.98) I E = 0.91mA
10K
Entonces:
-10V 22 I 0.91mA
IB = C = = 0.0182mA
11 10 = I (5K) + V
C C β 50 88
I E = 0 . 93 mA

44
Ejemplo de análisis Asumiendo
Asumiendoque
queesté
estéactivo,
activo,
ββ=50, V
=50, VBE
BE
== 0.7
0.7 V
V
Calcular
Calcular IICC,,IIBB,,IIEE,,VVCCyyVVCE
CE
Con la ecuación 1:
10V
5K
11 VC = 10 − I C (5 K )

Q VC VC = 10 − 0.91(5K ) = 5.45`V
VE
10K
-10V 22
11 10 = I (5K) + V
C C
I C = 0 . 91 mA
89
I E = 0 . 93 mA

Resumen del proceso

Simplifique el diagrama antes de
10V escribir ecuaciones.
5K Escriba las ecuaciones tomando en
VC cuenta primero los valores que ya
Q
conoce.
VE El ejemplo anterior hubiese sido más
sencillo haber empezado por la
10K segunda ecuación.
-10V Al resolver, preste atención al
significado físico del resultado.
90

45
 Comentarios
¿Cómo sabe que los valores obtenidos son correctos?
– Al hacer el análisis estableció un estado de operación
para el transistor. (activo, VBE = 0.7V, β = 50).
– Los valores de corriente que obtenga para IB, IC e IE
tienen que ser positivos, consistentes con la definición.
– Si uno o más valores son negativos, el transistor no
está en el estado que se asumió.
• Hay que tratar entonces saturación, corte o inverso.

91

Método Gráfico y Aproximado.

92

46
 Punto de Trabajo. Método Gráfico
VCC

RC
IC

IB

RB

VBB
IE RE

93

Punto de Trabajo. Método Gráfico

VCC
Malla de Base

RC VBB = RB IB + VBE + RE IE
IC

IB IE = IB + IC ≅ IB + β IB

RB
Malla de Colector

VBB VCC = RC IC + VCE + RE IE

IE RE

IE ≈IC ≈ β IB
94

47
 Punto de Trabajo
Recta de carga de la malla de entrada (base)

VBB – VBE
RB + (β +1) RE
Q
IBQ

VBEQ
VBB

95

Punto de Trabajo
Recta de carga de la malla de salida (colector)

VCC/RC+RE

Q
ICQ

VCEQ
VCC
96

48
 Resumen. Método Gráfico
• Para poder llevar a cabo el análisis gráfico
hay que conocer:
– La curva característica del dispositivo.
– El punto de operación establecido por el
circuito externo.
• En su defecto, debe tener datos sobre el
transistor. Por ejemplo, β

97

Ejemplos

98

49
 Ejemplo 1
10V
• Determinar el punto de
4.7K operación (IC, IB, VCE)
• Datos: valores de los
elementos indicados.
• Si el transistor estuviese
activo, asuma β = 100 VBE
4V 3.3K
= 0.7V

99

Determinar
Determinar el elpunto
puntode
Ejemplo 1 operación
operación(I(ICC,,IIBB,,VVCE))
de
CE

10V
Proceso de solución
4.7K • Siga la estrategia de escribir el
menor número posible de
VB VC ecuaciones simultáneas.
• Mantenga un sistema de
VE
unidades consistentes. Dado
4V 3.3K que los voltajes están en voltios
y las resistencias en KΩ,
conviene expresar las corrientes
ββ==100
100 en mA.
VVBE =0.7V
BE =0.7V
100

50
 Ejemplo 1 Determinar
Determinar el
operación (I
elpunto
, I
puntode
, V )
de
operación (ICC, IBB, VCE
CE)

10V • Asuma un posible estado de

4.7K operación.
– Ejemplo: activo.
VB VC • Calcule los voltajes y corrientes
que definen el punto de
VE
operación.
– Verifique si los valores obtenidos
4V 3.3K son consistentes con el estado
asumido,
• Si no lo son, debe asumir otro
ββ==100 estado y volver a calcular.
100
VVBE =0.7V
BE =0.7V
101

Ejemplo 1
10V LVK en el circuito de base.
4.7K 4 = 0.7 + 3.3( I E )
I E = 1.00 mA
VB VC
IE Si el transistor está activo ya con
+
0.7 - VE esto puede calcular IC e IB.
4V 3.3K IICC == αI
αIEE IIBB == βI
βICC
β 100
α= = = 0.99
ββ==100
β +1 100+1
100
VVBE =0.7V
BE =0.7V I C = 0.99 mA I B = 0.0099102mA

51
 Ejemplo 1 I C = 0.99 mA I B = 0.0099 mA
I E = 1.00 mA
10V LVK en el circuito de colector a
IC 4.7K emisor.
10 = 4.7 I C + VCE + 3.3( I E )
VB VC
IE Substituyendo los valores de IC e
VE IE ya encontrados
3.3K
4V VCE = 2.05 V
Para obtener VCB
ββ==100
100
VVBE =0.7V
BE =0.7V
VVCB = V CE-- VVBE
CB = VCE
= 2.05 - 0.7 =1.35V
BE = 2.05 - 0.7 =1.35V
103

Ejemplo 1 I C = 0.99 mA I B = 0.0099 mA

I E = 1.00 mA VCE = 2.05 V
10V VCB = 1.35 V
4.7K ¿Cómo sabe que el transistor
realmente estaba en la región
activa?
Unión BE – pol. directa
VBE = 0.7 V asumido
OK
OK
4V 3.3K IIBBeeIIEEpositivos
positivos
Unión BC – pol. inversora
VCB positivo y > VBE
ββ==100
100 OK
IC positiva OK
VVBE =0.7V
BE =0.7V
104

52
Ejemplo 1 I C = 0.99 mA I B = 0.0099 mA
I E = 1.00 mA VCE = 2.05 V
10V VCB = 1.35 V
4.7K ¿Cómo me daré cuenta que no
está activo?
Vea el siguiente ejemplo.

4V 3.3K

105

Ejemplo 2
10V Lo mismo que para el ejemplo 1
4.7K pero cambiando la resistencia que
está entre emisor a tierra de 3.3 K a
0.33K.

Inicialmente asumiremos que está

4V 0.33K activo para ver si esto es viable.
0.33K
3.3K

106

53
 Ejemplo 2
10V Por LVK en el circuito de BE
4.7K 4 = 0.7 + 0.33( I E )
Que resulta en IE = 10 mA
Si el transistor está activo puede
+
0.7 -
calcular IC e IB.
4V 0.33K
3.3K
0.33K IICC == αI
αIEE IIBB == βI
βICC
β 100
α= = = 0.99
ββ==100
β +1 100+1
100
VVBE =0.7V
BE =0.7V I C = 9.9 mA I B = 0.099 mA
107

Ejemplo 2 I C = 9.9 mA I B = 0.099 mA

I E = 10.0 mA
10V LVK en el circuito de colector a
4.7K emisor.
10 = 4.7 I C + VCE + 0.33( I E )

+ Substituyendo los valores de IC e

0.7 - IE ya encontrados
4V 0.33K
3.3K
0.33K VCE = −69.53 V
Esto
Esto no
no es
es consistente
consistente con
con
ββ==100
100
operación activa.
operación activa.
VVBE =0.7V
BE =0.7V
¿Entonces,
¿Entonces,en
enqué
quéestado
estadoestá?
está? 108

54
 Ejemplo 2
10V Si no está activo, ¿cómo está?
4.7K
Trate otro estado.
Asumir corte no parece razonable
+ ya que:
0.7 - – si no fluyese IE, no habría caída
0.33K
3.3K
0.33K en la R de 0.33K y como
4V
consecuencia
– vBE tendría que ser 4V.
ββ==100 – sería difícil creer que la unión
100 BE no tiene polarización directa.
VVBE =0.7V
BE =0.7V
109

Ejemplo 2

10V Trate saturación.

4.7K Ya no es correcto utilizar β o α.
– Significaría volver a asumir que el
transistor opera en la región activa.

+ Asumir que está saturado implica

0.7 - vBE =0.7 V, vCE = 0.2 V (aprox).
4V 0.33K
3.3K
0.33K
4 = 0.7 + 0.33I E I E = 10.0 mA

10 = 4.7 I C + 0.2 + 0.33I E I C = 1.38 mA

110

55
 Ejemplo 2 I E = 10.0 mA I C = 1.38 mA

10V
4.7K La corriente de base es
IB = IE – IC.
IB = 8.62 mA.
+
0.7 -
4V 0.33K
3.3K
0.33K Los valores anteriores son
consistentes en signo con lo que
corresponde a saturación.

111

Ejemplo 2

10V Lecciones de este ejemplo

4.7K Determinar el estado del circuito
requiere pensar sobre el
fundamento físico de cada
+ estado. No se trata sólo de
0.7 - fórmulas.
4V 0.33K
3.3K
0.33K Los valores de voltajes y
corrientes encontrados bajo un
estado probablemente no son
aplicables a otro. Las ecuaciones
de LVK o LCK probablemente sí
lo sean. 112

56
 Ejemplo 3
15V Determinar el punto de
operación de cada transistor.
100K 5K 2K Observe que hay dos
Q2 transistores, uno npn y el otro
Q1
pnp.

50K 3K 2.7K Notación:

Notación:
Debe
Debeentenderse
entenderseque
quetodas
todaslas
las
resistencias
resistenciassuperiores
superioresconectan
conectanaa
15
15V.
V.
Recuerde
Recuerdequequeya
yaexiste
existeuna
una
convención
convención de corrientesyyvoltajes
de corrientes voltajes
113
Q1
Q1yyQ2.
Q2.

Ejemplo 3
15V Dato: si el transistor está
activo asuma que
100K 5K 2K β = 100 y vBE = 0.7 V.
Q2 Debe determinar VE, VC,
Q1
VB, IC, IB, e IE para cada
transistor.
50K 3K 2.7K Tiene que asumir algún
estado para cada transistor
y verificar si es correcta la
hipótesis.
Ejemplo: ambos activos.
114

57
 Ejemplo 3
15V
I1+IB1 Por LVK:
100K 5K 2K 15= (I1+IB1)(100) +I1(50)
Q1 VQ2C 11 15 = 150 I + 100I
IB1VB 15 = 150 I11 + 100IB1
B1

+0.7 - VE Por LVK en circuito BE de Q1:

50K 3K 2.7K
I1 0=
0= -I-I11(50)+0.7+I
(50)+0.7+IE1 (3K)
E1(3K)

Pero IIE1=( β+1)I B1

E1=(β+1)IB1
Combinando 22
-0.7=
-0.7= -I-I11(50)+(101)I
(50)+(101)IB1 (3K)
B1(3K) 115

Ejemplo 3
11
15V 15
15 == 150
150 II11 ++ 100I
100IB1
B1
I1+IB1 22
100K 5K 2K -0.7=
-0.7= -I-I11(50)+(101)I
(50)+(101)IB1 (3K)
B1(3K)
Q2
IB1
Q1 Resolviendo simultáneamente
obtiene:
+0.7 -
50K 3K 2.7K IIB1 =0.0127 mA
I1 B1=0.0127 mA

Ahora puede calcular IE1 e IC1:

IIC1 =1.27 mA
C1=1.27 mA
IIE1 =1.28 mA
E1=1.28 mA
116

58
 Ejemplo 3
15V
iC1 - iB2 iE2 Aplique LVK al lazo de BE de Q2:
100K 5K 2K 0= IE2(2)+ 0.7 - (1.27 - IB2)(5)
Q2 IE2 = (101)(IB2)
Q1
iC1 iB2 Al resolver por IB2 queda:
50K 3K 2.7K IIB2 = 0.0286 mA
B2= 0.0286 mA
IIC2 = 2.86 mA
C2= 2.86 mA
IIE2 = 2.88 mA
E2= 2.88 mA

117

Ejemplo 3 IIB1 =0.0127 mA IIB2

B1=0.0127 mA
= 0.0286 mA
Ejemplo 3 B2=I 0.0286 mA
= 2.86 mA
IIC1 =1.27 mA
C1=1.27 mA IC2
C2= 2.86 mA
15V
IIE1 =1.28 mA IIE2 = 2.88 mA
E2= 2.88 mA
E1=1.28 mA
100K 5K 2K Antes de dar por buenos estos
Q1 Q2 resultados verifique si son
razonables.
50K 3K 2.7K
Se calcularon asumiendo
que ambos transistores
estaban activos.

Calcule
Calcule VVBC para ver si corresponde
BC para ver si corresponde
aa polarización
polarización inversora...
inversora...
118

59
Ejemplo 3 IIB1 =0.0127 mA IIB2== 0.0275
B1=0.0127 mA 0.0275 mA
mA
Ejemplo 3 I =B2 2.75 mA
IIC1 =1.27 mA
C1=1.27 mA C2= 2.75 mA
IC2
15V
IIE1=1.28
E1 mA IIE2
=1.28 mA = 2.78 mA
E2= 2.78 mA
100K 5K 2K Calcule VB1.
Q2
Q1 VB1= IE1(3K)+ 0.7 = 4.54 V
Calcule VC1.
50K 3K 2.7K VC1= 15 –(IC1-IB2)(5K)
VC1= 16.48 V
ok
Así que VCB1= VC1 – VB1. ok

VCB1=11.94 V 119

Ejemplo 3 IIB1 =0.0127 mA IIB2== 0.0275

B1=0.0127 mA 0.0275 mA
mA
Ejemplo 3 I =B2 2.75 mA
IIC1 =1.27 mA
C1=1.27 mA C2= 2.75 mA
IC2
15V
IIE1=1.28
E1 mA IIE2
=1.28 mA = 2.78 mA
E2= 2.78 mA
100K 5K 2K Calcule VB2.
Q2
Q1 VB2= VC1 =16.48 V
Calcule VC2.
50K 3K 2.7K VC2= IC2(2.7K)
VC2= 7.42 V
Así que VCB2= VC2 – VB2. ok
ok
VCB2= -9.06V 120

60
 Ejemplo 3
15V
Lecciones aprendidas
100K 5K 2K • Debe desarrollar una estrategia
Q2 de solución que no dependa de
Q1 construir sistemas de
ecuaciones simultaneas.
– En este ejemplo hubiese tenido 4
ecuaciones simultáneas por LVK.
50K 3K 2.7K
– Exprese las corrientes del
transistor en términos de otras.
– Trabaje la solución de la entrada
hacia la salida, no al revés.

121

61