Bandas de energía y la conducción eléctrica

Los semiconductores se definen por su comportamiento conductor eléctrico único. Los

metales son buenos conductores debido a su nivel de Fermi, hay una gran densidad de
estados con energía disponibles que cada electrón puede ocupar. Los electrones pueden
moverse con toda libertad entre los niveles de energía sin un alto coste energético.
Conductividad del metal disminuye con el aumento de temperatura debido a las vibraciones
térmicas de red cristalina interrumpen el libre movimiento de los electrones. Aisladores, por el
contrario, son muy malos conductores de la electricidad porque no hay una gran diferencia en
energías entre los niveles de energía de electrones ocupados y niveles de energía vacíos que
permiten el movimiento de los electrones.
Conductividad aislador aumenta con la temperatura porque el calor proporciona la energía
para promover electrones a través de la banda prohibida de los niveles de energía de
electrones con conducción superior. Semiconductores, por otro lado, tienen un nivel
intermedio de la conductividad eléctrica en comparación con los metales y los aisladores. Su
espacio de banda es lo suficientemente pequeño que pequeño aumento de la temperatura
favorece número suficiente de electrones de los niveles más bajos de energía de la banda de
conducción. Esto crea agujeros de electrones, o niveles no ocupados, en la banda de valencia
y electrones celebradas de manera muy informal en la banda de conducción.
En los semiconductores cristalinos clásicos, los electrones pueden tener energías sólo dentro
de ciertas bandas. La gama de la energía se extiende desde el estado fundamental, en el cual
los electrones están estrechamente unidos al átomo, hasta un nivel en el que el electrón
puede escapar por completo a partir del material. Cada banda de energía corresponde a un
gran número de estados cuánticos discretos de los electrones. La mayoría de los estados de
baja energía están ocupados, hasta la banda de valencia.
Semiconductores y aislantes se distinguen de los metales por la población de electrones en
cada banda. La banda de valencia en cualquier metal dado está casi lleno de electrones en
condiciones habituales, y los metales tienen muchos electrones libres con energías en la
banda de conducción. En los semiconductores, sólo existen unos pocos electrones en la
banda de conducción por encima de la banda de valencia, y un aislante casi no tiene
electrones libres.
La facilidad con la que los electrones en el semiconductor pueden ser excitados desde la
banda de valencia a la banda de conducción depende de la banda prohibida. El tamaño de
esta brecha de energía determina si un material es semiconductor o un aislante.
Con enlaces covalentes, un electrón se mueve por salto a un bono vecino. El principio de
exclusión de Pauli requiere el electrón que se levanten en el estado anti-unión más elevada de
ese vínculo. Para los estados deslocalizados, por ejemplo, en una dimensión - que es en un
nanocable, para cada energía no es un estado con electrones que fluye en una dirección y
otro estado con los electrones que fluyen en el otro. Para una corriente neta a fluir, más
estados para una dirección que en la otra dirección deben ser ocupados. Para que esto
ocurra, se requiere energía, como en el semiconductor la próxima estados superiores se
encuentran por encima de la banda prohibida. A menudo, esto se indica como: bandas
completo no contribuyen a la conductividad eléctrica. Sin embargo, como la temperatura de un
semiconductor se eleva por encima del cero absoluto, hay más energía en el semiconductor
para gastar en vibración celosía y emocionantes en electrones en la banda de conducción.
Los electrones excitados a la banda de conducción también dejan huecos de electrones, es
decir, los estados no ocupados en la banda de valencia. Tanto los electrones de la banda de
conducción y los agujeros de la banda de valencia contribuyen a la conductividad eléctrica.
Los mismos agujeros no se mueven, pero un vecino de electrones pueden moverse para
llenar el agujero, dejando un agujero en el lugar que acaba de llegar de, y de esta manera los
agujeros parecen moverse, y los agujeros se comportan como si fueran reales partículas con
carga positiva.
Un enlace covalente entre los átomos vecinos en el sólido es diez veces más fuerte que la
unión del único electrón al átomo, liberando así el electrón no implica la destrucción de la
estructura cristalina.

Explicación de las bandas de energía

La teoría de los niveles de energía de los electrones en los sólidos es una aplicación de los
principios de la mecánica cuántica. En principio, los movimientos de los electrones se pueden
predecir por solución de la ecuación de Schrödinger para el campo de potencial de una
disposición particular de los átomos en un cristal. Dado que una solución general es bastante
difícil, varias suposiciones de simplificación se utilizan para representar el sistema real.
Una observación fundamental que conduce al desarrollo de la mecánica cuántica es que los
niveles de energía de un electrón alrededor de un átomo no varían de forma continua, pero en
cambio se produce en estados cuánticos discretos llamados "orbitales", cada uno asociado
con una cantidad de energía. Otra observación, indicado como el principio de exclusión de
Pauli, es que no hay dos electrones pueden ocupar exactamente el mismo estado cuántico, de
modo que, no todos los electrones del átomo de caída en el estado más bajo, pero ocupan
"conchas" cada vez más energéticas alrededor del átomo.
Poner dos átomos juntos conduce a orbitales deslocalizados a través de dos átomos,
produciendo un enlace covalente parcial. Estados cuánticos adicional son posibles, en este
orbitales moleculares, con diferentes niveles de energía.
En un cristal, muchos átomos son adyacentes y muchos niveles de energía son posibles para
los electrones. Puesto que hay muchos átomos en un cristal macroscópica, la energía
resultante estados disponibles para los electrones son muy poco espaciados. Desde el
principio de Heisenberg limita la precisión de cualquier medida de la combinación de impulso
de un electrón y su posición, en un cristal de forma efectiva los niveles de energía disponibles
forman una banda continua de niveles de energía permitidos.
La solución matemática de la ecuación de Schrödinger da dos tipos de soluciones en función
de la energía de los electrones. Un tipo de solución representa un electrón moviéndose
indefinidamente a través del cristal como una onda plana, las soluciones particulares para una
red cristalina regular de periódicos se llaman funciones de Bloch. Un segundo tipo de solución
se produce para los niveles de energía en los llamados lagunas "prohibidos" entre los estados
"permitidas" - en este caso, el electrón no puede viajar de forma indefinida a través del cristal
con el que la energía y, o bien se refleja en los bordes de la región , o tal debe pasar a través
de la región, en un fenómeno conocido como "efecto túnel".
Para materiales semiconductores, una banda de "permitidas" energías de electrones se llama
la "banda de valencia" - estos pueden ser considerados de electrones unido a un átomo en
particular. Una banda de mayor energía se llama la "banda de conducción", donde los
electrones pueden viajar a través del cristal. La energía de un electrón puede aumentarse
mediante el aumento de su temperatura o mediante la aplicación de un campo eléctrico a la
misma. Si una banda de energías permitidas está completamente lleno por los electrones, no
se puede llevar a cualquier corriente eléctrica, debido a que requeriría la energía del electrón
al ser aumentada. La conducción puede ocurrir solamente con bandas parcialmente llenos.
La energía de Fermi juega un papel importante en la descripción del comportamiento de los
semiconductores dopados. Una energía de Fermi sustancias se define como el nivel de
energía más alto ocupado encontrado en esa sustancia a la temperatura del cero absoluto. A
temperaturas más altas, la energía del calor está disponible para promover los electrones en
los niveles de energía ligeramente más altos. Sin embargo, imaginando la densidad de
estados para ser llenado con la energía de Fermi ayuda a los científicos a comprender los
diferentes comportamientos entre los aisladores, metales y semiconductores intrínsecos y
extrínsecos. Como se ve en la Figura 1, la energía de Fermi de semiconductores de tipo n se
eleva de la de la correspondiente semiconductor intrínseco sin dopado. Esto hace que la
banda de conducción mucho más accesible térmicamente a temperaturas por encima del cero
absoluto.
El nivel de Fermi es la energía por debajo del cual hay un 50% de probabilidades de encontrar
un estado de energía más ocupado. El nivel de Fermi se puede calcular la densidad de
estados en la conducción y las bandas de valencia. El nivel de Fermi puede aumentar, siendo
el mismo o disminución con el aumento de temperatura, en función del número de estados en
la bandas de conducción y de valencia. Cuando dos regiones con diferentes niveles de Fermi
están en contacto, portadores de carga fluirán entre las dos regiones hasta que el nivel de
Fermi está alineado a través de la interfaz.
A la temperatura del cero absoluto del nivel de Fermi puede ser pensado como la energía
hasta que los estados de electrones disponibles están ocupadas. A temperaturas más altas, el
nivel de Fermi es la energía en la que la probabilidad de un estado de ser ocupada ha caído a
0,5.
 átomos - cristal - vacío

 En un solo átomo de H de un electrón reside en orbitales etiquetados s, p, d con el fin

de aumentar la energía.
 Poner dos átomos juntos conduce a orbitales deslocalizados a través de dos átomos,
produciendo un enlace covalente parcial. Debido al principio de exclusión de Pauli,
cada estado puede contener un solo electrón.
 Esto se puede continuar con más átomos. Nota: Este cuadro muestra un metal, no es
un semiconductor.
 Continuando añadir átomos crea un cristal.
 Para este sólido regular la estructura de la banda puede calcularse o medirse.
 La integración en el eje k da las bandas de un semiconductor que muestra una banda
completa de valencia y la banda de conducción vacía. Detener general en el nivel de
vacío no es deseable, ya que algunas personas quieren calcular: fotoemisión,
fotoemisión inversa

Niveles y bandas de energía

Bandas de Energía en un Semiconductor Intrínseco

Bandas de Energía en un Semiconductor tipo n

Bandas de Energía en un Semiconductor tipo p

Las ideas y los conceptos vistos anteriormente los analizaremos ahora desde un
punto de vista energético.

Hablar de Radios y de Energías es lo mismo. Cuanto mayor sea el radio mayor

será también la energía.

Existen diversas maneras de darle energía a un electrón, por:

 Energía Térmica.
 Energía Luminosa (fotón E = h x f).
 Campo Eléctrico.
 etc...

Si se le da energía a un electrón para que pase de E1 a E2, este electrón puede

pasar de una orbita a otra.

Ese electrón vuelve enseguida, al volver tiene que ceder o soltar la energía.
Puede hacerlo de 2 formas:

 Al volver sale un fotón de luz:

E2 - E1 = h x f

Una aplicación de esta característica se ve en los Diodos Led, que

dependiendo de las energías tendrán diferentes colores, y también pueden soltar
fotones invisibles a frecuencias en las que la vista no puede captarlas.

 También se suelta energía en forma de calor, energía térmica

(calentamiento del diodo).
Las energías las representaremos gráficamente de esta manera:

Hasta ahora hemos visto un átomo aislado, pero en un cristal tenemos que aplicar
el "Principio de Exclusión de Pauli":

"En un sistema electrónico no puede haber 2 electrones con los mismos números
cuánticos".

Esto es, que no puede haber 2 electrones con la misma energía.

Bandas de Energía en un Semiconductor Intrínseco

Anteriormente hemos visto que los semiconductores intrínsecos eran aquellos

que no tenían impurezas, esto es, todos son átomos de Si.

Al aplicar el principio de exclusión de Pauli el electrón de energía E1 de un

átomo y el electrón de energía E1 del átomo vecino se han de separar en energía.
Como hay una gran cantidad de átomos aparecen muchos niveles energéticos con
una separación muy pequeña, formando la 1ª Banda de Energía.

Los electrones de energía E2 se separan en energía formando la 2ª Banda de

Energía.
Y así sucesivamente con el resto de energías se van creando Bandas de Energía
(grupos de niveles energéticos). El resultado es el siguiente:

Como es difícil sacar un electrón de las bandas inferiores, no nos interesan las 2
bandas inferiores, no las tendremos en cuenta, así tendríamos:

Estas 2 bandas son las creadas por los 4 electrones de la última órbita del átomo.

A 0 ºK los 4 electrones de cada átomo están en la Banda de Valencia (cada uno

en un radio o energía permitido).
BC = Banda de Conducción
BV = Banda de Valencia

A 300 ºK (27 ºC, temperatura ambiente) o a mayor temperatura, algún electrón

puede conseguir suficiente energía como para pasar a la Banda de Conducción,
dejando así un hueco en la Banda de Valencia.

Recordar que a esto le llamábamos Generación Térmica de Pares electrón libre-

hueco. Cuanto más aumente la temperatura, más electrones suben debido a la
generación térmica.

Por eso un semiconductor a 0 ºK no conduce y si aumenta la temperatura

conduce más. Ahora veremos que es lo que ocurre con los semiconductores con
impurezas.

Bandas de Energía en un Semiconductor tipo n

Tenemos muy pocos átomos de impurezas (+5) en comparación con los átomos
normales de Silicio (+4).
Como se impurifica muy poco, los átomos de +5 están muy alejados y no se
influyen entre si, pudiendo tener electrones de átomos diferentes la misma
energía y por lo tanto están todos al mismo nivel. Esa energía que tienen se llama
"Energía del átomo Donador" (ED).

En cuanto se le de una pequeña energía los electrones suben a la BC y se

convierten en libres.

También se da la generación térmica (generación de pares hueco-electrón), pero

lo que más ocurre es debido a las impurezas y muy poco por generación térmica,
por lo que despreciaremos esta última.

Bandas de Energía en un Semiconductor tipo p

En este caso las impurezas son átomos de +3, y como en el caso anterior hay muy
pocos y están muy alejados por lo que los electrones de átomos diferentes están
al mismo nivel energético. Esa energía es la "Energía del átomo Aceptor" (EA).

A 300 ºK o más, el electrón cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la

BV mientras que la EA se llena de electrones. Se sigue dando generación térmica
también, pero como antes es despreciable.
 Bandas de Energía en Semiconductores
En los semiconductores intrínsecos como el silicio y
el germanio, el nivel de Fermiestá esencialmente a mitad de
camino entre las bandas de valencia y conducción. Aunque no
ocurre conducción a 0ºK, a temperaturas superiores un número
finito de electrones pueden alcanzar la banda de conducción y
proporcionar algo decorriente. En un semiconductor dopado, se
agregan niveles de energía extras.

El aumento de la conductividad con la temperatura, se puede

modelar en términos de la función Fermi, la cual, permite
calcular la población de la banda de conducción.

Banda Prohibida en Semiconductores

Por la teoría de bandas de sólidos, se sabe que los semiconductores tienen
una banda prohibida entre las bandas de valencia y conducción. El tamaño de la
banda prohibida tiene implicaciones en los tipos de aplicaciones que se pueden
realizar. Una baja banda prohibida, implica una mayor conducción intrínseca, y
una banda prohibida alta implica una mayor energía de fotón posible, asociada
con una transición a través de la banda en los diodos emisores de luz. En la tabla
de abajo se dan las bandas prohibidas en electrón voltiosde unos pocos materiales
semiconductores.

Banda
Material prohibida
en eV
PbSe 0,27
PbTe 0,29
PbS 0,37
InN 0,67*
Ge 0,67
GaSb 0,7
Si 1,11
InP 1,35 * InN, GaN, y AlN estan actualmente bajo estudio en la
GaAs 1,43 Universidad de Georgia State University. Otros valores son de
Streetman y Banerje. El valor de InN no se considera tan bién
CdTe 1,58
determinado como los demás, pero ilustra que las energías de las
AlSb 1,6 bandas prohibidas van desde cerca del infrarrojo al ultravioleta. El
CdSe 1,73 AlN, teniendo una banda prohibida mayor que la del diamante, es
un buen aislante. El GaN se ha usado en la producción de LEDs
AlAs 2,16
azules.
ZnTe 2,25
GaP 2,26
CdS 2,42
AlP 2,45
ZnSe 2,7
SiC 2,86
GaN 3,4
ZnS 3,6
Diamante 5,5
AlN 6,2*

Banda Prohibida en Semiconductores

Intervalo de energía (eV)
Material
0ºK 300ºK
 Si 1,17 1,11
Ge 0,74 0,66
InSb 0,23 0,17
InAs 0,43 0,36
InP 1,42 1,27
GaP 2,32 2,25
GaAs 1,52 1,43
GaSb 0,81 0,68
CdSe 1,84 1,74
CdTe 1,61 1,44
ZnO 3,44 3,2
ZnS 3,91 3,6

Bandas de Energía del Silicio

A temperatura finita, el número de electrones que alcanzan la banda de
conducción y contribuyen a la corriente se puede modelar con la función de
Fermi. Esa corriente es pequeña comparada con la de los semiconductores
dopados bajo las mismas condiciones.

Germanium Energy Bands

A temperatura finita, el número de electrones que alcanzan la banda de
conducción y contribuyen a la corriente se puede modelar con la función de
Fermi. Esa corriente es pequeña comparada con la de los semiconductores
dopados bajo las mismas condiciones.

Bandas en los Semiconductores

Dopados
La aplicación de la teoría de banda en los semiconductores de tipo n y tipo p,
muestra que las impurezas añaden niveles extras de energía. En el material de
tipo n, hay niveles de energía de electrones cerca de la parte superior de la
banda prohibida, de modo que pueden ser facilmente excitados hacia la banda
de conducción. En el material de tipo p, los huecos extras en la banda
prohibida, permiten la excitación de los electrones de la banda de valencia,
dejando huecos móviles en la banda de valencia.
 Estructura de Banda en el Tipo N
La adición de impurezas donantes contribuye a subir los niveles de energía de
los electrones en la banda prohibida del semiconductores, de modo que pueden
ser excitados facilmente hacia la banda de conducción. Esto desplaza el nivel
de Fermi efectivo, a un punto a medio camino entre los niveles de los
electrones donantes y la banda de conducción.

Con la energía proporcionada por un

voltaje aplicado, los electrones pueden
ser elevados a la banda de conducción,
y moverse a través del material. Los
electrones se dice que son los
"portadores mayoritarios" del flujo de
corriente en un semiconductor de tipo
n.
 Estructura de Banda en el Tipo P
La adición de impurezas aceptoras contribuye a bajar los niveles de los huecos en
la banda prohibida de los semiconductores, de modo que los electrones pueden ser
fácilmente excitados desde la banda de valencia hasta estos niveles, dejando huecos
móviles en la banda de valencia. Esto desplaza el nivel de Fermi efectivo, a un punto a
medio camino entre los niveles aceptores y la banda de valencia.

Con la energía proporcionada por un voltaje

aplicado, los electrones pueden ser elevados
desde la banda de valencia hasta los huecos en la
banda prohibida. Dado que los electrones pueden
ser intercambiados entre los huecos, se dice que
son móviles. Los huecos se dice que son los
"portadores mayoritarios" para el flujo de
corriente en un semiconductor de tipo p.