DIRECTOR DE LA ESCUELA DE

INGENIERÍA ELECTRÓNICA:

Mg. Filiberto Melchor Azabache

Fernández

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DOCENTES PRESENTES:

Mg. Filiberto Melchor Azabache Fernández

Dr. José Antonio Castañeda Vergara
Dra. Rosa Aguilar Alva
Mg. Víctor Manuel Chávez Salazar

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Escuela Profesional: Ingeniería Electrónica
Curso: Química General
GRUPO N°: 2
Tema: SEMICONDUCTORES
Docente: Chávez Salazar Víctor Manuel
Integrantes:
 Aguilar Carbajal José
 Fernández Arce Daniel
 Fernández Jacobo Luis
 Muñoz Arroyo Diego
Turno: Tarde
Ciclo: II

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 ÍNDICE
1. Introducción…………....................................6
2. Objetivo………………………………………...7
3. Definición………………………………………7
4. Propiedades…………………………………...8
5. Diferencias entre semiconductores y
conductores…………………………………………9
6. El transistor…………………………………...10
7. Resistencia de materiales
semiconductores……………….........…………….11
8. Comportamiento eléctrico………….………..12
9. Modelo de banda de energía………..………13
10. Tipos de semiconductores………….……….14
11. Aplicaciones…………………………..……….22
12. Conclusiones…………………..……………...26
13. Referencias Bibliográficas…………..……….26

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 DEDICATORIA

A Dios:

Por la sabiduría e inteligencia

que nos brinda día a día.

A nuestros padres:

Por su apoyo incondicional

que nos brindas siempre.

A Dios:

Por iluminarnos durante este trabajo y

por permitirnos finalizarlo con éxito.

Al docente: Víctor Manuel Chávez Salazar

Por su gran apoyo que nos brindó y nos sigue brindando día a día

Por sus enseñanzas que nos permitieron realizar este trabajo.

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 INTRODUCCIÓN

En este informe daremos a conocer el concepto central de

semiconductores, sus características y funciones principales además
del estudio de las propiedades físicas de los materiales
semiconductores y sus sorprendentes aplicaciones.

Para tener una idea de la real magnitud de esta revolución pensemos

por un momento en los transistores, probablemente la aplicación
tecnológica más importante de los semiconductores. Cualquier
habitante del mundo moderno se encuentra rodeado cotidianamente
por millones de transistores. Están en los televisores, equipos de
música, en la máquina de lavar.

Un computador personal puede llegar a tener algunos miles de

millones de transistores. De hecho, en el mundo existen muchos
transistores que personas.

En su mayoría los chips y transistores “semiconductores” son creados

en base al silicio. Lo cierto es que este esté elemento ha adquirido
gran importancia en la electrónica actual, y por ende, en la tecnología.

La gran mayoría de los dispositivos de estado sólido que actualmente

hay en el mercado se fabrican con un tipo de materiales conocidos
como semiconductores. De ahí es que vamos a empezar nuestro
estudio examinando las propiedades físicas de dichos elementos.

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OBJETIVO:
Conocer acerca de estos materiales así como sus métodos de elaboración, así
como sus utilizaciones, bajo ciertas condiciones los semiconductores puede ser
aislantes y son conductores cuando se le aplica energía eléctrica, donde lo
podríamos encontrar en microprocesadores de máquinas industriales.

Definición de semiconductores:
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de
un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante.

El semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más abundante en la

naturaleza, después del oxígeno .Otros semiconductores son el germanio y el selenio.

Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red cristalina, en la que
cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos,
formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia
absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a
través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que
han roto el enlace covalente, se les somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al
polo positivo.

Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red

cristalina un hueco, que con respecto a los electrones próximos tiene efectos similares a
los que provocaría una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrón
pero con signo positivo. El comportamiento
eléctrico de un semiconductor se caracteriza por
los siguientes fenómenos: - Los electrones libres
son portadores de carga negativa y se dirigen
hacia el polo positivo de la pila. - Los huecos son
portadores de carga positiva y se dirigen hacia el
polo negativo de la pila. - Al conectar una pila,
circula una corriente eléctrica en el circuito
cerrado, siendo constante en todo momento el
número de electrones dentro del cristal de silicio. -
Los huecos sólo existen en el seno del cristal
semiconductor. Por el conductor exterior sólo
circulan los electrones que dan lugar a la corriente
eléctrica.

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Lugar que ocupan en la tabla periódica los trece elementos con características de
semiconductor, identificados con su número atómico y grupo al que pertenecen.

- Gris (metales)
- Amarillos (metaloides)
- Azul (no metales)

Propiedades semiconductores
 Los semiconductores posibilitan el poder de modificar su resistividad de
manera controlada entre márgenes muy amplios.
 En un semiconductor formado por dos elementos químicos diferentes la
asimetría conlleva en general una cierta pérdida de carácter covalente puro,
en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u
otro átomo.
 Los semiconductores son elementos que en su última capa tienen 4
electrones por lo que se pueden comportar en determinadas condiciones
como aislantes o como conductores dependiendo qué uso se les quiera dar
estos materiales son los más utilizado para fabricar los diodos y
transistores.

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Diferencias entre semiconductores y
conductores

Vamos a analizar las diferencias fundamentales entre semiconductores y

conductores, para después describir los modelos de semiconductor que las
justifiquen. Conductividad eléctrica Una diferencia cuantitativa fundamental entre
conductores, semiconductores y aislantes es la mayor o menor facilidad que
presentan al paso de la corriente eléctrica, es decir, la conductividad que
presentan los materiales. En la tabla siguiente podemos observar el orden de
magnitud de la conductividad para materiales aislantes, semiconductores y
conductores.

Los semiconductores típicos puros, germanio y silicio, tienen conductividades que

les situarían próximos a los aislantes. Pero si introducimos peque- ñas cantidades,
del orden de millonésimas partes, de otros elementos, su conductividad puede
aumentar y situarse próxima a la de los conductores. A esta modificación de los
semiconductores puros, se le denomina dopado, y se describirá con detalle más
adelante.

9
 ¿Qué es un transistor?
El transistor es un semiconductor que permite el control y la regulación de una
corriente grande mediante una señal muy pequeña. Los transistores son uno
elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos
de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las
antiguas válvulas termoiónicas de hace décadas.

Cuenta con tres terminales, los que son utilizados como amplificador e interruptor.
Estos se comportan como parte fundamental de aparatos electrónicos, un ejemplo
seria en aparatos digitales este se utiliza como interruptor, pero a su vez les da
otros usos que guardan relación con memorias ram y puertas lógicas.

Características:
 El consumo de energía es relativamente baja.
 El tamaño de los transistores es relativamente más pequeña que los
tubos de vacío.
 El peso.
 Una vida larga útil
 Puede permanecer mucho tiempo en depósito (almacenamiento).
 No necesita tiempo de calentamiento.
 Resistencia mecánica elevada.
 Los transistores pueden reproducir el fenómeno de la foto
sensibilidad (fenómenos sensibles a la luz).

Existen varios tipos de transistores, entre los que se encuentran los bipolares
(surgen a partir de unión de tres cristales de material semiconductor), los de efecto
campo (se encuentran en calculadoras, radios y tv, etc.)

10
 Resistencia de materiales
semiconductores

Tienen una resistividad entre 1 y 10000 (ohmio*m). En este grupo se encuentran

principalmente el germanio y el silicio. Estos materiales son de gran importancia,
sobre todo el silicio, ya que es la base de la fabricación de los componentes
electrónicos.

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 Comportamiento eléctrico

El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por los

siguientes fenómenos:

 Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen

hacia el polo positivo de la pila.

 Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo

negativo de la pila.

 Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito

cerrado, siendo constante en todo momento el número de
electrones dentro del cristal de silicio.

 Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor.

Por el conductor exterior sólo circulan los electrones que dan
lugar a la corriente eléctrica.

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 Modelo de banda de energía.

Las energías que tienen los electrones en el cristal son semejantes a la que
tienen en los átomos libres, pero los electrones deben obedecer al principio
de exclusión de Pauli (no pueden haber dos “e-” en el mismo estado
cuántico)
Principio de Pauli: Este principio de la cuántica dice que dos partículas
(concretamente fermiones) que tiene los números cuánticos con los que
constan idénticos, no pueden existir.

- En los sólidos, debido a la interacción entre los átomos que forman el

cristal, aparece un desbordamiento de estados (desbordamiento de
energías.)
- Cada nivel en el átomo forma una banda.

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Semiconductores de tipo N (negativo) y P
(positivo)

Semiconductor Tipo N: se obtiene Semiconductor Tipo P: se obtiene en

llevando a cabo un proceso de dopado
añadiendo un cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de cargas
libres(negativos), el propósito del
dopaje tipo N es productor abundancia
de electrones portadores en el material.
un proceso de dopado igualmente,
además de añadir átomos al
semiconductor para aumentar las
cargas libre(positivos), el dopaje para el
tipo P es para crear abundancia de
huecos.

Se emplea para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se

utilizan impurezas añadidas voluntariamente. Esta operación se denomina
dopado, utilizándose dos tipos:

 Impurezas pentavalentes.
 Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres
electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red
cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se
precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrón que le
hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con
impurezas.

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 Semiconductores intrínsecos
Son materiales en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza,
ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad
de huecos que dejan los electrones en banda de valencia al atravesar la
banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libre que se
encuentran presentes en la banda de conducción.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solo por

átomos de silicio (si) que forman una celosía. (Estructura reticular de
barras rectas interconectadas en nodos formando triángulos planos).

Semiconductores extrínsecos Tipo P

En este caso son los que están dopados con elementos trivalentes, (Al, B,
Ga).
Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando
huecos en las bandas de valencia, y siendo los huecos portadores
mayoritarios.

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 Trivalente
Son los que a la hora de formar una estructura cristalina, dejen una vacante
con un nivel energético ligeramente superior al de la banda de valencia,
pues no existe el cuarto electrón que lo llenaría.

En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina

del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres átomos de silicio
vecinos, quedando un cuarto átomo de silicio con un electrón sin enlazar,
provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con
impurezas trivalentes se dice que es de tipo P ya que este conduce
fundamentalmente, aunque no de forma exclusive, mediante los huecos
cargados positivamente.

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 Semiconductores extrínsecos Tipo N
Son los que están dopados, con elementos pentavalentes (As, P, Sb).
Como ahora en el semiconductor existe un mayor número de electrones
que de huecos, se dice que los electrones son los portadores
mayoritarios, y a las impurezas se les llama donadoras.
En cuanto a conductividad aumenta de forma elevada.

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 Pentavalentes
Se dice que es de tipo N. A temperatura ambiente e incluso inferior, este
electrón se libera con facilidad y puede entonces moverse por la red
cristalina, por lo que constituye un portador. Es importante señalar que,
cuando se libera este electrón, en la estructura de enlaces no queda
ninguna vacante en la que pueda caer otro electrón ligado.

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 UNION PN

Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un

lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unión PN .

Los electrones libres de la región N más próximos a la región P se difunden en

ésta, produciéndose la recombinación con los huecos más próximos de dicha
región. En la región N se crean iones positivos y en la región P se crean
iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones
mencionados están interaccionados entre si y, por tanto, no son libres para
recombinarse.

Por todo lo anterior, resulta una espacial positiva en la región N y otra negativa en
la región P, ambas junto a la unión. Esta distribución de cargas en la unión
establece una (barrera de potencial) que repele los huecos de la región P y los
electrones de la región N alejándolos de la mencionada unión. Una unión PN
no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio
electrónico a temperatura constante.

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Unión PN polarizada en directo

Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de

la pila a la región P y el polo negativo a la región N, la tensión U de la
pila contrarresta la (barrera de potencial) creada por la distribución
espacial de cargas en la unión, desbloqueándola, y apareciendo una
circulación de electrones de la región N a la región P y una circulación de
huecos en sentido contrario. Tenemos así una corriente eléctrica de valor
elevado, puesto que la unión PN se hace conductora, presentando una
resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de electrones se mantiene
gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el
sentido eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para la
corriente eléctrica.

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Unión PN polarizada en inverso

Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a

la región N y el polo negativo a la región P, la tensión U de la pila ensancha la
(barrera de potencial) creada por la distribución espacial de cargas en la
unión, produciendo un aumento de iones negativos en la región P y de iones
positivos en la región N, impidiendo la circulación de electrones y huecos a través
de la unión.

La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la conducción

eléctrica; dependiendo del sentido de la conexión, se comporta corno un buen
conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso).

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APLICACIONES PARA DIODOS DE UNION
P-N.

Diodos rectificadores:
Uno de los usos más importantes de estos diodos de unión P-N es convertir
corriente alterna en corriente continua, lo que se conoce como rectificación. Al
aplicar una señal de corriente alterna a un diodo de unión P-N, este conducirá
sólo cuando la región P tenga aplicado un voltaje positivo con respecto a la
región N, por lo que se produce una rectificación de media onda. Esta señal se
suaviza con otros dispositivos y circuitos electrónicos, para dar una corriente
continua estable.

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Diodos de avalancha:
También se les llama diodos zener; son rectificadores de Sí. En la polarización inversa
se produce una pequeña fuga de corriente, debido al movimiento de electrones y
huecos térmicamente activados. Al hacerse demasiado grande la polarización inversa,
cualquier portador que llegue a fugarse se acelerara lo suficiente para excitar a
portadores de carga, causando una corriente elevada en dirección inversa. Debido a
este fenómeno se pueden diseñar dispositivos limitadores de voltaje. Al dopar
adecuadamente la unión P-N, se puede seleccionar el voltaje de avalancha o de
ruptura. Al aumentar mucho el voltaje, por encima del de ruptura, fluirá una corriente
elevada a través de la unión, así se evita que pase por el resto del circuito; por eso se
utilizan para proteger circuitos contra voltajes accidentales.

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 TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.
Un transistor de unión bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en
secuencia n-p-n-p-n-p. En el transistor se pueden distinguir tres zonas:

 Emisor:

Emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.

 Base:

Controla el flujo de los portadores de carga, es de tipo p. Esta se hace muy delgada
(del orden de 10-3 cm de espesor) y se dopa, de forma que solo una pequeña
fracción de los portadores que viene del emisor se combinará con los portadores
mayoritarios de la base con carga opuesta.

 Colector:

Recoge los portadores de carga provenientes del emisor; la zona del colector es del
tipo n, recoge electrones.

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Aplicaciones de semiconductores

Los semiconductores tienen una infinidad de usos y aplicaciones, por

ejemplo son imprescindibles en la fabricación de diodos (LED), dispositivos
electrónicos o panales solares. Algunos de los semiconductores más
utilizados son:

Termistores:

La conductividad depende de la temperatura.

Transductores de presión:

La aplicación de presión a este tipo de semiconductor que el GAP de

energía entre banda de conducción y Valencia se estreche y aumente la
conductividad

Rectificadores (dispositivos de unión del tipo P y N):

Se unen semiconductores tipo N y P (unión P y N) y al hacerlo los electrones

se concentran en la unión del tipo N y los huecos en la unión P, este
desequilibrio electrónico crea un voltaje en la unión que se utiliza como
rectificador.

Transistores de unión bipolar:

Estos transistores se utilizan generalmente en los CPU (unidades de

procesamiento central) de ordenadores por la eficiencia en dar una respuesta
rápida a la conmutación.

Transistores de efecto de campo:

Son utilizados frecuentemente para almacenar información en la memoria de

los ordenadores.

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CONCLUSIONES

Mediante el uso de los materiales semiconductores han ayudado en el

funcionamiento de distintos aparatos electrónicos que tenemos en casa, este tipo
de materiales son buenos y nos sirven de mucho, ya que al tener dicho material
semiconductor en un aparato electrónico, podemos saber en qué condiciones
podrá o no dar paso de corriente eléctrica a través de él. Estos se usan en diodos,
transistores, amplificadores y muchos circuitos integrados, ya que la mayoría de
estos están compuestos de silicio que les da mayor resistencia a la temperatura.
En casa podemos tener muchos de estos materiales dentro de nuestros aparatos
eléctricos como televisiones, computadoras, radios, etc…

REFERENCIA BIBLIOGRAFICAS
 Malvino, A. (2007). Principios de electrónica. 7ª ed. España: McGraw-Hill.
ISBN: 9788448156190
 Savant, C. (2000). Diseño electrónico: Circuitos y Sistemas. 3ª ed. España:
Prentice Hall.
ISBN: 9789684443662
 Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos. 8ª ed. México: Prentice Hall.
ISBN: 9788420529998

 Bazán J. C., Química de los Sólidos, Universidad Nacional del Sur Bahía
Blanca, Argentina; OEA, Washington, DC, USA., 1984.

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