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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA


MECÁNICA Y ELÉCTRICA

DISPOSITIVOS

ESPINOSA CAN SERGIO ANDRES

PRACTICA 1: CARACTERISTICAS
ELECTRICAS DEL DIODO CON SEÑAL DE
C.D.

BUSTAMANTE BAÑOS FRANCISCO BARUC


MORALES GONZÁLEZ JORGE LUIS

5CV2
RESUMEN
Se realizó el armado de los circuitos, que permitan obtener las características
eléctricas del diodo de SI (silicio, y de un diodo emisor de luz (LED), como voltajes,
corrientes, resistencia interna y potencia de consumo, y se interpretaron las
mediciones realizadas con ayuda de los instrumentos de mediciones como el
multímetro y/ó osciloscopio. Reportando los resultados medidos en tablas y/ó
graficas según lo indico el desarrollo

PRESENTACION
Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal porque la gráfica de su corriente
en función de su tensión es una línea recta. Un diodo es diferente, es un dispositivo
no lineal por que la gráfica de corriente en función de la tensión no es una línea
recta. La razón es la barrera de potencial: cuando la tensión del diodo es menor que
la barrera de potencial, la corriente del diodo es pequeña; si la tensión del diodo
supera esta barrera de potencial, la corriente del diodo aumenta rápidamente.
La resistencia interna para tensiones mayores que la tensión umbral (o tensión de
codo), la corriente del diodo crece
rápidamente, lo que quiere decir que aumentos pequeños en la tensión del diodo
originaran
grandes incrementos en su corriente.
Se puede calcular la disipación de potencia de un diodo de la misma forma que se
hace para una
resistencia. Es igual al producto de la tensión por la corriente del diodo.
Expresándolo
matemáticamente:
Pd = VdId (potencia del diodo)
La limitación de potencia es la máxima potencia que el diodo puede disipar con
seguridad sin acortar su tiempo de vida o degradar sus características de operación.
Su definición es:
Pmax=VmaxImax (potencia del diodo máxima)
Curva característica del diodo. La forma de funcionamiento de un diodo común de
silicio se puede apreciar observando la curva característica que se crea cuando se
polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos casos la curva
gráfica muestra la relación existente entre la corriente y la tensión o voltaje que se
aplicada a los terminales del diodo.
PROCEDIMIENTO
 Proponer el dispositivo (diodo de SI comercial y valores de resistencias
comerciales) que se deseen emplear en la práctica, y consultar las hojas de
especificaciones del diodo (de SI), que se utiliza para el desarrollo de la
práctica. Preferentemente que los diodos y resistencias sean de ½ W o más
watts.
 Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, así como la serie
del dodo de (SI) y las características eléctricas.
 Armar el circuito como se muestra en la fig. 2.1; realizar y registrar las
mediciones, como se indica en la tabla. Realizarlo con el Diodo de SI .

 Invertir la polaridad de la fuente, y realizar las mediciones de voltaje y


corriente en el diodo SI.
 Graficar en papel milimétrico, los datos de la tabla 2.1 y 2.2 , considerando
el eje vertical I (corriente) y el eje horizontal para V (voltaje), para el diodo
de silicio. A partir de la gráfica realizada en papel milimétrico, efectuar los
cálculos correspondientes para obtener la resistencia estática (𝑅𝐷 ),
resistencia dinámica (𝑟𝐷 ) y potencia de consumo del diodo (𝑃𝐷 ). Anexar los
cálculos realizados. Trazar la recta y punto de operación en la gráfica que
se obtuvo con los datos de la tabla.
 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.

 Proponer el dispositivo (diodo LED comercial y valores de resistencias


comerciales) que se deseen emplear en la práctica, y consultar las hojas de
especificaciones del LED que se utilizara para el desarrollo de la práctica.
Preferentemente que los diodos y resistencias sean de ½ W o más watts.
 Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, así como la serie
del diodo del LED y las características eléctricas.
 Armar el circuito como se muestra en la fig. 2.2; realizar y registrar las
mediciones, como se indica en la tabla, Realizarlo con el LED rojo de baja
intensidad.
 Invertir la polaridad de la fuente, y realizar las mediciones de voltaje y
corriente en el LED.
 Graficar en papel milimétrico, los datos de la tabla 2.3 y 2.4, considerando
el eje vertical I (corriente) y el eje horizontal para V (voltaje), para el LED
rojo. A partir de la gráfica realizada en papel milimétrico, efectuar los
cálculos correspondientes para obtener la resistencia estática (𝑅𝐿𝐸𝐷 ),
resistencia dinámica (𝑟𝐿𝐸𝐷 ) y potencia de consumo del diodo (𝑃𝐿𝐸𝐷 ). Anexar
los cálculos realizados. Trazar la recta y punto de operación en la gráfica
que se obtuvo con los datos de la tabla.
 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.

RESULTADOS
 Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, así como la serie
del dodo de (SI) y las características eléctricas.

Características del diodo 1N4004:


 Corriente en directo max.: 1 A
 Corriente pico en directo (8.3ms): 30 A
 Voltaje en directo max. (@ 1A): 1.1 V
 Voltaje DC inverso max.: 400 V
 Encapsulado: DO-41
Características de la resistencia de 330 ohm a ½ W:
 Valor: 330 ohm
 Potencia: ½ W
 Tolerancia: ±5%
TABLA 2.1 MEDICIONES EN POLARIZACION DIRECTA DIODO DE SILICIO
(SI)
DIODO DE SILICIO (SI)
𝑽𝑺 𝑽𝑫 𝑰𝑫
0V 0V 0A
0.2V 0.1 V 0.1uA
0.4V 0.3 V 0.05mA
0.6V 0.3 V 0.28mA
0.8V 0.4 V 0.70mA
1V 0.4 V 1.4mA
2V 0.5 V 4.06mA
3V 0.5 V 6.96mA
4V 0.5 V 9.90mA
5V 0.5 V 12.65mA

Figura 2.1.1 primera medición 0v en Vs

TABLA 2.2 MEDICIONES EN POLARIZACION INVERSA


DIODO DE SILICIO (SI)
𝑽𝑺 𝑽𝑫 𝑰𝑫
-1V 0.9V 0
-2V 1.7V 0.1uA
-3V 2.6V 0.2uA
-4V 3.6V 0.3uA
-5V 4.5V 0.4uA
Figura 2.2.1 primera medición 0v en Vs
2.2.1. Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, así como la
serie del diodo del LED y las características eléctricas.
Características del diodo LED rojo:
Color Caída de Intensidad Intensidad
tensión máxima media

( VLED ) V ( ILED ) mA ( ILED )mA


Rojo 1.6 20 5 – 10

Características de la resistencia de 330 ohm a ½ W:


 Valor: 330 ohm
 Potencia: ½ W
 Tolerancia: ±5%
TABLA 2.3 MEDICIONES EN POLARIZACION DIRECTA DIODO LED
LED
𝑽𝑺 𝑽𝑳𝑬𝑫 𝑰𝑳𝑬𝑫
0V 0V 0A
0.2V 0V 0A
0.4V 0.03V 0A
0.6V 0.06V 0A
0.8V 0.24V 0A
1V 0.39V 0A
2V 0.8V 0.90mA
3V 1V 3.30mA
4V 1.1V 5.9mA
5V 1.4V 8.1mA
Figura 2.3.1 última medición a 5V en Vs
TABLA 2.4 MEDICIONES EN POLARIZACION INVERSA
DIODO LED
𝑽𝑺 𝑽𝑳𝑬𝑫 𝑰𝑳𝑬𝑫
-1V -0.9V 0
-2V -1.8V -0.1uA
-3V -2.5V -0.2uA
-4V -3.7V -0.3uA
-5V -4.5V -0.4uA

Figura 2.4.1 primera medición a 0V en Vs


CONCLUSIONES