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computadores/Memorias
< Diseño de circuitos digitales y tecnología de computadores
Memoria es la sección de un sistema digital encargada del almacenamiento permanente o temporal de la información del sistema.
Sobre la memoria se pueden hacer dos operaciones:
Lectura: la memoria presenta en sus terminales de salida el contenido de la localidad seleccionada. La lectura se puede hacer en todos
los tipos de memoria.
Escritura: se escribe el dato presente en los terminales de entrada en la localidad seleccionada. No todos los tipos de memoria
permiten la escritura.
La ejecución de una operación de lectura o escritura se denomina acceso a memoria.
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Utilizar una batería. La RAM es de tipo CMOS para prolongar la vida de la batería. En ocasiones, las baterías van
encapsuladas en el mismo chip.
Usar un chip NVRAM: contiene una RAM más una EEPROM, tal que cada cenda de la EEPROM respalda a una celda RAM, y
entre ellas la trasferencia es bidireccional. Durante el funcionamiento normal, la NVRAM es una RAM. Cuando se desconecta
la alimentación, la información permanece en la EEPROM; cuando se conecta, la RAM recupera la información de la EEPROM.
Organización en paralelo[editar]
Las celdas de cada localidad son independientes entre sí. Las localidades se conectan en
serie conectando en serie las celdas del mismo peso o índice, conservando el paralelismo
entre las de distinto peso. El esquema siguiente muestra una SAM organizada en paralelo
de m×n bits (m localidades de n bits cada una).
El diagrama siguiente representa de forma simplificada el esquema anterior:
Una SAM paralelo puede implementarse utilizando registros con entradas y salidas en
paralelo. La figura siguiente muestra el esquema general de una SAM paralelo de m×n bits
realizada con registros de desplazamiento:
Memoria FIFO (fila/cola)[editar]
El primer dato que entra en la memoria (en ser escrito) es el primero en salir (en ser leído).
Los terminales de entrada de la fila se corresponden con los de la primera posición de la
memoria SAM. Los terminales de salida de la fila se corresponden con los de la última
localidad de la memoria SAM. La operación de lectura es destructiva: al leer un dato
desaparece de la memoria.
Memoria LIFO (pila)[editar]
El último dato que ha sido escrito es el primero en salir de la memoria. Los terminales de
entrada y de salida de la memoria LIFO se corresponden con los de la primera posición de la
memoria SAM. La operación de lectura es destructiva: al leer un dato desaparece de la
memoria.