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El Diodo y sus Características

Laura Sofía Ortiz Hernandez, Andrés Pinilla y Jéfersson Pinzón Téllez

{lsortizh, afpinillat, jjpinzont }@unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia

1 Is= Corriente de saturación

Abstract— This paper allows us to present the results
and analysis of the practice about diode characterization,
which defines the main characteristics of diodes. For this
practice we use two specific diodes : 1N4004 and 1N4148;
for each of them we had to obtain the recovery time and in
the case of 1N4004 we had to obtain an I-V characteristic
and differences of values according to temperature.
Comparing them with the expected data on the binnacle
we were able to compare and confirm the accuracy of the
datasheet.
Palabras Clave— Diodo, tiempo de recuperación inversa,
voltaje térmico, corriente de saturación.
n = Coeficiente de emisión (Entre 1 y 2)
𝐾
𝑉𝑇 = 𝑇
𝑞
𝑉𝑇 = Voltaje térmico.
T = temperatura en grados kelvin
q = carga del electrón= 1.60 x 10−19 coulomb.
k = constante de Boltzmann = 1.38 x 10−23
La grafica presentada a continuación muestra la curva de
relación i-v de un diodo típico. Ampliando o reduciendo
escalas para mostrar ciertos detalles importantes a notar.

I. INTRODUCCIÓN

E n la vida práctica de cualquier ingeniero, se presentan

diversos aspectos relacionados con factores como
incertidumbres y elementos de carácter no lineal, éstos
se presentan de una forma desconcertante, aplicándose en
circuitos para los cuales dichos elementos son de suma
importancia, tal es el caso del diodo. Es primordial conocer su
comportamiento básico, verificando los valores que si bien
están considerados en sus hojas de datos, deben ser
confirmados con una práctica de laboratorio. Este informe
Fig 1. Relación I-V de un diodo típico.
tiene como objetivo principal el confirmar o desmentir lo
afirmado anteriormente. Como se puede ver, la curva característica consta de 3
regiones distintas: la región directamente polarizada, en la que
II. MARCO TEÓRICO el voltaje es mayor a cero, la región inversamente polarizada,
El diodo es un elemento semiconductor de dos terminales que en la que v es menor a cero y por último la región de ruptura,
tiene la característica de ofrecer una baja resistencia en una determinada por v menor a –Vzk.
dirección y una alta resistencia en otra dirección, permitiendo En la región directa, la característica i-v, se aproxima a lo que
así un flujo de corriente únicamente en una dirección. podemos decir, es una reducción de la ecuación anterior.

A. Curva característica del diodo: [1]

El diodo no tiene una característica lineal entre su voltaje y su
corriente y por esto, el comportamiento que tiene su curva se
puede describir por medio de la ecuación:
Donde
Id= Corriente del diodo [A]
Vd=Voltaje del diodo [V]
B. El tiempo de recuperación inversa
En un diodo se presenta una particularidad al pasar de un
estado directo a uno de bloqueo, es decir, si un diodo está
conduciendo una corriente constante y nosotros intentamos
forzarlo para anular la corriente, encontraremos un espacio en
el que los portadores encontrados en la región de agotamiento
de la unión P-N cambien momentáneamente de dirección,
permitiendo así que el diodo conduzca en dirección contraria
durante cierto tiempo. A este tiempo de le llama tiempo de
almacenamiento o caída el cual permite que la corriente pase
 2

de tener un pico negativo a tener un valor positivo muy
pequeño debido a la disminución de portadores.
Si el tiempo de recuperación de los diodos no es pequeño debe
limitarse su frecuencia de funcionamiento, ya que para altas
frecuencias se presenta una disipación de potencia.
Previo al día de laboratorio, se debieron simular una serie de
circuitos (con la estructura de la figura 3) en los que los
valores fijos eran: un voltaje de entrada senoidal de 10 Vpp, R1
de 1KΩ y D1 un diodo 1N4004 y 1N4148. Los circuitos se
diferenciaban uno de otro por la presencia de diferentes
frecuencias.

III. PROCEDIMIENTO, TABLAS Y GRÁFICAS En cada uno de los circuitos se buscaba el tiempo de
La práctica realizada se divide en dos partes cuyo recuperación inversa, que es el tiempo que tarda la corriente
procedimiento se explicará a continuación: del diodo en volverse cero amperios cuando se polariza
inversamente. El tiempo de recuperación (T rr) se debió
3. 1 Curva característica del diodo encontrar con las diferentes frecuencias, tanto bajas (300 Hz y
500Hz) como altas (20KHz y 300KHz). Además, se
Previo al día de la práctica se realizaron los cálculos para registraron los valores de voltaje y corriente al tener un voltaje
cercano o igual a 5V o -5V.
hallar la resistencia a utilizar ya que el circuito tenía una
especificación de corriente Imax de 250 mA a 25 V. El valor
hallado para la resistencia fue de 96.68 Ω. Cabe resaltar que
la resistencia debe ser de 10 W ya que la máxima potencia en
la resistencia es de 6.043 W pero al no encontrarse esta en el
mercado ni la resistencia de 96.68 Ω. , se utiliza la de 100 Ω.
a 10W.

Hallada esta resistencia se realizaron dos montajes como el

Fig 3, Montaje para comprobar el tiempo de recuperación para un diodo
mostrado en la figura 2 en una baquela universal, para 1N4004 (lado izquierdo) y diodo 1N4148 (lado derecho).
utilizarlos en la medición de voltaje y corriente a diferentes
temperaturas. 3.2.1 Circuito con diodo 1N4004

Al realizar los circuitos necesarios en el montaje del primer

diodo, se registraron los valores correspondientes a la tabla 1,
que describen el Trr del diodo para las diferentes frecuencias.
La tabla 2, describe los resultados medidos cuando el voltaje
de la entrada alcanza los 5V y los -5V.

Frecuencia [Hz] 300 500 20K 300K

Fig 2. Circuito de polarización directa. Trr [us] 25 20 7.5 1,5
Tabla 1. Mediciones de tiempos de recuperación de montaje con
El día de la práctica se hicieron diferentes mediciones, la diodo 1N4004, alterando las frecuencias.
primera a temperatura ambiente, de aproximadamente 20ºC y
otra con una temperatura de 60ºC. Frecuencia 300 500 20K 300K
Para las dos mediciones se consignaron los resultados de V entrada [V] 5 5 5 5
corriente y voltaje, variando la corriente en intervalos de 15 Corriente[mA] 4.3443 4.390 4,355 4,466
mA desde 0 hasta 250 mA y tomando el valor de voltaje en el V entrada [V] -5 -5 -5 -5
diodo en esos puntos. Corriente [nA] -14.19 -13.4 -153,4 -5,44mA
Tabla 2. Mediciones de corriente en voltajes de 5V y -5 V
Luego de obtener los datos se realiza una gráfica de I vs V en
papel milimetrado para observar como es la relación de estos 3.2.2 Circuito del diodo 1N4148
dos valores en el diodo. Al realizar dichas simulaciones se encontraron unos datos que
A partir de estas gráficas se obtienen los valores aproximados se pueden observar en la tabla 3. Su tiempo de recuperación
del voltaje de polarización y la resistencia dinámica del diodo. varía con respecto al consignado por el fabricante en la hoja de
datos, pero dicha diferencia será explicada de mejor forma en
Finalmente se realiza una gráfica en papel semilogaritmico de la sección de análisis. Al igual que en el literal 3.2.1, las
I vs V y a partir de esta se halla una ecuación lineal que corrientes cuando la onda de voltaje de entrada alcanza los 5V
describa la gráfica. Gracias a esta ecuación se pueden hallar y -5V, están consignadas en la tabla 4.
los valores de Corriente de saturación (Is) y de la constante n.
Frecuencia [Hz] 300 500 20K 300K
3.2 Tiempos de recuperación en inversa Trr [us] 32,8 31,4 6,05 0,1795
Tabla 3. Mediciones de tiempos de recuperación de montaje con
diodo 1N4004, alterando las frecuencias.
 3

Frecuencia 300 500 20K 300K

Gráfica I vs V en el diodo
Vo 5 5 5 5 a 20º C
Corriente[mA] 4.190 4.190 4,35 4.11
Vo -5 -5 -5 -5 1000
Corriente [nA] 1,21 11,69 -10,9 4,11mA y =0.02385 x -14.51

Corriente (mA)
Tabla 4. Mediciones de corriente en voltajes de 5V y -5 V 100

10
IV. RESULTADOS Y ANÁLISIS
4.1 Curva característica del diodo 1N4004
1
4.1.1 Medición del voltaje y la corriente en el diodo 1N4004 700 750 800 850
Voltaje Diodo (mV)
A una determinada temperatura, que en este caso oscila entre
20 – 25ºC, se obtuvieron ciertos datos de la corriente y el
voltaje presentes en el diodo, variando su voltaje de entrada Fig 4. Curva característica de diodo 1N4004 a 20ºC.
desde 0 hasta 225 mA en intervalo de 15 mA. Dichos datos, se
encuentran en la tabla 5, hecha a continuación. Como se puede ver en la anterior gráfica se percibe la curva
característica que colocamos como marco teórico, por lo que
Voltaje se presume que los datos fueron correctos y acertados. De
fuente Voltaje Diodo Corriente igual manera, se procedió a realizar la gráfica, pero esta vez
[V] [mV] Diodo [mA] con el papel logarítmico para encontrar la corriente inversa de
saturación y el coeficiente de emisión del diodo (ver gráfica 3
2.2 719 15.08 y anexo). Dicho cálculo se realizó partiendo del despeje
3.8 750 29.5 matemático que sigue a continuación:
A partir de la ecuación Shockley, podemos aplicarle logaritmo
5.5 768 45.79
natural para dejar una expresión que se podrá comparar con
7.1 780 59.95 una simple ecuación lineal.
8.4 790 74.3
Al sacar logaritmo natural a los dos lados obtenemos
1.2 797 90.4
12 805 104.4
13.7 809 120.6
15.5 814 135.5
16.5 818 149.5
18 824 164.6 Y conociendo la ecuación de una línea, Y = mx + b, podemos
decir que:
19.5 825 180.1
21 827 195
22.7 829 210.3
24.5 832 224.7

Tabla 5. Resultados obtenidos del voltaje y corriente de

diodo en temperatura 20ºC.

La gráfica resultante a partir de los datos de la anterior tabla,

se anexa al final de este informe (ANEXO 1). Pero se presenta Dichas expresiones nos permitieron llegar a la conclusión de
a continuación una gráfica simplificada hecha en Excel, en la que m =23.85; b = Ln(Is); Is = 5.35*10⁻⁷ A y teniendo en
que se describe el comportamiento del diodo. cuenta que:
𝐾
𝑉𝑡 = 𝑇 = 0.02526 𝑉
𝑞
 4

Tomando como temperatura como 20°, así:

1 1
Gráfica I vs V en el diodo
𝑛= = = 1.659
𝑚 𝑉𝑡 23.85 ∗ 0.02526 𝑉 en papel semilog a 60º C
1000
Curva del Diodo a 20ºC y= 0.02089 x -11.41

Corriente (mA)
1000
100
Corriente del Diodo [mA]

100
10

10
1
650 700 750 800 850
1 Voltaje Diodo (mV)
600 700 800 900
y = 3E-07e0.0242x
Voltaje del Diodo [mV]
Fig 6. Curva característica del Diodo 1N4004 a 60ºC
Fig 5. Curva característica del diodo 1N4004 a 20ºC
Al tener esta gráfica y observar que los datos medidos en la
4.1.2 Medición de voltaje y corriente a temperatura mayor práctica se acercan a la curva esperada, se continuo y se
que temperatura ambiente. graficó en base a los mismos datos en el eje X (Voltaje del
diodo) y a los datos con logaritmo natural en el eje Y (la
Luego de graficar y registrar los datos con una temperatura de corriente del diodo) para obtener una gráfica parecida a una
20ºC, tomamos un cautín, lo acercamos al circuito y ecuación lineal con la que podemos sacar y hallar las mismas
comenzamos a medir el voltaje y la corriente presente. Todos constantes que hallamos en el caso de 20ºC (ver gráfica 7 y
los nuevos datos, los tabulamos y presentamos en la tabla 6 anexo).
para luego graficarlo tanto en Excel (gráfica 3) como en papel Como se muestra en la gráfica numero VI, se hace el cálculo
milimetrado (ANEXO 2). para la pendiente, se obtiene m=20.89, luego suponiendo
T=60°
Voltaje
fuente Voltaje Diodo Corriente 𝐾
𝑉𝑡 = 𝑇 = 0.02870 𝑉
[V] [mV] Diodo [mA] 𝑞
2.2 663 15.08
Teniendo en cuenta las dificultades que toma hallar la
3.8 707 29.5 corriente de saturación, para este caso se halla como sigue:
5.5 728 45.79
7.1 742 59.95
𝐼
𝐼𝑠 = 𝑉𝑑
8.4 753 74.3
𝑒 𝑛𝑉𝑡
1.2 761 90.4
12 765 104.4 Tomando un punto de la gráfica VI,(663mV,15mA) y
reemplazando se obtiene:
13.7 773 120.6
15.5 779 135.5 𝐼𝑠 = 1.449 ∗ 10 ⁻⁸ 𝐴
16.5 781 149.5
Ahora bien con esto, se obtiene n como sigue:
18 783 164.6
1 1
19.5 785 180.1 𝑛= = = 1.668
𝑚 ∗ 𝑉𝑡 20.89 ∗ 0.02870
21 789 195
22.7 792 210.3
24.5 796 224.7
Tabla 6. Voltajes y corrientes obtenidas en el diodo a una
temperatura de 60ºC
 5

Curva de diodo a 60ºC

1000
Corriente del Diodo [mA]

100

10
Fig 9. Simulación de circuito con diodo 4004, frecuencia 300 Hz.
1
600 650 700 750 800 850 Como se puede ver en la figura 8 y la figura 9, la señal
y = 3E-07e0.0247x obtenida en el osciloscopio digital, nos permitió estimar el
Voltaje del Diodo [mV]
tiempo de recuperación en unos 25 us, en comparación al
tiempo obtenido en la simulación, 31,5 us (ver figura 8).
Fig 7. Curva característica del diodo (Ejes semilogarítmicos) a una
temperatura de 60ºC.
- Frecuencia de 500 Hz
3.2 Tiempos de recuperación inversa

Antes de la práctica de laboratorio, debimos simular el circuito

que se puede observar en la figura 3, escogiendo 4 diferentes
frecuencias de menor a mayor repetición con un voltaje pico
de 10Vpp, para poder observar el tiempo de recuperación
presente tanto en el diodo 1N4004 como el diodo 1N4148

A continuación se presenta cada frecuencia con su respectiva

señal de voltaje, para cada uno de los diodos estudiados.

3.2.1 Montaje con Diodo 4004

Al realizar la simulación para probar el Trr (tiempo de Fig 10. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4004, frecuencia 500
recuperación inverso) para las cuatro frecuencias diferentes Hz, fotografía del osciloscopio.
de nuestra práctica, se hizo notorio que al aumentar dichas
frecuencias, el tiempo se iba alejando cada vez más de lo
estipulado en la hoja de datos (aproximadamente 30ᶙS) ya que
el periodo de repetición de cada frecuencia era mucho más
rápido. Esto traía como consecuencia, la dificultad a la hora
de leer los valores y obviamente alteraba el valor descrito por
la fábrica que produjo el diodo.

- Frecuencia de 300 Hz

Fig 11. Señal obtenida en la simulación con frecuencia de 500 Hz.

En la figura 10 y figura 11, se muestra el resultado obtenido

en la práctica, cuando se le aplicó una frecuencia de 500 Hz.
El tiempo estimado de recuperación del diodo fue 20 us. en
comparación al tiempo obtenido en la teoría, 40,8 us.

- Frecuencia de 20 KHz

Fig 8. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4004, frecuencia 300

Hz, fotografía del osciloscopio.

Fig 12. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4004, frecuencia
20KHz, fotografía del osciloscopio.
Fig 13. Resultados de tiempo de recuperación (simulación) con frecuencia de
20KHz
Cuando comenzamos a manejar frecuencias altas, el periodo
que obtuvimos fue mucho menor que en el caso de las
frecuencias bajas, por lo que observamos que los tiempos de
recuperación tanto de la práctica (figura 12) como la
simulación (gráfico 13) no se parecen en nada al tiempo
registrado en la hoja de datos del diodo 4004. Tiempo
estimado de recuperación en práctica de laboratorio 7,5 us en:
comparación al tiempo obtenido en la simulación previa al
laboratorio: 4,95 us.
- Frecuencia de 300KHz
Fig 14. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4004, frecuencia
300KHz, fotografía del osciloscopio.
6
Fig 15. Tiempo de recuperación (simulación) con frecuencia de 300KHz
Al probar el último circuito del diodo 4004, obtuvimos tanto
en el laboratorio (figura 14) como en la simulación (figura 15)
valores muy pequeños; por lo que se concluyó que a valores
muy altos de frecuencias presentes en un circuito de esta
forma, el diodo 4004 pierde su característica de tiempo de
recuperación.
3.2.2 Montaje con Diodo 4148
De la misma manera en que se realizó el análisis con el diodo
1N4004, se procedió con el 1N4148 teniendo en cuenta los
mismos valores de frecuencias en orden de poder comparar de
alguna manera los comportamientos de los dos diodos.
Se debe decir, que al tratar de realizar las mediciones de estos
tiempos, el diodo 1N4148, no nos permitió de una manera
clara conocer dichos valores.
- Frecuencia de 300 Hz
La siguiente grafica muestra la respuesta al diodo para una
señal con una frecuencia de 300 HZ. Se alcanza a ver un
pequeño intervalo de tiempo en el que la curva es menor a
cero, pero es muy difícil de determinar.
Fig 16. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4148, frecuencia 300
Hz, fotografía del osciloscopio.
Al realizar la simulación, obtuvimos la misma respuesta, es
decir, no encontramos un cambio significativo en el tiempo de
recuperación del diodo.

Fig 17. Simulación de circuito con diodo 4148, frecuencia 300 Hz.
- Frecuencia de 500 Hz
Las gráficas correspondientes a la frecuencia de 500Hz
presentan la misma dificultad a la hora de observar su Trr,
tanto en la práctica de laboratorio, como en la simulación
hecha para el día previo a la práctica.
Fig 18. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4148, frecuencia 500
Hz, fotografía del osciloscopio.
Como se nombró antes, en la simulación no es perceptible el
tiempo de recuperación con una frecuencia de 500Hz
Fig 19. Señal obtenida en la simulación con frecuencia de 500 Hz.
- Frecuencia de 20 KHz
Tal cual como se ha venido describiendo los resultados de las
señales medidas en cada una de las frecuencias, se observa que
está señal no es la excepción y que si bien presenta un leve y
7
ligero cambio en su onda, no es lo suficiente clara como para
sacar un dato aproximado.
Fig 20. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4148, frecuencia 20
KHz, fotografía del osciloscopio.
En la simulación vemos que la onda es prácticamente ideal.
Fig 21. Resultados de tiempo de recuperación (simulación) con frecuencia de
20KHz
- Frecuencia de 300KHz
Por último se muestra el comportamiento del diodo para una
frecuencia de 300KHz, esta vez se puede ver un ligero cambio
cerca de la esquina derecha de cada onda, pero no es lo
suficientemente notoria para poder calcular o siquiera tomarla
como media útil.
Fig 22. Tiempo de recuperación de circuito con diodo 4148, frecuencia 300
KHz, fotografía del osciloscopio.
La simulación para este caso muestra que el tiempo de
recuperación debe ser cercano a 4nS. Un valor que concuerda
con el Trr pero sólo se presente en condiciones ideales como
las dadas por una simulación.

Fig 23. Tiempo de recuperación (simulación) con frecuencia de 300KHz
IV. RESPUESTA A LAS PREGUNTAS SUGERIDAS
-¿Cuál frecuencia es mejor para trabajar el tiempo de
recuperación inversa y por qué? Justifique su respuesta.
Respuesta:
Las frecuencias que oscilan entre 600 a 1000 Hz ya que son lo
suficientemente grandes como para ver la Trr de una forma
cercana al valor de la hoja de datos del diodo.
-¿Qué cambio se obtuvo al variar la temperatura en la primera
parte de la práctica?
Respuesta:
Al haber un incremento en la temperatura el diodo tiende a
tener un voltaje más pequeño debido a la caracterización del
diodo la cual desde la teoría nos muestra que a una corriente
constante de diodo, la caída de voltaje disminuye
aproximadamente en 2 mV por cada aumento de 1ºC.
-¿Concuerdan los valores de la hoja de especificaciones del
fabricante con los encontrados experimentalmente? Haga un
análisis de la respuesta.
Respuesta:
Concuerdan bajo ciertas frecuencias expresadas en la primera
pregunta; a su vez debemos tener en cuenta que la forma de
probar los Trr de los diodos en las fábricas es con equipos de
alta frecuencia lo que precisa resultados más controlados y
exactos.
-¿Los resultados de la simulación y los obtenidos en la
práctica son iguales? Haga un análisis de la respuesta.
Respuesta:
En las frecuencias pequeñas se tuvieron resultados similares
tanto en la simulación como en la práctica ya que el ambiente
se puede tomar como estable, pero al tener grandes frecuencia
de valores de KHz no se obtuvo lo mismo debido a que en la
simulación se estiman condiciones ideales y en el laboratorio
no se encontraban los implementos necesarios para hacer esas
medidas.
8
V. CONCLUSIONES
Con los datos obtenidos mediante las gráficas anexas a este
informe, que caracterizan el comportamiento del diodo
1N4004, se puede observar lo siguiente:
 Para el diodo a temperatura ambiente (T=20°), se
obtuvo la siguiente expresión:
𝐼 = 5.35 ∗ 10⁻⁷ ∗ 𝑒 23.85𝑉 𝐴
 Para el diodo a una temperatura superior la que se
asume alrededor de 60°, se obtuvo lo siguiente:
𝐼 = 1.449 ∗ 10 ⁻⁸ ∗ 𝑒 20.89𝑉 𝐴
 Cuanto mayor es la temperatura la curva que
representa la relación tensión-corriente para el diodo
se desplaza más a la izquierda, esto se puede apreciar
en las gráficas anexas I y II, el voltaje térmico
aumenta.
 Según los datos obtenidos al aumentar la temperatura
disminuye la tensión de polarización directa. Sin
embargo hay que señalar que sin importar un
excesivo aumento de la frecuencia o un moderado
aumento de la temperatura la variación en la tensión
de polarización es moderado, es decir este parámetro
procura conservarse.
 Fue bastante complicado obtener el tiempo de
recuperación del diodo 1N4148 debido a que este
valor osciló en el orden de los nanosegundos, esto
quiere decir que este es un diodo rápido, el cual debe
ser bastante útil para trabajar en alta frecuencia.
 Para el diodo 1N4004, se pudo confirmar gracias a
los valores obtenidos en la práctica, el tiempo usual
de recuperación inversa. El buen desarrollo de las
simulaciones y la práctica nos condujo a la obtención
de un promedio muy cercano al tiempo presente en la
hoja de datos.
 Con un aumento de la frecuencia se puede observar
que el tiempo de recuperación de los diodos
disminuye, ya que tanto los instrumentos de medición
como los elementos que se montan en las prácticas
tienen su intervalo de buen funcionamiento
(relacionado con su frecuencia).
REFERENCIAS
[1] Adel Sedra, Kenneth Smith, Dispositivos electrónicos y
amplificación de señales. , pág. 132 – 133
[2] DIODOS DE POTENCIA. Encontrado en
<http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html#5> el día
10 de abril de 2013.
 9

[3] Diode Characterization. Ethan Farquhar, Ph.D. tomado de

<https://icasl.eecs.utk.edu/sites/default/files/LabBook_La
b2.pdf> el día 10 de abril de 2013