Sie sind auf Seite 1von 21

Técnicas

Microscópicas de Caracterización

La microscopía de fuerzas atómicas


Gerard Oncins, Jordi Díaz
1. Introducción
Desde que en los años 50 Richard Feynman pronunciara su célebre frase “there’s
plenty of room at the bo>om”, la nanociencia y la nanotecnología se han converDdo
en dos de los pilares fundamentales de la ciencia moderna. La nanotecnología,
gracias a su naturaleza interdisciplinar, se ha extendido y se exDende rápidamente en
mulDtud de disciplinas como pueden ser la ingeniería, la Jsica, la química y las
ciencias de la vida. Aunque hay una cierta tendencia general a pensar que la palabra
“nano” se restringe al campo de la invesDgación más teórica, hay una gran variedad
de productos de la vida coDdiana que se benefician de esta aproximación
revolucionaria a la ciencia y la tecnología. La microelectrónica es quizá el campo que
se ha beneficiado de manera más inmediata, ya que todos conocemos las mejoras
introducidas en los microprocesadores y otros componentes electrónicos, cada vez
más pequeños y potentes. Sin embargo, las ciencias de la vida, la medicina y la
cosméDca, por citar solamente unos casos, están introduciendo de manera exitosa
nanoparPculas en productos tan comunes como protectores solares o tratamientos
anDedad (1). En este senDdo, es importante destacar que este Dpo de productos se
han converDdo en foco de atención del ojo público debido a que no han sido
testados de manera intensiva sobre seres humanos y, por tanto, sus efectos a largo
plazo permanecen desconocidos (1). El diámetro nanométrico de las parPculas
uDlizadas les permite penetrar la piel y entrar en el flujo sanguíneo, hecho que las
vuelve proclives a generar ciertos Dpos de cáncer. En esta situación tan incierta, las
industrias relacionadas con la nanotecnología esgrimen sus argumentos para
publicitar los beneficios de sus productos y para introducirlos en los mercados
globales, hecho que cambiará el mundo de los arPculos de consumo de una manera
definiDva.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 1 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

El estudio de la naturaleza en el rango nanométrico experimentó un auge muy


relevante desde la invención y desarrollo de las Microscopías de Sonda Próxima
(SPMs). El primer miembro de esta prolífica familia de instrumentos fue la
Microscopía de Efecto Túnel (STM), desarrollada en los años 80 en los laboratorios
centrales de IBM Zurich (2) y famosa por ser la técnica mediante la cual se obtuvo la
primera imagen con resolución atómica de una superficie (Binnig y Rohrer, los
padres de las SPMs, ganaron el premio Nobel en 1986 por el desarrollo de estas
técnicas). Esta tecnología se convirDó rápidamente en la piedra de toque en lo
referente al estudio de la catálisis y la ciencia de superficies gracias a su resolución
topográfica nunca vista anteriormente. Sin embargo, su uso estaba restringido a
muestras eléctricamente conductoras, limitación que desapareció rápidamente con
el desarrollo de la Microscopía de Fuerzas Atómicas (AFM) (3), técnica mediante la
cual todo Dpo de muestras, esto es, aislantes y conductoras, podían ser invesDgadas.
Pese a que la resolución topográfica de las imágenes obtenidas mediante AFM era
menor que en el caso de las obtenidas por STM, era todavía suficientemente buena
como para proporcionar imágenes con detalles subnanométricos en altura
(dimensión verDcal de las muestras) y su obvia versaDlidad extendió en gran manera
el número de aplicaciones de estas técnicas a todo Dpo de campos cienPficos. Ahora
ya era posible obtener imágenes con una mínima preparación de muestra, tato en
aire como en vacio o en una gran variedad de medios líquidos, principalmente
acuosos. Hoy en día, mediante el desarrollo de accesorios específicos, es incluso
posible realizar medidas topográficas en un rango de temperaturas que van desde
los 4K (en condiciones de ultra-alto vacío, UHV) hasta 250oC. Sin embargo, el AFM
es mucho más que una manera de obtener imágenes de la superficie de todo Dpo de
muestras; debe ser considerado como una plataforma instrumental desde la que
podemos acceder al nanomundo con una resolución nunca vista hasta ahora. En el
campo de la ciencia de materiales, por citar un ejemplo, el AFM puede ser usado
como un indentador clásico con la parDcularidad de permiDr controlar la fuerza
verDcal ejercida sobre la muestra (Fv) con una resolución en el rango de los
picoNewtons.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 2 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Estas nuevas posibilidades son extremadamente importantes, por ejemplo, para


caracterizar las propiedades mecánicas de capas delgadas y de los recubrimientos
tecnológicos avanzados usados en el diseño y producción de los llamados Sistemas
Micro- y NanoElectroMecánicos (MEMs y NEMs). Sin duda, este control de fuerza
tan preciso representa una auténDca revolución en el campo de la bioJsica, ya que
ahora son accesibles las propiedades mecánicas de células individuales, proteínas y
membranas celulares de manera experimental (4). El AFM también es capaz de
modificar la superficie de las muestras realizando rascados y oxidaciones locales,
permite caracterizar eléctrica (5) o incluso magnéDcamente las muestras y aplicar
nano-gotas de disoluciones moleculares sobre superficies de manera selecDva para
crear patrones funcionalizados sobre todo Dpo de sustratos.

Debido a todas estas razones, el AFM debe ser considerado como una plataforma
para explorar el nanomundo, como el núcleo de un sistema que constantemente es
actualizado con nuevos modos de trabajo, la implementación de los cuales está
demoliendo de manera paulaDna e inexorable las barreras que todavía separan la
química, la Jsica la biología y la ingeniería.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 3 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

2. Metodología y aplicaciones
Operación básica del AFM
El AFM se basa en el contacto mecánico entre una sonda (punta) microfabricada y la
superficie de la muestra de estudio (Fig. 1). Al tratarse de una técnica de barrido, la
punta escanea la superficie de la muestra y resuelve sus detalles superficiales a nivel
subnanométrico gracias a que el extremo de la punta es realmente pequeña
(alrededor de 5 nanómetros de radio). En cierto modo, su operación se asemeja a la
de un tocadiscos de vinilo, en el que la aguja resigue los surcos gravados en el
plásDco. A medida que el piezoeléctrico procede al escaneado en los ejes XY, la
palanca que sosDene la punta se deflexiona arriba o abajo (eje Z)y esta deflexión es
detectada mediante un láser que finalmente incide sobre la superficie de un
fotodetector, el cual se encarga de seguir la evolución de la sonda del microscopio.
Usualmente, el piezoeléctrico encargado del escaneado está situado debajo de la
muestra, aunque existen ciertos modelos de microscopio en los que la sonda es la
encargada del escaneado y la muestra permanece quieta durante el experimento.
Los piezoeléctricos instalados en los AFMs modernos permiten escanear regiones
superficiales que pueden ir desde cientos de nanómetros cuadrados hasta áreas de
200 micras de lado.

Fig 1. Esquema de un AFM.



La sonda se mantiene en contacto
con la superficie de la muestra, la
cual se mueve con gran precisión
en el eje XY gracias a un escáner
piezoeléctrico. La deflexión de la
palanca de la sonda es seguida
mediante un láser que es reflejado
sobre un fotodetector, el cual
permite detectar sus movimientos
verticales con una precisión
subnanométrica.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 4 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Modos topográficos: Modo de contacto


En este modo topográfico, la sonda del AFM se encuentra en contacto ínDmo con la
superficie de la muestra, manteniendo una deflexión de palanca constante, esto es,
aplicando una fuerza verDcal constante sobre la muestra. A parDr de este momento
inicial de contacto, el sistema de retroalimentación manDene esta deflexión
invariable mientras la sonda escanea la superficie de la muestra en el plano XY
mediante el movimiento del piezoeléctrico en el eje Z. De hecho, esta respuesta del
eje Z del piezoeléctrico corresponde a la topograJa de la muestra.

Este modo de trabajo permite obtener las imágenes de AFM con la máxima
resolución pero, debido a este contacto tan directo entre ambas interficies, puede
resultar demasiado agresivo y deformar la superficie de la muestra, creando
desperfectos superficiales o artefactos topográficos de todo Dpo. Además, el radio
de la punta crece rápidamente debido a las fuerzas de fricción establecidas durante
el escaneado. Todo esto conlleva una degradación paulaDna de la calidad de las
imágenes obtenidas. Por estas circunstancias, el modo de contacto está indicado
solamente para la obtención imágenes en las que la resolución verDcal es
absolutamente fundamental, principalmente en casos en los que las medidas se
realicen sobre materiales duros (polímeros, metales, óxidos) (6) o bien ciertas
muestras biológicas muy determinadas que presenten una gran ordenación
superficial (cristales de proteínas en dos dimensiones o canales iónicos en
membranas celulares, por citar un par de ejemplos).

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 5 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Modos topográficos: Modo de contacto intermitente


El modo de contacto intermitente es quizá el modo topográfico más comúnmente
empleado debido a que permite interactuar de manera muy suave con la muestra,
manteniendo su integridad y la de la sonda de AFM (Fig. 2b). Además, la
consistencia de los datos obtenidos, gracias a la mínima deformación de muestra, es
notable (Fig. 3e, f). En este modo topográfico, la sonda de AFM oscila a su
frecuencia de resonancia en el eje Z a una amplitud de vibración constante, la cual es
controlada por el sistema de retroalimentación. Así, el extremo de la sonda contacta
de manera intermitente con la superficie de la muestra y obDene su perfil
topográfico. La naturaleza de este contacto intermitente es suficiente para que la
sonda sea capaz de seguir la topograJa de la muestra y obtener imágenes con gran
resolución verDcal mientras aplica una fuerza verDcal muy baja sobre la superficie de
estudio. Debido a estas bondades, este modo puede ser usado para todo Dpo de
especímenes y es fundamentalmente indicado para material biológico (8), tanto en
aire como en medio líquido (9). Varias tentaDvas están en curso para combinar este
modo topográfico con otras técnicas que puedan aportar información química de la
muestra, como podrían ser la Espectroscopía de Infrarojo (IR), Espectroscopía
Raman o la Microscopía Elipsométrica de Barrido de Campo Cercano (SNEM) (10).

Una de las principales desventajas del AFM es la falta de información composicional


de la muestra de estudio. Sin embargo, el Modo de Fase, un modo secundario
derivado del contacto intermitente (Fig. 3d), puede proporcionar información
cualitaDva en este senDdo; este modo secundario, obtenido de manera paralela a la
imagen de contacto intermitente, se basa en la diferente canDdad de energía
disipada por la muestra a medida que la sonda de AFM “golpea” su superficie en
cada ciclo de oscilación. En este senDdo, los materiales más blandos absorben
(disipan) más energía que los materiales más rígidos, hecho que se materializa en un
diferente desplazamiento de la fase de la oscilación en cada uno de los casos.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 6 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Fig. 2. Los dos modos básicos topográficos de AFM. a) en el mode de


contacto, la sonda resigue la superficie de la muestra en contacto íntimo
mientras el lazo de retroalimentación mantiene la deflexión de la palanca de
la sonda constante. b) En el modo de contacto intermitente, la sonda oscila
de manera sinusoidal en el eje Z y solamente contacta con la muestra de
manera esporádica. En este caso, el lazo de retroalimentación actúa, no
sobre la deflexión de la palanca sino sobre la amplitud de la oscilación de la
misma. Esta magnitud es también registrada por el fotodetector mediante el
seguimiento del movimiento del láser sobre el mismo.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 7 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Modos topográficos: Modo Peak Force®


En este modo topográfico la sonda de AFM contacta la superficie de la muestra y se
separa de la misma a una frecuencia de 0.5 a 2 KHz. En cada ciclo, la fuerza verDcal
ejercida por la sonda sobre la superficie de la muestra se controla de manera muy
precisa para maximizar la duración de la sonda y reducir al mínimo la deformación y
el daño ocasionado a la muestra. Ya que este control está totalmente implementado
en el sonware y se efectúa de manera automáDca, el modo Peak Force® es
extremadamente interesante para usuarios noveles y expertos que precisan de una
alta resolución topográfica. Además, la calidad de imagen sin precedentes
proporcionada por este modo debida al bajo desgaste al que es someDda la sonda lo
converDrán en un nuevo estándar en el campo de la metrología mediante AFM. Un
ejemplo ilustraDvo de estas virtudes se puede apreciar en la Fig. 3a) y b), en la cual
se muestran imágenes de nanoparPculas con un diámetro de 10 nanómetros
depositadas sobre silicio. La imagen a) corresponde a datos capturados en el modo
de contacto intermitente y b) corresponde a la imagen obtenida mediante Peak
Force®. En el caso b), las parPculas aparecen significaDvamente más pequeñas que
en a), a pesar de estar escaneándose exactamente la misma muestra; esta diferencia
es debida a que la resolución lateral (en el plano XY) de las imágenes de AFM
depende en gran medida del radio de la sonda uDlizada. Inicialmente, las sondas
empleadas en ambos modos Denen el mismo radio pero el modo de contacto
intermitente es más agresivo y desgasta el extremo de la sonda rápidamente desde
los 2 nanómetros iniciales a un valor alrededor de 5 nanómetros simplemente
después de unas pocas líneas de escaneado. El modo Peak Force® es más suave y
manDene el radio inicial durante mucho más Dempo. Como resultado, la resolución
lateral de las imágenes obtenidas en este segundo modo es mayor y el diámetro de
las nanoparPculas medido experimentalmente es mucho más cercano a su valor
real.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 8 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Fig. 3. Imágenes topográficas obtenidas mediante AFM en muestras


poliméricas, derivadas de la industria microelectrónica y de la biología.
Tamaño de las imágenes: a) y b) 500x500nm2; c) y d) 30x30μm2; e) 50x50
μm2; f) 12x12μm2. Las imágenes a) y b) corresponden a la misma muestra,
demostrando que el modo Peak Force® está menos influenciado por el radio
de la sonda de AFM usada, lo cual resulta en partículas con un diámetro
mucho más cercano a la realidad. Las imágenes c) y d) fueron obtenidas
simultáneamente; la imagen de fase mostrada en d) ejemplifica un contraste
composicional que es imposible de detectar en la imagen topográfica c).

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 9 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

3. Nanotribología y nanomecánica:

Espectroscopía de Fuerzas

La sonda de AFM puede ser usada como un nanoindentador para testear la


respuesta mecánica de todo Dpo de muestras (11,12,13). Su principal ventaja es que
las medidas pueden realizarse con una resolución espacial en los ejes XY en el rango
nanométrico y que la fuerza verDcal aplicada sobre la muestra puede ser tan
pequeña como unas decenas de nanoNewtons. Consideremos un caso prácDco en el
que tengamos una matriz polimérica con nanoparPculas embebidas en la misma; un
indentador clásico sería capaz de obtener el módulo de Young (E) de una región
superficial en el rango milimétrico, mientras que el AFM es capaz de realizar
nanoindentaciones locales de manera independiente en la matriz y en las
nanoparPculas. Además, la profundidad de muestra testeada puede mantenerse
también en el rango nanométrico, mientras que en el caso del indentador clásico no
es posible separar las propiedades superficiales de las del material en bulk. Este
hecho es realmente interesante en el campo de la biología, donde las muestras
usualmente Denen grosores en el rango de las micras y donde es extremadamente
diJcil obtener información nanomecánica cuanDtaDva mediante otras técnicas (Fig.
4). En los CCiTUB, se han medido valores de E de agregados de proteínas
depositados sobre mica de manera cuanDtaDva (14), aunque nuestro principal sector
de actuación ha sido la caracterización de membranas de fosfolípidos y
nanomateriales. En este campo, se ha caracterizado de manera cuanDtaDva la fuerza
verDcal necesaria para indentar membranas celulares en una gran variedad de
medios líquidos y condiciones salinas (15), diferentes valores de pH (16) y diferentes
composiciones fosfolipídicas (17,18,19,20). En lo que concierne a monocapas, se han
realizado experimentos en los que se ha demostrado que los ácidos grasos y los
Doles se deforman de una manera cuanDzada y progresiva bajo la presión ejercida
por la sonda de AFM, aportando valiosa información acerca del empaquetamiento
bidimensional de estas estructuras (21,22). En lo que refiere a los materiales duros,
la exploración y comparación de los valores de E obtenidos por métodos clásicos y
mediante AFM están llevando a la comprensión de las diferentes propiedades
mecánicas mostradas por los materiales en función del volumen de interacción entre
indentador y muestra (profundidad de la huella) (11,12,13). Otros parámetros que
pueden extraerse de estos experimentos nanomecánicos, también llamados curvas
de fuerza, son la fuerza de adhesión entre sonda y muestra, la fuerza verDcal
necesaria para deformar de manera permanente la superficie de estudio y la fuerza
necesaria para desencadenar una transición elastoplásDca.
Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 10 de 21
Técnicas Microscópicas de Caracterización

Fig. 4. Medidas nanomecánicas realizadas mediante AFM. a) Cuando una muestra es comprimida
mediante una sonda de AFM, se obtiene una curva de fuerza. En el caso de materiales mono/
muticapas, es posible cuantificar de manera muy precisa la fuerza vertical necesaria para indentar la
muestra (esta rotura se muestra como una discontinuidad en la curva de aproximación (roja)
mostrada en la figura 4a. b) Imágenes de proteínas globulares obtenidas mediante AFM en la
superficie de las cuales se han realizado curvas de fuerza. Un mapa del valor de E se ha añadido a
las imágenes topográficas. c) La nanomecánica de las membranas fosfolipídicas puede ser
caracterizada, al igual que la fuerza de rotura de las membranas en función de la longitud de las
cadenas hidrocarbonadas de los fosfolípidos depositados sobre un sustrato (en este caso, su longitud
varía entre 14 y 20 carbonos).

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 11 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Gracias al modo de trabajo QuanDtaDve NanoMechanics® (QNM) derivado de la


tecnología Peak Force® desarrollada por Bruker, todos los parámetros mecánicos
citados en este capítulo se pueden obtener de manera cuanDtaDva y a Dempo real
mientras se captura una imagen topográfica de la superficie de la muestra (Fig. 5). El
rango de valores de E accesibles mediante este Dpo de medidas va desde las
decenas/centenares de KPa (muestras biológicas blandas, monocapas, proteínas)
hasta 100GPa (metales, óxidos, recubrimientos duros).

Fig. 5. Cristales de sal depositados sobre una superficie de mica y


analizados mediante QNM. Este modo nanomecánico permite obtener
información muy precisa sobre parámetros nanomecánicos de las muestras
que aportan detalles sobre las propiedades fisicoquímicas de la superficie de
las mismas. Tamaño de la imagen mostrada: 20x20μm2.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 12 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización


Microscopía de Fuerzas de Fricción (FFM, LFM)
El modo FFM es capaz de cuanDficar las propiedades nanotribológicas de una gran
variedad de muestras (23). Este Dpo de medidas Denen un gran interés cuando es
preciso estudiar especímenes provenientes del campo de la ciencia de materiales y
es especialmente úDl para caracterizar el rendimiento de capas delgadas y
recubrimentos avanzados (24). En los úlDmos años, el modo FFM también se ha
aplicado a capas orgánicas, tanto en aire como en líquido, llegando a obtener
información que había sido imposible abordar hasta la fecha con otras técnicas
(25,26,27). El principio de operación de la FFM es el siguiente: la muestra es
escaneada por la punta de AFM en la dirección que es perpendicular al eje principal
de la palanca de la sonda de AFM (Fig. 6a). De esta manera, se crea una torsión
lateral de la palanca que puede ser experimentalmente detectada siguiendo el
movimiento del láser en un fotodetector provisto de cuatro cuadrantes. Esta
desviación lateral del láser es proporcional a la fuerza de fricción (Ff) establecida
entre la sonda y la superficie de la muestra, que a su vez es proporcional a la fuerza
verDcal ejercida por la sonda de AFM sobre la muestra (cuanDficada como el
desplazamiento verDcal del láser en el fotodetector). Ff se puede medir de manera
cuanDtaDva en el rango de fuerzas comprendido entre las decenas de picoNewtons y
los centenares de nanoNewtons en función de la rigidez de la sonda de AFM usada.
La Fig. 6b) muestra una vista frontal de la palanca y de la punta de la sonda de AFM
y como el movimiento de escaneado durante el experimento de FFM crea una
torsión lateral de la palanca, la cual a su vez es transducida como una desviación
lateral en el fotodetector.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 13 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Fig. 6. Principio de operación del FFM. a) La dirección de escaneado


perpendicular al eje principal de la palanca de la sonda de AFM crea un
momento de torsión que es proporcional al valor de Ff establecido entre la
sonda y la muestra. b) La respuesta de fricción puede medirse en función de
la fuerza vertical aplicada por la sonda sobre la superficie de la muestra para
obtener parámetros nanomecánicos tan importantes en el mundo del diseño
industrial como el coeficiente de fricción o la energía disipada durante el
deslizamiento.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 14 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

4. Caracterización eléctrica y magnética de muestras:


AFM de Conducción (C-AFM)
El C-AFM es un modo de trabajo secundario derivado del modo topográfico de
contacto que caracteriza las variaciones de conducDvidad en muestras tanto de baja
como de alta conducDvidad. El principio de operación es muy simple: se aplica una
diferencia de potencial entre una sonda de AFM recubierta con un film conductor y
la muestra; cuando ambas interficies están en contacto, una determinada intensidad
de corriente eléctrica (I) fluye a través de la interfase. Gracias al diseño del
preamplificador de alta ganancia, valores de intensidad tan pequeños como decenas
de femtoAmperios pueden ser detectados y medidos cuanDtaDvamente. De hecho,
el Dpo de información final obtenida es un mapa superficial de I juntamente a una
imagen topográfica (28). La posibilidad de realizar este Dpo de medidas es de
especial importancia para la industria fotovoltaica y microelectrónica pero también
para el desarrollo de nuevos nanomateriales como nanotubos (29) y grafeno (30),
donde la conducDvidad de componentes extremadamente pequeños debe ser
medida con gran precisión. Las variaciones del valor de I obtenidas en los mapas
indica la presencia de defectos en los materiales semiconductores, el control y
caracterización de los cuales es de vital importancia en los procesos de fabricación.
Además, la posibilidad de controlar la posición de la sonda de AFM en el rango
nanométrico permite al usuario emplazar la sonda sobre un punto específico de la
superficie de la muestra, ejercer una determinada fuerza verDcal y aplicar
simultáneamente una rampa de potencial determinada para realizar un experimento
de Intensidad vs. Voltaje en el rango nanométrico.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 15 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización


Microscopía de fuerzas MagnéRcas (MFM)

El MFM es un modo de trabajo secundario derivado del contacto intermitente que


permite al usuario mapear gradientes de campo magnéDco generados por la
superficie de la muestra. Gracias al uso de una sonda de AFM recubierta con un film
magnéDco, la imagen topográfica y de gradiente magnéDco de la superficie pueden
obtenerse de manera simultánea. Así, la resolución espacial de esta técnica ha
permiDdo por vez primera abordar el estudio de imanes moleculares de manera
individual y de capas delgadas magnéDcas de forma extremadamente local (31)

(Fig. 7).

Para poder operar en este modo de trabajo, es necesario uDlizar una sonda de AFM
recubierta con un film ferromagnéDco. Mientras se desarrolla el escaneo de la
muestra en modo contacto intermitente de la manera usual, la interacción
magnéDca establecida entre la sonda y la superficie de la muestra induce pequeñas
variaciones en la fase de la vibración de la palanca, señal que se considera como
proporcional a las variaciones del campo magnéDco superficial de la muestra. Esta
técnica se uDliza para examinar materiales que presentan magneDsmo de manera
natural pero también estructuras en las que se ha escrito información magnéDca de
manera deliberada (Fig. 7a y 7b).

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 16 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización


Medidas de Potencial Superficial (SP)
El SP es un modo de trabajo secundario derivado del contacto intermitente que
permite al usuario mapear los cambios en el potencial superficial de la muestra de
estudio. Para ello, es necesario uDlizar una sonda que sea sensible a las cargas
eléctricas, siendo común el uso de una sonda convencional recubierta con un film
conductor, como podría ser diamante dopado (muy adecuado por presentar una alta
resistencia al desgaste). Cabe destacar que no es necesario que la muestra sea
conductora, ya que una muestra aislante también puede mostrar cargas
superficiales. En este senDdo, el modo no se basa en la medida de la intensidad de
corriente que fluye a través del circuito sonda-muestra (como sería el caso del C-
AFM) porque no se aplica ninguna diferencia de potencial entre ambas superficies.
Esta técnica, por ejemplo, puede aplicarse para detectar las suDles diferencias de
carga generadas por la formación de monocapas orgánicas sobre un sustrato o para
idenDficar diferentes dominios composicionales en una bicapa de fosfolípidos de
varios componentes. Cabe destacar que una técnica ligeramente más refinada
llamada Microscopia de Fuerzas de Potencial Superficial (SPFM) es capaz de
detectar interacciones de la misma naturaleza pero operando en auténDco no-
contacto. Por tanto, el SPFM es capaz de obtener imágenes de nano-gotas de
líquidos depositadas sobre superficies, siendo de especial interés para el estudio de
lubricantes en dos dimensiones (33) y para estudios de corrosión (34).

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 17 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Fig.7. Los granos de ferrita presentes en la superficie de una cinta de video


analógico se pueden detectar topográficamente a) de manera simultánea a
los dominios magnéticos b) mediante el uso del MFM. De la comparación
de las dos imágenes obtenidas cabe destacar que no existe ningún tipo de
correlación entre las dos señales obtenidas, es decir, no hay ningún tipo de
interferencia entre ambas señales.. Las figuras c) y d) corresponden a la
topografía y a la señal de carga superficial (SP) de una muestra metálica. El
análisis de estas dos imágenes muestra que, aunque la topografía es
relativamente plana, la señal de SP es capaz de discernir dominios que
pueden ser relacionados con gradientes composicionales reales.

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 18 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Glosario
SPM. Scanning Probe Microscope

STM. Scanning Tunnelling Microscope

AFM. Atomic Force Microscope

UHV. Ultra High Vacuum

Fv. Vertical Force

MEMs. MicroElectroMechanical Systems

NEMs. NanoElectroMechanical Systems

SNEM. Scanning Near Field Ellipsometer Microscopy

E. Young’s modulus

QNM. Quantitative Nanomechanical Property Mapping

Ff. Friction Force

FFM o LFM. Friction Force Microscopy (o Lateral Force Microscopy) C-AFM.
Conductive AFM

I. Current Intensity

V. Potential

SP. Surface Potential

SPFM. Surface Potential Force Microscopy

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 19 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

Referencias

1. Díaz-Marcos J., Velásquez A., Oncins G. 2001 Revista de la sociedad Española


de Químicos Cosméticos mayo-junio 5
2. Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. 1982 Phys. Rev. Lett. 49 57
3. Binnig G., Quate, C.F., Edward L., Gerber Ch. 1986 Phys. Rev. Lett. 56 930
4. Garcia-Manyes S., Sanz F. 2010 BBA Biomembranes 1798 741
5. Villares A., Lydon D.P, Low, P.J., Robinson, G.J., Ashwell G.J., Royo, F.M., Cea
P. 2008 Chem. Matter 20 258
6. Palacios-Padrós, A. Caballero-Briones, F., Sanz F. 2010 Electrochemistry Comm.
12 1025
7. Valle-Delgado J.J., Alfonso-Prieto M., De Groot N., Ventura S., Samitier J.,
Rovira C., Fernández-Busquets X. Faseb Journal 24 4250
8. Basas M., Díaz J., Prieto M.J. Manresa A. 2008 Microbiology and Biotechnology
78 587
9. Haro M., Villares A., Martín I., Oriol L., Cea P. 2010 Current Applied Physics 10
874
10. Davide D., Tranchida D., Díaz J., Schön P., Schönherr H., Vancso J. 2011
Nanoscale 3 233
11. Roa J.J., Oncins G., Díaz J., Capdevila X.G., Sanz F., Segarra M. 2011 J.
European Ceramic Society 31 429
12. Roa J.J. Jiménez-Piqué E., Capdevila X.G. Segarra M. 2010 J. European
Ceramic Society 30 1477
13. Roa, J.J., Oncins G., Díaz J., Capdevila X.G. Segarra M. 2010 Recent Patents in
Nanotechnology 5 27
14. Díez-Gil C., Krabbenborg S., Garcia-Fruitós E. 2010 Biomaterials 31 5805


15. Garcia-Manyes S., Oncins G., Sanz F. 2005 Biophysical Journal 891812
16. Garcia-Manyes S., Oncins G., Sanz F. 2005 Electrochimica Acta 51 5029

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 20 de 21


Técnicas Microscópicas de Caracterización

17. Garcia-Manyes S., Redondo-Morata L., Oncins G., Sanz F. J. Am. Chem. Soc.
132 12874
18. Nussio M.R., Oncins G., Ridelis I. 2009 J. Phys. Chem. B 113 10339
19. Oncins G., Picas L., Hernández-Borrell J. 2007 Biophys. J. 93 2713
20. Garcia-Manyes S., Oncins G., Sanz F. 2005 Biophys. J. 89 4261
21. Oncins G., Vericat C., Sanz F. 2008 J. Chem. Phys. 128 044701
22. Oncins G., Torrent-Burgués J., Sanz F. 2008 J. Phys. Chem. C 112 1967
23. Carpick R.W., Salmeron M. 1997 Chemical Reviews 97 1163
24. Corbella C., Vives M., Oncins G., Canal C., Andújar J.L., Bertran E. 2004
Diamond and Related Materials 13 1494
25. Oncins G., Garcia-Manyes S., Sanz F. 2005 Langmuir 21 7373
26. Gállego I., Oncins G., Sisquella X., Fernández-Busquets X., Daban J.R. 2010
Biophysical Journal 99 3951
27. Torrent-Burgués J., Oncins G., Garcia-Manyes S., Sanz F. 2010 Biomimetics in
Biophysics: Model Systems, Experimental Techniques and Computation.
Research Signpost, Trivandrum, India
28. Gómez-Navarro C., dePablo P.J., Gómez-Herrero J., Biel B., García Vidal F.J.,
Rubio A., Flores F. 2005 Nature Materials 4 534
29. Sundqvist P., Garcia-Vidal F.J., Flores F., Moreno-Moreno M., Gomez-Navarro
C., Bunch J.S., Gomez-Herrero J. 2007 Nano Letters 7 2568
30. Mativetsky J.M., Treossi E., Orgiu E., Melucci M., Veronese G.P., Samori P.,
Paermo V. 2010 J. American Cehemical Society 132 14130
31. Puntes V.F., Gorostiza P., Aruguete D.M., Bastus N.G., Alivisatos A.P. 2004
Nature 263
32. Xu L., Salmeron, 1998 M. J. Phys. Chem. B 102 7210
33. Xu L., Ogletree D.F., Salmeron M., Tang H.A., Gui J., Marchon B. 2000. J.
Chem Phys. 112 2952
34. Verdaguer A., Weis C., Oncins G., Ketteler G., Bluhm H., Salmeron M. 2007
Langmuir 23 9699

Módulo 4: Microscopía de Fuerzas Atómicas Página 21 de 21

Das könnte Ihnen auch gefallen