LA GUÍA MÁXIMA IGBT’s

Hablar de los IGBT son mayores palabras puesto que estos transistores
son especiales, son de grandes prestaciones y aplicaciones de gran
envergadura sobre todo en el campo industrial. Suponga que tiene un
transistor bipolar en sus manos y que en vez de base tenga un pin
llamado puerta. ¡pues muy bien! Este transistor que en inglés se le
conoce como: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR. Es conocido
también como: TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA. Y por lo
general sus aplicaciones las podemos encontrar en sistemas de
electrónica de potencia y electrónica de control. Es un dispositivo
versátil para trabajar en estas dos áreas de la electrónica por sus
grandes manejos de corriente y el pequeñísimo voltaje de saturación
que normalmente maneja un transistor bipolar y al igual que el
transistor de efecto de campo FET, en la puerta o gate tiene las mismas
características. La forma de conducción de corriente es similar a la de un
transistor JFET. De acuerdo a lo mencionado anteriormente, se puede
decir que el transistor BJT y el JFET se fusionan y logran crear el IGBT,
sin duda un poderoso componente electrónico.
Con un IGBT se han podido lograr grandes cosas: desde diseñar y
fabricar dispositivos de control y variación hasta sistemas de
optimización y generación de energía. Dentro de los dispositivos de
control podemos clasificar perfectamente a los variadores de velocidad y
frecuencia, que sin duda en la industria son muy importantes y
necesarios para controlar la velocidad en bombas de impulsión y
motores industriales como elementos finales de control o plantas, y
también tenemos a las UPS o bancos de baterías que lo que hacen es
proporcionarnos voltajes con muy buenas capacidades de corriente en
caso de cortes de suministro eléctrico y de esta manera nos permitan
trabajar de forma ininterrumpida.
 FABRICANTES
Dentro de los fabricantes de estos versátiles dispositivos tenemos como
destacados a MITSUBISHI, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, IXYS,
INFINEON TECHNOLOGIES, STMICROELECTRONICS, ya llevan varios
años en el mercado mundial distribuyendo este tipo de componentes.

CARACTERISTICAS PRINCIPALES

Dentro de sus características más importantes destacamos su rapidez al

momento de efectuar una conmutación. Aproximadamente 100khz y
sustituto del transistor bjt en muchas de las aplicaciones. Usado
altamente en fuentes conmutadas, control de tracción de motores, y en
las famosas cocinas de inducción. Recuerden aquellas parrillas
vitrocerámicas que calientan recipientes metálicos usando campos
electromagnéticos en vez de calentar mediante inducción a resistencias
de fogones. El IGBT se considera un transistor Darlington híbrido. Tiene
muy buena capacidad de manejo de corriente pero no requiere corriente
de base para entrar en conducción. Utilizado para conmutación de
sistemas de alta tensión. El voltaje de compuerta o gate de excitación es
de 15 volts pero tiene la poderosa ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica muy débil en el gate.

SIMBOLO
 https://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-
bipolar-transistor.html

COMPOSICIÓN INTERNA.
La sección transversal de silicio de un IGBT, es muy similar a la de un
MOSFET, exceptuando el sustrato p+. sin embargo el comportamiento
de este dispositivo es muy similar al de un BJT que al de un transistor
MOSFET. Lo anterior se debe básicamente al sustrato p+ que es el
responsable por decirlo así de la inyección de portadores minoritarios en
la región n.
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Tiristores-Especiales.php

El circuito equivalente, es el correspondiente a la figura, vemos que

tenemos un transistor MOSFET, un transistor PNP y NPN cuyo modelo es
simplificable al mostrado en la segunda figura. Cabe recordar que este
transistor está fabricado de 4 capas PNPN que están ubicadas de
manera alternada. Algo para tener en cuenta es que el IGBT está
controlado por voltaje, similar a un MOSFET de potencia posee menores
pérdidas en conmutación que un transistor BJT y de conducción en tanto
comparte características de las del MOSFET de potencia. Es más rápido
en cuanto a conmutación que a un BJT pero más lento que la de un
MOSFET.
Imagen tomada del libro de rashid. electrónica de potencia.
 TABLA COMPARATIVA IGBT CON OTROS TRANSISTORES

https://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-
bipolar-transistor.html
 curvas característica de los IGBT.

La curva característica de un IGBT es muy similar a la de un transistor

bipolar.
Dentro de las regiones de trabajo de un IGBT tenemos la zona de
avalancha, saturación, corte.
Los IGBT pueden ser NPN O PNP solo puede cambiar la corriente en
dirección hacia adelante es decir del colector a emisor, a diferencia de
los MOSFET que tienen capacidades de conducción de corriente en forma
bidireccional. Controladas hacia adelante e incontrolables hacia atrás. Se
puede implementar un PWM de alto voltaje control de velocidad, fuentes
de alimentación conmutadas, y conversores de CC a CA empleando
energía solar que operan en el rango de KHZ.

COMPROBACIÓN DEL RENDIMIENTO DE LOS INTERRUPTORES

IGBT.

CIRCUITOS CON EL IGBT PARA EXPERIMENTAR.

Dispositivos usados: IRGB4062DPBF (600V/24A Trench IGBT) High Side
IGBTs
IRG4BC20SD-PBF (600V/10A S-type Planar IGBT) Low Side IGBTs
IRS2106S (600V half bridge driver IC).
Fuente de voltaje 200V, 3A DC
Fuente de voltaje 20V, 100 mA DC
Cargas de 120V/500W
Teoria de aplicacion:
Una topologia de circuito de puente completo se usa en este caso para
construer un inversor DC/AC.
Durante el semiciclo positivo en la señal de salida, Q1 tiene forma
sinusoidal, mientras que Q4 es mantenido en conducción. Durante el
semiciclo negativo, Q2 tiene forma sinusoidal, mientras que Q3 se
mantiene en conducción.
La frecuencia de conmutación de los IGBTs son de 20kHz y 60 Hz. Esta
técnica de conmutación produce una señal de 60 Hz senoidal a través de
la capacitancia C4 y la inductancia L1. Q1 y Q2 son los IGBTs
IRGB4062DPBF, ultrarápidos, que ofrecen una conducción estable y una
velocidad máxima de conmutación de 20kHz. Q3 y Q4 son IGBTs planos
de tipo estándar dado que estos solo conmutan a 60 Hz.
Cada pata del puente tipo H se controla usando un sistema de alto
voltaje en puerta IRS2106SPBF. El uso de este dispositivo elimina la
necesidad de instalar una fuente aislada de potencia. Esto se traduce en
un aumento de la eficiencia y reducción del número de componentes del
sistema.
1. Algunos beneficios del puente tipo H y la técnica de conmutación en este
sistema son:
2. Alta eficiencia, dado que Q1 y Q2 no están sujetos a corriente directa y
Q3 y Q4 tienen la mayor parte del periodo de conducción y poco tiempo
de conmutación.
3. No hay posibilidad de conducción cruzada dado que la conmutación se
produce en pares diagonales de IGBTs (Q1 y Q4 o Q2 y Q3).
4. Se opera desde un solo bus de alimentación de corriente continua
eliminando la necesidad de un bus de corriente continua negativa.
Los IGBTs se manejan usando un dispositivo de alto voltaje en gate con
técnica “bootstrap”. Las capacitancias tipo “bootstrap” para estos
dispositivos se resetean cada ciclo de conmutación (cada 50 us).
Siempre hay que arrancar el sistema aplicando un potencial de +20V
tras aplicar 200V al bus de corriente continua. Con una Carga resistiva
de 120V/500W conectada, la señal de salida será de 120V/60Hz

SEÑAL DE SALIDA DE UN IGBT

Diseñar un circuito de excitación para un IGBT, que mantenga una

corriente de puerta de 40A cuando este activado y tenga un pico de
100A en el paso a conducción. La tensión Vi soporta una tensión de
100V con un ciclo de trabajo del 50% y una frecuencia de conmutación
1000kHz. Suponemos que V_GE es de 20V cuando el transistor esta en
conducción.

Solución
El valor de R1 viene determinado por la necesidad del pico inicial de
corriente. Despejando R1 en la siguiente fórmula:
La corriente de puerta en conducción en régimen permanente determina el valor de R2:

El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo necesaria.

Para un ciclo de trabajo del 50% a 1000 kHz, el transistor conduce
durante 0,5μs. Haciendo que el tiempo de conducción del transistor sea
cinco veces la constante de tiempo, t=0,1μs: