INSTITUT FÜR WERKSTOFFKUNDE I iwk I

m
UNIVERSIT ÄT KARLSRUHE (TH)

Werkstoffkunde I
v Vorlesung WS 2006/07

c Dozenten: Prof. Dr.-Ing. D. Löhe

Prof. Dr. rer. nat. A. Wanner
Dr.-Ing. T. Beck
Dr.-Ing. K.-H. Lang

\
y
 Werkstoffkunde I
Inhaltsverzeichnis

1 Einleitung
1.1 Ziel der Vorlesung
1.2 Gitterstrukturen, Gef üge und Eigenschaften
1.2. 1 Stapelfolgen, Gitterstrukturen und Eigenschaften
1.2 . 2 Gef ü ge und Eigenschaften
1.3 Werkstoffhauptgruppen
1.3.1 Metalle
-
1.3.2 Keramiken und Gläser (anorganische nichtmetallische Werkstoffe)
1.3.3 Hochpolymere Werkstoffe (Kunststoffe)
1.3.4 Verbundwerkstoffe
1.3.5 Halbleiter
1.4 WerkstofTauswahl
1.4.1 Der allgemeine Aspekt
1.4.2 Beispiel : Werkstoffauswahl f ür einen Druckbeh ä ltcr
1.4.3 Beispiel: Werkstoffauswahl f ü r die Flosse ( feststehender Teil ) des Seitenleitwerks
eines Verkehrsflugzeugs
1.5 Ausblick

2 Atomaufbau und atomare Bindungen

2.1 Grundbegriffe
2.2 Aufbau der Elektronenhü lle
2.3 Periodensystem der Elemente (PSE)
*
2.4 Atomare Bindungen

V 2.4.1 lonenbindung
a) Prinzip
b) Betrachtung der wirkenden Krä fte
c) Koordinationszahl KZ
2.4.2 Kovalente Bindung
a) Prinzip
b) Koordinationszahlen
c) Bindungswinkel
2.4.3 Metallbindung
a) Prinzip
b) Koordinationszahl
c) Plastisches Verformungsverm ö gen
2.4.4 Sekund äre Bindungen
a) Van der Waals'sche Bindung
b) Wasserstoffbrückenbindung
2.4.5 Bindungstetraeder
3 Kristalline Festk örperstrukturen U) r w ;i -
j '' \
3.1 Grundsä tzliches zum Aufbau von Festk ö rpern
3.2 Kristallsysteme und Bravais-Gitter
3.2. 1 Kubisches Gitter
3.2.2 Tctragonalcs Gitter
3.2.3 Orthorhombisches Gitter
3.2.4 Monoklines Gitter
3.2.5 Triklines Gitter
3.2.6 Hexagonales Gitter
3.2.7 Rhomboedrisches Gitter
3.2 .8 Bezeichnung der 14 Bravais-Gitter nach Pearson
3.3 Gitterrichtungen und Gitterebenen
3.3.1 Bezeichnung von Gitterrichtungen
3.3.2 Bezeichnung von Gitterebcncn
3.3.3 Wichtige Ebenen lind Richtungen im hexagonalen Gitter
3.3.4 Zusammenhang zwischen Netzebenenabst ä nden , Gitterkonstanten und Millcr'schen
lndices
3.3.5 Netzebenenabstand und Belegungsdichte
3.4 Metallische Strukturen
3.4. 1 Die h ä ufigsten Gittertypen
3.4.2 Merkmale des kfz Gitters
a) Elementarzelle
b ) Koordinationszahl
c) Zahl der Atome je Elementarzelle
d ) Raumerfiillung
e) Gitterl ü cken
f ) Stapelfolge
g) Dichtest gepackte Ebenen und Richtungen
h) Gleitsystenie
i ) Zwillingssystcme
j) Trennbruchsysteme
3.4.3 Vergleich der wichtigsten Gittertypen
a) Gitteratom- und Gitterl ückenplätze
b) Stapel folgen
c) Zwillingssystcme
d) Charakteristische Gitterkenngrößen von krz* kfz und hex Metallen
3.4.4 Allotrope Elementmodifikationcn
3.4.5 Ü berstrukturen geordneter Mischkristalle
3.4.6 Intermetallische Verbindungen
a) Der grundsä tzliche Aspekt
b) Charakteristische Beispiele
3.5 Keramische Strukturen
3.5.1 Einlagerungsverbindungen
3.5.2 Ionen Verbindungen
3.6 Polymere Strukturen
3.6.1 Kristalline Bereiche in Polyethylen
3.6.2 Kristalline Bereiche in Polyamid
3.7 Halbleiterstrukturen
3.7.1 Elementhalbleiter
3.7.2 Verbindungshalbleiter
 4 Stö rungen in kristallinen Festk örperstrukturen
4.1 Systematik der Gitterst örungen
4.2 Punktförmige Gitterstömngcn
4.2.1 Leerstellen
a) Leerste ] lenkonzcntration bei gegebener Temperatu\ v
b) Leerstellen im Nichtglcichgewicht
4.2.2 Substitutionsatome
4.2.3 Jntcrstitionsatome
4.3 Linien förmige Gitterstörungen ( Versetzungen)
4.3.1 Ein lei tende Bemerkungen
a) Normal - und Schubspannungen bet einem Stab unter Zugbelastung
b) Hooke'sches Gesetz bei Normal- bzw , Schubbeanspruchung
c) Schubfestigkeit idealer Kristalle
d) Plastische Verformung realer Kristalle
4.3 .2 Formale Einführung von Versetzungsgrundtypen
a) Erzeugung und Merkmale einer Stufenversetzung
b) Erzeugung und Merkmale einer Schraubenversetzung
I c ) Erzeugung und Merkmale einer MischVersetzung (gemischte Versetzung)
4.3.3 Eigenspannungsfelder und Linienenergie
4.3.4 TeiIVersetzungen
4.3.5 Stufenversetzungen im kfz und krz Gitter
4.3.6 Plastische Verformung durch Versetzungsgleiten
.
4.3 7 Quergleitcn und Klettern von Versetzungen
a ) Quergleiten von Schraubenversetzungen
b) Klettern von Stufenversetzungen
4.3.8 Repetitivc Erzeugung von Versetzungen
a) Frank -Read-Quelle
b) Quergleitquelle
4.4 Flächenf örmige Gitterst örungen
4.4.1 Stapelfehler
4.4.2 Antiphasengrenzen
-
4.4.3 Korn und Phasengrenzen
4.5 R äumliche Gitterstörungen
4.5J Teilchen
I a) Ausscheidungen
b) Dispersionen
4.5.2 Mikrorisse
4.6 Störungen in kristallinen Molekülstrukturen

5 Amorphe und teilkristalline Festk örperstrukturen \

5.1 Metalle
.
5.1 1 Amorphe Werkstoffzustände
5.1.2 Teilkristalline WerkstofYzust ände
-
5.2 Anorganisch nichtmetaUische Werkstoffe
5.2.1 Amorphe Werkstoffzust ände
5.2.1 Teilkristalline Werkstoffzust ände
5.3 Polymere Werkstoffe
5.3.1 Amorphe Werkstoffzust ände
a) Bindungen
b) Typische Reaktionen von Monomeren zu Polymeren
c) Aufbauprinzip und Infrastruktur von Polymeren
d) Hauptgruppen von Polymeren
5.3.2 Teilkristallme Werkstoffzustände
6 Legierungslehre
6.1 Konzentrationsangaben bei Zwei Stoffsystemen
.
6.1 1 Masseprozent
6.1.2 Atomprozent
6.1.3 Volumenprozent
6.1 .4 Zusammenhang zwischen Masse-, Atom- und Volumenprozent
6.2 Erscheinungsformen von Legierungen
6.2.1 Homogene Legierungen
6.2.2 Heterogene Legierungen
6.3 Die Phasenregel
6.4 Zustandsänderungen bei reinen Stoffen
6.4.1 Metall ohne Umwandlung im festen Zustand
6.4.2 Metall mit Umwandlung im festen Zustand
6.5 Thermische Analyse
6.6 Ermittlung des Zustandsdiagramms
6.7 Das Prinzip wechselnder Phascnzahlen
6.8 Das Hebelgesetz
6.9 Wichtige schematische Zustandsdiagramme bin ä rer Legierungen
6.9.1 Vollkommene Löslichkeit im fl üssigen und festen Zustand
6.9.2 Eutektische Reaktion
a ) Keine Löslichkeit im festen Zustand
b) Einseitig beschränkte Löslichkeit im festen Zustand
c) Beidseitig beschränkte Löslichkeit im festen Zustand
6.9.3 Peritektische Reaktion |
6.9.4 Umwandlungen im festen Zustand
a ) Eutektoide Reaktion
b) Peritektoide Reaktion
6.9.5 Zustandsdiagramm mit Auftreten einer Verbindung
6.10 Beispiele fiir reale Zustandsdigramme bin ärer Legierungen
-
6.10.1 Zustandsdiagramme Cu Ni und NiO-MgO
-
6.10.2 Zustandsdiagrammc Pb-Sn und Al 203 Zr02
6.10.3 Zustandsdiagramm Ag- Pt
6.10.4 Zustandsdiagramm Mg0-Al 2O3
6.10.5 Zustandsdiagramme Ti-Al und Zr02-Y203
6.11 Darstellung der Zustände tern ärer Legierungen
6.11.1 Konzentrationsangaben
-
a ) Masse bzw. Atom-%
b) Darstellung in Dreieckskoordinaten
I

c) Darstellung in Rechteckskoordinaten
6.11.2 Ternä re Zustandsdiagramme
a) Grundsä tzlicher Aspekt
b ) Randsysteme
6.11.3 Ternä re Teildiagramme
a ) Schnittdiagramm ftir Tj = konst
b ) Schnittdiagramm fü r = konst
c ) Schnittdiagramm filr c /ck= konst

7 Materietransport und Umwandlung im festen Zustand

7.1 Leerstellenbedingte Diffusion von Gitteratomen
7.2
7.3
Diffusion von Substitutionsatomen
Diffusion von Interstitionsatomen
i
7.4 Diffusionskontrollierte Umwandlung bei glcichgcwichtsnaher Abk ü hlung
7.5 Diffusionskontrollierte Umwandlung bei beschleunigter Abk ü hlung
 7.6
7.7
.
Diffusionslose Umwandlung (martcnsi ische Umwandlung )
Zeit-Temperatur- Umwandlungsschaubilder
7.7 . 1 mi
Isothermes ZTU - Diagramm
7.7 . 2
Kontinuierliches ZTU-Diagramm
7.8 Ausscheidungsbildung
7.9 Erholung und Rekristallisation
7.9. 1 Grundsätzlicher Befund
7.9. 2 Erholung
7.9.3 Rekristallisation
a) Grundsä tzlicher Ablauf
b ) Korngröße rekristallisicrter Werkstoffe
c) Rekristallisationsschaubild
7.9. 4 Warm- und Kaltumformung

8 Mikroskopische Methoden
8.1 Lichtmikroskop ic
8.2 Elektronenmikroskop
8.2.1 Einf ü hrung ^
8.2. 2 Rasterelektronenmikroskopie
8.2. 3 Transmissionselektronenmikroskopie

9 Untersuchungen mit R ö ntgen- und Teilchenstrahlen

9.1 Röntgenographische Methoden
9.1 . 1 Einf ührung
a) Erzeugung von Röntgenstrahlen
b) Schw ächung von R öntgenstrahlung in Materie
>
c) Röntgenbeugung
d ) R öntgendiffraktometer
9.1.2 Elektronenstrahlmikroanalyse
9.1.3 Röntgenfluoreszenzanalyse
9.1 .4 Gitterstrukturbestimmung mit Röntgenstrahlung
9.1.5 Phasenanalysc mit Rö ntgenstrahlung
9.1.6 Röntgenographischc Spannungsanalyse (RSA)

9.2
9.1 .7 Röntgenographische Texturanalyse
9.1.8 Grobstrukturuntersuchung mit Röntgenstrahlen
Neutronographische Methoden
t-
i
9.2 . 1 Einf ü hrung
a) Erzeugung von Neutroncnstrahlen
t
b) Thermische Neutronen
c) Schwächung von Neutronenstrahlen durch Materie K
9.2.2 Neutronen -Diffraktometrie V
-
9.2.3 Neutronen Durchstrahlungsprilfung
9.3 Prü fung mit radioaktiver Strahlung
9.3. 1 Einf ü hrung
-
9.3.2 Durchstrahlungsprüfung mit y Strahlung
9.3.3 Auswahl der Radioisotope
-
9.3.4 Wichtige Kenngrößen der y Strahlung
9.3.5 Herstellung und Zerfall der Strahler
9.3.6 Einsatz der kü nstlichen Isotope zur Grobstrukturprü fung I.

10 Zerstörungsfreie Werkstoffpr ü fung j

 10.1 Uhraschallverfahren
10.1.1 Einf ü hrung
10.1 .2 Prü fmethoden
10.1 . 3 Impuls-Echo- Verfahren
10.1 . 4 Durchschal lungsverfahren
10.1 . 5 Laufzeitverfahren
10.1 .6 Bild- und Rekonstruktionsverfahren
10.1.7 Schallemissionsanalyse (SEA)
10.2 Wirbelstrom verfahren
10.2. 1 Einf ührung
10.2. 2 Anwendungen
10.2. 3 Eindringtiefe
10.3 Eindringverfahren
10.3. 1 Einf ührung
10.3. 2 Anwendung

11 Mechanische Werkstoffprü fung

11.1 Zugversuch
11.1.1 Vorgehensweise und grundlegende Zusammenhänge
-
a) Ermittlung des F,AL, Zusammenhangs
b) Elastische Verformung
c) Elastisch- plastische Verformung
d ) Technische und physikalische Verfestigungskurve
11.1.2 Werkstoffwiderstandsgrößen und Verformungskenngrößen des Zugversuchs
11.1.3 Brucharten
11.1.4 Verschiedene Typen von Verfestigungskurven
11.1.5 Verfestigungsmechanismen
a) Versetzungsverfestigung
b ) Komgrenzenverfestigung
c ) Mischkristallverfestigung
d) Teilchenverfestigung
t e) Orientierungverfestigung
0 Prinzip der Additivitä t der Werkstoffwiderstände
* 11.2 H ärteprüfversuche
-
11.3 Kriech oder Zeitstand versuche
11.3.1 Die Kriechkurve
11.3.2 Das Zeitstanddiagramm
11.3.3 Hochtemperatur-Verformungsmechanismen
11.3.4 Einige strukturbedingte Einflußgrößen auf die Kriechkurve
a ) Korngröße
b) Legierungssä tze
c) Dispersionszusä tze
d ) Gerichtet erstarrte Eutektika
11.4 Kerbschlagbiegeversuchc
11.4.1 Prinzip
-
11.4.2 aK, T Kurven bei Stä hlen
- St ählen aut aK
11.4.3 Einige strukturelle Einfl üsse bei ferritisch perlitischen
a) Kohlenstoffgehalt
b) Korngröße
c ) Substitutionsatome
11.5 Rißzähigkeitsversuche
11.5.1 Prinzip
 ,,ü
. ”
11.6.1

^
A “
^
SSS&SSs:
Ermittlung von Wahlerkurv«

.
«) Spannungsge«euerte
b 1
, 5F* z
EmKufenve^ucbc
ung g«teucne Einstufen
c ) Fcstigkeitsberciche der
d ) Bewertung de» Rruchl» up,cl
ahlcr
-
rl

versuche
Wfthlerkurve
, .
qu ’*fcc und die *ManKai -Coffin
—
^ü ür
) 1u m
"
' Vn
°
b) M ittclspannungseinfluB auf die
-Bcziehung
Zwingender Beanspruchung

Spannungiwfthlerkuivc
O Quantitative Zusammenhlngc zwischen Dauerfestigkeit und Mittclspannung
d ) Dauerfesti gk eitaschaubi Ider
1!.6 4 Einige EinflußgrAßen auf das Dauerachwingvcrhahcn
•b)) Wcrfcstoflbcanspnichung
WcrkstofT ustand
»
/
c ) WcrkstofFgoomctnc
d ) Werk üofTumgcbung
11.6 5 RiBausbreitung

»
1 Einleitung
1.1 Ziel der Vorlesung

Vermittlung von Kenntnissen ü ber Konstruktionswerkstoffe ( auch als Struktur oder Ingc-
nieurwerkstofTc bezeichnet ) und (weniger ausf ü hrlich ) Funktionswerkstoffe
-
• Erkennen der Zusammenh ä nge zwischen atomarem Fcstkörperaufbau, mikroskopischen
Beobachtungen und Werkstoffkennwerten
• Beurteilung von Eigenschaften und den daraus resultierenden Verwendungsmöglichkeiten

1.2 Gitterstrukturen , Gef ü ge und Eigenschaften

1.2.1 Stapelfolgen , Gitterstrukturen und Eigenschaften

Gedankenversuch: Starre Kugeln (= Atome) möglichst

dicht auf eine Ebene legen:

drei dichtest gepackte Richtungen

(Richtungen, längs der sich die Kugeln berü hren )

** "dichtest gepackte Ebene",

Ebene mit höchster atomarer Belegungsdichte

Erzeugung eines Raumgitters (eines Festkörpers, eines

Kristalls) durch " Aufeinanderstapelung" derartiger
dichtest gepackter Ebenen. Bild LI : Dichtest gepackte Ebene

zwei M öglichkeiten:
Stapelfolge ABABAB Stapelfolge ABCABCABC

Bild 1.2: Stapelfolge ABABAB Bild 1.3: Stapelfolge ABCABCABC

 ergibt zwei unterschiedliche Raumgitter:

hexagonales Gitter kubisch - fl ächenzentriertes Gitter

*
I /
&£r /f tyc'

SO : 0
(
/
- 0
r*

O 0 o
/
A - uy .
JB
<3
*
, JÖ '
0 /

Bild 1.4: hexagonales Gitter -

Bild 1.5: kubisch flächenzentriertes Gitter

Beispiele:
Magnesium Aluminium
Beobachtung im Zugversuch :

V -

p •! ‘t r * * 1

MN
iftURb
i

Bild 1.6: Ergebnis eines Zugver - Bild 1.7: Ergebnis eines Zugver -
suches mit einer Mg- Probe suches mit einer Al- Probe

Befunde :
Magnesium ist relativ spröde Aluminium ist relativ duktil

Ursache aus den verschiedenen Gitterstrukturen ableitbar:

hexagonales Gitter kuhisch - flächenzentriertes Gitter K

** 3 Gleitsysteme ^ 12 Gleitsysteme

2
fc
 1.2.2 Gef ü ge und Eigenschaften
Versuch: Unterschiedliche Wärmebehandlung von zwei identischen Zugproben aus
42 C rMo4 niedrig legierter Stahl , Vergü tungsstahl

Tcmpcratur- Zeit - Verläufe:

TA /A

/fcftk uL
/ i '

1 6 • « #>
! T4 / T 26 v
uU 6 * ürt» -M7 I

'S

4
Bild 1.8: T. t -Verlauf mit langsamer Bild 1.9: T, t - Verlauf mit Abschreckung
Abkühlung

Zugversuche liefern folgende Kraft -Verlängerungsdiagramme (Zugverfestigungskurven):

A
T /j

=>
AL L U -
Bild 1.10: Zugverfestigungskurve einer
-I .i

Bild 1.11: Zugverfestigungskurve einer

“

langsam abgekühlten Zugprobe abgeschreckten Probe

Ergebnis: Trotz gleicher chemischer Zusammensetzung völlig verschiedenes Verhalten .

,1

Ursacher.: Unterschiedliche Wärmebehandlungen haben unterschiedliches Gef üge erzeugt ! HGNCVS f ~

- \

m t vA es W** /
1
1 i
K
t

x
.
m
ff
$

1 f >V /
/
\ I f 1

r
Bild 1.12: Gefiige nach langsamer Bild 1.13: Gefüge nach Abschreckung
Abkühlung \
V ft » Hl 3
 Wcr sto en zu verstehen, sind also Kenntnisse ü ber den Atom-
^ ^
aufbau bzw. ü ber das Gef ü ge im mikroskopischen
Bereich erforderlich.
Es wird in 4 Kategorien unterschieden:
^ ' _^ ,
^
la ros
^" e tonen °Pausc 1 du x:h Erfassung beispielsweise mechanischer, thermischer, elektrischer...
estimmte Beanspruchungen . Die Lincarabmessungen der interessierenden
— -
erkstofifbereiche (UW ) liegen dabei zwischen 1 mm und 1 m.
-
2 ) mikroskopisch durch Erfassung des Werkstoffgeftiges mit Hilfe von Licht und Rasterelek
- -
-
tronenmikroskopic . Die LIW liegen dabei zwischen 0,5 pm und 1 mm.
-
3) submikroskopisch durch Erfassung der Atomgitterstrukturen und der vorliegenden
Gitterstörungen mit Hilfe von elektronenmikroskopischen , röntgenographischcn und anderen
- -
Hilfsmitteln . Die LIW liegen dabei zwischen 1 nm und 0,5 pm .
4 ) unter Heranziehung aller sonstigen werkstoffkundlichen Kenntnisse und Erfahrungen .

9 1.3 Werkstoffhauptgruppen
Die in der technischen Praxis eingesetzten Werkstoffe lassen sich in f ü nf Hauptgruppen
einteilen:
- Metalle
-- Keramiken und Gläser
Hochpolymere Werkstoffe ( Kunststoffe)
- Verbundwerkstoffe
- Halbleiter
Nach der Absicht, die mit dem Werkstoffeinsatz verfolgt wird, l äßt sich eine grobe Einteilung
in Konstruktionswerkstoffe und Funktionswerkstoffe vornehmen, wobei fließende Ü bergän -
ge bestehen .

1.3.1 Metalle
ä Bekanntester Vertreter aus dieser Hauptgruppc ist Eisen mit seinen Legierungen Stahl und
^ Gußeisen.
Zu den metallischen Eigenschaften zä hlen :
-- hohe Festigkeit bei gleichzeitig guter Verformbarkeit
gute elektrische und thermische Leitf ähigkeit
- meist relativ hohe Dichte
Neben dem Eisen bzw . seinen Legierungen besitzt ein Gro ß teil der chemischen Elemente
metallische Eigenschaften (siehe hervorgehobenen Elemente in Bild 1.14). Viele dieser Elemen-
te sind Basis fü r Legierungsgruppen; die wichtigsten Vertreter sind neben den Eisenlegierungen
(St ähle und Gu ßeisen ):
- Aluminiumlegierungen ( Al - Basis),
-- Magnesiumlegierungen ( Mg-Basis ),
Titanlegierungen (Ti - Basis),
- Kupferlegierungen (Cu-Basis),
- Nickellegierungen (Ni -Basis),
-
Zinklegierungen (Zn-Basis )
r

IA
1 0
tl II A 2
III A IVA VA VI AVII A Ile
3 4
Li Be 5 6 7 8 9 10
12 B C N 0 F Nc
11 V I 1J
Ni
19
Mg 111 B
211 21
IVB VQVlBVllDr
22 23 24 25 26
— 13
1 n I1 B Al
M
Si
15
p
16 ! 7 18
s CI
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Gc As Se Br Kr
3/ JS 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr Y Zr Nb Mo Te Ru Rh Pd Ag Cd ln Sn sb Tc Xe
55 56 57 72 73 74 75 76 77 78 79 86 81 82 83 84 85 86
Cs Bä u Hf Ta W Re , üs lr Pt Au Hfl TL Pb Bi Po Al Rn
87 88 89
1 Fr Ra Ac

58 59 G0 61 ' 62 63 64 65 66 67 68 6970 71
Cc Pr Nd Pm $m Eu Gd Tb Dy Ho ET ImYb Lu 1
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103
Th Pa U Np Pü Am Cm Bk er Es Fm Md No Lw

t Bild LI 4: Elemente mit Metallcharakter dargestellt im Periodensystem

1.3.2 Keramiken und Gl ä ser (anorganisch - nichtmetailische W erkstoffe )

Keramiken und Gläser sind Verbindungen von den Nichtmetallen C, N „ O * P * S (dunkel hervor -
gehoben in Bild 1.15 ) und Metallen (heller hervorgehoben ) .

IA <>
I 2
El HA IIIA IVA VA VI AVII A He
3 4 5 6 7 8 0 10
Ls öc B c N o F Nc
11 12 VIII 13 14 15 16 17 IS
A Ar
Na Mg llt BIVli V li VI 13 VIIIV l U II B Al Si P $ C!
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36
K Ca Sc Ti V Cf Mm Fe Co Hi Cu Zn Ga Ge As Sc Br Kr
37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr Y Zr Nb Mo Te Ru Rh Pd AS Cd In Sn Sb Te 1 Xe
55 56 57 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 S 2 83 84 85 80
Cs Ba La Hf Ta W Re Os lr Pt Au « 8 TI Pb Bi Pu Al 10)
87 88 89
Fr EU Ac

59 60 61 :62 63 64 65 66 67 6$ 69 70 71
58
Ce Pr Nd Pin Sm Eu Gd Tb Dy Ho Fr Tm Yb Lu
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103
Th Pa U Np Pii Am Cm Uk er Es l - m Md No Lw

Bild 1.15: Elemente des Periodensystems , aas denen Keramiken und Gläser entstehen
1
Typische Vertreter: Al 20 > p Zr 02 MgO, Si 02 und nichtoxidische
T
Verbindungen wie Si N 4 und ,
SiC

5
 Beispiel: Aluminiumoxid (A
1203)
Vorteile gegen über dem Metall AI :
- chemisch inert
- hohe Schmelztemperatur von 2020°C gegen ü ber
Nachteile gegen ü ber Aluminium:
660°C von Al
- hohe Sprödbruchanfälligkeit
- keine plastische Verformbarkeit ( mit Ausnahme sehr hoher Temperaturen )
m Einsatzgebiete sind eingeschränkt

Gl ä ser bestehen aus einer Mischung von Si02, CaO, Na O und ggf. weiteren Oxiden
Eigenschaften: vergleichbar mit Keramiken^, aber durchl ässig f ür ultraviolettes,
sichtbares und infrarotes Licht

Frage: Wodurch unterscheiden sich Keramiken von Gläsern?

Antwort: Keramiken sind wie Metalle kristallin aufgebaut, d. h. in einem bestimmten Gitter (s. 1' I
Bild 1.16a)
Gl äser dagegen besitzen eine unregelm äßige Atomanordnung, die als amorph be -
zeichnet wird (s. Bild 1.16b)
%
m

w
Bild 1.16: Vergleich des atomaren Aufbaus von (a) einer Keramik ( kristallin ) und ( b) einem Glas
(amorph). Nichtmetallatome hell dargestellt , Metallatom dunkel dargestellt .

Neuere Entwicklung: Glaskeramiken

Durch eine geeignete thermische Behandlung von Gläsern mit bestimmten Zusammcnset -
-
Zungen (z.B. Lithium Aluminosilikaten) wird der glasartige Zustand in
einen teilkrislallinen
%
ü bergeftlhrt .
feinkörnige, porenfreie Gef üge mit interessanten mechanischen und thermischen Eigen-
schaften
^ höhere Festigkeiten als
Lithium - Aluminosilikate
viele traditionelle Keramiken
besitzen kleine thermische Ausdehnungskoeffizienten
r
hr
*+ Verwendung als Kochplatten
\
1.3.3 Hocbpolymere Werkstoffe ( Kunststoffe)

zu unterscheiden: , \

nat ürliche Hochpolymere ( Uder \ \Vrt |

k ünstliche Hochpolymere (hier betrachtet )

Hochpolymere Werkstoffe bestehen aus Nichtmetallen (s. Bild 1.17). Das Grandgerüst ist
man z. B. in Acrylen
immer eine Kohlenstoff-Wasserstoff-Kette . Die übrigen Nichtmetalle findet
,
(Sauerstoff ), in Polyamiden (Stickstoff in
) Silikonen ( Silizium ).

6
kl
 IA O

H II A III A IVA VA VI AVI1 A He

4 5 6 7 8 9 10
Li Be t) C M Ü F Ne
II 12 VIII 13 14 15 16 17 18
Na Mg nt F; lv n VB Vt R VII IV 1ß :i u AI Si P S CI AT
19 2« 2 ! 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36
K Ca Sc Ti V Cr MIL re (\i Ni Cu Zn, Gl Ge Aä Sc Ik Kr
37 38 30 40 41 42 ! 43 44 45 46 47 4K 49 50 51 52 53 54
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc 1 Ru Rh IM AB Cd ln S« Sb Tc 1 Xe
55 56 57 n 73 74 75 76 77 78 79 ao RI 82 H3 H4 1 85 | 86 1
Cs Ba La Hf Ta W Re Os tr PI Au HE TI l*h Bi P« A « Rn
«7 n 80
Fr Ae

58 50 M 61 62 63 64 65 66 67 68 60 70 71
i Er Tm Yb Lu
Ce Pr Nd Pin Sm Pu Cid Tb Dy 1 Io
oo 91 92. 93 94 95 06 07 OS 99 100 101 102 103
Tli Pa 11 Np Pu Am Cm Rk n Cs -
lm Md No Lw

Bild 1.17 : Elemente des Periodensystems , aus denen hochpolymere Werkstoffe entstehen

Eigenschaften :
- Duktilitä t wie Metalle, aber sehr viel geringere Festigkeiten
- geringe Dichte
- geringe Kosten ( Ausnahme: sog. Hochlcistungspolymcrc)
niedriger Schmelzpunkt bzw . Zersetzungspunkt
-

-
-
•
chemisch leichter angreifbar als Keramiken
kann als Ersatz ftlr Metalle verwendet werden, wenn Festigkeit und Steifigkeit ausreichen
( z.B. Autoverkleidungen )

1.3.4 Verbundwerkstoffe
Verbundwerkstoffe entstehen durch Kombination von unterschiedlichen oder unterschiedlich
strukturierten Werkstoffen aus einer oder mehreren Werkstoffhauptgruppen

Ziel: Eigenschaft oder Eigenschaftskombination des MatrixwerkstofTs, der die Verst ärkungs -
phase aufhimmt, zu verbessern. Beispiele ( vgl. Bild 1.18):

nat ürlicher Verbund - faserverstä rker Verbundwerkstoff Aggregat verb ü nd werkstoff

werkstoff: aus zwei Werkstoffhauptgruppen : aus einer Wcrkstoffhauptgruppe:

Holz GfK Beton

( glasfaserverstä rkter Kunststoff ) Erzeugung eines druck festen

** Verbesserung der Stcifig - Baustoffs
keit und Festigkeit

7
 s Z
“ LH "3

mmmmm
/ s._
n iss If

m *
I

v i.

9
SU) 39 b )

Bild L I S : Beispiele fü r Verbundwerkstoffe ( Holz, Glasfaserverstärkter Kunststoff , Beton)

Weiteres Beispiel f ür einen Verbund Werkstoff aus zwei Werk sto ßhauptgruppen:
A!20rFaser-verst ä rkte Ai -Legierung
** Verbesserung der Steifigkeit und Warmfestigkeit

Weitere Beispiele f ü r Verbundwerkstoffe aus einer Werkstoffhauptgruppe :

Aramidfaser-verstä rktes Epoxidharz ('’ Kevlar' )
1

n
Verbesserung von
C- Faser- verstärktes SiC
Steifigkeit und Festigkeit

*+ Verbesserung des Ri ßausbreitungswiderstandes (Ri ß Zähigkeit)

I
Beispiele f ü r Verbundwerkstoffe aus einem , aber unterschiedlich strukturiertem Werkstoff:
C-Faser-verst ärkter Kohlenstoff
** Verbesserung von Steifigkeit, Festigkeit und Ri ßausbreitungswiderstand
-
D SiC Faser-verst ä rktes SiC
** Verbesserung des Rißausbreitungswiderstandes ( Ri ß zähigkeit)

r
1,3.5 Halbleiter

Die Halbleiter sind eine kleine Gruppe von Elementen, die weder gute Leiter wie die Metalle
noch gute Isolatoren wie die Kunststoffe sind . Ihre Eigenschaften lassen sich nicht
altem auf -
grund der chemischen Bindung verstehen
eingebrachten Punktdefekten bestimmt .
, sondern werden ganz entscheidend

Elemente der 4 Hauptgmppe (dunkler dargestellt in Bild 1.19) Si» Ge und

>
von gezielt

Sn bilden die Grenze

eingesetzt
i
zwischen Metallen und Nichtmetallen und werden als F. lerne uthalblciter
Je reiner das Material ist, desto besser sind die Eigenschaften
** Verwendung in der Mikroelektronik

Jeweils ein rechts und links benachbartes Llemenl der 4. Hauptgruppe

Verbinduugshalbleiter bilden.
( heller dargestellt ) kö nnen

-
r
•
Beispiel ; Galliumarsenid GaAs Verwendung als Lasermaterial und
Ilochiemperaturgleich
richter
S
 t 2
II HA III A IV A V A VI A. V11 A He
1
3 4 5 1 6 7 £ 9 to
Li De B C 1 N o F Ne
U U vm iT'

14 ! “ is 16 i 17 18
Na Mg 111 B IV B V 3 VI ß VIT Rf A
\ 1 R 11 B Al Si P S CI Ar
19 20 21 22 23 24 25 26 1 27 l
28 29 30 31 1 32 33 34 1 35 36
K
37
Ca Sc
38 39
Ti
40
V
4t
Cr Mn
42 43
*j
44
Co
45
Ni Cn Zn Ga
46 4? 48 49
-
GL As
50 5!
Sc Br
52 53
Kr
54
1 Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te i Xe
55 56 57 72 73 74 ' 75 76 77 78 79 £0 I | 81 82 83 84 85 86
Rn
Cs Da La Hf Ta W Rc 0? Ir PS Au TL Pb Di Po AL
B7 88 89
Fr Ra Ae

58 59 60 6t 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71
Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Mo Er Tut Yb Lu
90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 L 01 102 103
j Th Pa ü | Np Pn i Am |
, Cm Bk Cf Es Fm 1
Md No Lw

Bild 1.19: Elemente des Periodensystems aus denen Halbleiter entstehen

Halbleiter werden nahezu ausschließlich (Ausnahme: Mikrosystemtechnik) als Funktionswerk

stoflfe eingesetzt.

1.4 Werkstoffauswahl
1.4. 1 Der allgemeine Aspekt
den jeweiligen Anwendungsfall die jeweils
Aus den f ünf Werkstoffhauptgruppen m üssen f ü r
. Dies fü hrt zum Vergleich zwischen
bestmöglichen Materialien ausgewählt werden

Beanspruchungsprofil und Eigenschaftsprofil.

Wichtige Anforderungskriterien sind

beispielsweise
ausreichende Werkstoffwiderstände gegen

—
- mechanische,
- thermische,
- chemische sowie
-Beanspruchungen unter Berücksichtigung von
daraus zusammengesetzte

- Werkstoffund Werkstoffzustand
- Bauteilumgebung und
- Bauteilgeometrie
Fertigung mit beherrschten Technologien
g
9
 1.4 , 2 Beispiel , W erkstoffauswahl f ür einen Druckbeh älter
Werkstoffauswahl f ü r einen Druckbehälter an Hand folgender Kriterien: Festigkeit, plastische
Verformbarkeit
kosten^
-
Unempfindlichkeit gegen stoßartige Belastung), Werkstoff und Herstell -

Kriterium Festigkeit plast. Verformbarkeit Kosten Entscheidung

©
)

Metall 0 ©
Keramik, Glas
hochpolym. Werkstoff
c<3
-o ©
e
©
Verbundwerkstoff © © ©) <3
Halbleiter © 0) 3
Nachdem die Werkstoffhauptgrappe feststeht , beginnt die Feinauswahl, wobei neben den oben
genannten Kriterien noch weitere hinzukommen , wie: Bearbeitbarkeit, Vorratshaltung am Lager,
Verf ügbarkeit in gleichm äßiger Qualit ä t und weitere.
l
SW1' ' ) .1
^ ss '

\£ C 3S r fh - » ö Cr
^ c V« >

I
Teil ) des Sei-
% 1.4.3 Beispiel: Werkstoffauswahl f ü r die Flosse (feststehender
tenleitwerks eines Verkehrsflugzeugs

Kriterium
Metall
Festigkeit plasl - Verformbarkeit

©
Gewicht Entscheidung

ey/i - hls [Q A t
0
' b t
Keramik, Glas
hochpolym . Werkstoff <0
©
^ 0

Verbundwerkstoff M <$ G> I

Halbleiter ©

10
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Feinauswahl:
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\

£ -T5IJG *I ( y4 ^ I
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1.5 Ausblick
Das Fachgebiet Werkstoffkunde wird in Werkstoffwissenschaft und Werkstofftechnik
gegliedert (im englischen Sprachraum: Materials Science and Engineering ). Diese beiden
BegrifTe sind wesentliche Leitlinien f ü r die Vorlesungen Werkstoffkunde I und II. Einerseits wird
angestrebt, f ür alle Werkstoffgruppen wesentliche Prinzipien und Zusammenhänge zusammen-
fassend darzustellen. Andererseits werden die Hö rerinnen und H ö rer gan2 konkret an technische
Werkstoffe und ihre Anwendungen herangefiihrt . Um dies zu leisten , gliedert sich der Stoff in
folgende Blöcke:

« Grundlagen
# Werkstoffcharakterisierung und Werkstoffkunde I
Werkstoffprü fung

Struktur- und Funktionswerkstoffe Werkstoffkunde II

I!
 —

2 Atomaufbau und atomare Bindung

ScLeJc tV
2.1 Grundbegriffe
Atome bestehen aus einem Kern und einer
Eleklronenhülle (s. Bild 2.1 ) 0
/
5 As - E tit
Kern: Aus positiv geladenen Protonen >

und neutralen Neutronen r

H ü lle: Ir» ihr befinden sich die negativ
geladener» Elektronen , die sich :o
\
^ i £
6 kjßU (r r h
*^
aufgrund von diskreten Energie - i t
zuständen im bestimmten Abstand
zum Kcm befinden ( Bohr'sches Q ' V
' /

Schal cnmodell ) \

Bild 2.1: Modell des Atomaufixms C

Kennzeichnung der Elemente:

Elemcntsymbol X : Jedes Element wird durch einen oder zwei Buchstaben gekennzeichnet
Massenzahl M; Zahl der Protonen und der Neutronen in» Atomkern
Zustand mit der ELck -
Protonen zahl Z:
-
A Ordnungszahl : Anzahl der Protonen, die im neutralen
troncnzahl übcrcinstimmt * Ordnungskriterium f ü r das Periodensystem

Eindeutige Kennzeichnung des Elements mit chemischen Elementsymbol

X nach dem Muster. ? X

^
Beispiele: S Al* Fe, Cu
d . h . Al hat 13 Protonen, 27 - 13 - 14 Neutronen im Kern und
, „ . .
13 Elektronen m der H ü lle

Anzahl von Protonen

Remelemente: Elemente , die nur aus einer Atomart , d. L genau bestimmter
und Neutronen bestehen
^
Beispiel : Al

Elemente, die bei gleicher Protonenzahl in ihrer

Neutronenanzahl variieren
Isotope:
. Definition einer mittleren Atommasse erforderlich
5
C, C und s C
Beispiel : Beim Kohlenstoff existieren die Isotope J *

Elementare Grund ein h eiten :

)
^“ C (Definition
einer Ladung von q = 1.610 " C
Masse der Elektronen mt = 0,91 MO” g mit
«
sind 6,023 10 Teilchen pro mol enthalten
ln der StofTmenge n von einem Mol
*

= NA = Avogadrosche Zahl .

12
 Wichtige mathematisch-chemische Zusammenh ä nge

Die relative Atommasse AT( X ) ist eine dimcnsionslosc Zahl und gibt die absolute Masse des Atoms eines
beliebigen Elements m,( X) im Verh ä ltnis zu
mu' an .
A (X . ,. W
a
i)

Mir Rcinclcmente wurde die relative Atommasse genau bestimmt und ist im Periodensystem tabelliert.
Fü r aus Isotopen bestehende Mischclementc wird die mittlere relative Atommasse m,(X) mit Hilfe einer
Mischungsrcgel bestimmt und ebenso tabelliert.

c / mM(X) X ) ...
^^
c m
lOOAt. -%
+ Cptn p(X)
Ä
( 2 2)

Das Molvolumen eines Element VM ist durch die Molmassc mM( X) bezogen auf die Dichte des Elements
p( X) definiert .

VM g . cm 3 cm 3 (2.3)

* P( X) mol g mol
Das Molvolumen eines Gases ist häufig als Quotient aus dem Volumen v und der Stoffmenge n
definiert:
cm 3
VM =1
n mol
( 2.4)

2.2 Aufbau der Elektronenh ülle

Einem betrachteten Elektron in der Elektroncnh ü lle

ist eine bestimmte Energie zugeordnet.

Interpretation im Bohrsehen Schalcnmodcll: ©

Energie bestimmt Radius der Kreisbahn des - <3r
Elektrons um den Kern (s. Bild 2.2) : ®
Interpretation im quantenmechanischen Modell:
Energie ist einer rä umlichen Schwingung des
Elektrons zugeordnet, die durch vier Quanten
zahlen gegeben ist. Verschiedene Darstellungen des Elek-
. . . . ... ~ c t i m trons eines Wasserstoffatoms im Grundzustand
Unmöglichkeit der gleichzeitigen Bestim-
L1
Problem :
mung von Aufenthaltsort und Geschwin-
digkeit ( Heiscnberg'sche Unschärferelation)

1 ösune - Definition einer 99 %- igen Aufenthaltswahrscheinlichkeit

-
vorstellung (s. Bild 2.2) f ür Wasserstoff kugelförmiger
-
des Elektrons Orbitalmodell -
Aufenthaltsraum berechnet

Hauptquantenzahl u ( 1, 2, 3 .... ..
7): Bestimmt Hauptschale (Hauptenergieniveau) (K L M
, ... Q)

13
 Jeder Hauptquantenzahl ist ein kugelf
örmiges Orbital zugeordnet, das als s-Orbital bezeichnet wird und
-
maximal 2 Elektronen (s Elektronen ) aufzunehmen vermag.
Beispiele: H ls1
Z
He W
Li lsa 2s1
Be ls2 2 s2

Nebenquantenzahl I ( 2 . Quanten-
zahl):
Auf der 2. Hauptschalc treten neben
dem s-Orbital noch drei rotations-
symmetrischc, senkrecht aufeinan-
derstehende, hantelf örmige p-Orbi-
talc auf. Die darin befindlichen
Elektronen werden als p-Elektronen
bezeichnet (s. Bild 2.3). Ihr Ener- Bild 2.3: p-Orbitale und ihre rä umliche Orientierung
t gieinhalt unterscheidet sich gering-
f ü gig von den 2 s Elektronen . Die Nebenquantenzahl 1 bestimmt die Orbitalform . Es gilt:
-
(2.5)
0 I S fM - I)
Bezeichnungen der Orbitalformen (Unterschalen ): , .
Begnt~c
f m sharp, principal, diffuse und fundamental, aus der Spektroskopie abgeleitete
s,
^
Maenetquantenzahl m (3. Quantenzahl):
Bild 2.3 verdeutlicht, daß die energetisch gleichwertigen p-Orbitale sich
in der räumlichen Onenuwung
Magnetquantenzahl legt di
unterscheiden (Kennzeichnung durch Richtungsindizes. p„py und p,). Die
Bahnorienticrung gegen über einem äu ßeren Magnetfeld fest. Es gilt:

0 | IH| I ^
(2 6) -

^0rbita1 unterscheiden sich in ihrem Spin Eigendrehrichtung . Es gilt

—
*
nu
^ F 1cktremen in einern
( ) :

—
—
(2.7)
s = ±

- -
2-

Spinrichtung maximal wird .

ls1 2s3 2p1

£ 2pl
Beispiel: B 2 p1
3 2s3 2p1 ft 2pl
2pJ :
ls
2s3 V 2 pi 2p
N ls1 A
Zpi 2 pf 2 P;
O ls!
;
2s3
2 s1 V
4
2 p3 ipi 2pi
F ls
2s1 V
4
4
s
2 p' 2P!
Ne ls1

14
«* »*,« .
* £ä Ä2«rssst

Bild 2.4: d - Orbitalform

Aufgrund der Aufspaltung in Nebenenergieniveaus wird das energie-

armere 4s-Orbital vor dem -
3d Orbital besetzt . Durch Überlagerung SsMi
werden die Unterschalen nach folgendem Schema (s. Bild 2.5) besetzt. D VSP
rs. x\ \
P
Beispiele: 0
ls2 2s2 2 p6 3s2 r\ \\ \ \ \ '
K 3p6 4sl
\

Ca ls2
2
2s2 2 p6 3s2
3p6 4s2
N
\ \ 55 's V
X
Sc ls 2s2 2 p6 3s2 3p6 4s2 3d * U
\ -
v
L
K
v
P d r UnfiefJÄfcaie
f

Bild 2.5: Reihenfolge zur f

Besetzung der Unterschalen
F ü r die 4 Quantenzahlen gilt das Pauli- Prinzip:
Innerhalb eines Atoms stimmen niemals zwei Elektronen in allen vier Quantenzahlen ü berein.

2.3 Periodensystem der Elemente

In Bild 2.6 ist ein Periodensystem der Elemente (PSE) abgebildet . Bisher wurden 111 Elemente
entdeckt:

Es gibt : 88 gut nachweisbare,

nur in Spuren vorkommende ( 43 Tc, 6, Pm, 85 At und 871 r) und
*
4
\9 physikalisch erzeugbare, also
111 Elemente

Das PSE besteht aus 18 Spalten -» Gruppen und 7 Reihen •* Perioden .

Innerhalb einer Gruppe verändern sich die Eigenschaften

systematisch (Gesetz der Penodizität ).
von oben nach unten zu .
Beispiel: Metallcharakter der Elemente nimmt innerhalb einer Gruppe
HauDt und Nebengruppen unterschieden, wobei
die Kurzbezeichnungen der zu -
Im PSF werden
ver ndert hat ( vgl.
L riL Snalten international
gehörigen Spalten
Bild 2.6)
i nicht einheitlich erfolgt und sich im Laufe der Zeit ä v

15
 I .TI
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Bild 2.6: Periodensystem der Elemente

\6
 Die Hauptgruppen haben eigene Namen, die z .T. ihre Eigenschaften ausdrücken. Die Ncbengruppen-
elcmente sowie die Lanthanide und die Actinide sind alle Metalle, Die Gruppenbezcichnung erfolgt
meist nach dem ersten Element.

In Bild 2,7 sind Hauptgruppen ( fett gedruckt) und Nebengruppen (normalgedruckt) sowie die Lanthanide
(beginnend mit dem Element Lanthan) und die Actinide (beginnend mit dem Element Actinium)
eingetragen.

Zur 8, Nebengruppe gehören 9 Elemente. Aufgrund der Verwandtschaft der Elemente wird diese Gruppe
in die Etsengruppe mit Fe, Co, Ni (alle ferromagnetisch) und in die Platingruppe (Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt )
unterteilt.

Die Nummer der Hauptgruppe gibt die Anzahl der Außcnelektronen an, die sich damit gleichzeitig auf
dem höchsten Energieniveau befinden. Die Zahl der Außcnelektronen beträgt maximal 8 und setzt sich
aus s2-Elektronen und p'-’-F.lektronen zusammen.

Bei den Nebengruppenelementen sind in der Regel die s? -Elektronen vollbesetzt. Bei diesen Elementen
t werden die d-Elektronen, die sich in einem niedrigeren Hauptenergieniveau als die s Elektronen -
befinden, besetzt — 4 die d-Elektronen nehmen an der Bindung mit gleichen bz.w. anderen Atomen
(Mischbindungen) teil

tiefer
Bei den Lanthaniden und den Actiniden gilt dies fiir die hinsichtlich des Hauptenergieniveaus noch
liegenden f-Elektroncn.

Die Nummer der Periode gibt die Anzahl der Elektronenschalen (Hauptquantenzahlen
) an und
*
entspricht dem Energieniveau.

,
v -- w,
*
^'

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Lanthanide
Actinide
I

a<M 2.7:MW
17
Der Atomaufbau hat Rückwirkungen auf Eigenschaften der Elemente: l
Periodische Eigenschaften der Elemente

Beispiel:
Dichte und Elastizit ä tsmodul als Funktion der Ordnungszahl

Osttlf
PI
20
-
kubisch flächenzentriert Re
Np -
A kubisch
- raumzentriert w. An
U
o hexagonal
andere Gittertypen Tä
Pa
£ Hg
o Rh
'
S) Ru
Pd 1 Th
c Tc AJTI
Ag
~© 10 Ni M
E Lu 3
o Co u Po
Q Nb Cd Tn
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-
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5 Ge e J
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A Rs
Mg s: Ba fr
S 5- Br
BC Nt Sr
Co

0
P
F Na .
Ar K

20
Rb

40 60
Cs

80 100
}
Ordnungszahl

Bild 2.8: Dichte als Funktion der Ordnungszahl

6 * 10
Os
kubisch - flächenzentriert
kubisch - raumzentriert
-
A
5 10* -
o hexagonal Re
Ru
andere Gittertypen
I
E 4 10
s
- Tc 1 Rh

Mo
3 3P
’
S 3 10*
E
£ i
:CB
V
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£
r/ j
2 10 a Pt
03

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1 * 10* v«of1 l
Zn
1
'i
PT ü d
Pm
1 Au Pu

Lu Bi /
i Cd
Ca LtjSr m B
,
Ni Thi
U Na Ga,
0 40 Cs 60
Ordnungszahl
der Ordnungszahl
Bild 2.9: Elastizitätsmodul als Funktion
 2.4 Atomare Bindungen
Grundsä tzlich wird zwischen prim ären und sekundären Bindungen unterschieden:
Prim ä re Bindung: Chemische Bindung mit Übertragung bzw. Aufteilung von Au ßenelektronen
m Entstehung einer festen Bindung zwischen benachbarten Atomen;
Beispiele: Ionische , kovalente, metallische Bindung
Sekund ä re Bindung: Schwache physikalische Bindung, beruhend auf Ladungsunterschieden ohne
Übertragung bzw. Aufteilung von Elektronen ;
Beispiele; Van der Waals'sche Bindung, Wasserstoffbrü ckenbindung

2.4.1 lonenbindung

a) Prinzip Elektronenaustausch vom Atom A ( Me -

tall ) zu Atom B (Nichtmetall) unter Ent -
stehung von geladenen positiven und ne -
gativen Ionen,
t
Beispiel : Kochsalz NaC! (s . Bild 2, 10)
* Na gibt ein Elektron ab

volle Außenschale bei dem Kation

Na 4 (Edelgaskonfiguration von Neon )
* CI nimmt ein Elektron auf
volle Außenschale bei dem Anion CI
( Edelgaskonfiguration von Argon)

Na+ cr
Bi / d 2 JO: lonenbindung zwischen Natrium und
Chlor durch Bildung von Ionen und Anziehung
ihi fth CunItjrfih J L- fitz K .tufie
,

Modell: Coulomb’sche Anziehungskr ä fte wirken

zwischen den unterschiedlich geladenen
Teilchen Es handelt sich um eine nicht
gerichtete Bindung (heteropolare Bin -
auf
dung), da jedes Na in jeder Richtung
+

jedes CI
m öglichst viele Cl bzw , auch
*

auf viele Na wirken will

4

.* Es entstehen charakteristische
Ionen- £3
gitter mit maximaler Packungsdichte >v
(s. Bild 2, 11). ^ Ka +

ci

d x
^ Bild 2 , 11: Kristallgitter von NaCl

19
b) Betrachtung der wirkenden Kraft .
,

In Abhängigkeit vom Kcmabstand a der Ionen wirkt ci

eine An2ichungskraft F„(Coulomb ' sche Kraft ), die Na*
mit abnehmendem Abstand stark anwächst (s Bild
2.12). Es gilt:

.=
Fn

^ a7
mit K = (2.8)

T
*
a

Der I ^dungszustand der Ionen Z mit +1 fü r Na* und J

-1 für CI sowie der Ladung q f ür ein Elektron sind V

bekannt, ist eine Proportionalit ätskonstante (9 10° * *

Vm/C).

Es ist keine Annäherung auf den Abstand a = 0 Q 0. 0 ,7 ä<

-
°
I I
——^
*

—
möglich Bild 2.12: Coulomb' sehe Kraft
* es wirkt eine Abstottungskraft Fab, da keine vom Abstand f ür ein Na* -CI Paar
Überlappung von negativen Kraftfeldern durch die
negativ geladenen Elektronenh ü llen m öglich ist. Es
in Abhängigkeit
'

gilt
CI
Fjb = Xe ^ (2.9) Na+

X und p sind experimentell ermittelte Konstanten.

Durch Addition von F# n und F* ergibt sich die wir -

kende Bindungskraft F.
F - Fin * Fab ( 2.10) T:
&
aD

Im Schnittpunkt der wirkenden Kraft F mit der Ab - I

standsachse a befindet sich der Gleichgewichtszu -
stand , in dem Abstoßung und Anziehung sich auf-
heben
^ Glcichgewichtsabstand a*,
Die Bindungsenergie U wird durch den differentiel -
len Ausdruck 0 tx frf

dü
F ( 2 11)
da
Md 2.13: Graphische Darstellung der
bestimmt , wirkenden Bindungskraft und des Gleichge-
vichlsabsiandes der Atomschwerpunkte
20
vjjuvr &wV yuffc oc,~ --
Cy ff* &&&

Im Gleichgewichtszustand mu ß nach Gl.

( 2.11) die Bindungsencrgic ein Minimum
r L* -
haben (s. Bild 2.14)
*•Voraussetzung dir eine Bindung über-
haupt!

Der Gleichgcwichtsabstand stellt die

Addition der Ionenradien dar.
jf

«o =W + rcr (2.12 )
/ *
/ '

if,
tE
1
u
y

Bild 2.14: Vergleich der Bindungskraft - und der

Bindungsenergiekurve

Die Ionenradien unterscheiden sich von :

den Atomradien .
Verlust eines Elektrons

.
m gleichbleibende Kernladung zieht die
verringerte Zahl von Elektronen
stärker an
» Radius schrumpf! ( und umgekehrt!)
(s. Bild 2.15).

a *
f

v
Bild 2.15: Veränderungen des Atomradius durch die
Ionisation
;
2\
c) Koordinationszahl K 7

KZ gibt an, wieviele Atome (bzw. Ionen)

-7- - cosSO “
einem Atom (bzw. Ion) unmittelbar im glei - ^?ir
chen Abstand benachbart sind. Mil Hilfe des
Radienverhältnisses von r/R kann die Koor- < (? LOS
dinationszahl bestimmt werden, da sich die /
Radien aufgrund der Abstoßungskräftc F,h
nicht ü berlappen d ü rfen. Bcrcchnungsbei- Bild
2.16 : Berechnungen des Radienverhä llnisses
spiele s. Bild 2.16 und Bild 2.17.

KZ r/R Geomemc

2 0< - < O. ISS

f
o-*-o

0.155 S - < 0 225

—
f
3
Jf
Ä '
T uS ;
4 0.225 ä - < 0.414

0.4 t 4 < 0.732

rt
I
1
.
^
8 0.732 jj < I
JT - d - 0 * W.

1 £> öder
L2

5iW 2. / 7: Koordinationszahlen für die Ionen bindung

*
*
2.4. 2 Kovalente Bindung ft.

=
a ) Prinzip

: S2
s «Ss
bar) (z.B. CS2).
Schreibweisen :
. .
jedes Elektron durch einen Punkt
.
jedes Elektronenpaar durch einen Stnch
D

wird dargestcllt
: Fs F:
* '

-
F F
ä

Fl - F
= :
-
nur das bindende Elcktronenpaar

22
Typische Vertreter sind die Kohlenwasserstoffe, bei denen neben Einfachbindungen auch Doppel und
Dreifachbindungen auOrcten kö nnen, d . h . 2 bzw. 3 Valenzelektroncn sind an der Bindung zum
-
1
Nachbarkohlenstoffatom beteiligt .
Diese Fähigkeit ist von entscheidender Bedeutung filr die Entstehung von komplexen verkn äulten
Strukturen, wie sic bei hochpolymeren Werkstoffen bzw in der Biochemie Vorkommen.
.
Beispiele:
Polymere: Feste kovalente Bindung zwi- M
ii

schen C und II bzw. C -C

durch Überlappung der Orbi - K \ v v v Vl - Ks
, '" V*
tale, aber geringe Anziehung , / \ H H f „ , /

2.18)
.
zwischen den Ketten ( s Bild
"'‘Ä U
+i '-
jv" -fMh"

-
m geringe Festigkeit und
niedrige Schmelzpunkte
*
| V J ", A;
H

ml
||
| |

* « •'>
H

- -
H C il
VVH
'1 " J4 A- jL "'v-
H" "
11
H " " H TII V
II
-
U f
\
- äi

Bild 2.18: Struktur der Polyethylenkette m

Diamant: Jedes C-Atom hat 4 Bindungen zu benachbarten

C-Atomen ; ::
X
» Ausbildung eines " Diamantgitters" c V
» hohe Härte und hoher Schmelzpunkt c c
(s. Bild 2.19)
VC c
c
b) Koordinationszahlen fcr \ e
V
Beispiel Diamant:
c- \c
7*
c
^ '\
r/R = I
-
KZ = 12 w ü rde fü r ungerichtete Bindung
erwartet , aber
KZ = 4 (s. Bild 2.19)
/\
Bild 2.19: Dreidimensionales Diamant
git{er
-
Ursache: C ist spJ hybridisiert und geht mit seinen
Valenzclektronen vier räumlich gerichtete
Bindungen ein

Beispiel Silikate SiOj :

*

rSi ** 0,039 nm KZ = 4 ( 2.13)

0,132 nm
= Q 295
To1 m

vor. Sie besitzen sowohl kovalente Bindung* -

Diese Koordinationszahl liegt tatsächlich in Silikaten
,
ante le ( wie aufgrund der Stellung von Si unter C im Periodensystem
Bindungsanteile die aus der unterschiedlichen Elektronegativit
ät von S und O resultieren. .
zu envarten) als auch ionische

23
 wpfaocjt
Bindungsabstand . Je h öher der
Anteil der
ü berlappten Orbitale ist , desto st
ärker ist
die Bmdungsenergie (s. Bild 2.20)

c) Bindungswinfcel

Charakteristisch fiir die kovalente Bin-

dung sind ferner Atomanordnungen in
Q
bestimmten Winkeln ( Bindungswin
- 3
kcln ), die optimale Orbital Überlappungen
erlauben. \
Beispiel:
Kohlenstofiftctraeder von Methan
Bindungswinkcl beträgt 109, 5 °.
Bei Mehrfachbindungen bzw. bei
stark polaren Substituenten ver-
kleinert sich der Winkel . Bild 2.20: Genereller Zusammenhang zwischen Bindungs
länge und Bindungsenergie der kovalenten Bindung in
-
Anlehnung an die Terminologie der Ionenbindung

2.4.3 Metallbindung f

a) Prinzip

Dieser 3. Bindungstyp beruht auf der Auftei -

lung von Elektronen. Die Valenzeicktronen
sind delokalisiert an den Atomrü mpfen , d. h.
verteilen sich auf eine größere Anzahl von
© © ©
Nachbaratomen ^ ungerichteter Charakter der
Bindung @ © © ®
Modell: Es existiert eine Elcktronenwolke Elektronengas
bzw. ein Elektronengas
freie Beweglichkeit der Elektronen © ® ©
i
m
m Grundlage der elektrischen und
thermischen Leitf ä higkeit (s. Bild
2.21 ) Bild 2.21: Schnitt durch einen Alumimumkristall
mit Atomrümpfen und Elektronengas

- f
b) Koordinationszahl

KSÜ=SbeiÄÄ
. Metallen
Jedoch KZ 8
Sä
krz .

24
möslicb'
-
c) Plastisches Verformungs-
yermö gen
+ >1 + + +JE
Bei Metallen bleiben beim
Gleiten der Gitterebenen die
Bindungskrä fte erhalten
m hohes Verformungs- uSZ*
mit
© G © © ©1
vermögen .
Dagegen kommen bei Ioncn - © © © © $rTs \
© @ © © 0;
gittem gleichartig geladene
Teilchen ü bereinander zu
liegen
^ Sprödbruch (s. Bild 2.22). 1
+
ft
m
V
:
fr
+ '

+
+ —
- r+
— — —
t+>
i

t±A /

+
* i
~

.
- 1+
***
— I <

I
Bild 2.22: Vergleich der Gleitmechanismen von Metall -
und
Ionenbindungen

-
Beispiel:
Metall Sublimations- Metalloxid Sublimations-
energie [kJ / mol ) energie [kJ / mol ]

Al 326
Cu 338
416 FeO 509
Fe
148 MgO 605
Mg
Ti 473 a-TiO 597
TiOi 639

2.4.4 Sekundä re Bindungen

- .
cf gering
Die Bindungsenergie ist
kovalente oder metallische Bindung
wenige kJ
fweniae
Of ri nt (
gegen
mo ) S
KJ // mol
freigesetzt wird ( 200 - 700 kJ / mo
mol ) .
» über den Bindungsenergien
,

, aber keine Übertragung von Elektronen

die durch ionische

Mechanismus: Anziehung von entgegengesetzten Ladungen Atombindung

-
wie bei der loncnbindung bzw.
physikalischer Bindungstyp
Teilung von Elektronen wie bei der

25
Es existieren 2 Hauptgruppen mit asymmetrischer
Ji dU
Ladungsverteilung :
* tempor ä re (induzierte) Dipole ( van der
Waals'sche Bindung)
-
Ar At*?
*
• permanente Dipole ( Wasscrsloflbrilckcn -
bindung)
.
< p G (Je <JUA hf <A unc ,*** H

Sek -
a) Van der Waals'sche Bindung

Beispiel Argon :
(MH - Ms -
Isoliertes Ar ^ perfekte sphärische Verteilung, dir
cJUi-
N n vft,r ptss • h
bei Annäherung eines zweiten Ar- Atoms
^ induzierte Ladungsverteilung im Kern
^
* Größe der Dipole ist klein
* geringe Bindungsenergie, ca . I kJ /mol Ar
(s . Bild 2.23) Bild 2.23: Bildung von induzierten Dipolen am
Beispiel des Argons

b) Wasserstoflbrttckenbindung
o
Beispiel Wasser:
Permanenter Dipol durch die Ladungsverschie-
bung vom Wasserstoff zum Sauerstoff vorhan- H öi
( M
t
den, da Wasserstoff aufgrund seiner kleineren
Kernladung das gemeinsame Elektron weniger
fest binden kann.
* H hat eine positive Partialladung, während O +
V
+
9*
eine doppelt negative Partialladung trä gt Dipole
* starker Dipol (s. Bild 2.24)
Bild 2.24: Permanenter Dipol des Wassers mit
Ausbildung von \\ asserstoffbrü ckenbindungen vw, Wasserstqffbrückenbuuhmgen
mit Bindungsenergie von ca . 20 kJ /mo! V
# Begründung f ür die Anomalie des W assers

- Aussage über die Eigenschaften eines Materials

Aufgrund der Bindungstypen und energien kann eine beruht , « st ein guter *
gemacht werden. Der Schmelzpunkt , der auf dem
Aufbrechen von Bindungen
Vergleichsparameter (s. untenstehende Tabelle }

Bindungstyp Schmelzpunkt ( *C)

Material
ionisch SOI
NaCl -3550 4
kovalent .

-
C ( Diamant )
(QRiK ( Polyethylen) kovalent und Wasserstoff- - 120
brückenb indung
metallisch 1083,4
Cu - 189
Ar induzierter Dipol 0
Wasserstoffbrilckenbindung
H,0

- . .

Bei Polyahyl» S » *'' fc « d“ K

“ «" kW
“ =
S hm tep»kt P- -
sondern einen Schmclzbercich.
26
2.4.5 Bindungstetraeder

Problem: Welcher Zusammenhang besteht zwischen den Bindungstypen und den Werkstoffhauptkate-
gorien?
Antwort: • Metalle sind eindeutig der Metallbindung zugeordnet ;
• Halbleiter sind kovalent gebunden;
• bei Kunststoffen finden sich neben der kovalenten Bindung auch sekund äre Bindungs-
anteile;
• Keramiken und Glas besitzen meist sowohl kovalente als auch ionische Bindungsanteile
* Darstellung im Bindungstetraeder (s. Bild 2.25)

m B IVB VB VIB VDB VIHB IB

Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu
hex hex krz krz krz hex
Y Zr Nb Mo Tc Rü Rh Pd Ag
hex hex krz krz hex hex kfz •V
La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au
- <
9** -
« •t
hex hex krz krz hex hex kfz kb

uv>
w- •KVX ö
6» ^ £ 1/5
C ü>
£n c

tU ,'1
/ Ou
^ -
. kzd o <.Ov J «
:
>
ö .E
CG *
d - Elektronenzahl

Bild 2.25: Vergleich der Bindungstypen mit Bild 2.26 : Einfluß des kovalenten Bindungsanteils
den Werkstoffen im Bindungstetraeder auf die Gitterstruktur der Übergangsmetalle

Bei den Übergangsmetallen (Elemente der Gruppen ITIB bis V 111B im PSE ) treten aufgrund nicht
aufgefiillter d - Elektronenschalen zu den metallischen noch kovalente Bindungsanteile hinzu. Diese
werden relativ groß bei den Vb- und VIB-Metallen (s. Bild 2.26).
Folgen sind
• hohe Schmelztemperaturen,
• große Elastizit ä tsmoduln,
• geringe Leitfähigkeit ,
• sprödes Verhalten.

Ferner fordert wachsender kovalenter Bindungsanteil den Übergang vom kubisch- fl ächenzentrierten
( kfz.) ü ber das hexagonal -dichtest -gepackte (hex.) zum kubisch- raumzentrierten (krz .) Gitter (s. Bild
2.26).

27
3 Kristalline Festkörperstrukturen
3.1 Grundsätzliches zum Aufbau von Festkörpern
Festkörper
kristallin teilkristallin amorph
z . B. Metalle z , R. bestimmte Thermoplaste z. B, Gläser
Geometrie regelm äß ig in teils - teils geometrisch unregelmäß ige
mikro- und makroskopischen Atomanordnungen im mikro-
Bereichen skopischen Bereichen* submi -
kroskopisch geordnet

Abschnitt 3, 4 Abschnitt 3 * 5 Abschnitt 5 i

Im schmelzfl üssigcn Zustand weisen die Atome bzw. Molek ü le einen geringen Ordnungsgrad auf . Beim
Ü bergang in den festen Zustand bleibt dieser erhalten (amorph ) oder es bilden sich kristalline bzw , teil -
kristalline Strukturen . Wesentlich f ü r die resultierende Struktur ist die Ausbildung der in Absehn . 2 be-
schriebenen zwischenatomaren bzw. zwischenmolekularen Bindungen.

Unter kristallinen Atomanordnungen versteht man

• periodisch wiederkchrende Aneinanderreihung von Atomen (oder Molek ülen) mit charakteristischer
Symmetrie
-
• und spricht von Atom , Kristall- oder Raumgitter.

Ein Kristall entsteht aus dem schmelzfl üssigen Zustand durch

Keimbildung und Keimwachstum.

xLiw4fc- V
- £i* «O** ' C? r
£
C
*, * * *

b,
11

M4
n
k -
<AX
( m i
V
A
Bild 3, 1 : Entstehung von Ein- und Vielkristallen

28
 Charakterisierung der Kristalle durch die kleinste Strukturcinheit , die Elementarzellc
I
y
—— AK
TnWV

i
i
Oc ^ bc A d 0

U> *^M r

e
f- -b\ .
<a c P
/ /
j
c o

t ~
bef

—
Vt/
ae = co
'
C4T <•
o
cx ß -y -
t Bild 3.2: Beispiele Jiir Elementarzellen

Gesamtheit aller denkbaren Atomanordnungen besteht aus

7 Kristallsystemen mit insgesamt 14 Gittertypen

-
* auch Bravais Gitter genannt -
Zunächst Betrachtung idealer Kristallstrukturen, dann Diskussion wichtiger Gitterstörungen

Merke: Reale Kristalle sind stets störungsbehaftet, nie ideal .

3.2 Kristallsysteme und Bravais-Gitter

In allen angegebenen Elementarzellen sind die Schwcrpunktlagen der Atome durch •gekennzeichnet.
MW
W-
^ ÄVJL^ W
,',1 S ,c
3,2.1 Kubisches Gitter

ao = bo = co, a = p = T = 90°
^ ^
W *** *' &*** \ -

Knf ( yiti ft*'** ?4° \ )i

i

I
71
* I

l
%) jF*
i
i I
1 l
i l
i I

* * .J/ if

2. Kubisch raumzentriert 3. Kubisch flächenzentriert

/ . Kubisch primitiv
(innenzentriert)
29
3.2. 2 Tetragonales Gitter
M u iActh-
jUJ
^b,, * Co, a = ß = Y = 90°
a

<1

t i
I

1 . Tetragonal primitiv 2. Tetragonal raumzentriert

3.2.3 Orthorhombisches Gitter

3o * b0 * c,>, a = ß = y = 90°

1. Orthorhombisch 2. Orthorhombisch 3. Orthorhombisch 4 , Orthorhombisch

m r

primitiv basiszentriert raumzentriert flächenzentriert

r
3.2.4 Monoklines Gitter *
ao * b0 * c0, a * p -Y “ 900

G.

2. Monoklin basiszentriert
J . Monoklin primitiv

10
.
 UlaUA *"
'

.
1 nwir es Gitter

a« * b0 «• c0, a »> ß*y

- 7> tyt
_ (Urteils. <y VW * ^
&,v

'

3.2.6 Hexagonales Gitter

ao = b0 * c0, a = ß = 90°, y = 120°

£}i riW -

--
» e $- U*-
4 Utf
'

V!
t

3 Elementarzellen

1
3.2 ,7 Rhomboedrisches Gitter I

a
^ bo - Co, a = ß = y * 90“
rH

Vfb
I

>
 *
, 3.2.8 Bezeichnung der 14 Bravais-Gitter nach Pearson »«4 - Iz* -*-
1

kubisch primitiv cP a-Polonium , ß-Mangan

flächenzentriert cF Kupfer, Gold, Blei Aluminium, Kohlenstoff

( Diamant ), y-Eisen

raumzentriert d -
a Eisen, Molybd än, Tantal, Vanadium ,
Wolfram
tetragonal primitiv tP -
Bor, ß-Uran , ß Ncptunium

basiszentriert i! ß -Zinn, Indium, Protactinum

orthorhombisch primitiv oP -
a Neptunium

basiszentriert oC Gallium , Phosphor (schwarz)

fl ächen zentriert oF y-Plutonium, Schwefel

raumzentriert I „ ,
SjSi, CeCuj, B4Ta Al4U, GajMg , NbsSn5
monoklin primitiv -
mP a -Selen, ß Selen , Schwefel, a Plutonium-
basiszentriert m ß-Plutonium
C

triklin primitiv aP
^ - ^
„
HgK, ReSe S Al Mn.,, Fe7Se AL,Re
hexagonal primitiv hP a -Lanthan L

rhomboedrisch primitiv rP Antimon , Arsen , Wismut, Quecksilber

-f

V
r

3.3 Gitterrichtungen und Gitterebenen

3.3.1 Bezeichnung von Gitterrichtungen

Bezeichnung
Beschreibung
-
Gitterrichtungen * mit Atomen belegte Gittergerade
* international einheitlich durch sog.
*» mit Hilfe von Gittervektoren
eines beliebigen Atoms
,
reichen
die
.
Richtungsindizes
vom Ursprung bis zum Schwerpunkt
\

Erlä uterung anhand eines orthorhombischen Gitters

r'
• T, J , k Einheitsvektoren b

• a„, b,» c0 Elementarzellenabmessungen

32
 i
ao * u

-' r
r
D :
1
B= V ' + v - b -J --
'
* “ ’

= [u - a„ T vb
'
0 + w c0 k
p - +
0 -J +wc0 ic ] - U

wobei p so, da ß u, v, w teilcrfrcmd

und ganzzahlig
GiUerrichtung durch [ uvw] eindeutig festgclegt \
Q
A
*
-
>
ü

1 Cvfcftl
Co “ r vln w l/ wr
••
/
W [ C0

> 7 V

//
-
Bild 3.3: Bezeichnungen von Gitterrichtungen

Beispiele:

--
1) u = v' = w ' = l:
2) u 2, v - i , w = 0:
3) u 1/3, v ' « 3/4, w = 1 /2:

Merke:
-- =
-=
p l
p*l
p 1/12

1 ) Negative Indizes werden durch Überstreichen gekennzeichnet, z. B. [111 .]

—
- = = ==
--
u v w l
u = 2, v l , w = 0
u 4, v =* 9, w 6
- -
- [U l
« [ 21 D

[49<5 ] *,

fv
,

2) Richtungen gleichen Typs sind kristallographisch gleichwertig und werden in ihrer *

Gesamtheit durch spitze Klammem gekennzeichnet, z. B. W ü rfelkantcn [ 100], [010], [001] *
etc. entspricht <100>.
3) Es gelten die Regeln der Vektorrechnung.
r
** 1 *
i
0 ^ v w'
: - f ^
niA X
/ z z ?* *
[001] A 221

v\ 1
y v
4 v
ü K : - V
.
010 110 , 111 J 4
/ I1 ] 1101 [111 / [ 210J
*
A Bild 3.4: Wichtige Richtungen im kubischen Gitter
AU*
1

Y* *
f a ° ao 'm
-- »x *
^-
V \ rt
c?
‘

-« o C
. , w .
-
*
 Gitterebenen

Bezeichnung

Ziel
——
3.3.2 Bezeichnung von Gitterebenen

m
durch das Gitter Icgbarc Ebenen, die mit Atomen besetzt sind ( Atomebenen , Kri
stallebencn, Netzebenen )
international einheitlich durch sogenannte Miller'sche Indizes
eindeutige Kennzeichnung einer Gittcrcbene, die die Koordinatenachsen mit x ', y und
z ' schneidet
'
-

Erlä uterung anhand eines orthorhombischcn Gitters

* Schnitt der Koordinatenachsen in x , y\ z r

i
• Bezug auf die Gitterkonstanten ~
b0 co i
• Kchrvvertbildung h' = x k' = -2 , 1' * —z 0 ,
7
•
-
Bestimmung tcilerfremder ganzer Zahlen h, k , 1 mit
hr * ph, k ' p k , 1' = p l (p = konstanter Faktor)
* *

(h, k, 1) hei ßen Millersche Indizes und beschreiben die

&

Ebenen eindeutig Bild 3.5: Bezeichnung von Gitterebenen

Beispiele (kubisches Gitter):

-- - -- - -- . --
—
--
3) x'= 1
-
2) x' 1/2 a0, y' 1 b0, z' = : -
1 ) x'= l /3 a0, y ' = l /2 b0, z' = l /4 c0:

y' = 2 b0, z' « :

p 1
p= l
h = 3, k 2, l 4

-~
h 2. k l l 0
p 1 /2 h 2 k l , l 0
parallele Ebenen besitzen gleiche Indizierung
- - - -. - -
(324)
(210)
(210) -
Ebenen parallel zu einer der Achsen besitzen an deren Stelle einen Achsenabschnitt «\ folglich den
Index 0

Merke:
1) Negative Achsenabschnitte fü hren zu negativen Indizes, die durch Überstreichen der jeweiligen
Zahlen angegeben werden, also (12 0,)

4) im kubischen Gitter stimmen die Indizes von

—
2) Gesamtheit aller kristallographisch gleichwertigen Ebenen werden in geschweifte Klammem
zusanunengefaß t z. B. { 100} alle Ebenen vom Iyp ( 100) (W ü rfelflächen),
3) enthä lt die Ebene eine oder mehrere Koordinatenachsen , so wird eine zu ihr parallele Ebene indiziert
Gitterebcncnnormalenvcktor und Gittcrebcne ü berein.
,

£ 2

( 001 ) ( 111 ) A ( 210 )

/
I

V V
v y
(110 )
( 010 )
r7 ( 111 ) (123)
( 100 ) (110 ) M x

Bild 3.6: Wichtige Ebenen im kubischen Gitter

34
k

h* '

\\ ichtige
voVd \ IA

Richtungen und Ebenen im hexagonalen Gitter

kommt die Symmetrie d «T Q crs besag. yitf r* u „nf . SüSSuS

7
^
Bei der Richtungsindizicrung sind die Indizes die
tcilcrfremden Vektorkomponenten lä ngs der Achsen
at , a2, aj un c. Mit vier Komponenten sind die Richtungen ü bcrbcstimmt. Deshalb gilt f ür
Richtungsindizes der koplanarcn Komponenten

u* (2u -- vu) 33
)/ ,
v*
t*
w* = --
= ( 2v
(u +
W
/ ,
vy3,

Bei der Ebenenindizierung sind die Indizes die teilcrffcmdcn Reziprokwerte der Ebenenschnittpunkte
mit den Achsen a „
a und c. Die vier Indizes sind voneinander abhängig, da bereits die
*
Schnittpunkte mit drei nicht koplanarcn Achsen zur eindeutigen Charakterisierung einer Ebene
t ausreichen. Deshalb mu ß die Nebenbedingung

h* + k * - - i*
erf ü llt sein .

c (11223
IIOTOl doli)
(0001) 1 mooi JL toiTaa r
/

(1120).

3
?3 == & n3
5 = m
«I az

c [lOlll [1101]
[lOTOl (nJOl [Ü231 12113)

ft\ Itfft
ÖOQfl

N
S

dl 20 j *
a3
a2
Q
3
ui .
Q

[2110]
o
*
Bild 3.7 : Wichtige Ebenen und Richtungen im hexagonalen Gitter

35
I
3.3.4 Zusammenhang zwischen Netzebenenabstä nden , Gitterkonstanten und
Miller’schen Indizes
Netzebenenabstand = Abstand zweier benachbarter, paralleler Gitterebenen .

_y \ 2

— ' h k 'l
2 f

a) Orthorhombisches Gitter 1 = + +
D2
\ a0 )
b , co,
b) Tetragonales Gitter
1 fh ' 2 + ' k' 2
+
iV
D2 a0 A , \
c0. )

2
1 h2 + k 22 +
c) Kubisches Gitter
D2 a 02

d Hexagonales Gitter
4 h2 + k2 + i2
/
_l \ 2

^ D2 3 a D2
*
k coj

3.3.5 Netzebenenabstand und Belegungsdichte

Die Gittcrebcnen mit der niedrigsten Indizierung besitzen den größten Gitterabstand und die größte
atomare Belegungsdichte!
-
Beispiele f ü r das kubisch primitive Gitter:
Spuren verschiedener Gitterebenen in der (OOl )-Ebene

Ir * .

*i F,
f
\

/ 1
' /
- s ' y '

.
r 7
t
D- *0 jy

/t
d
T- —
AX >\
O O'
Z-
y
•* /i

V* ^
* (fr —«
© O o
o- -* ©

*- * X
-
Bild 3.8: Spuren verschiedener Gitterebenen in der (001 ) Ebene des kubisch-primitiven Gitters
 3.4 Metallische Strukturen
3.4.1 Die h ä ufigsten Giltcrtypen

Ca. 75 % aller Elemente sind Metalle ,

Tabdle
* ^ ^
slall * siCfen im kfz, krz oder hex Gitter. Einige
Beispiele zeigt die nachstehende

kfz krz hex

-
y Fe ( > 9 ll C )
Ö
a- Fe (< 911 °C) Mg
Al Cr Ti
Cu Mo Co
Ni W Zn
Ag Nb Cd
Au Ta Zr
t Im folgenden wird als Beispiel das kfz Gitter ausf ü hrlich behandelt .

3,4.2 Merkmale des kfz Gitters

a ) Elemcntar / clle

Kleinste Struktureinheit des Gitters

Schwerpunklmodek Reatmoöell —
Beispiele:
*
Z
z- z
*
Cu : -
afl = 3,608 IQ* cm
AI: a , - 4,041 l ü 0 cm
*
'

% a*^ = 3,562 ' 10* cm

Ni:
;
Bild 3, 9: Real - und Schwerpunktmodell der
kfz Elementarzelle

y
V J

Ti

37
p
h _-
r b) Koordinationszahl

• Zahl der n ä chsten , gleichweit entfernten

Nachbaratome
• drei {100}-Ebenen mit je vier Atomen
l
0
*
< l *>

im Abstand & »o % 3
2 1
0
• somit KZkft * 12 0 A
AI Q u
r.
*

Bild 3.10: Koordinationszahl im kfz Gitter

c)_2ahl der Atome ie Elementarzelle

• 8 Eckatome gehö ren jeweils zu 8 Elementar/ellen,

# d. h. ein Eckatom nur zu 1 /8 zur betrachteten Ele-
mentarzclle
\ 4
6 Flächenmittenatome geh ören zu 2 Elemcntarzel
-
len, d . h. ein Fl ächenmittenatom nur zu 1 /2 zur be-
;
trachteten Elementarzelle
'A
somit nkCe = 8/8 + 6/ 2 = 4 * v

d ) Raumerfiillung
Bild 3.11: kfz Elementarzelle
• Von als starre Kugeln gedachten Atomen einge- tfe - ff
nommenes Volumen im Verhältnis zum Elementar-
zellenvolumcn s

n fcr2 V
RE = 100 %
V E2
i
/
mit

n =4

* RE = i 74 % Bild 3.12: Zusammenhang zwischen { 100} -

Ebene. Atomradius und Gitterkonstante
dichteste Anordnung starrer gleichgroßer Kugeln
m dichteste Kugelpackung

38
 e) Gitterl ü cken

. kfz Gitter läßt sich aus regulären

Tetraedern aufbauen. In deren
sich jeweils eine Gitterl ücke, die
bzw. Tetraederl ücke bezeichn

Oktaederl ü cke
wird
Oktaeden,

als
7
;
Oktarf - „
*
CI
--
G

=:
. im W ürfelzentrum und auf den W ü
rfelkantenmitten
o
gelegen o
• letztere gehören zu vier Elementarzcllen

n “ . , . il .4
4 n
«4 tj . 9 Gitteratomplä tze
° Oktaederplä tze
* Platzangebot EQ = £ 2"
2r0k + T

(Aus Betrachtung einer W ü rfelkante im { 110} Ebenen

-
*i
^- Bild 3.13: Oktaederlücke im kfz Gitter

schnitt der Elementarzelle im Realmodell, vgl Bild

3.15)
ft \
Tetraederl ü cke
V
/
• aut Raumdiagonalen mittig zwischen Eckatom und r
innenzentrierter Oktaederl ücke gelegen

?,
• nmwu £ H . . rÜ 9 Gitteratomplä tze
A Tetraederplä tze
(aus Betrachtung einer Raumdiagonalcn im {110 } - Ebe-
nenschnitt der Elementarzelle im Realmodell, vgl . Bild ß yj 3 Tetraederlücke im kfz Gitter
3.15) id

* \
£.
*
3r

0 n. ,
._
,
-
/

^
7
L-

v\
\
, H ^Vh -
1 <0 t 1 rr

pp IP - A ^ ^
*
rö O „ '

/ -r
.4
Q

rfi.- a» * ** " . • “JkAwi

f * "” -
" “ ‘•''f» IjffrX- twU
*** Ci e

'
0
/
" V

fl

fc/WW OtL /(Wo «n dbft * '

0 cV<*
-
(

Oo TT % , 2i
,
'
+
4 S ^ ^
3 - r fc* 1

^^ ‘S IN 41
—
-
v ö<v = U 4
>
- :^
0 Stapel folge

Am
nen, z, B. der dichtest gepackten Ebenen i
% /

Beispiel: - Ebenen, sog. Oktaederebenen des

{ 111 }
r
kfz Gitters 8
f

* Stapelfolge der {111}-Ebenen ist ABCABCABC H

( Dreischichtfolge )

• d. h. in jeder vierten Ebene liegen die Atome exakt

- a
ü bereinander 7
/

Bild 3.16: Stapelfolge der { 111 }- Ebenen

im kfz Gitter
g) Dichtest gepackte Ebenen und Richtungen

* -
{111 } Ebenen besitzen die größte Belegungsdichte
mit Atomen, sind also dichtest gepackt. Sie werden
wegen der geringen atomaren Rauhigkeit bei pla-
f
4, 4 « 4

^
stischer Verformung zur Gleitebene
rYf
* <110>-Richtungen besitzen größte Belcgungsdichte J

mit Atomen , sind also ebenfalls dichtest gepackt .

Bei plastischer Verformung werden sie zu Gleit -
richtimgeii Zu 3.17
Al

-
Bild 3.17: {Ul } Ebenen und <110> - Rich -
tungen im kfz Gitter

h ) Gleitsvsteme N
v.
•
——
Kombination von
Gleitebenc und py%
Gleitrichung
wird Gleitsystem genannt.
Das kfz Gitter besitzt also
4
i :
G l e i t s y s t e m e vom T y p
{ 111 } <110> v
• Anzahl der Gleitsystemc:
4 Gleitebenen mit 3 Gleit-
richtungen
t

12 Gleitsystcme 'J .

Bild 3 18: Gleitsysteme im kfz Gitter

40
 3
i) ywillingssvstcmc

1,
?""“ gf:", °r ZGf
:ZwilllORScbenen >, ' ,"' *»* . * * .
^
( ia
. . l
CT » « » » zrihnMui«i
* inandcr spiegelsymmctrischc Kriflalhcile enlstchcn , die durch die
^

s ( ZGE) ate >mmct

ZGE: {111}, ZGR: <112>. ZE: {110} ( c U.
i> T y p A 4,4 ,A j
• Kombination von
--* ZGR
* ZGE
OO*
wird Zwillingssystem Im kfz Gitter treten
genannt. r
also Zwillingssystemc vom Typ {111 }< 112> auf 2?

* Anzahl der Zwillingssysteme: t

4 ZGE und 3 ZGR / J r
4 * 12 Zwillingssystemc

Bild 3.19: Zwillingssysteme im kfz Gitter

I
j) Trennbruchsvsteme

Betehen aus Gitterebenen, die unter der Wirkung von

A
Normalkrä ften am leichtesten aufrei ßen.

• Trennbruchebenen (Spaltebenen) sind {111 J - Hbe-

nen
^ A^ jC
^meBSSsam A
4 • Trennbruchrichtungen sind senkrecht dazu stehende
\J
r
<111>- Richtungen \
• Somit Trennbruchsysteme vom Typ {111}<111> J

• Aber: Wird sehr selten bei kfz Metallen beobachtet

.
Bild 3.20: Trennbruchsysteme im kfz Gitter
Zu 3.19

41
 3.4.3 Vergleich der wichtigsten Gittertypen
I
^.
a) Gineratom- und Gitteriuckpnpi «

r
T* ITö e c&U^ Krtr '
f

siUf Ac3 s\z.' f *< |

< « cCur -
f
Vjow ?
X *-
/|H> W*StUufr -
/ JicU*
y-
O o i
^^ -
. I
-^^Ä
Wt -J
' A /\ c> L o C j

^
4^ v

Dib*i
^ jic, ci
f >
1

CI

t
• V „ - Bild 3.21 : Krz Gitter mit Gitteratompl ä tzen
Oktaederplätzen ( 0 ) und Tetraederplätzen (&)
( % ),

pro <F ^
c-
J!;
=M * v" 4 ü

1-*AM-
-
•
\
. ?\1

o >

Bild 3.22: Kfz Gitter mit Gitteratomplätzen ( % ), Oktaederplätzen

( o ) und Tetraederplätzen ( A)
%

•D

.
r
i

Z
.
O

,
Bild 3.23: Hex Gitter m t Gitteratomplä •
tzen ( ), Oktaederplätzen (O ) und Tetra
ederplätzen ( A)

42
b) Stapel folgen

z [112
i
F
A
A f
- /
C
E /
/
/ A
C B J.
v
0
WA . 7 **
r
* t ,
17i /
W/ B L
/ L V.
/ :
/ V
\
A 3
y
1 3
::
C /
x
Bild 3 , 24: {112 / -Ebenen im krz Gitter mit Bild 3.25 : { l l Ij -Ebenen im kfz Gitter mit
ABCDEF-Folge ABC-Folge

f£L

3S ©
A

R B

A y

£ tAJ 5©
«r
7' x
- Folge
Bild 3 26: { 0001 } -Ebenen im hex Gitter mit AB

43
c) Zwillingssvstcmg

a ) kfz Gitter *
m
-
Zwtllingsbldung bei kfz Metallen

iomj
I
•
\
\
•• \\ » \\ I V »
JT \ \
* i

-
»»
jm \ i

0(11 £5
/
+

i
roi &]
ii
-
noci ] \D13J
m \

Bild 3.27: Zur Zwillingsbildung im kfz Gitter

ß) krz Gitter
^ - - [ 1 >2]
r

-
Zwillingsbildung bei krz Metallen

A m
/

*
j i
/

( IQI
U»

rmc
x:
im

real
»

Bild 3.28: Zur Zwillingsbildung im krz Gitter

„
f

'
^
£ 42 ^ f
44
 ^ kt > imH h „Y
Hl
f

_
GiKtrtyp
Vertreter
kr?„

V , Cr, a -Fe .
kfz , lies*

-
charak*

teristische Größen*
Koordmationszahl
.
Nb Mo. Ta W

8
.
AI , y Fc, Ni , Cu ,
Pd , Ag, Au , Pb
-
Mg, Co
( c/a 1.63)

12
12
Atome pro Elemcntarzcllc 2 4 2

Atomradius r
5* V1 ja
2
Raumcrfilllung 68 % 74 % 74 %
Oktaederl ückcn pro Ele -
mcntarzelle 6 4 2

Oktaeder l ückcn radius rc O. lSSr 0.414T 0.4 l 4r

t Tetraederl ücken pro Ele - 12
mentarzelle 8 4

Tetraederl ückenradius rT Ö. 29 tr Ö.225 r 0.225r

Stapelfolge { 112}: ...ABCDEFA... { 111 }: ...ABCA {0001 }: ... ABABA..
Gleitsystemc { 111} <110> {0001} <1120>
I
{ 110} <111>
{ 112} < U 1> {10T0} <1120>
{123} < U 1> { lOll } <1120

Zwilhngssysteme
{ 10T2} < ioTT>
{ 112} <111> { 111 } <112>
{1121 } <1120

Trennbruchsysteme { 100} <10Q > { 111 } <111> { 0001 } <0001>

>
* Nicht dichtest gepackte Vertreter hexagonaler Werkstoffe: *
%
Element c/ a Gleitsysteme Zwillingssystcme
K
Cd 1.B86
{ 0001 } < 1120
Zn 1.856 ' ( 1012} <10 ll >
{ lolo } <1120
Be 1.568 { 1122 } < U 23> l II

Zr 1.589 { 10T2 } < ioTi>

( 1121 ) <1126>
Ts 1.587 { 0001 } <1120>
( 1122 ) <1125>
{ lolo} <1120>
{ loTl } < 1120>

Tab. 3.1; Charakter ,slisc ,e Gitterkenngrößen metallischer

Werkstoffe
45
 7.
-
\ &. L
i W -
l
\V4L
/ icVlW
lt^ ^ ^
h
f
#
<^- i M >
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* M
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^ -
| 2 t
^
1 ,

!
tMr ^Ub V?
^ W
 3.4.4 Allotrope Elementmodifikationen
* . " Ciy? Weisen je nac Temperatur ( und Druck) verschiedene Raumgitter auf! Man spricht
Cr a 0 ^
Eigenschaften ^ ^ *roPC Elcmeutmodifikatloneii" mit im allgemeinen unterschiedlichen
^ ° Ö

Metall Phasenbe- Temperaturbere ich Gittertyp

zeichnung [°C] bei 1 bar
Eisen a V A < 911 krz
Y 911 ... 1392 kfz
ö 1392 ... 1536 krz
Kobalt CL < 450 hex
0 450 ... 1495 kfz
Titan a < 882 hex
P 882 ... 1668 krz 1
Tab. 3.2: Beispiele allotroper Elementmodifikationen

Die angegebenen Temperaturbereiche gelten nur ftir die reinen Elemente. Legierungszusätze können
bestimmte Modifikationen stabilisieren oder verschwinden lassen .

Technisch wichtigstes Beispiel: Austenitischc Stähle (Fe + 8 Ma.-% Ni + -

18 Ma. % Cr) liegen bei
Raumtemperatur in kfz Struktur (y) vor.

3.4.5 Cberstrukturen geordneter Mischkristalle

• Die ü berwiegende Mehrzahl der technisch eingesetzten Metalle sind keine Reinststoffe sondern
Legierungen aus dem Basismetall ( A) und gewollt oder ungewollt zulegierten Fremdatomen

* • Man unterscheidet unterschiedliche Arten von Mischkristallen (vgl . Kap. 5.2):

-> Substitutionsmischkristalle: Fremdatome werden durch Austausch von Basisatomen in das

~ interstitionsmischkristalle:
Gitter aufgenommen ( Austausch).
Bedingung: Atomradius von B darf sich nicht zu stark von dem
der A-Atome unterscheiden.
-
Fremdatome werden in Gitterl ücken des aus Basisatomen
gebauten Gitters eingelagert (Einlagerung) .
Bedingung: Atomradius von B mu ß klein gegen ü ber dem
auf

von
A sein .
und Atomz der beledigten

^ ^
sich je nach Awr
* Bei den Substilutionsrnischknslallen ergeben Brld 3.29 hervorgehl.
Elemente unterschiedliche Nachbarschaflsverhalimsse wie aus
,

46
 > v

000 000 o*o*o*o o*o***o

• *** So**oo*o
0 00*0
000 000 •0*0*0*
o* oo***o
o*o*o oooo o •
•** * * 0*8o00
o o *o
0 0000
28S28
*0
-

•0 0 0
o**
o *
o *
o
* *
ooo
o
•* * * •
000 00
00 000 *o*o*
*
#0**oO •0**
0**
0
o*o*o** ooooo
o 0000'
• ** •
00 0 0
oooooo*
f0
D**
00 0
0***
,
•0*0*0* OOOOl
o*o*o*o oooo
•* *
0 0 00
0*

statistisch regellos
i Q J00*0
* *
nahgeordnet
•0*0 0*
* ooo
ferngeordnet
*
entmischt

Bild 3.29: Nachbarsehaftsverhültnisse in Substitutionsmischkristallen

Maßgeblich hierf ü r sind die Wechselwirkungsenergien U , UBB und UAB.

^
Femgeordnete Mischkristalle treten h ä ufig bei Verh ältnissen der Atomanzahlen von 1:1, 1:3 bzw.
-
3:1 auf. Man spricht von AB- und AB3 bzw. A 2 B- Überstrukturen

geordnet geordnet
4
>
£
r
y
y
t >

y* y
^ ^ >
*
1

/
O
s
*

(
\
\
< 7

i
3
OAU 2
Ay *5
/M
.

/l £> 0Zn •
Cu
B/W 3.30: Beispiele f ür Überstrukturen W p t i U .
1c
CU
^ ^I
/ c / pu ~ < s
»

3.4.6 Intermetallische Verbindungen

a) Der grundsä tzliche Aspekt

* Intermetallische Verbindungen, auch intermetallische Phasen genannt, treten zwischen metallischen

KJ
Basiselementen und metallischen, halbmetallischen sowie nichtmetallischen Atomen auf. Sie haben
metallischen Charakter und kö nnen sowohl stöchiometrische (z. B. MgZn 2) als auch nicht stöchio-
metrische (z. B. NaZnn) Zusammensetzungen besitzen.

Es gibt mehrere 1000 intermetallische Verbindungen mit den verschiedensten Gitterstrukturen, die
*
sowohl relativ einfache kubische Gitter mit wenigen Atomen/Elcmcntarzellc ( z. B. 18 bei Al As) als
auch extrem komplizierte Gitter mit z. B. -
47
 52 bzw. U2 bzw. 184 Atomcn/ Elementarzelle
bei Cu5Zn? bzw. CuZn13 bzw. Mg3Cr?Alia

umfassen. Gegenwä rtig sind 106 verschiedene bin äre Strukturtypen bekannt, f ü r die jeweils mehr als
5 Beispiele vorliegcn.

b) Charakteristische Beispiele:
i
<x) Hume-Rothery Phasen £ kUro^
Es bilden sich Verbindungen A*By, wenn bestimmte Valcnzelektroncnkonzentrationen
+ ynB
VEK xnA
x + y
vorliegen. Dabei ist nA bzw. nB die Zahl der Valenzelektronen der x bzw. y Atome vom Element A
bzw . B, die sich zu AxBy zusammenschlie ßen .

Hume- Rothery Phasen treten auf bei folgenden Valenzeiektronenkortzcntrationcn:

Beispiele

21/ 14
VEK

= 1 » 50
Phasentyp
a
Gitterstruktur
meist krz .
CuZn, Cu 5Sn, Ag Al, Cu3AI , Cu 5Si

21 / 13
21/12
-
=
1,62
1,75
7
c
meist kubisch
meist hex
CujZnä, CiicAU FesZnlt
CuZn3, Cd3Au , Ag3Sn
1

ß) Intermetallische Aluminide
+)
Fc, Ni , Co besitzen hier "Valenz Null

; in Maschinenbauteilen auf Ni
"

-
-, Fe
I *1
Entwicklung neuer Werkstoffe Tür den Hochtemperatureinsatz vi
oder Ti Basis. -
*•
Zeichnen sich aus durch
- geringes Gewicht
- » gute mechanische Eigenschaften
- + gute Oxidationsbest ändigkeit
*
Beispiele:

Ni 3 Al (kfz.)
. i
Ü
NiAl , FeAl (krz.)

-
y TiAl (tfz . )

Ah
 TH
Ir

3.5 Keramische Strukturen

3.5. 1 Einlagerungsverbindungcn
Bei binä ren Lcgicrungssystemen eines Metalls A mit sehr kleinen Fremdatomen B treten neben den
in Kap. 3.4.5 angesprochenen Intcrstitionsmischkristallenbei st öchiometrischen Fremdatomkonzen -
trationen Einlagerungsverbindungen auf, wenn
0,43 rB / rA 0,59
erf ü llt ist.

* Einfache Gitterstrukturen werden fiir Zusammensetzungen A 2 B, AB und AB 2 beobachtet .

Wichtige Gruppen von Einlagerungsverbindungen mit keramischem Charakter sind

Hartphase* • j - 4
Sc t j K^ M
, |

\
Nitride

Boride
z. B. W,3N., TiNl
((z TiN)
.NI B
(z. B. COjC VjC) und
(z. B. Fe2 B, )
S, C , T C . '

> 2

n:0
^

;
* \

W" 1

-
r

D
-
-

6 ^k

Ocl Na O3 Zn
r, N ! \/ (V T» c i VC t \ <*t \ KibC ,
Bild 3 . h
^
Beispielefirr Strukturen von Einlagerungsverbindungen. Links: NaCl Typ
,t , Wv*'1 - Wt HoC Hertas
'
.
rechts: ZnS - Typ - .
—
3.5.2 lonenverbindungen
. .
treten zwischen positiv geladenen Me allionen ( Kationen ) und
(Anionen ) auf.
/
negativ geladenen Nichtmetallionen

M
• Wichtige Gruppen sind Halogenide,
Oxide,
Sulfide.

. Einfache Strukturen der Form AB und AB, können als

gesprochen werden.
"Einlagerungsionenverbindungen" an-
 . Beachte: Ionen
J me Elcmentarzelle
ergibt
mu stets elektrisch
ß neutral sein , d , h . die Anzahl der einzelnen
sich aus den Ladung Verh ltnissen ä

9,^ 4 4
h "1 - M

\J

K- -Sö ^UJ
X
X
: X
Ax s
^
X

t -^ , ^ , H30 .CoO
iI f t < 0 , hio
tJa f ^
hQz TV, CX , UOj
fcfcjcU
(
cC £
Bild 3.32: Beispielefiir Strukturen von Ionenverbindungen. Links: Kubische Oxide vom Typ AOt rechts ;
Kubische Oxide vom Typ AÖ2

3.6 Polymere Strukturen

Problem : Hochpolymere Werkstoffe ("Kunststoffe" ) bestehen aus langen kettenartigen Mo-
lek ü!Strukturen , die sich nicht wie individuelle Atome bzw. Ionen in Metallen und
Keramiken auf einfache Weise zu Gittern anordnen lassen .

Folge: Die meisten kommerziellen Polymere sind zum großen Teil amorph

Aber: Es sind kristalline Strukturen mit

komplexen Gittcrstnikturen möglich ,
% die auf die bekannten Bravais'schen iV
Kristallsysteme zurückgefü hrt werden r

Voraussetzung:
k önnen ( vgl. Kap. 3.2 ).

In Kettenrichtung mu ß eine regelm äs-

a s
f

r m
sige Anordnung (Konstitution, Konfi -
guration und Konformation) vorliegen
(s. Kap. 5.3)

3,6.1 Kristalline Bereiche in Polyethylen

Polyethylen (PE): Ketten mit dem Monomer

-(CiHJ,,- .
,i . ,
Anordnung! Erfolgt in einer orthorhombischen Zelle Bild 3.33 : Kristallisation einzelner
auf kri-
* bekanntes Kristallsystem, kann Polyethylenkristalle
 'F

stalline Polymere ü bertragen

werden (s. Bild 3.33 und Bild 3.34a und b)
Struktur ist auf Mikrobereich beschränkt, da sich
d ü nne Pl ä ttchen von 10 nm Dicke bil-
den. Die Kettenl änge beträgt mehrere
hundert Nanometer
m gefaltete, wellenartige
Anordnung der Ketten (s. Bild 3.35)

H W:
C

e
?!
e

6
s *
V
Bild 3.34a: Seitenansicht eines orthorhombischen Bild 3.34 b: Draufsicht eines orthorhombischen
Raumgitters des Polyethlyens Raumgitters des Polyethylens -
Kristalline Polymerbereiche wie z. B.
Faltkristalle k ö nnen sich zu
Sphärolithcn anordnen , die aber auch
stärker gestörte Bereiche wie z.B . ver-
kn äulte Molek ü lketten enthalten (vgl. 1
^
% Bild 3.35 ) i

rA\AryJ A n A D \ ry
1 [*
Durch Drehung der Molek ü lketten um s r\ f r\^rs m r
o.
I
U
sich selbst entsteht eine Helix (Schrau - A A A
HD “ «w«
benform) (s. Bild 3.36).

Die Bildung von Sph ärolithcn läßt sich

beim Abk ü hlen von ruhenden Poly -
P V (
.
..
J
r

S
e
fodoes nocrsMn r.c «
VTCltf t t/ gpljnÄi*

merschmclzen durch geeignete ' ild 3.35 : Morphologie der Kunststoffe a ) Gestrecktes,
,

; c) aus
-
Temperatur-Zeit Verl ä ufe f ö rdern . erkn ä ultes Molek ü l ; b) Faltkristall mit Defekten *
-
Mit wachsendem Kristal linit ä tsgrad sin Xnh /irnlith <
nimmt die Steifigkeit und die Festig - V
keit von polymeren Werkstoffen zu.
Be -
Die plastische Verformbarkeit nimmt dagegen meist ab, weil sich die Verformung in den amorphen
.
reichen konzentriert .

51
*
 td 1
f
SKiS t

f
'
I
E r
2
* »

I /
f

t ll' ‘i .
C
O N
C
Nil

0 NU
..
mmw
i
c
Bild 3.36: Schematische Darstellung \
eines PE - Sphärolithen mit helix - CH
öf rmiger Orientierung r u2
i

CU1 NU
CH 2
\l i
o
*

CH
C H:

NH
i — O NH
i
i

’b
o C
CH ,
I
J

f
i

CH 2

Bild 3.37: Trikline Elementarzelle des Polyamids PA 6.6

3.6.2 Kristalline Bereiche in Polyamid

Polyamid ( PA ) 6 Ketten aus: H O

(s. Bild 3.37 ).

Die Kettenanordnung erfolgt in einer triklinen "Elementarzelle
"

52
 3.7 I Ialbleiterstrukturen
3.7. 1 Glementhalblciter
Die Elementhalbleiter Si, Ge und graues Sn besitzen die Diamantstruktur (vgl . Bild 3.38). Sic läßt sich
als kfz Gitter auffassen, das pro Gitterpunkt zwei Atome enth ä lt und somit 8 Atome pro Elementarzellc
umfa ßt. Diese Gitterstruktur l äßt vier rä umlich gerichtete, kovalente Bindungen ( Bindungstetraeder ) mit
der Koordinationszahl KZ = 4 zu (vgl. Abschn. 2.4. 2 b).

•V

/
-

O p
& '
0
1 f
Ws *UAu
-
D.
AN
J
*
'
ö
Bild 3.38: Diamantstruktur der Elementhalbleiter. Links: Schwerpunktdarstellung. Rechts: Starrkugel-
Modell

3.7 .2 Verbindungshalbleiter
fünften
Es bilden sich Verbindungen MX ( M = Metall ) aus bestimmten Elementen der dritten und
und der sechsten Hauptgruppe des PSE
Hauptgruppe des PSE (111/V-Verbindungen ) oder der zweiten
-
(D/Vl Vcrbindungen ), die interessante
Beispiele:
Halbleitereigenschaften
IIW -Verbindungen: GaAs, AlP lnSb
besitzen
.
.

II/VI-Verbindungcn : ZnSe, CdS, HgTe

Gittertyp (vgl. Bild
#
-
Viele dieser einfachen MX Verbindungen kristallisieren im Zinkblende ( ZnS )-
hnelt stark dem Diamantgitter,
3.39), beispielsweise die oben genannten Verbindungen . Diese Struktur ä
besitzt aber pro Gitterpunkt ein Kation und ein Anion ( vgl . Bild 3.39 mit Bild 3.38 ).

O Zn2* #S- 2

o O
- % s
O
A
^ f

o
s.

Bild 3.39: Zinkblendestruktur der Verbindungshalbleiter.

Links: Schwerpunktdarstellung . Rechts: Starrkugel Modell -
53
4 Störungen in kristallinen Festk örperstrukturen
4.1 Systematik der Gitterstörungen
Erfahrung: Es gibt nur wenige Arten von Gitterst örungen

Im folgenden wird eine Systematisierung der Gitterst örungen nach der Anzahl ihrer Abmessungen,
die Atomabst ändc ü berschreiten , vorgenommen.

Beispiel: Austauschatom B im Kristallgitter aus A - Atomen

A A
hier (als Beispiel)
A A A
A A A

Störung hat atomare Abmessung

Also . örmige Gitterstörung (O-dimensionale Gitterst örung)

punktf

Analog: örmige
linienf -
(1 dimensionale)
) Gitterst ö rung
Gitterst örung
flächenförmige (2-dimensionale
rä umliche -
( 3 dimensionale) Gitterstö rung

a) Punktf -
örmige (O dimen-
sionale Gitterstö rungen
)

O Zwisclien -
gitteralom

Leerstelle Leerstelle
Zwischengitteratom
Substitutionsatom
IntBrsiitiOFts -
(Austauschatom )
alom lnterstitionsatom
(Einlagerungsatom)
Substitut lonft-
atom

Bild 4.1: Punktförmige (O-dimensionale) Gitterst örungen

54
 H
M Linien tormige nitirrd «
^^
kufcitch
primijives
öiH*r
* 1001}

r
-
* a [001J

!D10]
100]

Bild 4.2: Versetzung Bild 4.3: Crowdion

örmige Gittcrstflmnfrpn
c) Fl ächenf

« Klcinwinkclkomgrenzc
Zwillingsgrenzc Phasengrenze (kohä rent, inkohärent)
Großwinkelkomgrenze Zone

KtelnwinkeOtocnflfenze
i
'
Zwilling « q
I
.\
*
(QroOwinkeH
Kom r*fu*
* Zone

«>
UHNI
-
PhWf H
-
FTis in -
rtrr*

Bild 4.4: Flächenförmige (2-dimensionale) Bild 4.5: Flächenförmige ( 2-dimensionale ) Gitter-

Gitterstörungen störung

A
SS B

A
El
r

Bild 4.6 : Stapelfehler (kfz . Metall ) Bild 4.7: Antiphasengrenze (geordnete Legie -
rung )

K 55
 r
d) Rä umliche GiUcrstftninw»n

Mikrorffl AuiSCheidufg:
tn. w.
Oisp» rsion r ^
— -
W b Ö* < i Vt» r- { £/

Z?fM 4.S: A/ T e i l c h e n (Ausscheidungen bzw. Dispersionen)

t
: ~

r
£
rv
»•
-v
4 4 :v

-- ^*
i VS&i
1

-
;vr : u
* *
> * V *
* & - » -*. <

e £
V
*
V $
r v. <
* £ « " X' .

—
1
*V* * . *V -. *
'

Q ', 2 uffl ' ii

* . *

Bild 4 JO: AtfirDispersionen in Cu

-
Bild 4 , 9: kohärente Ni Ai Ausscheidungen in einer
^
NiCrA( Legierung L

t
t

- %m
fc -l
.
m
J
-
•
u ,f
*
ft E r >: - wh

SK
>
*
f
•
'f

i
KA ‘
-

> *
>
m P
* r:: 71r
Bild 4.11: Poren in einem
*
ö.iym.

nemronenbestroklten
ttttSrC
m

Bild 4.17 : HeUumblusen in Cu

> uv

austenirischen Stahl
tif

IS
Ty
' \ ^
6
U
^ ^
X
[ o.
'
l ^ * 56
“
uc* - faU -
 : i

v
4 2 Punktförmige Gitterstörungen
4.2. 1 Leerstellen

-
m
unbesetzte reguläre Gitterplfitze

^ * ^Cm
^cralur un^ Dmck mit bestimmter Konzentration aus thermody-
006
Hämischen Gründen

^chernr Trn rn .„
a) Lecrsteljenkonzcntratifin hri , ,
Lecrstcl 1enbi ldung (schematisch ):

Übergang zu

Bild 4.13: Bildung einer Leerstelle

Skizzierter Vorgang ist mit der Bildung einer Leerstelle verbunden! t

Oberfläche wirkt als "Senke" (Falle) f ü r Gitteratome. I*

Leerstellenbildung erfolgt mit bestimmter Wahrscheinlichkeit ‘1

-
Es gilt mit
n = Zahl der Leerstellen
N = Zahl der Gitteratome
st

*
f ü r die Leerstellenkonzentration
%
4
n AHB
co exp kT i
*

Wahrscheinlichkeitstemi
( wird von statistischer Thermodynamik geliefert )

Dabei ist

c = Konstante einer Leerstelle

AHB = Bildungsenthalpie
Temperatur
T = absolute
k - Boltzmannkonstante

57
 Erweiterung der Exponenten mit
Avogadro'scher Zahl

'
NA
,
NA ( vg . Kap. 2
AHB
, .
) iefert

kT k NA . T RI

mit AH *
K
-
=
Bildungsenthalpic eines Mols Leerstellen ,
Oaskonstante.

m;
Es gilt also auch CIL = CoeXp
RT

“
, ÄH
bzw. lnc . =
,
Inc 0 -
RT

CL
A -c
*
/
-d Ut a

A_
TW fTT

Bild 4.14: Leerstellenkonzentration als Funktion der Temperatur (links) und als Funktion von I / RT
(rechts)

Somit cL H , wenn T t .
4
Bei allen Metallen gilt bei der Schmelztemp, Ts: CL » IO
*

Bei 293 K ( 20 ° C) ist z, B. bei Al ct * IO "1

’

* Cu ct IO * '

*
Charakteristische Daten f ü r Leerstellenbildungsenthalpie AHB :

Metall ä HB"
I
[kJ/mol]
in grober Näherung:
Al 63
Cu IDO
a - Fe 140 AHb' [ kJ /mol ] * 0,075 Ts [ K|
W 300

58
b) Leerstellen !m Nichtgleichgewicht
.

Nichtgleichgewichtsleerstellen lassen sich erzeugen durch:

1. Abschrecken von hohen Temperaturen auf Raumtemperatur

* "Einfrieren" der Hochtemperaturlecnstellen,
sog. Abschrcckleerstellen .
Sind wichtig f ü r bestimmte technische W ä rmebehandlungen , z B. beim Aushä rten von Al
Legierungen
-
2. Bestrahlen mit energiereichen Teilchen (z.B. Neutronen )
^ Entstehung ' Verd ü nnter Zonen" (1cerstellenreiche Werkstoffbereichc),
sog. Bestrahlungsleerstcllen .

3. Plastische Verformung
Bewegung sprungbehaftetcr Schraubenversetzungen f ü hrt zur Erzeugung von Leerstellen,
sog. Verformungsleerstcllen.
2
Dabei gilt mit ep = plast. Dehnung CL ~ £p

59
 4.2* 2 Substitutionsatome

^
aufgenommen ( vgl . Kap 3 4* Austausc (Substitution ) von A-Atomen in das A-Gitter
^
. M„sprich! vop
5
Substitutionsmischkristallen

J6» wp- A Irr»*rt

t

Bild 4.15 : Bildung von binären bzw. ternären Substitutionsmischkristallen

* -
Atomradien der B- bzw . C Atome d ü rfen nicht zu stark von denen der A -Atome abweichen

I Ar | £ 15 %
TA

* Folgen: 1 ) Verspannungen und integrale Volumen ä nderung ( Gitterkonstantenänderung,

Größeneffekt)
2) Lokale Änderung der Bindungsverh ä ltnisse ( Ä nderung der elastischen Moduln,
Moduleffekt )
* b A
ft Sn
Ol

bU
u

Sn
->
tu C b!
Bild 4.16: Beispiele für Größ eneffekt und Moduleffekt

60
 4.2.3 Intcrstitionsatome
Fremdatome (B, C, ...) werden auf Gitterlückcnplätzen (
Oktaederl ü cken, Tetraederlü cken) des A-
.
Gitters eingelagert (vgl. Kap 3.4.5)
• Man spricht von Interstitionsmischkristallen

* 0
/ loo %A +6
Bild 4.11: Bildung von binä ren bzw. ternä ren Interstitionsmischkristallen
• Stets gilt rB « rA und rLaekt < rB *

Einlagerung ist nur bei

Element H 0 N C B

Atomradius in 10 8 cm*
0,46 0 ,60 0,70 0,77 0,97

möglich.

• Folgen sind 1 ) gro ße Verspannungen,

2) starke Veränderungen der lokalen Bindungsverhältnisse.

-
• Beträge von Größen und Modulcffekt sind etwa Faktor 100
größer als bei Substitutionsmisch -
kristallen .

. ln Interstitionsmischkristallen ist der GrößenefTekt stets

positiv, der Moduleffekt stets negativ .

. In technisch wichtigen Werkstoffen treten auch Substitutions

z B• a - Mischkristall in Stählen ( Fe- Basislegierungen
-Interstitionsmischkristalle auf,
) mit
A = Fe ,
B = Mn,Cr, Si (ausgetauscht ),
-
C C, N, (B) (eingelagert ) . 1
|

öl
4.3 Linienförmige Gitterstörungen ( Versetzungen)
Versetzungen
. örmige (eindimensionale ) Gitterstörungen ,
sind linienf
entstehen entweder direkt beim Kristallisationsprozcß oder bei mechanischer Beanspruchung unter
der irkung von Schubspannungen an Korn- und Phasengrenzen sowie an bestimmten Verset -
zungsanordnungen ,
• sind leicht beweglich unter der Wirkung von Schubspannungen .
• sind wichtigster Trä ger” der plastischen Verformung metallischer Werkstoffe und daher von fun-
damentaler Bedeutung f ü r das mechanische Wcrkstoffvcrhaltcn

4.3. 1 Einleitende Bemerkungen

al Normal und Schubspannungen bei einem Stab unter Zugbelastung

*

Betrachtung eines zugbelastctcn zylindrischen Stabs. Zugkrä fte F sollen im Flächenschwerpunkt des
Stabs mit Querschnittsfläche A<> angreifen . Stab schräg schneiden ( Winkel <p ) und *'Schnittprinzip"
an wenden:
a) Schneiden
b) Anbringen von Schnittkrä ften
c) Gleichgewichtsbetrachtung ( E F 0, E M = 0 ) =
1•
A -
V . ff
T
fr T

i-

S,
T ?
% ' ./ '
A ) •
f

r/ r
.. j
i n
f

ührung von Normal - und Schubspannungen

Bild 4.18 . Anwendung des Schmttprinzips zur Einf

• = comp
Ap I

Schnittfläche:

Schnittkrä ftc: F4 - F cosip

F| - Ffiincp

62
** Normalspannung:

mit o =
= —
* F
Af«p„
Nennspannung
= —AF cos p = acos p
«
u
2( 2(

t» Schubspannung:

hzw.
"\ —.
= —
=
F,
=
F .

(J

2
sin <pcos (p
—
AQ
sin 2 cp
= F sin 2 (p
2 AD

a
Fü r <p = 45° wird T«° ^ =w
b) Hooke sches Gesetz bei Normal - bzw. Schubbeanspruchung

-
Linear elastische Beanspruchung durch

—
Normalkraft

/
, : -J
L /
Schubkraft

:(*-
r T
i>

Y
£
T

Bild 4.19: Beanspruchung durch Normalkraft ( links ) und Schubkraft ( rechts )

Normalspannung Ü = F Schubspannung x =
_ F_
Ao A0
(Nennspannung)
bewirken

L - L0 elastische Scherung y =
X
elastische Dehnung £ = * H0
h
Daraus ergeben sich folgende, in Bild 4.20 skizzierte Zusammenh änge.
"

<? t ^
* G
f* &

--
3
.
gr ' y*
. Schubbeanspruchung ( rechts )
B/W 4.20: Linear -elastisches Verhalten bei Normal- (links bzw
)

o = Eec bzw. r = Gy
Somit gilt ;

63
 einsetzt ( vgl.
^ l'ncar elas,lscl,en Verhaltens gü ltig bis zu Beanspruchungen bei denen Bruch
BHdhT f
K
_

T7 ^
PI
\
ü
f
7
.
Bild 4.21: Normalspannungsbruch (Trennbruch ) bzyv Schubspanuungsbruch ( Scherbruch )

c) Schubfestigkeit idealer Kristalle

Annahmen : • St ö rungsfreier kubisch primitiver Kristall

• F wirke als Schubkraft in der Gleitcbene { hkl } in Glcitrichtung <uvw>
• F steigern bis zum Bruch

wi W-töH£ir
"

^o
~
fla -M-
b J
-
ö dfc . ..
I
I
( Pc r i

(V. fr
VH 1
C C> -
“ ' j

C <tM
TT
LJ
Bild 4.22: Trennung durch Abscherung eines Idealkristalls

Vorgang: Trennung durch Abscherung erfolgt unter gleichzeitiger Ü berwindung der Bindungen
^ zwischen allen , l ängs der Gleitcbene benachbarten Atomen. *

Bedingung: - F Fkri,
bzw .
—-
Ao
tg? ” ideale Schubfestigkeit

G
Rechnung liefert:
idwi
X fcTIl
C 1 LVW >
nut G< uvw> Schubmodul in Gleitrichtung
30 I Belastungsrichtung

*** olSTonKG «^<110>, c.„ .

0H/ mm:‘
Anx /
9nO ( m o i
.- 27 000 N /mm

‘ * ?

64
 Realkristalle (Einkristalle) ergeben jedoch
im Expcri ment
exp
Tkrit E
IN /mm 2 .

ivkal
Also: * 900

Ursache für Diskrepanz : Versetzungen !

d) Plastische Verformung realer ristaUr
^
Plastische Verformung erfolgt mikroskopisch durch

kristallographisch unbegrenzte kristallographisch begrenzte

plastische Abscherung (Abgleitung) plastische Abscherung ( Abgleitung)
dichtest gepackter Gleitebencn in definierter Zwillingsgleitebenen
# dichtest gepackten Gleitrichtungen
"Gleitverformung"
in definierten Zwillingsgleitrichtungen
"Zwillingsvcrformung"

t t t
roksG*!

.j
*
* i

Bild 4.23: Gleitverformung ( schemalisch ) Bild 4.24: Zwillingsverformung (schematisch)

Wirkt auf einen zylindrischen Einkristall der Quer-

% schnittsfl äche A< j momentenfrei die Kraft F, so wirkt in
der Gleitebene in Glcitrichtung die Schubspannung
G
Gleitrichtung X Normale auf
Gieitebene
x = —
p
Ao
cos <p cosX =
Das Produkt coscp cosX wird als Schmidfaktor m
o cosip cosX

bezeichnet.
Zwischen der Normalspannung a und der Schubspan -
nung x besteht also der Zusammenhang
Atp 1
o = MT x mit MT « 1 =
4
.
m
“ cos cp cosX

Mr hei ßt Orientierungsfaktor und nimmt folgende Werte

an
2.00 < MT < 3.67

Bild 4.25: Mit der Zugkrafl F belasteter

Über alle Knstallorientierungcn gemittelt ergibt sich
zylindrischer Einkristall
MT = 2.24
65
 Erreicht t bzw. o einen kritischen Wert, so sei
*
Gleitvcrformnnp ,
uocr Zwillingsvcrformung
ein. Als Folge davon bilden sich an der
Kristalloberfläche typische Gleitmerkmale aus, und zwar
Gleitbä nder und Zwillingsb änder

I
M\v X'iki w.
v:
- V
. L
*

-
%
s a fk
>
/
- V:
*
... ÄC

t vT - :: r
* -
f r* ,

-
i
J? V
4
sftV

&
iSi
t
& *
'

A
m
vV i
I
SiV
H

V
3?
-
-
Bild 4.26 : Gleitbä nder bei vielkristallinem Bild 4 , 27: Zwillingsbänder bei Vielkristallen
^ CuZnlO nach plastischer Verformung.
Oben: Einfachgleitung ,
nach plastischer Verformung ,
Oben: Einfachzwillingsbildung bei FeSi 2 ,5 ,
unten: Mehrfachgleitung unten: Mehrfachzwillingsbildung bei CuZnl5

4.3.2 Formale Einf ü hrung vonVersetzungsgrundtypen

primitiven Gitters
Dazu: Gedankenexperimente mit quaderf örmigen Bereichen eines kubisch
Schritte: • Aufschneiden, .
. Verschieben des oberen Schnittufers gegenüber dem unteren.
• "Verschwei ßen”
•Charakterisierung des Endzustandes
.

vercehiedenmige Verseilungen
Ergebnis: Je naeh SehnUlluge

66
 ^t ^ ,
Erzeugung und Merlcn » n
l|ri grsetzuiiB

N T

T
--
S
NJi s
Formale Erzeugung in
einem Kontinuum

B
53 Erzeugung in einem kubisch
primitiven Gitter

*
:
# Bild 4.28: Erzeugung und Merkmale einer Stufenversetzung

Formale Erzeugung

-—
i'

* Gerade Schnittkante senkrecht zu x

——
* Verschieben um Burgersvektor b
Zusainmenschvvei ßen
Festlegung der "Versetzungslinie” als schlauchartigen Werkstoffbereich um das verschweiß te
Schnittende
Auftreten einer eingeschobenen Gitterhalbebenc
« Charakterisierung der Versetzungslinie durch Linienvektor s
b steht überall senkrecht zu s
Bewegungsrichtung der Versetzungslinie bei Überschreiten einer kritischen Schubspannung x
parallel zu b und zu x sowie senkrecht zu s
a
Abk ürzungssymbole f ü r Stufen Versetzungen: 1 T . ,
' ^
ilk / tiC
* -b
SVWJUC U ftObtbU*.
C ..4

tfi
V "
x
Bild 4.29: Linien viktor Burgersvektor, Bewegungsrichtung und Abkünungssymbolt bei einer
,

Stufenversetzung

67
b) Erzeugung upd Mtfgpglfcaacr Schrauhpnv
^,
, ..
^
\ T
I X
»
Formale Erzeugung in
ns % einem Kontinuum
i

T ^ \ N
5

Erzeugung in einem ku
bisch primitiven Gitter
-
w#

J f 7 f H f ii f J 4 7 9 n w K *
-- -
Aufspaltung der Gitter
ebenen in eine Spiral
fl äche mit der Schrauben
» versetzungslinie als Achse
Z 1 5 5 »* H 1
i 3 5 ** ® i«

Bild 4.30: Erzeugung und Merkmale einer Schraubenversetzung

Unterschiede zur Stufen Versetzung:

—
• Formale Erzeugung:
* Gerade Schnittkante parallel zu x
Aufspaltung der Gitterebenen (analog zu einer
• Auftreten einer schraubenfö rmigen
zylinderförmigen Hochgarage!)
• b ist überall parallel zu s
• Bewegungsrichtung bei Überschreiten einer kritischen Schubspannung x senkrecht zu b , zu s und
_
• Abk ü rzungssymbole f ü r Schraubenversetzungen: O, ®

.Sy^Sulv- e
Viu

.
BUii 4.31 : Linien vektor , Burgersvektor Bewegungsrichtung und Abkü rzungssymbole bei einer
SchraubenVersetzung
68
 > * r> -1
b f

örmige Aufspaltung von Gitterebenen um eine Schrauben-

Bild 4.32: Schraubenf
versetzung

c ) Erzeugung und Merkmale einer Mischversetzung ( gemischte Versetzung)

b
r b
55 £
£
_
5
o
Gemischte Versetzung
in einem kubisch
primitiven Gitter

( gemischte Versetzung )
Bild 4.33: Erzeugung und Merkmale einer Mischversetzung

—— —
Unterschiede zu Stufen- und Schrauben Versetzung.
• Formale Erzeugung:

. r i f ÄS E E S ' * Aufspallungvon
•
senkrecht zu s
SÄ »6
-- - < J

i
 r

s J,
-
-I rrfr. S *;
- S
'
S*s
L
- ,
* : -s
*

fi

5
t bo
f

W aIJ
i
f F

1 S
v y

Bild 4.34: Bewegung einer Mischversetzung durch das kubisch primitive Gitter

#
Aufspaltung der lokalen Versetzungsanteile

b = b , + b0 = b sin y + b cos y

4.3.3 Eigenspannungsfelder und Linienenergie

gestört
Durch Versetzungen wird der regelm äß ige Gitteraufbau
m Gitterverzerrungen
•» Eigenspannungsfelder
i

Stufenversetzungen: Normalspannungsfcld und

Schubspannungsfeld

Schraubenversetzungen: Nur Schubspannungsfeld

70
Wichtig: Betrag der Eigenspannungen f ä llt
mit wachsendem Abstand r von der Versetzung propor-
tional zu 1 /r ab.

Aufgrund der Eigenspannungsfeldcr wechselwirken

Versetzungenuntereinander und mit anderen Gitter - VS ft , - 4 -ro cA
j 4 uSC CMSc({ -
/

^ik **c
'

Störungen! **
CjCTr r <U* « * ü

—J
|( <
Beispiele:
k m ( fX
^ ihbbh
• Gleichsinnige Stufenversetzungen in einer Ebene: 39 + a
I* :
..
IUI llllllil l e

^ Abstoßung!
v }
Ungleichsinnige Stufen Versetzungen in einer Ebene: r
Bild 4.35: Spannungsfeld einer Versetzung

•* Anziehung und Auslöschung!

Linienenergie einer Versetzung: Pro cm Versetzungslinie elastisch gespeicherte Energie

& Arbeit zur Erzeugung von 1 cm Versetzungslinie

Vernachlässigung des
Quantitative Abschätzung durch Integration ü ber das Eigenspannungsfeld unter
Versetzungskems liefert
UL * Gb2
mit G = Schubmodul; b — Betrag des Burgersvektors.

Da die Linienenergie proportional zu b ist, werden nur die k ürzesten

2 Burgersvektoren als kleinste Ab -
st ände der Atomschwerpunkte im jeweiligen Gitter realisiert
:

kfz: b = ~ <110>
krz: b — <111 ^

.
2

Diese s,„d gleichzeitig Transla i

Versetzungen .
.. nsvetaen de, jeweiligen Kotier. Man spneh von
„iMndige ,

^ J D „Staren in dichtest gepackten Gitterrichtungen liegen, bestinunen

der kristallographisch festgelegten
.
Gleitnchtungcn d. h . b | | Gle tnchtung . . sie auch die Auswahl

71
43.4 Teilversetzungen
Da die Linicncnergic proportional zu b2 ist, kö
nnen vollständige Versetzungen in TeilVersetzungen auf-
spa ten, wenn ie umme aus deren Linienenergien kleiner als die Linienenergie der vollst ändigen Ver
.
setzung ist
-

Beispiel im kfz-Gittcr:

f^ [110] — —
6
[ 211] + -
6
[ 121],

, 2
—a4 > * * (4 + 1 + 1) + — (1
2
da (1 + 1 + 0) + 4 + 1)
36 36
a1 a1 a1
> ~ +
2 6 6

Die entstandenen TeilVersetzungen des Typs

- <112>
6

werden auch als Shockley- oder unvollst ä ndige Versetzungen bezeichnet, da ihr Burgersvektor kein
Vektor des Kristallgitters ist.

Zwischen den TeilVersetzungen wird die Stapelfolge der Gittcrcbenen verändert

^ Stapelfehler!

Beispiel im kfz-Gitter:

[211]

b [110]
b

[121

Bild 4.36: Richtungen vom Typ <1 J 0> und < 112 >

72
 Die Teilversetzung mit dem Burgersvektor

I PH ) Z

-
verschiebt die C Atome auf Pl ätze der Ebene
A . Die Stapelfolge der ( lll )-Ebenen wird
( 111 ) (111
dabei gestört:

...ABCABABC...
-- V

Die Teilversetzung mit dem Burgersvektor bt b2 - -

[121] a
b2 - 2 [01 l ]
7
0 b, |
= [10 i ] 7t \ xf
verschiebt die Atome wieder in C- Lagcn. 110 ]
» Der Stapel fehler existiert also nur zwischen
den Teil Versetzungen.
(111 > Stapel- <111 > "

fehler

Teilversetzungen können miteinander

4 [112]
a
reagieren.
-
Beispiel: Bildung einer Lomer Cottrell-Ver - a
6 [211 ] |
^ [121]
112

setzung aus 2 Teilversetzungen in verschie-

-
denen {111 } Ebenen:
S bei beiden Versetzungen [ 110] [110]
z
ln (111 ) : b = -2 [101]
In ( llT) : b = -2 [011] 111 111 y
Aufspaltungen:
a

4 [10T] - 1o [112]
2
a
,
o
[211 ] H112]
-2 [011 ] - -6 [112] +
7
Ü
H 21] a
110
6

Reaktion von zwei Teil Versetzungen :

110
4 [T 21] 4 [2 TT] 4o mol
ö
+
o - 4.37; Zwr Bildung einer Lomer-Cottrell Versetzung -
Der Vektor -6 [110] liegt in keiner der beiden {111 }-Gleitebcnen - Die Lomer-Cottrell-Versetzung
ist seßhaft und stellt ein wirksames Hindernis gegen die Bewegung weiterer Versetzungen dar.

73
4.3.5 Stufen Versetzungen im kfz und krz Gitter
kfz: Gleitsystem {1 1 1 } <110>

\\ egen folge der {110}-Ebenen (abab) und aus energetischen Grü nden wird Versetzung mit
Stapel
= a/2 1013 m 2 rtialVersetzungen
V ^ ^ h ] = a/6 [211 ] und b 2 = a /6 [121 ] aufgespalten (vgl 4.3.4)

K:--
•

a
//
-
\
{ 110} tbeneri
*T
Jet 'Cr
% A
Bild 4.38: StufenVersetzung im Gleitsystem {111 } < 1 I 0 > des kfz Gitters

krz: Gleitsystem { 110 } <111>

- -
Analog zum kft Gitter Aufspaltung der a/2 [111 ] Versetzungen in hier drei Partialversetzungen

vfmmrn
II ! HL
im} -
Ebenen

wm * c fr
Bild 4.39: kn: Gleitsystem { 110} < l l l >

4*3.6 Plastische Verformung durch Versetzungsgleiten

Gleiten ; Abgleitung benachbarter KristaJlteile relativ zueinander aut Gleitebenen in Gleitrich

atomaren Bindungen
-
tungen durch fortgesetztes Aufbrechen und WiederhersteUen von
längs der Versetzungslinie

m Wichtigster Prozeß der plastischen Verformung metallischer Werkstoffe!

74
Entscheidender Punkt . Bei der Abgleitung
benachbarter Kristallteile m üssen nicht alle die Gleitcbcne
urc c zen en tom indungen aufgebrochen , entlang der Versctzungslinie.
werden sondern nur die
relativ geringer Kraftbedarf erforderlich!

Bei ihrer Bewegung durchläuft die Versetzung stabile und labile Positionen.

Schematisches Beispiel im kubisch primitiven Gitter:

^1 00
OO
c
z>
Bild 4.40: Durchlaufen stabiler und labiler Positionen bei der Belegung einer Versetzung durch das kubisch
primitive Gitter (Schema )

t f "W

—w .
5
Z1 *
/
* fr
Veranschaulichung /

durch Teppichana - V f 3>

logon : Ax,

A 1 n¥
/

"
!
2 r
/

A x,
*

Bild 4.41: Bewegung einer Teppichfalte

75
I
1C ® SpnC { cm 8cst örten
.. Bereich (Tcppichfaltc ), die die Abglcitung des gesamten
eppic s um eie itert. Beim Gleiten
erfolgt Versetzungsbewegung in einer Gleitebene, die
L m i e m c u r u m Burgersvektor enth ä lt . Bei
Burgersve tor und Linienvektor eine -
Stufen und gemischten Versetzungen spannen
eindeutige Gleitebene auf . Bei ( nicht aufgespaltenen )
Schraubenx trsetzungen liegen Burgersvektor und Linienvektor in einer Linie, die mehreren Glcitcbencn
angehören kamt .

Beispiel im
kfe-Gitter: f J
/
r

% 1V

ot r - _ a f
V
/
r 1
* i

f *
/
L
Bild 4.42: Zur Charakterisierung einer
Schraubenversetzung im kfz Gitter

Bei Beanspruchung wird sich die Schraubenversetzung in der Gleitebene bewegen, in der die größte
Schubspannung herrscht.

Quantitative Behandlung:

Betrachtung eines quaderförmigen Werkstoffbereichs mit r—

Abmessungen H , L, B. Parallel zu den Deckfl ächen befindet
sich eine Gleitebene, auf der eine Stufenversetzung ganz
durchgclaufen ist. J
i

T
Dabei ist Verschiebung
plast . Scherung

Erfolgt Bewegung nur bis x < L, so gilt

8 = b x/L
6 = b
yp “ 8/H = b/H

-
i
tu r1
Verschiebung
» plast. Scherung 7P 8/H
« b/H ( x/L)

mehreren
-
parallelen
- — j.
r
t
/
/

Laufen n Stufenversetzungen auf

Gleitebenen die Wege x x 2 „ *„» dann
X
* Gesamtverschiebung

A = £1 *i =
-
| 75-> ’
Li t
i X , SL V

*
XA — 1

L
—
plast . Scherung 4
vTp = —
A
H
= -HbL M
y.x /Mi 4.43: Plastische Verformung durch
Versetzungsbewegung

76
 n
Ersatz von 52l x ,
i«
1 - rix mit x = mittlerem Versctzungslaufwcg

ergibt
TIT
bx mit 2— =
—HL pgl Zahl der gleitfiihigen Versetzungen pro cm
HL
Glei tversctzungsd ich tc
Es gilt also Yp = Pgibx .
Mit = Y/m und m = Orientierungsfaktor (vgl . Kap. 4.3.1) gilt ferner

% E
Pglbx / m .
Nimmt man an, daß pg * konst (t), so folgt daraus flir die Dehngeschwindigkeit
]

_
d Cp
“ TT
at
=
p |b
m
^dt^ mit
—
^dt^ = v = mittlere Versetzungsgeschwindigkeit

oder cp = —
m
p8i
* b' v

4.3. 7 Quergleiten und Klettern von Versetzungen

a) Ouergleiten von Schraubenversetzungen

Trifft eine Schraubenversetzung in ihrer (Haupt -) Gleitebene auf ein Hindernis, so kann sie in eine andere
Gleitebene (= Qucrglcitcbene) überwechseln und sich dort weiterbewegen , sofem die dort herrschende
Schubspannung groß genug ist.
Beispiel (vgl . Bild 4.42):
Schrauben Versetzung mit b = [101 ] —
-
wechselt aus der ( lll ) Ebcne in die ( 111 ) -
Ebene
Voraussetzung: Burgersvektor, Linienvektor
und Schnittlinie der beiden ’i
Gleitebenen m üssen parallel U\A i
V

sein , : I
Bild 4.44 zeigt eine schematische Darstellung
des Quergleitvorgangs.

5
3]

Bild 4.44: Schematische Darstellung des

Quergleitvorgangs

77
b) Klettern von Stufenversetztippm
r

Über das An lagern von Leerstellen kann eine Stufenversetzung ihre Gleitcbcne verlassen. Da der
Kletterprozeß die Versetzungslinie nicht gleichm äßig erfa ßt , entstehen in ihr "Sprü nge1'.

Wichtig: Da der Klcttcrprozcß auf Platzwcchselvorgängcn (Diffusion ) von Leerstellen beruht, ist er
stark temperaturabh ängig und tritt erst bei hohen Temperaturen (T ^ 0,4 T, [ K] ) signifikant
auf. Er ist eine der wichtigsten Ursachen f ü r das " Kriechen" von Werkstoffen bei
Hochtempcraturbcanspruchung.
Schematische Darstellung des Klettcrvorgangs und der Sprungbildung im kubisch-primitiven Gitter :

r,

t L -
r

Bild 4.45: Schematische Darstellung des Klettervorgangs und der Sprungbildung im kubisch primitiven
Gitter

4.3.8 Repetive Erzeugung von Versetzungen

a) Frank - Read -Ouelle

Wird ein Stufenversetzungssegment der Länge L, das in seiner Gleitebene ( = Zeichenebene) in den
Punkten A und B verankert ist, der Wirkung einer Schubspannung x in Richtung b ausgesetzt, so
wölbt sie sich in Richung b aus.
Mit steigender Schubspannung verkleinert sich dabei der Krü mmungsradius R, der sich aus dem
Gleichgewicht von vorwä rtstreibender Kraft aus der Schubspannung und rücktreibender Kraft aus
der Vergrößerung der Linienenergie ergibt, gemäß
G b
R
D
= a
T

Als Bedingung f ü r die Betä tigung der Quelle ergibt sich der kritische Krü mmungsradius ( =
Halb -
kreis)
L
R kill
2
und damit G b
t kris = 2 a
L
Nach Öherschreiten von ttoll komm , „Ausb„i ung „es Versetzungssegmentes.
C5 |

xJ) 3)
n +T
y*T 6 4
A Ä
/ fK i
Ü* T

J
/

fr' §
t o-
"3v 8
* s*{ 3 /
/
T kv*-
^tj j ^ V) V(
^hsfftb lc
"
|(A u
)1 Q Wyg
^ |^L . »
Bild -
4.46 : Frank Read-Quelle

Im Fndstadium nahem sich Schraubenversetzungsanteile unterschiedlichen Vorzeichens und löschen

sich aus.
• Zurück bleiben das ursprü ngliche Versetzungssegment und ein umgebender, ausbreitungsfähiger
Versetzungsring.
• Der gleiche Prozeß kann erneut ablaufen, so daß das Versetzungssegment A B als Versetzungquelle
angesehen werden kann .
-
• In einem sonst ungestörten Kristall können die Versetzungsringe bis zu den Komgrenzen gleiten, wo
sie sich unter gegenseitiger Absto ßung aufstauen ( vgl. Bild 4.47)

/
/

/
\

Bild 4.47: Aufstau repetiv gebildeter Versetzungen an Komgrenzen

19
 b) Oucrgleitquell« -

SchraubenVersetzungen zeichnen
si b K 3P 4 3’2 dadurch aus > daß sie quergleiten, d. h. ihre
Gleitebene wechseln können Bleib ° '

,
ortsfest, so k önnen sich in cmcTCI ^ ^ ,
deT Quer 8lei cbcnc liegenden Versetzungssegmente
AuSgan8sglci cbcne parallelen Gleitebene die in a) geschilderten
Verhältnisse mit einer Schranh
Mechanismus vergleichbarer Vnro ng
8
^^
T?* ,
711118 Zwischen A und B c nstcllcn Ein dem Frank -Read-
,
kann dann zu Vcrsetzungsvervielfachung führen (vgl. Bild 4.48).

-•>

r r
<

& .<
t

7 -
•

- - r -
f j
J

Bild 4.48: Zur Funktion der Quergleitquelle

so
4.4 Flächenförmige Gitterstörung
4.4. 1 Stapelfehler
Stapelfehler sind Stö rungen der regelm äß igen
folge bestimmter Gitterebenen.
Stapcl-
ßeispiel fü r kfz-Gitter: Stapelfolge von {111 }-Ebenen
--
M fc Vyu fcr ( . A 4o
a b a b a b a b a b a b a b
4! t
ti /ioi ' i *A
OC
ungestört: ABCABCABC .... / / / /ß / A t A f /s o oB
r* / * *A
gestört: ABCAB/ ABCA .... *
oo
H Stapelfehler {111 }
Ü
Q
Stapelfehler entstehen 2.B. beim Aufspaltcn von voll - d £d A id
f
/
st ändigen Versetzungen zwischen den resultierenden
AE
f-
f — f
° ß
— <110>
Teilversetzungen (vgl. Kap. 4.3.4)
<112>
Beispiel: Aufgespaltene Stufenversetzung mit Stapel-
fehler in der Gleitebenc {111 } des kfz-Gitters (vgl
Bild 4.49).
Vä A/ M . YM
a b a b a b a b a b a b

— Bild 4.49: Aufgespaltene Stufenversetzung mit Stapel-

Zur Erzeugung des Stapelfehlers erforderlich:
• Stapelfehlerenergie y fehler in der Gleitebene { 111 } des kfz-Gitters
die aufzubringende Stapelfehlerenergie begrenzt die
Aufspaltungsweite von Teil Versetzungen!
Folge: Die Aufspaltungsweite von Teilversetzungen ist umso kleiner, je größer die Stapelfehlerenergie ist.

4.4. 2 Antiphasengrenzen
Antiphasengrenzen sind den Stapelfehlem verwandte Grenzflächen von Ordnungsbereichen (vgl. Kap Al
, ) .
Ordnungsbildung aus dem ungeordneten Zustand , wenn die von unterschiedlichen
Sie entstehen während der
Keimen aus wachsenden Ordnungsbereiche zu
sammenstoßen und nicht der Ordnung entspre-
chend zusammenpassen oder wenn V ersetzun-
gen wä hrend der plastischen Verformung
durch Ordnungsbereiche bewegt werden.

Beispiel: Geordnete Phase vom Typ AB im

kfz-Gitter, dargestellt an der ( lOO)-Ebene (vgl .
Bild 4.50)

Längs der <110> Richtungen liegt im geord -

-
neten Gitter die Nachbarschaft ... ABABAB
...

Antipha-
Störung der Nachbarschaft durch die
sengrenze: ... ABAB/BAB. . bzw.
ABABA/ AB AB...
Bild 4.50: Geordnete Phase vom Typ AB im kfz Gitter, -
dargestellt an der (WO)- Ebene
fil
4.4.3 Korngrenzen und Phasen grenzen
Korngrenzen vermitteln zwischen rvcti,
aber unterschiedlicher Orientierung
ö rperbcrcichcn
* . .
. gleicher ehern. Zusammensetzung und Gitterstruktur .

Koni Kom

© ©

oder

% CCü
'l i
Ü
'
n

V V
f /1

cs
?*u

&
= 4 ¥

SS

ungeordnete teilgeordnete Stmktureinheiten, die die

Atomanordnung Grenzfl ächenenergie verkleinern !

Bild 4.51 : Komgrenzenstrukiur

-
Wichtige Eigenschaften von Kom und Phasengrenzen:

ö ä“ User Atome in Kom- und

-.^Sig ZSSÄ
’ Phasengrcnzen und deswegen oll negsnve Ausweitungen auf
(Se i n<
.
'

-^
'
von Bmchvorgllnge « durch Kom und

diflusion) erschwert ist!

«
-
Phasengren /cu ersprttdungeu!

de n

82
“
durch J
“ -
«"(Votan'
 4.5 Räumliche Gitterstörungen
4.5. 1 Teilchen

mi gegen ü ber den K örnern unterschiedlicher

'
a) Ausscheidungen

Ausscheidungen entstehen in Festkörpern , die Legicrungselemente in "ü

bersä ttigter ” Lösung
® enthalten, durch
Auslagem bei geeigneter Temperatur.
Beispiele. Ni 3 Al (in Ni -Basislcgierungcn, "Supcrlcgicrungen ")
• Cr2 jC6 ( in Chromstählen )
•
-
Fe2 Nb (Lavcs- Phasc, in CrNi Stählcn )

Ausscheidungen sind stabil bis zu ihrer Auflösungstemperatur T<* > < !Ml,n’ \ Ihr Gitter kann sich gegenü ber
dem der Matrix unterschiedlich ausbilden ,
£ Ts

Bild 4 , 52:
- * a ) kohärent : kleine Grenz -
r "TTf -
* L
flächenenergie yG "kohären -
s
te Teile hen"
p
\ #
• fr* J h) teilkohä rent : mittleres yG
"teilkohärente Teilchen"
c r c) inkohärent : großes yG
"inkohä rente Teilchen"

b) Dispersionen

Dispersionen entstehen durch pulvermetallurgisches Einbringen von (meist ) Oxiden in Metallen oder Metall-
^ Legierungen.
Beispiele: • Al203 (in Al- Legierung)
• Si02 (in Cu- Legierung )
• -
Y 203 ( in Ni Legierung)
(
Dispersionen sind stabil bis zu Ts
Meist gilt T $iDil? ) > Das Gitter von Dispersionen ist stets inkoh ärent gegen ü ber dem der Matrix.

4.5.2 Mikrorisse
• Mikrorisse sind lokale Werkstofftrennungen mit endlicher Länge, extrem nahe beieinanderliegenden
Ri ßufem und extrem scharfen Ri ßspitzen
• Sie entstehen z. B. bei der Herstellung, insbesondere pulvermetallurgischer Werkstoffe oder
bet Ver -
setzungsreaktionen. . .
• Merke: Bei mechanischer Beanspruchung stets gef ährliche Spannungs ü berhöhungen an den Rt ßspilzen

83
 4.6 Störungen in kristallinen Molek ü lstnikturen
Kristalline Molek ülstrukturen: Parallel angeordnctc Ketten von Makromolek ü len
(vgl Kap. 3.6 )

Problem: Die dichtest mögliche Packung der Ketten wird durch Enden, Faltungen, Vcrschlaufungen und Aus-
lenkungen der Molek ü lketten behindert.

Beispiele :

• Kinken: Auslenkungen, die kleiner sind als der Abstand der Molek ü lketten
• Jogs: Auslenkungcn, die größer sind als der Abstand der Molekü lkettcn
• Leerstellen: Entstehen an Kettenenden und Faltungen , deren Größe mit steigender Temperatur zunimmt
• Amorphe Grenzschichten: Bereiche zwischen Kristallitcn, in denen die Molek ü lketten ü ber Verschlau-
fungen in den Kristall zurü ckgehen oder in den benachbarten Kristall eintreten.

Schematische Beispiele:

K l\ ft
\

Bild 4,53: Leerstellen ( L) und Kinken ( K ) in

einer durch Kettenfaltung gestörten kristalli -
Bild 4 ,54: Modell der nicht geordneten Grenz
schicht zwischen benachbarten Kristalliten
-
I nen Molekülstruktur

1
 5 Amorphe und teilkristalline
Festkörperstrukturen
Bei allen Werkstoffhauptgruppen lassen sich
- bei bestimmten chemischen Zusammensetzungen und unter
bestimmten Randbedingungen - amorphe oder teilkristalline Werkstoffzustä
nde erzeugen.

Grundprinzip: Durch geeignete Versuchsfiihrung verhindern ( bzw. erreichen), daß sich ü ber
mikroskopische
Bereiche geordnete (bzw. ungeordnete) Atomanordnungen einstellen.

Ordnung liegt nur in kleinsten submikroskopischen Bereichen vor!

5.1 Metalle

5.1 . 1 Amorphe Werkstoffzust ä nde

Metallische Werkstoffe werden im amorphen Zustand auch als

• amorphe Metalle
• glasartige Metalle oder
• metallische Gl äser bezeichnet.

Einfachstes Erzeugungsprinzip: Rasche Abk ühlung aus der Schmelze

extrem rasche

%
amorpher bzw.
" eingefrorener "
schmelzflü ssiger
Zustand

kristalliner
Zur4 ^

Bild 5.1: Extrem rasche Abk ühlung eines metallischen Werkstoffes aus der Schmelze (Schema )

85
 Praktische Dutchfüh Erzeugung vo„BMcm gcn
^ Verfahren :
cringer Dicke (< 0 1 mm!) nach folgenden ,

Walzabschrccken Aufspritzen auf rotierende Räder

L Radau ßenseite Radinnenseite

Schmelze Band
^ Schmelze

Band
Band

Schmelze
Bild 5.2: Erzeugung von Bändern geringer Dicke (< 0, 1 mm!), schematisch

% Ferner treten amorphe metallische Zustände auf bei

• bestimmten Festkörperreaktionen ( mechanisches Legieren ),
•der elektrolytischen Abscheidung,
• der d ü nnflächigen Aufschmelzung durch Laserbcstrahlung,
• der Aufdampfung auf gek ü hlte Unterlagen .
Amorphe Metalle bauen sich auf aus rä umlich dicht und regellos aneinander gereihten elementaren Struktur-
einheiten, von denen die folgenden Fü nf (am häufigsten die Tetraeder!) beobachtet werden:

4 - Fl ä e h n e r a * Fl ö chnof -
1 1 Fl ä c h n a f

---V -
J V
i >

1 4 - Fiachner -
16 FIAchner

>

>
* t

-
Bild 5.3: Die häufigsten Elementar Struktureinheiten amorpher Metalle

86
Die Raumcrfü llung betTägt etwa 0,57 .... 0,62
( vgl. Abschn. 3.4.3: kfz und hex Gitter 0,74, kra Gitter 0,68)

Bin äre metallische Gl äser bilden

• Übcrgangsmetalle und Edelmetalle mit Nichtmetallen
(Beispiele: FeB, PdSi ),
• Übergangsmetalle mit metallischen Hauptgruppcnelementen
(Beispiele: Cr Al, ZrBe),
• Übergangsmctalle miteinander und mit Edelmetallen
(Beispiele: Ni Nb, ZrCu),
• Metallische Hauptgruppcnelemente miteinander
(Beispiele: Mgln , BeAl )

Die Bezeichnung der metallischen Gl äser erfolgt durch Angabe der Atomprozent als Index bei den die
Legierung bildenden Elementen. Typische zweikomponentige metallische Gl äser sind:

,
Co
^Pts FegoBjo Pd^SijQ, Cu 57Zr4 j, Ni 76P24
,

Typische mehrkomponentige metallische Gläser sind :

Fe«Ni«B20, Co „SiISB , Fe
10
^ Cr P
^ A.
, Au78Gel 4Si8, Pt 40Ni 40P20, NiwFe38P 4 B6AI 3
)

Metallische Gläser sind wegen ihrer mechanischen , korrosiven, elektrischen und magnetischen Eigenschaften
interessant.

5.1 .2 Teilkristalline Werkstoffzust ä nde

Teilkristalline metallische WerkstofTzust ä nde wurden unter Laborbedingungen durch geeignete thermische
Behandlungen amorpher Ausgangszust ände hergestellt . Sie haben bislang keine praktische Anwendung
gefunden aktuelles Forschungsgebiet.

5.2 Anorganisch-nichtmetallische Werkstoffe

5.2. 1 Amorphe Werkstoffzust ä nde
Die wichtigsten amorphen Vertreter
-
anorganisch nichtmetallischer Werkstoffe sind die Gläser
Erfahrung: Oxidschmelzen aus
S i BjO
‘°, , K20
0 0 A120 , PbO
,
Na 0 BaO
-
« rstarren beim Erkalten ohne Kristallisation
Hauptbestandteil aller Gläser ist Si
02
- sog. "eingefrorene" Fl üssigkeiten

37
 Struktureinheit :
Verk ü pf ü ngsprlnzlpfen
von [ SfO -Tetraedern Tetraeder mit 4 Sauerstoffatomen aufseinen Ecken,
^ in dessen Zentrum ein Si -Atom liegt ( vgl. Bild 5.4 )

-
feVs 45 w L, jL

a ) [SiOjj* b ) iSijÜ 7 jG c ) |SI309 ]6 -

0
= Si
Bild 5, 4:Tetmeder mit 4 Sauerstoffatomen auf
seinen Ecken, in dessen Zentrum ein Si- Atom
liegt
b) ISI 206|'S - eMSl 40 ]6 - ,,
Elektronenstruktur f ü r Si (Z = 14):
ls2 2s2 2p6 3s2 3 p2

=* Hybridisierung liefert 4 gerichtete Bindungen ( vgl.

Abschn . 2.4.2 b)

-
Jedes an Si gebundene Q Atom kann noch eine wei-
tere Bindung eingehen , und zwar

>
t ) [ 8 I 401 ()J 4 -
—— -
• m i t weiteren [Si04] Tetraedem
kovalente und ionische Wechselwirkung
• mit Metallatomen
ionische Wechselwirkung

Man spricht daher auch von "Gerüst -Anionen '', die

man sich aus zahlreichen [ Si 04]4 -Grtippen entstan-
‘

den denken kann, und an die Metallkationen, z . B.

Na+* angelagert sind. Dies ist wesentlich f ü r Silikat-
* SI und Glasbildung . Es existieren verschiedene
oo
ft ) ( sio 2 i Verknüpfungsmöglichkeiten der [SiOJ Tetraeder -
mit unterschiedlichen "Struktureinheiten " (vgl . Bild
a Tetraed ö r; b D o p p e l i o i r a e d e r; c Ring
.
struktur (CyclQslUeaie Beispiel: Dreier -- 5.5).
l e i ); d Kelten ( KeUenslllcale ); 0 Doppel -
ketten iB ä ndersIllcate ) ; / Schichten
( Schichtslllkale ): g Ger ü st ( Ger
ü sulllcate )

Bild 5 ,5: Verknü pfungsmöglichkeiten der [

SiOJ -
Tetraeder mit unterschiedlichen " Struktureinheiten u

88
 -
Gegenüberstellung kristalliner und amorpher [ SiOJ Anordnungen *

i
i
--
Bild 5.6: Geordnete ebene Anordnung von Bild 5.7: Geordnete räumliche Anordnung der
[ SiOJ-Tetraedern ISiOJ-Tetraeder im Quarz (Bergkristall )

Ungeordnete r
äumliche Anordnung
-
der [ SiOJ Tetraeder liefert reines
SiOrGlas, sog. Kieselglas
(vgl. Gerüstsilicat » Bild 5.5g)

Si QO © Na
Bild 5.8: Ungeordnete ebene Anordnung von
(SiOJ-Tetraedem
1

© ©
er
0 PV
©
©
©
Bild 5 , 9:-Ungeordnete ebene Anordnung von Bild 5 . JO: Ungeordnete räumliche Anordnung
-
ISiOj Tetraedern mit in das Netzwerk
-
der lSiOJ Tetraeder mit Na-Ionen in Alkalisili -
eingelagerten Na-Ionen katglas

89
5.2. 2 Teilkristalline Werkstoffzustände
Teilkristalline Werkstoffzustände sind durch geeignete Herstellprozesse erreichbar.
Wichtigstes Beispiel: Glaskeramiken
Durch Ver änderung der chemischen Zusammensetzung und der Prozeß variablen sind

Kristallinit ä tsgrade = Volumenantcil . lQ0%

Gesamtvolumen

von 50 .... 90 Vol.-% erreichbar.

Beispiele:

a) Glaskeramiken mit thermischen Ausdehnungskoeffizienten = 0 ü ber größere AT-Bereiche,

z.B.
Lithium -Alumo-Silikate

- _L MD
Li02/Al 2CVSi02

0fl| = . L (293 JSI [K 1]

'
* O bis AT * 800 K
AT L (293 K )

=» völlig form- und abmessungsbest ändig

-
•tempcraturwechselbestä ndig

Anwendung: Endmaße, Teleskopspiegel , Laborgeräte, Haushaltsgeschirr, Kochplatten

b) Glaskeramiken , die spanend bearbeitbar sind

sind glimmerartige Werkstoffe ( Fluorglimmer)

Enthalten als wesentliche Phase Phlogopit

K|.x , ,
(Al .x Siyx O 0) F2
mit 0 s x 0,5

Spanende Bearbeitbarkeit (Bohren , Fräsen , Schleifen) ist bei Phlogopitantcilen zwischen

30 .... 60 Vol.% gut, bei höheren Anteilen sehr gut.

90
5.3 Polymere Werkstoffe
5.3.1 Amorphe Werkstoffzustä nde
a) Bindungen

Für Kunststoffe ( hochpolymere Werkstoffe) wichtige Bindungstypen ( vgl . Kap. 2.4):

- Kovalente Bindung innerhalb eines Makromolek ü ls
- Sekundäre Bindung (van der Waals'sche Bindung bzw. Wasserstoffbrückenbindung) zwischen
benachbarten Makromolek ü le oder Teilen desselben Makromolek ü ls

Problem: Kohlenstoffaufbau besitzt im Grundzustand C die Elcktroncnkonfiguration 2 s2 2p2, es sind

aber 4 Bindungen möglich ( z.B. Methan CH 4 ) mit gleichwertigen, symmetrischen Einfach -
bindungen .
Lösung: 2s2 und 2p2 Orbitalen ver- C inj ; t : t i C* [D l i t t
. .
schmelzen zu vier
. 2s 2D 2S 2p
3
sp -Hybridisierung
Hybridorbitalen 2sp 3 mit Grundzustand
gleichem Energieinhalt C* z
2 r>
/A
y
=* sp3- Hybridisierung =*
tetraedrische Anordnung Vf : 1

2c . r/ / / K
(s. Bild 5.11 ) Mischung
x >
-7
-
Bild 5.11: Bildung von sp3 Hybridorbitale. sp3-Hybridorbitale
sind auf die Ecken eines Tetraeders gerichtet.

=> Durch die Hybridisierung ist

jedes sp3 -Orbital mit einem unge-
paarten Elektron besetzt. Durch
Überlappung mit dem ls-Orbital c
des Wasserstoffs entstehen im
Methan vier o-Bindungen , die y
* C
/
tetraedrisch ausgerichtet sind (s.
Bild 5.12). H \
t
AVX
H

Bild 5.12: Bindung im CH4-Molekül. Alle C-H -Bindungsabstände

und alle H -C-H - Bindungswinkel sind gleich.

Analogie der C- H Bindung mit der C- C - Bindung:

-
auch sp3 -Orbitale von zwei C-Atomen kö nnen a -Bindungen
ausbilden (s. Bild 5.13).
Bild 5.13: o- Bindung zwischen
2 Kohlenstoffatomen ( Ethan)

91
Bei Ethylen (Ethen) C 2 H< wird
ein p-Orbital neben den 2s1

—
Orbitalen angeregt
- 2
- -
sp1 Hy
bridisierung drei sp Orbita-
H

M
C
= C_
H

H
^ IZI
&
Fl 1111
. 2
^
Spr
- ttjltlrtdl
p
- ©indurg
X-
-
le Stehen f ü r die 3 o Bindungen Q ) öl sierurvg

zur Verf ügung und das verblei

bende p-Orbital (senkrecht zur
-
Bindungsebene) bindet durch
Überlappung der p-Orbitale -*
Tt- Bindung bzw . Doppelbin - ( iff*
dung (s. Bild 5.14)

Bild 5.14: Bindung in Ethen: a ) Formel b) Valenzelektrorten -

-
konfigurütion des angeregten C Atoms c) Jedes C Atom bildet mit
seinen drei sp2- Hybridorbitalen drei (r- Bindungen , d ) p-Orbitale bilden
-
die K- BINDUNG .

Bei Acetylen ( Ethin ) C2 H 2 wer-

den die s-Ü Tbitale angeregt und
zwei 2p-0rbitale bleiben mit ih - HC = H
c -m- t Zs
mit
-
,

GJ Sp 3f
rem Energicinhalt erhalten sp - bK sie^ung Bedungen
-
—
Hybridlsiemng * Ausbildung
3T1
von zwei a - und zwei - Bindung
^
Dreifachbindung (s. Bild 5 , 15)
1s 1s
M
c
* 3

dl

Bild 5.15: Bindung in Ethin: a) Formel b) Valenzelektronen-

konfiguration des angeregten C- Atoms c) Jedes C Atom kann mit -
-
seinen zwei sp Hybridorbitalen zwei 7< - Bindungen bilden, d) Die
senkrecht zur Molekülebene stehenden p-Orbitale überlappen unter
Ausbildung von zwei n-Bindungen ,

Die geometrische Gestalt von Molek ü len läß t

sich durch den Bindungsgrad nA.„ > Bin -
dungsabstand dAB und Bindungsw üikel
c
i -
wr .
\
C
15J
genau angeben (s. Bild 5 , 16). Die Bindung
* - nsa c m 'S
cnergie E( A.BJ ist ein Maß f ü r die Festigkeit c
der Bindung. Beispiele gibt die nachstehende mvr H I *

rl abeile. Kovalente Bindungen werden erst bei aj

*) C)

* zerst ö rt , wodurch Bild 5.16 : Molekülgesialt wichtiger Monomere mit

ll dcr Makrom - eingetragenem Bindungsabstand in WiQ m und
-
üle kom
^ ° a) Methan b)
: Ethen; c) Ethan
winket:

92
Bindungs-
art
Bindungs
grad
- Bindungsab - gemessene Bindungs - Bindungswinkel
stand energien [ kjmol'1 ]
[ 10 i 0 m]
'

C-S 1 1,81 260 - 281

-
C Cl 1 1,77 -
280 335
C-Cal 1
C- 0
^ L

1
1 , 54
U43
250 - 352
295 - 358
CCC 109,5 *
COC 107 °
C- H 1 1,09 370 - 415 HCC 120 HCH 109 ö
N -H 1 1,02 -
349 390
C-N 1 1,47 242 - 410
S0- 1 1,66 -
232 374
C-F 1 1,31 460 - 486
rr 1 1,40 402 - 523 CCC 124 * (120 °)
C=C 2 1,35 -
427 611
c=o 2 1,22 624 - 762
C =C 3 1,20 -
528 816
Tabelle 5.1 ; Bildungsgrad , -abstand „ -energie und -winke! f r kovalente Bindungen
ö
Die sekund ä ren Biudungskrä fte entstehen durch Ladungsverschiebung (
Polarisation ) und Dipolbil-
dung. Die zugehö rigen Bindungsenergien sind um ein bis drei Größ
enordnungen kleiner als die von ko-
valenten Bindungen ( vgl auch Abschn . 2,4.4) ,

Auswirkungen :
in Plastomeren (Thermoplasten): Sekund äre Bindungen bewirken Zusammenhalt von
untereinander nicht chemisch gebundenen Makromole-
k ü len
in Kristallinen Strukturen:
Sekund ä re Bindungen lassen dreidimensionale kristal-
line Strukturen entstehen
in D ü mmeren ( Duroplasten ) bzw.
Sekundä re Bindungen ü berlagern sich den Atom -
Elastomeren : bindungen in Makromolek ü len b /.w , den "Vernetzun -
gen'*
bewirken charakteristische Eigenschaften insbesondere bei Plastomeren:
• niedrige Schmelztemperaturen
• breiter Erweichungsbereich
• kautschukelastisches Verhalten

93
 b} Typische Reaktionen von Monomeren zu Polymeren

3 Haupttypen: Polymerisation , Polykondensation und Polyaddition

Polymerisation:
Chemische Umsetzung eines oder mehrerer, chemisch gleicher oder verschiedener, reaktionsfähiger ,

niedermolekularer Verbindungen (Monomere) zu einem linearen , verzweigten, vernetzten oder cycli-

schen Polymer (Makromolek ü l). Zu den reaktionsf ähigen Monomeren gehö ren Reaktanden mit
Mehrfachbindung (I) oder mit cyclischen Kohlenstoffanordnungen (II), welche unter Ringöffhung
reagieren .

Beispiele:
Isopolymerisation : Verkn ü pfung gleicher Monomerer unter Aufbrcchcn der Doppelbindung

H H H H H H H H H H H H
I I I I I I
(I) ... + c= c+ c= c + c= c - c- c- c- c- c- c- Polyethylen (PE)
1 1 ! 1 I I ! I I aus Ethylen
H 1 H H ft H H H I H H H -
TT TT *

0 H O H
/ CO / CO I I I I Polyamid (PA )
( H) ... + R/ |
\ NH
+ R
V NH - C - R - N - C - R - N- aus Lactam

Copolymerisation : Verkn ü pfung von verschiedenen Monomeren nach:

nA + mB » -[A n B J -

Einstellung von Eigenschaften in großer Variationsbreite m öglich, z. B. bei

Polyolefinen und Polyaldehyden

Unterscheidung:

* -
Block Copolymere Polyblends ( Polymergemische)

UJ
u 14 an a H Cl H H H H
’1 I * 1 [ , l I I Cf
c c c G o c -o e c c -c T-

I I I I I l 1 I I )
ft 1-1 H H W H H H (i H (-1 '
>

Wo eg kj
V KJ
v-*
Bild 5.17: Block -Copolymer mit zwei verschiedenen Bild 5.18: Polyblends mit nur einer Monomerart
Monomerarten in einer Kette in jeder Polymerkette

94
Dreiphasiger Rcaktionsahlauf:

Kettenstart (Initiierung): kann anionisch, kathodisch

und radikalisch sowie enzymatisch und
-
strahlungsinduziert ablaufen * Entstehung aktivierter Molek ü
le
• Keltenwachstum (Propagation):
anionisch: M B +M- -M Bt , -t M -M
kathodisch: -M „
*

radikalisch: R- + M R M + M - R M2
M+M
-
-
• M +
ilM +M
-- -
• Kettenabbruch (Termination ): Möglichkeiten des Kettenabbruchs variieren und h ängen von
der RcEiktionsnicthode ah

Polymerisadonsgrad n : mittlere Anzahl der in einer Kette vorkommenden Monomereneinheiten: z, B .

-
350 s n s 180000

technisch wichtige Polymerisate: Polyethylen ( PH), Polypropylen ( PP), Polyvinylchlorid ( PVC ); Po -

lymethacrylsäuremethylestcr (PMMA)

Polykondensation:
Chemische Reaktion von niedermolekularen Monomeren mit bi bzw poiyfunktionalen Gruppen, die -
unter Abspaltung von niedermolekularen Produkten wie Wasser, Ammoniak, Chlorwasserstoff und
Methanol reagieren und lineare oder vernetzte Molek ü le bilden. Die Abspaltungsproduktc stammen
aus den funktionellen Gruppen.

Beispiele:
u -Li n.

Polykondensation aus einer Monmiicmiart : Jedes Monomer tr ü gt zwei verschiedenartige funktiond -

Ic Gruppen: V
-
Schematisch: X R - Y + X R '- Y * X R - R ' Y + X - Y - -
reale Beispiele: Silikon entsteht aus Silanen
1. Reaktionsschritt: X H und Y - OH

CH3 CHJ CH CH ,
-1
MO Si
CH 3
1

V
*

\
“
-
H ' Si OH
1 -

CHj
- HO Si O Si GH
C 1
--i-
CH ,
+ H 20
51

95
Polykondensation verschiedenartiger
Monomere. Jedes Monomer trägt zwei gleichartige
funktionelle Gruppen:
Schematisch: X- R- X + Y - R '- Y
reale Beispiele:
- X- R- R - Y + X Y
Polyester aus einem Dialkohol und einer
-
Dicarbonsä ure
1. Reaktionschritt : O O O O
HO R-Ö H + HO - C - R '- C - OH - fl
HO - R - O- C - R '- C - OH + H
20
Realtiomgeschwindigkcil ,
is ober die gesamte Reak ionsdaue unabhängig . ,
olykondensattonsgrad , da am Ende der Kette dieselben funktionellen Gruppen f ür weitere
tionen zur V erf ügung stehen.
vom
Reak -
technisch wichtige Polykondensate: Polyester, Polyamide (PA), Phenol -, Hamstoff-Formal -
dchydkondensate, Silikone

Polyaddition:
Chemische Reaktion , bei der nicht wie bei einer Polykondensation niedermolekulare Teilchen ab-
gcspalten werden, sondern die Monomere direkt zum Grundbaustein des Polymers addiert werden.
Hierbei findet eine fortgesetzte Addition eines Rcaktanden an eine Kohlenstoff-Hctcroatom-Dop-
pelbindung (- C=X) statt, wrobci eine intramolekulare Umlagerung des Wasserstoffatoms erfolgt .

schematisch: X = C = R = C = X + H - Y - R ’ - Y- H * X = C = R = C - X - Y - R '- Y- H

Beispiel: Bildung eines Polyurethans ( PUR) aus einem Diisozyanat und einem Dialkohol

O = C = N - R- N = C = O *
_ m O = C = N -R - N - C -O -R'-O - H
" ‘
,U L 1
'
| »
-
+ H O - R' O - H - H O

Wie bei der Polykondensation h ängt auch bei der Polyaddition der Polymerisationsgrad vom Rcaktions-
umsatz ab.

technisch wichtige Polyaddukte: Polyurethane ( PUR ) und Epoxidharze ( EP )

Einige Beispiele f ü r technisch wichtige Polymere sind in I ab. 5.2 zusammengestellt.

96
Poly ä thylen ( PE ) : - CH -CH -CH -CH -CH -CH:-CH -CH -CH -CH -
2 2 2 2 2 2 2 2 2

Polytetra - fluor -
athylen (Teflon, FTTE ):
-CF2 -CF2-CF2-CF2-CF2

C.H 3 CHJ CH 3
1 i
Polyisobutylen ( P1 B ) : -
-CH 2 C-CH 2-C CH 2-C CH 2 - - -
CH3 CHJ CHJ
Polyvinylchlorid ( PVC): -CH 2-CH-CH2-CH-CH2-CH-CH 2-CH-CH 2-CH CH 2-CH- -

C1 CI CI CI CI CI

Polypropylen ( PP): -CHJ-CH-CH2-CH-CH 2-CH-CH 2 CH-CH2-CH-CH 2-CH- -

CHJ CHJ CHJ CHJ CHJ CHJ
- -
Poly -cis l ,4 isopren -CH 2
V /
CH 2 CH 2 - V /
CH 2-CH ,
\ /
CH 2 CH 2
\ /
-
CH 2-
( Naturkautschuk ):
C = CH C = CH C = CH C = CH
I I I I
CH3 CH 3 CHj CHJ

Polystyrol PS CH2 CH CHj CH CH 2 “ ~ CH

— CH 3 “ CH -

S/
Polymethacrylsdurp - CH3 CHj CHJ CH 3
methylester PMMA
[ Plexi gl ü sl
CHj C CHJ C' CHJ C CH ? ~ C -
COOCHj COOCHj COOCH 3 COOCH3
Mycoprolcctom PA
( Perlon ] — NH
— —-— ICH ? )S C NH
I
0
( CH 2]5
— C- WH
I
0
— (CH 3]5 -CH
0
—
Polyacrylnitril CH? CH CH 2 CH CH 2 CH CH 2 CH CHJ CH CH 2
( DiolonOrlon]
(
I.
CN
1
CN
I
CN
I
CN
I
CN
CH
I
CN

———————————
Polydimethylsiloxon CHj
( Silicon ]
CHJ CHJ CHJ CHJ
0 Si 0 $i 0 Si 0 Si 0 Si
I I 1
CHj CH3 CH 3 CHj CH 3
Polyimidazopyrolon
N

sC H N N
C : r c
J
1
0 0 a a
Tabelle 5.2: Technisch wichtige Polymere und ihr chemischer Aufbau

91
c) Aufbauprinzip und Infrastruktur von Polymeren

Man unterscheidet:
H Konstitution: Grundsä tzlicher Aufbau
O Konfiguration: Räumliche Anordnung
O Konformation: Reversible r äumliche Anordnung von Seitengruppen

Konstitution:
beinhaltet alle Angaben, die die Verkn ü pfung von Atomen bzw. Atomgruppen zu Makromolekü
len
betrefTen (s . Bild 5.19):
- das chemische Aufbauprinzip mit Typ und Anordnung der Kettenatome
- Art der Substituenten und Endgruppen
- Sequenz der Grandbausteine
- Art und Länge der Verzweigungen
- die Verteilungsfunktion und der Mittelwert der Molek ü lmasse

bei linearen Makromolek ü len ( fadenf

örmig):
Verkn ü pfung bifunktioneller Gruppen zu langen Ketten. Die ggf. auftretenden Seitenketten
- -
(Substituenten) k önnen aus nichtmetallischen Gruppen wie H, OH , - O, - CI oder F bzw. aus
-
organischen Resten CH - CH 3OH oder - C6H5 bestehen.
*
bei unsymmetrischen Monomeren :

- -
z, B.VinylVerbindungen H 2C CH - CI (Vinylchlorid), H2C = CH - CÖ H 3 (Styren)
unterschiedliche Zusammenlagerungen möglich :
regelm äßige Zusammenlagerung ( Kopf - Schwanz - Kopf-,., )
*
-
alternierende Zusammenlagerung (Kopf - Kopf Schwanz - Schwanz)
-
• regellose Zusammenlagerung (statistische Folge von Kopf Kopf , Kopf - Schwanz und
Schwanz - Schwanz- Anlagerungen)

Verzweigte Makromolek ü le (s, Bild 5.20):

entstehen durch Einbau höherfunktioneller Monomere oder ( z , B. bei Polyethylen ) durch
-
Ersatz eines H Atoms durch eine Seitenkette
besitzen in Hauptketie und Scitcnkette den gleichen chemischen Aufbau
sind viel h ä ufiger als streng lineare Molek ü le

R äumlich vernetzte Makromolek ü le ( in Elastomeren und Puromcren) entstehen durch:

.
a) Einbau vieler polyfunktioneller Gruppen (z.B Phenol- und Melaninharze)
b) durch Aufbrechen von in linearen Makromolek ü len vorhandenen Doppelbindungen und
anschlie ßender Vernetzung untereinander
c ) durch nachträgliche chemische oder durch Strahlen hervorgerufene Vernetzung norma
lerweise unverletzter Makromolek ü le (z.B* Polyethylen und Polypropylen )
-

98
 Homo polymere aus symmetrischen
Struklureinheiien
.
Beispiel: IPE PTFE
Homopolymere aus Slruktureinheiten, die sich
Komponenten zusammensetzen, Beispiel PA aus zwei
: 6.6
Homopolymere aus unsymmetrischen
mit regelmäßiger Aneinanderlagerung Struktureinheiten
-
(Kopf -Schwanz Anfagerung) Beispiel : PP,
PVC, PS
Homopolymere aus unsymmetrischen Struktureinheiten
mit alternierender Auseinandertagerung
-
(Kopf - Kopf S chwanz -Schwa nz - Anlag erung)
Homopolymere aus unsymmetrischen SiruktuEinheiten
mit statistischer Aneinanderlagerung

Kopolymere aus zwei und mehr Sorten

Struklureinheiten mit altemierenderAneinandertagemng

Kopolymere aus zwei und mehr Sorten

Struktureinheiten mit statistischer Anemandertagerung
Block-Kopolymere: Kopolymere aus zwei und mehr Sorten
Struktureinheiten mit Aneinanderlagerung von Blöcken aus
t symmetrische Strufcturänheil
-
jeweils einer Sorte. Beispiel: ABS, PE -PP Kopolymere

CH SbnÄtureiirihöil aus Kcmpon 'ilen

^ O SUii urelnhail der Softe A
^
^ WiSyffimetri&che S riAturelnheil
^ • StryfcMelnbeil der $0110 B

Bild 5.19: Schema fische Darstellung linearer Konstitutionen mit

Beispielen (Erläuterungen der
Abkürzungen : ABS & Acry>Initnl / Polybutadlen/Slyrol-Propfpolymere, übrige
s. Tab.5.2)

^ ^
Pfropf-Kopolymere (Graft -Polymere):
Kopolymere aus zwei und mehr Sorten
CQDC 0CC 3C 0

^ Cjj|^
^
Struktureinheiten mit aufgepfopften Seitenketten
-
Beispiel: modifizierte Kautschuke, PVC -VA Kopolymere

Polybiends: Polymergemische aus zwei Hochpolymeren

CXXOOCOOCCCOOCXXXXODOO— (physikalisches Gemenge)
Beispiel: PS *S2 (schtagzahes PS)

lineare Hochpoiymere (Fadenmoleküf )

.
Beispiel: Plastomere, z B, fin. PE

verzweigte Hochpoiymere
. .
Beispiel: Plastomere , z B. verzw PE

1 vernetzte Hochpolymere
Beispiel: Elastomere, Duromere

O Slruklu*einheiI der Sorte A

•Slruklureinheit der Sorte B

Bild 5.20 ; Schematische Darstellung

verzweigter sowie vernetzter Konstitutionen mit Beispielen
(Erläuterungen der Abk ü rzungen s.
Tabr ) 5.2

99
Konfiguration:
'

F0l : unterSL'hiedliche technische Eigcnschnfkn

*
* * von Konfiguratioosisomeren
- liefert Aussagen zur:

Tnktizitiit un(| cis-trans-Isomeric

von Substituenten von Atomen oder Seitengnippen
* statistisch (ataktisch) * benachbart (cis)
* alternierend (syndiotaktisch) • gegenüberliegend (Irans)
* nur auf einer Seite (isotaktisch)

Folgen: Syndiotaktische oder isotaktische Konfiguration ö

f rdert kristalline Strukturen.
Ataktische Konfiguration be- oder verhindert kristalline Strukturen ,

ataktische Konfiguration:
Statistische Anordnung der Substituenten im Raum
b o Beispiel: atakt PP.
O c 6 6 d
o syndiotaktische Konfiguration:
i
j Alternierend regelmäßige Anordnung der Substituenten
6 v Op _ OXJ im Raum Beispiel: synd. PP
o 0 d

f i&otaklischo Konfiguration ;
r Einsoilig regelmäßige Anordnung der Substiluenten im Raum
f
o 0 b 0 0 Beispiel: isotakt . PP
d d d a d d
-
tron s Konfigurattan:
1 7 Alternierend regelmäßige Anordnung der Substituenten
an den doppelt gebundenen Atomen
i
- Potylsopren (Natur-Kautschuk )
Baispiel: 1,4 tranS‘
a d

rz
o ps -Konligurotlon:
Einseitig regelmäßige Anordnung dar Substituenten an den
doppelt gebundenen Atomen
S Beispiel: 1,4 - ds-PolyIsopren (Guttapercha )
6 ö ö
Ö ryMsül OCkMoni (d) i, ß, -CMNi
Mild 5.21; Schematische Darstellung verschiedener Konfigurationen mit Beispielen

100
Konformation :
Kons,itu,ion
2Zuordnung best,mm Konflgutalion ein» Beschreibung
, Atomgruppcn „„„r der gcomebischen A
und

Konformationsisomere:
in er MoleMce die dLh Ä
oder an der
^ H
Diese Isomere entstehen durch Umklappen oder Drehung
Atomgruppen um diese Verbindungsachse, ohne daß dabei die
der
C 7V
Hauptvalenzbindung gelöst wird. Hs sind reversible Vorgä nge.

1 Beispiel: Ethan (CH 3- CH3) (s. Bild 5.22)

*
H
A H
a ) gedeckt
H
H AT J H
gestaffelt

HH
-
2. Beispiel: n Butan (CH 3CH 2- CH 2CH 3) (s.Bild 5.23 )
K

- Verringerte Symmetrie, mehr Konformationsm öglichkeiten,

aber die gestaffelte Konformation besitzt die niedrigste Energie
H H
H
H

und wird bevorzugt eingestellt. b) gedeckt gestaffelt

Bild 5.22: Gedeckte und gestaffelte

Konformation des Ethans

Schritt i 2. 3. 4. 5. 6. 1.
MoLekijl -
gestalt
Kon- 1 trans- 2. schief - 3. gauche- 4. cis- 3. gauche- 2 . schief- Itrans-
formation gestaffelt gedeckt gestaffelt gedeckt gestaffelt gedeckt gestaffelt

Projekt-
darstellung

ö 25
E
ä 20
< 15
a»
s 10
r-
.1 1

O
5
0 .
0 60 ° 120° 180° 240° 300 * 360*
Rotationswinkel
H oCH, trans (t ) gauche (g) gauche (g ) Irans ( t)

Bild 5.23 : Konformation und Potentialverlauf eines n- Butan-Moleküis ( CHiCH 2- C'H2C in

Abhä ngigkeit vom Rotationswinkel

101
d} Hauptgruppen von Polymeren I
,
I s ex slieren drei Gruppen polymerer Werkstoffe mit amorphen
Molek ül anordnun gen:

Plastomere (Thermoplaste )

Die ( unvemetzten ) Plastomere k ö nnen gro ße amorphe Anteile aufweisen, wenn die Monomere
große
( sperrige) Atomgruppen besitzen.

Unterscheide:

Filzstruklur Zellstruktur

/
/

-
c.

Bild 5.24: Filzstruktur (schematisch) Bild 5.25: Zellstruktur (schematisch)

Durch Erh öhung der Temperatur entsteht ein viskoser Zustand stark plastisch
verformbar
-
ei weiterer Erh ö hung der Temperatur Aufschmelzung * genutzt beim Spritzgu , Recycling
ß

Duromcre (Duroplaste ): r

besitzen engmaschig chemisch vernetzte hMakromo- t

lek ü le ( Makromolekülbegriff nur bedingt anwend

bar!) (s. Bild 5.26)
-
Makromolek ü le » die miteinander durch Prim är
bind ungen verkn ü pft sind
-
m
Beim Erwärmen geringer Festigkeitsverlust, aber
Zersetzung der Makromolek ü le » bevor ein

-
schmelzfl üssiger Zustand eingestellt wird
nur noch spanabhebend formbar . Bild 5.26: Engmaschig vernetzte "Makro-
moleküle*' in einem Duromer (schematisch )

102
 \ V

\
li L {< T* r\

Elastomere

besitzen weitmaschig chemisch vernetzte "Ma -

kromolek ü le" (s . Bild 5 , 27 )

-
* durch Strecken der Molek ü le und Schervorgängc
des Gerü sts sind gro ße elastische Deformationen
möglich

e) Additive

Zusätze, um gezielt Eigenschaften einzustellen , die t

mit dem Polymer allein nicht möglich sind
und/ oder um Kosten 2 ü senken
Bild 5, 27: Weitmaschig vernetzte " Makro-
• Weichmacher: moleküle" in einem Elastomer (schematisch)
durch Zumischen von niedermolekularen
Polymeren wird der Abstand der Fadenmolek üle vergrößert

# F ü llmaterialien :
durch Zugabe von inerten Materialien (z . B . kurze Cellulose- oder Asbestfasem) wird die Mobilit ät
der Ketten eingeschränkt, was zur Festigkeitssteigerung fü hrt. Zusätzlich werden die Kosten gesenkt.

* Stabilisatoren :
sie verhindern , da ß die Polymere durch oxidative, thermische oder UV-Licht Einfl üsse zerst ö rt
werden

# Farben :
Pigmente: zugefü gt in Pulverform und unlöslich im Polymer: z, B . Titanoxid oder
Aluminiumoxid
Farbstoffe: organische Verbindungen, die im Polymer löslich sind und eine Bindung eingehen,
können auch transparent sein (abhängig von der Lichtbrechung)

Flammverzö gcrer :
Die Verbrennung von Polymeren erfolgt durch die Reaktion von C - H-Verbindungen mit Sauerstoff ,

ln Gegenwart von Halogen - ( Chlor, Brom ) und Phorsphorverhindungeri wird dieser Proze ß durch
Bildung von freien Radikalen, die als Fänger f ü r die bei der Verbrennung entstehenden
Kohlenstoffradikale dienen, verhindert.

53.2 reilkristallinc Werkstoffzustände I

Kn stall in-amorphe (teilkristalline) Zust ände sind •
bei Thermoplasten, deren Molek ü lgruppen nicht zu
sperrig" sind, leicht erreichbar Die in
, Absehn , 3 , 6.1 besprochenen kristallinen Bereiche ( z. B.
Faltungsblöcke) in Polyethylen sind stets durch amorphe Bereiche voneinander getrennt. Streng genommen
sind daher praktisch alle Polymere, die kristalline Volumenberdche enthalten, teilkristallin.

103
6 Legierungslehre - Gef ügeentwicklung im Gleich-
gewicht
Legienmgsbildung « Prinzipien der Vereinigung eines Elementes (Legicrungsbasis, Matrix, Komponente
A) mit einem (oder mehreren) bewusst / uersetzten Elementen (Legierungselementen , Zusätzen,
Komponenten, B. C\ D. ...) zu einem Festkö rper .
Man spricht von einem verunreinigten Stoff , wenn das Basiselement nicht beseitigte (beseitigbare)
*

Begleitelemente enthält.

Beispielsweise gilt flir Metalle ;

Reinste Metalle mit 99,9999 Masse- % A = 6 Ncuncr Metall - -

* -
99,999 Masse % A = 5 Neuner Metall
99,99 Masse- % A= 4-Neuner-Metall
- -
Reines Metall 99,80 Masse- %
Metallegierung < 99,SO Masse- %

Festlegungen der Reinheit sind ofl metallspezifisch

Bei (extrem) hohen Reinheits- und Xachweistbrderungen bedient man sich auch der Maßzahl
-
ppm = parts per million: 1 ppm = 10^ = 10“ * Atom % (also z.B. ein Yemnreinigungsatom auf 10* Atome
des Metalls’ )

6.1 Konzentrationsangaben bei Zweistoffsystemen

Die Konzentrationsangaben bei Legierungen erfolgen entweder in Masseprozent oder in Atomprozent.
Mit Masseprozenten wird zweckm äßigerweise bei legierungstechnischen Problemen, mit Atomprozenten
bei stnikturmechanischen Problemen gearbeitet , ln nietallographischen Analysen werden Yohimen -
anteile der interessiertenden Gefugebestandteile bestimmt. Bei Zweistofflegieningen (Zweistoff
systemen) wird von den nachfolgend angegebenen Definitionen ausgegangen .
-
b. 1.1 Masseprozent
Lieger, die Elemente (Komponenten ) A und B in einer Legierung mit den Masseanteilen
mA und mB vor,
dann ist die Massekonzentration der Komponente A
mA
cA
mA + n ,B 100 Masse % - (6-1)

Entsprechend ergibt sich die

MassekonzentTation der Komponente B zu

CD 5

mA
m
+ —
5 100 Masse % -
Selbstverständlich gilt
CA 4
CB = 100 Masse - % (6.3)

104
 p
Die Umrechnung von Masseanteilen auf Gewichtsanteile, wie sie in der Metallurgie nötig sind,
erfolgt über die Beziehungen G s - mAg und G9 = mgg. wobei g die Erdbeschleunigung ist.

6.1.2 Atomprozent
Liegen von den Elementen (Komponenten) A und B in einer Legierung nA und nB Atome vor,
dann ist die Atomkonzentration der Komponente A

c' = —nA — —nB+

• 100 Atom -% (6.4)

Entsprechend ergibt sich die Atomkonzentration der Komponente B zu

Cß =
nA
n
+ —nB
• 100 Atom % - (6, 5 )

Wiederum gilt

100 Atom -% ( 6.6)

cA ^ cB =

-
Die Anzahl der Atome des Elements A im Masseanteil mA berechnet sich mit Hilfe der Molmasse
m A) bzw. der relativen Atommasse A,(A ) mit a = 1 [g mol ] und der Avogadroschcn Zahl NA ( vgl
^
Abschn. 2.1) zu

nAA
m.
mM( A) — NAA =
m,
oAr(A)
"
NAA (6, 7)

Entsprechend gilt

na =
m„
2- NAA =
m„
2
_ " NA. (6 . S)
mM(B) oAr(B)

6.1 .3 Volumenprozent

Liegen die Komponenten A und B in einer Legierung mit den Volumenanteilen VA und V# vor,
dann ist die Volumenkonzentration der Komponente A

CA
*
=
VA
VAA
* — • -
100 Vol. % (6.3)

Entsprechend ergibt sich die Volumenkonzentration der Komponente B zu

w
Co&
Va2 . 100 Vol. -% (6.10 )
V h * Vv B

Dabei ist
c" c" = 100 Vol. -%
o
105
6.1 .4 Zusammenhang zwischen Masse-, Atom- und Volumenprozent

Bei gegebenen Konzentrationen in Masseprozent berechnet sich der

Atomprozentanteil des Eie-
ments A zu

^—
c/ 100 Atom -%
=
A A)
- (6.12)
1 +
S Ap(B)
und der des Elements B zu
c>
“
_ 100 Atom -%
(6.13)
i ;
CA AT(B)
CB Ar(A)
sowie der Volumenprozentanteile des Elements A zu

H 100 Volumen -% (6.14)

CA 85
cB PA
1 +
CA PB
und der des Elements B zu

CB
// 100 Volumen % - (6. IS)
c A Pö
1 +
CB PA
Dabei sind AT (A) und Ar ( B) die relativen Atommassen und pA und pB die Dichten der Komponen-
ten A und B.

Bei gegebenen Konzentrationen in Atomprozent erhä lt man als Masseprozentanteile des

Elements A

cA
100 Masse -% (6.16)
CB A,(B )
1 +

< Af(A)
und des Elements B

100 Masse -% (6.17)

1 +
CA MA>
CB Ar(B)

106
sowie als Yolumenprozentanteil des Elements A

cA
// 100 Volumen % - (6.18)
l ^
CP AiCp) PA
ei \(A) Pl3
und des Elements B

eu
//
s
100 Volumen -%
( 6J 9)
, +
^ *,<*) PB
CB \(B) PA
Bei gegebenen Konzentrationen in Volumenprozent schlie ß lich berechnet sich der Massepro-
zentanteil des Elements A zu

cA 100 Masse %
n
- (6.20)
i +
CA PA

und des Elements B zu

100 Masse -%
CB = ft
(6- 21 )
CA PA
1 +
//
c a PB

sowie der Atomprozentanteile des Elements A zu

100 Atom -% (6 , 22 )
t
CA =
] *
Pff ArtA )
CA PA A/B)

und der des Elements B zu

cCB' = 100 Atom % - (6.23)

CA PA A ,(B)
1 +
CB PB a,(a )

107
 6.2 Erscheinungsformen von Legierungen
6.2. 1 Homogene Legierungen X
- i

- W
Bei homogenen, zweikomponentigen Legierungen (homoge-
nen Mischkristallen ) ist der Legierungszusatz B im Basisgit
' /

tcr A ( Wirtsgitter) entweder substitutioncll ( ausgetauscht )

oder interstitiell ( eingelagert ) gelöst, tritt also m Form von
Substitutions( Austausch)mischkristaJlcn oder Interstitions( - -p

Emlagerungs)mischkri stallen auf ( vgl. Abschn 4.2.2 und

.
4.2.3) Das Gef ü ge besteht nur aus einer Komart. Ar
- -
'

BVA /
Folgende Mischkristallarten sind bei zwei und mehrkompo ßM &;. Kornge ß ge emer homogene„
nentigen Metall-Legierungen zu unterscheiden: Legierung ( schematisch )

Misch kn stall an A Liftau

1 einfache Substitution -
B Atome auf regulä ren Platzen FeMn, CuSn *
t -
des A Gitten (btnire Legierung) CoZa, CuN t
2 mehrfache Substitution -
B und C-Atome auf regulären
Platzen des A -Gmcrs
FeMnSi ,
CuSnZn,
(temftre Legierung) CuNiZn
3 einfache Intcrstition B- Atome auf Gitterl ücken des .
FeC FeS
-
A Gmcrs
A mehrfache Immtition - -
B und C Atome auf Gitter
l ücken des A -Gmcrs
- FeCN

5 etnfache ( mehrfache) Substitution

und einfache ( mehrfache) lnterstition
- --
B- Atome (C , D ...Atome ) auf regul ären
-
Plitzcn und M Atomc (N -, 0 ...Atomc )
FeMnC,
FeNiCrCS
auf Gitterl ücken des A -Gmcrs

Auch bei keramischen Werkstoffen gibt es homogene Legie-

rungen . So liegt beispielsweise :m System NiO MgO eine - r
vollkommene Löslichkeit im festen Zustand vor und es
lassen sich zwischen 100 % NiO und 100% MgO alle belie -
bigen Mischungen realisiercn. u
Bei den polymeren W erkstoffen lassen sich die Kopolymere
( mit Ausnahme einiger Pfropf- Kopolymere ) als homogene
"Legierungen" ansprechen, da unterschiedliche Monomer -
anen in den Makromolekü len kombiniert sind (vgl . Abschn.
5.3 . 1 .C)). Sie sind zu unterscheiden von den sog Polyblcnds.
also physikalischen Gemengen aus zwei oder mehr Hoch -
polymeren. 6.2: Kornge ßge einer heterogenen
6.2 . 2 Heterogene Legierungen
.
.

Bei he oege,*» Legierungen meullischer «de j

Komarten vor, die sich chemisch und
bestehen aus mindestens zwei verschiedenen
gender Polymer- W^erkstoff ist . Die häufig
,
strukturell
organischen

teile können chemisch und/öder physikalisch unteremande ^

Legierungen können folgende Phasen auftreten:
—
unterscheid
Stoffen, von
Legierung ( schematisch)

. -A: «nzusammenhän-
GefÜ&ebestand-

108
 '
Beispiele
Ehaae i Phase 2
Legierung Phase l Phase 2
1 reines Metall reines Metall B FcPb Fe Pb
AgCr Ag Cr

--
2 reines Metall Mischkristall GcAg Ge Ag reich
SiAu Si A ü retch

3 reines Metall intermetallische MgZn Zn MgZn ,

Verbindung AgSr Ag AfeSr
4 reines Metall intermediä re CuO Cu CuO
Verbindung CuS Cu CLt,S

-
5 A reicher Misch
kristall
- B -reichcr Misch
kristall
- Cr Ni
PbSb
--
Cr Tcieh
Pb reieh
--
Ni reich
Sb reich
-
( A a Mischknstall) ( A ß Mischkristall )

6 Mischkristall intermetallische CuSn -

Cu rciich Cu,Sn
Verbindung AlMg -
Al reich Al Mgj
^
7 Mischkristall intermedi äre Ver- FeC Fe-reicli FftjC
bindung ( ü MK)
FeN -
Ft rcich Fe , N

S intermetallische intermetallische CuSn, Cu,Sn CujSn

Verbindung Verbindung Al Mn AI 6Mn Al,Mn

9 intermedi ä re Ver intermedi ä re Ver- FeO FC 04, FeA

bindung bindung CuO CU;0 CuO

tUi/ -
6.3 Die Phasenregel
Die Phasenrcgel gibt eine thermodynamisch begründbare Basis für die Beurteilung heterogener
(mehrphasiger) Gleichgewichtszustände von ein- und mehrkomponentigen Systemen . Erfahrungs-
gemäß verfugt ein aus K Komponenten bestehender Werkstoff» der in P Phasen vorlicgt , über
F Frciheitsgradc. Es gilt
F+ P=K+ 2
Festlegung der Begriffe:
K = Komponenten A ehern . Elemente, die das System bilden. Verbindungen (mit tester che -
mischer Zusammensetzung) werden bei der Anwendung der Phasenregel
behandelt wie ein chemisches Element

Beispiele: Legierungen Komponenten

AlCu AI . Cu
CuZn Cu, Zn
CuNiZn Cu, Ni , Zn
FeC Fe, C
FcNiCrC Fe, Ni , Cr, C
AljOjSiOj A1A, SiO;
ZrOjCaO Zr03 , CaO

109
 Man spricht bei K. = 1 von reinen Stoffen oder Verbindungen, z .B. nur Cu, nur A12OJ
K=2 von binä ren Legierungen
K=3 von ternä ren Legierungen
K=4 von quartern ä ren Legierungen
P = Phasen * durch Grenzflächen (Phasengrenzen) voneinander getrennte Wcrkstoflberciche,
die sich physikalisch und chemisch voneinander unterscheiden.
Beispiele: In Eisenbasis-Lcgicrungcn kö nnen nebeneinander auftreten und Pha-
sengrenzen bilden
a-MK / Y MK-
-
a-MK / y MK / Fe3C
-
8-MK / Y MK / FejC / S
Man spricht bei Pe1 von einphasigem (homogenem ) Zustand
P* 2 von zweiphasigern (heterogenem ) Zustand
P=n von n -phasigem (heterogenem ) Zustand
F = Freiheitsgrade A Zustandsgrößen eines Systems, die frei verändert werden kö nnen, ohne daß sich
die Zahl deT Phasen ändert .
Beispiele ; Temperatur T
Druck p
Konzentrationen cB oder cB, cc oder cc, cD oder cD, ...
Man spricht bei F=0 von nonvariantem Gleichgewicht
F 1 von univariantem Gleichgewicht
F= 2 von bivariantem Gleichgewicht
F=3 von trivariantem Gleichgewicht
Da die meisten werkstoffkundlichen Betrachtungen unter Normaldruck
p = konst. - 1 atm = 1,013 bar
erfolgen, wird ü ber den Freiheitsgrad Druck verfü gt. Dadurch wird die Zahl der verbleibenden
Freiheitsgrade
F* = F 1- .
% Als "reduzierte Phasenreger ergibt sich

bzw.
(F* + l ) + P - K+2

F* + P * K + 1

WO
 6.4 Zustandsä nderungen bei reinen Stoffen
6.4. 1 Metall ohne Umwandlung im festen Zustand
Beispiele: Cu , Al

Beim Aufheizen besteht zwischen der Temperatur T und der Enthalpie H = U + p V [J/ mol ]
der Zusammenhang laut Bild 6.3:

p - Uo ^sIcxvvV

%,
/N
4

\
T

/
>v -
M t'Tf - _ -
_ _ __ .
^ PPkiX . %
-

t rx
ScVtncA
^
%t -r ^
"
FrsWn rv
IW ^ SS 7>
—
< Q ~ Pher,fift

>
-

BiW 6.5: Zusammenhang zwischen der Temperatur T und der Enthalpie H bei
einem Metall ohne Umwandlung im festen Zustand

T = Ts (2- phasig) Übergang fest * flüssig -

%
örmig
T = TSl (2-phasig) Übergang fl üssig * gasf -
Anhaltspunkte f ü r kalorische Größen liefern

Richard'sche Regel:

spez. Schmelzenthalpie A Hs « 9,2 I s ( J / moll Ts in K!

Fronton 'sche Regel:

spez. Siedeenthalpie A HS| = 92 ls, |J / molJ TS m ^

\

Berücksichtigung des Druckeinflusses zeigt, daß

Ts relativ wenig
und
TSi relativ stark druck-abhä ngig ist.

111
 Typische Temperatur-Druckkurve ( = vollst ändiges Zustandsdiagramm eines reinen Metalls, weil nur
T und p Zustandsvariable sind!) hat folgendes Aussehen:

Man nennt:
TA
1-Tr Sublimationskurve (wenn TI )
'S

Tr- 2 Schmelzkurve
Erstammgskurve
(wenn TI )
(wenn T 1 )
7,
C es-V
*

Tr-3 Siedekurve (wenn T t )

Kondensationskurv e (wenn T 1 ) -
>?
( Verfl üssigungskurve )

l -Tr-3 Dampfdruckkurve
t Tr = Tripelpunkt mit den Koordinaten pTr, TTr

Nach Phasenregel gilt:

F+P=K +2 Bild 6.4: Typische Temperatur - Druckkurve eines
Mit K = 1 wird somit reinen Metalls

F=3-P v 3 PK' i c*

Also: P = 1, F = 2 bivariantes liegt vor in Bereichen

Gleichgewicht örmig
fest, fl üssig, gasf

P = 2, F = 1 univariantes liegt vor längs der Kurven *

^ ^
Gleichgewicht -
1 Tr, Tr-2, Tr-3
% liegt vor im Tripelpunkt
P = 3, F = 0 nonvariantes
Gleichgewicht Tr

1 bar wesentlich
Werkstoffkundlich in den meisten Fällen Schnitt bei p = const. =
=> "reduzierte Form des Zustandsdiagrammes
^

Man erh ält die

T
^
"vertikale Temperaturlinie"

n yj w

-
f a jo* l
^
112
 6.4.2 Metall mit l rmvandlung im festen Zustand
Beispiele: Fe, Ti , vgl . Abschn . 3.4.4

p, T-Diagramm f ür Eisen:

Es treten 3 Tripelpunkte
auf: Av H^ *1
/
1: D, a bzw. 8, S llZ 0 \
2: y , 6, S
3: a, y, £
i
IC
-s ii

e:
hexagonale Eisenmodi - I .- iony)
fikation. die bei hohen
Drücken auftritt / , \
5
«
>i
f
> - n-% tO UV>or
-Te)
rCUtTr
_
^ ^ *

WC

Oi -H £ -(rß -e )
CUa-1
<
^
, \ *
>P
Ao\
-
£//</ 6.5/ p, T Diagramm für Eisen
Also f ür p = 1 bar:

Merke: a und 5 gehö ren zum gleichen Zustandsield und besit-

Tm zen gleiche (krz) Gitterstruktur, werden aber aufgrund
-
U «' A , der Umwandlungen bei p = const. = 1 bar unterschie
de* den!
^
p ~ (AJ WN
r -t n
'

TV

u 15- 36
/
- \e.
— /ft a
/

T -- VA
'

X 113
 6.5 Thermische Analyse
Beispiel: Bin ä re f ^egierung mit vollstä ndiger (Vollkommener, unbeschrä nkter, unbegrenzter;
Löslichkeit der Komponenten
Also: Komponenten A und B bilden l ückenlose Reihe von Mischkristallen

,
starrungsintervall - -
Erstarrung erfolgt bei p const. nicht mehr bei konstanter Temperatur T , sondern in einem Er
AT - T, Tc (a Anfang, e =* Ende)
-
-
--
AT = T}j Tw (li = liquidus, fl üssig Erstarrungsanfang)
(so * solidus, fest Erstarrungsende)
Schematisch:
Beginn der Erstarrung
A und B statistisch
fl ü ssig T T, T,
verteilt in der Schmelze = =
» Kristallisationskeime
Wä rme-
entzug .
T < T < T,

Kristallwachstum

A und B statistisch
verteilt in
-
Mk K ö rnern
T=T . = TW
ENDE der Erstarrung
Bild 6.6: Erstarrung einer binä ren Legierung mit vollst ändiger Löslichkeit der Komponenten
(schematisch )

Also: Temperatur-Zeit-Verhalten offenbar f ü r die Ausbildung des festen Legierungszustandes wichtig.

Aufnahme entsprechender Kurven f ü r p = konst. und c bzw. c' = konst. liefert :

r V« 7 *°° *?• 3
JooV» A F
:o 7
(. . A< Ä ‘
2)
T
A

fte'O
T, . 4
» (hi )
JA
- c (
T / >
6
.
liild 6.7: T t - Kurven für p - to/w /.
114
t
 Anwendung der reduzierten Phasenregel ( vgl. Abschn. 6.3)

reines A Legierung reines B

K =1
- F* = 2 - P
K=2
F* = 3 - P
• Im fl üssigen Zustand ist in allen Fä llen P = 1 . Deswegen wird
K=1
F* = 2 P-

—
F* = 1
Temp T variabel
—
F* = 2
Temp T und
Leg. Konz. cB
F* = 1

variabel — Temp. T variabel

Von Erstarrungsbeginn (t = ta) bis Erstarrungsende (t = te) liegen in allen Fällen feste und fl üssige
Phasen nebeneinander vor.
Also ist P = 2. Somit gilt
F* = 0 F* = 1 F* = 0
T = const. = TcS.A =* T variabel mit =» T = const. = Ts B
T« > T > Tso
f
• Im festen Zustand ist in allen Fällen P = 1 . Folglich gilt

—
F* = 1
T variabel

6.6 Ermittlung des Zustandsdiagramms

F* = 2
=* T u. cB variabel
—
F* = 1
T variabel

Vorgehenswei se:

1. Registrierung der T, t-Kurven f ü r hinreichend viele cB bei gen ügend langsamer "Gleichgewichts-
abk ühlung"
2. Übertragung der Halte und Knickpunkte in ein T, cB-Diagramm ( Zustandsdiagramm )
- -reinen
3. Verbindung aller Liquidus- und aller Soliduspunkte unter Einschlu ß der Schmelzpunkte der
Komponenten A und B durch je einen Linienzug

ü ^ T c,w C6(
'
/ CO 74 a
A
7SA
T * \ f
i
\ v\
NT*
V
t
t
e
l$
— -
>
>

^ C ce
- C u
^
Bild 6.8: Ermittlung des Zustandsdiagramms CV 7o
115
Liquiduslinie und Soliduslinic
Ti A
• sind Gleichgcwichtslinien ! _.
v

——
L
'
• begrenzen Zustandsfeldcr s

Schmelzbereich S ( 1 -phasig)
T S.A s II
L =.

Schmelz- und Mischkristallbereich -A r*

a const.

—
S + a (2- phasig) +
s
Mischkristallbcreich a ( 1 -phasig)
a T5.0

A B
GR
Bild 6.9: Das Prinzip wechselnder Phasenzahlen

6.7 Das Prinzip wechselnder Phasenzahlen

Geraden T * const. hei ßen Temperaturschnitte ( Konodcn).
Geraden Cß = const. hei ßen Konzentrationsschnitte.

Satz: An den Schnittpunkten der Geraden T = const. und cB = const . mit den Begrenzungslinien der
Zustandsfelder ä ndert sich die Zahl der Phasen stets um 1, wenn man ausschlicßt

bei T = const . horizontale Begrcnzungslinien (sog. peritektische, eutektische, eutektoide

-
Gerade, vgl . Abschn . 6.9), die als Mcntartete"-3- Phascn Zustandsfelder ein-
zustufen sind .

bei cB = const. Punkte auf Bcgrenzungslinien, in denen 4 Zustandsfeldcr aneinanderstoßen

(sog. peritektische, eutektische, eutektoide Punkte, vgl. Abschn. 6.9)

6.8 Das Hebelgesetz

-
Veränderung der Brutto Legicrungskonzentration c0 innerhalb eines Ein Phasen-Zustandsfeldes
-
m Veränderung der Fremdatomkonzentration cB = c in der betreffenden Phase
^
Veränderung der Brutto- Legierungskonzentration c0 innerhalb eines Zwci-Phascn -Zustandsfeldes
m Fremdatomkonzentrationen cBj in den beteiligten Phasen bleiben ( bei konstanter Temperatur)

— gleich! Ergeben sich aus den Schnittpunkten von Konodcn mit den Grenzen des Zustandsfeldes
Massenanteile der beteiligten Phasen ändern sich
m Hebelgesetz liefert f ü r Legierung der Masse m mit Brutto-Legierungskonzentration c„bei
Temperatur in den zweiphasigen ZustandsfeIdem die Massenanteile der beiden Phasen
.
jeder
Welche Konzentration cB haben die allerersten Mischkristalle nach der Schmelze?
die letzen Kristalle die sich bilden ?

T
A

£ -TL
-
1*50 - le -

c<, * c* '

; &
\ ft
6 70 Ermittlung der Massenanteile der beiden Phasen mit Hilfe des Hebelgesetzes

Fü r Konzcntrationsschnitl cB = konst . - c gilt: 0

T T,-
T > T = Th
4 : Schmelze S
-
: Bildung der ersten a MK mit cB = cj
(Nur diese sind mit S im thermodyn . Gleichgewicht )

Also:
T =T
T = Te T,
- Ml
-
: Gleichgewicht zwischen a MK mit cR c0 und S mit cB = cs
~
: Gleichgewicht zwischen a-MK mit cB c und Rest S mit cB = ce
0 -

Temp. Masse der Konz. cB der Masse der Konz. cB der

a-MK a-MK Schmelze Schmelze
T* -0 m co
T ma CQ mJ
TB m c6. ^0

Lo
Folgerungen: Cm +
1) Keim mit c, o
Wenn keine Diffu
sion erfolgt , treten
-
Konzentrationsände-
CQ
- f
rungen , sog. Korn
seigerungen auf ( vgl .
-
Bild 6.11) .

Bild 6.11: Ohne Diffusion: Konzentrationsgradienten , sog . Kornseigerungen

117
 Bei hinreichender
Diffusion ü ber Leer- CT\ (
stellen tritt Konzen -
trationsausgleich auf
( vgl. Bild 6.12)

r
Bild 6.12: Mit Diffusion über Leerstellen: Konzentrationsausgleich

2) Quantitative Ermittlung der Massenanteile:

0 c,
Fü r T = T gilt mit Massenkonstanz
* \ >
m = mQ + ms (D

die Beziehung \
ma ca + ms - cs
* mc (2)
Gl. (1) in (2):
m. ca
* + m, • cs (ma + ms) c0
m X
e
-
bzw.:
Bild 6.13: Zur quantitativen Ermittlung der Massen-
mo (Co - Ca) msfe - O (3) anteile

1 . Fassung des Hebelgesetzes:

m
= co ca - = ii La
Massenverhä ltnis der Phasen ist durch umgekehrtes Ver-
h ä ltnis der Hebelarme gegeben.

1 +
—.
m„
m
i «
-1.i
!a
+ 1
Umformung liefert:

2. Fassung des Hebelgesetzes:

mit 1 => . + >, Die Massenanteile der Phasen sind den abgewandten He-
belarmen proportional.
und m «
ma m#
Beachte:
nv = —1
l
m
Hebelgesetz macht nur Aussagen ü ber Massenanteile der
Phasen, nicht ü ber Konzentrationen der Komponenten!
Konzentrationen der Komponenten der beteiligten Phasen
ma_ = —I
1
m
-
kö nnen direkt als Abzissenwertc der Schnittpunkte der
Konode (T konst .) mit den Gleichgewichtslinien des
Zweiphasengebietes abgelesen werden.

118
 6.9 Wichtige schematische Zustandsdiagramme
binä rer Legierungen
Im folgenden werden einige wichtige Typen von Zustandsdiagrammen binä
rer Legierungen schema-
tisch vorgestellt. Reale Zustandsdiagramme können sehr komplex sein
, wie Beispiele in Abschn. 6.10
zeigen. Oft lassen sie sich aber in Teildiagramme zerlegen , die sich
mit Hilfe der nachfolgend aufge-
zeigten Zusammenh änge verstehen lassen .

6.9. 1 Vollkommene Löslichkeit im fl ü ssi -

s
A
gen und festen Zustand T
Dieses Zustandsdiagramm liegt den Betrachtungen in
Abschn. 6.5 bis 6.8 zugrunde.
m Nur möglich mit chemisch sehr ähnlichen Ele- -%
menten oder Verbindungen, z. B. fr
Ni -Cu und NiO- MgO
m Nur m öglich bei Austauschmischkristallen aus
Komponenten mit gleicher Gitterstruktur *
j \ c/~ W
Im festen Zustand liegen stets homogene Legierungen
(mit einer Komart ) vor
Bild 6.14: Schematisches Zustandsdiagramm
von Legierungen mit vollkommener Löslich-
6.9. 2 Eutektische Reaktion keit der Komponenten im flüssigen und festen

—
eutektisch ( > griechisch ) = gut schmelzend
Zustand

m Eutektische Legierungen besitzen niedrigere Schmelztemperaturen als die reinen Komponenten ,

aus denen sie aufgebaut sind! y y-
a) Keine Löslichkeit im festen Zustand
^^
' TSri /ir 1
’ V cur uV
*

IV "

u
/

?
i 6 fc
( >> *
*
X
Bild 6.15: Links: Schematisches Zustandsdiagramm mit eutektischer Reaktion ohne Löslickeit im festen
Zustand. Rechts: T,t -Kurven für einige Legierungskonzentrationen
119
1
 1 7
"

Auf Konode T = Teu ist P = 3 (S, A B)

m F* = 0, kein Freiheitsgrad *
E (/UWI
Alle Legierungen schlie ßen ihre Er
starrung ab mit der eutektischen " Rc-
- 9+1
aktion "
S *A+B
- ^<
Für cB = ccu entsteht eine Legierung mit V
* 4
eutektischem Gef üge oder "Eutektikum " ^* Pf 6
* Gemenge aus A und B X
/

Gef ü geanteile sind quantitativ ablesbar l

aus sog. "Gef ügerechteck": Ci g

Bild 6.16 : Gefiigeanteile von Legierungen mit eutektischer
I Reaktion ohne Löslichkeit im festen Zustand

b) Einseitig beschrä nkte Löslichkeit im festen Zustand o . L7

Komponente A ist im festen Zustand beschränkt in der Lage, B-Atome aufzunehmen, oder
Komponente B ist im festen Zustand beschränkt in der Lage, A-Atome aufzunehmen
*T

1$A I ?= *-
S4£>
-
Ok \ S

et w,
I
*
I

-* vtvLvt -t
I
-L
« $ 7 ä
«4 « ^
* »

V
*4 I G
.
^ 6 ^ \/ -

"\ jä F
A C/ V*
Bild 6.17: Schematisches Zustandsdiagramm , Abk ühlkurven und Gefiigeanteile im festen
Zustand von Legierungen mit eutektischer Reaktion und einseitig beschränkter Löslichkeit im
festen Zustand

120
 Wjk;

- ^riox Jf4 ohcuAro -

—^
aX lo » kc ^ts - >i *\

L «t ( tc>Llc*
cuol
^ l
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f * /i 0

OM ß

-
<
*+ ß / =. 7
6*7 A \ £
S
**
T = Teu + A I ,
**" C(
— \
T ‘‘ '-Ji TS
1

(
^5 /\
67 A* ^&
ZA )
Alle Legierungen mit den Konzentrationen a
Cn ,max < S < B
schließen ihre Erstarrung ab mit der eutektischen
Reaktion
S a+B
Dabei ist a = a -Mk = A-reicher Mischristall
c) ltl
lüLfesten ZustanH

KZZI B IS:
! ?festen
T’ Zustand beschr
Komponente« B ist im
,
d« Lage, B- A ome aufzunehmen und
änkt in der Lage, A-Atome aufzunehmen

T 4
ceu Ci C2 92 Knick-
=1 punkte
s P= 1
p= i
P= 2
a +S P= 2
S+ ß
P =3 P= 3 P =1
Leu, , a’
ß
eutektischer
Punkt P= 2
P= 2 P= 2
a+ ß Halte -
punkte
/
B t./ t
^ ^ a max ^eu
.

cB
^ ß.min /

V
-ß

Gef ügerechteck : 7/

-
cf

£.
J
V
UM .
7•k</
V Eutektikum /

a
(a + ß) / ß OC*< C
’S
L

seg .
ßseg.

Bild 6.18: Schematisches

cot , max Ceu

von Legierungen mit eutektischer

Zustand
7
^
——
Zustandsdiagrcm7
ZZ
C p in

. mMk
eu
^
’en und Gef ü
bejJseitig beschränkter Löslichkeit
geanteile im festen Zustand
im festen

Alle Legierungen mit den Konzentrationen

«n . . '• ^
<

schließen ihre Erstarrung attb mit der

eutektiselten Reaktion
S * <* + P
121
 Dabei ist:
a = a-MK= A-reicher Mischkristall
ß = ß-MK = B- reicher Mischkristall

6.9.3 Peritektische Reaktion

-* griechisch) = umhüllend
peritektisch ( , ringsherum

Tritt auf, wenn TStA » («) T53

s TAC, Cper
3
S .A c. c r - P=1 P 1
= IP=1 P =1

# ct +S
/
C2
JC
/ 3

P= 2
P=2 P =2
Perite'ktikale P=3
/
Tper P=2
pm a / + P =3 \ P =3 /

peritektischer
Punkt
P 2 =
ß P= 2
=
P 1
a+ C

A C ci ^
Cp ccj B 1
* -
t
=d. '^3 min
r >
ß

cB vT
iMy

ßseg :

Gef ügerechteck
a ß is s
Es I* .
z

i £
pw aregw ä chst in beta , da in tz a in beta war
und kleine Keime ü brig bleiben , ,
bei denen sich beit, äsen bildet.
Bild 6.19: Schematisches Zustandsdiagramm , Abkühlkurven und Gefiigeanteile im festen Zustand von
Legierungen mit peritektischer Reaktion und beidseitig beschränkter Löslichkeit im festen Zustand

Alle Legierungen mit den Konzentrationen

max < cH < c
durchlaufen w ährend ihrer Erstarrung die peritektische Reaktiou

a +S ß

122
 Massenanteile von Schmelze, a MK und- \ ܣ + S s

ß-MK f ü r verschiedene Konzentrationen

bei
/
ra
a+ ß
C,
iß
n^
7^
Cper c c
T = Tpcr+AT und T = T , - AT ( AT «) 2

^ Bild 6.20: Ausschnitt aus Zustandsdiagramm in Bild 6.19

CB T * V AT T T „- iT l
t mS _^ _ Cpcr CB.max "

Vr m 1 d- ca ü= ,
m« _ !s e__ Crcr
.
m
|
m 1 P a. A
^ ''B max

m0 >9 _ V
_ C1
mS _ !a _ Cl CB.max “

m 1 a -cv'B®,max
m
^ Cpcr ~ CBvimx
^
ct
Cl CB.ITAX
ma !S _ e
_
'
Ct ^m 1
V -CB ^
m I £ c®

-
ms

m„
Itl
i
ia

*s
1
« <»

fr
v
e _c
,n
cB mtx

2
- c^B“ .irox
mS
m

% =
m
J
_

'is . e6-c ’
C2

‘
”

C
Cpcr

Tabelle 6.1 : .
Massenanteile von Schmelze a- MK und ß-MK für verschiedene Konzentrationen bei
T = T +dTund T = T^ dT ( A T «)
^
-
123
6.9.4 Umwandlungen im festen Zustand

Bisher behandelt: Übergang aus dem schmelzfl üssigen in den festen Zustand mit entsprechenden
"Reaktionen"
Aber auch m öglich: Zustandsdiagramme mit Umwandlungen im festen Zustand

a) Eutektoide Reaktion

Analogie zur eutektischen Reaktion:

Statt Zerfall der Schmelze in zwei feste N. S
Phasen
S a+ß
jetzt:
Zerfall einer festen Phase in zwei ande-
i r I <2u
re feste Phasen /
ß
-
y^a+

Beispiel: Zustandsdiagramm mit

/ r+f
- völliger Löslichkeit von A und B in i
der Schmelze
d
T
c .UW
>

-eutektischer Reaktion S * y + ß 4
- eutektoider Reaktion y a+ ß
-
Das beim Zerfall des y Mischkristall
entstehende Gef üge wird Eutektoid
genannt
Gemenge aus a- und ß- Mischkris -
\
— 9
Ct

Bild 6.21: Zustandsdiagramm mit eutektoider Reaktion

tall

Alle Legierungen mit .

cQ m» < CB < cB.mm wandeln im festen Zustand eutektoid um
i

b) Peritektoide Reaktion

Analogie zur peritektischen Reaktion:

Statt Übergang aus Schmelze und fester Phase in eine andere feste Phase
S+a ß
jetzt:
Übergang von zwei festen Phasen in eine andere feste Phase
ß + y^a

124
 Beispiel:
Zustandsdiagramm mit
- völliger Löslichkeit von A
und B in der Schmelze IS , «
/
.
c
- peritektischer Reaktion

Y+S > -ß
- peritektoider Reaktion
Tfer
ß+ y a
i r
tSA
Alle Legierungen mit -r
i
CB < CB < C V
(X
&
wandeln im festen Zustand peri -
'
tektoid um. \
fl cl a
Bild 6.22 : Zustandsdiagramm mit peritektoider Reaktion
6

6.9.5 Zustandsdiagramm mit Auftreten einer Verbindung

werden bei
Bereits in Abschn . 6.3 besprochen: Verbindungen mit fester chemischer Zusammensetzung
Anwendung der Phasenregel behandelt wie ein chemisches Element.

einer Verbindung, z.B. einer

Konsequenz f ü r die Bewertung von Zustandsdiagrammen mit Auftreten
!
% intermetallischen Verbindung: Aufteilung in Teildiagramme möglich

B
Beispiel : Zustandsdiagramm mit den Komponenten A und
öslich
im flüssigen Zustand unbeschränkt ineinander l
-
-
zwei eutektische Reaktionen
und
im festen Zustand beidseitig beschränkt löslich
-
- eine Verbindung A„,Bn bildend
 Vollst ändiges Zustandsdiagramm mit T* . < T . . < TS 0
. ,

T
o .
S B

T.

s+p
TS. A S + A,B .

oc S+AB
+S
n
ß
A B ß
+ A3

.Bn
A fü .l

Eutektikum 1 Eutektikum 2
« + A3 , l A3, + ß ,

Gleichwertige n ß
Darstellung durch A3
zwei Teildiagrarnme:
/
(AJB„U (A3U
T '
s
% 5
S 4-
ß
S + A„B - r

ft
s + A„.Bn
u
+S ß
A3. + ß
a + AmB„

A3 .
ür A und B im flüssigen Zustand vollkommen
Bild 6 23: Schematisches Zustandsschaubildf Verbindung bildend
ineinander löslich und im festen Zustand eine intermetallische

126
 Weitere Beispiele fllr Zustandsdiagramme mit intermetallischen Verbindungen:

A und B im festen Zustand Intermetallische Verbindung mit

ineinander unlöslich beschrä nkter Löslichkeit f ü r A und B

v = A B„
_ T T V
s s s
s
+

rm
s+V s r
*
s+ s+ v S
E. S+ B

A+ V v + B

- -
t
E, = « + y Ej ^ V + P
E, A 4 V- Ej =V 4 B ®
— 100%
A7 .AV
CLf
100 iS 1
t c
a
%
50
E, Ea c
50
V
3 A B ~
L_ 0 V • '
B Yw* a <"nj PM*
a) b)

Bild 6 ,24: Weitere Beispiele ßir Zumtandsdiagramme mit intermetallischen

Verbindungen

Übergang S » ArnBlI in "offenem Maximum ’

1

Bisher :
-'' Kongruent schmelzende" Verbindung
Aber auch : Peritektische Reaktion S + ß * A^B* "verdecktes Maximum ”
- "inkongruent schmelzende" Verbindung

% Beispiele:
f
,v Tt , V
S 1 s
<
'
S + B s+p
p
S+A
CK
E V B Y
+
a+ Y Y + P
A+E ! V +E

Bild 6 25 : Beispiel ßir eine „Inkongruent schwebend*“

,
intermetallische Verbindung

127
6.10 Beispiele realer binärer Zustandsdiagramme
Nachfolgend werden einige Beispiele f ü r reale binä re Zustandsdiagramme gegeben.
Weitere Beispiele werden in den Kap. 12 bis 14 bei der Behandlung technisch wichtiger Werkstoffe
vorgestellt.

6.10.1 Zustandsdiagramme Cu -Ni und NiO-MgO

-
vollkommene 1 öslichkcit im festen und fl üssigen Zustand
1500 -
1453*. 2800

1400
s 2600
S

1300
ü r 2400
Ci s S * F
F
Tin 1200
a 2200

1100
1063 2000
:
1000
0 20 40 60 80 100 o 20 40 60 80 100
Cu -
Masse % Ni Ni NiO Mol % MgO- MgO

Bild 6.26: Zustandsdiagramm des Systems Cu- Ni Bild 6.27: Zustandsdiagramm des Systems NiO- MgO

6.10.2 Zustandsdiagramme Pb-Sn und A 1203 - Zr 02

eutektische Reaktionen und beidseitig beschränkte bzw. keine Löslichkeit im
m testen Zustand

400

327 C
300
u 3* 9 232 C
a 5 +
H 200
19 183 C #
61 , 9 97.5i -
V

100 ct + P

0 20 40 60 80 100
Pb %
Masse Sn - Sn

Bild 6.28: Zustandsdiagramm des Systems Pb Sn -

128
 r

2600

2400
S

2200
ü

H 2000 S + (ZrOA( -
( AiP;0fesl+
1 SOG
[AIA + 2r 02)fe4l
1600
0 20 40 60 80 100
AlA Mol - % Zr02 Zr 02

ß/W <5.29: Zustandsdiagramm des Systems Äl20 ,- ZrO:

6.10.3 Zustandsdiagramm Ag-Pt

peritektische Reaktion

1800
irr 3 "

1600
S

1400
s+ p
ü
~ 12ÜÖ »
11 ß-
31% 55 %
S+a
1000 K +&
960,5’
L

800
0 20 40 60 80 100
Ag Masse - % Pt Pt

Bild 6.30: Zustandsdiagramm des Systems Ag Pt -

129
6.10.4 Zustandsdiagramm MgO- AKO
^
eutektische Reaktionen 3000
Verbindungen Periklas und Spinell
mit unterschiedlichen Löslichkeits
bereichen
- s
2&00
Ideale Stöchiometrie von Spinell:
MgO AlA S + Spinell
ersklas
S + ALO,
,o +S
J
2000
i- Penklas Spinell

1500
Periklas + Spinell Spinell + Aip3

10Q0
0 20 40 60 80 100
MgO Mol - % Alp 3 Aip3

Bild 6.31: Zastandsdiagramm des Systems MgO- Aip3

6.10.5 Zustandsdiagramme Ti- Al und Zr( )2-i203

eutektische, peritektische, eutcktoide und peritektoidc Reaktionen

Verbindungen
* intermetallische TiAl
Ti3Al, TiAl und 3
bzw. Zr3Y 4012 und ZrY 6On T

2 BQQ s
hex. YA
S + kub. Z'G,
2400
1800 kub. Y2OrJ
1730' S+ß kub. ZrCh
S
2000
1600
1460' S+ V
1600
P+ Y ü
1400 p 'S 1340’ tet ZrO ?
z.
13J5*± 25’
ü 1200
1200

1000 T
Y+
/ HAI- 800
mon,
ZrQ-j
CH d
WS S + TiAlj cr
800 400 > N
HA! ! +=65
N
600 «-*- AI + TiAla
L —
! 0 100
100 :i 20 40 60 80
Q Zu 40 60 SO

Ti -
M.asse % AL A ZrO , -
Mol % YjCX V203

Bild 6.33 ; Zustandsdiagramm des Systems ZrOr 20t

)
Bild 6.32: Zustandsdiagramm des
Systems Ti-A l

130
 6.11 Darstellung der Zustä nde tern ä rer Legierungen
Anstelle von zwei Komponenten A, B
jetzt drei Komponenten A, B, C

6.11 . 1 Konzentrationsangaben

-
a) Masse bzw. Atom % -
Analoge Definitionen wie in 6.1.1 und 6.1 .2
Fü r Komp. B gilt z. B.
cB = 2 • 100 Masse - %
mA 4
mB > mc
bzw.
, nR 100 Atom -%
cß =
nA + nB + nc
%
* mit: mB « Masse der Komp. B
nB = Atomzahl der Komp. B
cA, cc sowie cAf CQ analog!

b) Darstellung in Dreieckskoordinaten
Konzentrationsachsen werden als Achsen eines gleichseitigen Dreiecks vorgegeben.

c Dreiecksecken
Dreiecksseiten
-
Komponenten A B, C
* .
Konzentrationsachsen der bin ären
wf #
\
Randsystemc AB, BC, CA
-
Dreiecksfl ächc » Konzentrationsebene der tern ären
/ p Legierungen ABC
Jedem Punkt P im Dreiecksinnem kommen bestimmte
Konzentrationen cA, cB, cc zu.
B

Bild 6.34: Konzernrationsachsen

ab Achsen eines gegenseitigen
Dreiecks

1 Parallele zu CA liefert cB
V/\
v\ v Parallele zu AB liefert ct

/ /
--$ - —
// / p4 \\
\
Parallele zu BC liefert cA

Dabei gilt cA + cB + cc « 100 Masse-%

// B
1 *
Bild 6.35: Ermittlung der Konzentration

131
 Alle Legierungen mit cx - konst. liegen auf einer Geraden parallel zu der i gegenüberliegen-
den Drciccksscitc

c
cB = konst

C . = Konst «

A B Bild 6.36: Gerade mit Legierungen mit ci

= konst.

• Alle Legierungen auf einer durch eine Drciccksscitc A (B, C) laufenden Geraden besitzen ein
konstantes KonzentrationsVerhältnis cB/cc (Cc/cA; cA/cB) der Komponenten BC (CA, AB).

* cc * konst
Cg/
cJec = konst.
t
f

/ >

>
Bild 6.37: Gerade mit konstantem Kon-
A
-
c , c», B
zentrationsverhältnis Cf/cc- konst .

c) Darstellung in Rcchteckskoordinatcn

Wird bevorzugt, wenn eine Komponente, z.B. A, stark überwiegt.

%
Art Sielte von Übergang zu

Bild 6.38: Übergang von Dreiecks - zu Rechteckskoordinaten

132
 6.11 .2 Ternä re Zustandsdiagramme
I
a) (grundsätzlicher Aspekt
T
Tern äre Zustandsdiagramme:
• beschreiben bei geg. T und c, die vorliegenden T
Phasengleichgewichtc *
• erfordern also T-Achsen JL zur Dreiecksflächc in
den Dreiecksecken c C
• stellen somit räumliche Gebilde im T, Cj-Raum
über der Konzentrationsebene dar A
• sind komplizierter als bin ä re Zustandsdiagramme cc
wegen
-
K=3 - F* + P = K + l = 4 ( fiirp = konst!)

Also nonvariante 4-Phascngleichgcwichte m öglich!

Bild 6.39: Ternäres Zustandsdiagramm
(schematisch )
B

t
h ) Randsystemc
.
I sc T
Ternäre Zustandsdiagramme werden
stets durch bin ä re Randsystemc S+ ß G S+ ß
begrenzt.
a cc
CM BC
Beispiel:
3 Randsystemc mit vollkomme -
ner Löslichkeit der 3 Komponen - T SA Tsß
A B
ten im fl üssigen und festen Zu - G
( AB )
G +S
I
stand 5.3 -
T SA
s I SJC
TM < TSIA < Ts, c
( binäre Randsysteme in die Konzen-
trationsebene "geklappt ” )

m tern äres Zustandsdiagramm

TS.A C
(Zweiphasenraum S+a-Mk wird
gegen ü ber dem Raum des a Mk-
durch die Solidusfl ä che und gegen
über dem Raum von S durch die
- l S.Pi

Liquidusflä chc begrenzt)

- P

Bild 6.40: Schematisches ternäres Zustandsdiagramm ftir

3 Randsysteme mit vollkommener L öslichkeit der 3
Komponenten im flüssigen und festen Zustand

133
 6 , 11.3 Ternäre Teildiagramme

a) Schnittdiagramm fiir T = konst

1

C
Horizontalschnitt im System von
6.11 . 2 b mit: 11

Ts c > Ts ^ > Ts E rr S

Annahme :
s
TS, C > T1 > TS. A
r
jffi'W 6.41: Schnittdiagramm fiir T, = honst

b) Schnittdiagramm fiir c, = konst

Beispiel:
Vertikalschnitt mit cc = konst
>>

Bild 6 , 42: Schnittdiagramm fitr c - konst

{

c) Schnittdiauramm sLiK.

Beispiel: A t
Vertikalschnitt mit cB/cc = konst

C
SA

A B

Bild 6.43: Schnittdiagramm für cfcK konst

134
 7 Materietransport und Umwandlung
im festen Zustand
In Kap. 6 vorausgesetzt : Zustandsänderungen im "thermodynamischen Gleichgewicht"
^ ist nur erf ü llt f ü r sehr langsames Abk ü hlen oder Aufheizen!
Konzentrations ä nderungen in den Phasen bei Temperatur ä nderungen und insbesondere bei
Umwandlungen erfordern Zeit!

Grund : Konzentrationsänderungen sind mit atomarem oder molekularem Materietransport verbun-

den! Erfolgt im festen Zustand durch Diffusion

7.1 Leerstellenbedingte Diffusion von Gitteratomen

Leerstellenbenachbarte Gitteratome können bei lokal auftretenden Enthalpieschwankungen ihren Plat
2
ft mit Leerstellen tauschen
-Platzwechselvorgänge der Gitteratomc!
*

Man spricht von Selbst di ffusion als Folge der Zubllsbewegung der Leerstellen

Schematisch:
Ausgangspunkt der Leerstelle

40 - O Endpunkt der Leerstelle

^ Weg der Leerstelle

(macht 7 Spr ü nge!)
Weg der Gitteratome
(7 Gitteratome machen
je einen Sprung!)

%
Bild 7, l : Elementarprozeß der Selbstdiffusion (schematisch)

Fazit: Zufallsbewegung wird durch Bildung und Wanderung der 2Leerstellen

möglich .
Sie l äßt sich über das sog, mittlere Verschiebungsquadtat x beurteilen
,

2 ( 7.1 )
Es gilt X = Dst

mit t = Zeit. Die Proportionalitä tskonstante Ds hei ß t Selbstdiflusionskoeffizienl und besitzt die
Dimension [cmVscc]. Dabei ist
1 (7.2)
DS ~ CL -x“
L

135
 cL = Leerstellcnkonzentration ( vgl . Abschn. 4, 2.1 ):
AH B, AH ß‘
cL c0 exP = Coe 5tP ( 7.3 )
kT RT

AHBbzw. AHb
*
= Bildungsenthalpie für eine Leerstelle bzw. f ü r ein Mol Leerstellen

xy = mittlere Verweilzeit zwischen Sprüngen:

AH w AHW ’ ( 7.4)
tt - exp +
kT
exp +
RT

mit AHW bzw, AHW* — Wanderungsenthalpie flir eine Leerstelle bzw . fü r ein Mo! Leerstellen

Also:
exp
AH B
exp AHB *

kT RT
( 7.5 )
t exp +
AH w
exp +
AHW '
RT
kT

Insgesamt ergibt sich mit einem werkstoffabh ängigen Vorfaktor D0:

AH ß +
AHW = D exp AH s
Ds = D0 exp
kT
0
kT
( 7 - 6)

oder
AHb’ AHW - = D0 exp
AHS' (7.6a)
DS = D0 exp RT RT

Fazit : Aktivierungscnthalpie bei Selbsldiffusion ist bestimmt durch Summe aus

Bildungs- und Wanderungsenthalpie der Leerstellen

AHS — AHB + AHW

bzw.
AHS* = AHB
‘
+ AHW*

Beispiele: ‘
AHS* [kJ / mol] AHb tkJ / mol ] AHW IkJ /mol]
’

Cu 196 100 96

Fe 280 140 140

Bei reinen Metallen gilt stets in guter Näherung Allw s AHH

156
 b\ A

/
7.2 Diffusion von Substitutionsatomen
Voraussetzung für Diffusion von ) L
Substitutionsatomen sind Leerstellen .

Darstellung eines A e *4U \ Pie W

Di ffusionsschrittcs:

regul äres Gittcratom A

B
Leerstelle
< - rs
Substitutionsatom B

Zur Lageänderung von

Position (D in Position (2) ist
thermische Aktivierung
.
z 8M
erforderlich. /4 H

'l- 1
© © w« 3
Verweilzeit bis zu ihrem
5/W 7.2: Elementarschritt bei der Diffusion von Substitutionsatomen
Auftreten beträgt ( schematisch )
AH w B \

xs - exp +
kT
( 7.7 )

mit AHw^ = Aktivierungsenthalpie für Wanderung des B - Atoms im A - Gitter.

Da aber Leerstellenangebot Voraussetzung für Diffusion, wird

1 AH w B/A
% DS u b “ Cl7 “ CLeXP kT
( 7.8 )
XS
oder
AH B AH n B/A
D0 exp exp ( 7.9 )
DSub
kT kT

AHS bHA - AHB + AHWD

A
und schließlich mit ü

AH SubB/A ( 7.10)
l exp
DSub
^ kT

Dabei gilt ,
AHSubB _ AHSub A
S
B/ A *

kT RT

137
Beispiele:
5 150 cmJ / s]
Ni in Cu Dsub = 610 exP [
RT
mit AH*SubNi /Cu = 150 kJ / mol

-
Ni in a Fe
DSub * M exP |- fj| lcm 2
/ sl
mit AH* * = 245 kJ / mol
**

7.3 Diffusion von Interstitionsatomen

lnterstitionsatome benötigen f ü r ihre

Zufallsbewegung keine Leerstellen ,
O
—
•
da Diffusion ü ber Gitterl ücken erfolgt !
o
/

Schematisches Beispiel:
>

ln 4 Schritten von K nach •

/ CJ /

Bild 7.3: Elementarschritt bei der Diffusion

von Interstitionsatomen (schematisch )

Deshalb gilt: AH W8/A

Dlnl = D0 exP
kT

AH Im Atf /n * (7.11)
8 D0 exp 2 D0 exp
kT RT

bestimmt!
Aktivierungsenthalpie ist allein durch Wanderungsenthalpie der lnterstitionsatome

Beispiele:
82,5 kJ / mol [cm 2 / s]
C in a -Fc: Dlm = -
8,1 KT 3 exp
RT

11 , 5 KJ /mol [enr / s]
-
H in a Fe: Dln =
|
1 ,0 * 10
" 3
exp
RT

Also stets: A11|„ | < AllSub

138
 K

7.4 Diffusionskontrollierte Umwandlung bei

-
gleichgewichtsnaher Abkühlung •v

Zustandsänderungen im thermody-
namischen Gleichgewicht erfolgen
nur bei sehr langsamen Abk ü h -
lungen
Im folgenden vorausgesetzt S4
Y ' 0%
Ausgangssituation: T
Bin äre Legierung aus den -y
Komponenten A und B
Zustandsdiagramm mit
t
4 ß \I T
eutektischer und eutektoider 0' •
’ ?

V
Reaktion, vgl. Abschn .
6.9.4 a), Bild 6.21
ß
Analyse der Umwandlung des Ca 3
c6r Hn • 8
y-MK bei Legierungskonzentratio-
nen a <c < c
r , ^. Bild 7.4: Zustandsdiagramm mit eutektischer und eutektoider
CB max ^ B max
Reaktion (schematisch )
A
V,
T 8
Y + r.

(V

i /
\ T
r
r
Äi
i
7
y. (7
rkv .
\ !
i /
;
7 7 l
SiW 7.5 : Ausschnitt aus Bild 7.4 und Gefiigeentwicklung bfi
konzentrationen
bei
(F

139
J
üerschiealicne,
unterschiedlich
lu

p XjT«
"
en
— Legierungs -
 Folgerungen:
Umwandlung des y -MK beginnt stets an den Komgrenzen des y- MK
m sog. " heterogene" Keimbildung (Grenzfl ächenenergie der y -Komgrenzen wird f ü r die Keim -
bildung genutzt)
Bei untereutektoider Zusammensetzung entsteht zunächst a-MK mit caB < c0
^ y-MK reichert sich während der Umwandlung mit B-Atomen an
Bei übereutektoider Zusammensetzung entsteht zunächst ß- MK mit cpB > c0
^ y-MK gibt w ährend der Umwandlung B-Atome ab
Temperatur die
Für c0 > c° B max nimmt der y-MK unabhängig von c0 bei Erreichen der eutektoiden
Konzentration cculcktoid an
Die Umwandlung des Y-MK wird daher f ü r c0 > c°B, m„stets mit der eutektoiden
Reaktion
y a+ß
abgeschlossen.

t
Die Entstehung neuer Phasen mit gegen -
ü ber dem y-MK veränderten Gitterstruktu -
ren und Konzentrationen c' B setzt Platz-
r
wechselvorgänge von A- und B- Atomen i

P &U ! f

voraus
^ Diffusion k >> £t
X
Genauere Betrachtung des Wachstums ei- C ?> c\ß vuj/
'

nes Keims aus Eutektoid a + ß an einer y- ft

Komgrenze:
c & -- ci>
m Es m üssen B -arme und B-reiche Berei -
che entstehen u\
m B- Atome m üssen über beträchtliche u

% Distanzen diffundieren
-
m Diffusion von B Atomen kontrolliert 7777
Bild 7.6: Zur eutektoiden Umwandlung des -
y MK
die Wachstumsgeschwindigkeit der
Keime!

7.5 Diffusionskontrollierte Umwandlung bei

beschleunigter Abkühlung
werden atomare Platzwechselvorgänge einge -
Eiwartung: Mit zunehmender Abk ühlgeschwindigkeit
schränkt , weil
die Umwandlung in k ü rzeren Zeiten ablä u ü
ä uft
Umwandlung zunehmend bei tieferen Temperaturen abl

-
die
» Diffusionskoeffizient nimmt ab!

140
 Beobachtungen :

Mit wachsender Abk ü hlgcschwindig-

' /N

keit
werden die Umwandlungslinien
zu tieferen Temperaturen verscho-
ben
ft spaltet der eutektoide Punkt in
einen immer breiteren eutektoiden
Bereich auf
^ '
0 wird das eutektoide Gef ü ge aus a-
/ /l ->^
> V
MK und ß-MK immer feinstreifi-
ger

Bild 7.7; Verä nderungen des Zustandsdiagramms durch

wachsende Abkühlgeschwindigkeiten (schematisch)

7.6 Diffusionslose Umwandlung (martensitische Umwandlung)

Annahme: Abk ü hlung des y-MK erfolgt so rasch , da ß diffusionskontrollierte Umwandlung nicht
mehr möglich ist
Also Frage: Welche Phasen bzw. welches Geftige liegen nach erfolgter Abk ü hlung vor?
Antwort: Zwei Möglichkeiten!
1) Der y MK bleibt umwandlungsfrei als Nichtgleichgewichtsphase erhalten
-
% 2) Der y-MK wird diffusionslos in eine andere Nichtgleichgewichtsphase
umgewandelt ,
wobei auch unvollst ändige Umwandlungen m öglich sind

Möglichkeit 2) ist Basis einer der wichtigsten W ärmebehandlung in der Technik

Härtung von Stahl
m Erzeugung von Martensit durch diffusionslose Umwandlung des kfz y -MK , vgl . Kap. 12
Daher auch: Martensitische Umwandlung
-
> tritt auch in vielen anderen metallischen und keramischen
Naheliegende Frage: Wie wird die Phasenumwandlung herbeigefü hrt ,
Legierungen auf
wenn keine diffusionskon -
trollierten Platzwechselvorgänge von Atomen oder Molek ü len möglich sind?
Antwort : Durch koordinierte Scherprozesse ähnlich wie bei der Zwillingsbildung, wobei
aber eine andere Gitterstruktur erzeugt wird.
» Diffusionslose Umwandlung, wird daher auch als Scherumwandlung
bezeichnet

141
 Voraussetzungen f ü r diffusionslose Umwandlung einer Hochtemperaturphase, z.B. y-MK :
|l ) Rasche Umwandlung mit v >
|j werden
damit diffusionskontrollierte Umwandlungen unterdrü ckt

2) Abk ü hlung auf hinreichend tiefe Temperaturen , damit durch hohe " Unterk ü hlung" unter die
Gleichgewichts-Umwandlungsternperatiir eine hinreichend hohe "Triebkraft" fiir die Umwandlung
in eine Nichtgleichgcwichtsphase erzeugt wird.

Die kritische Abk ü hlgeschwindigkeit und die erforderliche Unterk ü hlung h ängen vom betrachteten
Lcgiemngssystem und von der jeweiligen Legierungskonzentration ab,

7.7 Zeit Temperatur-Umwandlungsschaubilder

'

Problem: Wenn Gleichgewichtsdiagramm bei beschleunigter oder rascher Abk ü hlung nicht gilt
( vgl , Bild 7,7), wie sind dann sich einstellende Gef ü gezust ä nde erfaßbar?

Lösung: Aufstellen von Zeit-Temperatur-Umwand lungsschaubilder ( ZTU- Diagramme)

Wichtig: -
ZTU Diagramme gelten nur f ü r eine chemische Zusammensetzung ( Legierungskonzen-
tTalion c0) und f ü r einen Startpunkt aus der Hochtcmperaturphase. Sie sind die Grundlage
der Beurteilung von Wärmebehandlungen

7.7 . 1 Isothermes ZTU -Diagramm

Arbeit s schritte :

- aut hinreichend hohe 1 empera -

1 ) Erzeugung der Hochtcmperaturphase (z . B. y MK ) durch Aufheizen
turen
% 2) Rasch ( umwandlungsfrei!) Abk ühlen auf Umwandlungstemperatur Tu
3) Halten bei Tu
4) Analyse der UmwandlungsVorgänge
• mit Hochtemperaturmikroskopie
..anhand von Schliffen von nach bestimmten
Zeiten auf Raumtemperatur abgeschreckten Proben
oder magnetischen ) Methoden
mit physikalischen ( z.B. dilatometrischen
der Hochtcmperaturphase nach Menge und Art
5) Bestimmung des umgewandelten Anteils

einer Legierung aus dem System in Bild 7.4 bzw. 7.5 mit der
Schematisches Beispiel : Abschrecken ’ mwandlungslempe-
Konzentration aus dem Gebiet des y- MK auf eine L
raturTu < Teu1cktMd , vgl Bild 7.8

142
 r~
r
IA ry *

/ 00 /
r r U iS -
VY,
Wiederholung der
I
— A<
e,

Arbeitsschritte i
unter Variation \
von Tv liefert Be Mt
fund in Bild 7.9 v
(T| < T2 < T3): ^ I

*7 +
Zf-Bild 7.8: Zur Bestimmung eines isothermen ZTLfDiagramms (schematisch )

70'
ft ^ - T
t
* 372

* 2 rJ
\ XW
\ .
'

w
N
N
V
.^ t® ?* I/"N ä 3
tii
/ 5%
A3 t
Auftragung von Beginn und Ende der Umwandlung im T, lg t - Diagramm liefert
r
-
"ZTU" Diagramm :
.
TA * I
T, i- .
^ ^ r

L
o{jh ^* V wG ot

Tv -
be «'3\ * vvi ( °tt
Bild 7.9: Einfluß der Umwandlungstemperatur auf isotherme Umwandlung (oben ) und isothermes
-
ZTU Diagramm (unten)
ä
143
Beobachtung:
Bei mittleren Temperaturen gro ß e
Urmvandlungsgeschwindigkeit
m Bildung einer "Nase"

Grund:
\
Umwandlungsgeschwindigkeit u wird

U (T)
n äherungsweise bestimmt durch Produkt
aus Keimzahl n (T) und Diffusionskoef-
fizient D (T)
-
u = n (T) D (T) ( 7.12 )
HU

1Q I3 0
Bild 7 . JO: Einfluß der Temperatur auf Keimzahl n(T),
Diffusionskoeffizient D ( T ) und Umwandlungs -
geschwindigkeit u( T)

7.7.2 Kontinuierliches ZTU- Diagramm

Arbeitsschritte:

1 ) Erzeugung der Hochtempe- s

raturphase ( z . B . y - MK )
durch Aufheizen auf hinrei-
chend hohe Temperaturen
2) Abk ühlen mit vorgegebe-
-
nem T,t Verlauf
3) Beobachtung der Gefiige-
entwicklung
£ cUcla/
«

Jui/ V
4) Beurteilung der Umwand -
lungsprodukte nach Art und
Menge

r \ * - X' <

y ri V
'

Bild 7.11 : Umwandlung bei kontinuierlicher Abkühlung

144
 -
Variation des T,t Verlaufs und
Verbinden der Anfangs- sowie End -
punkte der Umwandlung liefert

-
f
u *

kontinuierliches "ZTU"-Diagramm
*
* wichtigstes Diagramm fü r die
Beurteilung der W ärmcbchand - l
,
*
< \
lung von Bauteilen
<7
L

-
L rt
'4. f
S
'
r*

-
Bild 7.12: Kontinuierliches ZTU Diagramm (schematisch )
* 7.8 Ausscheidungsbildung

In vielen Legierungssystemen lassen sich Festigkeitssteigerungen durch eine W ärmebehandlung, bei

der Ausscheidungen gebildet werden, herbeifuhren
* insbesondere wichtig f ü r Aluminium - sowie einige Nickelbasislegierungen

Ausgangssituation:
LegierungsSystem mit den Komponenten A und B
Eutektische Reaktion und Auftreten einer Verbindung
Beschränkte Löslichkeit von B in A im festen Zustand
1
Bild 7.13 zeigt die A-reiche Sei-
I
* te dieses Zustandsdiagramms
$
Langsame Abkü hlung einer Le-
r/
// /

gierung mit der Konzentration

< C0 < CB,max i
\
& (
(A
f ü hrt zur Bildung von Segregat
f

*
an den Komgrenzen des a-
MK i
// 1

Q
i
*
fi
(i \

Bild 7.13: Segregatbildung an a-Korngrenzen in einer Legierung

mit beschränkter Löslichkeit im festen Zustand
145
 Ausschcitlimgsbiidung erfordert folgende Arbeitsschrittc:
1 ) Aufheizen in das Einphasengebict des a MK
m Erzeugung
-
eines homogenen u- MK
. ) Kasches Abk ü hlen auf hinreichend tiefe Temperatur, meist Umgebungstemperatur
m
^ nterdrü ckung der diffusionskontrolliertcn Bildung von
-
ArnBn an den a Komgrenzcn
m Erzeugung eines
-
mit ß Atomen und Leerstellen '' ü bersättigten1* a - MK
3) Ihinreichend langes Auslagern bei Umgebungstemperatur (" Kaltauslagcm " ) oder erhöhter Tcmpcra-
-
tui ( Warmauslagcm ” ) flihrt zur Bildung von feinen Ausscheidungen in den a Kö rnern
S n (h Hindernisse f ü r Versetzungsbewegung und erh ö hen somit H ä rte und Festigkeit
'man spricht von Ausscheidungsh ä rtung

-
Bild 7.14: Temperatur, Zeit Verlauf und Gefüge bei der Ausscheidungshärtung (schematisch)

Zu langes Warmauslagcm fü hrt zur Vergröberung der Ausscheidungen und zum Abfall von H ärte und

-
Festigkeit
* "Ü beralterung”

146
7.9 Erholung und Rekristallisation
Wesentlich :

Verformte Werkstoffe sind thermodynamisch weniger stabil als unverformte

Zufuhr thermischer Energie f ührt zur Erniedrigung der inneren Energie durch Umlagerung und
Abbau der Gitterst ö rungen .

Folge: Gl ü hbehandlungen bewirken Zustandsä nderungen verbunden mit Änderungen der

mechanischen elektrischen magnetischen

Eigenschaften.

7.9. 1 Grundsä tzlicher Befund

Ausgangssituation : Durch Walzen , Ziehen usw . stark kalt verformter Werkstoffzustand
relativ hohe Versetzungsdichte!

Gl ü hbehandlung dieses Zustands bei verschiedenen Temperaturen und anschlie ßende Messung der
H ärte HV oder der Streckgrenze RcS bei Raumtemperatur (vgl . Kap. 11) liefert

•V
Vc* o d e
/
- OSlsOp
»i f '/ '

>
A
v*0 /X

Po U i ry joH * $ OLA ' 0

X
ö

ET.
Bild 7.15: Härte und Streckgrenze eines kaltverformten und dann gegl ühten Werk -
stoffs als Funktion der Glühtemperatur (schematisch )

, v ‘
r
14?
 7.9.2 Erholung
Wird bewirkt durch thermisch aktivierte Prozesse, die
zu submikroskopischen Veränderungen der
Anordnung von Gitterstö rungen ( insbesondere Versetzungen
) fuhren .
Experiment:

uv
0

m
f 1

VT\ [ ro*e\ \n >L

*
Bild 7.16:Auswirkung der Erholung auf Härte und Streckgrenze

Befund: Erholung setzt sofort ein

wird stärker mit T t , t t

Charakteristisch f ü r Erholung: t . ZcfleJ«/

1 ) Keine Keimbildung erforderlich
2) Keine Inkubationszeit erforderlich
3) Nur schwache Abnahme der Versetzungsdichte pt
4) Keine lichtmikroskopischen Veränderungen des Gef üges
%
d

Mö gliche Prozesse:
1) Umordnung von Versetzungen: ?r (U^ • yM Sc*\*U ©VnA- v
Gleiten und Quergleiten (Schraubenversetzungen ) sowie
Gleiten und Klettern (Stufenversetzungen ) im Spannungs
feld anderer Versetzungen (ohne äu ßere Last !)
-
Bild 7.17: Zellstruktur
2) Vergrößerung der Zellabmessungen:
Als Folge plastischer Verformung ordnen sich Versetzungen
bei bestimmten Werkstoffen rä umlich um in sog. Versetzungszellen ( vgl. Bild 7.17). Erholungs
gl ühung fuhrt zur Vergrößerung der Zellabmessungen ohne wesentliche Abnahme von pt.
-
_3)_Polvgonisation
Gleiten und Klettern von ±- Versetzungen f ü hrt zur Bildung von Kleinwinkel-Komgrenzen
(KW KG), vgl. Bild 7.18.
 fs ( t r w*
"J

r 1. tsob* ?
T
-L fr
4.
:

J. L
±
A, r ±
1
J-
i.

ß/Vtf 7.75: Polygonisation (schematisch)

/
V
V
7.9. 3 Rekristallisation

Wird durch thermisch aktivierte Prozesse herbei -

gefuhrt, die bei plastisch verformten Werkstoffen
nach einer Inkubationszeit zu Bildung und Wachs-
tum neuer Kristallite ( Kö rner) fuhren.

y
\ s k ffcr
a ) Grundsätzlicher Ablauf

1) Entstehung von Kristallkeimen in stark

verformten Bereichen

2) Abgrenzung der Keime durch (Groß winkel)

Komgrenzen gegen ü ber Umgebung
^ 3) Keimwachstum durch Wanderung der (Groß-
winkel) Komgrenzen /
\

\
it -
Treibende Kraft :
* Differenz der elastisch gespeicherten '
Energien der Versetzungen in nicht
rekristallisierten und rekristallisierten
K ö rnern!
- \ JdZucfrortc4t
— V
i

Bild 7.19: Rekristallisation (schematisch )

149
 Quantitative Auswertung liefert:

>
t t (J: Inkubationszeit
bei z >r
i tt ( R}: Rekristallisations-
"

,
zeit T bzw T2 (Zeit
f ü r vollständige Rekristal-
lisation)
l
^'7 / TV

* . o% ?e
Bild 7.20: Rekristallisierter Volumenanteil als Funktion von Glühtem-
peratur und Glühzeit (schematisch)

I -J- _ C j t UajuV
^

Charakteristisch f ür Rekristallisation
1) Keimbildung erforderlich . V
{ ^7
2) Auftreten einer Inkubationszeit
3) Wachstum neuer Körner ( Wanderung V T
TQ
ÄTf

von Großwinkel-Komgrenzen)
4) Starke Abnahme der Versetzungs- ^ (o
2L U -
_ r*.
u /*«e (u
*
^
*3

dichte pt

* I —s 1?
i

jWW 7.2 /: Inkubationszeit t 0 und Rekristallisationszeit tR als

Funktion der Gl ühtemperatur ( schematisch )

Problem: Festlegung "einer" Rekristallisationstemperatur, da T und t gekoppelt den

Rekri -
stallisationsprozeß beeinflussen

Festlegung: Rekristallisationstemperatur = diejenige Temperatur, bei der ein hinreichend stark

verformter Werkstoff in t = 1 h vollst ändig rekristallisiert

Erfahrung: TR - 0,4 *
Ts (Tammann'sche Regel)
1

) bzw. Solidustemperatur (Legierungen) in K

it
mit Ts = Schmelztemperatur (reine Metalle

150
V*
 b.) KQmgrhfV P rjstalli
± $ icrter Werk- stnfrp

Wesentlich: Rekris„hisalion is,

wichlige Methode fflt die
^ d

Einnu ß des Verformungsgrades

K« Hi ugprobe

KwngrofW

Büd 7 - 22: Einfluß des KalU

erfor-
mungsgrades auf’ das
rekristallisierte Geßige
-
m
D
E

Kl
Cl ühung
» IM
M
dt

<h
(schematisch) T (*Cl

7?
c
K Pl
% *
<>
\S<
E «
** V S , , ,
d > d > d

* l Ur .U f P T.' II/

fW ^ iL
K CM. J « f

Zugprobe
Einflu ß der Gl ü htemperatur
Kofngr ört«

cp.l T. d ,
Bild 7.23: Einfluß der Glüh- UK'

temperatur auf das rekri-

stallisierte Gefüge
(schematisch) )
--
e P.2 —
Glühung
» P» J
bai — T, dj

E R3 -
T3 d ,
Ep , Ep 2 S> T
* T
T2 < |
* 5
|< d|< d2 < dj
j

loutld Uu 4ri .T.

^
%
¥
«yi Ö ''
\ * C( 1 ' —^ Je 1' - Ot -c&ijL ’ «
^ ..

c ) Rekristallisationsschaubild

Liefert Zusammenhang zwischen Korn-

größ e, Gl ü htemperatur und Ver-
formungsgrad.
/
im
3 *

X i

Bild 7.24: Rekristallisationsschaubild c '

U ow? 7 *
r
151
 7.9.4 Warm- und Kaltumformung
Warmumformung; Wä hrend der Verformung gebildete Gitterstörungen heilen weitgehend aus
a tumformung: W ährend der Verformung gebildete
Gitterstö rungen heilen nicht aus
* Um form -
< TR Kaltumformung
Kaltumformune
^ umfomi > Tr: Warmumformung

I
fr
O'id
’d
* (7 *
-
JL*- r
r >f O v »
r Ou 0

>
/ ^t
/

Bild 7.25: Kaltumformung (schematisch)

O^cu' cle^ o CU >

L
j§ m
Bild 7.26: Warmumformung (schematisch)

Allgemein gilt :

Kraftbedarf umso höher, je tiefer Temperatur bzw.

je hö her Umformgeschwindigkeit
Beispiele:

TUmform [K] Typ der

Werkstoff TUm form Umformung
Ts [K]
Pb - Leg . 20 ° C 0,50 warm
Al - Leg . 150 ° C » 0,45 warm
Fe - Leg . 350 ° C 0 ,35 kalt

Fe - Leg . 1000 ° C 0,70 warm

152
 8 Mikroskopische Methoden
8.1 Lichtmikroskopie
Aufgabenstellung: Beurteilung des Werkstoffgef ü ges ( Volumenanteile, Anordnung und
Form der im Festkörper vorhandenen Phasen )
Lösung: Präparation von Schliffen , Entwicklung des Gef ü ges durch Ä tzen , Be-
obachtung im Lichtmikroskop
Arbeitsschrittc:

a Festlegung der Stelle( n) f ü r die Probenahme.

* Auswahl einer (oder gegebenfalls mehrerer ) f ü r das gesamte interessierende Bauteil
repräsentativer Probe( n).

9 O Probenahme: Erfolgt mechanisch (z. B. sägen , schneiden, trennen ), elektromechanisch oder

elektrochemisch. Die Größe der zu prä parierenden Schliffl ä che liegt in der Regel zwischen
einigen mm 2 bis einigen cm 2. Dabei ist zu beachten, daß bei manchen Verfahren die nach
der Probenahme vorliegenden oberflächennahen Probebereiche durch W ärmeeinwirkung
oder zu starke plastische Verformung gegen ü ber dem ursprü nglichen Gef ü ge deutliche
Veränderungen erfahren k ö nnen (z.B. Aufschmelzen der Oberfl äche, Ausbrüche, Ri ß-
bildung, Anla ß Vorgänge). Diese oberflächennahen Bereiche m üssen durch nachfolgende
Präparationsschritte beseitigt werden.

Einfassen ("Einbetten ") der Probe, meist in Kunstharz. Dabei zu unterscheiden :

Kalteinbetten:
Probe wird in eine Form gelegt und mit Harz und H ä rter ü bergossen. H ä rtereaktion fü hrt
nur zu geringer Temperaturerhöhung.
Warmeinbetten:
Probe wird in eine Einbettpresse gelegt und das pulvcrformige Kunstharz wird zu -
gegeben . Unter erhö hter Temperatur ( bis 150 °C) und erhöhtem Druck schmilzt das
% Kunstharz und hä rtet aus.

Schleifen: Stufenweise Reduzierung der Oberflächenrauhigkeit mit Hilfe von Schleit -

papieren mit immer feinerer Körnung, z. B. 120, 320, 600 und 1000. Erfolgt meist auf
- -
automatischen Gerä ten , die je nach verwendeter Haltevorrichtung bis zu 10 Proben
gleichzeitig präparieren können . Sowohl der Probenhalter als auch der mit Schleifpapier
bespannte Teller rotieren
Relativbcwegung unter Druck f ü hrt zum Materialabtrag
Durch das stufenweise Schleifen werden Beschädigungen oder verformtes oberflächennahes
Material unter Zuf ü gung immer kleiner werdender neuer Verformungen beseitigt. Eine
Erwärmung der Proben während des Schleifens mu ß vermieden werden. Man benutzt dazu
Leitungswasser, das als K ühlmittel dient , gleichzeitig aber abgeschliffene Werkstoffpartikel
und ausgebrochene Schlcifmittelk ömer wegschwemmt. Nach der letzten Schleifstufe ist eine
weitgehende Einebnung der Schliffläche erreicht
Voraussetzung f ü r das Polieren

153
 Polieren . Erfolgt auf rotierender Scheibe, auf der Poliert üchcr aufgeklcbt werden . Es gibt
verschiedene Qualitä ten von Poliertüchern :
Kurzfaserige, harte T ü cher * plane, aber kratzerbchaftete Oberfl ä chen
Langfaserige, weiche Tücher * kratzerfreie Oberfl ächen , aber Kantenabrundung und
Reliefbildung auf der Schilffläche nach längeren Polier-
zeiten
Poliermittel:
Meist Diamantpasten bzw , Diamantsuspensionen oder Diamantsprays mil K ö rnungen von
30 pm bis 0,25 pm.
Die Feuchtigkeit der Poliertüchcr wird mit Schmierfl üssigkeiten konstant gehalten. Der
letzte Pölierschritt wird in der Regel auf feinem kurzfaserigem Tuch mit koloidaler SiCV
-
Lösung und Polierzeiten von 1 2 min duinchge f ü hrt.

Die Art der Schliffpräparation (Auswahl der jeweiligen Schritte, der Umdrehungsgeschwin-
digkeit , des Probendrucks und der Polierzeit ) ist abh ängig vom Werkstoff und von der
geforderten Schliffqualitä t Nach der letzten Polierstufe ist der Schliff kratzer frei und somit
eine f ü r die Gef Ü gebeurteilung geeignete Schliffläche geschaffen,

Ä tzen : Eine unmittelbare lichtmikroskopische Beurteilung des fertigen Schliffs kann nur
dann erfolgen, wenn Gef ügebestandteile mit unterschiedlicher Eigenfä rbung und/ oder mit
unterschiedlichem Reflexionsvermö gen vorliegen. Das ist vielfach nicht der Fall ,

Daher erforderlich: Sichtbarmachung des Gef ügen durch Anätzen in geeigneten Lö sungen
-
,

* Nutzung von Reduktions-Oxid ations Vorgängen .

Dazu wesentlich : Elektrochemische Spannungsreihe der Elemente:
ö
Caö*, BeQO, Mg0 <\ AI 0 >, Mn , Zn , Cr , Cd , Tl°» Co , Ni° , Pb ,
000 00 00 50
C Ö 00 00
Li ü Na°
SbOD , Bi000 , AsQDä , Cu , Ag , Hg * Au , PtOQO
Ö 00 ö 000
1
Fe°“

Stellung eines Elementes vor Wasserstoff:

«fr Angriff durch Sä uren unter Entwicklung von H 2.
Stellung eines Elementes hinter Wasserstoff:
w+ Angriff durch Sä uren nur bei Zugabe von Oxidationsmitteln
,

gebestandteile mit unterschiedlichen elektrochemischen Potentialen

Konsequenz Gef
: ü
werden unterschiedlich stark angegriffen.
und anodische
Durch die Potential unterschiede entstehen auf der Schliffoberfläche kalhodische
Gefugehereiche
* Lokalelemente! Beispiele: Verschiedene
Phasen , gleiche Phasen unterschiedlicher
Orientierung, Komgrenzcn, Ausscheidungen, verformte und nicht
verformte Bereiche,
). Dadurch beispielsweise .
gescigerte und nicht geseigerte Zonen ( vergl Bild 8.1 Sichtbarmachung .
Komgrcnzenätzung: Bevorzugter Angriff an Komgrenzcn fuhrt zu ihrer
Komfl ä chen ätzung; Orientierungsabhä ngiger Abtrag von Komfl ä chcn oder orientierungs -
Sichtbarmachung, vgl . Bild S
abh ängige Schichtbildung auf Komflä chcn führt zu ihrer
Die meisten Ätzmittel sind empirisch gefunden worden und
sind in entsprechenden Nach-
schlagwerken aufgefü hrt . In Tabelle 8.1 sind f ür einige wichtige Werkstoff gruppen die ü blichen
Ä tzmittel angegeben ,
Zange in das Ä tzmittel eingetauclit ,
Ätzvorgang - Schliff wird fü r Sekunden bis Minuten mit der
und zuletzt unter dem Föhn
dann mit Wasser abgespü lt , im Ultraschallbad in Alkohol gereinigt
mit warmer Luft getrocknet .

154
 *) <0 e)

r>n nn
f)
' g)

t f r r r r rrr /v y / / //

-
Bild 8.1: Selektive Relief und Schichtbildung bei der nietallographischen Gef ügeentwicklung
a ) ideal glatte Oberfläche; b ) Relief durch mechanisches Polieren; c) bis e) Korngrenzenmarkie -
rung durch Ätzen; fl g ) Korngrenzenabtrag durch Diffusion und Verdampfung im Vakuum; h),
i ) partielle Schichtbildung; j) gejugeunabhängige Schichtbildung ;
k) orientierungsabhängige Schichtbildung

UK o, - : '
r >~
-V
'
L.
L
m
\
'
/ s t

- J
5
\ y K
X

V
.. T. -

: * v:
.
-
r
urn
*

Kornflächenätzung ( rechts)
Bild 8.2: Beispiel für Korngrenzenätzung (links) und

155
 Werkstoff Ä tzmittel
1- 5 cm - Salpetersäure (Q - MQg/cm 5 )
100 cm3 Alkohol
Fe-Basislegierungen
1 ml Salzsä ure
4 gr Pikrinsä ure
100 ml Alkohol
-
0,5 cm - 40 % ige Flu ßsä urc
100 cm 3 Wasser
A l -B as i sl cgi erungen
5 %-ige Molybdänsä ure
10 g Amnioniompcrsul fat
90 cm1 Wasser

10 % wäß rige Eisennitratlösung

1
10 cm Salzsä ure
100 cm3 Wasser
Ni - Basislegierungen
50 ml Salzsäure
10 ml Salpetersä ure

Tabelle 8.1 : Ätzmittel zur Entwicklung des Gefüges von Metallegierungen

Metallmikroskop mit
Licht mikroskopische Untersuchung: Bild 8.3 zeigt ein modernes
Kameraaufsatz für die Gefiigeuntersuchung. Am hä ufigsten benutzt :
Senkrechte Hellfeldbeleuchtung
in den
Das Licht geht von einer Quelle aus und gelangt durch die Kondensorlmse Achse
daß es parallel zur optischen
lluminator. In diesem wird das Licht so ausgelenkt ,
«ui. uou wnu u®
lurch das Objektiv senkrecht aut die bciuimacne
Die Lichtwcllen interferieren miteinander un Tubus-
n das Objektiv zuriickieflektiert.
, wo ein vergr ößertes reelles Bild
; ystem und gelangen danach in die Zwischenbildebene

> der zu einer

größerung beträgt
-
erung des
V0bs • voV ,

Objektivs
V . die Einzelvcrgrößerung des Okulars ist
und VotJ die Einzel Vergröß

156
 Die Objektive und Okulare in
Mikroskopen fü r Gcfugcuntersu -
chungen sind Mchrlinsensyste-
mc. Die Vergrößerung wird auf
der Fassung angegeben . Bei Ob -
jektiven ist ferner die numerische
Apertur
m
A = n sin a
fl
vermerkt , n ist der Brechungs- & V

index des Mediums zwischen

»
0 I

Objektiv und Schliff, a der halbe m-

ÖfTnungswinkel der Frontlinse li T "

.lAfl
m
:
:

des Objektivs. A ist demnach ein

. -
Maß f ü r die Größe des Lichtke- Ina <

<
>"

gels, den das Objektiv von der

I
Schlififflächc aufhimmt , Fü r Luft
als Medium gilt n = 1 und A < 1.
Bei den Immersionsobjektiven
wird zwischen Schliff und Ob -
*
3S
—
]3e*ä

jektiv eine Immersionsfl üssigkeit Bild 8.3: Modernes Mikroskop f ür Gefiigeuntersuchungen

mit n > 1 aufgebracht und somit
A (bei gegebenem a) vergrößert.

Das Auflösungsvermögen hängt nach der Abbc'schen Bedingung

X = —
A
(8.1 )

von der Wellenl änge X und der numerischen Apertur A ab. X ist der kleinste
Abstand zweier
Bei Beobachtung mit einer Natriumdampflampe als Licht -
getrennt zu beobachtender Punkte .
sungsverm ö gen X = 0,84 pm .
quelle (X = 590 nm) ergibt sich fü r A = 0.7 also als Auflö
* Neben der Auflösung ist die Sch ärfentiefe S von erheblicher
Bedeutung . Sie gibt den maximalen
gelegener Objektpunkte an,
Abstand S zweier in Richtung der optischen Achse hintereinander
die scharf abgebildct werden. Hs gilt

(> •
*
0,07 [ mm] (8.2 )
S
AV

Ansprüche an die Planheit der Schliffe

.

157
 8.2 Elcktronenmikroskopie
8.2.1 Einfü hrung

In vielerlei Hinsicht unterscheidet sich die Elektronenoptik nicht wesentlich von der Lichtoptik.
Zusätzlich zur Charakterisierung als Teilchen eines Atoms können Elektronen nämlich auch als
Wellen mit einer f ü r Elektronenmikroskope nutzbaren Wellenl ä nge von 0,001 bis 0,01 nm
beschrieben werden . Ein deutlicher Unterschied zwischen Elektronen und Licht liegt dabei in
den um vier bis f ü nf Größenordnungen k ü rzeren Wellenl ängen der Elektroncnstrahlen . Ein
weiterer Unterschied zwischen Elektronen- und Lichtwellen ist die starke Streuung der Elek -
tronen an Gas. Elektronen haben bei atmosph ä rischem Druck eine freie Wegl änge von nur
einigen Millimetern. Daher muß das Innere eines Elektronenmikroskops auf mindestens 10 : Pa
(10 bar) evakuiert werden .

Bild 8.4 zeigt den prinzipiellen Aufbau

eines Elektronenmikroskops. Mit Hilfe
Kathode
Wehnelt
Zylinder
*
'1 — *

einer Kathode, die auf unterschied - Anode

lichen physikalischen Wirkprinzipien Bildrö hre
beruhen kann , wird ein Elcktronen-
strahl erzeugt, der im sogenannten Kondensor
Wchneltzylinder geb ü ndelt wird .
s
Durch die gro ße Potentialdifferenz von
-
40 bis 400 kV werden die Elektronen Rastor-
auf eine sehr gro ße Geschwindigkeit Strahl* gene rator
beschleunigt. Da Elektronen nicht wie foku si er -
Lichtwcllen durch herk ö mmliche lin so
1 7///.Ö 4/V
Linsen gebeugt werden k önnen, nutzt / :.
•

man die Fä higkeit von Magnetfeldern,

sich bewegende Elektronen in ihrer RS
EDX
Bahn abzulenken. Es wrerden daher Video
Verstä rker
Spulen als magnetische Linsen SE
Probe
eingesetzt. Durch ein Magnetlinsen-
system wird der beschleunigte Elektro- Probenstrom
[>
% nenstrahl auf die zu untersuchende EBIC
*

Probe auf einen Durchmesser von

i
wenigen gm fokussiert. Dort treten die Computer
Daten-
Speicher
Elektronen mit den Atomen und dem
Atomgitter der Proben in Wechsel - Bild 8.4: Prinzipieller Aufbau eines Elektronennnkro -
Wirkung Bild 8.5 zeigt die dabei
auftretenden Effekte. skops am Bespiel eines Rasterelektronenmikroskops

ö rpers ( der
Sekund ärclektronen sind per Definition Elektronen , welche die Oberfläche des Festk
Probe) mit einer Energie von höchstens 50 eV wieder verlassen . Es kann sich dabei zum einen
Restenergic von wenigen eV wieder
um Prim ärelektronen handeln, die aus der Probe mit einer
austreten. Im hä ufigeren Fall sind es jedoch Elektronen des Probenmatenals aui die eine
wurde
.
aus der Oberfl äche ausreicht , ü bertragen
Energiemenge, die gerade zum Austreten
Sekundärelektronen sind in der Regel in groß er Zahl vorhanden . R ückgestreute Elektronen sind
Zahl
dagegen Primärelektroncn mit noch hohem Energicniveau (>50eV), die in geringerer
auftreten. Beim Durchgang des Strahls durch eine d ünne Folie erf ährt ein Teil der Primärelek -
tronen keinerlei Ablenkung und tritt als direkt durchgehender Strahl aus der Probe wieder
aus

158
 Einfaltender Eiektr neffiiS.tralfa
^ )
( Prim ö relektronen

Llchl* und R ö ntgen strahlen

-
R ü ckstreu und
Sekund ä rolektronen

Erwä rmung
y . Aufladung der Probe

3— Probe

Licht- und Sekunda relektronen

Rö ntgenstrahlen /
Elastisch gestreute Elektronen
/ * Unelastisch gestreute Elektronen
( inelastische Streuung )
( elastische Streuung ) Bild 8.5 :Wechselwirkungen
Direkt durchgehender Strahl
Elektronenstrahl -Probe
Bei diesem Durchgang k önnen aber auch zusätzlich Wechselwirkungen zwischen den Prim ä r
elektronen und dem Atomgitter des Festk örpers auftreten. Man unterscheidet dabei zwischen
-
elastischer und inelastischer Streuung. Bei der elastischen Streuung ver ä ndert sich die Energie
t und damit die Geschwindigkeit des Primärelektrons trotz einer möglichen Richtungsänderung
nicht . Das Primärelektron tritt dabei in Wechselwirkung mit dem Atomkern und den ihn
umgebenden Elektronen. Die inelastische Streuung beschreibt alle Vorgänge, bei denen das
Primärelektron einen Teil seiner Energie verliert» indem es im Festk örper abgebremst wird .
Nahezu die gesamte kinetische Energie wird dabei in Wärme umgewandelt. Die Erwärmung
h ängt stark von der Intensität des Elektronenstrahls sowie von Dicke und Wärmeleitfähigkeit
des Präparats ab. Ein geringer /Anteil der Energie kann in Form von Rö ntgenstrahlen oder
Sekundärelektronen austreten. Durch Messung der Röntgenstrahlung können in der analytischen
Elektronenmikroskopie Aussagen ü ber die in der Probe befindlichen Elemente gemacht werden
(vergl. Absehn . 9.1.2). Zusätzlich zu den bisher genannten Effekten werden au ßerdem Licht-
strahlen emittiert und es kommt zu einer positiven bzw. negativen Aufladung der Probe, je
nachdem ob mehr Elektronen emittiert oder absorbiert werden.

8.2.2 Rasterelektronenmikroskopie
Aufgaben - Beurteilung des Werkstoffgef Üges mit höherer Auflösung und/oder
Stellungen: Schärfentiefe als bei lichtmikroskopischer Untersuchung
Beurteilung von Bruchfl ächen
Qualitative chemische Analyse in mikroskopisch kleinen Bereichen,
Lösung: Beobachtung von Schliffen bzw. von Bruchflächen im Rasterelektronenmi-
kroskop
Qualitative Analyse der erzeugten Rö ntgenstrahlung
Arbeitsschritte:

Schliffherstellung: Erfolgt im wesentlichen wie ftir lichtmikroskopische Untersuchungen

,
.
vgl Abschn. 8.1 . Schliffe aus nicht elektrisch leilfähigen Materialien m üssen grundsätzlich
und solche aus elektrisch leitfähigen Werkstoffen ggf zur Kontrastverbesscrung geeignet
beschichtet werden, z.B. mit Gold .
3 BruchfUkheiiprä paration : Aus dem interessierenden Bereich der Bruchfläche werden eine
Probe bzw . ggf mehrere Proben entnommen, deren Bruchfl ächenanteil üblicherweise einige
mnv bis einige enf betragen. Verschmutzte Bruch flächen werden geeignet (z. B. im Ul-
traschallbad ) gereinigt . Wie bei der Schliffherstellung kann eine Beschichtung erforderlich
sein.

159
 *' '^ l n ,,ersuc,lunR Einbringen der Probe in den Bcobach-
RasT^ r !r *nenm
. ^^ ^ .
40 5
tungsraum de C
*lcros coP Evakuierung der Mikroskops ule. Erzeugung
O al,
-
eines Bildes durt 1
Abrasterung
, T der der vk
0 5
Schliff- bzw. Bmchfl äche mit dem Flektronens rahL
ä

Im SÜ I IT t v
K
A
^
der* m den KaP teln
, e sc
,
ZU
*
"‘g^
8.1
trahlung vcrgl Abschn 9.1 .2).
Ct7eugten
und 8.2 2 beschriebenen Verfahren, bei denen ein
.
( .

. . , ^
UYiexsc 1
C C
* ^
abgebildet wird, ist die Rastcrelektronenmikroskopie (^
elcuchtct und dann nach den Gesetzen der Strahlenoptik
REM) kein direktes Abbildungsvcrfahren.
ur rzeugung eines Bildes wird im Rasterelektronenmikroskop ein sehr fein fokussierter
Elektronenstrahl zellenförmig mit Hilfe von Ablenkspulen ü ber die Oberfl äche eines zu untersu
chenden Körpers gef ührt. Die Elektronen treten dabei an jedem einzelnen Punkt mit der Matenc
-
in Wechselwirkung ( vgl. Bild 8.5). Jedes Produkt dieser Wechselwirkung, seien es elek-
tromagnetische Wellen, ausgesandte Elektronen oder der von der Probe ü ber den Probenhalter
abflie ßende Strom kann registriert werden und als Eingangssignal f ü r eine mit dem Rasterstrahl
synchronisierte Bildrö hre (Braunsche Röhre) dienen. Eine Vergröß erung wird dabei ü ber
unterschiedliche Zeilenl ä ngen des Elektronenstrahls auf der Probe und auf dem Beobachtungs-
schirm realisiert. So ergibt z.B. eine Abrasterung einer Fl äche von lxl pm aufder Probenober-
fläche bei einer Größe des Beobachtungsscliirms von 10 x 10 cm 2 eine Vergrößerung von
10 cm : 1 pm = 10\ Zur Kontrastentstehung, d . h . zur Entstehung von Hell - Dunkel-Unter-
% schicden, die die Information des Bildes auf dem Beobachtungsschirm beinhalten , k önnen
unterschiedliche Effekte verantwortlich sein. Die wichtigsten werden im folgenden aufgcflihrt .

* Kantenkontrast
Bei rauhen Oberfl ächen wie z . B. Bruchfl ächen, angeä tzten metallographisehen Schliffen
oder bei jeder nicht polierten , technischen Oberfl äche ist dies der wichtigste Kontrastent -
stchungsmechanismus. Wie zuvor beschrieben sind Sekund ä rclcktronen , die am häufigsten
zur Bilderzeugung benutzt werden , das Produkt der Wechselwirkung zwischen einfallendem
Prim ärstrahl und der oberflächennahen Materie. Sie m üssen also von ihrem Entstehungsort
in der Probe wieder nach au ßen gelangen. Bild 8.6 a) veranschaulicht , da ß dies an einer
Kante einfacher und damit wahrscheinlicher ist als an einer glatten , ebenen Oberfläche.
Kanten, Aufwerfungen und Grate erscheinen deshalb im Rasterelektronenmikroskop heller
als andere Bereiche, wie in Bild 8.6 b) an einer Bruchfl äche beispielhaft ersichtlich.

a)
P rimä relektJ n PmnrlrnletoiäTOft

%
fiulzbur ä
SekL*dare »ctrDfier»
nutzbare
Sokoridiretoktforton
WZ* V
m
*
v
* iveht nutzbare
nicht nolzfc üfe
S*ujndareJ«Mron«n
9
m
Mi '

1
»

V
m.
»As- *. vMr-

Bild 8.6: Sekundärelektronenausbeute an einer Kante bzw

. auf einer ebenen Fläche und die
Auswirkung auf Kontraste im REM

160
 Matertalkontrast
Abh ä ngig von der Ordnungszahl der mit dem eintrcffendcn Primä relektronenstrahl wechsel -
wirkenden Atome sind die zuvor beschriebenen Effekte unterschiedlich stark ausgeprägt.
Deshalb erscheinen Bereiche mit unterschiedlichen Elementzusammensetzungcn unter-
schiedlich hell .

Chanelling Effekt (Ö rienlierungskontrast)

Beim Chanelling Effekt liegen die Gitterebencn des wechselwirkenden Probcnbereiches
parallel zum eintreffenden Elektronenstrahl (siehe Bild 8.7 ). Dies fahrt dazu, daß die Elek-
tronen sehr tief in die Materie eindringen können , und die in gro ßer Tiefe erzeugten Se-
kund ä relektronen nur sehr schwer wieder austreten k ö nnen , was zur Folge hat, daß derartig
ausgerichtete Körner im Vergleich zu anderen dunkel erscheinen .

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-
yt -
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4 ..
c
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* *
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fr
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* H
*
f

z
W

Bild 8.7: Veranschaulichung und Beispiel für den Chanelling Effekt bei veränderter Proben -
kippung

Topogra p hiekont ra st
*
>
Bei gekrü mmten Oberflächen erscheinen Stellen , die
% % zum Detektor geneigt sind hell, im Vergleich zu dem
Detektor abgewandten Stellen. Es entsteht so der
Eindruck einer sciirägen Beleuchtung mit Schatten -
w ürfen aus der Richtung des Detektors . ( Bild 8.8)

Sichtbarmachung von elektrischen und magneti-

schen Feldern
Elektrische und magnetische Felder lenken unter
Umst ä nden den cintretfenden Primärelektroucnstrahl
leicht ab. Dadurch kommt es zu einer rä umlichen Bild 8 , 8: Töpographiekontrasi
-
Umverteilung der Prim ä r und damit auch Sekundä r - und verschwommenen
und R ückstreuclcktronenintensit äten, was zum einen zu Unschärfen
aussagekräftigen Kontrasten fahren kann. Solche Effekte
Bildern , zum andern aber auch zu
werden in der Halbleitertechnik zur Sichtbarmachung von Strömen und Ladungsverteilungen
in elektronischen Bauteilen genutzt .

1 hl
 8.2.3 I ransmissionselektronenmikroskopie

Aufgabenstellungen . Beurteilung von Gitterstöningen wie Versetzungen, Stapel fehler, Aus-

scheidungen.
Strukturanalyse und ( qualitative) chemische Analyse in submikrosko-
pisch kleinen Bereichen ,

Lösung: Durchstrahlung von hinreichend d ünnen Werkstoffbcrcichen (" Folien")

mit Elektronen im Transmissionselektroncnmikroskop (TEM) . Bewer-
tung von Hellfeldabbildungen » Dunkclfcldabbildungen und Beugungs-
bildcm . Qualitative Analyse der erzeugten Röntgenstrahlung ,

Arbeitsschritte:

3 Probenahme : Hcraustrennen eines repräsentativen Bereichs aus dem Bauteil oder der
Probe ähnlich wie in Abschn. 8.1 ,

Pl ä ttchenlierstelliing: Aus dem interessierenden Bereich werden z . B . mit einer Di -

aniamsäge oder durch Funkenerosion etwa 1 mm dicke Pl ättchen hergestellt
,

I
Schleifen: Ähnlich wie bei der Schliffpräparation f ür lichtmikroskopische Untersu-
chungen werden die Plättchen durch stufenweises Schleifen auf eine Dicke von etwa 0,1
mm gebracht .
Polieren oder
Polieren , Folicnherstellung: Durch chemisches und oder elektrolytisches
len werden die Pl ä ttchen auf eine fü r
durch Matcrialabtrag mit Hilfe von lonenstrah
Elektronenstrahlen durchdringbare Dicke gebracht . Sie beträgt je nach Materiald ichte
und Beschleunigungsspannung des Elektronen mikroskops 50 bis 500 nm . Man spricht
tzt , bis in der Folie ein
daher auch von Folien . H äufig wird so lange poliert bzw . geä
Dicke berandet ist .
Loch entsteht , das von Materialbereichen mit der oben genannten
,

nglich
Diese Bereiche sind der Untersuchung im TEM zugä
,

Plättchens in
Transmissionselektroncnmikroskopische Untersuchung : Einbau des
gsraum des Transmis sionselek -
einen Probenhalter. Einbringen in den Beobachtun Beugungsbildes durch Durch-
tronenmikroskops . Erzeugung einer Abbildung oder eines
% Analyse der erzeugten Rö ntgenstrahlung
strahlung der Folie mit Elektronen. Qualitative
(vergl Abschn . 9 , 1.2)
,
,

, in dem der Elektronenstrahl wie in der

Bild 8.9 zeigt den schematischen Aufbau eines TEM
wird . Nach Durchtritt des Strahls durch die
zuvor beschriebenen Weise auf die Probe fokusicrt
Objektivaperturblende aufgefangen. Das durch
Probe wird der abgebeugte Anteil durch die
ößerte Bild wird auf dem Endbildschinn bzw.
Objektiv. , Zwischen- und Projektiv ü nsc vergr Mikroskoprohrlänge
einer Photoplaue abgebildet . Der
gesamte Aulbau summiert sich zu einer

betreiben zu k önnen , mü ssen die verwendeten Proben

Um Transmissionselektronenmikroskopie
ganz bestimmte Eigenschaften erfü llen . Je
nach Dichte des Materials und Höhe der Besch eu-
, wie oben bereits gesprochen, höchstens
nigungsspannune des Mikroskops dü rfen die Proben
eine Dicke von 50 bis 500 nm haben . Man spricht ^
deshalb auch von Folien.

162
 MMrnftdtfltflmoO«
Wtfcn «ffcy*ndef
Ar*ode

Kon< j#n*o'Vtt «
Kondemo^iperturt*«'**
0

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^
und de* Ob| elrtw-Ape<1urt»end«
——
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*
vtrgf öOtrt «« B*d
zuo e«cb Ebene de< SeWortolende
-
—
Zwischen » *«
^3
Zw«Btufig vefg'ö<Wfte* B4d
%
Pto|ek*Vi»« - 13 ::

Dretftüfy) vergrößerte» B*J.

Endb»dech*m bzw Fotoplatte

£ 9: Schematischer Aufbau eines Transmissionselektronenmikroskops

jEertTbe, , Folicnhcrstcllungnieh. «**£ T te to

% SST
^
, B durch pWuch. Vota»* Eindiffiwion von WM. dc./helb onrusseuun « «*
hervorgcnrfen
de

Eine «rr lige

werden.
erfolgreiche TEM - Untersuchung ^ ^ *
Ptobenprtprmllon i l h
EMBTOly
^
z

\
probe

Kkpp«cbM 2
und Verkippungen
Bild 8.10: Probenhalter und zugehörige Achsen
I fp !
 1

„caS1 nJJ® n * en
in er ro c n den Strahlengang erfolgt in der
^a ers
®
^ ' 8.10).Halter und Aufnahme amRegel mittels sind
eines sogenannten
*
dab das Vakuum ^10
^ Mikroskop so konstruiert,
Mikroskop beim Einfuhren der Probe erhalten bleibt Die Probe läßt sich
im
.
mit dem Probenhalter 2 mm in x - und y-Richtung
verfahren. Eine Verschiebung in z-Richtung
um wenige Zehntel Mi llimeter ermöglicht es, die Probe in die Gegenstandsebene des Objektivs
zu bringen. Eine Verkippung der Probe um die x - und y- Achse ist für die effektive Arbeit mit
dem TEM ebenfalls notwendig. Die Mechanik, die alle diese Bewegungen und Kippungen
aus führt, muß so stabil sein, daß sich die Probe beim Fotografieren um nicht mehr als 0,1 nm
bewegt. Andernfalls verwischt die Aufnahme bei hohen Vergrößerungen.
Die in Abschn.8.2.1 beschriebene elastische Streuung ( vcrgl. Bild 8.5) ist der für die Trans-
missionselektroncnmikroskopie wesentliche Streumechanismus und wird zur Erzeugung von
Beugungsbildem verwendet. Dabei kann mittels der r äumlichen Verteilung der gestreuten
Elektronen eine Aussage über die Anordnung der Atome im Präparat gemacht werden.

a) •fffalarKter StriN
(

*
M ’ 5 /
/ / * *
* * 1 'H
*

/ /
/ / '

ff T 1n
abg»tougt r Strah ungeteilter
*
rach ß »33 0«ö >guf>g Strahl
*

reflektierende
d) Ebenen :

! C) eintaElendef
/
4 Ebene 2
Ebene 1
Strahl fl) 1

1
Probe
!
*l /
7

Strahl

abgebeugter ungebeugter
Strahl { ) Strahl (T)

*1
. /BeugungsbUd
2
Film
f -*

Bild 8.11: Entstehung von Beugungsbildem

164
w*
-^
an von i .11 b)-d ) soll das Zustandekommen eines Beugungsbildes genauer erl ä utert
^ ^^ * ^
CS c cnc 1ara ters der Elektronen kann der cinfallende Elektronenstrahl
m Bild 8.11 b) als koh ärente Welle aufgefa ßt werden, dessen einzelne Elektroncnwcllcn sich in
Phase befinden, wie bei I angedcutet . Trifft ein solcher Elektroncnstrahl auf eine Probe, dann
.
werden einige Elektronenwellen an den Atomen (z.B an den Atomen A und B) elastisch
gestreut . Alle gestreuten Wellen, die miteinander in Phase sind , verst ä rken sich gegenseitig und
bilden damit einen abgebeugten Elektroncnstrahl ( D). Gestreute Wellen , die au ßer Phase sind ,
verstärken sich dagegen nicht (N). Die gestreuten Wellen sind dann in Phase, w enn die Weglän-
gen der Wellen von I nach D um ein ganzzahliges Vielfaches der Wellenl änge verschoben sind .
Das ist dann der Fall , wenn CB + BE * n X, wobei n eine ganze Zahl und X die Wellenlänge ist .
—
*

Nach Bild 8.11 b) gilt BE * CB d’sin ö mit d als Netzebenenabstand und 0 als Winkel zwi
schen Netzebene und cinfallcndcm bzw . ausfallendem Strahl. Es mu ß also f ür die Verstärkung
-
gelten:

-
2 d sin 0 = n X - (8.3)

Dies ist die Braggsche Gleichung, die auch zur Beschreibung des Bcugungsverhaltcns von Rö nt -
genstrahlcn verwendet wird. Da 0 bei der Elektronenbeugung sehr klein ist, kann man sin 0 = 0
setzen. Mit n = 1 vereinfacht sich die Braggsche Gleichung dadurch zu
2 d ‘0 = X . (8.4)

bleiben
Der Strahl T geht ungebeugt durch die Probe hindurch, die einzelnen Elektroncnwcllcn
Bildschirm aut ( Bild 8.11 c).
in Phase. Im Abstand L von der Probe trifft er im Punkt 0 auf den
befindet sich in einem Abstand r von 0
Der gebeugte Strahl D trifft bei X auf. Dieser Punkt
entfernt . Es gilt:

-
bzw. mit kleinem 20 Winkel:
—
L
- tan 2 Q (8 , 5 )

r (8.6)
= 20
L

In Verbindung mit Gleichung 8.4 wird daraus:

r _
"
X (8.7)
L d

ind , kann man durch Ausmessen von r den

Da L und X bekannt sind
Netzebenenabstand d be -

165
 Trotzdem lassen sich einzelne Atome in einem TEM nur schwer au Hosen , da durch die Dicke
der Folien stets mindestens 100 Atome übereinander liegen und sich somit keine Einzelatome
erkennen lassen . Das Auflösungsvermögen des menschlichen Auges liegt bei 0,2 mm . Um
Punkte mit einem Abstand von 0,2 nm f ü r das menschliche Auge sichtbar zu machen , braucht
man also eine Vergrößerung von 100 000 . Die maximale Vergrößerung eines gebr ä uchlichen
TEMS liegt bei ca . 300 000.
Tn den Bildern 8,12 bis 8.14 sind einige wichtige Mikrostrukturcn, wie sie im TEM zu sehen
sind, abgeb ildet .

Mit Hilfe bestimmter Verfahren lassen sich im TEM z . B. auch die Lage des Burgersvektors der
abgebildcten Versetzungen sowie die Versetzungsdichte im Material bestimmen. Das 1 EM ist
somit ein sehr effektives und vielseitig anwendbares Ger ä t zur Untersuchung der MikroStruktur
,

1 . t .

/ c \
s '

U
I 4&M V
s

iit
v
i . i
tu / ;
'S
: . V
&
0.2 um

ändern
Bild 8.12: Versetzungen , angeordnet in Cleidb

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a
'

/ £ uni
Wt m

Bild 8 14 : Karbide und Zwilling in einem Korn

Bild 8.13: Versetzungsknäuel um Teilchen
,

166
 9 Untersuchungen mit R ö ntgen -
und Teilchen strahlen
9.1 Röntgenographische Methoden
9.1.1 Einf ü hrung
a) Erzeugung von Rö ntgenstrahlcn

In Hochvakuumröhren von einer Gl ühkathode emittierte Elektronen werden in einem elektri -

schen Gleichspannungsfeld beschleunigt und anschließend in einer metallischen Anode abge-
bremst. Dabei entsteht das kontinuierliche R ö ntgenbremsspektrum mit einer kurzwelligen
Grenzwellenl änge
h c
t ^ min
e U
(9- 1)

unabhängig vom Anodenmaterial , wobei h das Plancksche Wirkungsquantum, c die Licht -

geschwindigkeit , e die Elcmcntarladung und U die Beschlcunigungsspannung der Röhre ist [ 1].
Diesem ü berlagert sich die f ü r das Anodenmaterial charakteristische diskrete Eigenstrahlungs-
spektrum durch stoßinduzierte Übergänge von einem Energieniveau Ej auf ein Niveau Ej , mit
hohen Intensitäten bei den Charakteristischen Wellenlängen
h c
^ 1.2
"

.
E - E2
(9.2 )

Beispielhaft zeigt Bild 9.1 das Brems- und Eigenstrahlungsspektrum einer Molybd änanode. Bei
einer Beschleunigungsspannung von - 35 kV ergibt sich nach Gl. 1 eine Grenzwellenl ängc
= 0.035 nm. Die Übergangsenergien liegen .
bei Molybd än bei AE L K = 17 . 44 kcV bzw. AE M ,K
= 19.61 keV was charakteristischen Wellenl *
,
ä ngen bei X , = 0.071 nm bzw. X* = 0.063 nm
entspricht.
K«

ä
L/J

£
=
J

Kü

Bild 9.1: Brems- und Eigenstrahlungs -

spektrum einer Molybdänanode 0.02 0.04 0.06 0.08
Wollanlä ngo X ( nm]

167
 b) Schw ä chung von R öntgenstrahlung in Materie

Beim Durchlaufen eines Werkstoffs der Dicke S wird ein Röntgenstrahl der Intensit ät I0 durch
Wechselwirkungen mit der Materie geschw ä cht, so da ß hinter dem Werkstoff noch die Intensität
I = , Io e - »*s (9.3)
vorliegt. Der lineare Schw ächungskoeffizient g hängt ab von der Wellenl änge der eingesetzten
Röntgenstrahlung und der chemischen Zusammensetzung des durchstrahlten Werkstoffs.

c) Röntgenbeugung

Röntgenstrahlen der Wellenlänge X werden X

an Gitterebenen der Werkstoffkristallite ChMl
M
gebeugt . Fä llt ein Röntgenstrahl, wie in Bild
9,2 schematisch gezeigt unter dem Winkel 0 I
Io
auf Gitterebenen der Miller sehen Indizes
1

,
{hkl} mit dem Ebenenabstand Dlhk \ so
kommt es unter dem Winkel 20 zum ein-
t fallenden Strahl zu einem Beugungsmaxi-
a 9
* *
* t
mum , falls die Bragg’sche Bedingung D,
2 Dlhkl > sm 0 = X (9.4)
o sin 9
erfiillt ist. Aus beugungstheoretischen Grü n - 4
\
*
den erweisen sich strukturabh ängig nur ganz Gitterebenen \

bestimmte Gitterebenen { hkl } als interfe- ( hkl ) V s

renzfähig. Bei der kfz-Struktur treten Inter-
ferenzen nur auf falls alle Indizes gerade
-
bzw alle ungerade sind. Bei der krz Struk - Bild 9.2: Geometrische Veranschaulichung der
,

tur mu ß die Bedingung Braggschen In terferenzbedingung

h + k + 1 = 2 n fü r alle neN (9.5)
erf ü llt sein.

d) Röntgendiffraktometer
% 20 / 0-Achse - ( >-Achse
j

Die Slrahlungsquelle steht aus apparati- Probe

ven Grü nden meist fest . In deT Diffrak
20
- Diffraktometer-
kreis
tometerebene, unter dem Winkel 0
zum Prim ä rstrahl befindet sich der 20 = 6 = 0
Strahlungsdetektor . Im Schnittpunkt einfallender
des Prim ärstrahls mit der Detektorach -
R ö ntgen-
slrahl I ü
X.

.
s
se, dem Zentrum des Diffraktometers cf -Achse
N 0
wird die Probe positioniert . Bild 9.3 N
zeigt den Aufbau eines Diffrakto- -
I
JL
2« abgebeugte
0
üp -Achse
meters zur röntgenograph isehen Span - Intensitä t I
nungsanalysc (vergl Abschn . 9.1,6) mit
eines y-
einem typischen Intensitätsverlauf eines Bild 9.3: Geometrische Verhältnisse beim Einsatz
unter dem Azimutwtnkel tp und
aufgenommenen
dem
20 -
Diffraktometers
verlauf eines 26
mit
-
einem
scans .
typischen Intensitäts -
Distanzwinkel
scans.
168
 9.1.2 Elektronenstrahlmikroanalyse
Aufgabenstellung: Bestimmung der chemischen Zusammensetzung in mikroskopisch kleinen
Bereichen ,

Lösung: Bestrahlen einer Probenoberfl äche mit Elektronenstrahlen . Erzeugung des

Eigcnstrahlungsspektnims der interessierenden Phasen . Analyse des Eigen -
strahlungsspektrums in geeigneten Detektoren ,
Arbeitsschritte:

Probenahme: Erfolgt wie bei mikroskopischen Untersuchungen, vgl . Kap , 8.

Probenprä paration: Erfolgt bei Untersuchungen in der Mikrosonde bzw . im Rasterelek-

tronenmikroskop (REM) wie in Abschn. 8 ,2 ,2 und bei Untersuchungen im Transmissions-
elektronenmikroskop (TEM) wie in Abschn . 8,2.3.

Elektronenstrahlmikroanalyse: Einbringen der Probe in den Beobachtungsraum des REM*

der Mikrosonde oder des TEM. Abrasterung der Probenoberfl äche (oder einer Bruchfläche)
-
mit Elektronenstrahlen und Erzeugung von Röntgen Eigenstrahlung (vgl . Abschn . 9.1.1a )
t und Bild 9.4), Messung der Intensität der f ü r den Werkstoff charakteristischen Eigen -
strahlung in energiedispersiven oder wellenlängendispersiven Spektrometern.

N
M
L
K

% Bild 9.4: Schematische Darstellung der

Entstehung von Ka-Eigenstrahlung
e

Elektronenmikroskope
Die vielf ältigen Ausrüstung*- und Kombinationsmöglichkeitcn moderner
in unterschiedliche Untersuchungs-
hat dazu gef ü hrt, daß die Elektronenstrahlmikroanalyse
r die Elektronenstrahlmikroanalyse entwickelt :
konzepte eingebunden werden kann. Speziell f ü
Rasterelektronenmikroskopen , arbeiten aber mit höheren
Mikrosonden , ähneln im Aufbau
Strahlslrömen
ta» Einsatz von wellenlängendispersiven Spektrometern (abgek ü rzt WDS
oder WDX ) (3 bis 6 WDS pro Gerä t)
Abbildungseigenschaften , (z. Bf Auflösungvemnögen) von Mikrosonden
sind schlechter als die von REM .

169
 In Rasterelekironcnmikroskopen gehö rt die Elektronenstrahlmikroanalyse zur Standard- Ergän -
zung und wird meist (aufgrund der kleineren Strahlströme) mit energiedispersiven Spektro-
metern (abgek ü rzt EDS oder EDX ) vorgenommen .

Wird ein TEM mit einer Ablenkeinheit f ü r den Elektronenstrahl versehen, so daß ein Proben -
bereich abgerastert und die entstehende Röntgenstrahlung analysiert werden kann , so spricht
man von einem S1 EM ( scanning transmission elcctron mikroscope ) oder einem AEM (analyti -
sches Elektronenmikroskop, analytical elcctron mikroscope). Auch in diesem Fall erfolgt die
Analyse der R öntgeneigenstrahlung meist in energiedispersiven Spektrometern.

9.1 . 3 R ö ntgenfluoreszenzaiialyse
vorliegen -
Aufgabenstellung : Ermittlung von Art und Menge der in einem Werkstoffvolumen
den Elemente.
Lösung: Anregung der f ür die einzelnen Elemente charakteristischen R ö ntgen -
fluoreszenzslrahlung (Eigenstrahlung ) durch prim äre Rö ntgenstrahlung
hinreichend kleiner Wellenlänge und hinreichend hoher Energie.
Analyse
% der Eigenstrahlung in einem R ö ntgendiffraktometcr .
.Arbeitsschritte:
Probenahme: Erfolgt analog zu Abschn. 8 , 1 .

Probenpräparation: Die Probe wird gereinigt und ggf

. kontaminierte oberflächennahe
geeignete Methoden entfernt.
Bereiche durch Schleifen , elektrolytischen Abtrag oder andere

Einbau einer Probe in ein Röntgendiffraktometer

, vergl. Bild 9.3.

g ausgesetzt . Die entstehende

Elementanalvse: Die Probe wird geeigneter Röntgenstrahlunvermessen und hinsichtlich der
ät
Eigenstrahlung wird hinsichtlich Wellenlänge und Intensit
existierenden Elemente ausgewertet .

ung
% 9.1 .4 Gitterstrukturbestimmung mit Röntgenstrahl
Aufgabenstellung: Ermittlung der Gitterstruktur der
kristallinen Phasen eines Werkstoff . ^
an einer Probt
Lösung' Beugung von monochromatischer Röntgenstrahlung
meter. Analyse der
interessierenden Werkstoffs in einem Rö ntgendiffrakto
Bedingung .
Beugungswinkel mit Hilfe der Bragg'schen
Arbeitsschritte:
Abstltn . 9.1 . 3.
Probenahme und Probenprä paiation: Erfolgt wie in

Einbau einer Probe in ein R ö ntgendiffraktometer

, vergl. Bild 9.3 .
Strahl mim er auf eine
Gitterstrukturbestimmung: Im Viclkristall trifft ein einfallwider
sind , da ß die Bragg sehe Bedingung
hinreichend große Zahl von Kristalliten, die so orientiert
Auswahlregeln ( vgl . Abschn . 9.1 .1 c) ist eine
erf ü llt ist. Anhand der unterschiedlichen
eindeutige Zuordnung zwischen Interferenzlinien (
Beugungswinkeln) und KnStallstrukturen
Bestimmung der Gitterkonstanten m öglich.
und mit Hilfe der Bragg'schen Bedingung eine

170
 9.1.5 Phasenanalyse mit Röntgenstrahlu
nS
Aufgabenstellung. Bestimmung der
Volumenanteile von kristallinen Phasen in einem Werk -
stoff.
^.SUn®

. ,.
' Beugung von R öntgenstrahlung an den kristallinen Phasen des Werkstoffs.
Analyse der Intensit ät der abgebeugten Rö ntgenstrahlung.
Arbcitsschnttc:

O Probenahme und Probenpräparation: Erfolgt wie in Abschn. 9.1 .3.

Einbau der Probe in ein Röntgendiffraktometer, vergl. Bild 9.3.

Phasenanalyse: Die integralen Intensitä ten von Interferenzprofilen einer Phase (vgl. Abschn.
9.1.4) sind den Volumcnanteilen der Phasen in den bestrahlten Bereichen proportional .
Weisen die in einem Werkstoff vorliegenden Phasen unterschiedliche Gittcrstrukturen und
hinreichend große Volumenanteile auf, so erlaubt ein Vergleich der gemessenen Intcgral -
intensit ä ten eine quantitative Ermittlung der einzelnen Phasenanteile. Die Bestimmung von
Intcgralintensit ä ten zeigt Bild 9.5.
I
30000

z 5000
CD

7500

Bild 9.5 : Bestimmung von Integral - 45 46 47 48 49 50

intensit äten zur röntgenographischen
Phasenanalyse
^3 44
Linienlage 29 [°]

' 9.1.6 R öntgenographische Spannungsanalyse ( RSA )

* %
, in Proben
Aufgabenstellung: Bestimmung von Spannungen , insbesondere Eigenspannungen
und Bauteilen aus kristallinen Werkstoffen.
Lösung: Analyse der durch die Einwirkung von Spannungen bzw . Eigenspannungen
1 veränderten Gilterebenenabst ände.
\ Arbeitsschritte:

\1 O Grand: Spnnnungs -
und
.
Eigen . . .^
PT0b»ahmc; Wen» imm r möglich, wird d c
pnnnnn 8
Bauteilgeometric in der Regel verändert.
zn
,
nnde
c Probe bzw .
, , ,
werden be Emgnflen n d e Proben bzw.

Probenpräparation : Erfolgt wie in Abschn

. 9.1.3 .
ö ntgendiffraktometer, vergl . Bild 9.3.
Einbau der Probe bzw. des Bauteils in ein R

° ss-rssÄSsssr 171
 L
4
L ' i ibO I.
.
fhki »

t / w/m/i
= 'hI1/,
I ,; .
::::: 0

Zo
/ w m, =
:
l >

i c Ihkl

VMMM. //m w////////// /////// ,

v *

/ t x / / /

4
U s
4 z
s1 Liut ••j
d
.
UtiiiUtu z
4
Makro - Dehnungen -
Gitter Dehnungen

* -
Bild 9.6: Veranschaulichung von Mikro und Makrodehnungen

Mikro- und Makrodehnungen. Elastische Dehnungen , hervorgerufen durch innere oder

ä u ßere Kr ä fte f ü hren zu Änderungen der Netzebenenabst ände D ' " die aufgrund der
F

Braggschen Beziehung (GL 9.4) zu Verschiebungen der röntgenographisch ermittelten

Linienlagen

AD fhklJ
A 20 = 20 - 2 90u = - tan 0o — - = - tan 90 e « “ ' 1 (9.6)
Q ( hklj

f ühren . Zur Gitterdchnungsmcssung werden lnterferenzlinien aufgenommen, indem der Detektor

( vergl . Bild 9 - 3) in Schritten von A 26, die Probe in Schritten von A 0 um die 20/0 Achse
-

gedreht und die unter dem jeweiligen Winkel abgebeugte Intensit ät registriert werden . Zur
* Spannungsermittlung werden zahlreiche Interferenz, linien von Gitterebenen
des
unter Variation des
unter möglichst vielen
Azimutwinkels <p und des Distanzwinkels v aufgenommen. Aus denverallgemeinerten Hoo-
Distanzwinkeln y ermittelten Dehnungen lassen sich mit Hilfe
ke'schen Gesetzes Spannungen berechnen .

9.1 .7 R öntgenographische Texturanalyse

Orientierungsverteilung von Kristalliten (Xörner) eines
g: Bestimmung der
Aufgabenstellung
AUtgabenstet
s(aUinen Werkstoffs . Analyse einer gegebenentalls vorhandenen
Textur (= Abweichung von
statistisch regelloser Orientierungsverteilung) ,

Messung der Integralintensit ätcn

einer Gitterebene ( hkl } unter verschiede-
L ösüng‘
i Ac
zur Einfallsebene des Röntgendif-
ncn Qrientientngen der Probennormale
fraktometers.

172
 Arbeitsschritte:
Probenahme und Probenprä paration: Erfolgt wie in Abschn. 9.1 .3,
Einbau der Probe in ein Röntgendiffraktometer, vergl. Bild 9.3.
Texturanalyse: Je mehr K ö rner eine bestimmte Orientierung aufweisen , desto größer ist die
abgebeugte R öntgenintensitä t unter dieser Richtung. Ein Vergleich der Integralintcnsitätcn
einer Gittcrebene { hkl } unter verschiedenen Orientierungen der Probennormalen zur
Einfallsebenc des R ö ntgendiffraktometers (vergl . Abschn. 9.1 . 1 d ) erlaubt eine quantitative
Analyse der Orienticrungsverteilung der Kristallite im untersuchten Werkstoff.

9.1 .8 Crobstrukturuntersuchung mit R öntgenstrahlen

Aufgabenstellung: Überprü fung eines Bauteils auf makroskopische Fehlstellen ( Lunker, Ein -
schl üsse, Seigerungen, Gasblasen, Risse, F ü gungsfehler ).
Lösung: Durchstrahlung des Bauteils mit Rö ntgenstrahlen, Analyse der ortsabhängi-
gen Schw ächung der Rö ntgenstrahlung durch das Bauteil.

* Arbeitsschritte:

Einbau des Bauteils in eine abgeschirmte Kammer

Verhinderung des Austritts von Röntgenstrahlung in die Umgebung.
O Durchstrahlung des Bauteils mit Röntgenstrahlung hinreichend großer Intensit ät .
Registrierung der durch das Bauteil gelangten Strahlung mit Hilfe eines geeigneten
(z.B. rö ntgencmpfindlicher Film ).
Analyse der lntensitätsVerteilung. Die makroskopischen Fehlstellen lassen sich nachwcisen ,
wenn diese lokal eine gegen ü ber dem ungest örten Werkstoff veränderte Strahlungsschwä -
chung bewirken (vergl. Abschn . 9.1.1 b). Dies ist beispielsweise f ü r Hohlrä ume gegeben. In
diesem Fall beträ gt die Nachweisgrenze etwa 1 % der durchstrahlten Dicke. Bild 9.7 zeigt
das Prinzip eines röntgenographischen Fehlcmachwcises. Die unterschiedlichen Intensit
ä ten
f ü hren zu unterschiedlichen Schw ärzungen auf dem Rö ntgenfilm .

% ] M t
D*
J Hi1 2 1

G Werkst ück — r r J6
1
Gu
L
J,
l* i

— J
R öntoen
film
-= h

a)

Bild 9.7: Prinzip eines röntgenographischen Fehlernachweises

Verwandt zur Grobstrukturuntersuchung mit Röntgenstrahlen
ist die Dumhstrahlungsprilfung
lit y-Strahlen , die die Prilfung größerer Wanddicken erlaubt
. Hierauf w rd in Abschn. 9.3 ,
ingcgangen .

3 73
 9.2 Neutronographische Methoden
9.2, 1 Einf ü hrung
Untersuchungen mit Neutronenstrahlen setzen die Verf ü gbarkeit einer hinreichend leistungs-
starken Neutronenquelle voraus und sind daher an ( iroß forsehungseinrichtungcn gebunden ,
Werkstoffkundliche Untersuchungen mit Neutronenstrahlen beschränken sich auf Fälle, in
denen mit alternativen Verfahren (z.B . mit Rö ntgenstrahlen ) nicht oder nur mit starker Ein-
.
schrä nkung gearbeitet werden kann Besondere Vorteile haben Neutronenstrahlen bei der
Analyse von
Strukturen , die Atome bzw, Ionen von leichten Elementen enthalten , da sie mit diesen in
relativ starke Wechselwirkung treten ( im Gegensatz zu Röntgenstrahlcn ),
Bauteilen mit größeren zu durchstrahlenden Abmessungen , da ihre Schw ächung durch
Materie im allgemeinen deutlich geringer ist als die von Rö ntgen - oder Elektronenstrahlen

a ) Erzeugung von Neutronenstrahleil

t Die beiden wesentlichen Ncutronenqucllen sind ;

Kernreaktoren ( Eorschungsreaktoren )
** Reaktoren geringer Leistung, in denen freie Neutronen meist durch Spaltung von
angereich erlern U ran erzeugt werden

Spallationsquellen
liefern freie Neutronen durch Kemzertriimmerungen (Spallationen ) durch Beschuß von
Schwermetallen (z . B , Blei, Uran , Wolfram ) mit hochbeschleumgten Teilchen ( z.B.
Protonen, Elektronen) (vergl , Bild 9.8)

ln beiden Fä llen realisierbar;

kontinuierliche Strahlquelle (Beispiel: Kernreaktor liefert monochromatischen) Strahl von

Neutronen, d.h. alle Neutronen besitzen gleiche Geschwindigkeit bzw. Energie
Auftreffen auf
% Pulsierende StTahlquelle (Beispiel : Pulsierender Pnotonenstiahl erzeugt beim
-
ein Uran- oder Wolfram Target einen pulsierenden Strahl von Neutronen unterschiedlicher
Geschwindigkeit und unterschiedlicher Energien)
Ml
*
-
NCUTfeON
^

MOM
*

t t
f

-x
-i
MOTO M
—
t

,
t

V
r

/
I ;
*
*

WlUl ÄOT

Bild 9.8: Neutronenquelle , (

*»
a ): Erzeugung von Neutronen Yi
NH/TBOMS ' :N
durch Kernspallation •- - -
- + fl
“'
k'AVAI

h): Einschleusung von Neutronen

in ein Diffraktometer

174
 b ) Thermische Neutronen

^ ^
crnsPa at * on entstehenden Neutronen besitzen hohe Teilchenenergien (bis zu
lOMe) und daher extrem kleine De Broglic Wellenl
- ängen ("schnelle Neutronen"). Sie sind f ü r
wer to un ic e Untersuchungen ungeeignet . Sic werden daher durch vielfache Stöße in
sogenannt«! oderatormaterialien (z.B. Wasser, Graphit , Beryllium ) abgebremst und ihre
Energie auf V\ erte verringert, die etwa die Atome des Modcratormatcrials aufgrund der W ärme
-
bewegung besitzen. Man spricht von "thermischen Neutronen".

c ) Schw ä chung von Neutronenstrahlen durch Materie

Es gilt der in Abschn . 9.1 . 1 b) gegebene Zusammenhang, wobei der Schwächungskoeffizient

wesentlich kleiner ist als bei R öntgenstrahlen.

9.2. 2 Ncutronen- Diffraktometrie

Die in Abschn. 9.1.4 bis 9.1.7 behandelten Untersuchungsmethoden k önnen grundsätzlich statt
t mit Röntgenstrahlung auch mit Neutronenstrahlung durchgef ührt werden, wobei bezü glich der
Gerätetechnik und Details der Versuchsdurchf ü hrung und -auswertung erhebliche Unterschiede
-
bestehen. Ein wesentlicher Vorteil ist dabei stets die Meßmöglichkeit in größerer Proben bzw.
Bautciltiefe.

Beispiel: Eigenspannungsmessung im Bauteilinnem nahe einer Schwei ßnaht in einer dickwan-

digen Schwei ßkonstruktion (vergl. Bild 9.9; q> Beugungswinkel, Q Richtung der
Dehnungsmessung)

£
v

o
% o

an einer Schwei ßnaht

Bild 9.9: Eigenspannungsmessung mit Neutronenstrahlen

175
 9.2.3 Neutronen-Durchstrahlungsprüfung

Ä NeUtr nenStrahlen
°
O Sichtbarmachung von Materialien wie Hochpolymere, insbesondere Gummi , Klebstoffe
usw., a ein eutionenstrahl umso st ä rker geschwä
.
Matene sind ( im Gegensatz zu Röntgenstrahlen).
cht wird , je leichter die Atome der

lnspektion radioaktiver Materialien, da mittels Neutronenstrahlen Isotope unterschieden

werden können.

9.3 Prü fling mit radioaktiver Strahlung

9-3.1 Einf ü hrung
Während Röntgenstrahlen durch Anregung von Elektronen übergängen in der Atomh ülle von
-
Elementen erzeugt werden , entstehen y Strahlcn durch Umwandlungsprozcsse im Atomkern .
Au ß er in der Art ihrer Entstehung besteht in physikalischer Hinsicht zwischen Rö ntgen - und y -
Strahlung kein Unterschied ,
Aber; Die Emission von y-Strahien kann nicht wie die Emission von Rö ntgenstrahlung
einfach unterbrochen werden.
-
** Der Umgang mit y Strahlung ist mit besonderen Sicherheitsmaßnahmen verbunden
.

Die y Strahlung wird wie die Rö ntgenstrahlung beim Auftreffen aut Materie absorbiert, reflek
- -
tiert, gestreut und beim Durchdringen geschw ä cht.
Durch die unterschiedlich starke Schwächung an Materialinhomogenitäten lassen sich beim
Durchstrahlen Fehler im Materialinnem detekticren .
m Möglichkeit zur Fehleranalyse analog zu Abschn. 9, 1 8. -
Werden besonders hohe Anforderungen an die Durchdringungsf öhigkcit der Strahlung gestellt,
Aufprall von
so m ü ssen ultraharte Rönlgenquanten verwendet werden, die im Betatron durchwerden .
enkcgel erzeugt
Elektronen auf Schwermeiallanodcn in einem sclimalen Strahl
*
9.3. 2 Durchstrahlungspr ü fung mit y-Strahlung
Aufgabenstellung : Überprü fung eines Bauteils
auf makroskopische Fehlstellen ( Lunker, Ein -
Schl üsse, Seigerungen , Gasblasen, Risse F
. .
, ügungsfehler).

Lösung; Durchstrahhing des Bauteils mit -/ -Strahlen .

Analyse der ortsabhä ngigen
durch das Bauteil .
Schw ächung der y- Strahlung
Arbeitsscheue:

° SSSSÄÄSSSSK «
, . .
ltlun8 hmreichend gru ßc taten»« .
Dwehsttahlung des Baute 1s m> r-Stt

176
 Registrierung der durch das Fö -
tors ( meist Y-empfmdlicher * ,
gC angtcn Strahlun8 mit Hilfe eines geeigneten Dctck -
FUni )
^
wenn diese lokSle
^ Abi
e ßcRcn ü b
chung bewirken ( vergl
8

9
' makroskopischen Fehlstellen lassen sich nachweiscn,
, ,
Werks off veränder e Strahlnngsschw ä -

technische
Ifin DurchstrilTdl'ß ,l
Un S
^ Versuc*lsau )au bci der Prü fung einer Schwei ßnaht. Die
^
unterschcidet sich so im Prinzip kaum von der rö ntgcnolo-
Ung

Prtifnhiekts wirrtC
Ung
"YdCr
nirht > des
A r Dichte
der # A fWC \
nur
Objektvolumens ^'
umaarnedizm. Vom dreidimensionalen Dichtc /.ustand des
lmcns ona es Schattenbild erzeugt . Befinden sich Abweichungen in
*
, so gelangt an Stellen , wo Hohlrä ume oder Materialfehler
vorliegen, mehr Strahlung auf den Empf änger
. Um Filmaufnahmen einwandfrei beurteilen zu
•
,
können, müssen dem Prü fer alle Einflu ß faktoren auf die Bildgü te bekannt sein . Bild 9.11 zeigt
,
W C Strah un srel ief und Filmqualit
ß ät die Bildgü te beeinflussen . Viele der
Einflußfaktoren sind analog auch bei photographischen Aufnahmen mit Tageslicht gegeben. Der
Kontrast ist definiert als das Verhältnis der H ä lfte der Intensitä tsdifferenz zum Mittelwert der
,
Intensitäten I (hinter dem fehlerhaften oder d ü nnerem Material ) und I ( hinter dem fehlerfreien
2
# oder dickerem Material). Kontrastvergrößcmd wirken z.B. große Dicken unterschiede der Probe,
weiche Strahlung und Fehler im Materialinnem nach Größe und Anordnung. In Bild 9.10 rechts
ist die lntensitä tsverteilung nach Durchstrahlen einer fehlerhaften Schwei ß verbindung skizziert.
Bei dicken Bauteilen sprechen bei praktischen Anwendungen oft wirtschaftliche Grü nde gegen

a
Mj *
n

Strahlen- Fehler
quelle
Intensitä t der
Blende Probe mit Film Strahlung hinter
% Schwei ßnaht der Probe

Bild 9.10: Prinzip der Durchstrahlungsprüfimg

die notwendige lange Belichtungszeit mit kontrastvergrößemder, weicher Strahlung. F ü r die

(a in
Bildschärfe sind u.a. die geometrischen Anordnungen, wie der Abstand Strahler zu Probe
(b in Bild 9.10 ) und die Blenden ö ffnung ( od in Bild 9.10) maß-
Bild 9 10) und Probe zu Film
geblich Wird z B ein Strahler mit kleiner Aktivit ä t verwendet zur Prü
, fung aber eine hohe
!
Intensität verlangt so ist die Blende gro ß zu wählen Mit gro ß em Blcndcndurchmes r steigt

Strahlenquelle zum Fehler ( zur Probe ).

^
177
 Bildg üte

Qualit ä t des Strahlungsreliefs Filmqualit ät

Kontrast Bildschärfe Kontrast

Zeichen
schärfe
-

* Ö b;e k *d i c ken u nterg cti Le d e- • Sfonnfleckgr öfle • Filmempfindlichkeit

« Form unrii L ärg ö des Fehlers -
• Objekt Fokus-Abstä nd
.
A bs'an d
* Obje kt*Fi I m‘
• EntwöeklungsöedLngungen
• Filmschleier
* Sirahlenqualitat
* Strcuslrahlung Streustrahlung
* Filterung » Kontakt F ilm-Vc rstärkepfolle
VersiärkbriWie
* Verslarkerfolie EmulsionschictMclIcke
* L ägeandenjng von Film , *
Strahlenquelle und Objekt « des Films
Granyjation
w ä hrend der Aufnahme # Koniakt Film - Vcrstarkertolie

t Bild 9.11: Einflußgrößen auf die Bildgüte

9.3.3 Auswahl der Radioisotope

Die f ü r die Grobstrukturpriiiung geeigneten nat ü rlichen Strahler Radium und Mesothor werden
-
aufgrund hoher Anschaffungskosten und Quantenenergien, die sich nur für spezielle Untersu
Radioisotopen zur Pr ü fung von
chungen eignen, kaum eingesetzt . Die Auswahl von künstlichen
Metallgegenst änden erfolgt nach der Energie, der spezifischen Aktivit ä t und der
Halbwertszeit
der Strahlung. Bei kurzer Halbwertszeit nimmt die Intensit ä t der Strahlungsquelle rasch ab und
die Strahlenquelle muß nach kurzer Zeit wieder aktiviert werden . Solche Strahlungsquellen
wieder auige-
werden daher nur ortsfest , in der N ähe von Reaktoren, also dort , wo sic schnell
bei gleicher
frischt werden k ö nnen, eingesetzt. Bei Präparaten mit kleiner Aktivit ät werden
Intensität große Volumina des Isotops benö tigt.
angef ührten
Fü r technische Zwecke haben sich die in Tabelle 9.1 zusammen mit ihren Daten
-
k ü nstlich erzeugten Isotope Co 60, Ir-192, Tm- 170, Cs-137 als geeignet herausgestellt .

Kobalt Iridium Thulium Cäsium

60 192 170 137

Isotop
5.3 Jahre 75 Tage 130 Tage 33 Jahre
Halbwertszeit
Ir Tm 2Q3 CsCl
Chem . Form Co
1.17 u 1.33 0.31 0.084 0.66
Energ, [MeV ]
350 1000 25
Spez. Aktivit ä t [Ci/g] 50
Wanddicke [ mm ]
Eisen 50 ... 150 ..
12.5 . 62.5 .
2.5 . . 12.5 25 ... 100
75 ... 300
1 150 ... 400 37.5 ... 175
Leichlmetall 7.5 . . 37.5

Tabelle 9.1 : Einige Daten von Strahlungsquellen f ür die Materialprüfung.

178
 9.3 .4 Wichtige Kenngrößen der y-Strahhing

Jeder radioaktive Strahler kann durch die Angabe der folgenden Kenngr ößen eindeutig be-
schrieben werden :
1. Aktivitä t
Die Aktivit ä t ist die Zahl der Zerfallsakte in der Zeiteinheit , Als Einheit wird das Becquerel
( Bq ) verwendet. Ein Bq ist ein Zerfallsakt pro Sekunde, Die ä ltere Einheit Curie ( Ci ) gibt
mit 3,7*10ä <> Bq die Zahl der in lg Radium pro Sekunde zerfallenden Atomkerne an .
2. Spezifische Aktivit ä t
Die spezifische Aktivit ät ist der Quotient aus Aktivit ät und Masse des Strahlers. Sie beein -
flu ßt durch die Wechselwirkung Intensitä t-Blende die geometrischen Aufnahmebedingun-
gen.
3. Halbwertszeit (HWS)
Die Halbwertszeit kennzeichnet die Zeitspanne, in der die Aktivit ä t eines Strahlers auf
die Hälfte seines Ausgangswertes zurückgegangen ist.
4, Halbwertsschi chtdicke
Die Halbwertsschichtdicke ist die Dicke eines Absorbermaterials, welche die ungeschwächte
Strahlung auf die Hä lfte ihrer Intensit ä t reduziert . Sie ist charakteristisch f ü r Strahlung and
A Absorbermatcrial. Die Halbwertsschichtdicken einiger Metalle sind fü r verschiedene
Energien durchdringender y-Strahlung in Tabelle 9,2 eingetragen . Die Schw ächung von -
y
des
Strahlung, die Materie geradlinig durchdringt, ist eine Funktion des Fl ächengewichts
.
Absorbers , also ein Produkt aus Dicke und Dichte des Objektes und erfolgt exponentiell
are Stoffe
Leichtmetalle und Kunststoffe mit geringer Dichte werden als leicht durehstrahlb
gelten als schwer
bezeichnet , Elemente wie Blei , Wolfram oder Uran mit hoher Dichte
eingesetzt .
durehstrahlbare Stoffe und werden zum Schutz vor Strahlung
5, Energie rschied zwischen
Die Energie der emittierten Gammastrahlen ist gleich dem Energieunte
. Sie wird in der
angeregtem und einem metastabilen Zwischen- bzw . dem Grundzustan d
. Finden Ü berg ä nge von mehreren Energieniveaus
Einheit Elektroncnvolt (eV ) angegeben
Energiewerte n, Der angegebene
statt , so besteht auch die Strahlung aus mehreren , diskreten
Wert ist dann oft ein Mittelwert der einzelnen Komponenten .
6, Dosisleistung erzeugten Ionenpaare
Die Dosisleistung gibt die Anzahl der in einem kg einer Substanz
( Dosis, Einheit R öntgen (R)) pro Zeiteinheit an . Durch
Multiplikat der Dosis mit der
ion
lonisierungsenergie der Substanz erh ä lt man die Energiedosis
. Im l alle von -Strahlung
^ stimmt die Energiedosis mit dem f ü r die Beschreibung
der
Sievert (
biologischen
Sv ) ü berein .
^
Wirkung von

Strahlung wichtigen Dosis äquivalent mit der Einheit

HWS [ mm ] HWS [mm ] HWS [mm ]

Metall Dichte [ g/cm3 ]
bei 0.2 MeV bei 1 MeV bei 2 MeV

21 5 34.5 54
Aluminium 2.7
6 15 21
Eisen 7.85
0.75 9 12.5
Blei 11.4
0.5 6 8.4
Wolfram 19.3
0.3 4.5 7.2
Uran 18.3

Tabelle 9.2 : Halbwertschichtdicken einiger Metalle ,

179
 9.3.5 Herstellung und Zerfall der Strahler
Die radioaktiven Isotope Co-60 und Ir 192 werden im Reaktor durch Ncutronenbeschu ß von Co
-
- -
-
59 und lr 191 erzeugt. Cs 137 fä llt als radioaktives Spaltprodukt bei der Uranspaltung an. Alle
-
3 Isotope gehen durch ß Zerfall unter gleichzeitiger Aussendung von Strahlung von angereg
7 - -
ten Zust ä nden in den Grundzustand ü ber. Die energetischen Zust ände des Atomkerns lassen
sich ä hnlich wie die der Atomh ü llc durch ein Schalenmodell mit diskreten Energiezustä nden
beschreiben. Beim Ü bergang eines höherencrgetischen Zustandes in einen niedrigcrcncrgcti -
-
schen werden ci-,ß- und y Strahlung frei. Die Strahlungsarten haben in der aufgezählten Reihen-
folge abnehmendes Ionisierungsvermö gen und zunehmende Reichweite ( Durchdringungsfähig-
--
keit). Für die Durchstrahlungsprü fung kommt daher nur / Strahlung in Frage. Co-60 zerfällt
-
ü ber einen metastabilen Zwischenzustand in Ni 60 und emittiert die harte y-Strahlung mit den
-
Energien 1.17 und 1 ,33 MeV. Cs 137 emittiert monoergctischc Strahlung und zerfällt direkt in
Ba-137. Der radioaktive Zerfall des Ir 192 erfolgt ü ber ingesamt 5 Energieniveaus. Die Strah
- -
lung beinhaltet somit 5 Energiekomponenten und setzt sich aus 5 Wellenl ä ngen zusammen.

9.3.6 Einsatz der kü nstlichen Isotope zur Grobstrukturpr ü fung

Die am meisten verbreitete k ü nstliche Strahlungsquelle ist Co-60. Sie wird zur Prü fung von
Stahlbauteilcn mit Wanddicken von 50 bis zu 150 mm eingesetzt . Bei Wanddicken unter 50 mm
-
ist die Bildgü te unbefriedigend. Für kleinere Wandstärken besser geeignet sind lr 192 oder Cs-
-
137, denn die Fehlererkennbarkeit steigt. Ir 192 wird au ßerdem serienmäßig zur Prü fung von
Leichtmetall ko Iben bis zu 400 mm Durchmesser eingesetzt . Das Isotop Tm-1"0 wird besonders
- -
zur Prüfung von Lcichtmetallgußstü cken , Mg Zr Lcgierungen und bei kleinen Stahlwanddicken
eingesetzt.
Aus Wirtschaftlichkeitsgrü ndcn werden Prü fungen mit -Strahlung bevorzugt an schwer
^
zugänglichen Stellen wie z.B. im Rohrleitungsbau eingesetzt. Bei kleinen Wandst ärken sinkt im
Vergleich zur weicheren Röntgenstrahlung die Bildgü te durch Kontrastverlust. Bei sehr unter-
schiedlichen Wandst ärken hat die hä rtere y-Strahlung aber einen natü rlichen Kontrastausgleich
zur Folge, wodurch eine gleichmäß igere Beurteilung m öglich wird. Sie eignet sich deshalb
hervorragend zur Prü fung von Nietverbindungen. Unter den Nietkö pfen auftretende Stegnsse
wären mit Röntgenaufnahmen nicht mehr beurteilbar. Vorteilhaft wird die Prü fung mit y-
^ Strahlung bei sehr dickwandigen , rotationssymmetrischen Gußteilen zur Wandstärkenkontrolle
und zum Nachweis von Lunkern oder porösen Zonen eingesetzt .
empfohlen.
In DIN 54 111 werden Strahlungsenergien in Abhängigkeit von der Werkst ü ckdicke
Je härter und durchdringungsf ähiger die Strahlung, desto größer wird der apparative Aufwand,
vor allem im Bezug auf den Strahlenschutz. Gleichzeitig sinkt die Flexibilit ä t beim Einsatz an
wechselnden Untersuchungsorten .
 10 Zerst örungsfreie Werkstoffprü fung
Aufgabe der zerstö rungsfreien Prüfung ist der Nachweis von Fehlem, die den Verwendungs-
zweck eines Bauteils beeinträchtigen. Die Verwendbarkeit wird durch die Pr ü fung nicht beein -
trächtigt, da keine Probenentnahme erfolgt. Das Bauteil wird nicht zerstört .

Vor jeder Prü fung mu ß geklärt sein:

- Welche Fehlerajten sind im Bauteil mö glich?

- Welche Fehler sind unzul ässig f ü r den vorgesehenen Verwendungszweck ?
- Welches Risiko ist mit einem Bauteil versagen verbunden?
- Welche Prü ftechnik ist f ür den Nachweis unzul ässiger Fehler zuverl ässig geeignet ?
Die Abkl ärung erfolgt durch Fachleute aus verschiedenen Bereichen . Sie m üssen

- mit den Werkstoffen und Herstellverfahren vertraut sein, also die Wahrscheinlichkeit von
hcrstellungstypi sehen Fehlem absch ä tzen können ,
- die auf das Bauteil cinwirkenden Beanspruchungen kennen und dementsprechend festlegen,
welche Fehler unzulässig sind,
- die Auswirkungen eines Bauteilversagens abschätzen und entsprechende Sicherheitszuschl
ä-
ge ermitteln ,
- die Möglichkeiten und Grenzen der zerstörungsfreien Verfahren kennen, um das jeweils
geeignete Verfahren aus wählen zu k ö nnen .
Fachgebieten an -
Damit ist die zerstörungsfreie Prü fung auf Informationen aus verschiedenen
gewiesen .

10.1 Ultraschallverfahren
* 10.1 .1 Einfü hrung
Schwingungen einzelner Elementarteilchen
Schallwellen sind elastische Wellen, die sich aus
( Gase , Fl üssigkeiten und Festkörper) ausbreiten
aufbauen und sich daher in allen Medien
verschiedene Wellenarten - LcngitudmaEvellen, Trans-
ausbilden k önnen , pflanzen s, ch > n Gasen und
k ö nnen. W ährend sich in Festkörpern
vcrsalwellen und Kombinationen aus beiden -
, da in diesen Medien die für Transversal wellen
Fl üssigkeiten nur Longitudinalwellen fort
äfte nicht übertragen werden
kö nnen ( Bild 10.1 ).
notwendigen Schubkr

H ^ ^elnn
'e
den Grenzflä eLiT ^^
mbaWel
von
!
Festkoipem
,
»^
cn) n Ptauerwnit

(Rayleighwellen), die bis zur Tief ei»« Weltall

‘ "* =
. . ..
»d ntai8 » M«li n Ob rfläche w 11»
« » »» ,md.
*
isi
 a) X
c)
°berflä che
Ausbreitungsrichtung
-«

Ausbreitungsrichtung J y v

b)
©
1 *'
'" N
/'
*
'

1 . Schwingung in Dickenrichtung
Ausbreitungsrichtung 2 . Schwingung der gesamten Platte
I -
Bild 10 J : a) Longitudinalwelle, b) Transversalwelle, c ) Rayleigh Well e> d) Lamb-Wellen

Die Ausbreitungsgeschwindigkeit einer Schallwelle in einem Festkö rper ( vergl Beispiele in

Tab. 10.1 ) ist eine Materialkonstante und wird von der Wcllenart sowie von der Dichte und den
elastischen Eigenschaften des Materials fcstgelegt, hangt aber nicht von der Frequenz der Welle
und den Abmessungen des Festkö rpers ab:
E 1 -v (10.1 )
c long
\ P \ (1 + v)(l - 2v)

G ( 10.2)
cIrans
\ P

Stoff [10J ms 1 ] '

cTrani [IO1 ms 1]
1 ,48
* Wasser
Stahl
,

5 , 90 3 ,23

Aluminium 6,32 3 , 13

Plexiglas 2 ,73 1 ,47

gewählter Stoffe
Tab. 10.1: Schallgeschwindigkeiten aus
anisotrop ( z. B, Verbundwerkstoffe )
Viele Werkstoffe verhallen sich akustisch
Raumnchtungen unterschiedbch schnell aus.
h» Schallwellen breiten sich in unterschiedlichen

,
wird < ü" Aiiskeiuiiig d« Lieh« von Ab
Brechungserscheinungen begleitet.
^ ions-,
-
Beugungs-, Reflexions und

182
 10.1 .2 Prü fmethoden

Mit dem Ultraschallprü fVerfahrcn k önnen

ö zerstörungsfrei Wanddicken ermittelt werden ,
O Schwei ßnähte aut Fehler ü berprü ft werden ,
Lunker, Risse und Poren lokalisiert werden.
Die zerstö rungsfreie Ultraschallprü fung ist somit wichtiger Bestandteil der Qualit ä tssicherung
und wird vielfach auch zur intervallmäßigen Überprü fung gro ßer Bauteile eingesetzt.

Bei der Werkstoffprü fung kommen Frequenzen zwischen 100 kHz und etwa 100 MHz zum
Einsatz. Der am h ä ufigsten verwendeten Pr ü ffrequenz von 2 MHz entspricht bei
Longitudinalwellen in Stahl eine Wellenl änge von ca. 3 mm . Dies gibt einen Anhaltspunkt f ü r
die Größe einer Fehlstelle, die mit dieser Frequenz noch nachweisbar ist .

Die konventionelle Ultraschallprü fung arbeitet mit piezoelektrischen Wandlern als Prü fköpfen,
welche an die Probe ü ber Medien wie z. B. Glyzerin oder Bienenwachs angckoppclt sind :
W ährend in dem einen Wandler (Sender) Ultraschallwellcn erzeugt werden ( reziproker
piezoelektrischer Effekt ), nimmt der zweite ( Empf ä nger) die Schallwellen nach der
Wechselwirkung mit der Probe auf. Es gibt auch Prü fkö pfe, die beides kombinieren ( vergl. Bild
10.2).

(3) +t
/ Priifobjckt, 2 Koppclraedium , 3 Schwinger
4 aufgedarapfte Elektroden, 5 Dämpfungsk örper
1 / 6 Prüflcopfgchä use

%
Bild 10.2: Schematischer Aufbau eines Senkrechtprüfkopfes

Die unterschiedlichen Prü fmethoden lassen sich wie folgt einteilen:

Impulsechoverfahren
Durchschallungsverfahren (Schattenverfalircn)
Laufzeitverfahren
Bild- und Rekonstruktionsverfahren
Schallemissionsanalyse (SEA, engl . AE = acoustic emission ) .

183
 10.1.3 Impuls-Echo-Verfahreit

Aufgabenstellung ; Überprü fung eines Bauteils hinsichtlich Existenz von Fehlem wie Risse ,
Poren oder Lunker .
Lösung : Erzeugung von Ultraschallimpulsen im Bauteil . Analyse der Impuls-
Echos,

Arheits schritte:

Anbringen eines geeigneten Prü fkopfes über ein entsprechendes Koppelmcdium an das
Bauteil .

Abrasterung der interessierenden Bauteilbereiche durch Verfahren des Prü fkopfes und
Aussendung von Ultraschallimpulsen .

Analyse der Impuls- Echos: Die vom Sendeprü fkopf ausgesendeten Ultraschaliimpulse
werden an der R ückwand des Werkstücks ( R ückwandecho) oder an Inhomogenitäten im
% Werkstoff (Fehlerecho) reflektiert und die reflektierten Impulse vom auf Empfang
umgeschalteten Prü fkopf aufgenommen ( Bild 10.3 ). Meßgrößen dieses Verfahrens sind die
Amplitude des Fehlerechos (‘'Größ e" des Fehlers) und die Impulslaufzeit , aus der bei
bekannter Werkst ückdicke der Abstand der den Schall reflektierenden Fehlerstelle vom
Sendeprü fkopf bestimmt werden kann .

yA Z m 2 1
%2
3
yM /

/ V/s

% 6
kl
F R G r
1 Priificopf* 2 PrüfobjekL
.
J Sch ü llfeld 4 WefksiolTTehlec
JL R
5 Scndckrapuls, R RflckwandechOt
a) F Fchkrccho

Bild 10.3: Primipsktize des Impulsechoverfahrens

10.1 .4 Durchschallungsverfahren
Überprü fung eines Bauteils hinsichtlich Existenz von Fehlem
wie Risse,
Aufgabensiellung’
Poren oder Lunker,
Durchschallung des Bauteils mit Dauerschall oder Impulsschall Analyse
,
Lösung:
der durch das Bauteil gehenden Schallintensit ät .
Arbeitsschritte;

Anbringen von geeigneten Sender- und Empfängerprü fköpfen auf

gegenüberliegenden

184
 Seiten des Bauteils.

Abrastcrung der interessierenden Raute » Ibereiche durch Verfahren von Sender - und
mp ngerprü fkopf und Aussendung von Ultraschallimpulsen oder Ultradauerschall.

Analyse des Emptangssignals: Im Kontrast zum Impulsechoverfahren wertet man beim

Durchschallungs- oder Schattenverfahren nicht den reflektierten Schallanteil aus, sondern
der Empf ängerprüfkopf befindet sieh an der anderen Seite des Werkst ü cks und registriert
die durchgehende Schallintensit ä t, die durch Reflexion an Materialfehlem geschwä cht wird
( Bild 10.4).

Die Tiefe der Fehlerstcllc im Werkstü ck kann nicht bestimmt werden . Bei diesem Verfahren
kann sowohl mit Dauerschall als auch mit Impulsschall gearbeitet werden, da Sender und
Empfä nger elektrisch vollkommen unabh ä ngig voneinander sind.

örmige Prü fobjekte mit flä chenhaften, parallel zu den

Hauptanwendungsgebiet sind plattenf
Oberfl ächen ausgedehnten Fehlem.
%
Sender - Empföngerprü fkopr

Hochfrequenz - Wrstarker
erzeuger
L
SchaSdruck

m
Bild 10.4: Prinzip des
Durchschallungsverfahrens
y
10.1.5 Laufzeitverfahren
zusammen bei .
in der Ultraschallprü fung alle Verfahren , nicht aber die
Unter Laufzeit verfahren faßt man ausgewertet wird
des Schalls gemessen und
denen lediglich die Laufzeit
Schalldruckamplitude.

G .
E ma (W < "Sl
V ' -
Ab5Chn 101
’
185
 10.1 .6 Bild - und Rekonstruktionsverfahren
Detektion und Ortung eines Materialfchlers k önnen mit oben beschriebenen Verfahren gut
durchgemhrt vverden. Die tats ächlichen Abmessungen eines Material Fehlers k önnen dagegen nur
aus einem Bild entnommen werden . Akustische Bildverfahren nutzen die Wechselwirkung von
Werkstoffstrukturen mit Schallwellen (z. B. Reflexion, Absorption): ein akusto-optischer
Wandler ü bertr ägt die von der interessierenden Stelle gemessene SchalIdruckverteilung in ein
optisches Bild,

Herausgegriffen sei hier beispielhaft die Ultraschallmikroskopie, das akustische Rcflexions-

Rasteimikroskop (ARRM, engl. SAM ~ Scanning Acoustic Microsoope, Bild 10,5), Ein
ARRM besteht aus den folgenden Einheiten: Sendesystem (Hochfrequenzgenerator) , akustische
Linse, Empfangssystem (elektronische Signalverarbcitung), Rastercinheit und Monitor. Im
Prinzip handelt es sich um ein piezoelektrisches Abtastverfahren.

Die akustischen Linsen fokussieren ü ber ein Kopplungsmedium (z. B. Wasser ) zwischen Linse
und Probe Schallwellen bestimmter Frequenzen auf die Probe, die durch eine Rastercinheit
1
etoktronisch ö
Weicho
Hochfrequenz Signafy ö rarboltLino
goner ä l ö f

-
a iEflftBfflaaS
V (x , y| z ^ konst .) V (K *= y = f <onst
-
z Mo inr
KopplllAflS '
medium
>BLebi »

k:.
*
r '
xy - ril
Rsisierung

Bildschirm Rechner
Probend s c h
Akustische V (z) - Kurve
Abbildung
J

Bild 10.5: Schematischer Au ßau eines

akustische« Reßesions -Rastenrnkresiops

beispielsweise einzelne Körner FAhtellen analysiert werden.

186
 10.1 .7 Schallemissionsanalyse (SEA )
Bei Veränderungen in der Struktur eines Werkstoffes wie beispielsweise Ri ßbildung oder
Verformung wird lokal gespeicherte elastische Energie
frei, die sich in der Ausbreitung mecha -
nischer wellen - eben der Schallemission - ä ußert. Der entstehende Schall liegt in Frequenz-
bereichen vom hörbaren Schall (z. B. Zinngeschrci ) bis zu etwa 30 MHz.
Schallquellen kö nnen sein:
- Versetzungsbewegungen, Mikrori ßbildung.
- Oberfl ächen- und Grcnzschichteffektc, Reibungsvorgänge.
- Verbundwerkstoffe: Bruch oder Dcbonding von Matrix und Faser.
Schallemissionsanalyse wird im Werkstoffbercich z. B. zur Erkennung von Rissen bei der
Wärmebehandlung von Werkstoffen, zur Fehlercrkennung an Druckbeh ältem und Rohrleitungen
oder zur Prü fung von Faserverblind Werkstoffen eingesetzt und kann bei der zerstö renden
Werkstoffprü fung ergänzende Aussagen z. B. ü ber bruchmechanische Vorgänge liefern (Ri ßent -
stehung, Ri ßfortschritt ). Sie dient zur kontinuierlichen Überwachung von Bauteilen ( z. B.
t Kühlsystem, Leckagen) im Kraftwerksbereich. Die SEA wird auch bei der Fertigungs ü berwa-
chung (z. B. Laserschwei ßen, Maschinendiagnose) eingesetzt und nutzt dort den auftretenden
Körperschaft .
Impuls-
Bei der SEA wird mit bedampften piezoelektrischen Sensoren gearbeitet , die wie beim
zur Probe haben . Die
Echoverfahren mit einem Kopplungsmittel m öglichst direkten Kontakt
Frequenzfilter, um Frem
aufgenommenen Signale werden verst ärkt, gefiltert ( beispielsweise
und Störgeräusche auszuschließen) und analysiert.

In Bild 10.6 ist ein typisches Burstsignal (kurzer Schallimpuls)

. .
dargestellt. Die charakteristi -
dasSch äd gungsverhaU

. ^ ^-
man Aussagen ü ber
schen Kennwerte solcher Signale, anhand derer
treffen kann , sind Amplitude A Dauer. D , Anstiegsze
tungen (counts) N, Energie, Schwellwert T. Treten
t R , Anzahl von fchwellw übersclvei-
Burstsignale in sehr d chter zeitlicher Folge
öst werden , und man spneht von kontinu
auf so können sie nicht mehr als Einzelsignale aufgel
ierlicher Schallemission.

1
"7

i
T
A

*
o

Btld 10.6: Scbcllmuum: Burltsignal und Kennwerte

187
 10.2 Wirbelstromverfahren
10*2 * 1 Einfü hrung
Die Grundlagen der Wirbelstromtedmik sind seit langem bekannt: Ihre Geschichte hatte bereits
zu Beginn des 19. Jahrhunderts mit den Entdeckungen von Hans Gcrsted und Michael Faraday
begonnen .
Oersted hatte beobachtet , da ß ein durch einen benachbarten Leitungsdraht flie ßender
elektrischer Strom die Magnetnadel eines Kompasses auslenk t. Er stellte die These auf, da ß ein
elektrischer Strom, der durch einen Leiter flie ß t , ein Magnetfeld um den Leiter erzeugt .
Faraday zeigte, daß ein magnetisches Wechselfeld , gekoppelt durch einen Weicheisenring, einen
elektrischen Strom in einer weiteren um den Ring gewickelten Spule erzeugt ( vergl . Bild 10.7 ).

*
Bild 10 , 7: Zur Wechselwirkung von elektrischen und
magnetischen Feldern

Später beschrieb Maxwell dies in seinen Gleichungen f ür das Verhaken des elektrischen Feldes ,
die die Grundlage der heutigen Wirbelstromtechnologie bilden.

F ü r die Wirbelström priifung wird genutzt , daß eine mit Wechselstrom durchflossene Spule ein
magnetisches Wechselfeld erzeugt . Wird die Spule in die Nä he eines leitenden Prüfobjektes
gebracht , verursacht das Magnetfeld einen Wirbel ström fl uß ( vergl . Bild 1 0 8 ' ^
) er
Wiibelstromfluß hä ngt von den geometrischen und elektrischen Eigenschaften des Pr ü fobjektes
, fuhren auch
ab ; Änderungen der materialspezifischen Leitfä higkeit , zum Beispiel durch Risse
Wirbelstr erzeugen ihrerseits ein
zu einer Änderung der Wirbelstromausfilhrung. Die ö me
erzeugte Magnetfeld beeinflussen sich gegen -
Magnetfeld . Dieses Feld und das von der Spule
Spule . Me ß gerä te zeigen diese Impedanz ä ndenmgen
seitig; dabei ändert sich die Impedanz der
Zustand des
an. Der Prü fer erhä lt damit wichtige Infonnationen über die Eigenschaften und den
Prüfobjektes.

Bild 10.8: Prinzip der Wirbelstromprüfung

188
 10.2. 2 Anwendungen

Cf cr dlC dCm
unsichtbar bleiben. Dabei lassen sich auch
AuSe
SäSä*:izasz
Mflterialfehl /* a von Oberfl ächcnbeschichtungen nachweisen , die die
o *
i A
TjUn ^
Bauteils oder der gesamten Konstruktion gefä
hrden k önnten.
Sicherheit des

Aufgabenstellungen. Überprüfung von Bauteilen auf Fehler an oder nahe der Oberfl äche.
Prü fung mehrschichtiger Strukturen .
Messung der Material - und Schichtdicke.
Sortierung nach Legierung, Wä rmebehandlung und H ärte.
Messung der elektrischen Leitfähigkeit.
Berührungslose Messung sehr kleiner Wege.
Lösung: Erzeugung von Wirbelströmen im Prü fobjekt. Analyse der Impedanz-
ä nderungen in der

Arbeitsschritte:
Prü fspule.

Abtasten des Prü fobjektes mit der

F requcnzgencrator
( Frequenz » f )
m- Strom =l
A
V
Priifspule 1

Bei Auftreten von Störungen wie Priifspule

( Induktivitäta L)
i: Ablasf
hchlung
-
beispielsweise Rissen (vergl. Bild 10.9:
A =» ungest örter Prü fobjektbercich , B
—
bis D Bereiche mit unterschiedlich
tiefen Rissen) ä ndert sich die A B C D
Amplitude des Wechselstroms in der
Prü fspule und damit auch ihre Wechselstrom flie ßt durch die Priifspule
Impedanz ( vergl. Bild 10.10)
Bild 10.9: Abtasten eines PrüfObjektes mit
Auswertung der Impedanzändemngen unterschiedlich tiefen Werkstoffehlem
mit Hilfe vorliegender Erfahrungswerte
%
Arbeiispunkt
Ampiyiuden -
ä nderungen -f
~ [/>
z 7
/
/
.3
T3 £ 0 A b C D
-
£ 5
Ohmscher Widerstand \
Izl = v' xi + R' X, = Izl sine
Ö = tan '1

^
( ) R

Änderung der Spulenimpedanz bei unterschied

- Izl cos 0

-
Fha &en

Die Schwingungsform des Spulenstroms ä ndert sich

bei der Abtastung unterschiedlich tiefer Nuten
-
ä rtderungen

lichen Bedingungen im Zeigerdiagramm

Bild 10.10: Auswirkung der Werkstofffehler auf Amplitude und Phase des induzierten Stroms

1 S9
 im Vergleich mit anderen Prü fverfahren liegen
folgende Vor- und Nachteile vor:

Vorteile Nachteile
hohe Empfindlichkeit bei mikroskopisch
Verfahren erkennt nur, da ß ein Material fehler
kleinen Fehlem
vorlicgt, Fehler aber nicht genau definierbar
gutes Auflösungsverm ögen
Verfahren benötigt immer mindestens ein
hohe Prü fgeschwindigkeiten gutes Teil zum Einjusticrcn ( als Vergleich)
einfache Automatisierung nur Bauteile gleicher Geometrie untersuchbar
schnell in der Anwendung
kein Materialkontakt oder Koppelmittel
erforderlich
kein Materialverbrauch
wirtschaftlich
• umweltfreundlich

% 10.2.3 Eindringtiefe

c-
o
Wirbelstromdichte
0 37 % 100 %

c 5

Jf
=
1

Bild 10.11 : Zur Tiefenabhängigkeit der Wirbelstromdichte

% 172,41
172, 41 / 21
$ = 50 5 V
^ aPr / o
50

f = Frequenz(HZ)
o = Leitf ähigkeit
u = Relative Penncabilit ät
-
5 = Standard Eindringtiefc ( mm )

der Oberfläche angegeben , bei dem die

Als Standard Eindringtiefe wird der Abstand von
- Oberfl äche abgefallen ist.
Wirbelstromdichte auf 37 % des Wertes an der

190
 10.3 Eindringverfahren
10.3. 1 Einf ü hrung

MmnJ Pden erHE'

^^
ndr
3ieß 'nSxrifUn8 bC* dCr ölküchprobe. Sic wurde bereits vor mehr als 50
a
®C
u A rh ehler
ausgehenden ^
Minuten gekocht. Das Öl drang in die von der Oberfl äche
z.B. Risse oder Poren ein, sofern sie nicht z.B. durch Schmutz verschlossen
ui , r»

waren , ac em mdringvorgang wurde die Oberfläche des Bauteils gereinigt und in eine
Aufsc ammung von Kreide und Spiritus getaucht. Der Spiritus verdunstete rasch , und es
bildete sich eine wei ße, stark saugf
öhige Schicht. Das in den Fehlem befindliche Öl wurde
herausgezogen und bildete auf der wei ßen Schicht dunkle Linien oder Flecken , die den
Fehlerbereich sichtbar markierten.
Nachteilig war der aufwendige Kochvorgang, der relativ geringe Kontrast der grauen Anzeige
% zum wei ß en Untergrund und die relativ geringe Empfindlichkeit, wegen der feine Fehler nicht
nachgewiesen werden konnten .

10.3,2 Anwendung

Aufgabenstellung: Überprü fung eines Bauteils auf Fehler (z. B. Risse) an der Oberfläche.
Lösung: Sichtbarmachung der Fehler durch geeignete Eindringmittel.
Arbeitsschritte:

Vorreinigung und Trocknung:

Mit Hilfe einer geeigneten Vorreinigung wird sichergestellt, daß der Fehler frei von Verun-
reinigungen und f ür das Eindringmittel zugänglich ist . Die V orreinigung und I rocknung ist
schematisch in Bild 10.12 festgehalten .

Ö bl
a) mechanisch mit Bürste
b ) mechanisch mit geeignetem
Strahlmittel
cl d c) chemisch mit Lösungsmittel
d) Hei ßdampfentfettung

Bild 10.12: Reinigen des Priifobjektes

Emdnngvorgang:

""UM
ÄrJS
sind geeignet:

191
-
der fluoreszierendes Eindringmittel wird auf die Pr fflä
ü che
AU Eindringmittel
 - Farbeindringmittel (mit bei Ta -
geslicht sichtbarem rotem Färb-
Stoff ).
Fluoreszierende Eindringmittel
(mit unter UV - Licht gclbgrü n
J
"

fluoreszierenden Farbstoffen) . :: 9 :•
X
t:
- Fluoreszierende Farbcindring -
mittel (sie besitzen beide Zusätze
sind somit bei Tageslicht und
unter UV - Licht sichtbar). i

Bild 10.13 stellt verschiedene Aufbrin - 10.13: Aufbringung des Eindringmittels

gungsarten anschaulich dar, a) Tauchbad b) Pinseln c) Sprühen d ) bzw , e)
Spritzen und/oder elektrostatisch

Zwischenreinigung:
Mach dem Abschluß des Eindringvorganges wird das ü bersch üssige, an der Oberfläche
haftende Prü fmittel entfernt. Die Zwischenreinigung mu ß so erfolgen , daß das in die Fehler
eingedrungene Eindringmittel dort verbleibt. Bild 10.14 zeigt Möglichkeiten der
Zwischenreinigung beim Rot -Wei ß-Verfahren.

Bild J 0.14: Entfernung des Eindringmittels

-
beim Rot- Weiß Verfahren
v- a ) Abwaschen mit fusse( freiem Tuch oder
al
- «
8
’ :
Schwamm
b) Abspritzen hzwAbwischen mit systembe -
cl tf zogenem Reiniger
c) Abspritzen mit Wasser ( max. 5 bar )
«P d) Abwaschen mit Pinsel

Vordemlufbn i des Entwicklers

^
es
muß die Prü ffläche getrocknet werden, es sei denn
,

y “ Sä die vercchiedenen TtocknengsverfeJven .

* wird. Bild 10.15 zeigt
Ql b)
-V.
'

:
Bild 10.15: Trocknung der Oberfläche
a) Lufi-Trocknung
d) b) Trockenreiben mit fusselfreiem Lappen
Cl
c) Abblasen mit ölfreier Druckluft
m d) Trockenblasen mit Luft ( max. 50 °C)

Entwicklungsvorgang:
Mach dem Trocknungsvorgangvv ro
h
.
it dem Eindringmittel kontrastierender Entwickler
jUe
^
,
die Oberfläche saugt . Hierbei bildet
möglichst dü nn aufgeä ugen , '

dje Entwick eAV 1Tkung

,
vergrößerte Anzeige des Fehlers .

192
 Bild 10.16 veranschaulich! die W ,rkung „ Ennvicllers.
es
Das Eindringmittel wandert an die
Ober-
flä che und w ü rde ohne Entwickler, wie a)
in Bild 10.16b) gezeigt, einen d ü nnen ,
kaum sichtbaren Film der Dicke T
bilden. Bild 10.16c) gibt eine ungü nstige h

ff
Situation mit zu großem Entwicklerkom d}
mit Durchmesser T 3 wieder . Bei
optimaler Entwicklerkomgr öße lagert
sich eine größere Anzahl von Körnern
aneinander, zT. auch ü bereinander und &ild 10.16 : Stadien beim Entwicklungswrgang
es bildet sich entsprechend Bild 10.1 ö d )
ein Bereich in der Entwicklerschicht aus ,
der von dem Eindringstoff benetzt wird . Hierbei wirken die schmalen Hohlräume zwischen
den einzelnen Pulvcrkömem als Kapillaren, die das Eindringmittel relativ schnell aus den
Fehlstellen herausziehen.
I Als Entwickler sind entweder Trockenentwickler oder Naßentwickler ü blich .

3 Inspektion:
Nach Abschlu ß des EntwicklungsVorganges wird die zu prü fende Fl äche unter geeigneten
Beleuchtungsbedingungen auf Fehleranzeigen abgesucht. Hilfsmittel der Sichtprü fung, wie
Vergrößerungsgeräte oder kontrast verbessernde Brillen , kö nnen dabei verwendet werden.
Aus dem Durchmesser, der Breite oder der Intensit ä t der Anzeigen kann auf die
Abmessungen der Fehleröffnung nur bedingt geschlossen werden. Aussagen ü ber die Tiefe
der Fehler sind nicht m öglich.

Nachreinigung:
der
Nach der Inspektion ist eine Reinigung des geprü ften Teils erforderlich , wenn R ü ckstände
Pr ü fmittel die weitere Verwendung beeinträchtigen kö nnen.

Vor und Nachteile der Eindringverfahren sind nachfolgend gegen übergestellt .

-
%
VORTEILE NACHTEILE

Einfach in der Anwendung - Nur offene Oberflächen fehler auffindbar

Unabh ängig von Form und Größe der
Werkstücke
Vollstä ndige Baute ü priifung
Sehr empfindlich bei geeigneten Fehlem
Niedriger Schulungsaufwand des Pr üf Per
sonals
Kurze Einarbeitung
Geringe Investition bei gelegentlicher An -
wendung
- Prü fvorgang weitgehend automalisierbar
- Fehler sind direkt sichtbar
- Bereich muß zugänglich sein
- Galvanische- und Farbschichten m üssen
entfernt werden
- Reinigung/Oberflächenbehandlung erfor-
- derlich
- Kaum Aussage über Fehlertiefe möglich
- Relativ zeitaufwendig
- Versagerquote von Werkstoff abh ä ngig
- Auch größere Risse u.U. bei
nicht sichtbar
Anlage und
- Hohe Investitionskosten
Automaten

193
 Bild 10.17 zeigt als Beispiel den Ablauf
ci ncr Bauteilprü fung mit Farbeindringverfahren ( Rot -
Wei ß- Verfahren )

Reinigen
des Werkst ückes

.. IC
Aufträ gen des
Eindringmittels

I
Abwaschen mit Wasser
oder Spezialreiniqer
(Trocknen entf ä llt hierbei )
\ ! 1

Trocknen bei Aufträgen des Trocknen bei

ca . 50*C Naßentwicklers ca. 50*C

1
Aufträgen des Trocknung bei Aufträgen des
Trockenentwicklers ca . 50flC Alkoholentwicklers

Inspektion unter
hellem , wei ßen Licht

Bild 10.17 : Arbeitsablauf bei Anwendung wasserabwaschbarer Farbeindringmittel

Bild 10.18 zeigt das Schema einer Penctrieranlage .

Ablropf -
blech
;
TT TT fWI
E ntfetten mit Penetrieren Abtiopfen
% Spezialreiniger

© -\
_
TX ©
©
Emulgieren Entfernen des Emulgators
Entfernen des Penetrieröls

n=^ . .
Oi 11 V
t c 1 i '\ \
l ;/ i i \'%
J

TTTT trockwv.
/ anlwicWef / 'fff TT \
DT2/Q0 ' 1 \
ddult - 1 1
anschluß
Entwickln W - Kabine
Trocknen
Penetrieranlage
Bild 10 IS : Schema einer
.

194
 11 Mechanische Werkstoffprüfung
Die mechanische Werkstoffprü fung dient = 35
L” *IhE
der
Ermittlung von Werkstoffeigenschaften
( "Eigenschaftsprofil "), insbesondere der 1
.
Ermittlung von r [i

Werkstoffwiderstaiuisgrfl ß cn c
H >o
haben zentrale Bedeutung f ü r alle Arten 1
von Konstruktionen! 1
r.

-.
11.1 Zugversuch m
-
f ist das wichtigste Verfahren der Werkstoff-
‘V '

prü fung ftir Ingcnicurwissenschaflen!

c
H
11.1.1 Vorgehensweise und
grundlegende Zusammen - K
hä nge *
-
a ) Ermittlung des F.AL. - Zusammenhangs L
M 1
erfolgt durch einachsige momentenffeie
Zugbeanspruchung eines schlanken Stabes
mit im allgemeinen konstanter Querhaupt-
geschwindigkeit
dL (

* q -
f* dt
Querbaupt
in einer Zugprü fmaschinc. h Kraftaufnehmer
C Oberer Prüf raum
D Kugclumlaufspindel
F- Traverse
Kraftaufnehmer
Cn Unterer Prüfraum
Säule
Arbeitspläne
K Sockel
L U ntersetzungsgetriebe
Tachogenerator
Auftragung der Kraft 1 über der V erl ä nge
* - M
N Scheibcnlaufcrmotor
Biegevorncheung
rung AL, liefert: ' 1
Keil spannzeug

Bild 11.1: Zugprü fmaschine

m
w fF \
FA

«
A, JLA
fCä
F -
t L
I
/ -D T

Fi F
% D AL = L-U
Bild 11.2: Kraft-Verlängerungs-Kurve bei Zugbeanspruchung eines metallischen Werkstoffes (sche-
matisch)

Problem : F, AL -Kurve hängt vom untersuchten Werkstoff und von der Geometrie des Probestabs ab.
(

Lösung: Ermittlung des on, s, - Zusammenhangs ü ber

L - L0 ALt_
Nennspannung
F
on = —AQ und Totaldehnung et = — -

On

Bili ,n .
sehen Werkstoffs (schematisch )
b
"
maa
"‘-

196
 b) Elastische Verform . m

'
Verformung

NgllHUfrKr! ?
"* , rän derUn8en der
Atomabst ä nde gegen- /S Y
nw ChtSlagC zurü ckzufü hren .
geW ^
Nach Abschnitt 2.4.1 c') ergibt
sich diese aus dem
deichgewKiht anziehender und
absto ßender Krä fte,
so daß beim Gleichgewichtsabstand r0 gerade

^
~ Fan + F, = 0
b
gilt. Wird das Kristallgitter mit einer
sprucht, so kommt es zu Verschiebung der
Kraft F bean
Atome
relativ zueinander, die der Kraft Abstandskurve zu
-
fo
<?-

entnehmen sind. Dabei bestimmt

-
dF
dr r = ro
=: dF
dr r " r» * &r
dF
ü r r ° r° ' Ar
die Festigkeit der Bindung und damit die Steifigkeit
% des Werkstoffs.
Im OnjEfDiagamm wird demnach ein linearer
Bild 11.4: Steifigkeit der atomaren Bindung

Zusammenhang zwischen on und s, beobachtet:

Cn = E E,
mit E Elastizitä tsmodul
= Steigung im an,et-Diagramm
In den Querrichtungen treten elastische Querdehnungen auf.
?CCA
^ 5:

PW-
»
'

sV »
—
et,q = - v et O *- .
H V
^xslnscUi , eJ-ü
•
mit v = Querkontraktionszahl 0,3 bei Metallen) *

—
c) Elastisch-plastische Verformung
£
• Beanspruchungen mit on > RcS
1 fuhren auf Verformungen , die bei
Entlastung nur noch zum Teil
zurückgehen. f
• Es liegt nahe, die Totaldehnung in
zwei Anteile aufzuteilen:

ec = elastische Dehnung
ep = plastischen Dehnung
= irreversibler Anteil, auf
Abgleitvorgä nge im Kris-
tallgitter zurückzu fü hren

• Offensichtlich gilt :

°n = E £e
(Hooke 'sches Gesetz) 11.5: Aufteilung der Totaldehnung in elastische und pla-
ß ild
stische Dehnung
 Die elastische Dehnung ä ndert sich also
auch w ährend der elastisch- plastischen Verformung pro-
portional zur Nennspannung.

• Folglich gilt : 8t = ^LL 0 °n

E
+ 8n
p
’,O

D - D0
- v —En
O
• In Querrichtung gilt analog £t q
. = D0
= + ep q
>

• Wird ein elastisch- plastisch ver- Dc

formter Körper nach Entlastung
(s. Bild 11.5) wiederbelastet , so
ergibt sich der in Bild 11.6 ge-
zeigte Verlauf der Verfesti-
gungskurve.

Befund:
Der Körper verhält sich offensicht-
lich so, als ob keine Entlastung
ReS
/
/
/ /
IBA
/7
#
durchgeflihrt worden wäre. Plasti -
sche Verformung setzt bei einer
Spannung R s wieder ein, die grö-
^
ß er als die ursprü ngliche Streck-
grenze Rcs ist. Man spricht von
Verfestigung infolge plastischer
Verformung.
!1 / e;
t

Bild 11.6 Verhalten bei Wiederbelastung

• plastische Verformung beruht

(bis auf wenige Ausnahmen wie z. B. hohe Verformungstemperaturen , vgl. Abschnitt 11.3
( Kriechversuch )) auf Versetzungsbewegung (vgl .

^ Abschn. 4.3.6):
• Die Tatsache, da ß Verfestigung auftritt , zeigt , da ß
durch die plastische Verformung die weitere Ver- c
IM
setzungsbewegung i . a. behindert wird.
gegenseitige Behinderung von Versetzungen
m Versetzungsdichte nimmt mit wachsender
plastischer Verformung zu ( vgl . Frank - Read -
Quelle in Abschnitt 4.3.8)
• Die Mikrostruktur eines Werkstoffes , insbesondere
Art, Größe, Dichte und Verteilung von Gitterstö-
rungen bestimmt entscheidend die f ü r die Verset -
zungsbewegung erforderliche kritische Schubspan -
nung und damit die Streckgrenze des Werkstoffes .
o

I
f
I
I

— * ,
l

Durch gezielte Ausnutzung von Verfestigungs-

mechanismen l äß t sich also die Festigkeit eines
Werkstoffes beeinflussen (vgl. Abschnitt 11.1.5). ßä f JJ y: Gleiten einer Stufenversetzung

198
 d) Technische und physikalische Verfüg

Zusammenhang zwischen Nennspannung und wahrer Spannung:

r a lrungsgemäß läuft plastische
Verformung näherungsweise unter Volumenkonstanz ab

- LO • A0 = Lp Ap •
- —Ap 1 J_
A0 L0
= J_
A„
0
L0 + ALP
Lo

— (1 + E„)
P
AQ
mit Lp = Länge nach Entlastung von Kraft F
Ap = Fläche nach Entlastung von Kraft F

“
°=X =
i "

P
=
A0
" 0 +
S) =
°n ( 1 + £p) >
°n
Zusammenhang zwischen Totaldehnung st und " wahrer " Dehnung (pt:

HT T L + AL
=
/f
i
1 = ln
Lo
~ = ln “
V- = ln (1
o
+
Et) < £
‘
r
Q lI U .6
I I
ö

ön O, |t
()

t
Folgerung:

Physikalische Ver-
festigungskurve
%
= f (<Pt)
ab hier Einschnürung und somit
verläuft oberhalb lokalisierte, mehrachsige Verformung!
der technischen Daher: Keine einfache Umrechnung
V erfestigungskurve
von on in o mehr möglich!

-f
ibi

Bild 11.8: Technische und physikalische Verfestigungskurve (schematisch)

199
 11.1.2 Werkstoffwiderstandsgrößen und Verformungskenngrößen
des Zugversuchs

t
u Bild 11.9

p0.2
R

t
/ /

r—
* £p ~
8t
0.2% 1% 6 -* - 4

6v
7 7o ^
S t >1
Bild 11.9: Verfestigungskurve mit Kenngrößen
f 1
%
Streckgrenze R*s Werkstoffwiderstand gegen einsetzende plastische Verformung
(elastische Streckgrenze)

% Dehngrenzen Rpx Werkstoffwiderstand gegen Überschreiten einer plastischen V

von x %
x % - Dehngrenze
( plastische Verformung von x %)

x ist geeignet festzulegen, z. B. 0,2 %-Dehngrenze:

Dann ist ep = x % = 0,2 %

,
Analog: Für R,, ist ep = 1 %

Zugfestigkeit Rm Werkstoffwiderstand gegen einsetzenden Bruch;

Fmax
°n , nia *
"

^ o

200
 Bruchdehnung 5 leibende Dehnung nach Bruch (Norm: A statt 6!)
( also nicht fotaldehnung im Bruchpunkt x der , 6, Kurve!)
an
S - 6g 8e = Gleichmaßdehnung 4- Einschn ü rdehnung
-

LB Ln- • 100%
—ALn
“

Lo
=
L
- • 100%
o

¥ -L H r

(i ^ 1 i
3ecc> cU J x I
Bild 11.10: Zugprobe im Ausgangszustand und im eingeschnürten Zustand

t AI -
* !* !* - ^^= a
- Gleichmafl
L0 -^= ß /
A Hinschn üi\üig
A0
(Erfahrung)
l
"

Somit gilt auch

ALB = aL0 + ß oder

8 = —ALB-
L
100 % = (a L0
100 %

Also: 5 t mit A0 t und L0 l : Geometrieabhä ngigkeit!

Abhilfe: Festlegung ähnlicher Geometrien

= konst
L0
Beispiel: 85: L</D 0
a:s 5 (Norm : A5!)

des eben
Brucheinschn ü rung \\i = Auf Ausgangsquerschnitt A0 bezogene Verkleinerung
gedachten Bruchquerschnitts AB gegen ü ber Ausgangsquerschnitt A0
(Norm : Z statt vy!)
A
«
V
, = ° • 100 %
Ao fjrD ijk
-
5,
% tr
Erfahrungsgem äß ist y unabhängig von Probenabmessun-
gen, wenn LJD0 > 3 .... 4 ist
i fto
>'

SW
vFQ Mt
:
\

Sprachgebrauch:
4
Nt
\y 25 0: spröder Werkstoff
D D
Ist \y klein: verformungsarmer Werkstoff Bild 11.11: Zur Definition der Bruchein-
Ist |\ / gro ß: duktiler Werkstoff
schnürung

201
 11.1.3 Brucharten
Man unterscheidet nach ihrem makroskopischen
Erscheinungsbild:
Verformungsreiche Brüche (Zähbruch)

y
\ r -n -- itt H-
-
Tr
i
i

. S m i EP
>! '

SN
* -tX &
-
-

/
*
1
C,:
f

il -
r-
F? ü

a
/-
* 2
-
r
' ? •
mt ft
r
JV
- .
3
.
i

v
'
,
v •
•
:r-
: r,
K

Verformungsarme Brüche („
Tasscn-Tcller-Bruch“ )

* .. £
-
iH
f
pft

I
r:
-
>
Tr

-
r
:
£
:

,
II
*

*m
r
5 J

V C
' r
i
i

BS Ä r y
1 J

+ ' .-
T' s 4
r
-
wm
-- Z
i
3
V

Verformungslose Br üche (Spr ö dbruch)

i y.
*
7k
-
’
L
@
y

« *S
a •5

W
M
lä

rv
-
i
V
a
*7
- +

-
r Sr
-y s ‘
VS -
•

m9m
j
\
W7 J

\\
-^
'" T s
iS-- *
w4
sä»
* K
*4
 Nach dem mikroskopischen Frscheinungsbild
ergibt sich folgende Unterteilung:
Betrachtung der Bruchflächc

Gleitbruch Spaltbruch

* *
&
:

i
i
SR
ö rtliche Verformungen unter Schubspannungs- Trennung ( Spaltungen l ä ngs definierter
Ö rtliche
cinwirkung Flächen unter Normalspanmingscinwirkung)

Betrachtung des kristallographischcn Bruchverlaufs

t
Transkristalliner Bruch Interkristalliner Bruch

V L* : •• %
t
T v
.
' i-
-
3r
V ^
1.
--
t; : 1
w

^ -K . v. . ^,
V
;{. \.
% • .

- c.
|
i ! —
1
20 U *T>
r1 -ne fi /
;V , C'J . -
50 SL ^

Ri ß verlauf durch Kö rner Rißverlauf lä ngs Komgrenzen

Beanspruchungsrichtung ergibt sich

Nach Orientierung der Bruchfl äche zur
% Schubspannungsbruch
Normalspannungsbruch

s,
3
- 1

203
 11.1 .4 Verschiedene Typen von Verfestigungskurven
Man unterscheidet folgende Grundtypen : °n
FL
Typ 1:

Ohne Streckgrenzenerscheinungen R*, ••

\

-
Homogene on und erVerteilungen l ä ngs der Pro-
be
f ür on < Rm 0.2°/
\
Beispiele: Reine kfz Metalle (Cu , Ni, Al ) \ f f > -
*
Austenitische Stähle ( X 2CrNil 8-8) ö„ 6, ei,
Vergü teter Stahl (C60) 6
Bild 11.12: Verfestigungskurve vom Typ I

t
Typ II
R
Mit ausgepr ä gter Streckgrenze und inhomogenem
Dehnungsbereich
FL •• .
•

on < RcL und RcL < on < Rm

- Homogene on- und erVerteilungen l ängs der Pro-
be .
i

on = RCL und ecS < e l < e c S +Verteilungen

eL
l ä ngs der
=» inhomogene on- und et-
Probe
eL = Lüdersdehnung
Bild 11.13: Verfestigungskurve vom Typ II
%

Betrachtung von = u:
Zug-
Inhomogene Totaldehnungsverteilung lä ngs der
probe

Bild 11.14: Inhomogene Spannungs und -

Dehnungsverteilung während der " Luders -
Verformung " ( schematisch )

204
K /
 Bild 11.15
Zugprobe

F F

Hier ü berall Lüdersfront Hier ü berall

8 = 8 8t = eeS + e
e
eeS + e, T8
L
i.
X
°r
\
R. 4 -

x
BiW 11.15: Inhomogene Spannungs- und Dehnungsverteilung wä hrend der " Ludersverformung
( schematisch )

Ursache:
• Konzentrationswolken von gelösten Legierungsatomen um Stufenversetzungen
• Plastische Verformung erfordert Losrei ßen der Versetzungen von ihren Fremdatomwolken
• Beginn an geometrischen Spannungskonzentrationen (Kerben)
ber die Probe wandert
• Ausbreitung aufgrund lokaler Spannungserhöhung, die mit der Lüdersfront ü

Beispiele: Viele Cu-Basislegierungen

% Al-Basislegierungen
I
n ,
Typ III:
R,
Mit oberer und unterer Streckgrenze und inhomogenem
Dehnungsbereich * m •

Spannungs- und Dehnungsverteilung analog Typ H

ößen-
Tritt nur bei Interstitions-Mischkristallen auf, da Gr
effekt 8lnl » 5Sub

Größere Wirkung der Fremdatomwolken!

* y

Beispiele: Ferritisch-perlitische Stähle

VA- und VIA-Metalle mit Zusätzen von C
, N, H 1 Ci. I

Bild 11.16 : Verfestigungskurve vom Typ III

205
 Besonderheit bei Entla ungm
^ ^^ uns:
Wiederbelastung kann auf höhere Streckgrenze R f ü hren , als die bei der ursprü nglichen Verformung
cS
erreichte Spannung (Statische Reckalterung )

Beobachtung, durch zunehmende Wartezeit zwischen Entlasten und Wiederbelasten wird R ' größer
c$
und es kommt zur Ausbildung einer neuen Streckgrenzenerscheinung; dieser Effekt wird durch
Glü hungen bei Temperaturen T = 150° - 250° C beschleunigt .

Ursache: erneute Ausbildung von Konzentrationswolken durch Diffusion der Legierungsatome

I t

Bild 11.17: Statische Reckalterung

Typ IV:

Mit elastisch-ideal plastischem Dehnungsverhalten

% -> Idealisierter Fall, wird h ä ufig theoretischen^

Betrachtungen zugrunde gelegt zfa

Beispiele: Viele metallische Werkstoffe bei hinreichend

hohen Temperaturen
-
( * Kriechverformung!)

u>
Bild 11.18: Verfestigungskurve vom Typ IV

206
 R
Typ V:
L
Mit extrem reduziertem elastisch-plastischem
Dehnungsbereich

Beispiele: Martensitisch geh ärtete unlegierte St ähle

Gu ßeisen mit Lamellengraphit
Keramische Werkstoffe
Langfaserverst ärkte Polymerwerkstoffe

\f
f -0 2 %
,

Bild 11.19: Verfestigungskurve vom Typ V

Typ VI :
t Mit unregelm äß igen Spannungsabfällen im elastisch
plastischen Dehnungsbereich
J
'V
Folge dynamischer Reckalterungsprozesse (Wechsel-
(
wirkung zwischen gleitenden Versetzungen und
diffundierenden Legierungsatomen in Form von fl
Losrei ß- und Wiedereinfangprozessen)

Bild 11.20: Verfestigungskurve vom Typ VI

Beispiele: Legierungen mit hinreichend gro ßen gelösten ^
% Anteilen von Interstitions- und/oder Substitu-
tionsatomen

Bild 11.21: Verfestigungskurve vom Typ VI

207
1 l . l .S Yerfestigiingsmcchanismen
Plastische Verformung wird i . a . durch Versetzungsbewegung hervorgerufen . Versetzungen gleiten auf
Gleitebenen in Gleitrichtungcn und werden dabei von Hindernissen beeinflu ß t, die die Versetzungs-
bewegung hemmen, die Versetzungslau fwege begrenzen k önnen und somit verfestigend wirken.

/
/ o 0
G
0

± :°
0 Q

0
.
O

t>
\
/ j r <n

TUsW. A
Bild 11.22: Versetzungshindernisse

Gitterstö rungen sind stets mit der Ausbildung von Eigenspannungsfeldem und Verzerrungen verbunden
und stellen daher derartige Versetzungshindemissc dar.
Man unterscheidet:
0
a ^l Versetzungsverfestigung

Gleitversetzungen m üssen bei ihren Bewegungen das Ei- X T

ux «
genspannungsfeld anderer Versetzungen überwinden. Diese
bewirken den Werkstoffwiderstand •••••••

RVen> = G b * • X

“ l
Pf ? p?
p > t
p. > ,
X T v

«1 Konstante
G Schubmodul
b Betrag des Burgersvektors einer Versetzung
P . Gesamtversetzungsdichte

b } Komgrenzenverfestigung

Komgrenzen begrenzen Versetzungs lau fwege und erzwin - T*

gen durch Anpassungsverformungen eine gegen ü ber dem

.
Kominnem erh öhte Versetzungsdichte Dies liefert den
Werkstoffwiderstand
\
k «, < fl , L3
^
rrr
KG

mit
k werkstoffabh ä ngige Größe
d mittlerer Komdurchmesser

208
c ) Mischkristallverfpytionno

Gleitversetzungcn m üssen bei ihrer Bewegung in den

Gleitebenen liegende, gel öste Fremdatomc ü berwin-
den . Das liefert den Werkstoffwiderstand
7m
mit RMK C a2 G (CT
cu vom Größ eneffekt ö und Moduleffckt r| ab-

c'
n
-
=
hängiger Parameter ( vgl . Abschnitt 4.2)
Fremdatomkonzentration
Konstante ( 1 /2 ini 1) .
c

d ) Teilchen Verfestigung

R
Schnöder
_
Die Überwindung von Teilchen durch Schneiden
bzw. Umgehen der Gleitversetzungen zwischen
den einzelnen Teilchen in der Gleitebcnc liefert
als Beitrag zum Werkstoffwiderstand

^ ^ f
iJ &lryltLiir
^ lÜ ,
»
-
* **
i
-
-
m
j

mit
I
R
ümgeh«

=
= J

^ 1
f (r)

mittlerer freier Teichenabstand

1 i Smjanyri. fi '1

i
H

2r mittlerer Teilchendurchmesser
Yefr *= Grenzflächenenergie
= Konstanten

Dabei sind zu unterscheiden: 1 ) Koh ärente Ausscheidungen (Teilchen)

2) Teilkohärente Ausscheidung (Teilchen )
3) Inkoh ärente Ausscheidung (Teilchen)

e) Orientierun &verfestigung
EsrCii.
Bei der Verformung texturbehafteter Vielkristalle
wird anstelle von MT ein Orientierungsfaktor M
* h'
/
wirksam, weil nur eine bestimmte Auswahl von
Komoricntierungen vorliegt. Der Verformung wirkt H1
also der Werkstoffwiderstand ...
WM
MT"
entgegen .
ncnl —
MT
R

f ) Prinzip der Additivit ä t der Werkstoffwiderst ä nde

Liegen verschiedenartige Hindernisse vor, so kann von dem Prinzip der Additivit ät der W erkstoffwider -
stände ausgegangen werden. Dabei ist im allgemeinsten Falle
R = Hi.l Rj = Rvcrt + RKG RMK 4 4
RTcil
bzw.
.
ROr cm =
•
[RVn + RK0 * RMK + RTc l] .
209
 11.2 Hä rteprü fVersuche
sind flir die technische Praxis wichtig, weil die H ärte proportional ist zu anderen wichtigen
Werkstoffwiderstandsgrößen, z.B. Zugfestigkeit (vgl. 11.1) oder Wechselfestigkeit (vgl. 11.6)
qyoV»
ABER: Härte selbst ist keine Werkstoffkenngröße f ü r Dimensionierungen!

Härte = Widerstand eines Werkstoffes gegen das Eindringen eines h ä rteren Körpers ( z.B. Diamant
oder geh ärteter Stahl )

@ ]> t-
r

l d I

Bild 11.23: Vorgehensweise bei der Härtepr üfung (Schema )

Arbeitsschritte:

- Abheben bzw- . Teilentlasten -- -

Belasten Eindr cken
ü mehrachsige Verformung
Vermessung des Eindrucks ü ber

Eindruckoberfläche bzw. Eindringtiefe bzw.

Härtemaß Flächenpressung bezogene Eindringtiefe

Bezeichnung Brinell-Härte Vickers-Härte Rockwell-Hä rte

Eindruck- Kugel Pyramide Kegel (cone ) Kugel (ball)

Körper: (gehärteter Stahl ) ( Diamant) ( Diamant ) ( geh . Stahl )
mit D=10,5,2.5 mm mit a=136 0 mit a=120 ° mit D= 1.59 mm

Bezeichnung HB HV HR£ HRB

Härte wird durch Mikrostruktur zumindest qualitativ ähnlich beeinflu ßt wie die Werkstoffw
stände im Zugversuch.
ider -
211
 11.3 Kriech- oder Zeitstandversuche
unter konstanter Last treten plastische
Verformungen auf. Der Werkstoff kriecht!
• Besonders wichtig bei T 0,4 T [ K ]

11.3.1 Die Kriechkurve

Ermittlung der Probenlänge L (t)

bei T = konst. und F = konst.

- Kriechdehnung

t elot (0 - ec
=
L(t)-L
Lo
+ 6
^
100%

( t)

p
Bild 11.24 : Kriechversucn ( öcnemaj

Bild 11.25
T = konst
r. o. = konst /;
Ergebnis: Kriechkurven r t T = konst
Man bezeichnet: = konst ß
I Primärkriechbereich
n Sekundär
% m Terti ä r
Bruchzeit
5 Kriechbruchdehnung
(Norm: A)

Für Kriechgeschwindigkeit folgt

aus Ep, t -Diagramm
de
dt
= ep - m
Bild 11.25 : Kriechkurven (schematisch)

212
 *
-
f
r.i -3^

//»/
1 V I o f « £ -3
tu &
Kriechdehnung (schematisch )
11 ,26: Kriechgeschwindigkeit als Funktion der Zeit bzw. der

Im Bereich II ist
ep = e„
11 =
konst
yyr y / pr
sog. station ä rer Kriechbereich . /
> > y/ W
Mit Beginn von Bereich ÜI setzt starke Kriechschädigung ein.
rr /w Ä J *
z.B. Porenbildung an Komgrenzen *
JL zur Beanspruchung

l/ tirrixyxjflx M II* Im , ( jci cU '

Bild 11.27: Porenbildung an Korn-
'
* ^ - 1 [ä aß l ' i **
1 r grenzen (schematisch )

Erfahrung: 8 oft nur wenig von o und T abh ängig. Dann Bruchzeiten n äherungsweise aus e
abschä tzbar.

Ersatz von 8 durch 8*.

Dann wird

*u = ~
B
** ? " 4^*
r oder

, konst
ZTT
B = eu ^

< •3 -
(Monkman Grant-Beziehung)

Bild 11.28: Zur Herleitung der Monkman -Grant - Bezie-

hung 3
V
'
213
11.3.2 Das Zeitstanddiagramm
Die Durchf ü hrung von Knechversuchen
bei unterschiedlichen Spannungen gestattet die Bestimmung
des Zeitstanddiaeramms

T = konst . , g 0n
Zeitdehn-
grenzlinien
Zeitbruch-
linie
6(3) lg ö n < 3)
6( 2
/ 0n
\ \ \ \ cp - 8
ö
\ \
X
<V2
ig or
\\ \
'
•
•
t 'H -

CL
\ \
ii
p, \' \\ •

igc

t igt
Bild 11.29: Bestimmung des Zeitstanddiagramms

Man erhält somit

Zeitdehngrenzlinien Linien konst. plast. Dehnung; zeigen , wann diese bei bestimm-
ten Spannungen erreicht wird

Zeitbruchgrenzlinien Linien f ü r Bruch; zeigen, wann bei bestimmter Spannung Bruch

eintritt

0.2 %-Zeitdehngrenze f ü r t Stunden bei Temperatur T

*S> 02/t Werkstoffwiderstand gegen Überschreiten einer plastischen
Dehnung von 0.2 % in t Stunden bei 1
"
emperatur T

Zeitbruchgrenze f ür t Stunden bei Temperatur T

Werkstoffwiderstand gegen Kriechbruch in t-Stunden bei Tem -
R
Ni / i
peratur T
Zeitstandfestigkeit

214
 Hochtempei atur-V erformungsmechanismen
Plastische Verformung erfolgt f ü r T
* 0,4 Ts [K] diffusionskontrolliert
durch
Versetzungskrierhpn
Di ffusionskriechen
Voraus- relativ großes on sehr kleines an
Setzung: mittlere Temperatur hohe Temperatur

Prozess: Kombiniertes Klettern und Gleiten Gerichteter Materiefluß in Be-

von Stufenversetzungen zur Umge- anspruchungsrichtung durch entgegen-
hung von Hindernissen gesetzt verlaufenden Leerstellenflu ß
er
/

/^ ^
T , <5 'u &£ >/ ° TJ 0*
cLc^
"
'
J e is c

VkVW

-
av i oo\ -
-

% /
X
ko trollierte Prozesse beim Versetzungsgkriechen und beim Di
ßustonskriechei
Bild 11.30:

|
&
Qf J
usio^ Ot>A
O
io
<s>> O
^lek'SWU
^
tu Geschwindigkeitsbestimmend bei:
^
S VvOv*-v oo
aXovw-cw
^
rel. hoher T rel. niedriger T rel. hoher T
rel . niedriger T
Komgrenzen- Volumen-
Versetzungs- Volumen - diffusion
diffusion diffusion
diff üsion
verbunden mit Komgrenzen-Abgleitung
Diffusion gerichtet gerichtet
erfolgt: längs Verset- ungerichtet
zungslinie

215
 Juantitativ gilt

r <7 Da
irr n cn =ii: ü
Ui
j-

]
= D. + oD p . bzw. D = E Yolumendittusionskoeftizient
i
mD * KHD crsctzungskcriidirtuMoaktHrftizient
Korngrenzeiwimtsiot tizient
] Bezeichnung
Komdurchmesser

l ineares Kriechen
»Me- kncchen i

* n=4
t
d

(
%

i Thermisch aktiviertes
lg
30 / ^ Versetzungsgleiten
^ 8»
0

% O>
.
6« Vereetzungskriechen
^ Diff
u
<D
*o
•
Vol -Diff "
o
UJ

cn
Elastische
Verformung

0.5

Bild 11.31 : Verformungsmechanismen- Karte (schematisch )

216
11.3.4 Einige strukturbedingte Einflu ßgrößen auf die Kriechkurve
£ <>4
a ) Korngröße T«
4
Abnehmende Korngröße bedeutet
wachsendes Komgrenzenangebot
wachsender Anteil an 0
6"
^ * r

Komgrenzenabgleitung
Somit bei t = V
d't
ep (d 2) < ep (dt )
für d 2 > d ,
„
und e ( d ) < feH ,
(d ) B *
^
Somit grobkristalline Werkstoffe bei
Hochtemperatur-Verformung vorteil -
harter (z.B. Gu ßzust ände, einkristalline jj Korngrößeneinflu ß auf die Kriechkurve ( schema-
Turbinenschaufel) tisch)
b) Legierungszusä tze -
tf° r&'- A
'

1 T® co* .+
Beispiel: Nickelbasislegierung
(+ Cr, Fe, Co, Mo, W , Al , Ti )
V -hiu
Fe, Mo, W
^ Mischkristallverfestigung,
Cr, Mo und W
Karbidverfestigung
Al, Ti
«* y'-Phase Ni ( Al ,Ti ) ( koh ä rente, ge-
3
ordnete Teilchen)
6
Bild H 33: Auswirkung der Misckkristali und TeücHenkär - -
° &
tun? auf die Kriechkurve ( schematisch )
c) Dispersionszusätze

Beispiel : Kobaltbasislegierung

Dispersionsverfestigung behindert - ffc**'* *

Cc
Versetzungs- und Diffusionskriechen .

Vorteil der Oxide gegenü ber

Ausscheidungen:
Größere Stabilit ä t bei hohen Tempera -
turen
<
Bild 11.34 : Auswirkung von Dispersionszusätzen auf die
Kriechkurve (schernatisch)
217
 d) Gerichtet erstarrte F.ntekHWa

A'ÜxA ^ i *
—--.
UxA ^äV i
k > \tei - <*' *&***
(

Saastev
T
5
.
UcU
1
1
eisV.^-
•

h U cücV
^
^
gc cWV' UM

» 1 $Ws<- . vV fc.

ßiW 11.35 a ): Gerichtet erstarrte eutektische Bild 11.35 b ): Vergleich der Kriechkurven der
Legierung ( schematisch ) Basislegierung und eines gerichtet erstarrten
Eutektikums

Beispiele: Ni + TaC, Co + Cr7 C3, Nb + Nb2 C

-
j .<u
VwitU S «Ad«

\
ß h/ t

0, lt
^
>
-

Li
218
1.4 Kerbschlagbiegeversuche
? ^ ^ersPrödungsneigung metallischer
^
00 Cf
Temperatur Werkstoffe bei Unterschreiten bestimmter

Vcrsprödcnd wirken:

1 ) Gleichsinnig mehrachsige Beanspruchungen:

"Spann ungs- Versprö dung"

2 ) Gro ße Verformungsgeschwindigkeiten:
" Geschwindigkcits- Verspr ödung"

3) Tiefe Temperaturen bei krz. u. hex. Metallen:

-
"Temperatur Verspr ödung"

Geeignetes Maß fiir Versprödung:

Arbeit zum Zerschlagen einer gekerbten Biegeprobe
* Kerbschlag (biege) Zä higkeit

11.4. 1 Prinzip
u •»

Zerschlagen genormter Proben mit

Pendelhammer aus Ausgangsh öhe h ,.

Au ftre ffgesch windi gkei t:

- *
'
A" PCK

mv 2
mgh ,= 2
:
V/
V

(v = 4 .... 8 m/s)
/ V v»

Schlagarbeit:

W = mg (hj - h 2)
\
KV (

I
Bild 11.36: Kerbschlagbiegeversuch ( Prinzip und Probe )
219
 Kerbschlagzähigkeit aK - Schlagarbeit W r 2l
Kerbquerschnitt 1 1

bzw. aK =
mg ( h
*
"
N>
A„
aber auch: aK Z- Schlagarbeit W [J ]
bei sog. Iso Proben -
11.4. 2 aK, T- Kurven bei Stä hlen

^ k0
<
y 5 Cr J , « * %: <P Merke:

Ferritisch -perlitische St ähle zeigen

C ^ 5 B rvxmal « , Cr » Steilabfall der Kerbschlagzähigkeit
t (Tieftemperaturverspr ödung!),
austenitische Stähle nicht.

Festlegung einer Übergangstempera-

tur Tq:

—T>
Bild 11.37: Temperaturabhängigkeit der Kerbschlagzähigkeit
J
1 ) T = Tfl , wenn aK 20
cm 2
beträgt .
oder 2) T = T ö , wenn Sprödbruchanteil der Bruchfläche 50 %
fcU A

v (
Vidlctcf
dS' \
VA(h toflutK 1 \
H. MT
^
>MV>
l( w SAV -
* i
>

ff

/ V)
VI
J
r Sou äV
V

to
I
fÄ
m ^0
T V:.

Bild 11.38: Zur Definition der Ü bergangslemperatur

220
 11.4.3 Einige strukturelle Einfl ü sse bei ferritisch perlitischen St ä hlen auf
- aK

a) Kohlenstoffgehalt
CLAVF
Wachsender Kohlenstoffgehalt und somit
wachsender Zementitgehalt f ü hrt zur Erh ö- . P
hung der Übergangstemperatur und zur Ab-
CJQCJk
^ J«i
Senkung der Hochlage. AM * .
JUsewcU.0
UX< (

> lask ^v (Ms

# Bild 11.39: Einfluß des Kohlenstoffgehaltes auf die

ak , T-Kurven
Ä lc
b ) Korngröße vt W
/
Sinkende Korngröße verringert die
Übergangstemperatur.
Feinkörnige Werkstoffe sind weniger spröd -
bruchanfällig als grobkörnige.

\J v> \
^
V -A
W ,

V.
y
T

Bild 11.40: Einfluß der Korngröße auf die ak , T-

Kurven
0 vc A
c) Substitutionsatome

Zulegieren von Substitutionsatomen kann zur

Erniedrigung oder zur Erhöhung der
Übergangstemperatur f ü hren,

z.B. ATü/At.-% bei

P s 500
Si s 50
Mn -50
Ni -80
Bild 11.41: Einfluß von Substitutionsatomen auf die
ak , T- Kurven

221
11.5 Rißzähigkeitsversuche

^er^st ^v ^erstanc^ 8e8en instabile Ausbreitung von Rissen,

0

11.5.1 Prinzip
Kontinuierliche Beanspruchung einer genormten, ri ß behafteten Probe und Messung der Ri ßö ffnung v
= v' - v 0

F, v-Diagramm besitzt bei linear -

elastischem Werkstoffverhalten
folgendes Aussehen:
T A krh » <f*- Wo\V- re
'

»
r
/
vffi
\
\
VS
\

O V - v ' - Vo N

->
1/

Bild 11.42: Probe für Rißzähigkeitsversuche Bild 11.43: Kraft , Rißöffnungsdiagramm

beim Rißzähigkeitsversuch

Instabile Riß ausbreitung setzt ein, wenn

Spannungsintensit ät K = on /rca • Y (Y - f( — ) = sog. Geometriefaktor )

kritischen Wert erreicht. Also

F FC

-
on Oc

K = ojtta -Y Klc ( bei EDZ) bzw . Kc (bei ESZ) = ocv^ti Y

EDZ: Ebener Dehnungszustand

ESZ: Ebener Spannungszustand

Beanspruchung * Ri ßzähigkeit

222
 lkrung pjlastisdufVerfom
^^
1
nächenv r& öucrung + plastische ! Pr° R;Rißspitze
Verformung
chcnzuwachs
C

Ri an pro
= verbrauchte Energie zur Ober
ß flächenzuwachs bzw

Encrgicfrcisctzungsrate G RiBwiderstand R
-
11.5.2 lbliche Probenformen bei Rißzä higkeitsbestimmungen

Typ 3 -Punkt Bicgeprobc Kompakt -Zugprobe Kompakt - Zugprobe

(3PB) - quadratisch- (CT) -rund- (RCT)
Proben form
3
F B
j L - / 7 -
1/ >
/
-
rü 1
G

ß
. 8
© L
w
ri
^
$
3

7 7 © W

11.5.3 RiBz ähigkeiten einiger hochfester WerkstofTe bei Raumtemperatur

scoc -
i 6fuc
U& HH
•
*
© \
» * AJCv & WJi
*
1
US Z ZI
sa'? :*
'

!=
iA \ \.V.
" vv
m\
m il
57 ü
TS
BOT
\ a: UVTIT
*
JOM m

iDÜ

»200 GuO 2000 200 <00 HO HO «fl

%a2 IN/mm ? ]

Rißzähigkeiten von Eisenbasislcgierung in Rißzähigkeiten von Aluminiumbasislegie-

Abhängigkeit von der 0.2 %-Delingrenze rungen in Abhängigkeit von der 0.2 %-
1) X 1 NiCoMo 18 7 5 2) 37 NiCr 7 3 Dehngrenze
3) 35 NiCr 7 4 4) X 44 Cr MoV 5 1
5) 90 MnV 8 6) X 200 Cr 13

223
11.6 Schwingfestigkeits- oder Erm üdungsversuche

A Bisher betrachtet: Relativ einfache Last -Zeit -

I Verlä ufe, z. B. statische Beanspruchung im
Kriechversuch

i
Bild 11.44: Statische Werkstoffbeanspruchung

Beim Werkstoffeinsatz in der technischen Praxis

dagegen oft:
IA
/
mi/ ' (r
komplizierte Beanspruchungs-Zeit -Funktionen

Bild 11.45: Stochastische Werkstoffbeanspruchung

Einfachste Antworten auf

\ Vo - (uW,V * i
t
i
yV
t / ^° v*
\

Frage nach Werkstoffver -

halten unter zeitlich ver-
w
änderlicher Beanspruchung
liefern periodische Be-
«v
L)
\ .
7. .
anspruchungen mit kon -
stanter Amplitude oa und
konstanter Frequenz v ,
sog. Einstufenversuche:

Bild 11.46: Last , Zeit -Verlauf beim Einstufenversuch

Zentrale Frage: Nach welcher Lastspiclzahl N = N „ geht Probe zu Bruch?

Grunds ä tzliche Erfahrung:

f ü hrt auf NB < also Bruch!

(statische Festigkeit ' zyklische Festigkeit!)

Man spricht deshalb von " Werkstofferm üdung" (engl.: fatigue)

224
 11.6. 1 Ermittlung von W ö hlerkurven
en liefern Zusammenhang
zwischen Beanspruchungsamplitude o, und Bruchlastspielzahl Na
Seannungsgesteuerte Finstufenvcm .rh ,»

*
Q
A>
o -*-
* — -
r
iz
t
Bild
.. LOVSA ^
< rLL -
11.47: Spannungsgesteuerter
V
I

Einstufenversuch

Es gilt
F (0
A0 —F. sincot = —Fa sm
AO A0
27tvt

bzw. o (t) = öa sin 27ivt

mit oa = Spannungsamplitude IC 1
(
Bruch tritt auf nach Zeit (N>f o

B - NB
NB " «L V - x

bzw. Bruchlastspielzahl
NB 1B v - 0
i /
I

f ür o
2)
»o ” ’0 )
wird Nß < Nß

Bild 11.48: Spannungskontrollierte Einstufenversuche mit

verschiedenen Amplituden
225
SÄTSS
Typ I:
-
108 N*
"*•"^„^eHcW.
CA. VAS W\ .
Q "
*
^
^
' \ _> cU -
- 3o 0e < svAci~ -
V\A < <.« 5
/

S y^o .
l
*

^
QW •
«
*

-o cQ . L
t
C
'3 ^ 6

1
»oo J O öüo
' ' 1 >
> 4 OOOOOo |0 o OOt» OOO

5zW 11.49: Spannungswöhlerkurve vom Typ I

*

4
R„ Werkstoffwiderstand gegen einsetzenden Erm ü dungsbruch bei unendlich vielen Last-
spielen
Wechselfestigkeit A beliebig oft ohne Bruch ertragene Spannungsamplitude

Anmerkung: Üblicherweise wird die Abszisse mit 0 begonnen und als zugehöriger Ordinatenwert
geschrieben!

Typ II:
6 ip . '.
CXuS Wu*
,

^
- M e \cv\\e £u, A ( , f o *
SVcdo le.
)

* , <F ~ -
w

<> 4- + I
V 4 2
h
Bild 11.50: Spannungswöhlerkurve vom Typ II

Werkstoffwiderstand gegen einsetzenden Enn üdungsbruch vor 107 Lastspielen

Wechsel festigkeit
A IO mal ohne Bruch ertragene Spannungsamplitude
7

226
 b) iQtaldehnungsgesteiigrte Fino , , r .
enversuche

r (* 1 -
3
für ea.t > e?''0aV.t> wird
2( )

N <2 < N B
) (i )

a • -
0 v-—
^c

t Bild 11.51: Dehnungskontrollierte Einstufenversuche mit verschiedenen

Amplituden

Aufträgen von ea t ü ber log NB liefert Dehnungswö hlerkurven

fc <x A
c—
<
\

TypX
t i t — ^c > r
i

L H C f 5 k/ (?
und Typ II
Bild 11.52: Dehnungswöhlerkurven vom Typ I
Wechseldehngrenze
ew = Wechseldehngrenze ew l07 =
/

beliebig oft ohne a 107 mal ohne Bruch

A ertragene Totaldehnungs-
Bruch ertragene amplitude
Totaldehnungsamplitude

227
C) Egstigkeitsbereiche der W ä hlerin irw »

Dargestellt am Beispiel einer Spannungsw öhlerkurve vom Typ I

CVVA5
O C^ £ <A C ..
V A .T C * * .
4

^ ^ W. h ( UtT ) ' CpA cUjt .

^

^- *- - W ^ Icuirifbcr^ cL
^^
r> Cbt )

d rJ
\
‘

— N |
fr
Lj

>
Vi jl&u H -
^cJU SC \ (c<O^ UXK
w*
CU
C 3
i
Yl Sr Oi
KJ * 5 Wft *
2?/M 11.53: Festigkeitsbereiche der Wöhlerkurve

d ) Bewertung der Bruchlastspielzahlen

Die zum Ermüdungsbruch f ührenden Vorgänge umfassen nacheinander folgende Stadien der Erm üdung:

1 ) Ver- bzw. Entfestigungsvorgänge im ganzen Probenvolumen

2 ) Mikrori ßbildung und Entwicklung eines Makrorisses im oberfl ächennahen Werkstoffbereich
3) Makrori ßausbreitung (stabil )
4) Bruch ( instabile Ri ßausbreitung)

J / Y:
;
%// \
\
\

\
G? V

HS \Ai o>
i* AzLt\»*i
6^ y ' '
-*> Hauet ,a \ -i J

40°
2MI
dung
Bild 11.54: Stadien der Ermü

228
 v er- bzw. Entfestigung:
an während der schwingenden
Beanspruchung den o e,- Zusammenhang, so beobachtet man:
^
im Falle rein elastischer im Falle elastisch- plastischer
Beanspruchung eine Gerade Beanspruchung eine Hystereseschleife

»
Bild 11.55 : Zusammenhang bei schwingender Beanspruchung

Aufgrund mikrostruktureller Änderungen im Werkstoffvolumen kann sich während der Schwingbean-

spruchung die Form der Hysteresisschlcife verändern.

Bild 11.56: Ä nderung der Hystereseschleifen vom Lastspiel Nj zum Lastspiel N2 bei unterschiedlich
kontrollierten elastisch-plastischen Schwingbeanspruchungen ( für zyklische Verfestigung
)

Zyklischer Verfestigung, wenn die Breite der Hysteresisschleite abnimmt

Man spricht von:
Zyklischer Entfestigung, wenn die Breite der Hystereseschleife zunimmt

Zur Beurteilung, ob zyklische Ver- oder Entfestigung auflritt werden sogenannte Wechsel
verfonnungs -
der Hysteresisschlcife und dem
kurven ermittelt, die den Zusammenhang zwischen Kenngrößen
Entwicklung der Mikro-
Logarithmus der Lastspielzahl beschreiben. Sie lassen R ückschl üsse ü ber die
struktur während der schwingenden Beanspruchung zu.

229
 konst. Werkstoff - zyklische zyklische
Größe reaktion Verfestigung Entfestigung
E» o 1 1 E» .p
E»
' E .. -.
E« i e•.t

.
o E. P
; E« I
so
E» p
,

* -
igN
E» pf ^ i
.
E .p
E . P

P .
ea.t .
E 4> : E.

/?//</ / / .57: Charakteristische Typen von Wechselverformungskurven , schematisch

* Mikrori ß bildung und Makrori ß entwicklung

Aus der Oberfläche treten w ährend der Schwingbeanspruchung infolge mikroplastischer Verformungen
Versetzungen aus, die Gleitstufen bzw. - bänder bilden. Diese entwicklen sich zu Ex- bzw. Intrusionen
weiter und fuhren zum Mikrori ß, der unter 45° zur Normalspannung orientiert ist. Schließlich schwenkt
dieser senkrecht zur Normalspannung um und wird zum Makrori ß.

•• V
—
i

/ \ rr
/

\ /

k ' /
/

i
- i livftdei'(
11
b « vtr

Bild 11.58: Rißbildung und Rißausbreitung

Makrori ßausbreitung

Der Makrori ß verlängert sich im Laufe der zyklischen Beanspruchung, bis schlie ß lich der Bruch eintritt.
Das Ri ßausbreitungsverhalten wird in einem gesonderten Versuch der Schwingfestigkeit näher unter-
sucht ( vgl . Abschnitt 11.6.4)

230
 l
0
£
£1
^
11.6. 2 Oie Basquin und die Manson-Coffin
- -
Beziehung

Trägt man die bei halber Bnichlast - L

spiclzahl vorliegenden Amplituden
\
der Totaldehnung, der elastischen
Dehnung und der plastischen Deh -
nung doppeltlogarithmisch ü ber
der Bruchlastspiclzahl aut , erh ä lt
'

man die in Bild 11.59 skizzierten

Zusammenh änge:
f n.
/

<• l
h to .o

0. . V

Daraus folgt Bild 11.59: Zur Ableitung der Basquin - und der Manson-Coffin-
Beziehung

Fü r sap:
Für 8 : je

lg Evc = lgeo - P 1gNB -

lg E,,p = lg e f a l g N B

oder
fN B-
a
£a.p = £
NBP
k
I

mit
£„= 8ONBP =
^ ef = Ermüdungsduktilitätskoeffizient
80 = Erm üdungsfestigkeitskoeffizient
a = Erm üdungsduktilitätsexponent
ß = Erm üdungsfestigkeitsexponent
(a /E - Zugfestigkeit/Elastizitätsmodul ) (sf - Brucheinschnürung)
Mit eae E = o, gilt auch

oa NBP = const. .
E ,P Nb“ = const
Basquin-Beziehung Manson-Coffin - Beziehung

231

j W
b)

Beispiel: Wöhlerlinie vom Typ I

^cvA

$>
( c „<c)

«,V

CG o
^ V
>>
Bild 11.61 : Einfluß der Mittelspannung auf die Spannungswöhlerkur\>e

Die dauerfest ertragene Spannungsamplitude lg NB wird f ü r

öm *0 als Dauerfestigkeit RD,

Gm = 0 als Wechselfestigkeit Rw bezeichnet.

Befund: Anwachsendes om verkleinert NB ( im Zeitfestigkeitsbereich )

bzw. erniedrigt RD, d .h. Werkstoffwiderstand gegen einsetzenden Erm üdungsbruch ist
mittelspannungsabhängig!

ördern Ri ß bildung und Ri ßausbreitung

Ursache: Zugmittelspannungen f
Druckmittelspannungen hemmen Ri ßbildung und Ri ßausbreitung

Merke: Eigenspannungen wirken sich bei hinreichend festen Werkstoffzuständen (rel. hohe
Streckgrenze) stets wie lokale Mittelspannungen aus.
(z. B. bei St ählen mit Härten > 400 HV )

233
 C) QaaPÜ iaik£Z
Beschränkung auf om
^^
0. Näherungsansätze aufgrund exp.
und Mit .elsnnnnnnp

Befunde .
-
1 ) Goodman N ä herung
/

L RD RW 1 - Rm

)
f G
-
Bild 11.62: Goodman Näherung

2) Gerber-N ä herung

h /f \

' 2

= RW 1 - fjn
RD
v R» / .

s
»
Bild 11.63: Gerber- Näherung

3) Experimentelle Erfahrung

/t p*
RD = Rw - m om
P.
C*peomev,V

mit m = f (RJ
= Mitteispannungsempfindlichkeit

tvK_£. >
Bild 11.64: Vergleich experimentell er-
mittelter Dauerfestigkeit mit der
Goodman- und der Gerber- Näherung
234
 d) DauerfestigkeitggrhanKilH ^ r
£öo
beschreiben den Zusammenhang zwi-
schen Mittelspannung und Dauerfestig-
keit graphisch . Dabei wird von der G ü l-
tigkeit der Goodman -Beziehung
C i—
\
reS “ * /

RD = R w 1 -R^1 m/
(5 w
*
ausgegangen . Die zusätzliche Bedingung f

'
RDO * K /

soll plastische Probenverl ä ngerungen

einschränken. ß
e
I Smithdiagramm :

Im Smithdiagramm ( Bild 11.65) werden

die Oberspannungsdauerfestigkeit RDo
und die Unterspannungsdauerfestigkeit
RDU als Funktion der positiven Mittel -
spannung om dargestellt.

Bild 11.65 : Smith - Diagramm

-
Haigh Diagramm :

Im Haigh-Diagramm ( Bild 11.66) wird

die Dauerfestigkeit RD als Funktion der
positiven Mittelspannung om dargestellt.

W
/
KC: 0
(J D
%

^
f OO ** C**

e
Bild 11.66 : Haigh- Diagranun

235
11.6.4 Einige Einnu ßgrößen auf das Dauerschwingverhalten
Zusammenfassung der Einflu ßgrößen in 4 Hauptgruppen
Werkstoffbcanspruchung - Spannungszustand
- Mittelspannung
- Schwingungsform
- Frequenz
Werkstoffzustand - Versetzungsdichte
- Korngröße
- Gehalt gelöster Legierungselemente
- Gehalt , Größe, Form und Abstand von Teilchen
- Oberflächenzustand
- Wärmebehandlungszustand
W erkstoffgeometrie - Größe
- Form
- Kerben
Werkstoffumgebung - Korrosive Medien
- Druck
- Temperatur
/
<
\
a) Werkstoffbeanspruchung

Beanspruchungsart:

Stets wird beobachtet: CUecL K \ V? I

-
J
RyW > RbW > R< Zd )W

Bild 11.67: Einfluß der Beanspruchungsart auf die Wöh-

lerkurve
UA

hl Werkstoffzustand

Kugelstrahlen der Oberfläche:

Der (meist) positive Einflu ß auf die iw

\
Schwingfestigkeit wird durch Verfe-
stigung oberfl ächennaher Bereiche
und/ oder durch erzeugte Druckeigen-
spannungen herbeigef ü hrt t

Bild 11.68: Einfluß einer Kugelstrahlbehandlung auf die

Wöhlerkurve

236
c ) WcrkstoffgCOITletrif >

i
Kerbwirkung: t

Unlegierter Stahl im
normalisierten
Zustand.
Stets ist RKW S R W
‘

Ursache: Spannungskonzentrationen an KV J
Kerben.

Bild 11.69: Wöhlerkurve glatter und gekerbter Proben

Beschreibung der Kerbwirkung bei statischer elastischer Beanspruchung durch Formzahl

=° x
/ cJn
mit on = —
A
F

Bei Erm üdung ist jedoch

R
—KKW51 = pK mit 1 pK < aK

ßK : Kerbwirkungszahl
3K = f ( Werkstoff, Oberflächengü te)
3K =* 1 bei Gu ßeisen mit
Lamellengraphit
ßK = aKi ni£ beobachtet

dl Werkstoffumgebung
\

Vergleich Luft- und Wasserumgebung

Ursache: Ri ßbildung und Ri ßausbreitung

wird durch H 20 infolge korrosivem Angriff
beschleunigt. UN
;
Bild 11.70: Wöhlerkurve fü r unterschiedliche Umgebungs-
medien

238
 11.6.5 Ri ßausbreitung
A Stadium 3 der Erm ü dung (vgl . 11.6.1 d )

U T
T /

K* l AF = 2 Fa
1H i— f —t = Schwingweite
der Kraft

’d
r
CX
V»

Bild 11.71: Zyklische Beanspruchung einer ri ßbehafteten Probe

» Erfahrung:
Of
“V

/ dM
/
y /
/

C\o ,l-

4
Oo ^
. VS 0 >e^ =>-uV^\ Kl
LQ 5,

Bild 11.72: Entwicklung der Rißlänge bei zyklischer Beanspruchung mit

unterschiedlicher
* Schwingbreite der Kraft (a ) bzw. unterschiedlichen Anfangsri ßlängen ( b )

Vermutung:
'J&
Da Anri ß Voraussetzung ftir Ri ßausbreitung und damit
Probenbruch ist, regelt die Spannungsintensitä t K vor
Rjßspitze das Ri ßausbreitungsgeschehen ( vgl . Abschn.
11.5)

Experimenteller Befund :
Bild 11.73: Ri ßausbreitungsgeschwindig -
keit als Funktion der Schwingbreite der
Spannungsintensität
 da •I Ri ßausbreitungsgeschwindigkeit ”
dN
AK = Aa /fta • Y

= Schwingbreite der Spannungsintensit ä t

AF
mit A
Aa = ~ = o0 - ou
Also:
dN
= c ( AKr , m > 1

Die Kennwerte c und m sind werkstoffabh ängig.

Präzisierung fiir kleine und große AK:

/|v
3M
<r

3
vt.
4 l<

Bild 11.74: Vollständige Ri ßausbreitungskurve

Dabei ist oberer Grenzwert AKC gegeben durch

AKC = (o0 c
_ - au) v/Si
\
• Y

1 - i onro,c\ fnä. • Y
° .c
»

0 /

mit ooc
^ • Y = Kc - vgl . Abschn. 11.5

und —
oo,c
= K ( Spannungsverhältnis )

- AKC - (1 - K ) Kc

240
 Nomenklatur der Vorlesung Werkstoffkunde I
Name
Formelzeichen Einheiten
Achsenwinkel
absolute Temperatur ß, T Q

T K
Aktivierungscnthalpie, mittlere AH J / mol
Anteil kovalenter Bindungen f
Arbeit W Nm, J
Atomabstand a rirn
atomare Masseneinheit m &
Atommasse, mittlere relative [TL
l
Atomprozent, Gehalt in
Atomradius
c' At % -
r tu
Auflösungsvermögen X nm

• Ausbreitungsgeschwindigkeit
Ausdehnungskoeffizient
Avogadro’sche Zahl
Beschleunigungsspannung
Biegefestigkeit
c
a
NA = 6.023 102J
U
m/s
K4
Teilchen pro mol
V
N/ mm 2
Bindungsenergic U J / mol
Boltzmann-Konstante k =1.381 10 H
J/K
Brechungsindex n
Bruchdehnung 5
Brucheinschn ü rung V
Bruchlastspielzahl NB
Dauerfestigkeit RD N/mm1
Dehngrenze, 0.2%-Dehngrenze Rft * Rpo 2 .
N /tnm1
Dehnung E
- elastische L
- plastische
.
• - totale c
Dichte P g/cmJ
Diffiisionsweg, X m
Druck p bar
N /mm1
Druckfestigkeit
Elastizit ätsmodul
^£ dm
N /mm 2
Elementarladung
Enthalpie
e = 1.6022 IO 19
H
- C= A s
J /mol
Erm üdungsduktilit ä tskoeffizient ef
Erm üdungsdukti lit ä tsexponent a
Ermüdungsfestigkeitskoeffizient %
Ermüdungsfestigkeitsexponent ß
Formzahl %
Frequenz V f . Hz
Gaskonstante
Geometriefaktor
R = Na k = 8.314
Y
- J / (K mol)

Gitterkonstante, Elementar- CQI nm,

Zellenabmessungen
 1

Name
Formclzeichen Einheiten
Glasübcrgangstemperaiur Tü eC
Glasübergangstcmpcraturbcreich
(Erweichungsbereich )
ATE 6
C
Gleichgcwichtsabstand nm
BO
Grenzflächenenergie 7 J
Grenzlinien im Zustandsdiagramm A °C
hexagonal hex
Induktivit ä t L (V s)/A = H
Intensit ä t
Kerbformzahl
u
OtK
Kerbschlagzä higkeit a* J /cm1
KerbWechsel fest i gkeit R cw) N/mm1
Kerbwirkungszahl ß,
Kraft F N

» kubischflächenzentriert
kubischraumzentriert
Ladung
kfz
krz
q C= A's
Länge L m
Lecrstellcnkonzentration CL
elektrische Leitfähigkeit m/ (G mm2 )
Lichtgeschwindigkeit c = 2.9979 • 10* m/s
Linienvektor §
linearer Schw ächungskocffizient \ m1
Martensit finishtemperatur M( °C
Martensitstarttemperatur M, °C
Masse Neutron g
g
Masse Proton mP
Massekonzentration Ma -%
Mittelspannung N/mm2
mM , A g/ mol
Molmasse
cm-Vmol
Molvolumen N/mm3
Nennspannung an N / mm1
Normalspannung O

numerische Apertur A
Q
Ohmscher Widerstand R
-
Orientierungsfaktor (Taylor Faktor) MT
-
h = 6.6262 10 M J s -
Planck’sches Wirkungsquantum V
Potentialdifferenz U
Querkontraktionszahl , Poisson -Zahl v
A,
relative Atommasse
Resiaustenitgehalt RA Vol. %
m
-
v
Ri ßöffhung N / mm 31’1
Rißzähigkeit K*
S mm
Sch ärfentiefe
Scherung, plastische .
Y Yp
1'S
Ö
C
Schmelztemperatur
Schmelztemperaturbereich ATS PC
 Name

Schmid-Faktor
Schubmodul
_
Formelzeichcn
ui
Einheiten

G N / mm 2
Schubspannung T N/mrn1
Selbstdiffusionskoeffizient Ds cm Vs
Spannungsintenstit ät K N / mm1'1
Spannungsverhä ltnis K
Stoffmenge n Teilchen pro mol
Streckgrenze R« N/ mm 2
Strom l A
Temperatur T Ö
C
Thermoschockbeständigkeit
Totaldehnung ^ TS

Totaldchnungsamplitude «w
Umform grad 9
Umwandlungsgeschwindigkeit u m/s
> Vergrößerung
Verlängerung
V
AL m
Verschiebung S m
V ersetzungsdichte P, m Am*
Verweilzeit, mittlere s
Volumen V mJ
cn Vol.-%
V olumenprozent
X W / ( m K.)
W ärmeleitf ähigkeit
wahre Dehnung 9t
Wechseldehngrenze Ew
Wechselfestigkeit Rw N/mm1
. rnn
X
ja

Wellenlänge (N s) / ( mm 2)
werkstoffabhängige Größe B
t s
Zeit N/mm1
Zeitbruchgrenze, Zeitstandfestigkcit
N/nufl1
Zeitdehngrenze KP4
X, x
zeitliche Ableitungen °C
Zersetzungstemperatur
T
Tz N/mm1
! >
Zugfestigkeit

Subscipts:
Formelzeichen
Name
a
Anfang r
abk ühlcn . A, B
Atomsorten, Lcgierungsbestandteile Lös
Auflösung 0
Ausgangszustand, Gleichgewicht,
Referenz
 Name
Formclzcichcn
Bildungs-
effektiv B
elastisch eff
Ende V
Erstarrung- Er
en^ärmen
Erweichung E
eutektisch CU
Faser F
Gleichgewicht e
Kohlenstoff c
Komgrcnze KG
Leerstelle L
liquidus

•
liq
Luders L
Matrix M
Maximum max
Minimum min
Mischkristall MK
a-MK a
J3-MK p
-
S MK 8
-
7 MK 7
Per
Peritektikum
plastisch P
Querhaupt- Q
Schmelz-, Schmelze s
Schraubenversetzung o,®
heg
Segregation
Si
Siede-

•
sol
solidus
Stufenversetzung +
1
Summationsindex Teil
Teilchen th
thermisch t
total i)
Übergangstemperatur V
Verfl üssigungs- Vers
Versetzung
Zug/Druck
ZD -
*
auf ein Mol bezogen ( Aus)
Ausscheidung (Disp)
Dispersion (Matrix )
Matrix