Área: Electrónica y sistemas de Control

Prof. Asociada: Dra. Gloria E. Alzugaray

Jefe de TP: Ing. Matías Orué
Ayudantes: Ing. Nicolás Pirog, Ing. Rodrigo Agosta, Téc. Martín Bär
UTN - Facultad Regional Santa Fe

ELECTRÓNICA Y SISTEMAS DE CONTROL

Carrera Ingeniería Mecánica

DIODOS ESPECIALES- 1RA PARTE

 TIPOS DE DIODOS
Introducción general a diversos diodos con propiedades eléctricas especiales

Existen distintos tipos de diodos en los cuales por su geometría, nivel de

dopaje o materiales semiconductores se diseñan de modo de lograr un
desempeño adecuado para ciertas funciones especiales. Los mas
habituales y sus símbolos se ilustran en la figura

• Diodo Zener,
• Diodo varicaps,
• Diodo túnel,
• Diodo Schottky,
• Diodo LED,
• Fotodiodos,
• Diodos láser
 DIODO ZENER

Estos diodos, tienen propiedades similares a la de un diodo

normal “pn”. La característica V—I, obedece en polarización
directa, a la característica exponencial donde:
 DIODO ZENER

En polarización inversa, el comportamiento es similar al diodo pn,

siempre que la tensión inversa no sea excesiva.
A partir de una determinada tensión “Vzk”, se produce la “ruptura
de la juntura” que hace que aumente la corriente inversa, sin que
aumente la tensión.

Dentro de ciertos límites de corriente

inversa, esta ruptura no es destructiva.
De allí la aplicación de este elemento
como “tensión de referencia” o de
“regulación de tensión”.
 TIPOS DE RUPTURA INVERSA

por avalancha: A medida que aumenta la tensión de

polarización inversa, crece la región de vaciamiento y el valor
de Emax, los e- adquieren suficiente energía, al chocar con la
red generan nuevos portadores produciéndose la ruptura de
enlaces. Estos colisionan con otros, liberando sus enlaces.
Este proceso se denomina “multiplicación por avalancha”.
Este efecto multiplicador debe ser limitado con una resistencia
en serie externa para evitar la destrucción del diodo
por efecto Zener: si el dopaje del diodo es importante, la
zona de vaciamiento será más reducida y no habrá distancia
suficiente para acelerar los portadores para generar el efecto
avalancha. En este caso si la V inversa es suficientemente
grande se produce el desprendimiento de portadores de la
zona de vaciamiento por un efecto cuántico llamado efecto
túnel.
 Construcción del ZENER

Un diodo Zener esta construido, dopando fuertemente las regiones

p y n de la juntura pn.
Si la disipación de energía en el Zener no excede algún valor
máximo permitido, determinado por el tamaño, forma y capacidad
de disipación de calor del zener, el proceso de ruptura inversa no es
catastrófica.

Para diodos con tensiones de ruptura por debajo de los 6 volt, el

mecanismo de ruptura es por “efecto Zener”. Por encima de este
valor el mecanismo de ruptura es por “avalancha”. Cualquiera sea el
mecanismo de ruptura, se les denomina “diodos Zener”.
En PI el diodo Zener presenta una
región de tensión casi constante para un
rango amplio de corrientes se los utiliza
para obtener una tensión regulada.

El circuito elemental se muestra en la

Fig. Eligiendo la resistencia R y las
características del diodo, se puede
lograr que la tensión en la carga (RL)
permanezca prácticamente constante
dentro de un rango de variación de la
tensión de entrada

Para elegir la resistencia limitadora R

adecuada hay que calcular cual puede
ser su valor máximo y mínimo de
acuerdo con la corriente IL mínima y
máxima, las corrientes de Zener
mínimas y máximas.
 Características de temperatura
La tensión de ruptura es función de la temperatura. Esta
dependencia se especifica, mediante el coeficiente de
temperatura, definido como “el cambio de la tensión de
referencia (%) por grado centígrado de variación de la
temperatura”.
Este valor suele estar comprendido entre ± 1% / ºC dependiendo
de la tensión de ruptura.
Tolerancia de los diodos Zener y su variación con la
temperatura

La tensión de Zener puede ser controlada en el proceso

de fabricación mediante el ajuste del dopaje. En general
la tolerancia típica de Vz es del 5% o 10%, aunque se
logran tolerancias de hasta 0.05%.

Cuando la ruptura se produce por efecto Zener la tensión

Vz presenta un coeficiente de variación negativo con la
temperatura. En cambio, cuando predomina el efecto de
avalancha Vz tiene un coeficiente positivo de variación
con la temperatura. Los diodos Zener de silicio de 5.6 V
son muy populares, ya que ambos efectos se producen
en simultaneo, compensando la variación de temperatura.
 Resistencia dinámica

En la zona de la ruptura, rd no es constante, sino que se va

incrementado levemente, con el aumento de la corriente inversa.
La “resistencia dinámica del diodo Zener” está dada por
rd = Vz / Iz.
Este valor suele estar comprendido en ≈ 5Ω para Zener con
tensiones de ruptura de alrededor de los 6 volt y se incrementa
para tensiones de ruptura mayores y menores a 6 volt.

Capacidad del diodo Zener

Estos como toda juntura pn, presentan una capacidad
(capacidad de transición) cuyo valor varía en razón inversa a la
tensión aplicada Ct ≈ 10 a 10.000 pF.
Diodo Varicap

El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un

tipo de diodo que basa su funcionamiento en la variación de
extensión de la zona de vaciamiento de la unión PN en
función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos.

Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa

barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este
modo se obtiene un condensador variable controlado por
tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en

sintonizadores de TV modulación de frecuencias en
transmisiones de FM y radio y en los osciladores
controlados por voltaje (VCO).
La unión PN polarizada
inversamente puede asimilarse a
un condensador de placas planas
(zona de transición).

Esta capacidad se llama

Capacidad de Transición (CT). Al
aumentar la tensión inversa
aumenta la zona de transición. Un
efecto parecido al de separar las
placas de un condensador (CT
disminuye).

Capacidad dependiente de la
tensión inversa. Un diodo Varicap
tiene calibrada y caracterizada esta
capacidad. Uso en equipos de
comunicaciones (p.e. Control
automático de frecuencia en
sintonizadores)
 Diodos de capacidad variable (varicaps)

La juntura “pn” presenta características de “capacidad eléctrica”

ante variaciones tanto de la tensión inversa aplicada, como de la
tensión directa. Podemos entonces distinguir dos tipos de
capacidad: la capacidad de la de transición (Ct) y la capacidad
de difusión o almacenamiento (Cd).
 Diodos varicaps: Capacidad de transisión “Ct”

Aparece cuando se polariza inversamente la juntura

provocando que los portadores mayoritarios se alejen de la
juntura dejando descubierta la denominada “carga espacial”
debido a los átomos ionizados. El grueso de esta capa de carga
espacial, aumenta con la tensión inversa. Este aumento de
carga puede considerarse como un efecto de capacidad

Ct =│Q/V│

Donde Q es el aumento de carga provocado por un aumento de

V de la tensión aplicada.
El valor de Ct lo podemos expresar:
Ct = ε.A/W
ε: permitividad del material
A: Area de la juntura transversal
W: Ancho de la zona de la carga espacial
 Diodos varicaps
Capacidad de difusión “Cd”

Esta aparece cuando la juntura esta polarizada directamente.

El origen de esta capacidad tiene lugar en el almacenamiento de las

cargas inyectadas en la vecindad de la juntura, fuera de la región de
transición. La variación de esta carga inyectada, con la variación de la
tensión directa aplicada nos define una capacidad incremental:

Cd = Q/V = τ.I / η.vT

vT: tensión térmica ≈ T [ºK]/ 11.600

τ : Tiempo de vida media de los portadores huecos.
I : Corriente directa.
η : Coeficiente de emisión.
 Diodo Schottky
Es posible lograr dos tipos de unión entre metal y
semiconductor:

• unión “óhmica”: tipo de contacto requerido cuando esta

destinado a unirse a un semiconductor, como el caso de los
terminales exteriores que se unen al material pn de un diodo.

• unión “rectificante”: es un diodo “metal-semiconductor”

(barrera Schottky), con características eléctricas similares a un
diodo pn.
 Diodo Schottky
El diodo Schottky es un diodo que proporciona conmutaciones muy rápidas
entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeños) y que tiene muy bajas tensiones umbral (del orden de
0.2V).

El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor, en la fig.

se muestra un diodo Schottky de aluminio. Debido a efectos cuánticos, la
juntura N-Al tiene las propiedades rectificativas de una juntura PN, mientras
que la juntura N+-Al se comporta como una juntura óhmica metal-metal. La alta
velocidad de conmutación del diodo Schottky permite rectificar señales de muy
altas frecuencias y encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de
alta velocidad para computadoras.
 Diodo Schottky
A diferencia del diodo PN de silicio que tiene un voltaje de
activación de 0,5V a 0,8V, el diodo Schottky tiene un voltaje
de activación de 0,3V, una corriente de saturación inversa
mucho más alta y puede pasar de PD a PI mucho más
rápidamente y con menos ruido.
 Diodo Túnel
• Los diodos túnel están fuertemente dopados, de modo que la zona de
vaciamiento tiene sólo unos pocos nanómetros, por lo cual se
manifiestan fuertemente el efecto túnel que es un fenómeno
solamente explicable a partir de la mecánica cuántica. Este diodo fue
inventado en 1958 por el japonés Leo Esaki, por lo cual recibió un
premio Nobel en 1973.
• Los diodos Túnel son generalmente fabricados en Ge, pero también
en Si y ArGa. Son diodos muy rápidos que presentan una respuesta
una zona con “resistencia negativa” que permite su utilización como
elemento activo en osciladores y amplificadores. En la práctica los
diodos túnel operan con unos pocos mA y potencias muy bajas.
 Diodo Túnel: Característica V-I

Cuando la tensión directa llega a aproximadamente 0,1 volt y

hasta 0,3 volt, el dispositivo presenta una característica de
resistencia negativa es decir aumenta la tensión en los
extremos con disminución de la corriente.

Vp: tensión pico (0,1V)

Ip: corriente pico (1mA)
Vv: tensión de valle (0,3V)
Iv: corriente de valle (0,1mA)
 Diodo Túnel: Aplicación

Una de las aplicaciones de los diodos túnel es la

generación de altas frecuencias mediante los
circuitos osciladores con un rango de frecuencias
muy angosto.
El reducido rango de tensiones donde ocurre el
fenómeno de resistencia negativa, limita sus
aplicaciones.

Son dispositivos de baja potencia. Las tensiones

directas e inversas aplicadas es necesario
limitarlas a un mínimo. Los materiales utilizados
para su construcción son el Si, GaAs y Ge.