Stefan Goßner
8. ergänzte Auflage
Shaker Verlag
Copyright by Prof. Stefan Goßner 2011
2 DER PN-ÜBERGANG 21
2.1 Der pn-Übergang ohne äußere Spannung 21
2.1.1 Der ideale abrupte pn-Übergang 21
2.1.2 Ladungsträgerdiffusion - Bildung einer Raumladungszone 21
2.1.3 Ladungsträgerdichte 22
2.1.4 Raumladungsdichte 22
2.1.5 Diffusionsspannung 23
2.1.6 Sperrschichtweite 24
2.1.7 Sperrschichtkapazität 24
2.1.8 Energiebänder-Modell des pn-Überganges 24
2.2 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung 25
2.2.1 Sperrpolung 25
2.2.2 Flusspolung 27
2.2.3 Durchbruch bei hoher Feldstärke in Sperrpolung 29
2.2.4 Gesamtkennlinie des pn-Überganges 31
2.2.5 Temperaturabhängigkeit der Kennlinie 32
2.2.6 Schaltverhalten des pn-Übergangs 32
2.3 Übungsaufgaben zum pn-Übergang 35
3 METALL-HALBLEITER-ÜBERGÄNGE 38
3.1 Schottky-Kontakt (Sperrschicht-Kontakt) 39
3.1.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM > WH) 39
3.1.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit geringerer Austrittsarbeit (WM < WH) 41
3.1.3 Eigenschaften des Schottky-Kontakts 43
3.2 Ohmscher Kontakt 44
3.2.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit kleinerer Austrittsarbeit (WM < WH) 44
3.2.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM > WH) 45
3.2.3 Ohmscher Kontakt durch hochdotierte Halbleiterzwischenschicht 47
3.3 Übungsaufgaben zu Metall-Halbleiter-Übergängen 48
I
Inhaltsverzeichnis
4 DIE DIODE 49
4.1 Allgemeines 49
4.2 Universal- und Richtdiode 52
4.3 Hochsperrende Leistungsdioden 53
4.4 Schaltdioden 54
4.5 Die Z-Diode 54
4.6 Kapazitätsdiode 55
4.7 Tunneldiode 56
4.8 Backward-Diode 57
4.9 Schottky-Diode 58
4.10 Weitere Diodenformen 58
4.11 Übungsaufgaben zu Dioden 59
6 NETZGLEICHRICHTER 78
6.1 Gleichrichterschaltungen ohne Glättung (mit ohmscher Last) 78
6.1.1 Einweggleichrichter 78
6.1.2 Zweiweggleichrichter - Mittelpunktschaltung 80
6.1.3 Zweiweggleichrichter - Brückengleichrichter (Graetz-Gleichrichter) 82
6.1.4 Genauere Berechnung der Zweiweggleichrichter 83
6.2 Gleichrichterschaltungen mit Glättung 85
6.2.1 Glättungsarten 86
6.2.2 Berechnung des Zweiweggleichrichters mit Glättungskondensator 87
6.3 Gleichrichter mit Pufferbatterie 95
6.4 Übungsaufgaben zu Netzgleichrichtern 97
7 DREHSTROMGLEICHRICHTER 100
7.1 Mittelpunkt-Schaltung (Halbbrücke) (3-pulsiger Gleichrichter) 100
7.2 Drehstrom-Brückengleichrichter (6-pulsiger Gleichrichter) 102
7.3 Übungsaufgaben zu Drehstromgleichrichtern 105
II
Inhaltsverzeichnis
8 SPANNUNGSVERVIELFACHUNG 107
8.1 Spannungsverdoppelung mit der Delonschaltung 107
8.2 Spannungsverdoppelung mit Villardschaltung 108
8.3 Spannungsvervielfachung durch Kaskadierung der Villardschaltung 110
8.4 Übungsaufgaben zur Spannungsvervielfachung 111
III
Inhaltsverzeichnis
IV
Inhaltsverzeichnis
V
Inhaltsverzeichnis
VI
Inhaltsverzeichnis
17 MULTIVIBRATOREN, OSZILLATOREN,
FUNKTIONSGENERATOREN 324
17.1 Überblick 324
17.2 Multivibratoren 324
17.2.1 Bistabile Multivibratoren (Flip-Flops) 324
17.2.2 Monostabiler Multivibrator (Mono-Flop, Oneshot, Univibrator) 325
17.2.3 Astabiler Multivibrator (Rechteckgenerator) 325
17.3 Multivibratoren mit dem Timer 555 328
17.4 Dreieck- und Sägezahngeneratoren 331
17.4.1 Dreieckgenerator 331
17.4.2 Säegezahngenerator 331
17.5 Sinusgeneratoren 332
17.5.1 Phasenschieberoszillatoren 332
17.5.2 Wien-Oszillatoren 334
17.5.3 Sinussignal durch Integration einer Rechteckspannung 336
17.6 Übungsaufgaben zu Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren 336
18 MEHRSCHICHT- UND
LEISTUNGS-HALBLEITER-BAUELEMENTE 339
18.1 Thyristor 339
18.1.1 Aufbau und Funktionsweise 339
18.1.2 Haupteinsatzgebiete 343
18.2 TRIAC 344
18.3 DIAC 345
18.4 Leistungs-MOS-FET (Kurzkanalstrukturen) 346
18.4.1 VMOS-FET 346
18.4.2 DMOS-FET 346
18.5 IGBT 347
18.6 Übungsaufgaben zu Leistungs-Halbleiterbauelementen 348
VII
Inhaltsverzeichnis
21 GLEICHSPANNUNGSWANDLER 375
21.1 Drossel-Aufwärtswandler 375
21.2 Drossel-Abwärtswandler 377
21.3 Drossel-Inverswandler 379
21.4 Einschwingvorgänge 380
21.5 Anwendungsbeschränkungen 380
21.6 Übungsaufgaben zu Schaltwandlern 382
VIII
Inhaltsverzeichnis
IX
Inhaltsverzeichnis
X
Einführung in die Physik der Halbleiter
Halbleiter liegen mit ihrem spezifischen Widerstand zwischen den Leitern und den
Nichtleitern (Isolatoren).
So zeigen z.B. Stäbe (Drähte) von je 1m Länge und 1 mm2 Querschnitt aus Kupfer
(metallischer Leiter), reinem Silizium (Halbleiter) und PVC (Isoliermaterial) folgende
Widerstände:
Cu: 17,5⋅10-3 Ω (17,5 mΩ)
Si-i (20°C): 2,1⋅109 Ω (2,1 GΩ)
PVC: 1020 Ω (1011 GΩ)
1
Einführung in die Physik der Halbleiter
Schale K L M N O P Q
n 1 2 3 4 5 6 7
Nmax 2 8 18 32 (50) (72) (98) auf den inneren Schalen(1)
Nmax 2 8 8 8 8 8 8 auf der äußersten Schale(2)
(Edelgaskonfiguration)
Für die Energie der Elektronen gilt: kernnahe Schalen ⇔ niedrige Energie
kernferne Schalen ⇔ hohe Energie
Die Atome sind immer bestrebt, den energieärmsten Zustand einzunehmen. Aus diesem
Grunde werden die inneren Schalen zuerst besetzt; je schwerer ein Element ist, umso mehr
Schalen kommen hinzu.
Die Elektronen der äußersten Schale werden Valenzelektronen genannt.
Die folgende Tabelle 1-2 zeigt den Aufbau der Elektronenschalen ausgewählter Elemente.
(1)
Elektronenzahlen von 50 und mehr auf einer Schale werden in der Realität auch bei den
schwersten Elementen nicht erreicht.
(2)
Bei 8 Elektronen auf der äußersten Schale (2 bei K-Schale) liegt ein Edelgas vor.
Edelgase gehen keinerlei chemische Verbindungen ein.
2
Einführung in die Physik der Halbleiter
1.2.2 Kristallaufbau
Beim Kristallaufbau in Festkörpern muss zwischen metallischen und nicht-metallischen
Atombindungen unterschieden werden.
1.2.2.1 Metalle
Metalle bilden Kristalle, ohne dass die Valenzelektronen an der Bindung der Atome im
Kristallgitter beteiligt sind.
Einzelne Valenzelektronen können sich daher leicht von den Gitteratomen lösen und sind
dann zwischen den Atomen frei beweglich.
In Festkörpern gilt: Atomdichte ≈ 5 ⋅ 10 22 Atome / cm 3
Bei etwa einem freien (beweglichen) Elektron pro 1 bis 10 Gitteratomen beträgt die
Konzentration beweglicher Elektronen in Metallen somit 5⋅1021 cm-3 < nn < 5⋅1022 cm-3
Metalle sind daher sehr gute Leiter.
Anders stellen sich die Verhältnisse in nicht-metallischen Materialien dar.
3
Einführung in die Physik der Halbleiter
1.2.2.2 Elektronenpaarbindung
Bei Atomen mit weniger als 8 Valenzelektronen besteht Neigung zur Reaktion (Verbindung)
mit anderen Atomen.
Eine wichtige Bindungsart ist die Elektronenpaarbindung (kovalente Bindung)
Eine Elektronenpaarbindung kann man sich modellhaft folgendermaßen vorstellen:
Zwei Atome (desselben oder auch unterschiedlicher Elemente) ordnen sich so an, dass ein
Elektronenpaar (bestehend aus je einem Elektron beider Atome) wechselweise das eine
bzw. das andere Atom umkreist. Das Elektronenpaar scheint also beiden Atomen zu
gehören; jedes Atom hat scheinbar ein Elektron mehr.
Durch eine geeignete Anzahl von Elektronenpaarbindungen erreicht dabei jedes Atom die
Edelgaskonfiguration auf der Valenzschale. Anschließend besteht kein weiteres
Reaktionsbestreben.
Durch Elektronenpaarbindung werden die beteiligten Atome stark aneinander gebunden; aber
auch die Elektronen lassen sich nur schwer aus den Paarbindungen heraus lösen.
Abbildung 1-2 zeigt die Bildung eines Wassermoleküls aus einem Sauerstoffatom und zwei
Wasserstoffatomen durch zwei Elektronenpaarbindungen.
Abbildung 1-2 Elektronenpaarbindungen im Wassermolekül
Sauerstoffatom
Elektronenpaar
8P
8N
Elektronenpaar 1P
1P
2 Wasserstoffatome
Das Wassermölekül ist bekanntlich sehr stabil. Reines Wasser ist nicht elektrisch leitend.
1.2.2.3 Halbleiter
Die Atome der Elemente Silizium und Germanium besitzen jeweils 4 Valenzelektronen.
Abbildung 1-3 zeigt eine vereinfachte Darstellung eines Halbleiteratoms für die Darstellung
des Kristallgitters. Die Darstellung passt gleichermaßen für Silizium- und Germanium-
Atome.
äußerste Elektronenschale
4
Einführung in die Physik der Halbleiter
4+ 4+ 4+
4+
4+
4+
4+
4+ 4+
4+
4+ 4+ 4+
4+ 4+
4+ 4+ 4+
5
Einführung in die Physik der Halbleiter
Abbildung 1-6
Paarbildung 4+ 4+ 4+ freies
Elektron
Loch 4+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+
Löcherwanderung
Ein Elektron aus einer benachbarten Das ursprüngliche Loch verschwindet
Elektronenpaarbindung kann an die Ein neues Loch entsteht in der
Stelle des Loches wechseln Nachbarschaft
Dieser Vorgang wiederholt sich Das Loch wandert
Das Loch entspricht einem
beweglichen positiven Ladungsträger
Ladungsträgerkonzentration
Bei der Ladungsträger-Generation - ein bewegliches Elektron und
entsteht immer ein Ladungsträgerpaar - ein Loch
Der Vorgang nennt sich Paarbildung
Die Konzentration positiver
und negativer Ladungsträger n0 = p0
(= Anzahl der Ladungsträger
pro Volumeneinheit) ist n0 = Konzentration der negativen Ladungsträger
bei Eigenleitung gleich. P0 = Konzentration der positiven Ladungsträger
6
Einführung in die Physik der Halbleiter
1.3.1.2 Rekombination
Begegnen sich ein freies Elektron
und ein Loch, so wird das Elektron Das Loch verschwindet
eingefangen und ergänzt die Das Elektron ist nicht mehr beweglich
defekte Elektronenpaarbindung Das Ladungsträgerpaar ist verschwunden
Dieser Vorgang nennt sich Rekombination
1.3.2 Störstellenleitung
Die Leitfähigkeit eines Halbleiters steigt stark an, wenn dem Kristall Fremdatome zugefügt
werden. (Zugeben von Fremdatomen = Dotieren)
Besonders geeignet sind 3-wertig: B, Al, In
3- bzw. 5-wertige Fremdatome 5-wertig: P, As, Sb
7
Einführung in die Physik der Halbleiter
Abbildung 1-8
Dotierung mit
5-wertigem Fremdatom
4+ 4+ 4+
5+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+
Abbildung 1-9
Ionisierung des freies
4+ 4+ 4+ Elektron
5-wertigen Fremdatoms
(n-Leitung) +
positive 5+ 4+ 4+
Raumladung
4+ 4+ 4+
8
Einführung in die Physik der Halbleiter
Abbildung 1-10
Dotierung mit 3+ 4+ 4+
3-wertigen
Fremdatomen
4+ 4+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+
bewegliche positive
ortsfeste,
3+ 4+ 4+ Ladung (Loch)
negative Ladung
4+ 4+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+
9
Einführung in die Physik der Halbleiter
ni
(Eigenleitung)
(3)
Sofern nichts anderes angegeben ist, sind mit den in diesem Buch in der Folge angesprochenen
Dotierungskonzentrationen immer die Netto-Dotierungskonzentrationen gemeint. Z.B. steht ND bei
einem mehrfach dotierten n-Halbleiter mit ND > NA für die Differenz ND – NA der tatsächlichen
Dotierungskonzentrationen.
10
Einführung in die Physik der Halbleiter
Die Abbildung 1-12 zeigt qualitativ den Konzentrationsverlauf freier Ladungsträger aus
-
ionisierten Störstellen NA bzw. ND+, die temperaturabhängige Intrinsicdichte ni, sowie die
Gesamtkonzentration nges, die sich aus der Überlagerung der beiden ergibt.
Zu erkennen sind drei Temperaturbereiche:
1. ein Bereich sehr niedriger Temperaturen (z.B. T < 200 K), in dem noch nicht alle
Störstellen ionisiert sind (Bereich der Störstellenreserve),
2. ein mittlerer Temperaturbereich (z.B. 200 K < T < 500 K), in dem alle Störstellen
ionisiert sind und in dem die Intrinsicdichte geringer ist als die Dotierungskonzentration
(Bereich der Störstellenerschöpfung), sowie
3. ein hoher Temperaturbereich (z.B. T > 500 K), in dem die Konzentration der freien
Ladungsträger aus Eigenleitung die Dotierungskonzentration übersteigt (Bereich
dominierender Eigenleitung; intrinsischer Bereich).
Meist werden Halbleiter im Bereich der Störstellenerschöpfung betrieben. Die Konzentration
freier Ladungsträger aus den Störstellen ist dann konstant und deutlich größer als die Ladungs-
trägerkonzentration aus Eigenleitung. Diese Bedingung ist bei Siliziumbauelementen bis zu
einer Betriebstemperatur von ϑj = 200 °C gewährleistet, wenn die Dotierungskonzentrationen
>>1014 cm-3 gewählt werden (siehe hierzu Abbildung 1-7 und Abbildung 1-12). Mit vergleich-
baren Dotierungen können Germaniumbauelemente nur bis ϑj = 80 °C betrieben werden
1.3.3.2 Majoritätsträger und Minoritätsträger
Die Konzentrationen von freien Elektronen und von Löchern sind im dotierten Halbleiter
nicht gleich.
Die Konzentration nn0 der Elektronen im n-leitenden Material bzw.
die Konzentration pp0 der Löcher im p-leitenden Material Majoritätsträger
ist größer als (aus Dotierung)
die Konzentration pn0 der Löcher im n-leitenden Material bzw.
die Konzentration np0 der Elektronen im p-leitenden Material Minoritätsträger
(aus Eigenleitung)
1.3.3.3 Ladungsträgerkonzentrationen im n-leitenden Halbleiter
Einfachdotierung
Ein n-leitender Halbleiter liegt vor bei ND >> ni
Majoritätsträger-Konzentration
nn0 ≈ ND+ ≈ ND
Minoritätsträger-Konzentration
Bei reiner Eigenleitung steht im Kristall jedem freien Elektron durchschnittlich genau ein
Loch zur Rekombination gegenüber. Es gilt daher n0 = p0 = ni
Bei Störstellenleitung im n-leitenden Halbleiterkristall stehen den durch Paarbildung
entstandenen Löchern nn0 ≈ ND >> ni Elektronen zur Rekombination gegenüber. Für ein
Loch ist daher die Wahrscheinlichkeit auf ein Elektron als Rekombinationspartner zu treffen
um den Faktor a = nn0/ni ≈ ND/ni größer als bei Eigenleitung.
Die Häufigkeit von Rekombinationen steigt damit um den Faktor a.
Die Konzentration der Löcher im n-leitenden Halbleiter ist daher um den Faktor a kleiner
als bei reiner Eigenleitung.
11
Einführung in die Physik der Halbleiter
1.3.4 Massenwirkungsgesetz
Sowohl für eigenleitende wie auch für dotierte Halbleiter gilt das
Massenwirkungsgesetz n0 ⋅ p0 = ni2
Es besagt: Im thermodynamischen Gleichgewicht ist das Produkt der
Konzentrationen von freien Elektronen und von Löchern gleich dem
Quadrat der Gleichgewichtskonzentration bei Eigenleitung.
12
Einführung in die Physik der Halbleiter
13
Einführung in die Physik der Halbleiter
Für Reaktionen mit anderen Atomen oder für elektrische Vorgänge sind nur die Valenz-
elektronen sowie freie Elektronen bzw. im Energiebändermodell nur das Valenzband und das
Leitungsband von Bedeutung.
Aus diesem Grunde werden üblicherweise nur diese beiden Bänder und das
dazwischenliegende verbotene Band betrachtet und dargestellt.
Die obere Grenze des Leitungsbandes bildet die Vakuumenergie Wvac. Dies ist jenes
Energieniveau, bei dessen Überschreiten Elektronen den Festkörper verlassen können. Für
Vorgänge innerhalb eines homogenen Halbleiterkristalls ist die Vakuumenergie nicht relevant
und wird deshalb üblicherweise nicht dargestellt.
(4)
In den Bändermodellen bedeuten WC = Energie-Niveau der Unterkante des Leitungsbandes
WV = Energie-Niveau der Oberkante des Valenzbandes
WG = WC – WV = Bandabstand
14
Einführung in die Physik der Halbleiter
15
Einführung in die Physik der Halbleiter
Rekombination Ein Elektron aus dem Leitungsband fällt in ein Loch im Valenzband.
Das Elektron gibt Energie ab (Strahlung, Gitterschwingungen).
Die beweglichen Ladungsträger löschen sich gegenseitig aus.
Zwischen Paarbildung und Rekombination stellt sich ein temperaturabhängiges
Gleichgewicht ein.
Die Energieverteilung der Ladungsträgerkonzentrationen ergibt sich aus dem Produkt aus
Besetzungswahrscheinlichkeit (Fermi-Dirac-Verteilung) und Zustandsdichte.
n(W) = P(W) ⋅ Dn(W) (Energieverteilung der Elektronen im Leitungsband)
p(W) = [1 - P(W)] ⋅ Dp(W) (Energieverteilung der Löcher im Valenzband)
(mit n(W), p(W) = Ladungsträgerdichte pro Intervall dW)
W W W Fläche = ni
Abbildung 1-19
Energie-Verteilung Dn(W) n(W)
der Ladungsträger WC
bei Eigenleitung WF WF
WV
Dp(W) p(W)
Pn(W)
0 0,5 1
Integration über das gesamte Leitungsband ergibt die Gesamtkonzentration freier Elektronen,
Integration über das gesamte Valenzband die Gesamtkonzentration der Löcher,
W∞ Wvac
z.B. n= E n(W) ⋅ dW ≈ E Pn (W) ⋅ D n (W) ⋅ dW (= ni für Eigenleitung)
WC WC
16
Einführung in die Physik der Halbleiter
n-dotierter Halbleiter
Abbildung 1-20 Bändermodell des
n-Halbleiters
Es treten Störterme der Donatoratome knapp
unterhalb der Leitbandkante auf W
(Energie-Term (= Energie-Niveau) des nicht
zum Kristallaufbau benötigen 5. Elektrons)
Leitungsband
WD = Energie-Niveau der Störterme
WC
WF
Zur Abtrennung des fünften Elektrons vom WD
Donatoratom reicht die geringe
WV
Energiedifferenz ∆WD zwischen Störterm und
Leitungsband-Unterkante Valenzband
Das Elektron wird dabei vom Donatorniveau WD ins Leitungsband angehoben und besetzt
ein dort vorhandenes Energieniveau.
Der Störterm ist dann nicht mehr von einem Elektron besetzt. Die Störstelle wird positiv
geladen (ortsfeste positive Ladung; kein bewegliches Loch)
Das Fermi-Niveau verschiebt sich in Richtung auf das Leitungsband und zwar um so mehr,
je höher die Konzentration ND+ ionisierter Donatoratome ist. Der Abstand des Ferminiveaus
von der Leitbandkante beträgt (in Ws):
WC – WF = k⋅T⋅ln(NC/ND+) (Umrechnung in eV durch Division durch 1,6⋅10-19Ws/eV)
Dabei ist NC = 2,86⋅1019cm-3 [6] die effektive Zustandsdichte des Leitungsbandes.
W W W
0 0,5 1
17
Einführung in die Physik der Halbleiter
p-dotierter Halbleiter
Abbildung 1-22 Bändermodell des
Es treten Störterme der Akzeptoratome knapp p-Halbleiters
oberhalb der Valenzbandkante auf
W
(Energie-Term des zum Kristallaufbau
benötigten aber fehlenden vierten Valenz-
Elektrons; zunächst unbesetzt) Leitungsband
WA = Energie-Niveau der Störterme
WC
Zur Herstellung der fehlenden vierten
WA
Elektronenpaarbindung des Akzeptoratoms
WF
durch ein Valenz-Elektron aus einer WV
Paarbindung eines Nachbaratoms reicht die
Valenzband
geringe Energiedifferenz ∆WA
W W W
Abbildung 1-23
Energie-Verteilung n(W)
der Ladungsträger Dn(W)
WC
beim p-Halbleiter
WF
WV
Dp(W) p(W)
Pn(W)
0 0,5 1
Vergleicht man Abbildung 1-19, Abbildung 1-21 und Abbildung 1-23, so ist zu erkennen, dass
die beweglichen Ladungsträger in allen Fällen vorzugsweise Energien in der Nähe der
Bandkanten einnehmen. Im Inneren der Bänder finden sich kaum bewegliche Ladungsträger.
Wie Sandkörnchen in einer Flüssigkeit zum Boden absinken, so halten sich die freien
Elektronen vorzugsweise am unteren Ende des Leitungsbandes in der Nähe der Leitband-
kante WC auf. Wie Luftbläschen in einer Flüssigkeit zur Oberfläche aufsteigen, so halten sich
die Löcher vorzugsweise am oberen Ende des Valenzbandes in der Nähe der Valenz-
bandkante WV auf.
18
Einführung in die Physik der Halbleiter
19
Einführung in die Physik der Halbleiter
20
Der pn-Übergang
2 Der pn-Übergang
pn-Übergang = Grenzfläche (Grenzschicht) zwischen einer n-dotierten und einer
p-dotierten Zone innerhalb eines monokristallinen Halbleiters.
Der pn-Übergang ist das Grundelement zahlreicher Halbleiter-Bauelemente:
z.B. - Diode, Sperrschicht Feldeffekt-Transistor 1 pn-Übergang
- bipolarer Transistor 2 pn-Übergänge
- Thyristor, Thyristordiode (Vierschichtdiode) 3 pn-Übergänge
- Triac, Zweirichtungs-Thyristordiode 4 pn-Übergänge
Abbildung 2-1
p n
Idealer, abrupter pn-Übergang
Abbildung 2-2 NA
Dotierungsverlauf (z.B. NA > ND) ND
21
Der pn-Übergang
In der näheren Umgebung des pn-Übergangs tritt eine Zone (fast) ohne freie Ladungsträger
auf (Verarmungszone). Dort finden sich nur die verbliebenen ortsfesten Raumladungen
(Raumladungszone). In größerer Entfernung von der Grenzschicht bleiben die durch die
Dotierung verursachten Ladungsträgerkonzentrationen erhalten.
Abbildung 2-3
Ladungsträger am pn-Übergang
freies Elektron
ortsfeste negative Ladung
elektrisch neutral elektrisch neutral
Loch
ortsfeste positive Ladung negative positive
Raumladung Raumladung
2.1.3 Ladungsträgerdichte
Der Übergang der Majoritätsträger-Konzentration der einen Seite zur Minoritätsträger-
Konzentration der anderen Seite erfolgt stetig in der Umgebung des pn-Übergangs.
Überall gilt das Massenwirkungsgesetz n0 ⋅ p0 = ni 2
Löcherdichte Elektronendichte
1016
Abbildung 2-4 pp0 ≈ NA 15
nn0 ≈ ND 5⋅10
Ladungsträgerdichte (pro cm3)
(logarithmischer Maßstab) 1010 ni
4 2⋅104
10 pn0
np0 xp 0 xn
Abbildung 2-5
pp0
Ladungsträgerdichte nn0
(linearer Maßstab)
np0 pn0
0
2.1.4 Raumladungsdichte
Die Raumladungsdichte hat beim abrupten pn-Übergang auf beiden Seiten des pn-Übergangs
jeweils einen annähernd rechteckigen Verlauf. Sie lässt sich daher mit folgenden Gleichungen
angeben:
ρp ≈ - e ⋅ NA- (Dichte der ortsfesten negativen Ladung in der p-Zone)
+
ρn ≈ e ⋅ ND (Dichte der ortsfesten positiven Ladung in der n-Zone)
ρ ρn
Abbildung 2-6
Raumladungsdichte xp
0 xn x
(linearer Maßstab)
ρp
Die beiden Raumladungen Qp und Qn sind betragsmäßig gleich groß; bei unterschiedlicher
Raumladungsdichte auf den beiden Seiten des pn-Überganges (aufgrund unterschiedlicher
Dotierungskonzentration) dehnen sie sich unterschiedlich weit aus (xp und xn)
xp ⋅ ρp = xn ⋅ ρn
22
Der pn-Übergang
2.1.5 Diffusionsspannung
Durch die Raumladungen wird ein elektrisches Feld hervorgerufen. Den Feldstärkeverlauf
erhält man durch Integration der Raumladungsdichte
1 x
E( x ) = E ρ( x ) ⋅ dx
εx
p
Bei dem rechteckigen Verlauf der Raumladungsdichte ergibt sich ein dreieckförmiger Verlauf
der Feldstärke. E(x)
xp xn
Abbildung 2-7 0 x
Elektrische Feldstärke
am pn-Übergang
Durch Integration der elektrischen Feldstärke erhält man den Verlauf des elektrischen
Potenzials
x
ϕ( x ) = − E E( x ) ⋅ dx ϕ(x)
xp
Abbildung 2-8 UD
Potenzialverlauf und
Diffusionsspannung x
xp 0 xn
Die gegenseitige Aufladung von p- und n-Zone führt zu einer elektrischen Spannung
zwischen den beiden Zonen. Man nennt diese Spannung die Diffusionsspannung UD.
Die Diffusionsspannung wirkt einem völligen Ausgleich der Ladungsträgerkonzentration
durch den Diffusionsstrom entgegen. Sie wird deswegen mitunter auch Antidiffusions-
spannung genannt.
Es stellt sich ein thermodynamisches Gleichgewicht zwischen Diffusionsstrom
dn
ID = A ⋅ e ⋅ Dn ⋅ und entgegengerichtetem Feldstrom I F = A ⋅ ⋅ E = A ⋅ e ⋅ n ⋅ µ n ⋅ E ein.
dx
Durch Gleichsetzen der beiden Ströme (ID = - IF) und Integration der darin enthaltenen
Feldstärke über die gesamte Raumladungszone erhält man die Diffusionsspannung:
xn nn
Dn dn D n n N ⋅N
U D = − E E(x) ⋅ dx = ⋅ E = ⋅ ln n0 = U T ⋅ ln A 2 D
xp n np
n n n p0 ni
Dn k ⋅T
mit = UT = (nach Einstein)
n e
Die Temperaturspannung UT ist ein Spannungs-Äquivalent für die mittlere Energie der
Elektronen bei der Temperatur T. [Mittl. Elektronenenergie = e⋅UT = k⋅T]
Zahlenbeispiel:
T = 300 K k ⋅ T 1,38 ⋅ 10 −23 Ws ⋅ K −1 ⋅ 300K
UT = = ≈ 26mV
e 1,6 ⋅ 10−19 As
Germanium: ni ≈ 2,4 ⋅ 1013 cm-3 NA = 1015 cm-3 ND = 1015 cm-3 UD ≈ 200 mV
10 -3 15 -3 15 -3
Silizium: ni ≈ 1,5 ⋅ 10 cm NA = 10 cm ND = 10 cm UD ≈ 600 mV
23
Der pn-Übergang
Die Diffusionsspannung kann von außen nicht gemessen werden, da sich an den äußeren
Kontakten ebenfalls Diffusionsspannungen einstellen, die der Diffusionsspannung am pn-
Übergang entgegengerichtet sind. Die Summe aller Diffusionsspannungen ergibt 0.
2.1.6 Sperrschichtweite
Die Raumladungszone dehnt sich aus von xp bis xn. Diese Ausdehnung wird
Sperrschichtweite WS genannt. Im spannungslosen Zustand beträgt die Sperrschichtweite:
2ε 1 1
WS0 = ⋅( + ) ⋅ UD
e NA ND
2.1.7 Sperrschichtkapazität
In der Raumladungszone sind elektrische Ladungen enthalten. Der Raumladungszone kann
daher eine Kapazität zugeordnet werden. In Anlehnung an einen Plattenkondensator kann die
Größe der Kapazität angegeben werden:
A A
C = ε⋅ CS = ε ⋅
d WS
Mit der Sperrschichtweite WS0 ergibt sich eine auf die Sperrschichtfläche A bezogene
Sperrschichtkapazität des spannungslosen pn-Übergangs von:
C S0 ε ε ⋅ e ⋅ NA ⋅ ND
c S0 = = =
A WS0 2 ⋅ (N A + N D ) ⋅ U D
Da sich die freien Elektronen im Leitungsband des n-Gebiets vorzugsweise in der Nähe der
Leitbandkante aufhalten, können sie nicht ins energetisch höherliegende Leitungsband des p-
Gebiets überwechseln (Energieschwelle ∆W = UD ⋅ e).
Ähnliches gilt für die Löcher im Valenzband des p-Gebiets, die sich hauptsächlich an der
Valenzbandkante aufhalten.
24
Der pn-Übergang
2.2.1 Sperrpolung
Abbildung 2-10 p n
Spannung in Sperrpolung
am pn-Übergang
UR
Legt man an den pn-Übergang eine äußere Spannung UR so an, dass der Minuspol am p-
Gebiet, der Pluspol am n-Gebiet anschließt, so addiert sich die äußere Spannung zu der
Diffusionsspannung am pn-Übergang:
Upn = UD + UR (Index R: reverse voltage)
Das von der externen Spannung verursachte elektrische Feld übt Kräfte auf die beweglichen
Ladungsträger im Halbleiter aus. Die Majoritätsträger werden von den jeweils angrenzenden
Spannungspolen angezogen. Die Minoritätsträger werden von den angrenzenden
Spannungspolen abgestoßen.
Majoritätsträger
Abbildung 2-11
Kraftwirkungen auf die Minoritätsträger
Ladungsträger bei Sperrpolung
WS0 WSR
UR
25
Der pn-Übergang
CS ε UD
cS = = = c S0 ⋅ (cS0 = Kapazität des spannungslosen pn-Übergangs)
A WSR UD + UR
Für UR >> UT (z.B. UR > 0,5 . . 1V), also bereits für kleine Sperrspannungen gehen diese
Konzentrationen gegen 0. xp xn
pp
nn
Abbildung 2-13
Konzentration der Ladungsträger ni
bei Sperrpolung UR ≈ 0,1V
UR = 0 pn
(logarithmischer Maßstab) np
UR > 0,5V
Abbildung 2-14 p,n
Konzentration der Minoritätsträger pn0
außerhalb der Raumladungszone bei np0
Sperrpolung (linearer Maßstab)
np0, pn0 = Minoritätsträgerdichten
ohne äußere Spannung 0 x
xp xn
Innerhalb der Raumladungszone und in deren unmittelbaren Nähe gilt das
Massenwirkungsgesetz nicht mehr.
26
Der pn-Übergang
Sperrsättigungsstrom
Bereits bei kleinen Sperrspannungen werden am Rande der Raumladungszone alle
Minoritätsträger abgesaugt und die Minoritätsträgerdichte sinkt auf 0.
Bei steigender Sperrspannung können daher keine zusätzlichen Minoritätsträger abgesaugt
werden. Der Sperrstrom erreicht bereits bei kleinen Sperrspannungen einen Sättigungswert
und steigt bei höheren Sperrspannungen nicht an.
Lp L
I S = A ⋅ e ⋅ (p n 0 ⋅ + n p0 ⋅ n ) mit A = Fläche des pn-Überganges
τp τn
Bei T = 300K beträgt der Sperrsättigungsstrom bei Silizium IS/A ≈ 10-9 . . 10-11 A/mm2.
Bänderschema des pn-Überganges in Sperrpolung
WC
Minoritätsträger UD ⋅ e
Abbildung 2-15
Bänderschema des pn-Überganges UR ⋅ e
in Sperrpolung WV
UR ⋅ e
WF
Majoritätsträger
Minoritätsträger
p n
Die Energiebarriere (Potenzialbarriere) für Majoritätsträger wächst (z.B. Elektronen können
nicht von n-Zone zur p-Zone übertreten).
Für Minoritätsträger wirkt die Potenzialschwelle beschleunigend (z.B. werden Elektronen aus
der p-Zone durch die Raumladungszone zur n-Zone gezogen)
2.2.2 Flusspolung
p n
Abbildung 2-16 Flusspolung
UF
Legt man an den pn-Übergang eine externe Spannung UF mit dem Pluspol am p-Gebiet und
dem Minuspol am n-Gebiet, so werden die Majoritätsträger von den benachbarten äußeren
Anschlüssen abgestoßen und in Richtung auf den pn-Übergang verschoben.
Majoritätsträger
Abbildung 2-17 Elektronenaustritt Elektronenzufuhr
Ladungsträgerbewegung Minoritätsträger
bei Flusspolung
27
Der pn-Übergang
Dadurch sinkt die Dicke der Raumladungszone; die Sperrschichtweite nimmt ab.
ohne äußere Spannung
Abbildung 2-18
Verkleinerung der
Raumladungszone bei Flusspolung WS0
mit Flussspannung
WSF
UF
Durch die externe Spannung wird die von der Anti-Diffusionsspannung UD gebildete
Potenzialdifferenz über dem pn-Übergang abgebaut:
Upn = UD - UF (Index F: forward-voltage)
Die externe Spannung wirkt der Anti-Diffusionsspannung entgegen. Die Potenzialschwelle
für Majoritätsträger wird reduziert.
Zunächst gelingt es den schnellsten (energiereichsten) Majoritätsträgern den Potenzialwall zu
überwinden; es fließt ein noch kleiner Majoritätsträgerstrom über den pn-Übergang.
Die Majoritätsträger durchdringen den pn-Übergang, dringen in das Nachbargebiet ein und
rekombinieren mit den dortigen Majoritätsträgern.
Mit wachsender äußerer Spannung wird die Anti-Diffusionsspannung mehr und mehr
abgebaut. Der Strom über den pn-Übergang nimmt exponentiell zu Durchlassstrom.
Der Flussstrom über den pn-Übergang ist ein reiner Diffusionsstrom (wegen des
existierenden Konzentrationsgefälles), kein Feldstrom.
Löcherdichte Elektronendichte
pp ≈ NA
Abbildung 2-19 nn ≈ ND
Ladungsträgerkonzentration
xp xn
bei Flusspolung ni
p n0 ⋅ eUF UT
n p0 ⋅ e U F U T
pn0
np0
Da sich nun zusätzliche eingewanderte (und noch nicht rekombinierte) Ladungen außerhalb,
aber nahe der Raumladungszone aufhalten, spricht man von einer Diffusionskapazität und
von einer Speicherladung.
Innerhalb der Raumladungszone und in deren Nähe gilt das Massenwirkungsgesetz nicht
mehr.
28
Der pn-Übergang
Abbildung 2-20 zeigt das Energiebänderschema des pn-Übergangs bei Flußpolung. Die
Energiebarriere zwischen p- und n-Zone ist um den Betrag UF ⋅ e reduziert; das Ferminiveau
zeigt zwischen den beiden Seiten dieselbe Differenz. Majoritätsträger diffundieren durch die
Raumladungszone. Wn reduzierte
Energieschwelle
Abbildung 2-20
Energiebänder-Schema WC
(UD - UF) ⋅ e
bei Flußpolung
xp WF
WV xn
p n
Ist die Dotierung von p- und n-Zone unterschiedlich hoch, so stellen sich entsprechend
unterschiedlich hohe Majoritätsströme Ip und In durch die Raumladungszone ein.
RZ
Abbildung 2-21 I Iges
Stromanteile von
Elektronen (In) und Löchern (Ip) Ip In
In der Abbildung ist die Raumladungszone RZ stark
vergrößert dargestellt. Die Rekombination in der RZ
ist vernachlässigbar. x
xp xn
Die außen angelegte Flussspannung baut die dem Diffusionsstrom entgegenstehende
Potenzialdifferenz UD maximal bis auf 0 ab; der Aufbau einer Spannung mit umgekehrter
Polarität über dem pn-Übergang ist nicht möglich.
Wird die außen angelegte Spannung nach völligem Abbau von UD weiter erhöht, so wird der
Durchlassstrom nur noch durch die Bahnwiderstände der p- und n-Zonen begrenzt.
Abbildung 2-22
Lawineneffekt durch p n
Stoßionisation
Raumladungs-
zone
29
Der pn-Übergang
Aus ursprünglich einem freien Elektron werden durch Stoßionisation zwei freie Elektronen
und ein Loch. Bei ausreichend großer Sperrschichtweite können die beiden nun vorhandenen
freien Elektronen erneut Energie aufnehmen, so dass sie ebenfalls zur Stoßionisation in der
Lage sind. Dieser Vorgang kann sich mehrmals wiederholen.
Ist die Feldstärke ausreichend groß, um die ersten Stoßionisationen auszulösen, so tritt bei
geringem weiterem Anstieg der Sperrspannung ein lawinenartiger Anstieg der Konzentration
freier Ladungsträger und damit des Sperrstromes auf.
Der Lawineneffekt benötigt neben einer hohen elektrischen Feldstärke eine ausreichende
Sperrschichtweite, damit ein Elektron beim Durchqueren der Raumladungszone mehrmals
die zur Stoßionisation notwendige Energie aufnehmen kann.
Die erforderliche große Sperrschichtweite tritt auf bei Dotierungen bis maximal
1017 . . . 1018 cm-3.
Der Lawineneffekt tritt je nach Sperrschichtweite (je nach Dotierung) auf bei
Sperrspannungen von > 5 V . . . 200V . . . 5 kV(!).
Da die freie Weglänge der Elektronen mit steigender Temperatur abnimmt, besitzt die
Durchbruchspannung beim Lawineneffekt einen positiven Temperaturkoeffizienten α U Z > 0
(näherungsweise: α U Z ≈ 0,1% / K ) (Durchbruchspannung steigt mit wachsender
Temperatur)
2.2.3.2 Zener-Effekt
Der Zener-Effekt tritt auf bei sehr hoher Dotierung (Dotierung > 1018 . . . 1019 cm-3). Dabei
ist die Sperrschichtweite zu gering zum Zustandekommen des Lawineneffektes und es
können noch höhere Feldstärken in der Raumladungszone auftreten.
Bei hohen Feldstärken (Ge: 100 kV/cm; Si: 300 kV/cm; GaAs: 400 kV/cm; SiO2: 6
MV/cm) werden die vom Feld auf die Valenzelektronen der Gitteratome wirkenden Kräfte so
groß, dass Elektronen aus ihren Paarbindungen herausgerissen werden (innere Feldemission).
Wie beim Lawineneffekt tritt beim Überschreiten einer bestimmten Durchbruchspannung ein
steiler Sperrstromanstieg auf.
Der Zenereffekt lässt sich auch am Energiebänder-Schema des pn-Überganges erläutern.
W
p RZ n
Abbildung 2-23 WC
Der Zenereffekt WV
x
xp xn
Schon bei geringer Sperrspannung stehen den Valenzelektronen des p-Gebiets freie Plätze auf
gleicher energetischer Höhe im räumlich benachbarten Leitungsband des n-Gebietes
gegenüber.
Bei der sehr geringen Sperrschichtweite können Valenzelektronen der p-Zone auf gleichem
Energieniveau ins Leitungsband der n-Seite tunneln. Der Zener-Effekt ist ein Tunnel-Effekt.
Die Tunnelwahrscheinlichkeit steigt mit wachsender Feldstärke exponentiell an. Daraus folgt
ein steiler Anstieg des Sperrstromes bei geringem Anstieg der Sperrspannung.
30
Der pn-Übergang
Die Durchbruchspannung liegt beim Zenereffekt bei Werten von UZ < 6 ... 8 V. Sie hat
einen negativen Temperaturkoeffizienten α U Z < 0 (näherungsweise: α U Z ≈ −0,1% / K ).
31
Der pn-Übergang
I
Durchlass-
Abbildung 2-24
Bereich
Gesamtkennlinie Durchbruchspannung UZ
des pn-Überganges
Durchbruch-Kennlinie U
Sperrbereich
(Zener- oder Lawinen-
Durchbruch)
Thermischer
Durchbruch
32
Der pn-Übergang
I
Abbildung 2-26 3 1
I1
Schaltverhalten
des pn-Überganges U2 0 UF
4 U
2 U1
UR
I6 6
5
I5
2.2.6.1 Einschaltvorgang
Beim Einschalten zeigt der pn-Übergang eine Überlagerung von kapazitiven und induktiven
Eigenschaften.
* Kapazitives Verhalten (Spannung steigt langsamer als Strom) überwiegt beim Einschalten
kleiner Ströme (bei sog. Niedriginjektion, wenn Dichte der über den pn-Übergang
hereindiffundierten Minoritätsträger << Majoritätsträgerdichte)
I, U IF
Abbildung 2-27
Kapazitives Verhalten
beim Einschalten UF
Abbildung 2-29 I, U
Induktives Verhalten IF
beim Einschalten
UF
33
Der pn-Übergang
2.2.6.2 Ausschaltvorgang
In der Raumladungszone und den angrenzenden Bahnbereichen sind bei Flussbetrieb je nach
Stromstärke größere Ladungsmengen gespeichert (Sperrschichtkapazität und Diffusions-
kapazität). Beim Ausschalten des Stromes müssen diese Ladungen abgebaut werden.
* Ausschaltvorgang 1 → 0 (Unterbrechung des Stromkreises)
Der Strom ändert sich sprunghaft von IF nach Null.
Wegen der gespeicherten Ladungen bleibt die Spannung am pn-Übergang zunächst
erhalten. Wegen des Wegfalls der Spannung an den Bahnwiderständen bricht die
Gesamtspannung UF beim Ausschalten des Stromes geringfügig ein (Bahnwiderstand =
Widerstand des Halbleiterkristalls außerhalb des pn-Überganges).
Die Zahl der gespeicherten Ladungsträger verringert sich durch Rekombination mit der
Zeitkonstanten τp (Minoritätsträger-Lebensdauer). Dies führt nun zu einem Abfall der
Spannung auf Null.
I, U
IF
Abbildung 2-30
Ausschalten durch
Unterbrechung des Stromes UF
t
Abbildung 2-31 t1
Abbau der Minoritätsträgerdichte
beim Umschalten von Flusspolung
t6 pn0
zu Sperrpolung
t→∞
x
xp xn
34
Der pn-Übergang
- Übergang 6 → 2
Sinkt die Minoritätsträgerkonzentration an den Grenzen der Raumladungszone unter die
Werte np0 und pn0, so beginnt der pn-Übergang zu sperren.
Der Rückstrom nimmt schnell ab, die Sperrspannung am pn-Übergang steigt schnell.
(Zeit für Abfall des Stromes bis 0,1⋅I5 = Abfallzeit)
Mit einer mittleren Sperrschichtkapazität C S läßt sich die Abfallzeit angeben zu
t f = C S ⋅ (R V + rB ) ⋅ ln 10 mit rB = Bahnwiderstände von p- und n-Zone
Ausräumzeit plus Abfallzeit bilden die sog. Sperrerholzeit trr.
Der vollständige Umschaltvorgang von Flussbetrieb zu Sperrbetrieb nimmt den Verlauf
1→5→6→2.
Abbildung 2-32 zeigt den Verlauf von Strom und Spannung am pn-Übergang beim
Umschalten von Fluss- auf Sperrbetrieb.
I
I1 Ausräum-
Abfall-
1 zeit tS zeit tf
Abbildung 2-32 t
Verlauf von Strom und Spannung 2
beim Umschalten von I5 5 6
I6
Fluss- auf Sperrbetrieb
U
1
5 6 t
(Abfallzeit = Zeit für Abfall bis auf 10%⋅I5)
2
Sperrerholzeit
t
35
Der pn-Übergang
(e) Wie groß ist die Konzentration von freien Elektronen und Löchern unmittelbar an der
Grenze zwischen p- und n-Zone in einem Siliziumkristall ohne äußere Spannung bei
T = 300 K? (Mit z.B. ND = NA = 1016 cm-3)
(f) Wie verläuft das Ferminiveau am pn-Übergang ohne äußere Spannung ?
10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
UF/V
36
Der pn-Übergang
37
Metall-Halbleiter-Übergänge
3 Metall-Halbleiter-Übergänge
Halbleiterbauelemente beinhalten immer auch Übergänge vom Halbleiterkristall zu
metallischen Anschlüssen.
In der Abbildung 3-1 sind die Energiebänder-Schemata für ein Metall und einen nicht mit
dem Metall verbundenen n-dotierten Halbleiter dargestellt.
W Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-1 Wvac
Getrennte Energie- WH Wχ
Bänder-Schemata für WM
Metall und n-Halb- WC
leiter (WM > WH) WFH
WFM
WV
Eine für jeden Halbleiter charakteristische Materialkonstante ist die sog. Elektronenaffinität
Wχ. Dies ist die Energiedifferenz zwischen Leitbandkante WC und Vakuumenergie.
Halbleiter Ge Si GaAs GaP SiO2
Wχ / eV 4,0 4,05 4,07 4,3 0,95
In Analogie zur Austrittsarbeit des Metalles kann die Energiedifferenz zwischen dem Fermi-
Niveau WFH des Halbleiters und der Vakuumenergie als Austrittsarbeit WH des Halbleiters
definiert werden. Allerdings halten sich im Halbleiter keine Ladungsträger auf dem Fermi-
Niveau auf. Außerdem ist die Lage des Ferminiveaus WFH und damit die Differenz zur
Vakuumenergie von der Dotierung des Halbleiters abhängig und keine Materialkonstante.
Stellt man nun einen Kontakt zwischen einem Metall und einem Halbleiter mit unterschied-
lichen Austrittsarbeiten (WM ≠ WH) her, so findet eine Diffusion von Ladungsträgern über
den Metall-Halbleiter-Übergang hinweg statt, und zwar so gerichtet und solange, bis sich die
Ferminiveaus von Metall und Halbleiter angeglichen haben (→ thermodynamisches
Gleichgewicht; siehe Abschnitte 2.1.1 und 2.1.5).
Diese Metall-Halbleiter-Übergänge können Sperrschichtverhalten (Schottky-Kontakt) oder
ohmsche Charakteristik zeigen. Welches Verhalten sich jeweils einstellt hängt von der
Dotierung des Halbleiters sowie von der Austrittsarbeit in Metall und Halbleiter ab.
38
Metall-Halbleiter-Übergänge
WV
Wegen der Abwanderung von Elektronen entsteht im Halbleiter eine Verarmungszone mit
nicht kompensierten positiven Raumladungen, im Metall entsteht eine Elektronen-
anreicherung geringer Ausdehnung. ρ Positive
Raumladung
Abbildung 3-3 x
Ladungsverteilung am
Metall-Halbleiter-Übergang
Elektronen-
anreicherung
Die freien Elektronen in Metall und Halbleiter nehmen vorzugsweise die niedrigsten
verfügbaren Energieniveaus ein. Die meisten freien Elektronen im Metall halten sich daher
unterhalb oder knapp oberhalb des Fermi-Niveaus WF auf. Die Elektronen im Leitungsband
des Halbleiters finden sich vorzugsweise in der Nähe der Leitbandkante WC.
Nach Angleichung der Ferminiveaus ist ohne äußere Spannung kein weiterer Übergang von
Ladungsträgern über die Grenzfläche hinweg möglich.
39
Metall-Halbleiter-Übergänge
Einem Übergang von Elektronen vom Metall in den Halbleiter steht die sog. Schottky-
Barriere WBn0 entgegen. Die Höhe dieser Energiebarriere beträgt WBn0 = WM - Wχ.
Einem Übergang von Leitungselektronen aus dem Halbleiter in das Metall steht ohne äußere
Spannung die Energieschwelle der Größe e⋅Uk entgegen.
3.1.1.2 Sperrpolung
Durch Anlegen einer positiven Spannung UR zwischen n-Halbleiter und Metall werden die
Leitungselektronen (Majoritätsträger) im Halbleiter vom Übergang weggezogen. Die
Energiebänder des Halbleiters sinken um e⋅UR gegenüber dem Metall ab. Die
Energieschwelle e⋅Uk für Leitungselektronen des Halbleiters vergrößert sich damit auf
e⋅(Uk+UR). Ein Elektronenstrom vom Leitungsband des Halbleiters ins Metall ist daher nicht
möglich.
Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-4 Sperrpolung
Kein Elektronenstrom vom
Halbleiter zum Metall wegen Wvac
e⋅Uk
vergrößerte Energiebarriere
e⋅(Uk+UR) WF
e⋅UR WC
WV
Die Schottky-Barriere verhindert auch einen Elektronenstrom vom Metall in den Halbleiter.
Metall n-Halbleiter
WV
Nur die energiereichsten Elektronen sind in der Lage die Schottky-Barriere zu überwinden
und führen zu einem geringen Sperrstrom. Wegen Oberflächenzuständen (Oberflächen-
ladungen) und komplizierten Einflüssen der Sperrspannung (Schottkyeffekt) weicht die
tatsächliche Schottkybarriere WBn von dem theoretischen Wert WBn0 ab und sinkt mit
wachsender Sperrspannung. Der Sperrstrom nimmt daher mit wachsender Sperrspannung zu.
3.1.1.3 Flusspolung
Durch Anlegen einer negativen Spannung UF = - UFF wird die Energieschwelle zwischen n-
Halbleiter und Metall reduziert. Sie beträgt dann e⋅(Uk+UF). Es tritt ein Elektronenstrom vom
Halbleiter ins Metall auf, der mit wachsender Spannung exponentiell zunimmt.
40
Metall-Halbleiter-Übergänge
Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-6 Flusspolung. Wvac
Elektronenstrom vom Halbleiter
zum Metall wegen reduzierter
Energiebarriere WC
WF
WV
3.1.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit geringerer Austrittsarbeit (WM < WH)
3.1.2.1 Übergang ohne äußere Spannung
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-7
Getrennte WH Wχ
Energiebänderschemata von WM
WC
Metall und p-Halbleiter mit
WFM
WM < WH
WFH
WV
Bringt man einen p-Halbleiter mit einem Metall kleinerer Austrittsarbeit in Kontakt, so ergibt
sich das in Abbildung 3-8 dargestellte Energieschema. Da die Austrittsarbeit des Metalls
geringer ist als die des Halbleiters, werden Löcher an der Grenze des Halbleiters durch
Elektronen aus dem Metall aufgefüllt.
Wegen des Verschwindens von Löchern entsteht im Halbleiter eine Verarmungszone mit
nicht kompensierten negativen Raumladungen, im Metall eine Elektronenverarmung geringer
Ausdehnung. Der Halbleiter lädt sich um die Kontaktspannung Uk negativ gegenüber dem
Metall auf. Die Energieniveaus im Halbleiter heben sich um (WM - WH) = e⋅Uk an; damit
haben sich die Ferminiveaus angeglichen (thermodynamisches Gleichgewicht).
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-8
Energiebänderschema von Wχ WH
p-Halbleiter mit Metallkontakt WM WC
(WM < WH) WBn
ohne äußere Spannung WF
WV
e⋅Uk
Die Angleichung der Ferminiveaus von Metall und Halbleiter führt zu einer Bandverbiegung
(vorzugsweise) im Halbleiter.
41
Metall-Halbleiter-Übergänge
Nach Angleichung der Ferminiveaus ist ohne äußere Spannung kein weiterer Übergang von
Ladungsträgern über die Grenzfläche hinweg möglich.
Einem Übergang von Löchern aus dem Halbleiter in das Metall steht ohne äußere Spannung
die Energieschwelle der Größe e⋅Uk entgegen.
Einem Übergang von Elektronen vom Metall in das Leitungsband des Halbleiters steht eine
Energieschwelle der Größe (WBn + e⋅Uk) entgegen. Die Höhe der Schottky-Barriere beträgt
WBn = WM - Wχ.
3.1.2.2 Sperrpolung
Durch Anlegen einer negativen Spannung UR zwischen p-Halbleiter und Metall werden die
Löcher (Majoritätsträger) im Halbleiter vom Übergang weggezogen. Die Energiebänder des
Halbleiters werden um e⋅UR gegenüber dem Metall angehoben. Die Energieschwelle für
Löcher des Halbleiters vergrößert sich damit auf e⋅(Uk+UR). Ein Löcherstrom vom Halbleiter
ins Metall ist daher nicht möglich.
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-9 Sperrpolung
Kein Löcherstrom vom WC
Halbleiter zum Metall wegen
vergrößerter Energiebarriere e⋅UR
WF WV
e⋅Uk
Die Energieschwelle für Elektronen des Metalls zum Leitungsband des Halbleiters vergrößert
sich ebenfalls um e⋅UR. Damit ist auch ein Elektronenstrom vom Metall in den Halbleiter
nicht möglich.
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-10 Sperrpolung
Kein Elektronenstrom vom
Metall zum Halbleiter wegen WC
vergrößerte Energiebarriere
WV
WF
Bei einer negativen Spannung des p-Halbleiters gegenüber dem Metall kann daher (außer
einem kleinen Sperrstrom) kein Strom fließen (→ Sperrpolung).
42
Metall-Halbleiter-Übergänge
3.1.2.3 Flusspolung
Durch Anlegen einer positiven Spannung UF wird die Energieschwelle für Löcher zwischen
p-Halbleiter und Metall reduziert. Sie beträgt dann e⋅(Uk-UF). Es tritt ein Löcherstrom vom
Halbleiter ins Metall auf (Die Löcher wandern im Halbleiter zum Metall und rekombinieren
dort mit Elektronen). Der Löcherstrom nimmt mit wachsender Spannung exponentiell zu.
Metall p-Halbleiter
Abbildung 3-11 Flusspolung . Wvac
Löcherstrom vom Halbleiter
zum Metall wegen reduzierter
Energiebarriere
WC
WF
WV
43
Metall-Halbleiter-Übergänge
3.2.1 Übergang von n-Halbleiter zu Metall mit kleinerer Austrittsarbeit (WM < WH)
Metall n-Halbleiter
Abbildung 3-12 Wvac
Getrennte Energiebänder- WH Wχ
Schemata für n-Halbleiter WM
und Metall geringerer
Austrittsarbeit WC
WFM WFH
(WM < WH)
WV
Bringt man einen n-Halbleiter mit einem Metall geringerer Austrittsarbeit in Kontakt, so
diffundieren Elektronen vom Metall in den Halbleiter, bis sich die Ferminiveaus angeglichen
haben. Es tritt eine Elektronenanreicherung auf der Halbleiterseite der Grenzfläche auf.
(Beachte: Keine an freien Ladungsträgern verarmte Raumladungszone sondern Ladungsträ-
geranreicherung). Der Halbleiter lädt sich negativ um Uk gegenüber dem Metall auf. Die
Spannung Uk verhindert eine weitere Diffusion von Elektronen vom Metall in den Halbleiter.
Es bildet sich keine Schottkybarriere WBn oder nur eine solche von minimaler Höhe heraus
(WM - Wχ ist sehr klein oder negativ).
Metall n-Halbleiter
Wvac
WH Wχ
Abbildung 3-13 WM
Energiebänderschema von
n-Halbleiter mit WC
WF
Metallkontakt (WM < WH)
ohne äußere Spannung
WV
Legt man an diesen Übergang eine äußere Spannung, so fließt -unabhängig von der Polarität
dieser Spannung- in jedem Falle ein Elektronenstrom.
Liegt der Minuspol der Spannung am Halbleiter, so fließen die Elektronen zum Metall. Sie
müssen hierzu keine Energieschwelle überwinden.
Da keine Verarmungszone (Raumladungszone mit fehlenden freien Ladungsträgern) vorliegt,
fällt die (geringe) äußere Spannung über den Bahnwiderständen im Halbleiter ab(5). Dies
macht sich in den folgenden Abbildungen durch ein (stark vergrößert dargestelltes) Gefälle
der Bandkanten im Halbleiter bemerkbar.
(5)
Dieser Spannungsabfall am ohmschen Widerstand des Halbleiterkristalls tritt auch in Halbleitern
mit pn- oder Schottky-Übergängen auf. Im Verhältnis zum Spannungsabfall an den vorhandenen
Raumladungszonen fällt der Spannungsabfall an den Bahnwiderständen dort aber nicht ins
Gewicht.
44
Metall-Halbleiter-Übergänge
Metall n-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-14
Ohmscher Kontakt mit
n-Halbleiter - WC
Minuspol am Halbleiter
WF
WV
Liegt der Minuspol am Metall, so wird die interne Spannung Uk abgeschwächt und
Elektronen strömen vom Metall in den Halbleiter. Die niedrige oder gar fehlende
Schottkybarriere stellt kein Hindernis dar.
Metall n-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-15
Ohmscher Kontakt mit
n-Halbleiter -
Pluspol am Halbleiter WF
WC
WV
3.2.2 Übergang von p-Halbleiter zu Metall mit größerer Austrittsarbeit (WM > WH)
Metall p-Halbleiter
Abbildung 3-16 Wvac
Getrennte Energiebänder-
WH Wχ
Schemata für p-Halbleiter
und Metall höherer Austritts- WM WC
arbeit (WM > WH)
WFH
WFM WV
Bringt man einen p-Halbleiter mit einem Metall größerer Austrittsarbeit in Kontakt, so treten
Valenzelektronen des Halbleiters in das Metall über. Anders ausgedrückt diffundieren Löcher
aus dem Metall in den Halbleiter und reichern sich dort an. (Beachte: Keine an freien
Ladungsträgern verarmte Raumladungszone sondern Ladungsträgeranreicherung). Dies
geschieht solange, bis die sich aufbauende Spannung Uk eine weitere Diffusion beendet und
sich die Ferminiveaus angeglichen haben.
45
Metall-Halbleiter-Übergänge
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-17
Energiebänderschema von WH Wχ
WM
p-Halbleiter mit Metallkontakt
(WM > WH) WC
ohne äußere Spannung
WF
WV
Legt man an diesen Übergang eine äußere Spannung, so fließt -unabhängig von der Polarität
dieser Spannung- in jedem Falle ein Löcherstrom.
Liegt der Pluspol der Spannung am Halbleiter, so fließen die Löcher vom Halbleiter zum
Metall. Sie müssen hierzu keine Energieschwelle überwinden.
Metall p-Halbleiter
Abbildung 3-18
Ohmscher Kontakt mit Wvac
p-Halbleiter
Pluspol am Halbleiter
WC
WF
WV
Liegt der Pluspol am Metall, so wird die interne Spannung Uk abgeschwächt und Löcher
strömen vom Metall in den Halbleiter (Valenzelektronen aus dem Halbleiter treten in das
Metall über).
Metall p-Halbleiter
Wvac
Abbildung 3-19 WC
Ohmscher Kontakt mit
p-Halbleiter
Pluspol am Metall WV
WF
46
Metall-Halbleiter-Übergänge
Bringt man eine Metallisierung auf den Halbleiter auf, so bildet sich wegen der hohen
Dotierung eine sehr dünne Raumladungszone zwischen Metall und Halbleiter. Diese dünne
Schicht kann von Elektronen in beiden Richtungen durchtunnelt werden. Trotz einer evtl.
hohen Schottkybarriere zeigt der Metall-Halbleiter-Übergang rein ohmsches Verhalten.
Metall
n-Halbleiter
Abbildung 3-21
Ohmscher Kontakt durch Wvac
-
Tunneleffekt n
Tunnelstrom +
n
WC
WF
WV
47
Metall-Halbleiter-Übergänge
48
Die Diode
4 Die Diode
4.1 Allgemeines
Ein Halbleiterkristall aus p-Zone, n-Zone und dazwischen liegendem pn-Übergang, mit
äußeren Anschlüssen und einem geeigneten Gehäuse versehen, ergibt ein wichtiges
elektronisches Bauelement die Diode.
Wie in den Abschnitten 2.2.1 und 2.2.2 beschrieben, unterscheidet man beim Anlegen einer
äußeren Spannung an die Diode die Sperrpolung und die Flusspolung.
- Bei Sperrpolung sperrt die Diode. Es fließt lediglich ein kleiner Sperrsättigungsstrom.
- Bei Flusspolung leitet die Diode. Bereits bei kleinen Spannungen tritt ein mit der Spannung
exponentiell ansteigender Durchlassstrom auf.
Die Diode kann demzufolge als elektronisches Ventil eingesetzt werden (Stromfluss nur in
einer Richtung möglich). Dieser Ventilcharakter kommt im Schaltzeichen der Diode zum
Ausdruck.
Schaltzeichen der Diode
Abbildung 4-1 Anode Katode
Allgemeines Schaltzeichen der Diode
Der p-seitige Anschluss der Diode wird Anode, der n-seitige Anschluss Katode genannt.
Die Diode lässt Strom (konventionelle Stromrichtung) in Richtung der im Schaltzeichen
integrierten Pfeilspitze zu (von Anode zu Katode).
Kennlinie
Der Gesamtstrom durch den idealen pn-Übergang beträgt:
U
UT
I = I S ⋅ (e − 1) mit IS = Sperrsättigungsstrom
In der Gleichung ist die an die Diode angelegte äußere Spannung U einzusetzen. Hierbei ist
eine Flussspannung positiv (U = UF > 0), eine Sperrspannung negativ (U = UR < 0)
einzusetzen.
Reale Dioden zeigen Abweichungen von dieser Idealkennlinie. Im Durchlassbereich lässt sich
dies mit einem Korrekturfaktor m im Exponenten der Gleichung annähern. Im
Durchlassbereich mit UF >> UT kann außerdem die 1 in der Gleichung gegenüber dem
Exponenzialglied vernachlässigt werden. Für die Durchlasskennlinie gilt dann:
UF
m⋅ U T I
I F = IS ⋅ e mit m = 1 . . 2
Ideale Diode
Abbildung 4-2 Reale Diode
Kennlinie der Diode
( für kleine und mittlere Ströme) Durchlassbetrieb
U
IS
Sperrbetrieb
49
Die Diode
Bei großen Durchlassströmen wirken sich zusätzlich zum eigentlichen pn-Übergang die
Bahnwiderstände des Halbleiterkristalls aus. Dies führt dazu, dass sich die Dioden-Durchlass-
Kennlinie bei großen Strömen einer Gerade annähert.
I
e-Funktion
Abbildung 4-3
Diodenkennlinie bei Gerade
großen Durchlassströmen
Der Sperrstrom einer realen Diode ist wegen Oberflächeneffekten immer größer als IS.
Belastungsgrenzen
Der nutzbare Kennlinienbereich der Diode wird im Durchlassbereich begrenzt durch die
maximal zulässige statische Verlustleistung Ptot.
Im Sperrbereich tritt bei Überschreiten eines typabhängigen Wertes der Sperrspannung ein
starker Sperrstromanstieg auf.
Bei den Z-Dioden (siehe Abschnitt 4.5) kann dieser Durchbruch bis zu einer maximalen
Sperrverlustleistung technisch genutzt werden (reversibler 1. Durchbruch).
Bei Überschreitung der maximalen Sperrverlustleistung und bei anderen Dioden besteht die
Gefahr des thermischen Durchbruchs (siehe Abbildung 4-4, 2. Durchbruch) mit Zerstörung
der Diode. Aus diesem Grunde darf eine maximale Sperrspannung UBR bzw. bei Z-Dioden
die maximal zulässige Sperrverlustleistung nicht überschritten werden.
I
UBR Ptot
Abbildung 4-4 U
Belastungsgrenzen der Diode
2.Durchbruch
Gleichstromwiderstand
I
Wird die Diode in einem Arbeitspunkt AP betrieben, so fließt der Strom IAP und der
Spannungsabfall beträgt UAP.
50
Die Diode
U AP
Der Widerstand R F = ist der Gleichstromwiderstand der Diode.
I AP
Der Gleichstromwiderstand ist eine reine Rechengröße und besitzt keine große Bedeutung. Es
wird empfohlen, auf seine Verwendung zu verzichten.
Der differentielle Widerstand rf ist ein Maß für die Steigung der Tangente an die
Diodenkennlinie im Arbeitspunkt.
I
Abbildung 4-6
Tangente an die Kennlinie
AP ∆I
∆U U
Der differentielle Widerstand ist z.B. bedeutsam für kleine Wechselsignale, die im
Arbeitspunkt überlagert werden.
Zur Vereinfachung der Behandlung von Dioden bei Schaltungsberechnungen wird die
Diodenkennlinie häufig stückweise linearisiert. Hierzu wird der exponentiell ansteigende
Kennlinienteil durch eine Gerade (Tangente oder Sekante im Arbeitsbereich) ersetzt. Der
Schnittpunkt dieser Geraden mit der Spannungsachse wird Schwellspannung UF0 (in anderer
Literatur oft auch US) genannt. Die Größen UF0 und rf charakterisieren diese lineare
Kennliniennäherung. (Weitere Informationen zu linearen Kennliniennäherungen finden sich
im Anhang A, Abschnitt A.3.3)
Tangenten- Sekanten-
Näherung Näherung
U U
UF0 UF0
51
Die Diode
fast recovery
Anwendung Signaldiode Kleinleistungsdiode
Leistungsdiode
Grenzwerte
periodische Spitzensperrspannung
URRM 100 V 100 V, 200 V, ...1000 V 400 V
(peak repetitive reverse voltage)
Strommittelwert
I0M 150 mA 3A 30 A
(average rectified forward current)
Einmaliger Spitzenstoßstrom
IFSM 500 mA 100 A 300 A
(surge forward current)
Sperrerholzeit
trr 4 ns 5 µs 150 ns
(reverse recovery time)
(6)
Der Wärmewiderstand wird in Abschnitt 22 behandelt
52
Die Diode
p+ p n n+
Diese Zwischenschicht nimmt einerseits hohe Sperrspannungen auf und wird andererseits im
Durchlassbetrieb mit Ladungsträgern derart überschwemmt, dass sie (bei nicht zu hohen
Frequenzen) keinen Beitrag zum Durchlasswiderstand leistet.
Durch solche Strukturen und weitere konstruktive Maßnahmen lassen sich Leistungsdioden
für Durchlassströme bis zu mehreren 10 kA und Sperrspannungen von einigen 1000 V
herstellen.
Tabelle 4-2 Daten der Hochleistungsdiode 5SDD 33L5000 (ABB Semiconductors)
Grenzwerte
Periodische Spitzensperrspannung (50 Hz) URRM 4000 V
Einmalige Spitzensperrspannung (< 5 ms) URSM 5200 V
Strommittelwert (50 Hz) IFAVM 3300 A
Stromeffektivwert (50 Hz) IFRMS 5180 A
50 000 A (10 ms)
Einmaliger Spitzenstoßstrom IFSM
130 000 A (1 ms)
Typische Kennwerte
Schwellspannung UF0 1,0 V
Differentieller Widerstand rf 0,13 mΩ
Durchlassspannung bei IF = 5000 A UF < 1,68 V
Sperrstrom (bei ϑj = 150 °C; UR = 4000V) IRRM < 400 mA
Max. zulässige Sperrschichttemperatur ϑJmax 150 °C
Wärmewiderstand - einseitig gekühlt 16 K/kW
Rth/J-G
(junction to case) - beidseitig gekühlt 8 K/kW
Wärmewiderstand - einseitig gekühlt 6 K/kW
Rth/G-K
(case to heat sink) - beidseitig gekühlt 3 K/kW
Bauform: Scheibendiode ∅ 120 mm Dicke 27 mm
53
Die Diode
4.4 Schaltdioden
Für Schaltanwendungen werden Dioden mit speziellen dynamischen und statischen
Eigenschaften benötigt. Je nach Einsatzfall sind gefordert:
- hohe Sperrfestigkeit, niedrige Durchlassspannung,
- sehr kleine Sperrverzögerungszeit,
- sanftes Abklingen des Rückstromes,
- abruptes Abreißen des Rückstromes,
- kleine Rückstromspitze usw..
Den unterschiedlichen Anforderungen entsprechend existiert ein breites Angebot von
Schaltdioden mit z.T. sehr speziellen Eigenschaften:
- schnellschaltende Dioden mit kurzer Speicher- und Abfallzeit (z.B. mit Golddotierung zur
Verkürzung der Ladungsträger-Lebensdauer),
- Ladungsspeicherdioden, Step-Recovery- oder Snapp-off-Dioden mit extrem kurzer
Abfallzeit,
- fast-recovery-Dioden (GaAs-Dioden mit natürlicher kleiner Ladungsträger-Lebensdauer),
- Schottky-Dioden (siehe Abschnitt 4.9) usw..
C IZmax Iz
Im Verlauf der Sperrkennlinie lassen sich die Abschnitte Sperrbereich (0 - A),
Knickbereich (A - B) und Durchbruchbereich (B - C) unterscheiden.
Im Durchbruchbereich verläuft die Kennlinie in der Regel sehr steil, annähernd gerade und
lässt sich in guter Näherung durch eine lineare Gleichung beschreiben (siehe hierzu
Anhang A, Abschnitt A.3.3: Linearisierung von Kennlinien).
Einer der wichtigsten Anwendungszwecke der Z-Diode ist die Stabilisierung von
Spannungen. Hierzu wird die Diode grundsätzlich im Durchbruchbereich betrieben. Dieser
wird nach oben durch die maximal zulässige Verlustleistung Ptot (entspricht dem Strom
IZmax) und nach unten durch den Strom IZmin begrenzt.
54
Die Diode
Der Strom IZmin grenzt den Durchbruchbereich gegenüber dem Knickbereich ab. Wird IZmin
unterschritten, so geht die stabilisierende Wirkung der Durchbruchkennlinie verloren.
Tabelle 4-3 Daten einiger Z-Dioden-Typenreihen
Baureihe BZX55 BZX85 BZV48 ZX
Bezeichnung BZX 55 C2V7 BZX85 C2V7 BZV48 C3V3 ZX 3,9 ... ZX 200
....BZX55 C110 ....BZX85 C110 ....BZV48 C200
Z-Spannungen(7) UZ 2,7 ... 110 V 2,7 ... 110 V 3,3 ... 200 V 3,9 ... 200 V
Zul. Verlustleistung 0,5 W 1,3 W 5W 10 W (Kühlblech)
Glasgehäuse, Glasgehäuse, Plastikgehäuse, Metallgehäuse
Bauform axiale axiale axiale mit
Anschlussdrähte Anschlussdrähte Anschlussdrähte Schraubanschluss
4.6 Kapazitätsdiode
Bei den Kapazitätsdioden, auch Varaktordioden genannt, ist die spannungsabhängig
veränderbare Sperrschichtkapazität funktionsbestimmend. Die Maximalwerte der Kapazität
von Kapazitätsdioden liegen im Bereich 5 ... 300 pF.
Durch geeignete Dotierungsprofile (linear, abrupt, hyperabrupt) lassen sich
Sperrschichtkapazitäten realisieren, die durch Spannungsänderungen im Verhältnis 1:3 (bei
hyperabrupt bis 1:30) variiert werden können.
Für die Sperrschichtkapazität als Funktion der Sperrspannung gilt grundsätzlich die
Beziehung:
n
UD
c S = c S0 ⋅
UD + UR
n =1 2 n =1 3 n = 1,5....2
(7)
Üblich ist eine Staffelung nach der E24-Reihe: 2,7 / 3 / 3,3 / 3,6 / 3,9 / 4,3 / 4,7 / 5,1 / 5,6 / 6,2 / 6,8 / 7,5 / 8,2
/ 9,1 / 10 / 11 / 12 / 13 / 15 / 16 / 18 / 20 / 22 / 24 / 27 usw.
55
Die Diode
Bei Betrieb der Kapazitätsdioden im Sperrbereich ergeben sich hohe Werte der Güte bis in
den GHz-Bereich (Q = 1/(ωCR) = 100 ... 1000).
(a) (b)
(veraltet) (neu)
4.7 Tunneldiode
Bei der Tunneldiode liegt die Dotierung von n- und p-Zonen so hoch (>> 1019 cm-3), dass
„Entartung“ eintritt.
Hierbei liegt das Fermi-Niveau nicht mehr innerhalb des verbotenen Bandes, sondern auf der
p-Seite innerhalb des Valenzbandes, auf der n-Seite innerhalb des Leitungsbandes.
Bei der Tunneldiode stehen sich daher bereits im spannungslosen Zustand ein Teil des
Valenzbandes der p-Seite und ein Teil des Leitungsbandes der n-Seite gegenüber. Zudem ist
die Sperrschichtweite extrem gering.
Bereits bei kleinen äußeren Spannungen tunneln Ladungsträger durch die Sperrschicht.
Abbildung 4-13 Bändermodell der Tunneldiode
Sperrpolung U < 0 ohne Spannung U = 0 Flussfall U > 0 Flussfall U > 0
Zenerstrom I=0 überwiegend nur noch
Esakistrom Diffusionsstrom
WF WF
WF
WF
Bei Sperrpolung (a) tunneln Valenzelektronen vom Valenzband der p-Seite ins
Leitungsband der n-Seite (Zenerstrom). Bereits bei kleinen Sperrspannungen tritt ein kräftiger
Stromfluss auf. Die Tunneldiode hat keine Sperrfähigkeit.
56
Die Diode
Bei schwacher Flusspolung (c) tunneln Leitungselektronen vom Leitungsband der n-Seite
ins Valenzband der p-Seite (sog. Esaki-Strom). Bereits bei kleinen Flussspannungen tritt ein
kräftiger Stromfluss auf.
Mit wachsender Flussspannung verringert sich allerdings der Bereich, in dem sich
Valenzband und Leitungsband gegenüberstehen; schließlich hört diese Gegenständigkeit ganz
auf (d). Demzufolge durchläuft der Esakistrom nach anfänglichem Steigen ein Maximum
(„Höckerstrom“) und sinkt dann gegen Null.
Dem Esakistrom überlagert ist der normale Durchlassstrom (Diffusionsstrom) der Diode. An
den Stromhöcker des Esakistromes schließt sich daher ein Stromminimum („Talstrom“) und
dann die normale Durchlasskennlinie der Diode an.
I
(c) (d)
Abbildung 4-14
Kennlinie der Tunneldiode (b) U
(a)
Zwischen Höckerstrom und Talstrom tritt ein Kennlinienabschnitt mit negativem differen-
tiellem Widerstand auf. Dadurch lässt sich die Tunneldiode zur Schwingungserzeugung im
Mikrowellenbereich nutzen.
4.8 Backward-Diode
Eine Sonderform der Tunneldiode ist die Backward-Diode. Durch entsprechende Dotierung
befinden sich bei der Backwarddiode die Valenzbandkante des p-Gebiets und die
Leitbandkante des n-Gebiets im spannungslosen Zustand auf gleicher Höhe. Damit tritt bei
Sperrpolung sofort Tunnelstrom auf, im Flussbereich jedoch nicht.
Die Backwarddiode besitzt daher keinen Stromhöcker im Flussbereich, bei Sperrpolung leitet
sie jedoch bereits bei sehr kleinen Spannungen (keine Schwellspannung).
I
Abbildung 4-16
Schaltzeichen und Kennlinie
der Backward-Diode
U
Aufgrund dieser Eigenschaften ist die Backward-Diode geeignet zur Gleichrichtung von
Wechselspannungen im mV-Bereich. Dabei leitet die Backward-Diode in Sperrpolung und
sperrt in Flusspolung.
57
Die Diode
4.9 Schottky-Diode
Die Schottky-Diode beruht nicht auf einem pn-Übergang, sondern auf einem Metall-
Halbleiter-Übergang (in der Regel n-Halbleiter). Auch hier tritt (im Halbleiter) eine
Raumladungszone mit Gleichrichter-Eigenschaften auf. (siehe hierzu Abschnitt 3)
Abbildung 4-17
Schaltzeichen der Schottky-Diode
Im Gegensatz zum pn-Übergang ist bei Flusspolung praktisch nur eine Majoritätsträgerart
(Elektronen des n-leitenden Halbleiters) beteiligt. Langsame Minoritätsträgerprozesse
entfallen. Dadurch sind die dynamischen Eigenschaften der Schottky-Diode erheblich besser
als bei der pn-Diode (z.B. sehr viel kürzere Schaltzeiten).
Die Schleusenspannung der Schottky-Diode ist deutlich niedriger als die der pn-Diode (z.B.
0,3 . . . 0,4V).
Die Kennlinie folgt über mehrere Größenordnungen exakt dem theoretischen Verlauf der
e-Funktion (sehr viel besser als bei der pn-Diode).
Andererseits hat die Schottky-Diode auch weniger günstige Eigenschaften als die pn-Diode:
Der Sperrstrom ist ein Majoritätsträgerstrom, um mehrere Größenordnungen höher und
wesentlich stärker von der Sperrspannung abhängig als bei der pn-Diode.
Die Durchbruchspannung ist erheblich niedriger als bei pn-Dioden.
Tabelle 4-5 Daten von Schottky-Dioden
Typ 1N 5711 BAT 42 1N5819 MBR 1035
Grenzwerte
Strommittelwert IFAVM 15 mA 100 mA 1A 10 A
Sperrspannung URRM 70 V 30 V 40 V 35 V
Typische Kennwerte
UF < 0,41 V < 0,4 V < 0,35 V < 0,57 V
Durchlassspannung
bei 1 mA bei 10 mA bei 100 mA bei 10 A
Sperrschichtkapazität C 2 pF 5 pF
Wichtige Anwendungsbereiche der Schottky-Diode sind:
- Höchstfrequenz-Diode (Gleichrichtung, Mischung),
- Schaltdiode mit extrem kurzer Schaltzeit,
- Leistungsgleichrichter für hohe Schaltfrequenzen (z.B. in Schaltnetzteilen),
- Klammerdiode für bipolare Schalttransistoren (zur Vermeidung einer starken
Übersteuerung),
- Schottky-Logik-Schaltkreise,
- opto-elektronische Bauteile usw..
58
Die Diode
(a) Warum weicht die Durchlaßkennlinie einer Diode für große Ströme vom exponentiellen
Verlauf ab und geht in einen annähernd linearen Verlauf über ?
(b) Was versteht man unter dem differentiellen Widerstand der Diode ?
(c) Wozu dient die Intrinsic-Zone bei hochsperrenden Leistungsdioden ?
(d) Wodurch erreicht man kleine Durchlass-Spannungen bei hochsperrenden Leistungsdioden ?
(e) Was ist eine Avalanche-Diode ?
(f) Was versteht man unter einem hyperabrupten pn-Übergang ? Wozu dient er ?
(g) Wozu verwendet man die Backward-Diode ?
(h) Welches sind die speziellen Eigenschaften einer Schottky-Diode ?
Aufgabe 4-2: Grafische Ermittlung des Arbeitspunktes
IF
U = 12 V
R1 R3
R1 = 90 Ω
U R2 UF
R2 = 180 Ω
R3 = 100 Ω
Diode: 1N4148
Ermittle grafisch Durchlass-Strom IF und Durchlass-Spannung UF der Diode.
60
I/mA 1N4148
50
40
30
20
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 U/V 10
59
Die Diode
R1
UB = 20 V
UB R2 A iF ûb = 8 V
ub R3 uD D R1 = 1,5 kΩ
R2 = 1,2 kΩ
B R 3 = 1 kΩ
aktiver Zweipol passiver Zweipol
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 U/V 8
(a) Um welchen Faktor Cmax/Cmin unterscheidet sich die Sperrschichtkapazität für die
Sperrspannungswerte UR = 1 V und UR = 9 V ?
(b) Für welche der beiden Sperrspannungen ergibt sich die größere Kapazität ?
60
Die Diode
10
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
UF/V
Aufgabe 4-6: Einfache Widerstands-Diodenschaltungen
In vielen Fällen kann man die Funktion einer Diode in einer Schaltung ausreichend
beurteilen, in dem man die nicht lineare (z.B. exponentielle) Kennlinie einer Diode durch
eine lineare Näherung ersetzt.
Analysiere mit dieser Vorgehensweise die folgenden Einzelschaltungen und ermittle jeweils
die eingezeichneten Spannungen und Ströme.
Für eine Diode in Flußpolung soll (als Näherung) gelten UF = 0,7 V.
Für eine Z-Diode im Durchbruch soll (als Näherung) gelten UZ = 8,2 V.
+15V
I1 I2 I3 I4 I6 I9 I10 I13 I14 I15
1 kΩ ZD
1 kΩ 1 kΩ
ZD ZD
2 kΩ 1 kΩ
1 kΩ 1 kΩ
ZD ZD 1 kΩ
1 kΩ U4 1 kΩ
U1 U2 U3 U5 U6 U7
ZD I8 I11 I16
I5 I7 I12
I I I
I
Gnd
61
Die Diode
(a) Gib die Größe der Spannungen (Potentiale) U2 und U3 und der Ströme I1 bis I3 an für
folgende Werte von U1: +15V, +10V, -5V
(b) Bei welchem Wert von U1 beginnt die Z-Diode gerade in Flußpolung zu leiten
62
Die Diode
D
uin uout Zeichne den Verlauf der Spannung uout im
eingeschwungenen Zustand für 2 Perioden der
UB
+ Spannung uin
63
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
(8)
Die zahlenmäßigen Ergebnisse aller folgenden Analysen beziehen sich auf die Dimensionierung
gemäß Abbildung 5-2
64
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
* Variante A
Um bei Variante A einen linearen aktiven Zweipol zu erhalten, muss die Z-Diode durch
eine lineare Ersatzschaltung aus UZ0 und rz ersetzt werden. Man erhält dann einen aktiven
Zweipol mit zwei Quellen, der nun in eine einfache Ersatzquelle umgewandelt wird.
Die Stabilisierungsschaltung wird hierbei insgesamt in eine lineare Schaltung überführt.
Diese lineare Schaltung lässt sich sehr einfach rechnerisch analysieren, so dass man sich
eine graphische Lösung sparen kann. Auf rechnerische Analysen wird im Abschnitt 5.1.2
eingegangen.
* Variante B
UB RL UZ U0B UZ
ZD ZD
Mittels Schnittpunktverfahren erhält man auf graphischem Wege den Arbeitspunkt der
Z-Diode:
I/mA
Abbildung 5-4 100
Ermittlung des Arbeitspunktes Z-Diode
für Variante B RiB
50
AP
IZ
0
0 10 U0B 20 U/V
Aus der Zeichnung kann abgelesen werden: UZ
IZ ≈ 35 mA UZ ≈ 8,7 V
Ströme und Spannungen für die übrigen Bauteile der Stabilisierungsschaltung lassen sich
anschließend berechnen:
IL = UZ/RL = 21,75 mA UL = UZ ≈ 8,7 V
IV = IZ + IL = 56,75 mA U R V = U B − U Z ≈ 11,3V
65
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
* Variante C
UB UZ RL U0C=UB UZ RL FZD
ZD
IV AP
50
RL
IZ APZD
IL APR L RV
0 UB
0 10 20 U/V
UZ=UL URv
Aus der Zeichnung lassen sich Strom und Spannung im Arbeitspunkt AP ablesen:
UZ = UL ≈ 8,7 V IV ≈ 56,7 mA
Da in der Zeichnung die Einzelkennlinien von Z-Diode und Lastwiderstand enthalten sind,
lassen sich durch Schnitt mit der Linie U = UZ = UL auch die Arbeitspunkte APZD und
APR L einzeichnen und die Einzelströme IZ und IL ablesen:
IZ ≈ 35 mA IL ≈ 21,5 mA
Die Spannung am Vorwiderstand RV ergibt sich aus der Differenz von UB und UZ:
URv = UB - UZ ≈ 11,3 V
Bei Variante C (graphische Zusammenfassung von Z-Diode und Lastwiderstand) lassen sich
alle Ströme und Spannungen graphisch ermitteln. Berechnungen entfallen fast vollständig.
Vorteilhaft ist, dass bei den gezeigten graphischen Lösungen sofort erkennbar ist, ob die
Z-Diode im linearen Teil der Durchbruchkennlinie betrieben wird (siehe Abschnitt 5.2.1).
66
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
(9)
Für die Linearisierung der Z-Diodenkennlinie werden die Daten gemäß Abbildung 5-2 verwendet.
67
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
U B ⋅ rz + ( U Z0 − I L ⋅ rz ) ⋅ R V
UZ =
R V + rz
U B ⋅ R L − U Z0 ⋅ ( R L + R V )
RL gegeben: IZ = ≈ 34,78mA
rz ⋅ R L + rz ⋅ R V + R L ⋅ R V
( U B ⋅ rz + U Z0 ⋅ R V ) ⋅ R L
UZ = ≈ 8,7V
R V ⋅ rz + R V ⋅ R L + R L ⋅ rz
Strom und Spannung am Lastwiderstand
U B ⋅ rz + U Z0 ⋅ R V
IL = ≈ 21,74mA
R V ⋅ rz + R V ⋅ R L + R L ⋅ rz
( U B ⋅ rz + U Z0 ⋅ R V ) ⋅ R L
UL = UZ = ≈ 8,7V
R V ⋅ rz + R V ⋅ R L + R L ⋅ rz
Strom und Spannung am Vorwiderstand
IV = IZ + IL ≈ 56,5 mA
U R V = U B − U Z ≈ 11,3V
Es besteht sehr gute Übereinstimmung zwischen den Ergebnissen der Berechnungen und den
Ergebnissen der graphischen Analysen nach Abschnitt 5.1.1.
68
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
IZmax
Ptot
Abbildung 5-9
Zulässiger Arbeitsbereich der Z-Diode
IZmin
Die folgenden Berechnungen zielen auf die Einhaltung des zulässigen Arbeitsbereiches
IZmin < IZ < IZmax
69
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
IZmax
Abbildung 5-10
Grenzwerte der RL
Versorgungsspannung ZD
(ohne Toleranzen für RL und RV)
RV
IZmin RV
U
UBmin UBmax
Zunächst müssen die Grenzen IZmin und IZmax von der Z-Dioden-Kennlinie auf die
Summenkennlinie (RL // ZD) übertragen werden.
70
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
Durch die so gewonnenen Grenzen des zulässigen Arbeitsbereiches auf der Summenkennlinie
zieht man Widerstandsgeraden für RV. Die Schnittpunkte dieser Widerstandsgeraden mit der
Spannungsachse ergeben die Grenzwerte UBmin und UBmax.
5.2.2.3 Grenzwerte für den Vorwiderstand RV
UB − UZ UB − UZ
Es gilt RV = bzw. RV =
IZ + IL I Z + (U Z R L )
Mit steigender Größe des Vorwiderstandes RV sinkt der Z-Dioden-Strom IZ.
Der Grenzwert RVmax ist so festzulegen, dass die Grenze IZmin nicht unterschritten wird:
U B − U Z min U B − U Z min
R V max = bzw. R V max =
I Z min + I L I Z min + ( U Z min R L )
Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(min), RL(min), bzw. IL(max).
Mit sinkender Größe des Vorwiderstandes RV steigt der Z-Dioden-Strom IZ.
Der Grenzwert RVmin ist so festzulegen, dass die Grenze IZmax nicht überschritten wird:
U B − U Z max U B − U Z max
R V min = bzw. R V min =
I Z max + I L I Z max + U Zmax / R L
IZmax
Abbildung 5-11
Grenzwerte des RL
Vorwiderstandes RV ZD
(ohne Toleranzen für UB und RL)
RVmin
IZmin RVmax
UB U
Ausgehend vom Punkt UB auf der Spannungsachse werden Widerstandsgeraden durch die
Grenzwerte IZmin und IZmax auf der Summenkennlinie RL // ZD gezeichnet. Die beiden
Widerstandsgeraden entsprechen den Grenzwerten RVmax und RVmin.
5.2.2.4 Grenzwerte für den Lastwiderstand RL
UZ ⋅ RV
Für RL gilt RL =
UB − UZ − IZ ⋅ R V
Mit steigender Größe des Lastwiderstandes RL steigt der Z-Diodenstrom IZ.
Der Grenzwert RLmax ist so festzulegen, dass die Grenze IZmax nicht überschritten wird:
U Z max ⋅ R V
R L max =
U B − U Z max − I Z max ⋅ R V
Bei toleranzbehafteten Bauteilen sind einzusetzen UB(max), RV(min).
71
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
IVmin
Abbildung 5-12
Grenzwerte des IZmax
Lastwiderstandes RL
(ohne Toleranzen für UB und RV)
RLmax
ZD
IZmin RV
UZmin UZmax UB U
- Ausgehend vom Punkt UB auf der Spannungsachse wird die Widerstandsgerade für RV
eingezeichnet. Jeder Arbeitspunkt des passiven Zweipols aus Z-Diode und
Lastwiderstand muss auf dieser Generatorkennlinie liegen.
- Im Punkt UZmin auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Der Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der niedrigsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmin, dem niedrigsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmin und dem Strom IVmax wieder. Eine Gerade durch
diesen Arbeitspunkt und den Punkt IZmin auf der Strom-Achse hat die Steigung des
kleinsten zulässigen Widerstandes RL. Eine Parallele dieser Geraden durch den Ursprung
des Koordinatensystems ist die Kennlinie von RLmin.
- Im Punkt UZmax auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Dieser Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der höchsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmax, dem höchsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmax und dem Strom IVmin wieder. Eine Gerade durch
diesen Arbeitspunkt und den Punkt IZmax auf der Strom-Achse hat die Steigung des
größten zulässigen Widerstandes RL. Eine Parallele dieser Geraden durch den Ursprung
des Koordinatensystems ist die Kennlinie von RLmax. Hat die Verbindungsgerade eine
negative Steigung, so ist der höchste zulässige Lastwiderstand RLmax → ∞. Der
Arbeitspunkt IZmax / UZmax der Z-Diode kommt dann bei keinem Lastwiderstand vor.
5.2.2.5 Grenzwerte für den Laststrom IL
UB − UZ
Für IL gilt IL = − IZ
RV
Mit steigender Größe des Laststromes IL sinkt der Z-Diodenstrom IZ.
72
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
Der Grenzwert ILmax ist so festzulegen, dass die Grenze IZmin nicht unterschritten wird:
U B − U Z min
I L max = − I Z min
RV
ZD
ILmin
IZmin RV
UZmin UZmax UB U
- Ausgehend vom Punkt UB auf der Spannungsachse wird die Widerstandsgerade für RV
eingezeichnet. Jeder Arbeitspunkt des passiven Zweipols aus Z-Diode und
Lastwiderstand muss auf dieser Generatorkennlinie liegen.
- Im Punkt UZmin auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Der Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der niedrigsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmin, dem niedrigsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmin und dem Strom IVmax wieder. Die Differenz aus IVmax
und IZmin ergibt den maximal zulässigen Laststrom ILmax.
- Im Punkt UZmax auf der Spannungsachse wird eine Senkrechte errichtet und mit der
Widerstandsgeraden von RV zum Schnitt gebracht. Dieser Schnittpunkt gibt den
Arbeitspunkt mit der höchsten zulässigen Z-Dioden-Spannung UZmax, dem höchsten
zulässigen Z-Dioden-Strom IZmax und dem Strom IVmin wieder. Die Differenz aus IVmin
und IZmax ergibt den niedrigsten zulässigen Laststrom ILmin. Ist der Strom IVmin kleiner
als IZmax, so ist der niedrigste zulässige Laststrom ILmin = 0.
73
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
In Abbildung 5-14 sind die (linearisierten) Durchbruchkennlinien einer Z-Diode für drei
unterschiedliche Sperrschichttemperaturen dargestellt.
IZ rzu
Abbildung 5-14 ϑj=120°C
Temperaturabhängigkeit ϑj=70°C ϑu=20°C
der Durchbruchkennlinie ϑj=20°C
einer Z-Diode
(Lawineneffekt
positiver Temperaturkoeffizient α)
rzj
UZ
Jede der drei Kennlinien gilt unter der Voraussetzung, dass die Sperrschichttemperatur
unabhängig vom gerade fließenden Strom einen konstanten Wert hat. Die konstante
Sperrschichttemperatur beim Durchlaufen der Kennlinie kann nur bei schnellen Vorgängen
eingehalten werden, bei denen die Sperrschichttemperatur (wegen der vorhandenen
Wärmekapazität) dem zeitlichen Verlauf der Verlustleistung nicht folgen kann.
Es handelt sich bei den drei Kennlinien also um dynamische Kennlinien. Die dynamischen
Kennlinien sind steil und besitzen den differentiellen Widerstand rz j = rz dyn .
In der Abbildung 5-14 ist eine weitere, flachere Kennlinie eingezeichnet. Diese Kennlinie gilt
unter der Voraussetzung, dass die Diode bei einer konstanten Umgebungstemperatur (im
Beispiel ϑu = 20 °C) betrieben und die Kennlinie sehr langsam durchfahren wird. Bei dieser
Betriebsweise stellt sich bei jedem Wert des Z-Diodenstromes eine von der jeweiligen
Verlustleistung abhängige Sperrschichttemperatur ein. Mit steigendem Strom IZ steigt damit
die Sperrschichttemperatur. Der positive Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung
führt dazu, dass sich eine flachere Kennlinie mit einem deutlich höheren differentiellen
Widerstand rzu ergibt.
Die Kennlinie für konstante Sperrschichttemperatur ϑj = 20 °C lautet:
U Z20 = U Z0 + rz dyn ⋅ I Z
Im statischen Betrieb bei der Umgebungstemperatur ϑu = 20 °C mit dem Strom IZ steigt die
Sperrschichttemperatur proportional zur auftretenden Verlustleistung PV an um
(10)
∆ϑ = PV ⋅ R th
Es stellt sich dann folgende Durchbruchspannung ein:
U Zu = U Z20 ⋅ (1 + α ⋅ ∆ϑ)
(10)
Der Wärmewiderstand Rth wird im Abschnitt 22 behandelt.
74
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
Mit PV = U Zu ⋅ I Z
wird daraus U Zu = U Z20 ⋅ (1 + α ⋅ U Zu ⋅ I Z ⋅ R th )
und mit U Z20 ⋅ U Zu ≈ U Z 2
ergibt sich U Zu ≈ U Z20 + α ⋅ U Z 2 ⋅ R th ⋅ I Z
Neben dem dynamischen Anteil rz dyn ist ein thermisch bedingter Anteil rz th wirksam:
rz th = α ⋅ U Z 2 ⋅ R th
Abbildung 5-15 iz IZ
Überlagerung von
rz th
Gleich- und Wechselspannung Cth
ub
UZ+uz RL
rzdyn
UB
UZ0
Der von der Gleichspannung UB verursachte Gleichstrom IZ verursacht an der Z-Diode den
Spannungsanteil UZ = UZ0 + IZ ⋅ rzu. Die Wechselspannung ub verursacht einen Wechselstrom
iz, der bei hinreichend großer Frequenz (dazu können bereits 50 bis 100 Hz ausreichen) nur
über den Widerstand rzdyn bestimmt wird.
Nach dem Überlagerungsgesetz kann der Einfluss der einzelnen Quellen getrennt
voneinander betrachtet werden. Zur Analyse des Einflusses der Wechselspannung kann
demnach aus Abbildung 5-15 ein Wechselstrom-Ersatzschaltbild abgeleitet werden. Hierzu
werden alle Gleichspannungsquellen und Kapazitäten durch Kurzschlüsse (d.h. U = 0 und
1/ωC = 0) ersetzt.
75
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
RV iv il
Abbildung 5-16 iz
Wechselstrom-Ersatzschaltbild
ub rzdyn uz RL
Für eine wirksame Spannungsstabilisierung müssen die Bedingungen (RL >> rzu > rzdyn )
und
(RV >> rzu > rzdyn ) erfüllt sein:
rz dyn
Mit RL >> rzdyn erhält man: uz ≈ ⋅ ub
R V + rz dyn
rz dyn
Mit RV >> rzdyn ergibt sich schließlich: uz ≈ ⋅ ub
RV
ub RV
Der Quotient S= = wird Glättungsfaktor bzw. Siebfaktor genannt.
uz rz dyn
Er gibt an, um welchen Faktor der Wechselanteil der Eingangsspannung gedämpft wird.
ub
Zahlenbeispiel: RV = 200 Ω rzdyn = 5 Ω ≈ 40
uz
(d.h. der Wechselanteil am Ausgang der Stabilisierungsschaltung ist 40 mal kleiner als am Eingang)
1
T
2 2 u z eff 2
ergibt sich PVZ = U Z ⋅ I Z + rz dyn ⋅ ⋅ E i z ⋅ dt = U Z ⋅ I Z + i z eff ⋅ rz dyn = U Z ⋅ I Z +
T rz dyn
0
Die gesamte Verlustleistung setzt sich demnach aus einem reinen Gleich- und einem reinen
Wechselanteil zusammen: PVZ = PV= + PV ~
2 u zeff 2
PV = = U Z ⋅ I Z PV ~ = i zeff ⋅ rz =
rz
76
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode
IZ
Für alle folgenden Aufgaben gilt diese Schaltung UZ RL
UB
ZD
a) Geben Sie für die linearisierte Kennlinie die Werte UZ0 und rZ an.
b) Welchen Wert IZmin würden Sie für diese Z-Diode festlegen?
Begründen Sie den gewählten Wert.
c) Ermitteln Sie grafisch den größten zulässigen Strom durch die Z-Diode (IZmax) für
Ptot = 0,35 W (Verlustleistungshyperbel in das Kennlinienfeld einzeichnen)
d) Darf die Z-Diode mit einem Vorwiderstand RV = 100 Ω an einer Spannungsquelle von
UB = 12 V betrieben werden? (kein Lastwiderstand parallel zur Z-Diode)
(a) Wie groß muß der Vorwiderstand sein, damit im Leerlauf der Stabilisierungsschaltung ein
Glättungsfaktor von S ≥ 40 erreicht wird ?
(b) Für welche maximale Verlustleistung muß die Z-Diode ausgelegt werden ?
77
Netzgleichrichter
6 Netzgleichrichter
Netzgleichrichter dienen dazu, aus der Wechselspannung eines vorhandenen Versorgungs-
netzes (50 Hz in vielen Teilen der Welt, 60 Hz in USA, 16 2/3 Hz bei den Eisenbahnen) eine
Gleichspannung zu gewinnen.
Charakteristisch für Netzgleichrichter ist, dass Frequenz und Amplitude der Netzspannung
am Ort des Verbrauchers vorgegeben sind und zwischen dem Wechselstrom-Netz und dem
Gleichrichter grundsätzlich ein Transformator zur Pegelanpassung und zur galvanischen
Entkopplung vorhanden ist.
In diesem Abschnitt wird die Gleichrichtung bei Ein-Phasen-Wechselspannung behandelt.
Am Beispiel der Netzgleichrichter sollen exemplarisch Vorgehensweisen zur
näherungsweisen Berechnung nichtlinear arbeitender Schaltungen aufgezeigt werden.
Eine kurze Einführung in Gleichrichter bei Drehstrom-Netzen erfolgt im Abschnitt 7.
Diodenkennlinie RiT+RL
1
5
0 6 8 10 12 t
UD 7 9 11
u20
0 1 2 3
5 4
6
8 7 Transformator-
9
10 Ausgangsspannung
11 12
t
78
Netzgleichrichter
Aus Abbildung 6-2 wird erkennbar, dass die Diode in jeder positiven Halbwelle der
Netzspannung Strom fließen lässt. Wegen der nichtlinearen Kennlinie der Diode treten bei
Laststrom und Lastspannung Abweichungen von der Sinusform auf. Diese Abweichungen
sind um so geringer je größer die Transformator-Ausgangsspannung im Vergleich zur
Dioden-Durchlassspannung ist.
In den negativen Halbwellen sperrt die Diode; es fließt kein Strom.
Da in jeder Netzperiode nur eine Halbwelle durchgelassen wird, spricht man auch vom
Halbwellen-Gleichrichter.
Abbildung 6-3 zeigt die gegenseitige Zuordnung der Zeitverläufe von Spannungen und
Strömen beim Einweggleichrichter mit ohmscher Last.
u20
Abbildung 6-3
Zeitdiagramme von t
Spannungen und Strömen
beim Einweggleichrichter
i D uL
uD
t
Da der Einweggleichrichter nur jede zweite Halbwelle der Wechselspannung nutzt und daher
eine pulsierende Gleichspannung mit großen zeitlichen Lücken erzeugt, ist er für die meisten
Anwendungen ungeeignet und besitzt nur geringe Bedeutung.
6.1.1.2 Berechnung (Näherungsformeln)
Mittelwerte
Die folgenden Mittelwerte für die Gleichspannung an der Last sind unter der Voraussetzung
u20 >> uF angegeben. Unter dieser Voraussetzung kann die Durchlassspannung der
Gleichrichterdiode vernachlässigt werden. Vereinfachend wird weiterhin unterstellt, dass die
Wicklungswiderstände RiT des Transformators vernachlässigbar klein sind. Unter diesen
Voraussetzungen gilt in der Durchlassphase der Diode u20 ≈ uL(t)
* Arithmetischer Mittelwert
uL
Abbildung 6-4 ûL
Arithmetischer Mittelwert
uL
0 π 2π 3π 4π ωt
Zur Berechnung des arithmetischen Mittelwertes sucht man ein Rechteck der Länge 2π,
dessen Fläche gleich groß ist wie die Fläche unter einer Halbwelle der pulsierenden
Gleichspannung uL(ωt). Die Höhe dieses Rechtecks entspricht dem Mittelwert L.
79
Netzgleichrichter
π
u L ⋅ 2π = E û L ⋅ sin(ωt ) ⋅ d(ωt )
0
π
1
uL = ⋅ û L ⋅ [− cos(ωt )]
2π 0
ûL
uL = ≈ 0,32 ⋅ û 20 (arithmetischer Mittelwert)
* Effektivwert
Der Effektivwert URMS = Ueff einer Wechselspannung entspricht jener Gleichspannung,
die an einem ohmschen Widerstand dieselbe elektrische Leistung umsetzt wie die
Wechselspannung.
Zur Ermittlung der Wechselstrom-Leistung integriert man die Momentanleistung über eine
Periode der Wechselspannung und bildet dann den arithmetischen Mittelwert.
1 2π [u L (ωt )]2
PL elektr = U L RMS 2 / R L = ⋅ E ⋅ d(ωt )
2π 0 RL
1 π 2
Daraus ergibt sich U LRMS = ⋅ E û L ⋅ sin 2 (ωt ) ⋅ d (ωt )
2π 0
1
Mit sin 2 α = ⋅ [1 − cos(2α)]
2
1 π
ergibt sich U LRMS = û L ⋅ ⋅
2π 2
û L û 20 U 20RMS
U LRMS = ≈ = (Effektivwert)
2 2 2
u1
B
u20 u2
RiT D2
iD2
Die Funktion der Mittelpunktschaltung entspricht dem Einweggleichrichter, wobei für beide
Spannungshalbwellen jeweils eine eigene Transformator-Sekundärwicklung und eine eigene
Gleichrichterdiode vorhanden ist.
80
Netzgleichrichter
u20 t
+ iD1
R D1 A
u20 iT RL iD1
0
B
t
positive Halbwelle von u 20
_
_
negative Halbwelle von u 20
B iD2
0u
20
RiT D2 RL t
A
+ iD2
iD1 A iL
uL ∼ iL = iD1+iD2
iD2
uL R
L
t
B
81
Netzgleichrichter
π
1
u L = ⋅ E û L ⋅ sin(ωt ) ⋅ d (ωt )
π 0
2
uL = ⋅ û L ≈ 0,64 ⋅ û L ≈ 0,64 ⋅ û 20
* Effektivwert
π
1
π E0
U L RMS = ⋅ û L 2 ⋅ sin 2 (ωt ) ⋅ d(ωt )
ûL û 20
U L RMS = ≈ = U 20RMS
2 2
D2 D4
∼ uL RL
Bei der Brückenschaltung liegen immer zwei Dioden im Stromfluss, zwei Dioden sind
gesperrt.
(a) Positive Halbwelle
ü
∼
RiT D3 D1
Abbildung 6-9 _ A
u1 u20 u2 +
Stromfluss bei
Brückenschaltung
D2 D4 uL
∼ RL
B
(b) Negative Halbwelle
∼
RiT D3 D1
_ + A
u1 u20 u2
D2 D4
∼ uL RL
82
Netzgleichrichter
83
Netzgleichrichter
Maschengleichung
(für Durchlasspolung) û20(t) ≥ n⋅UF0 uD(t) = uF(t) ≥ UF0 iD(t) = iF(t) ≥ 0
û20 - iF · RiT - n⋅(UF0 + iF · rf) - iF · RL = 0
uF uL
uL = RL ⋅ iF = û20 - n⋅UF0 - iF ⋅ (RiT + n⋅rf)
uL
Mit iF =
RL
u 20 − n ⋅ U F0
ergibt sich uL =
R + n ⋅ rf
1 + iT
RL
R iT + n ⋅ rf
Mit k=
RL
u 20 − n ⋅ U F0
wird daraus uL =
1+ k
* Arithmetischer Mittelwert
π
1
u L = ⋅ E u L ⋅ dϕ
π 0
π
1
π ⋅ (1 + k ) E0
uL = ⋅ (û 20 ⋅ sin ϕ − n ⋅ U F0 ) ⋅ dϕ
1 2
uL = ⋅ ( ⋅ û 20 − n ⋅ U F0 )
1+ k π
* Effektivwert
π 2
1 û ⋅ sin ϕ − n ⋅ U F0
U L RMS = ⋅ E 20 ⋅ dϕ
π 0 1+ k
1 û 4
U L RMS = ( 20 ) 2 − û 20 ⋅ n ⋅ U F0 + (n ⋅ U F0 ) 2
1+ k 2 π
* Transformator-Leistung
π
1
P2 = ⋅ E u 20 ⋅ i L ⋅ dϕ
π 0
84
Netzgleichrichter
1 û 20 2 2 ⋅ û 20 ⋅ n ⋅ U F0
Daraus ergibt sich: P2 = ⋅ −
(1 + k ) ⋅ R L 2 π
* Wirkungsgrad
PL P2 − PV P
= = = 1− V
P2 P2 P2
U F0 û 20 n ⋅ U F0 r û 2 2 ⋅ û 20 ⋅ n ⋅ U F0 n 2 ⋅ U F0 2
PVD = ⋅ − + F 2 ⋅ 20 − +
ΣR π 2 ΣR 4 π 2
* Gleichrichter-Gesamtverlustleistung PVGl
85
Netzgleichrichter
6.2.1 Glättungsarten
Zur Glättung einer durch Gleichrichtung aus einer Wechselspannung gewonnenen
Gleichspannung dienen Energiespeicher in Form von Kapazitäten oder Induktivitäten. Sehr
wirksam ist auch die Gleichrichtung von Drehstrom (siehe Abschnitt 7).
Anwendungsbereich verschiedener Glättungsarten:
Abbildung 6-10
Einweggleichrichter u1 u2 uL= uC RL
mit Glättungskondensator C
Entladung
Aufladung
Nachteile des Einweggleichrichters mit Glättung:
- nur ein Ladevorgang pro Netzperiode
- großer Kondensator erforderlich für kleine Welligkeit
- große Verluste an Diode und Trafo
- einseitige Trafomagnetisierung
86
Netzgleichrichter
uL RL
∼ C
uL mit Glättung
Abbildung 6-13
Spannungsverlauf bei
Zweiweggleichrichtung t
mit Glättung ohne Glättung
uL û20
Abbildung 6-14
Linearisierter Verlauf
der Ausgangsspannung L 2⋅∆U
α
ωt
Θ Θ
t1 t2
Zwischen den Zeitpunkten t1 und t2 wird der Kondensator vom Transformator aufgeladen.
Die Zeitspanne tF = t2 - t1 wird Stromflusszeit genannt. Der entsprechende Winkel 2Θ = ω⋅tF
wird als Stromflusswinkel bezeichnet.
Die Mitte des Ladestromstoßes ist um den Winkel α gegenüber dem Scheitelpunkt von u20
verschoben.
Die Ausgangsspannung schwankt um den Mittelwert u L (Schwankungshöhe 2⋅∆U).
87
Netzgleichrichter
Abbildung 6-15 u
u 20
Strom- und Spannungsverlauf uL
für C → ∞
ωt
-π/2 -Θ Θ π/2
|i2|
ωt
-Θ Θ
Anmerkung:
Eine geschlossenen Form der Berechnung der Ausgangsgrößen der Gleichrichterschaltung
aus den Eingangsgrößen [z.B. uL = f(u20), uL = f(RiT)] und umgekehrt ist nicht möglich. Aus
diesem Grunde erfolgt hier die Berechnung unter Zuhilfenahme des Ein- und
Ausgangsgrößen verbindenden Winkels Θ als Parameter.
6.2.2.2 Erforderliche Transformator -Ausgangsspannung
Für die Berechnung des Zweiweggleichrichters dient folgende Maschengleichung:
88
Netzgleichrichter
6.2.2.3 Transformatorstrom
(a) Stromverlauf
Der Ausgangsstrom i2 des Transformators wird als näherungsweise sinusförmig
betrachtet:
i2 = î2 ⋅ cos(ω‘t)
Siehe hierzu Abbildung 6-16
Die Frequenz ω‘ der entsprechenden Sinusfunktion ist höher als die Frequenz ω der
Netzspannung u20 T
u20 = û20 ⋅ cos(ωt) T’
u20
Abbildung 6-16
Angenäherter Verlauf i2
des Transformatorstromes ωt
-π/2 -Θ Θ π/2
E i 2 (ωt ) ⋅ d(ωt) = i L ⋅
−Θ
E î 2 ⋅ cos( 2 ⋅ ⋅ t) ⋅ d( t ) = i L ⋅
−
π2
Daraus ergibt sich î2 = ⋅ iL
4⋅Θ
Beispiele:
2⋅ Θ î2
60° 4,7⋅ i L
70° 4,1⋅ i L
90° 2,8⋅ i L
89
Netzgleichrichter
60° 1,93⋅ i L
70° 1,8⋅ i L
90° 1,57⋅ i L
Da bei der Brückenschaltung durch eine einzelne Gleichrichterdiode nur jeder zweite
Ladestromstoß fließt, ist der Effektivwert des Stromes durch eine Diode
I 2 RMS
I FRMS =
2
* Mittelpunktschaltung
Bei der Mittelpunktschaltung fließt der Strom abwechselnd durch die beiden Trafo-
Sekundärwicklungen. Für die vom Transformator zu übertragende Leistung ist jedoch
der Strom durch beide Wicklungen maßgeblich. Für die Effektivwerte von
sekundärseitigem Transformator-Gesamtstrom und Diodenstrom gelten daher dieselben
Gleichungen wie bei der Brückenschaltung
6.2.2.4 Leistungsberechnungen
* Sekundärseitige Scheinleistung des Transformators
PS2 = U 20RMS ⋅ I 2RMS
Die Typleistung PT des Transformators muss größer (mindestens gleich groß) sein.
Herstellerangaben zu verschiedenen Trafogrößen:
Kern M42 M55 M65 M74 M85a M85b M102a M102b
PT/VA 5,9 17,1 34,5 58,9 77,6 105 131 189
PFe/W 0,3 0,75 1,35 2,15 2,95 4,15 4,55 6,8
90
Netzgleichrichter
* Wicklungsverluste am Transformator
+Θ
1
PVCu = ⋅ E R iT ⋅ i 2 2 ⋅ dϕ
π −Θ
PVCu = (I 2 RMS )2 ⋅ R iT
* Gleichstromleistung am Lastwiderstand
PL = i L ⋅ u L
* Verlustleistung an einer Diode (Durchlassverluste)
+Θ +Θ +Θ
1 1 D A
PVF = ⋅ E u F ⋅ i F ⋅ d ( ωt ) = ⋅ B U F0 ⋅ E i F ⋅ d (ωt ) + rf ⋅ E i F 2 ⋅ d(ωt )
2π −Θ 2π BC −Θ −Θ
iL
PVF = ⋅ U F0 + (I FRMS ) 2 ⋅ rf
2
6.2.2.5 Glättungskondensator
T
CL wird in der Stromflusszeit tF aufgeladen, in der Zeit ( − t F ) entladen
2
(siehe Abschnitt 6.2.2.1)
Im eingeschwungenen Zustand gilt
zugeführte Ladung = abfließende Ladung
T
CL ⋅ 2 ⋅ ∆U ≈ iL ⋅ ( − tF)
2
T
iL ⋅ ( − t F ) iL ⋅ ( − )
Hieraus ergibt sich CL ≈ 2 = 2
2⋅ U ⋅ U
Wegen der großen erforderlichen Kapazität kommen nur Elektrolytkondensatoren (Elko) in
Frage. Auf richtige Polung der Elkos muss geachtet werden.
6.2.2.6 Welligkeit der Gleichspannung
Bei gegebenem Glättungskondensator beträgt die Welligkeit der Ausgangsspannung
iL ⋅ ( − 2 ⋅ ) uL T uL
(absolut) 2⋅ U ≈ = ⋅ ( − tf ) (mit i L = )
⋅ CL R L ⋅ CL 2 RL
2⋅ U − 2⋅ 1 T
(relativ) w= ≈ = ⋅ ( − tf )
uL ⋅ CL ⋅ R L R L ⋅ CL 2
6.2.2.7 Einschalt-Stoßstrom
Wird der Gleichrichter mit Glättungskondensator im Spannungsmaximum der Netzspannung
zugeschaltet, so tritt ein einmaliger sehr hoher Stromstoß zur Aufladung des Kondensators auf.
Der Stromstoß wird nur durch die ohmschen Widerstände im Stromkreis begrenzt.
û 20 − n ⋅ U F 0
I FSM =
R iT + n ⋅ rf
91
Netzgleichrichter
92
Netzgleichrichter
Ist der dem Gleichrichter entnommene Gleichstrom i L bekannt, so lässt sich mit der
Hilfsgröße A(Θ) der Stromflusswinkel Θ aus Abbildung 6-17 ablesen.
u L + n ⋅ U F0 uL
Mit û 20 = 2 ⋅ U 20RMS , U 20RMS = sowie RL =
2 ⋅ cos iL
lässt sich aus der Gleichung für RiT folgende transzendente Gleichung für Θ ableiten:
(R + n ⋅ rf ) ⋅ uL
tan − = ( iT )⋅( )
2⋅RL u L + n ⋅ U F0
Ist u L >> n ⋅ U F0 , so wird daraus
(R iT + n ⋅ rf ) ⋅
B(Θ) = tan − ≈
2⋅RL
Ist der angeschlossene Lastwiderstand RL bekannt, so lässt sich mit der Hilfsgröße B(Θ) der
Stromflusswinkel Θ aus Abbildung 6-17 ablesen.
0,8
0,7
B(Θ)
0,6
0,5
0,4
0,3 -2
10 2 3 4 5 6 7 8 9 10-1 2 3 4 5 6 7 8 9 100
A(Θ) / B(Θ)
93
Netzgleichrichter
i2
tf Sekundärseitiger
t
Transformatorstrom
2⋅Θ ω⋅t
(Stromfluss nur,
solange u20 > uC)
u2
t Klemmenspannung am
Transformator (belastet)
if
iΣ
Gesamtstrom durch die
Gleichrichterdioden
t
Gleich große
iC Strom-Zeit-Flächen
Kondensatorstrom
t
uC = uL Ausgangsspannung des
2⋅∆U Netzgleichrichters
(belastet)
( u20Bzum Vergleich
u20B eingezeichnet)
t
94
Netzgleichrichter
+
UL RL
∼ UBatt
Ist die Generatorspannung u20 größer als die Batteriespannung plus Schwellspannung der
Gleichrichterdioden, so liefert der Generator Strom an die Batterie. Dies ist in der folgenden
Abbildung z.B. im Bereich - Θ ≤ ωt ≤ + Θ der Fall.
u
u 20
UBatt
Abbildung 6-20
Spannungs- und Stromverläufe ωt
-π/2 -Θ Θ π/2
|i2|
ωt
-Θ Θ
Der Stromverlauf lässt sich aus der Maschengleichung berechnen:
u20 - 2⋅(UF0 + rf ⋅i2) – UBatt – i2⋅RiT = 0
Mit u20 = û20 ⋅cos(ωt) wird daraus
û 20 ⋅ cos(ωt ) − U Batt − 2 ⋅ U F0
i 2 ( ωt ) = für - Θ ≤ ωt ≤ + Θ
R iT + 2 ⋅ rf
95
Netzgleichrichter
Für ωt = ± Θ wird i2 = 0.
Daraus lässt sich der Stromflusswinkel Θ berechnen:
U Batt + 2 ⋅ U F0
Θ = arc cos
û 20
Ist der Laststrom kleiner als der arithmetische Mittelwert des Generatorstromes,
+Θ
1
I L < ⋅ E i 2 (ωt ) ⋅ d(ωt )
π −Θ
so wird die Batterie geladen.
Ist der Laststrom größer als der arithmetische Mittelwert des Generatorstromes,
+Θ
1
π −EΘ
IL > ⋅ i 2 ( ωt ) ⋅ d ( ωt )
96
Netzgleichrichter
uL
u20
Zeichne in das Diagramm den Verlauf von uL für folgende Fälle und kennzeichne sie mit
den Buchstaben (a) bis (c):
(a) Ein zweiter gleich großer Lastwiderstand RL wird parallel geschaltet.
(b) Der Lastwiderstand wird entfernt.
(c) Die Gleichrichterdiode D1 ist unterbrochen (mit Lastwiderstand RL).
D1
RiT
u1 u2 iL
uL RL
C
Trafo
97
Netzgleichrichter
IL IL
C
u2 UC1 u2 UC1
C1 C1
u1 UL u1 UL
u2 UC2 u2 UC2
C2 C2
D
Für jede der vier Gleichrichterschaltungen gilt:
• Transformator-Sekundärspannung im Leerlauf: U 20 RMS = 27,6V
• RiT → 0 (Innenwiderstand des Transformators)
• C1 = C2 = 2000 µF
• UF = 0,7 V (Durchlass-Spannung einer Diode)
• IL = 200 mA = konstant
Ermitteln Sie für jede Schaltung den Maximalwert Ûx, die Größe des Wechselanteils ∆Ux und
die Frequenz f(∆Ux) des Wechselanteils.
∆UC
ÛC
tf = 2 ms
tf
98
Netzgleichrichter
RiT
iG iL
u1 u2
iB
uL RL
Batterie
Trafo
10
0 20 t/ms
(a) Skizziere den zeitlichen Verlauf von iL(t) mit kurzen Erläuterungen
(b) Wie groß ist iL ?
(c) Skizziere die Kurvenverläufe von iG(t) und iB(t) mit richtiger zeitlicher Zuordnung
und mit kurzen Erläuterungen
(d) Wie groß ist îG (Maximalwert von iG) ?
99
Drehstromgleichrichter
7 Drehstromgleichrichter
7.1 Mittelpunkt-Schaltung (Halbbrücke) (3-pulsiger Gleichrichter)
In Abbildung 7-1 sind die drei Sekundärwicklungen eines Drehstrom-Transformators in
Sternschaltung dargestellt. Der Transformator gibt an den Klemmen L1, L2 und L3 jeweils
gegen den Sternpunkt N die Spannungen u1, u2 und u3 ab (Strangspannungen).
L1 i1
D1
Abbildung 7-1 u1 u2
L2 i2
Einweggleichrichter
am Drehstromnetz D2
u3 i3 iL
L3 A
D3
uL RL
N
Wie in der Abbildung 7-2 dargestellt, sind die Spannungen u1, u2 und u3 jeweils um 120°
gegeneinander verschoben.
u
u1 u2 u3
Abbildung 7-2
Strangspannungen am ωt
π 3π
Drehstromtransformator 2π 4π
Die Strangspannungen werden über drei Dioden (D1, D2, D3) gleichgerichtet, die
Gleichspannung wird anschließend der Last RL zugeführt..
Jede der drei Transformatorwicklungen bildet zusammen mit einer Diode und dem
Lastwiderstand einen Stromkreis mit Einweggleichrichtung. Abbildung 7-3 zeigt dies am
Beispiel der Wicklung 1. uD1
L1 i1
D1
Abbildung 7-3 u1 u2
L2 i2
Einweggleichrichtung
von Strang 1 D2
u3 i3 iL
L3 A
D3
uL RL
N
Da jeweils die positivste Strangspannung von den Dioden durchgeschaltet wird, ergibt sich
durch die Gleichrichtung eine Ausgangsspannung uL = uAN, die der positiven Hüllkurve der
drei Strangspannungen entspricht (Abbildung 7-4).
100
Drehstromgleichrichter
uL uL
Abbildung 7-4 t
Gleichspannungsverlauf
nach dem Gleichrichter
u1 u2 u3
Eine Diode ist jeweils dann leitend, wenn die Spannung im zugehörigen Strang des
Transformators die positivste aller drei Strangspannungen ist. Dies ist innerhalb der positiven
Halbwelle der jeweiligen Strangspannung zwischen 30° und 150° der Fall.
iL
Abbildung 7-5 t
Stromverlauf durch
die Last und die Dioden
(ohne zusätzliche Glättung) i1
t
i2
t
i3
t
In der Sperrphase liegt an den einzelnen Dioden die jeweils negativste Außenleiterspannung
(Spannung zwischen je zwei der Klemmen L1, L2, L3).
Abbildung 7-6 zeigt den Zusammenhang zwischen Strom und Spannung an einer Diode am
Beispiel der D1.
i1
t
u12 u13
Durch eine Drosselspule (Induktivität L) können Strom und Spannung an der Last
weitgehend geglättet werden. i
L1 1
D1
Abbildung 7-7:
u1 u2
Glättung des Laststromes L2 i2
mit einer Drossel
D2
u3 i3 L
L3 A iL
D3
uAN uL RL
N
101
Drehstromgleichrichter
Es ergibt sich dann ein rechteckförmiger Stromverlauf durch die einzelnen Dioden.
u uAN uL ∼ i L
Abbildung 7-8 t
Stromverlauf durch
die Last und die Dioden i1
(mit Glättung) t
i2
t
i3
t
u1 u2
N L2
uAB RL
u3 L3
D4 D6 D2
uBN
102
Drehstromgleichrichter
Grundsätzlich werden jedoch nicht diese beiden auf den Sternpunkt N bezogenen
Gleichspannungen uAN und uBN, sondern die zwischen den Ausgangsklemmen A und B der
Brückenschaltung liegende Gesamtspannung uAB als Ausgangsspannung verwendet. In
Abbildung 7-10 sind diese drei genannten Spannungen eingezeichnet. Die Gesamtspannung
uAB ergibt sich zu jedem Zeitpunkt aus dem Abstand der positiven zur negativen Hüllkurve
der Strangspannungen u AB = u AN + u BN = u AN + u NB
Eine an die Ausgangsklemmen A und B angeschlossene Last wird zu jedem Zeitpunkt über
die positive Halbbrücke mit dem jeweils positivsten und über die negative Halbbrücke mit
dem jeweils negativsten der Potenziale an den Klemmen L1, L2, L3 verbunden.
Mit dem Drehstrom- Brückengleichrichter werden daher nicht die Strangspannungen u1, u2,
u3 sondern die Außenleiterspannungen u12, u23, u31 und (da es sich um einen
Zweiweggleichrichter handelt) die dazu entgegengesetzt gepolten Spannungen u21, u32, u13
gleichgerichtet.
Die Ausgangsspannung des Drehstrom-Brückengleichrichters entspricht daher der positiven
Hüllkurve dieser Außenleiterspannungen (Abbildung 7-11).
uAB
u
Abbildung 7-11
Gleichrichtung der t
Außenleiterspannungen
Abbildung 7-12 zeigt den Verlauf der Außenleiterströme sowie die Ströme durch die sechs
Dioden des Gleichrichters. i
1 D1
Abbildung 7-12 t
Ströme am Drehstrom-
D4
Brückengleichrichter i2 D3
t
D6 D6
i3 D5
t
D2
iD1
t
iD2
t
iD3
t
iD4
t
iD5
t
iD6
t
103
Drehstromgleichrichter
Abbildung 7-13 L
Glättung des Laststromes D1 D3
L1 D5
u2
u1 N L2
uAB uL RL
u3 L3
D4 D6 D2
L
Abbildung 7-14
Drehstrom- L1 D1 D3 D5
Brückengleichrichter u12
bei Dreieckschaltung L2
u31 uAB uL RL
u23 L3
D4 D6 D2
B
Bei der Dreieckschaltung sind Strang- und Außenleiterspannungen gleich. Bei gleichen
Strangspannungen führt daher die Gleichrichtung an der Dreieckschaltung zu kleineren
Gleichspannungen als die Sternschaltung.
Da die Dreieckschaltung keinen Sternpunkt N besitzt, ist eine Einweggleichrichtung (mit
einer Halbbrücke gemäß Abschnitt 7.1) nicht möglich.
104
Drehstromgleichrichter
105
Drehstromgleichrichter
D1 Scheitelwert der
u1 u2 Strangspannungen: Um = 325 V
L2 i2
D2 R = 250 Ω
u3 i3 iL
L3 A
D3
uL R
N
106
Spannungsvervielfachung
8 Spannungsvervielfachung
Bei der Gleichrichtung von Wechselspannungen lassen sich Gleichspannungen gewinnen, die
größer sind als die Amplitude der gleichgerichteten Wechselspannung(11).
D1
u1 u2 uC1
C1
u
uC2
C2
D2
Mit Hilfe der Diode D1 als Einweggleichrichter wird aus den positiven Halbwellen der
Wechselspannung u2 an dem Kondensator C1 eine positive Spannung uC1 ≈ û2 gewonnen.
Mit Hilfe der Diode D2 als Einweggleichrichter wird aus den negativen Halbwellen der
Wechselspannung u2 an dem Kondensator C2 eine positive Spannung uC2 ≈ û2 gewonnen.
Am Ausgang der Delonschaltung ergibt sich eine Gesamtspannung
u = uC1 + uC2 ≈ 2 ⋅ û2
u u
2⋅û2
uC1
uC2
t
u2
(11)
Bei den Schaltungen zur Spannungsvervielfachung wird in den folgenden Darstellungen die
Durchlassspannung der beteiligten Gleichrichterdioden gegenüber der gleichzurichtenden
Spannung vernachlässigt. Es wird also mit UF = 0 gerechnet.
107
Spannungsvervielfachung
Wird an die Ausgangsklemmen eine Last angeschlossen, so führt dies zu einer Entladung der
Kondensatoren C1 und C2. In jeder positiven Halbwellen der Spannung u2 wird C1, in jeder
negativen Halbwellen C2 wieder auf die volle Spannung û aufgeladen. Die
Ausgangsspannung wird wellig. Da nie beide Kondensatoren gleichzeitig nachgeladen
werden, erreicht die Ausgangsspannung bei Belastung nie den vollen Wert 2⋅û2.
Abbildung 8-3: Spannungen an der belasteten Delonschaltung (mit Einschaltvorgang)
u
u
uC2 uC1 2⋅û2
t
u2
C1 D2
u1 u2 uD1 u
D1 C2
In der ersten Hälfte jeder negativen Halbwelle der Spannung u2 wird der Kondensator C1
über die Diode D1 auf den Amplitudenwert ûC1 ≈ û2 aufgeladen.
D1 leitet uD1 ≈ 0.
Die Diode D2 ist gesperrt.
Ist keine Last am Schaltungsausgang angeschlossen, so bleibt die zuvor bereits erreichte
Ausgangsspannung (= Spannung an C2) konstant u = u(t1) = konst.
Während sich u2(t) von seinem negativen zu seinem positiven Scheitelwert ändert (gesamter
Spannungshub = 2⋅û2), wird das Potenzial an der Katode der Diode D1 wegen des
aufgeladenen C1 ins positive angehoben; es tritt eine positive Spannung uD1 auf.
uD1(t) > 0 D1 sperrt.
Solange die Spannung uD1(t) kleiner ist als die Ausgangsspannung u(t1), sperrt D2,
C1 bleibt voll aufgeladen und uD1 folgt dem Verlauf von u2. [uD1(t) = u2(t) + û2].
Sobald uD1(t) die Ausgangsspannung u(t1) übersteigt, wird D2 leitend. Ab jetzt sind C1 und
C2 in Reihe geschaltet.
Der weitere Spannungsanstieg von u2 {um insgesamt [2⋅û2 -u(t1)]} teilt sich daher auf C1
und C2 auf (kapazitiver Spannungsteiler).
108
Spannungsvervielfachung
Bei gleicher Größe der beiden Kondensatoren C1 und C2 beträgt der Spannungszuwachs
u (t1 )
∆u = û 2 −
2
Der Spannungsanstieg pro Aufladevorgang wird daher umso kleiner, je größer die
Ausgangsspannung bereits ist.
Die Ausgangsspannung erreicht für t >> 0 als Grenzwert die Spannung u = 2⋅û2.
u
uD1
u2
Ist an den Schaltungsausgang eine Last angeschlossen, so wird C2 zwischen zwei
Nachladevorgängen teilweise entladen. Die Ausgangsspannung erreicht daher den Wert 2⋅û2
nie.
u
uD1
u2
109
Spannungsvervielfachung
Unter der Annahme gleich großer Kondensatoren in den beiden Schaltungen wird die
maximale Ausgangsspannung bei der Villardschaltung nach dem Einschalten der
Wechselspannung langsamer erreicht als bei der Delonschaltung. Bei Belastung sinkt die
Ausgangsspannung der Villardschaltung stärker als bei der Delonschaltung.
Die genannten Nachteile der Villardschaltung lassen sich vermeiden, wenn C1 sehr viel
größer als C2 gewählt wird.
u (belastet)
uD1
u2
Der besondere Vorteil der Villardschaltung liegt darin, dass durch Kaskadierung nicht nur
eine Spannungsverdoppelung sondern eine Spannungsvervielfachung möglich ist.
u2
C C C
Da eine vom Transformator abgegebene Ladung in jeder Netzhalbwelle nur um eine Stufe
weitergepumpt werden kann, erfolgt der Spannungsanstieg am Ausgang umso langsamer, je
mehr Stufen hintereinander geschaltet sind.
Aus dem gleichen Grunde ist der Ausgang nur gering belastbar.
110
Spannungsvervielfachung
111
Der bipolare Transistor
E n p n C E p n p C
Jede der drei Zonen ist mit einem äußeren Anschluss versehen. Diese Anschlüsse tragen die
Bezeichnungen:
- E = Emitter (äußere Zone)
- B = Basis (mittlere Zone)
- C = Kollektor (äußere Zone)
Zur Herstellung von Transistoren wurden/werden unterschiedliche Verfahren eingesetzt:
- Spitzen-Legierungstechnik (historisch) → Spitzentransistor
[auf einen Halbleiterkristall (Basis) wurden zwei
Metallspitzen (Emitter und Kollektor) auflegiert]
- Legierungstechnik (historisch) → Legierungstransistor
[in eine dünne Halbleiterscheibe (Basis) wurde von
beiden Seiten Dotierungsmaterial eingeschmolzen
(Emitter und Kollektor)]
- Diffusionstechnik → Diffusionstransistor, ICs, FET
[bei hoher Temperatur diffundieren Atome der
Dotierungselemente aus einer Dampfatmosphäre in
eine Halbleiterscheibe ein]
- Ionenimplantation → ICs, FET
[Donator- bzw. Akzeptorionen werden im
elektrischen Feld beschleunigt und in den
Halbleiterkristall hineingeschossen]
- Epitaxie → Epitaxialtransistor, ICs
[auf eine Halbleiterscheibe wächst bei hoher
Temperatur eine dotierte Halbleiterschicht aus der
Dampfphase auf]
112
Der bipolare Transistor
Der prinzipielle Aufbau soll am Beispiel eines modernen npn-Transistors, der als Teil eines
integrierten Schaltkreises in planarer Epitaxialtechnik hergestellt ist, gezeigt werden.
p-Substrat
(a)
Auf eine p-dotierte Halbleiterscheibe (a) (Substrat; Dicke z.B. 0,2 mm) lässt man eine dünne
n-dotierte Epitaxiezone aufwachsen (c) (Dicke z.B. 10µm). Für die Herstellung von
integrierten Schaltungen aus mehreren Funktionselementen kann die Epitaxiezone durch
Eindiffundieren von bis in das Substrat reichenden p-dotierten Wänden (d) in einzelne
Teilbereiche (Wannen) unterteilt werden. Zur Herstellung eines Transistors wird in eine
solche Wanne eine p-dotierte Zone (e) eindiffundiert. Diese p-Zone stellt später die Basis, die
verbleibende Epitaxiezone innerhalb der Wanne den Kollektor des Transistors dar. In die p-
dotierte Basiszone wird eine hochdotierte n-Zone (f) eindiffundiert, die den Emitter des
Transistors bildet. Der Kristall wird nach außen mit einer isolierenden Oxidschicht versehen.
Durch Aussparungen in dieser Oxidschicht werden die Kollektor-, Basis- und Emitterzonen
mit äußeren Anschlüssen versehen.
Vor dem Aufbringen der Epitaxiezone wird in das Substrat unter die später entstehende
Epitaxiewanne eine hochdotierte n-Zone (b) (burried layer) eindiffundiert, die für einen
geringen Bahnwiderstand der Kollektorzone (Widerstand bis zum Kollektoranschluss) sorgt.
Die einzelnen Wannen innerhalb der Epitaxiezone (d.h. die einzelnen Funktionselemente
eines integrierten Bauelementes) werden gegeneinander und gegenüber dem Substrat durch
Sperrpolung des dazwischenliegenden pn-Übergangs isoliert. Alle Funktionselemente (z.B.
der Transistor) befinden sich daher in der dünnen Epitaxiezone; das Substrat (mit Ausnahme
der zum Kollektor gehörenden burried layer) dient lediglich als mechanischer Träger.
Für eine hohe Stromverstärkung des Transistors (Verhältnis des gesteuerten zum
steuernden Strom) müssen folgende technologischen und konstruktiven Merkmale
vorliegen:
- hohe Majoritätsträgerkonzentration in der Emitter- und geringe Majoritätsträger-
konzentration in der Basiszone (durch entsprechende Dotierungen)
- sehr geringe Dicke der Basiszone.
113
Der bipolare Transistor
9.2 Funktionsweise
Zum Verständnis der Funktionsweise des Transistors ist die Kenntnis der in den Abschnitten
1 und 2 behandelten Halbleiterphysik erforderlich. Es empfiehlt sich daher, diese Abschnitte
nochmals zu studieren.
n p n
RZ RZ
Der Kollektor-Basis-Sperrstrom bei offenem Emitter wird mit ICB0 bezeichnet. Wegen
der geringen Konzentration von Minoritätsträgern ist dieser Sperrsättigungsstrom sehr
klein. Da er von Minoritätsträgern aus Paarbildung verursacht wird, ist er stark
temperaturabhängig.
Wegen des offenen Emitteranschlusses ist der emitterseitige pn-Übergang bei Schritt 1
nicht an der Funktion beteiligt.
114
Der bipolare Transistor
Abbildung 9-4 Ip
Majoritätsträgerströme über
den Basis-Emitter-Übergang Rekombination
In
E C
n p n
RZ RZ
Wegen des offenen Kollektoranschlusses ist der kollektorseitige pn-Übergang bei Schritt 2
nicht an der Funktion beteiligt.
* Schritt 3: - Sperrspannung am Kollektor-Basis-Übergang
- Flussspannung am Basis-Emitter-Übergang
Es fließen folgende Ströme:
- Sperrstrom ICB0 am Kollektor-Basis-pn-Übergang (entsprechend Schritt 1),
- Löcherstrom Ip (sog. Nebenstrom) von der Basiszone in die Emitterzone (rekombiniert
in der Emitterzone mit Elektronen),
- Elektronenstrom In von der Emitterzone in die Basiszone.
Die in die Basiszone eindiffundierten Elektronen breiten sich in der Basiszone
gleichmäßig in alle Richtungen aus.
115
Der bipolare Transistor
Da der Weg zum kollektorseitigen pn-Übergang sehr kurz ist, erreichen die meisten
Elektronen diesen pn-Übergang. Da die Elektronen in der Basiszone von der Art her
Minoritätsträger sind, werden sie von der am Kollektor-Basis-Übergang anliegenden
Sperrspannung zur Kollektorseite abgesaugt (Hauptstrom).
Nur ein kleiner Teil der Elektronen aus dem Strom In rekombiniert in der Basiszone
(Rekombinationsstrom) und erreicht den kollektorseitigen pn-Übergang nicht.
- + - +
UBE B
UCB
CB-Sperrstrom
Abbildung 9-5 Nebenstrom
Ströme im Transistor
Rekombinations-
im Verstärkerbetrieb
Strom
E C
Hauptstrom
n p n
RZ RZ
Die Ströme an den äußeren Anschlüssen setzen sich folgendermaßen zusammen:
Emitterstrom IE Basisstrom IB Kollektorstrom IC
Hauptstrom Nebenstrom Hauptstrom
+ Nebenstrom + Rekombinationsstrom + Sperrstrom ICB0
+ Rekombinationsstrom - Sperrstrom ICB0
Transistor-Effekt:
Durch eine Durchlassspannung an der Basis-Emitterdiode wird ein großer Elektronen-
strom In von der Emitter- in die Basiszone ausgelöst. Der größte Teil dieser Elektronen
wird von der Sperrspannung am Kollektor-Basis-Übergang zum Kollektor abgesaugt
(Hauptstrom), nur ein kleiner Teil rekombiniert mit Löchern in der Basiszone
(Rekombinationsstrom). Am Basisanschluss fließt nur der von der Flussspannung
verursachte, sehr viel kleinere Löcherstrom Ip (Nebenstrom) sowie der Rekombina-
tionsstrom.
Mit einem kleinen Steuerstrom von der Basis zum Emitter (Basisstrom) wird daher ein
großer Strom vom Emitter zum Kollektor (Kollektorstrom) gesteuert.
Damit der Hauptstrom von der Emitter- zur Basis- und dann zur Kollektorzone sehr viel
größer ist als der Nebenstrom, muss die Emitterdotierung sehr viel größer sein als die
Basisdotierung.
Damit der Hauptstrom zum Kollektor sehr viel größer ist als der Rekombinationsstrom,
muss die Basisdotierung niedrig und die Basisdicke gering sein.
Wegen der hohen Emitterdotierung ist die Durchbruchspannung der Basis-Emitter-Strecke
relativ gering. Damit die Durchbruchspannung der Kollektor-Basis-Strecke höher ist, wird
die Kollektordotierung deutlich niedriger als die des Emitters gewählt.
116
Der bipolare Transistor
Potenzialverlauf mit
äußeren Spannungen
E B RZ2 C
RZ1
Abbildung 9-6 zeigt, dass innerhalb der Emitter-, Basis- und Kollektorzonen des Transistors
kein Potenzialgefälle auftritt. Ein Potenzialgefälle liegt nur vor innerhalb der
Raumladungszonen zwischen Emitter und Basis sowie zwischen Basis und Kollektor.
Am Kollektorstrom sind hauptsächlich Elektronen aus der Emitterzone beteiligt.
Die Elektronenbewegung durch die Raumladungszone (RZ1) zwischen Emitter- und
Basiszone erfolgt aufgrund des Konzentrationssprunges zwischen den beiden Zonen als reiner
Diffusionsstrom. Der Strom durch diese Raumladungszone kann fließen, da die von der
Diffusionsspannung UD gebildete Potenzialbarriere durch die außen angelegte Flussspannung
UBE reduziert ist.
Die Sperrspannung an der kollektorseitigen Raumladungszone (RZ2) saugt alle durch die
Basiszone kommenden Elektronen zur Kollektorzone ab. Innerhalb dieser Raumladungszone
liegt ein Feldstrom vor.
Innerhalb der Basiszone (B) sind die Elektronen Minoritätsträger. Außer den aus dem
Emitter eindiffundierten Elektronen sind kaum weitere vorhanden. Weil innerhalb der
Basiszone kein Potenzialgefälle vorliegt, kann nur ein Diffusionsstrom aufgrund eines
Konzentrationsgefälles dn/dx fließen.
Die Konzentration n p B ( x ) der Elektronen am emitterseitigen Ende der Basiszone (x = 0)
wird von der Spannung UBE bestimmt:
k ⋅T
mit UT = ≈ 26 mV (für T = 300 K)
U BE e
n p B (0) = n p B0 ⋅ exp
UT und n p = Minoritätsträgerkonzentration in
B0
der Basis im stromlosen Zustand
Die Konzentration der Elektronen am kollektorseitigen Ende der Basiszone (x = WB) wird
von der Spannung UBC bestimmt:
U BC
n p B ( WB ) = n p B0 ⋅ exp ≈0 (mit UBC < 0)
UT
Liegt am Transistor eine Kollektor-Basis-Sperrspannung an, so saugt diese -unabhängig von
ihrer Größe- alle Minoritätsträger am kollektorseitigen Ende der Basiszone ab. Die Minori-
tätsträgerkonzentration am kollektorseitigen Ende der Basiszone ist dann immer etwa Null.
Bei vernachlässigbarer Rekombination in der Basiszone ist das Konzentrationsgefälle der
Elektronen entlang des Weges konstant (dn/dx ≈ konstant).
117
Der bipolare Transistor
Innerhalb der Basiszone stellt sich daher ein dreieckförmiger Konzentrationsverlauf der
Elektronen (Minoritätsträger) ein, wie er in Abbildung 9-7 dargestellt ist.
n pB
Abbildung 9-7 E B C
Diffusionsdreieck
(linearer Maßstab)
RZ RZ
0 WB x
Die Elektronen diffundieren ihrem Konzentrationsgefälle folgend durch die Basiszone.
Der Strom durch die Basiszone ist proportional zum Konzentrationsgefälle und entspricht
weitgehend dem Kollektorstrom, der sich damit angeben lässt:
n p B ( 0) A
IC = D nB ⋅ e ⋅ A ⋅ = UT ⋅ µn ⋅ e ⋅ ⋅ n pB 0 ⋅ e U BE UT
WB WB
(mit D n B = UT ⋅ µn = Diffusionskonstante; A = Basisquerschnittsfläche)
Auch innerhalb der Emitterzone (E) und innerhalb der Kollektorzone (C) erfolgt die
Elektronenbewegung als Diffusionsstrom. Das hierzu erforderliche Konzentrationsgefälle
fällt jedoch angesichts der dort vorliegenden sehr hohen Elektronenkonzentration
(Majoritätsträgerkonzentration) nicht ins Auge.
118
Der bipolare Transistor
npn-Transistor C pnp-Transistor C
Abbildung 9-9
Schaltzeichen
des bipolaren Transistors B B
E E
Vereinbarungsgemäß zeigen die Richtungspfeile aller drei Klemmenströme zum Transistor.
Die Richtungspfeile der drei Klemmenspannungen können frei gewählt werden und
entsprechen der Reihenfolge der Indices.
IC
9.4 Transistor-Grundschaltungen
Der Transistor verbindet immer einen steuernden mit einem gesteuerten Stromkreis. Da
sowohl für die Verbindung mit dem steuernden, wie auch für die Verbindung mit dem
gesteuerten Stromkreis jeweils zwei Klemmen erforderlich sind, der Transistor jedoch nur
drei Anschlüsse besitzt, muss einer der Transistoranschlüsse sowohl dem steuernden
Eingangs- als auch dem gesteuerten Ausgangskreis zugeordnet werden. Hierfür sind drei
Varianten möglich: Die Basisschaltung, die Emitterschaltung und die Kollektorschaltung.
9.4.1 Basisschaltung
RE IE IC RC
9.4.1.1 Prinzipschaltung
Bei der Basisschaltung wird der Transistor am Emitter gesteuert (Eingangsstrom IE), das
Ausgangssignal wird am Kollektor abgegriffen (Ausgangsstrom IC).
119
Der bipolare Transistor
9.4.1.2 Eingangskennlinie
Die Eingangskennlinie IE = f(UEB) ist die Kennlinie der Emitter-Basis-Diode in Flusspolung.
-IE
Abbildung 9-12
Eingangskennlinie
in Basisschaltung
-UEB
0 1V
9.4.1.3 Ausgangskennlinie
Bei der Basisschaltung ist der Kollektorstrom eine Funktion des (eingeprägten) Emitter-
stromes. Hierbei tritt der Earlyeffekt (siehe Abschnitt 9.2.3) nicht in Erscheinung. Eine
Auswirkung der Kollektor-Basis-Sperrspannung auf den Kollektorstrom tritt praktisch nicht
auf. Aus diesem Grunde sind die Ausgangskennlinien IC = f(UCB) mit IE als Parameter im 1.
Quadranten annähernd horizontale Linien (annähernd parallel zur UCB-Achse).
IC
Abbildung 9-13
Ausgangskennlinien
in Basisschaltung -IE
0 UCB
Wird die Kollektor-Basis-Spannung 0 oder gar negativ (Flusspolung statt Sperrpolung des
CB-Übergangs) dann können die Minoritätsträger aus der Basis nicht mehr vollständig
abgesaugt werden und der Kollektorstrom sinkt steil ab (2. Quadrant in Abbildung 9-13).
9.4.1.4 Übertragungskennlinien
Eine Übertragungskennlinie zeigt grafisch die Abhängigkeit einer Ausgangsgröße von einer
Eingangsgröße.
Da sich IC und IE nur um den kleinen Strom IB unterscheiden, ist die Übertragungskennlinie
IC = f(IE) (Stromsteuerkennlinie) eine unter ca. 45° vom Ursprung ausgehende Gerade.
Abbildung 9-14 IC
Stromsteuerkennlinie
in Basisschaltung
-IE
Der Kollektorstrom lässt sich auch als Funktion der Emitter-Basis-Spannung darstellen
(IC = f(UEB); Spannungssteuerkennlinie). Da IC und IE annähernd gleich sind, ähnelt diese
Übertragungskennlinie der Eingangskennlinie in Basisschaltung.
120
Der bipolare Transistor
9.4.1.5 Stromverstärkung
In der Basisschaltung ist der Emitterstrom der Eingangsstrom des Transistors, der
Kollektorstrom der Ausgangsstrom.
IE A ⋅ IE -IC
Abbildung 9-15
Stromaufteilungsschema
für die Basisschaltung (1 - A) ⋅ IE ICB0
-IB
Der Emitterstrom teilt sich auf
- in einen größeren Anteil A⋅IE in Richtung Kollektor (Hauptstrom) und
- einen kleineren Anteil (1-A)⋅IE in Richtung Basis
(Neben- und Rekombinationsstrom)
Zusätzlich zu diesen Strömen fließt noch der Kollektor-Basis-Sperrstrom ICB0.
Das Verhältnis des steuerbaren Anteils des Ausgangsstromes zum steuerbaren Anteil des
Eingangsstromes stellt die Stromverstärkung des Transistors dar.
Die Stromverstärkung A (=Alpha) des Transistors in Basisschaltung beträgt somit:
steuerbarer Anteil von - I C
Stromverstärkung A =
steuerbarer Anteil von I E
− I C + I CB0
A=
IE
− IC
Mit ICB0 << IC ergibt sich näherungsweise A≈ ≈1
IE
9.4.2 Emitterschaltung RC
IC
9.4.2.1 Prinzipschaltung RB IB
Abbildung 9-16
Transistor in Emitterschaltung US1 UBE UCE US2
Bei der Emitterschaltung wird der Transistor an der Basis gesteuert (Eingangsstrom IB), das
Ausgangssignal wird am Kollektor abgegriffen (Ausgangsstrom IC).
121
Der bipolare Transistor
9.4.2.2 Eingangskennlinie
Die Eingangskennlinie IB = f(UBE) ist die Kennlinie der Basis-Emitter-Diode.
IB
Abbildung 9-17
Eingangskennlinie
in Emitterschaltung
UBE
0 1V
9.4.2.3 Ausgangskennlinie
Die Ausgangskennlinie stellt die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektor-
Emitter-Spannung UCE z.B. bei konstantem Basisstrom IB dar
Normalbetrieb (UCE ≥ UBE)
Der Kollektorstrom ist in erster Näherung nur eine Funktion des Basisstromes (bzw. der
Basis-Emitter-Spannung). Aus diesem Grunde sind die Ausgangskennlinien IC = f(UCE)
annähernd horizontale Linien (annähernd parallel zur UCE-Achse) mit IB bzw. (selten) UBE
als Parameter. I UCB = 0
C
Abbildung 9-18
Ausgangskennlinien IB
in Emitterschaltung
UCE
Bei genauer Betrachtung ist festzustellen, dass die Ausgangskennlinien in Emitterschaltung
nicht genau parallel zur Spannungsachse verlaufen. Sie steigen vielmehr wegen des
„Earlyeffekts“ (siehe Abschnitt 9.2.3) mit zunehmender Kollektor-Emitter -Spannung leicht
an. Die Steigung ist so, als gingen alle Ausgangskennlinien von einem gemeinsamen Punkt
auf der Spannungsachse aus. Der Spannungswert dieses gemeinsamen Schnittpunktes ist die
Earlyspannung UA. Die Earlyspannung liegt bei npn-Transistoren zwischen 80 V und 200 V,
bei pnp-Transistoren zwischen 40 V und 150 V.
IC
Abbildung 9-19
Earlyspannung IB
UCE
-UA
Ist die Earlyspannung eines Transistors bekannt, so lässt sich die Steigung der einzelnen
Ausgangskennlinien abschätzen; umgekehrt lässt sich die Earlyspannung aus der Steigung der
einzelnen Ausgangskennlinien ermitteln.
122
Der bipolare Transistor
IB
Der Kollektorstrom lässt sich auch als Funktion der Basis-Emitter-Spannung darstellen
(IC = f(UBE); Spannungssteuerkennlinie). Da IC und -IE annähernd gleich sind, entspricht der
Verlauf dieser Übertragungskennlinie ungefähr dem der Eingangskennlinie in Basisschaltung.
Wegen der bestehenden Abhängigkeit sollte bei den Übertragungskennlinien jeweils
angegeben werden, für welche Kollektor-Emitter-Spannung sie gelten.
9.4.2.5 Stromverstärkung B IC
IB+ICB0
-IE
Das Verhältnis der steuerbaren Anteile von Kollektorstrom und Basisstrom wird als
Stromverstärkung B (= Beta) des Transistors in Emitterschaltung bezeichnet.
steuerbarer Anteilvon I C
Stromverstärkung B =
steuerbarer AnteilvonI B
I C − I CB0
B=
I B + I CB0
123
Der bipolare Transistor
9.4.3 Kollektorschaltung
UBE
9.4.3.1 Prinzipschaltung IE RE
IB
(a)
Abbildung 9-22
Transistor in UEC US2
US1 UBC
Kollektorschaltung
äquivalente Schaltung
(b) IB
-IE US2
US1 * UBE
UI
UQ
RE
Wie bei der Emitterschaltung wird an der Basis gesteuert (Eingangsstrom IB). Das
Ausgangssignal wird jedoch nicht am Kollektor sondern am Emitter abgegriffen
(Ausgangsstrom IE).
124
Der bipolare Transistor
9.4.3.2 Kennlinien
Für die Kollektorschaltung werden die Kennlinien des Transistors in Emitterschaltung
verwendet.
9.4.3.3 Strom- und Spannungsverstärkung
Für die Kollektorschaltung des Transistors ist keine eigene Stromverstärkung definiert.
Mit -IE = IC + IB ≈ B⋅IB + IB = (B+1)⋅IB ergibt sich eine Stromverstärkung von (B+1).
Die Ausgangsspannung des Transistors in Kollektorschaltung (siehe Abbildung 9-22a)
beträgt:
UCE = UCB + UBE
Da Ein- und Ausgangssignale meist auf Masse und nicht auf das Versorgungspotenzial
bezogen werden (siehe Abbildung 9-22b), gilt:
UCE = US2 -UQ
UCB = US2 - UI
Daraus ergibt sich: UQ = UI - UBE
Da sich die Basis-Emitterspannung des leitenden Transistors (Durchlassspannung der BE-
Diode) nicht oder nur in engen Grenzen ändert, folgt die Ausgangsspannung der
Eingangsspannung etwa im Verhältnis 1:1. Die Spannungsverstärkung der
Kollektorschaltung beträgt daher
AU ≈ 1
125
Der bipolare Transistor
(12)
Mit Kühlkörper
(13)
Mit Kühlung auf Gehäusetemperatur ϑG ≤ 25 °C
(14)
Frequenz bei der die Stromverstärkung β = 1 wird.
(15)
Innerer Wärmewiderstand Rth/J-G
126
Der bipolare Transistor
127
Der bipolare Transistor
(c) Versucht man den Kollektorstrom eines Transistors durch eine sprunghafte
Signaländerung am Basisanschluß ein- bzw. auszuschalten, so gelingt dies nicht in
beliebig kurzer Zeit. Die Änderung des Kollektorstromes benötigt immer zahlreiche
Nanosekunden oder gar Mikrosekunden.
Warum läßt sich der Kollektorstrom nicht in beliebig kurzer Zeit ein- bzw. ausschalten?
128
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
Der bipolare Transistor kann eingesetzt werden zur Steuerung von Gleichströmen bzw.
Gleichspannungen (Beispiel: Konstantstromquelle). In diesen Fällen müssen die gewünschten
Gleichströme und Gleichspannungen durch Aufbau und Dimensionierung einer geeigneten
Transistorschaltung eingestellt werden.
Ein anderer wichtiger Anwendungsfall des Transistors ist der Einsatz in einem
Wechselspannungsverstärker. Dieser wird im Abschnitt 11 eingehend behandelt.
Beim Einsatz im Wechselspannungsverstärker muss berücksichtigt werden, dass die
Eingangs- und Ausgangsströme des Transistors immer nur in einer Richtung fließen können
(z.B. iB ≥ 0 bzw. iC ≥ 0 beim npn-Transistor). Ein Strom in die entgegengesetzte Richtung
ist nicht möglich. Aus diesem Grunde kann ein Wechselstrombetrieb ausgehend vom
Ruhestrom IB = 0 bzw. IC = 0 nicht stattfinden. Ähnliches gilt für die Basis-Emitter- und
die Kollektor-Emitter-Spannung. Auch hier ist ein Verstärkerbetrieb mit negativen Werten
(npn-Transistor) ausgeschlossen.
Für einen Einsatz als Wechselspannungsverstärker muss der Transistor daher mit einem
hinreichend großen Vorstrom (Ruhestrom / Gleichstrom) und mit einer ausreichend großen
Kollektor-Emitter-Spannung betrieben werden, so dass eine Wechselaussteuerung ohne
Begrenzung durch die Werte iB = 0, iC = 0, uBE = 0 und uCE = 0 möglich wird.
Die gleichstrommäßig eingestellten Werte der Ströme IC , IB , IE und der Spannungen UCE ,
UBE und UCB stellen den Arbeitspunkt des Transistors dar.
Zwischen den sechs Größen des Arbeitspunktes gelten folgende feste Beziehungen:
IB = f(UBE)
IC + IB + IE = 0
IC ≈ B ⋅ IB
UCE = UBE + UCB
Von den sechs Größen können zwei frei gewählt werden, die restlichen vier sind dann
automatisch festgelegt. Sehr häufig werden für eine Anwendung die Ausgangsgrößen IC und
UCE vorgegeben (frei gewählt).
Die Steuerung des Transistors zur Einstellung des vorgegebenen Kollektorstromes IC erfolgt
z.B. durch
- Einprägung des Basisstromes IB (hochohmige AP-Einstellung) oder
- Einprägung der Basis-Emitter-Spannung UBE (niederohmige AP-Einstellung)
In der Praxis werden diese Einprägungen nur annähernd erreicht. Die steuernde Quelle liegt
in der Regel zwischen einer idealen Strom- und einer idealen Spannungsquelle.
129
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
RC
RB RC
IB IC US
US IC
IB
UBE
Um einen bestimmten Basisstrom IB einzustellen, muss der Widerstand RB in Abbildung 10-1
(b) folgende Größe besitzen:
U S − U BE
RB =
IB
Der Kollektorstrom ergibt sich dann zu:
U S − U BE
IC ≈ IB ⋅ B = ⋅B
RB
Trotz Einprägung des Basisstromes ist die Stabilität des Arbeitspunktes unzureichend. Der
Kollektorstrom ist hier stark abhängig von der Stromverstärkung B des Transistors.
RC R1 RC
IC I1 IB
US
US
I2
UBE R2 UBE
Bei der Schaltung nach Abbildung 10-2(b) ergibt sich eine Basis-Emitter-Spannung UBE
von:
R2 R ⋅R
U BE = U S ⋅ − IB ⋅ 1 2
R1 + R 2 R1 + R 2
Die Basis-Emitter-Spannung wird umso stärker eingeprägt (und damit unabhängig vom
Basisstrom IB), je niederohmiger der Spannungsteiler aus R1 und R2 (bei gleichem
Teilungsverhältnis) ist.
Damit ergibt sich folgende Dimensionierung:
US − U BE US − U BE U BE
R1 = = R2 =
I1 I2 + IB I2
130
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
Bei Einprägung der Basis-Emitter-Spannung ist die Stabilität des Arbeitspunktes gering.
Der Kollektorstrom ist hier stark abhängig von der temperaturabhängigen und Exemplar-
streuungen unterliegenden Basis-Emitterspannung des Transistors.
AP
∆ϑ
∆IC
UCE
131
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
UBE
∆UBE
10.2.2.3 Streuung und Änderung der Stromverstärkung B (∆B-Effekt)
Herstellungstoleranzen führen zur Streuung des B-Faktors bei der Serienfertigung von
Transistoren. Für die Streuungen der Stromverstärkung bei einem Transistortyp gilt etwa:
B max IC
≈ 1,8......2,6
B min
AP2 Tr.2
Abbildung 10-5 ∆B-Effekt auf ∆IC Tr.1
Grund von Exemplarstreuung AP1
UCE
132
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
UBE
Gnd
Bei gegebener Dimensionierung der Schaltung lässt sich der Kollektorstrom wie folgt
berechnen:
IC = B ⋅ IB + (B + 1) ⋅ ICB0
UCE - UBE - IB ⋅ RB = 0
U S − U BE + (R B + R C ) ⋅ I CB0
und mit B + 1 ≈ B IC ≈ ⋅B
RB + B⋅ RC
IC IC
IB
RiT
R2 RE
RE U0T
Gnd Gnd
133
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
U 0T − U BE + (R iT + R E ) ⋅ I CB0
und mit B + 1 ≈ B : IC ≈ ⋅B
R iT + B ⋅ R E
134
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
δI C
Analog ergibt sich ∆I C = f (∆I CB0 ) ≈ ⋅ ∆I CB0
δI CB0
δI C
∆I C = f (∆B) ≈ ⋅ ∆B
δB
δI C
∆I C = f (∆U S ) ≈ ⋅ ∆U S
δU S
Aus der Hauptgleichung I C = f ( U BE , I CB0 , B, U S , R x ) berechnet man hierbei die
partiellen Differenziale. Durch Multiplikation mit den zu erwartenden Änderungen der
zugehörigen Parameter (∆UBE, ∆ICB0, ∆B, ∆US, ∆RX usw.) erhält man die resultierende
Änderung des Kollektorstromes.
10.2.4.2 Berechnung der Auswirkungen aller Einflussgrößen
Der gemeinsame Einfluss aller Einflüsse dI C = f (dU BE , dI CB0 , dB, dU S , dR x ) lässt sich
berechnen über das totale Differenzial:
δI C δI C δI δI δI
dI C = ⋅ dU BE + ⋅ dI CB0 + C ⋅ dB + C ⋅ dU S + C ⋅ dR x
δU BE δI CB0 δB δU S δR x
Für hinreichend kleine Änderungen kann näherungsweise angenommen werden
δI C δI C δI δI δI
∆I C = ⋅ ∆U BE + ⋅ ∆I CB0 + C ⋅ ∆B + C ⋅ ∆U S + C ⋅ ∆R x
δU BE δI CB0 δB δU S δR x
Die Gesamtauswirkung aller Einflussgrößen ergibt sich demnach aus der Summe der
Einzeleinflüsse.
10.2.5 Berechnung von Abweichungen des Arbeitspunktes einer gegebenen Schaltung
Mit Hilfe der im Abschnitt 10.2.4 beschriebenen Berechnungsmethode können die
Auswirkungen unterschiedlicher Einflussparameter auf die Stabilität des Arbeitspunktes einer
vorgegebenen (dimensionierten) Schaltung ermittelt werden. Dies wird am Beispiel der
Transistorschaltung mit Basisspannungsteiler und Stromgegenkopplung demonstriert.
US
Abbildung 10-8 RC
Transistorschaltung R1
mit Basis-Spannungsteiler IC
und Stromgegenkopplung
R2 RE
Gnd
Nach Abschnitt 10.2.3.2 gilt die Hauptgleichung:
U 0T − U BE + (R iT + R E ) ⋅ I CB0
IC ≈ ⋅B
R iT + B ⋅ R E
R2 R1 ⋅ R 2
mit U 0T = U S ⋅ und R iT =
R1 + R 2 R1 + R 2
135
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
D ϑU ⋅ ∆ϑ 2mV ∆ϑ
Damit ergibt sich: ∆I C ≈ − BE
≈ ⋅
RE K RE
∆I C R iT B (max) − B (min)
≈ ⋅
IC RE B2
136
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
∆I C I C ∆ϑ 20 K 40 K 60 K 80 K
< 2,5 % 1,6 V 3,2 V 4,8 V 6,4 V
<5% 0,8 V 1,6 V 2,4 V 3,2 V
< 10 % 0,4 V 0,8 V 1,2 V 1,6 V
137
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
Aus der Berechnung des ∆ICB0-Effektes (siehe Abschnitt 10.2.5.2) ergab sich die Gleichung
R iT + R E
IC ≈ ⋅ I CB0
RE
Hieraus lässt sich folgende Dimensionierungsvorschrift für den Innenwiderstand des
Spannungsteilers ableiten:
∆I C
(a) R iT ≤ ( − 1) ⋅ R E
∆ICB0
Aus der Berechnung des ∆B-Effektes (siehe Abschnitt 10.2.5.3) ergab sich die Gleichung
∆I C R iT B (max) − B (min)
≈ ⋅
IC RE B2
Daraus ergibt sich eine zweite Dimensionierungsvorschrift für den Innenwiderstand des
Spannungsteilers:
B2 ∆I
(b) R iT ≤ ⋅ RE ⋅ C
Bmax − Bmin IC
Damit sowohl die Anforderungen im Hinblick auf den ∆ICB0-Effekt und den ∆B-Effekt
erfüllt werden, muss für die folgende Dimensionierung des Spannungsteilers aus R1 und R2
der kleinere der aus den Gleichungen (a) und (b) errechneten Werte für RiT gewählt werden.
In aller Regel ist dies der Wert aus dem ∆B-Effekt.
U R 2 ≈ U BE + I C ⋅ R E
R1 ⋅ R 2
und R iT =
R1 + R 2
US US
wird R 2 ≤ R iT ⋅ ≈ R iT ⋅
US − U R 2 US − U BE − IC ⋅ R E
US − U R 2
und R1 = (Vernachlässigung von IB rückgängig gemacht)
UR 2
+ IB
R2
138
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
IC
R2 RE
Gnd
Anstelle des Glättungskondensators CS kann auch eine Z-Diode verwendet werden.
R2 RE
Gnd
25 °C: ICB0 ≤ 15 nA
Stabilitätsanforderungen für den Arbeitspunkt:
45 °C: ICB0 ≤ 50 nA
∆IC / IC = f(∆UBE) ≤ 5 % (∆UBE-Effekt)
∆IC / IC = f(∆B) ≤ 5 % (∆B-Effekt) Einsatztemperatur:
(∆ICB0-Effekt kontrollieren)
ϑ = 5......25......45 °C
139
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
IC/mA
6
1,0
5
0,8
4
0,6 3
IB/µA
0,4 2
0,2 1
UCE/V
IB/µA 6 4 2 O 4 8 12
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
UBE/V
10.3.1.2 Arbeitspunkt-Einstellung
(zur Vorgehensweise bei der Dimensionierung siehe Abschnitt 10.2.6)
Gewählt: RE = 2,7 k
Gewählt: R 2 = 43 k
140
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
U R1 U S − U B0 12V−2,22V
Berechnung von R1: R1 = = = ≈ 178000Ω
I R1 IR 2 + IB 2,22V −6
+3,5 ⋅ 10 A
43000Ω
Gewählt: R1 = 180 kΩ
∆I C 0,6 µA
= = 0,1 % ∆ICB0-Effekt ist vernachlässigbar
IC 0,6mA
gilt: U 0T + I E ⋅ R E − U BE − I B ⋅ R iT = 0
141
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
Mit − I E = I C + I B = (B + 1) ⋅ I B
ergibt sich U 0T − (B + 1) ⋅ I B ⋅ R E − U BE − I B ⋅ R iT = 0
IC
Dem entspricht folgende Schaltung:
RiT (B+1)⋅RE IB
Abbildung 10-13:
Transformation des Emitter- U0T UB0 UBE
Widerstandes zur Basisseite
Mit R iT + (B + 1) ⋅ R E = R ges
43kΩ
Durch Einsetzen erhält man: U 0T = 12V ⋅ ≈ 2,3V
180kΩ + 43kΩ
180kΩ ⋅ 43kΩ
R iT = ≈ 34,7 k Ω
180kΩ + 43kΩ
Rges = 34,7 kΩ + (170+1)⋅2,7 kΩ ≈ 496 kΩ
Anmerkung: Zum Zeichnen der Arbeitsgerade zeichnet man zunächst eine Hilfsgerade
z.B. durch U0T’ = 1V und Ik’ = U0T’/Rges ≈ 2 µA.
Durch Parallelverschiebung der Hilfsgerade durch Ik = U0T/Rges ≈ 4,63 µA
erhält man die gesuchte Gleichstrom-Abeitsgerade (GS-Arbeitsgerade)..
142
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
0,2 1
IB/AP UCE/V
6 4 2 O 4 8 12
IB/µA
UCE/AP
0,2
HG
0,4
0,6 UBE/AP
AP
0,8
1,0
GS-Arbeitsgerade
UBE/V
10.3.2.2 Ermittlung des Arbeitspunkts im Ausgangskreis
* Einzeichnen der Gleichstrom-Arbeitsgeraden ins Ausgangs-Kennlinienfeld
mit Leerlaufspannung U0 = US = 12 V
US 12V
und Kurzschlussstrom Ik = = = 0,945mA
R C + R E 12,7k
* Einzeichnen der GS-Arbeits-Stromsteuerkennlinie (GS-Arbeits-Übertragungskennlinie) im
2. Quadranten (ausgehend von der GS-Arbeitsgeraden im Ausgangs-Kennlinienfeld)
(Zur Ermittlung der Arbeits-Übertragungskennlinie siehe Abschnitt A.5.3.2 im Anhang A)
* Arbeitspunkt von Eingangskennlinie über GS-Arbeits-Stromsteuerkennlinie auf
GS-Arbeitsgerade im Ausgangs-Kennlinienfeld übertragen
143
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
10.4 Beispielschaltungen
10.4.1 Konstantspannungsquelle
Mittels Spannungsstabilisierung mit Z-Diode (siehe Abschnitt 5) und Transistor in
Kollektorschaltung lässt sich eine einfache Konstantspannungsquelle herstellen.
IL
Abbildung 10-16 RV UBE
Einfache Konstantspannungsquelle mit
bipolarem Transistor R0 RL
UB UZ UL
ZD
Die Spannung an der Last ist innerhalb gewisser Grenzen fast unabhängig vom Laststrom.
Die Spannungsstabilisierung wird durch die Z-Diode erreicht.
UL = UZ - UBE ≈ konstant
Ein kleiner Ruhestrom durch den Transistor über R0 stellt sicher, dass die Spannung UBE auch
bei Laststrom IL = 0 nicht auf Null absinkt, wodurch die Ausgangsspannung ansteigen würde.
Der Transistor erlaubt einen deutlich größeren Laststrom IL als die einfache
Stabilisierungsschaltung mit Z-Diode.
Dimensionierung und Betrieb der Schaltung sind so zu gestalten, dass bei dem größten zu
erwartenden Laststrom IL(max)
- die Z-Diode noch ausreichend Strom erhält, um stabilisieren zu können (IZ ≥ IZmin), und
- der Transistor nicht mit zu hoher Verlustleistung (PV(max) ≤ Ptot) beaufschlagt wird.
Abbildung 10-17
Einfache Konstantstromquelle mit RV RL
bipolarem Transistor
IL
US
UBE -IE
UZ RE
144
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
Gnd
Der Stromspiegel besteht aus zwei paarweise gleichen Transistoren, deren Basis-
Emitterstrecken parallel geschaltet sind. Bei einem der beiden Transistoren (T2) sind
Kollektor- und Basisanschluss verbunden; der Transistor arbeitet mit UCB = 0 V und
UCE = UBE an der Sättigungsgrenze (siehe Abschnitt 12.2.5.1).
Fast die gesamte Versorgungsspannung liegt an dem Widerstand Rk; diese konstante
Spannung bewirkt zusammen mit Rk den konstanten Strom Ik.
Der Strom Ik teilt sich auf in den Kollektorstrom IC2 des Transistors T2 und in den Basisstrom
der beiden Transistoren. Am Transistor T2 stellt sich automatisch die für den Basisstrom IB
bzw. den Kollektorstrom IC2 erforderliche Basis-Emitterspannung ein.
Wegen der parallel geschalteten Basis-Emitter-Strecken nimmt der Transistor T1 den gleichen
Basisstrom und damit den gleichen Kollektorstrom auf wie T2. Damit prägt T1 der Last den
konstanten Strom IC1 ein.
145
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
U S − U BE
Es gelten folgende Beziehungen: Ik = ≈ konstant
Rk
I
I C2 = I k − 2 ⋅ I B = I k − 2 ⋅ C2
B
B
Daraus lässt sich ableiten: I C2 = Ik ⋅
B+2
U S − U BE B
Schließlich erhält man: I L = I C1 ≈ I C2 = ⋅ ≈ konstant
Rk B+2
Die relative Abweichung des Laststromes IL vom eingeprägten Strom Ik beträgt 2/B.
Voraussetzung dafür, dass sich gleiche Kollektorströme einstellen, sind völlig identische
Eigenschaften der beiden Transistoren. Dies setzt neben identischen Daten auch bestmögliche
thermische Kopplung der beiden Transistoren voraus. Wegen der u.U. sehr unterschiedlichen
Verlustleistungen der beiden Transistoren würden anderenfalls unterschiedliche
Kristalltemperaturen und dementsprechend unterschiedliche Transistoreigenschaften
auftreten.
Die erforderlichen identischen Transistordaten und die optimale thermische Kopplung sind
am einfachsten innerhalb eines integrierten Schaltkreises realisierbar. Der Stromspiegel
kommt daher vorzugsweise in ICs (z.B. in Operationsverstärkern) zur Anwendung.
Der Vorteil des Stromspiegels ist, dass nur ein minimaler Teil der Versorgungsspannung US
für den als Konstantstromquelle dienenden Transistor T1 benötigt wird. Für den
Lastwiderstand steht fast der gesamte Versorgungsspannungsbereich zur Verfügung
[0V ≤ U R L ≤ (US-UBE)].
UCE
UCE1 UCE1*
In Abbildung 10-19 ist die Ausgangskennlinie des Transistors T1 für den eingeprägten
(konstanten) Basisstrom IB1 dargestellt.
Diese Kennlinie ist wegen der Basisweitenmodulation durch die spannungsabhängige
Ausdehnung der Kollektor-Basis-Sperrschicht (Earlyeffekt; siehe Abschnitte 9.2.3 und
9.4.2.3) nicht genau waagerecht, sondern steigt zu höheren Spannungen hin mehr oder
weniger stark an.
146
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
Während sich daher bei der Spannung UCE1 der Strom IC1 einstellt, ergibt sich bei einer
höheren Spannung UCE1* bei demselben Basisstrom IB1 ein höherer Strom IC1*.
Das Verhältnis (IC1* - IC1) : (UCE1* - UCE1) entspricht der Steigung der Kennlinie zwischen den
beiden Arbeitspunkten. Der Kehrwert dieses Verhältnisses ist der differentielle Widerstand
rCE des Transistorausganges und kann quantitativ angegeben werden. Er entspricht dem
Ausgangswiderstand des Stromspiegels als Konstantstromquelle.
Es gilt also: Ra = rCE = ∆UCE/∆IC
Da Transistor T2 an der Sättigungsgrenze (mit UCE2 → 0) arbeitet, lässt sich die
Kennliniensteigung mit Hilfe der Earlyspannung angeben:
Abbildung 10-20 Berechnung
IC
der Kennliniensteigung mittels
Earlyspannung
IC2
UCE
(Ua + UCE2) ≈ UA
IL Ik
T3
T1 T2
Es gilt Ik = (US - 2⋅UBE)/Rk ≈ konstant.
Gnd
Der Wilson-Stromspiegel bewirkt eine noch bessere Übereinstimmung zwischen dem
Laststrom IL und dem eingeprägten Strom Ik. Die relative Abweichung beträgt nur noch 2/B2.
Der Ausgangswiderstand des Wilson-Stromspiegels beträgt Ra = B⋅rCE/2, liegt also um den
Faktor B/2 höher als bei dem einfachen Stromspiegel nach Abbildung 10-18.
Voraussetzung für diese Angaben ist wiederum völlige Übereinstimmung der Daten und
optimale thermische Kopplung der Transistoren T1 bis T3.
Der Mindest-Eigenspannungsbedarf des Wilson-Stromspiegels beträgt 2 UBE. Für die Last
steht daher der Bereich [0V ≤ U R L ≤ (US-2⋅UBE)] zur Verfügung.
147
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
RC1 RC2
T2
T1
RE1 RE2
Gnd
RC1 RC2
T2
T1
RF
RE2
Gnd
148
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
(B) Abbildung 10-24 zeigt eine zweite Gegenkopplungsmöglichkeit. Hierbei wirkt das
Ausgangssignal mitkoppelnd auf das Emitterpotential des Transistors T1 und damit
gegenkoppelnd gegenüber dem Eingangssignal (Spannungs-Spannungs-Gegenkopplung).
Der Basisstrom von Transistor T1 und damit der Arbeitspunkt der Transistoren muß hier
anderweitig (z.B. über einen Basis-Spannungsteiler) eingestellt werden.
Abbildung 10-24 Rückkopplung des Ausgangssignales auf den Emitterwiderstand des
Eingangstransistors.
US
RC1 RC2
T2
T1
RF
RE1 RE2
Gnd
149
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
0,6
100
0,5
80
0,4
60
0,3
IB/mA
40 0,2
20 0,1
O 4 8 12
UCE/V
IB/mA 0,6 0,4 0,2
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
UBE/V
150
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
Aufgabe 10-3: Stabilität des Arbeitspunktes bei Einprägung von IB und UBE
(a) Der Kollektorstrom kann durch Einprägung eines konstanten Basisstromes eingestellt
werden. Wie reagiert dabei der Kollektorstrom auf Exemplarstreuungen und
Temperaturabhängigkeiten von UBE und B?
(b) Der Kollektorstrom kann durch Einprägung einer konstanten Basis-Emitter-Spannung
eingestellt werden. Wie reagiert dabei der Kollektorstrom auf Exemplarstreuungen und
Temperaturabhängigkeiten von UBE und B?
RL UB = 24 V
R1
IL UZ = 6,8 V IZmin = 3 mA
UB R1 = 2,7 kΩ
UBE -IE Transistordaten:
B = 180
UZ
UBE = 0,6 V
RE
151
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
US US = 10 V R1
B
R2
A R2 R1 = 6 kΩ
R1 IC1
IC1 R2 = 16 kΩ T1 T2
T1 T2 R3 = 680 Ω
R3
Gnd Gnd
IC/mA UCB =
0
1,0
6
0,8 5
4
0,6
3I
B/µA
0,4
2
0,2
1
IB/µA 6 4 2 O 2 4 6 8 10 12 UCE/V
0,2
0,8
1,0
UBE/V
152
Arbeitspunkt des bipolaren Transistors / Gleichstrombetrieb
A Gnd B Gnd
(a) Beurteile die beiden Schaltungen im Hinblick auf die Empfindlichkeit des
Kollektorstromes gegenüber Änderungen von UBE, B und ICB0
RC1 RC2
T2
T1
RF
Uout
RE2
Gnd
(a) Berechne den ausgangsseitigen Arbeitspunkt des Verstärkers (IC2 und Uout) mit
RC1 = 10 kΩ RC2 = 2 kΩ RE2 = 1 kΩ RF = 200 kΩ US = 10 V
B1 = B2 = 100 UBE1 = UBE2 = 0,6 V
(b) Welcher Arbeitspunkt stellt sich ein bei einer Stromverstärkung B1 = B2 = 150 ?
153
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
154
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
IC
IC IB
AP
R2
IB
IB UCE
UCE US2
R1
AP UBE
US1
UBE
11.1.3 Wechselstromanalyse
In der folgenden Abbildung 11-3 ist die Wechselspannungsanalyse der Schaltung nach
Abbildung 11-1 für geringe Aussteuerung (kleine Amplitude von ug und uce) dargestellt.
Da sich die Wechselspannung ug(t) einfach zur Gleichspannung US1 addiert und für beide
Spannungen derselbe Innenwiderstand R1 wirksam ist, wird ug(t) bei der graphischen Analyse
im Punkte US1 auf der UBE-Achse überlagert. Arbeitspunkt und Wechselaussteuerung können
mit ein und derselben Widerstandsgerade ermittelt werden.
155
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
IC
IB
R2
IB UCE
uce
R1
US1 t
ug
UBE
(16)
Die Sättigung des Transistors wird im Zusammenhang mit dem Einsatz des Transistors als
Schalter in Abschnitt 12 detailliert beschrieben.
156
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Während der ersten Signalperiode erfolgt die Verstärkung weitgehend unverfälscht. Während
der zweiten Periode treten Verzerrungen im Bereich der Ausgangssignalamplituden auf. Das
Ausgangssignal nimmt im Scheitelwert nicht mehr proportional zum Eingangssignal zu. In
der dritten Periode treten Begrenzungen des Ausgangssignals auf. Trotz weiter steigender
Eingangssignalamplitude bleibt das Ausgangssignal auf bestimmte Maximalwerte begrenzt.
IC
AP
IB
UCE
IB
Verzerrung durch uce
Nicht-Linearität der
Ausgangskennlinie Verzerrung durch
Nichtlinearität der
Eingangskennlinie
Begrenzung
durch Sättigung
Unverzerrtes
Signal
AP Begrenzung durch
t
ug sperrenden Transistor
UBE
157
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
R1 RC
Abbildung 11-5
Galvanisch gekoppelter
Wechselspannungsverstärker US
RG uI uQ RL
R2 RE
ug CE
Eingangs- und Ausgangskreis werden aus einer gemeinsamen Quelle US mit Gleichstrom
versorgt. Zur Stabilisierung des Arbeitspunktes (Stabilisierung von IC) dient eine
Stromgegenkopplung durch den Widerstand RE. Damit die Gegenkopplung nur
gleichstrommäßig aber nicht für Wechselsignale wirkt, wird der Emitterwiderstand mit dem
Kondensator CE wechselstrommäßig kurzgeschlossen. (Das Potenzial am Emitter des
Transistors wird durch den Kondensator konstant gehalten; es kann Wechselsignalen nicht
folgen).
Nachteilig an der gezeichneten Schaltung ist, dass das Wechselspannungs-Eingangssignal
über den Basisspannungsteiler des Transistors belastet wird. Außerdem ist dem
Wechselspannungs-Ausgangssignal uq die Gleichspannung (U CE + U R E ) überlagert. Um
diese Nachteile zu vermeiden werden die Wechselspannungs-Ein- und Ausgangssignale wie
in Abbildung 11-6 gezeigt meist galvanisch getrennt zu- bzw. abgeleitet.
Abbildung 11-6 Induktiv und kapazitiv gekoppelter Wechselspannungsverstärker
158
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
RG
RL
ui R2 CE uq
ug RE
Rein~ Raus~
159
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Abbildung 11-8 RC
R1
Wechselstrom-Kurzschlüsse für
Kapazitäten und
Gleichspannungsquellen Ck2 US
RG Ck1
RE CE RL
ui R2 uq
ug
ic RC~ iq
RiG∼
ii ib
RG R1 R2 RC RL
ui ube uce uq
ug
Rein∼ Raus∼
Signal- Wechselspannungs-Verstärker Last
Quelle
160
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Für eine graphische Analyse(17) des Wechselstromverhaltens muss nun die Kennlinie der
Ersatzspannungsquelle mit der Kennlinie des Transistors geschnitten werden.
RC∼ = RC // RL = 10 kΩ // 12 kΩ = 5, 45 kΩ
(17)
Die Analyse des transienten Verhaltens einer Transistorschaltung wird heute grundsätzlich mit
Rechnerunterstützung durchgeführt (z.B. mit Netzwerkanalyse-Programmen wie SPICE). Da eine
solche rechnergestützte Analyse das Verständnis der funktionalen Zusammenhänge voraussetzt und
keineswegs ersetzen kann, wird an dieser Stelle eine grafische Analyse anhand der
Transistorkennlinien vorgestellt.
161
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
HG
0,2 1
GS-Arbeitsgerade Ausgangs-Signal
0,4
t
0,6
AP t
WS-Arbeitsgerade u0g Eingangs-Signal
0,8
1,0
UBE/V
* Ablesen der Extremwerte von Kollektorströmen und Kollektor-Emitter-Spannungen
iC(max) = 0,81 mA iC(min) = 0,36 mA îc = (iC(max) - iC(min)) / 2 = 0,225 mA
uCE(min) = 3,4 V uCE(max) = 5,8 V ûce = (uCE(max) - uCE(min)) / 2 = 1,2 V
îc = 0,225 mA
ûce = 1,2 V
* Das hier für die Extremwerte der Signale angewandte grafische Verfahren kann auch für
beliebige andere Augenblickswerte zur Anwendung kommen.
Es kann daher grafisch auch das Zeitdiagramm des Ausgangssignals aus dem
Zeitdiagramm des Eingangssignals abgeleitet werden. (Abbildung 11-11).
162
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
In der Abbildung 11-12 ist der Transistor durch sein lineares Vierpol-Ersatzschaltbild mit
h-Parametern ersetzt.
Abbildung 11-12 Lineares Wechselstrom-Ersatzschaltbild des Verstärkers
ii ib ib⋅β ic iq
RG R1 R2
rbe rce RC RL
ug uce uq
ui ube
Rein∼ Raus∼
Die Behandlung linearer Vierpole und die Ermittlung der Vierpolparameter des Transistors
sind im Anhang B: Vierpoltheorie beschrieben.
163
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Ausgangswiderstand
Raus∼ = rce // RC = 100 kΩ // 10 kΩ = 9,09 kΩ
Leerlauf-Spannungsverstärkung
u q0 − i b ⋅ A ⋅ R aus~ R 9,09
Vu0 = = = − A ⋅ aus~ = −152 ⋅ ≈ −166
ui i b ⋅ rbe rbe 8,3
164
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Ausgangsgrößen:
Bei der Ausgangsspannung ist zu unterscheiden zwischen Leerlauf und Belastung des
Verstärkers.
Leerlauf
ûq0 = ûce0 = ûi ⋅ Vu0 = 11,8 mV ⋅ 166 ≈ 1,96 V
oder û q 0 = û ce 0 = î b ⋅ A ⋅ R aus~ = 1,42 A ⋅ 152 ⋅ 9,09k = 1,96 V
Belastet
RL 12k
û q = û q 0 ⋅ = 1,96 V ⋅ ≈ 1,12 V
R aus~ + R L 21,09k
îq = îi ⋅ Vi = 1,76 µA ⋅ 52,8 ≈ 93 µA
û q 1,12V
oder î q = = = 93 µA
RL 12 kΩ
R1 R2 RC RL
ug ui uq
RE∼
Der Widerstand RE∼ sei der wechselstrommäßig nicht kurzgeschlossene Teil des
Emitterwiderstandes.
Zur Berechnung der Spannungsverstärkung uq/ui werden zunächst der Transistor und der in
Reihe zum Emitter geschaltete Emitterwiderstand zu einem neuen Vierpol zusammengefasst.
Der Emitterwiderstand wird dabei selbst als Vierpol betrachtet.
Nach Anhang B, Abschnitt B.1 bedient man sich für die Zusammenfassung zweier in Reihe
geschalteter Vierpole der Z-Parameter.
165
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
u u
Z 21′ = ce = −β ⋅ rce Z 22 ′ = ce = rce
ib i =0 i c i =0
c b
u u
Z 21″ = 2 = R E~ Z 22 ″ = 2 = R E~
i1 i = 0 i 2 i =0
2 1
Damit ergibt sich folgende Vierpolmatrix für die Reihenschaltung von Transistor und
Emitterwiderstand
(R E ~ + rbe ) R E~
(Z ) =
(R E ~ − β ⋅ rce ) (R E ~ + rce )
Wegen ic ≈ β⋅ib lässt sich die Spannungsquelle RE∼⋅ic im Eingangskreis eliminieren und
durch einen vom Eingangsstrom ib durchflossenen Widerstand β⋅ RE∼ ersetzen.
Der Ausgangskreis lässt sich in eine Ersatzstromquelle mit dem Kurzschlussstrom
R E ~ − β ⋅ rce
⋅ i b und dem Innenwiderstand RE∼+rce umformen.
R E ~ + rce
166
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Wegen RE∼ << β⋅rce lässt sich der Zähler des Kurzschlussstromes vereinfachen und man
erhält schließlich folgende Ersatzschaltung für Transistor und Emitterwiderstand:
Abbildung 11-16 −β ⋅ rce
(β+1)⋅RE∼ ⋅ ib
Vereinfachtes ib R E ~ + rce ic
Ersatzschaltbild
ub0 rbe uc0
RE∼+rce
167
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
RG
ug Rein∼ ug Rges
168
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Mit ωg = 2 ⋅ π ⋅ f g
Raus∼
rce RC RL uo RL uo Rges
169
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Uce
RG rbe rce
R12 R2 RC RL
Ug Ui
Ub0 ZE Uq
Der Emitterkondensator wird so dimensioniert, dass für den Betrag der komplexen
Vu (ω → ∞)
Verstärkung Vu(ω) gilt: Vu (ωg ) = (3dB-Abfall)
2
Zur Berechnung der komplexen Verstärkung Vu(ω) kann dieselbe Vorgehensweise gewählt
werden, wie sie im Abschnitt 11.2.3 für einen reellen Emitterwiderstand gezeigt ist.
β ⋅ (rce // R C // R L )
Es ergibt sich: V u (ω) ≈ −
rbe + (β + 1) ⋅ Z E
rbe
Mit = reb (siehe Anhang B, Abschnitt B.2.4.2) und ZE(ω → ∞) = 0
β +1
V u (ω) reb
wird ≈
V u (∞) reb + Z E
V u (ω g ) 1 1
Mit = und ZE =
V u (∞) 2 1 R E + j ⋅ ω ⋅ CE
1 1 2 1
ergibt sich CE ≥ ⋅ + −
2 ⋅ π ⋅ fg (reb ) 2 reb ⋅ R E R E 2
Beachte: Wird CE nach dieser Dimensionierungsvorschrift imaginär, so ist die Größe von
RE zu gering.
170
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
1
fg =
[ ]
2 ⋅ ⋅ R 11// (R 12 + R p ) ⋅ C S RG R2 RE∼
11.2.5 Gesamt-Grenzfrequenzen
Untere Grenzfrequenz
Die durch die einzelnen Kondensatoren im Wechselspannungsverstärker gebildeten
Hochpässe sind voneinander weitgehend entkoppelt (keine gegenseitige Rückwirkung).
Unter dieser Voraussetzung lässt sich aus gleichen Grenzfrequenzen der einzelnen Hochpässe
eine Gesamt-Grenzfrequenz errechnen nach der Gleichung:
1
f gu ges = ⋅ f gu einz mit n = Zahl der Hochpässe
n 2 −1
f gu einz = f gu ges ⋅ n 2 − 1
Obere Grenzfrequenz
Die Kollektor-Basis-Sperrschichtkapazität („Miller“-Kapazität) sowie weitere wirksame
Kapazitäten (Schalt-, Kabel-, Bauteil-Kapazitäten) begrenzen die Verstärkung bei hohen
Frequenzen.
171
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
US
RC
Abbildung 11-24: Miller-Kapazität
„Miller“-Kapazität C
CCB
RGers B rbb’
uce
ube
E
Einem Wechselsignal ube am Transistoreingang steht ein um den Faktor Vu größeres Signal
uce am Transistorausgang gegenüber.
Dieses Ausgangssignal wird über die transistorinterne Kollektor-Basis-Kapazität CCB auf die
Basis des Transistors zurückgekoppelt.
Da uce gegenüber ube invertiert ist, bewirkt CCB eine starke Gegenkopplung. CCB muss daher
durch das Eingangssignal um die volle Kollektor-Emitterspannung uce = Vu ⋅ ube
umgeladen werden.
Dies wirkt sich so aus, als müsse eine im Eingangskreis liegende Kapazität CCB’ = Vu⋅CCB
um die Basis-Emitter-Spannung ube umgeladen werden.
CCB erscheint um den Faktor Vu vergrößert in den Eingangskreis transformiert
„Miller“-Effekt.
Abbildung 11-25
RGers rbb’
Transformierte Miller-Kapazität
rbe
ube CCB’
172
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
R aus ~
Da nach Abschnitt 11.2.2.3 gilt Vu = −β ⋅ = β ⋅ konst , muss damit oberhalb fgo
rbe
auch die Stromverstärkung β frequenzabhängig sein β(f).
βo
2
Abbildung 11-26 10
Frequenzabhängigkeit
der Stromverstärkung β 10
fT
1 f / fgo
2
10-1 1 10 10 103
173
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Abbildung 11-28 RG
Wechselstrom-Ersatzschaltbild RE reb rcb RC RL
ug
ui ueb ucb uq
B
Rein∼ Raus∼
Im WS-Ersatzschaltbild ist der Transistor durch sein Ersatzschaltbild in Basisschaltung
repräsentiert.
Die Vierpolparameter in Basisschaltung lassen sich aus den Vierpolparametern der
Emitterschaltung ableiten. Die Herleitung findet sich im Anhang B, Abschnitt B.2.4.2.
174
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Raus∼ = RC // rcb ≈ RC = 10 kΩ
iq uq R L u q R ein ~ R 53,1Ω
Vi = = = ⋅ = Vu ⋅ ein ~ ≈ 91,5 ⋅ ≈ 0,486
ii u i R ein ~ ui R L RL 10kΩ
Vi ≈ 0,486
175
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Die Kollektorschaltung ist erkennbar an der Signaleinkopplung an der Basis und der
Signalauskopplung am Emitter des Transistors.
Verstärker: US = 12 V Signalquelle: ûg = 2 V
R1 = 33 kΩ
R2 = 51 kΩ RG = 1 kΩ
RE = 1 kΩ
Last: RL = 1 kΩ
IC/AP = 6 mA
(Die Last soll nicht niederohmiger sein
UCE/AP = 6V als RE)
(Prinzip der halben Speisespannung)
Transistor: BCY 59 VII
h21e
100
0,5 h22e
5
h22e
10-1 -1 0
0 10 20 30
10 5 100 5 101
IC/mA UCE/V
176
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
11.4.2 Wechselstrom-Berechnungen
ii ib i b ⋅β ic
ube uce
RG rbe rce
iq
R1 R2
ug ui
R E uq RL
Rein∼ Raus∼
Signal- WS-Verstärker Last
Quelle
Klappt man den Ausgangsteil des Transistor-Ersatzschaltbildes zur Masse, so ergibt sich
folgende Darstellung:
β⋅ib
RG
R1 R2 rce RE RL
ug
ui
uce uq
Für IC = 6 mA
UCE = 6V
177
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Mit R1 = 33 kΩ, R2 = 51 kΩ, RE = 1 kΩ sowie rbe = 1,02 kΩ, β = 214, rce = 21,6 kΩ
nimmt der Eingangswiderstand in Abhängigkeit vom Lastwiderstand Werte an im Bereich
971 Ω ≤ Rein~ ≤ 18,3 kΩ
Der genaue Verlauf des Eingangswiderstandes des diskutierten Verstärkers in Abhängigkeit
von der Größe des Lastwiderstandes ist der Abbildung 11-33 zu entnehmen.
Abbildung 11-33 WS-Eingangswiderstand als Funktion des Lastwiderstandes
20
Rein~/kΩ
16
12
0
1 10 102 103 104 RL/Ω 105
178
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Ausgangswiderstand
Zur Berechnung des Ausgangswiderstandes müssen die Bauteile der Eingangsseite
einschließlich rbe auf die Ausgangsseite transformiert werden. Es ergibt sich dann:
D r + (R G //R 1//R 2 ) A
R aus ~ = R E //rce // B be
C A +1
Die Widerstände im Eingangskreis erscheinen mit dem Faktor 1/(β+1) multipliziert in dieser
Gleichung.
In Abhängigkeit vom Innenwiderstand RG der Signalquelle ergeben sich für den Verstärker
nach Abbildung 11-29 Werte des Ausgangswiderstandes im Bereich
4,72 Ω ≤ Raus~ ≤ 88,7 Ω
Abbildung 11-34 Ausgangswiderstand in Abhängigkeit vom Innenwiderstand der
Signalquelle
100
Raus~/Ω
80
60
40
20
0 6
10 102 103 104 105 RG/Ω 10
Stromverstärkung
îq û q R ein ~ R ein ~
Vi = = ⋅ = VU0 ⋅ = 16,6
îi ûi R L R aus~ + R L
179
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Leistungsverstärkung
pq uq ⋅ iq
Vp = = = Vu ⋅ Vi = 0,986 ⋅ 16,6 = 16,37
pi u i ⋅ ii
Charakteristische Eigenschaften:
Die Spannungsverstärkung ist für hinreichend große Lastwiderstände etwa gleich 1, d.h. Ein-
und Ausgangsspannung sind etwa gleich groß und phasengleich. Die Kollektorschaltung wird
deswegen „Spannungsfolger“ genannt.
Wegen der Kombination
- hoher Eingangswiderstand (d.h. geringe Belastung der Signalquellen) und
- niedriger Ausgangswiderstand (d.h. hohe Lastströme zulässig)
wird die Kollektorschaltung auch als „Impedanzwandler“ bezeichnet.
11.4.3 Bootstrapschaltung
Mit der Bootstrapschaltung lässt sich der Eingangswiderstand der Kollektorschaltung deutlich
vergrößern.
US
R1
Abbildung 11-35
Bootstrapschaltung
R3
C
uI
R2 RE uQ
Schaltungseingang und Basis des Transistors sind hier nicht unmittelbar sondern über den
zusätzlichen Widerstand R3 an den Spannungsteiler aus R1 und R2 angeschlossen. Der
Spannungsteiler ist über den Kondensator C mit dem Ausgang der Schaltung verbunden. Für
hinreichend große Frequenzen stellt der Kondensator einen Kurzschluss dar.
Zur Bootstrapschaltung gehört folgendes Wechselstrom-Ersatzschaltbild:
rbe ib ib⋅β
RG
rce R1 R2 RE uq RL
R3´
ug ui
uce
C
180
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Während die Signalquelle bei der Schaltung nach Abbildung 11-29 das Eingangssignal ui
nicht nur der Basis des Transistors, sondern auch dem Spannungsteiler R1,R2 aufprägen muss,
geschieht letzteres bei der Bootstrapschaltung über den Kondensator C durch den
niederohmigen Ausgang der Schaltung.
Die Eingangssignalquelle muss am Widerstand R3 nicht die volle Größe von ui, sondern nur
die sehr viel geringere Änderung ube bewirken. Aus der Sicht der Eingangsspannung ui
erscheint der Widerstand R3 daher im Verhältnis ui/ube dynamisch hochtransformiert auf
ui r + (1 + A) ⋅ (R E //R 1 //R 2 //rce //R L )
R 3′ = R 3 ⋅ ≈ R 3 ⋅ be (für z.B. R3 ≥ rbe)
u be rbe
Wie bei der normalen Kollektorschaltung arbeitet auch die Bootstrapschaltung nicht
rückwirkungsfrei, d.h. der Eingangswiderstand wird vom Lastwiderstand, der
Ausgangswiderstand wird vom Innenwiderstand der Signalquelle beeinflusst.
Eingangswiderstand:
Mit R1 = 33 kΩ, R2 = 51 kΩ, RE = 1 kΩ, rbe = 1,02 kΩ, β = 214, rce = 21,6 kΩ (Daten wie
in Abschnitt 11.4.2) sowie R3 = 10 kΩ, RG = 10 kΩ und RL = 1 kΩ ergeben sich folgende
Werte:
R3‘≈ 1,02 MΩ und
Rein~ ≈ 94 kΩ
Ein Vergleich mit der normalen Kollektorschaltung nach Abbildung 11-29 (Rein~ = 16,85 kΩ
für RL = 1 kΩ) zeigt bei der Bootstrap-Schaltung eine deutliche Vergrößerung des
Eingangswiderstandes.
Ausgangswiderstand:
Für den Ausgangswiderstand der Bootstrapschaltung erhält man
r + R 3′ //R G
R aus~ = rce //R 1//R 2 //R E // be
A +1
Spannungsverstärkung:
(1 + A) ⋅ (R E //R 1//R 2 //rce //R L ) 102,56 k
Vu = ≈ = 0,99
rbe + (1 + A) ⋅ (R E //R 1//R 2 //rce //R L ) (1,02 + 102,56)k
181
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Stromverstärkung:
R ein ~ 94 kΩ
Vi = VU ⋅ ≈ 0,99 ⋅ ≈ 93
RL 1 kΩ
Leistungsverstärkung:
Vp = Vu ⋅ Vi ≈ 92
7 kΩ (100 kΩ) 17 kΩ 50 Ω
10 kΩ (10 Ω) 10 Ω 10 kΩ
50 (90) 17 0,5
5000 (90) 16 40
ϕ (uq) 180° 0° 0°
(18)
Alle Werte gelten für RL = 1 kΩ. Werte in Klammern gelten für die Bootstrapschaltung.
182
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
A Ptot
A3
A2
C B AB UBE AB
A1 B
UCEmax UCE
(a) Arbeitspunkte auf der (b) Lage der Arbeitspunkte
Spannungssteuerkennlinie im Ausgangskennlinienfeld
A3
Ptot
A2
A1
UCE
UCEmax
183
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
A3-Betrieb
Der Arbeitspunkt A3 liegt etwa in der Mitte des aussteuerbaren Kennlinienbereiches nahe an
der Verlustleistungshyperbel (siehe Abbildung 11-37 (b)). Die Aussteuerung erfolgt
symmetrisch zum Arbeitspunkt. Nachteilig ist der hohe Ruhestrom ICAP, die damit
verbundene hohe Verlustleistung und der niedrige Wirkungsgrad. Vorteilhaft ist die
annähernd lineare Aussteuerung in beiden Richtungen und der damit verbundene geringe
Klirrfaktor.
B-Betrieb
Der Arbeitspunkt liegt am unteren Ende der Arbeitsgerade im Ausgangskennlinienfeld. Der
Ruhestrom ICAP ist (von dem nicht vermeidbaren Reststrom abgesehen) gleich Null. Die
Aussteuerung des Transistors im B-Betrieb ist nur in einer Richtung, allerdings mit -im
Vergleich zum A-Betrieb- doppelter Amplitude möglich. Durch Gegentaktschaltung zweier
Transistoren lässt sich eine symmetrische Aussteuerung realisieren.
(19)
SOAR = safe operating area
184
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
IE2
Positive Ausgangsströme werden dabei z.B. von einem npn-Transistor (IQ+ = -IE1), negative
von einem komplementären pnp-Transistor (IQ- = -IE2) geliefert. Nachteilig bei der Gegentakt-
schaltung im reinen B-Betrieb ist, dass für einen Strom-Nulldurchgang an der Last ein Signal-
sprung an der Basis der beiden Transistoren erforderlich ist (siehe Abbildung 11-39 (b)).
Dies führt zu Signalverzerrungen (Stromübernahme-Verzerrungen).
AB-Betrieb
Der Arbeitspunkt liegt zwischen A und B (meist in der Nähe von B). Es fließt daher ein
kleiner Ruhestrom ICAP. Bei AB-Gegentakt-Endstufen lassen sich somit Stromübernahme-
Verzerrungen vermeiden.
Abbildung 11-40 Gegentakt-AB-Endstufe in Komplementärtechnik
uI uQ RL
RE1
-IE1 UI -UCE2 AB UCE1
RE2 RL
-IE2
pnp
T2
-US IE2
C-Betrieb
Der Arbeitspunkt C liegt im Sperrbereich. Die aktiven Bauelemente müssen durch das
Steuersignal erst aus dem Sperrbereich in den leitenden Bereich aufgetastet werden. Es ergibt
sich ein hoher Wirkungsgrad, aber es liegen starke nichtlineare Verzerrungen vor. Zur
Unterdrückungen der Verzerrungen können anschließend z.B. Schwingkreise eingesetzt
werden. Anwendung des C-Betriebes z.B. bei Sendeverstärkern.
185
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Gnd
Auf der Basis der gezeichneten Transistorschaltung soll ein RC-gekoppelter
Wechselspannungsverstärker mit niedrigem Eingangswiderstand und großer
Spannungsverstärkung realisiert werden.
(a) Welche Transistor-Grundschaltung (Emitter-, Basis-, Kollektorschaltung) wählen Sie?
(b) Ergänzen Sie den Stromlaufplan entsprechend.
(c) Zeichnen Sie das WS-Ersatzschaltbild des Verstärkers.
(d) Stellen Sie Gleichungen auf für die Berechnung von Rein∼ ; Raus∼ ; VU ; VI ; VP.
(e) Dimensionieren Sie die Widerstände RC und RE für Rein∼ = 50 Ω und VU = 100.
186
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
UB =23 V
RC RB = 5,6 MΩ
RB
RC = 20 kΩ
±0
(a) Ermitteln Sie mittels grafischer Analyse, welcher Transistor-Arbeitspunkt sich einstellt.
Transistorkennlinien
IC/mA
7
6
1,0
5
0,8
4
0,6 3
IB/µA
0,4 2
0,2 1
UCE/V
6 4 2
O 4 8 12 16 20 24
IB/µA
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
UBE/V
187
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
(a) Ermittle den Arbeitspunkt (IC; UCE) des Transistors durch Rechnung
(b) Zeichne das Wechselstrom-Ersatzschaltbild des Verstärkers
(c) Ermittle die Vierpolparameter des Transistors (Transistor-Grundschaltung beachten)
(d) Berechne für den Verstärker folgende Größen:
Rein∼, Raus∼ und VU für RL = 3 kΩ und RL → ∞
188
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
US US = 12 V
RC RG = 10 kΩ
R1 = 180 k
R1 Ck2 iq R2 = 43 k
ii Ck1 RC = 10 k
RE = 2,7 k
RG
RL RL = 12 k
uq ûg = 0,1 V (ω << ωg)
ui R2 R E~
CE Transistordaten:
ug RE B = 170
β = 160
rbe = 8 k
Rein~ Raus~ rce = 120 k
US US US
A B C
US US US
D F
E
189
Der bipolare Transistor im Wechselspannungsverstärker
Welche Stufen sind vorwiegend für die Größe der einzelnen Eigenschaften bestimmend?
190
Der bipolare Transistor als Schalter
Abbildung 12-1:
Der ideale Schalter
I1 ; I2
U1 ; U2
Genormte Bezeichnungen:
Die Kennlinie des idealen Schalters fällt mit den Koordinatenachsen zusammen
I
U1 = 0
Abbildung 12-2 (Schalter geschlossen)
Kennlinie des idealen Schalters U
I2 = 0
(Schalter offen)
Arbeitspunkte des idealen Schalters
191
Der bipolare Transistor als Schalter
Der ideale Schalter lässt eine Umkehr der Versorgungsspannung bzw. der zu schaltenden
Spannung zu.
I
Abbildung 12-4
Umkehr der Versorgungsspannung U
-US US
Dem idealen Schalter kommt ein mechanischer Schalter in mancher Hinsicht nahe.
Tabelle 12-1: Kenngrößen des idealen Schalters (Vergleich mit mechanischem Schalter)
Bewertung:
- Der mechanische Schalter erreicht bei keinem Merkmal die Eigenschaften des idealen
Schalters, kommt ihm aber nahe.
(20)
Bei kleineren Spannungen ist kein Unterschied mehr zwischen U1 und U2 feststellbar.
(21)
Erreichbar mit Quecksilber-benetzten Kontakten.
192
Der bipolare Transistor als Schalter
Zahlenbeispiel: Mit den Konzentrationen (ND)E = 5⋅1019 cm-3 (NA)B = 1017 cm-3
(ND)C = 1015 cm-3 ni ≈ 1010 cm-3
errechnen sich folgende Werte der Diffusionsspannung an den
pn-Übergängen eines npn-Transistors:
5 ⋅ 10 36 10 32
U DEB = 26mV ⋅ ln ≈ 996 mV U DCB = 26mV ⋅ ln ≈ 718 mV
10 20 10 20
2⋅ε 1 1
WS = ⋅ + ⋅ (U D − U a ) mit Ua = äußere Spannung
e nA nD
CS/EB ≈ 90 pF CS/CB ≈ 11 pF
(3)
Alle Erläuterungen werden im folgenden am Beispiel des npn-Transistors vorgenommen
193
Der bipolare Transistor als Schalter
E IC
Abbildung 12-5 Ansteuerungsvarianten
D IB
UCE
C
B A
-US2
In den Schalterstellungen A bis D wird der Transistor gesperrt:
- In Stellung A liegt eine Sperrspannung an der Basis-Emitter-Strecke,
- in Stellung B ist der Basisanschluss offen,
- in Stellung C ist die Basis-Emitter-Strecke kurzgeschlossen,
- in Stellung D mit einem Widerstand überbrückt.
In der Schalterstellung E wird die Basis mit Strom gespeist, der Transistor ist leitend.
194
Der bipolare Transistor als Schalter
Fallunterscheidung
* Fall A: IE = 0 (Emitter offen oder BE-Strecke in Sperrpolung)
- ICBsperr kann nicht zum Emitter abfließen.
- ICBsperr fließt voll über den Basisanschluss ab.
IC2/A = ICBsperr = ICB0
Zahlenbeispiel: ICB0 = 10 nA
B = 170
ICE0 = 1,7 µA
r2/B = raus/B = US1 / ICE0 ≈ 6 MΩ
195
Der bipolare Transistor als Schalter
dn pB
- Es gilt I(x) ~ und I(x) = konst.
dx
(mit n p B = Konzentration der Elektronen (Minoritätsträger) in der p-dotierten Basis)
196
Der bipolare Transistor als Schalter
dn p B
Daraus folgt = konst.
dx
Es ergibt sich ein linearer Konzentrationsabfall der Elektronen in der Basis, man spricht
vom Diffusionsdreieck: npB(x)
0 WB x
12.2.4.2 Ladungsträger-Laufzeit durch die Basiszone
Die Ladungsträgerlaufzeit lässt sich durch verschiedene Ansätze für den Kollektorstrom IC
und die in der Basiszone gespeicherte Ladung QB ermitteln.
Aus dem Diffusionsdreieck ist ersichtlich, dass in der Basis eine bestimmte Ladungsmenge
gespeichert ist. Diese Ladung ist bedeutsam für das dynamische Verhalten des Transistors.
E B C
Abbildung 12-7
npB QB
Basisladung
0 WB
WB WB n p B (0) − n pB ( WB )
Q B = e E n pB ( x ) ⋅ dV = e ⋅ A E n pB ( x ) ⋅ dx = e ⋅ A ⋅ WB ⋅
0 0 2
n p B ( 0)
Q B = e ⋅ A ⋅ WB ⋅ (1)
2
dn
* Ansatz (b) I∼e I∼A I~
dx
n p B ( 0)
IC = Dn B ⋅ e ⋅ A ⋅ (2)
WB
k ⋅T
Proportionalitätskonstante: D nB = U T ⋅ µ n = ⋅ µn Diffusionskoeffizient
e
z.B. D n B = 35 cm2/s für Si bei 300K und ND ≤ 1016 cm-3
197
Der bipolare Transistor als Schalter
* Ansatz (c )
Abbildung 12-8 IC
Berechnung der Ladungsträger-Laufzeit
QB
WB
Strom IC durch Fläche A = Ladung die pro Zeiteinheit durch A fließt
∆Q
IC =
∆t
Wählt man für ∆t die Zeit, in der ein Ladungsträger vom emitterseitigen zum
kollektorseitigen Ende der Basiszone diffundiert ist (d.h. ∆t = τB = Trägerlaufzeit durch
die Basiszone), dann ist in dieser Zeitspanne gerade die in der Basis gespeicherte
Ladung ∆Q = QB durch die Fläche A hindurchgeflossen.
Q
Es gilt dann IC = B
τB
QB = IC ⋅ τB (4)
WB 2
CB = (5)
2 ⋅ D nB
Zahlenbeispiel:
25 ⋅ 10 −12 m 2
(a) WB = 5 µm CB = = 3,57 ns
2 ⋅ 35 ⋅ 10 −4 m 2 s
10 −12 m 2
(b) WB = 1 µm CB = = 0,14 ns
2 ⋅ 35 ⋅ 10 −4 m 2 s
Die Ladungsträgerlaufzeit τB hängt mit der Transitfrequenz fT (siehe Abschnitt 11.2.5) des
Transistors zusammen (fT kann meist aus dem Datenblatt entnommen werden).
1
fT ≈
UT
2 ⋅ ⋅ [C B + ⋅ (C eb + C cb )]
IE
Bei größeren Strömen verlieren die Sperrschichtkapazitäten an Bedeutung, so dass dann
näherungsweise gilt:
1
CB ≈
2 ⋅ ⋅ fT
198
Der bipolare Transistor als Schalter
Ist UCE bis auf die Größe von UBE abgesunken, so wird UCB = 0.
Die Beschleunigungsspannung für Minoritätsträger an der Kollektor-Basis-Sperrschicht ist
gleich 0.
Die Minoritätsträgerdichte am kollektorseitigen Ende der Basiszone kann nicht mehr auf 0
gehalten werden:
U BC
UT
n p B (WB ) = n p B0 ⋅ e = n p B0 ⋅ e0 = n p B0 >> 0
0 WB x
(23)
Im anschließenden Bereich der Sättigung ist nur noch eine geringfügige weitere Steigerung
möglich.
199
Der bipolare Transistor als Schalter
B0 B
B1 ≈ ≈
ü ü
Abbildung 12-10 E B C
Ladungsträgerkonzentration IB1 > IB0
in der Basis beim übersteuerten IC1 ≈ IC0
Transistor IB0; IC0 QS
RZ RZ
QB
0 WB x
Der erhöhten Ladungsträgerkonzentration in der Basis entspricht die Überschussladung
bzw. Speicherladung QS.
200
Der bipolare Transistor als Schalter
Sättigungsspannung UCEsat
Die Überladung der Basiszone führt zu einem Abbau der Potenzialschwelle (gebildet durch
die Diffusionsspannung UD/CB) am Kollektor-Basis-Übergang
Die Kollektor-Basis-Diode geht (scheinbar) in Durchlasspolung über
UCB < 0
UCE1 = UCEsat < UBE1
Abbildung 12-11 6
ICmax
Arbeitsbereiche des Transistors
1
1 Sättigungsbereich 4
2 Sperrbereich
3 normal aktiver Bereich 7
4 Bereich verbotener Dauerleistung
5
5 Durchbruchbereich 3
6 Bereich verbotener Kollektorströme
7 nicht erreichbare Bereiche 2
7
UBR UCE
Für den Schaltbetrieb werden Arbeitspunkte im Sättigungs- bzw. Sperrbereich des
Ausgangskennlinienfeldes gewählt.
201
Der bipolare Transistor als Schalter
IC
IC2 UCE
12.3.1 Einschaltvorgang
Beim Einschalten eines Transistors (durch Einschalten des Basisstromes IB) verstreicht
kurze Zeit, bis der Transistor am Ausgang (IC) durchgeschaltet ist.
IB1
td = td1 + td2
202
Der bipolare Transistor als Schalter
Abbildung 12-14
RC
Ersatzschaltbild zur Berechnung von td1
Legende: U1 Ccb
U2 = Sperrspannung vor Einschalten (U2 < 0)
U1 = Signalspannung zum Einschalten uBE
U2 RB
Cbe
U1 − U 2
t d1 = R B ⋅ C be ⋅ ln
U1
Eine genauere Lösung lautet:
U1 − U 2
t d1 = [R B ⋅ C be + (R B + R C ) ⋅ C cb ] ⋅ ln
U1
x
0 WB
Für die Berechnung der Zeit td2 wird ein exponentieller Anstieg mit einer Zeitkonstante
τE angenommen.
Solange der Transistor noch nicht in der Sättigung arbeitet, ist die normale
Stromverstärkung B wirksam. Der Kollektorstrom steigt in Richtung auf einen
theoretischen Endwert IC/th = B⋅IB1.
203
Der bipolare Transistor als Schalter
Sobald der Sättigungsstrom IC1 erreicht ist, tritt Strombegrenzung durch die äußere
Schaltung auf; der Stromanstieg endet.
iC
theoretischer Stromanstieg
Abbildung 12-16 ohne Sättigung nach B⋅IB1
Theoretischer Ansatz
zur Berechnung von
td2 und tf 0,9⋅IC1 Betrieb in der Sättigung IC1
I B1 ⋅ B
Mit t = td2 und i C ( t )= 0,1 ⋅ I C1 = 0,1 ⋅
ü
ü
ergibt sich daraus t d 2 = τ E ⋅ ln
ü − 0,1
Zahlenbeispiel: τB = 0,2 ns
B = 100
τE = 20 ns
(a) ü=5
5
t d 2 ≈ 20ns ⋅ ln = 0,4ns
4,9
(b) ü=1
1
t d 2 ≈ 20ns ⋅ ln = 2,1ns
0,9
* Gesamtverzögerungszeit td = td1 + td2
U1 − U 2 ü
t d = [R B ⋅ C be + (R B + R C ) ⋅ C cb ] ⋅ ln + τ B ⋅ B ⋅ ln
U1 ü − 0,1
204
Der bipolare Transistor als Schalter
Es wird davon ausgegangen, dass bei 90% von IC1 die Sättigung des Transistors noch
nicht erreicht ist.
Mit tr = t90% - t10%
ü − 0,1
ergibt sich t r ≈ τ B ⋅ B ⋅ ln
ü − 0,9
Zahlenbeispiel: τB = 0,2 ns
B = 100
(a) ü=5 tr = 3,6 ns
(b) ü=1 tr = 43,9 ns
ton = td + tr
Erhält der Transistor über die Basis den Befehl zum Ausschalten, so folgt der
Kollektorstrom diesem Befehl nur verzögert. npB
Abbildung 12-17
Minoritätsträgerkonzentration
in der Basiszone des gesättigten QS
Transistors vor dem Ausschalten RZ RZ
QB
x
0 WB
- Zunächst muss die Speicherladung QS in der Basiszone abgebaut werden. In dieser Zeit
fließt der volle Kollektorstrom weiter (Speicherzeit).
- Anschließend muss die Basisladung QB abfließen. Erst in dieser Phase sinkt der
Kollektorstrom (Abfallzeit).
- Solange die Minoritätsträgerkonzentration am emitterseitigen Ende der Basiszone stark
erhöht ist, sperrt der Basis-Emitter-Übergang nicht.
205
Der bipolare Transistor als Schalter
IB1
Abbildung 12-18 t
Ausschaltverhalten IB2
IB2M
des Transistors
IB2M = Amplitude des Rückstromes IC1
ts = storage time (Speicherzeit) 0,9⋅IC1
tf = fall time (Abfallzeit)
0,1⋅IC1
t
ts tf
tS = tS1 + tS2
t
0 tS1
theoretischer Abbau der Speicherladung in
Richtung auf τ⋅(IB2M – IB0)
Tatsächlich endet der Abbau der Speicherladung beim Wert qS(tS1) = 0. Eine negative
Speicherladung tritt nicht auf.
206
Der bipolare Transistor als Schalter
t
−
τs
Ansatz: q s (t) = Q x ⋅ e + Qy
Mit qS(tS1) = 0
I B1 − I B2 M
wird t S1 = τS ⋅ ln
I B0 − I B 2 M
I B1
In Analogie zu dem Übersteuerungsfaktor ü = wird ein Ausräumfaktor a
I B0
−I B 2 M
definiert: a=
I B0
a+ü
Damit wird t S1 = τ S ⋅ ln
a +1
Zahlenbeispiel: τS = 100 ns
(a) a=x
ü=1 (keine Übersteuerung)
tS1 = 100ns ⋅ ln1 = 0 (keine Speicherzeit)
(c) a=1
ü=5
tS1 = 100ns ⋅ ln3 = 110ns
(d) a=5
ü=5
tS1 = 100ns ⋅ ln(10/6) = 51ns
(e) a = 20
ü=5
tS1 = 100ns ⋅ ln(25/21) = 17,4ns
207
Der bipolare Transistor als Schalter
0,1⋅IC0 IC = 0
t
tS2 tf
theoretischer Abbau des Kollektor-
stromes in Richtung auf B⋅IB2M
t
−
τE
Ansatz: i C (t ) = I x ⋅ e + Iy
a +1
bzw. t S2 = τ E ⋅ ln (mit τE = B ⋅ τB)
a + 0,9
Zahlenbeispiel: τE = 20 ns
(a) a=0 tS2 = 2,1 ns
(b) a=1 tS2 = 1 ns
(c) a=5 tS2 = 0,34 ns
(d) a = 20 tS2 = 0,1 ns
208
Der bipolare Transistor als Schalter
a+ü a +1
t S = τ S ⋅ ln + τ E ⋅ ln
a +1 a + 0,9
Zahlenbeispiel: τE = 20 ns
(a) a=0 tf = 43,9 ns
(b) a=1 tf = 10,9 ns
(c) a=5 tf = 2,9 ns
(d) a = 20 tf = 0,8 ns
U1
t/ns
U2
Abbildung 12-21
Ausschaltvorgang für unterschiedliche
Übersteuerungs- und Ausräumfaktoren
IC1
a = 20 5 1 0
ü=5 IC2
t/ns
0 100 200
ü=1 a=20 1 0
t/ns
0 50
209
Der bipolare Transistor als Schalter
a) Si-Transistoren
IC2 verkleinern
b) Kühlung
(Reststrom)
c) niederohmiger BE-Abschluss IC2 = ICER
Schaltung A
Schaltung B
-US
a) Spezialtransistoren
UCEsat verkleinern
b) ü >> 1
c) Überdimensionierung [UCEsat = IC(rCC+rEE)]
(große Transistoren haben kleine rCC und rEE)
210
Der bipolare Transistor als Schalter
Schaltung C
Schaltung D
Schaltung E
Schaltung F UCC
uout
uin
Uref
-UEE
c) Ausräumen der Basis mit BE-Rückwärtsbetrieb
(Schaltung B oder Schaltung C )
d) kleine Schaltspannung (US klein)
211
Der bipolare Transistor als Schalter
12.5 Schaltverlustleistung
Am Schalttransistor tritt Verlustleistung auf
- während der statischen Betriebszustände sowie
- in den Schaltphasen.
Für die folgenden Berechnungen wird ein Betrieb mit ohmscher Last zugrunde gelegt.
USt
U1 U1
Abbildung 12-22 t
U2 U2
Ein- und Ausgangssignale beim
Schalten einer ohmschen Last t1 t2
IB IB1 IB1
Die gesamte Verlustleistung des Schalttransistors errechnet sich damit nach folgender
Gleichung
1 tr tf
PVges ≈ [I B1 ⋅ U BE1 ⋅ t 1 + I C1 ⋅ U CE1 ⋅ ( t 1 − t d − t r + t s ) + E i C ⋅ u CE ⋅ dt + E i C ⋅ u CE ⋅ dt ]
T 0 0
Nähert man die Anstiegs- und Abfallflanken von IC und UCE wie in Abbildung 12-22 durch
Geradenstücke an, so lassen sich die Integrale lösen und es ergibt sich die Gesamtverlust-
leistung
1 1
PVges ≈ {I B1 ⋅ U BE1 ⋅ t 1 + I C1 ⋅ U CE1 ⋅ ( t 1 − t d − t r + t s ) + [I C1 ⋅ U CE 2 ⋅ ( t r + t f )]}
T 6
212
Der bipolare Transistor als Schalter
6,7
Abbildung 12-23 6
Frequenzabhängige Verlust-
leistung eines Schalttransistors
4
2,2
2
A D
t
UCE A D
B C A
t
D UBR UCE
214
Der bipolare Transistor als Schalter
Zum Schutz des Transistors gegen die hohe Induktionsspannung kann eine Diode parallel
zur induktiven Last eingebaut werden (Schaltung B ). Damit wird die Gegenspannung auf
die Durchlassspannung der Diode begrenzt. Der Abschaltvorgang wird stark verzögert.
Eine ausreichende Begrenzung der Spannung UCE bei geringer Verzögerung des
Abschaltvorganges wird durch eine zusätzliche Z-Diode erreicht (Schaltung C ).
US
IB B C IC
L D E ICmax
A A
t
RL IC C/D1
C
A B D2 E D1
t
UCE D1 D2 RL
A E D2
E
B C B A UBR UCE
t
IB B C IC
US
A D E ICmax
t
B L
IC C/D3 C
RL D3
A B D4 E
t
RL
UCE A D3/D4 D5 E
D4/D5
BC B A/E UBR UCE
t
IB B C IC
A D E ICmax
t
L
C
IC C/D6 C D6
RL
AB D7 E
t
RL
D6/D7
UCE D8
A E E
B C B A D7/D8 U
BR UCE
t
215
Der bipolare Transistor als Schalter
IB B C IC B1
A D E
t ICmax B2
B1 B2
C IC
A RL
C C
A D E
t
UCE A/B1 E RL
D A
t
B2 C/D E
UBR UCE
IB B C IC
A D E
t ICmax
B3
RS IC
B3
B RL C C
C A D E
t
UCE A RL RLF RS
E
D
D A
t
B3 C E UBR UCE
216
Der bipolare Transistor als Schalter
Zum Schutz des Transistors gegen den hohen Einschaltstrom schaltet man einen
Widerstand RS in Reihe zu der Lastkapazität (Schaltung B ). Der Transistor schaltet
dann sofort vollständig bis in die Sättigung durch (A → B3). UCE fällt sofort auf UCEsat.
Bei geeigneter Wahl des Widerstandes RS bleibt IC im zulässigen Wertebereich
(IC < ICmax). Mit der Zeitkonstante RS ⋅ C sinkt IC anschließend auf den statischen Wert
IC1 (B3 → C).
Der Widerstand RS beeinflusst den Ausschaltvorgang in unkritischer Weise (C → D → E).
US
Abbildung 12-28
NOR-Gatter E1 Q
(RTL = Widerstands-Transistor-Logik)
E2
OR NOT
US
Abbildung 12-29 10kΩ
NAND-Gatter E1 Q
(RTL = Widerstands-Transistor-Logik) 10kΩ
E2
8,2kΩ
-US
AND NOT
US
Abbildung 12-30
NOR-Gatter E1 Q
(DTL = Dioden-Transistor-Logik) E2
OR NOT
217
Der bipolare Transistor als Schalter
US
E1 Q
Abbildung 12-31
E2
ODER-Gatter
OR NOT NOT
US
Abbildung 12-32 E1 Q
NAND-Gatter
E2
AND NOT
US
E1 Q
Abbildung 12-33
UND-Gatter E2
US
Abbildung 12-34
UND-Gatter Q
(TTL-Transistor-Transistor-Logik)
E1
E2
218
Der bipolare Transistor als Schalter
Abbildung 12-35 US
Schmitt-Trigger
(Schwellwertschalter Q
mit Hysterese)
E
Schaltung Mitkopplungs-
Widerstand
NOT NOT
t
Zeitdiagramme
Q
US
Abbildung 12-36
Flip-Flop Q Q
(bistabiler Multivibrator)
Legende:
S = Setzeingang S R
R = Rücksetzeingang
Q = Ausgang
Q = invertierter Ausgang
Abbildung 12-37 US
Astabiler Multivibrator R1 R2
(Rechteckgenerator )
UQ Q Q
T
C1 C2
0,7⋅R1⋅C1 0,7⋅R2⋅C2
T ≈ 0,7⋅(R1⋅C1 + R2⋅C2)
219
Der bipolare Transistor als Schalter
US
Abbildung 12-38 R1
Monostabiler Multivibrator C1
(„Mono-Flop“)(„one-shot“) Q Q
E
E
t
Q
t
T T
T ≈ 0,7⋅R1⋅C1
220
Der bipolare Transistor als Schalter
Aufgabe:
Mit welcher (maximalen) Speicherzeit muss gerechnet werden, wenn der Transistor von
-IC1 = 1A und -IB1 = 50 mA mit IB2 = 100 mA ausgeschaltet wird ?
221
Der bipolare Transistor als Schalter
(a) Wie groß ist iC unmittelbar nach dem Einschalten des Transistors? (ton = 0)
(b) Wie lange dauert es, bis der Kondensator vollständig aufgeladen ist?
(c) Wie groß ist die momentane Verlustleistung des Transistors unmittelbar nach dem
Einschalten?
(d) Wie groß ist iC nach Ende der Aufladung von C?
(e) Wie läßt sich iC beim Einschalten des Transistors auf Werte iC ≤ 0,5 A begrenzen
und die Verlustleistung des Transistors minimieren?
222
Der bipolare Transistor als Schalter
US US
Rel Rel
C
C
R R
(A) (B)
Versorgungsspannung: US = 24 V
Relais: L=6H RRel = 1 kΩ Anzugspannung Uan = 12 V
Vorwiderstand: R = 333 Ω
Transistor: UCEmax = 60 V (Grenzwert laut Datenblatt)
Ein Relais (elektromagnetisch betätigter Schalter) soll mit einem Transistor ein- und
ausgeschaltet werden.
223
Der bipolare Transistor als Schalter
E1 A
A3
A2 A4
E2
A1
(a) Trage bei jedem gestrichelt eingerahmten Schaltungsteil die zugehörige logische
Funktion in die Zeichnung ein.
(b) Erstelle eine Wahrheitstabelle für die gezeichneten Logikschaltung mit Darstellung der
logischen Signale an allen Eingängen und Ausgängen der Funktionseinheiten und
ermittle die Funktion der Gesamtschaltung.
Z15
A B C D E F
0V 0V 0V 0V 0V 0V
Legende: Durchbruchspannung der Z-Dioden UZ = 15V
Das Relais benötigt mindestens 40 V zum Anziehen/Einschalten
Geben Sie (z.B. in einer Tabelle) an, ob die einzelnen Schaltungen funktionieren oder nicht
(Mit Begründung, wenn nicht)
224
Der bipolare Transistor als Schalter
US US = 24 V
RB L L=6H
Induktive Last
RL (Relais) RL = 400 Ω
IC RB = 39 kΩ
1 IB
S
0
Gnd
Mit dem Schalters S kann der Transistor ein- und ausgeschaltet werden.
(a) Zeichne in das Ausgangskennlinienfeld möglichst genau ein, auf welchem Weg der
Übergang von dem statischen Anfangspunkt A in den statischen Endzustand Z beim
Einschalten und von Z nach A beim Ausschalten stattfindet.
(b) Markiere spezielle Punkte (z.B. Ecken) entlang dieses Weges und bezeichne sie z.B.
mit den Buchstaben B, C usw.. Welche Übergänge A→B, B→C usw. erfolgen sehr
schnell, welche langsam ?
(c) Berechne die (elektrische) Abfallzeit des Relais (unter der Voraussetzung, daß kein
Bauteil zerstört wird)
L 0,1 ⋅ U S + U gegen
t ab = − ⋅ ln
RL U S + U gegen
(mit Ugegen = maximale Gegenspannung an der Last)
0,6
IC/mA
IB/mA
100
0,5
80
0,4
60 Z
0,3
40
0,2
RL
20 0,1
A 0
O
20 40 60 UCE/V
225
Der bipolare Transistor als Schalter
US IC/mA
240
60
200
L C
D 160
40 IB/µA
RL 120
RL 80
20
40
B A E
0 UCE/V
0 20 40 60 80
Beim Einschalten des Transistors geht der Arbeitspunkt (siehe Ausgangskennlinienfeld)
vom stationären Zustand A sehr schnell nach B und dann langsamer in den stationären
Zustand C über.
Beim Ausschalten des Transistors geht der Arbeitspunkt vom stationären Zustand C sehr
schnell über D in den transienten Zustand E und dann langsamer in den stationären Zustand
A über. Die Z-Diode verhindert dabei unzulässige Überspannungen am Transistor.
(a) Wie groß ist die Versorgungsspannung US?
(b) Wie groß ist der Lastwiderstand RL?
(c) Wie groß ist die Durchbruchspannung UZ der Z-Diode?
(d) Wie groß ist die mittlere Stromverstärkung B des Transistors?
(e) Welcher Mindest-Basisstrom IBmin muß dem Transistor
im eingeschalteten Zustand angeboten werden
(für einen Übersteuerungsfaktor ü ≥ 2) ?
226
Der Feldeffekttransistor
13.2 Sperrschicht-FET
13.2.1 Aufbau und Wirkungsprinzip
* Aufbau
- Grundelement des Sperrschicht-FET ist ein länglicher, einheitlich dotierter
Halbleiterkristall (bzw. Kristallbereich), der den Stromkanal bildet. Je nach Dotierung
handelt es sich um einen
. p-Kanal-FET oder
. n-Kanal-FET
- An den Enden des Kristalls/Kristallbereiches sind Drain- und Source-Anschluss
angebracht; an der Längsseite des Kristalls befindet sich die Gate-Elektrode.
227
Der Feldeffekttransistor
- Zur Isolierung des Gateanschlusses wird beim n-Kanal-FET unter der Gate-Elektrode
eine p-dotierte Zone eindiffundiert (beim p-Kanal-FET eine n-dotierte Gatezone).
- An den pn-Übergängen zwischen Gatezonen und dem übrigen Kristall bildet sich eine
Verarmungszone (Raumladungszone) ohne bewegliche Ladungsträger.
- Der verbleibende Teil des Kristalls ist leitfähig und bildet den Stromkanal.
l
Gate Raumladungs-
p-dotierte
Gatezonen Zonen
* Wirkungsprinzip
Beim Sperrschicht-FET wird durch ein Querfeld die Ausdehnung der Verarmungszone
(Raumladungszone) unter dem Gateanschluss und damit der Querschnitt des
Stromkanals gesteuert.
* Schaltzeichen D D
Abbildung 13-2 G n-Kanal-FET G p-Kanal-FET
Schaltzeichen des J-FET
S S
Für die Diskussion des Einflusses der Kanalspannung UDS wird die Funktion bei
kurzgeschlossener Gate-Sourcestrecke (UGS = 0) betrachtet
- Die Polarität der Spannung UDS wird beim Sperrschicht-FET so gewählt, dass der pn-
Übergang zwischen Gate und Stromkanal an allen Stellen in Sperrpolung betrieben wird:
n-Kanal-FET: UDS > 0
p-Kanal-FET: UDS < 0
Unter dieser Voraussetzung fließt kein Gatestrom (außer ein kleiner Sperrstrom)
- Aufgrund der äußeren Spannung UDS fließen Ladungsträger vom Source- zum Drain-
Anschluss.
- Der Stromfluss wird fast ausschließlich von Majoritätsträgern getragen; die
Minoritätsträger sind ohne Bedeutung.
. n-Kanal-FET: Elektronenstrom von Source nach Drain
. p-Kanal-FET: Löcherstrom von Source nach Drain
- Da jeweils nur eine Ladungsträgerart für den Stromfluss benötigt wird, wird der FET als
unipolarer Transistor bezeichnet.
- Der Eintritt der Majoritätsträger in den Kristall erfolgt jeweils am Source-Anschluss
(Deswegen die Namensgebung: Source = Quelle); die Ladungsträger treten am Drain-
Anschluss aus dem Kristall aus (Deswegen die Namensgebung: Drain = Senke).
- Bei symmetrischem Aufbau können Source und Drain vertauscht werden.
228
Der Feldeffekttransistor
A b⋅d
Kanalleitwert für UDS → 0 G0 = κ ⋅ = e ⋅ n D ⋅ µn ⋅ (n-Kanal-FET)
l l
Legende: e = Elementarladung
ND = Donatorkonzentration
µn = Beweglichkeit der Elektronen
b, d, l = Kanal-Breite, -Dicke, -Länge
κ = Leitfähigkeit = e ⋅ n ⋅ µ
Funktion bei größeren Werten von UDS
- Die Spannung UDS fällt entlang des Stromkanals ab.
Die Sperrspannung zwischen Gate und Stromkanal wächst in Richtung auf den
Drain-Anschluss
Die Sperrschichtweite WS ist in Drain-Nähe größer als in Source-Nähe
Die Kanalbreite b(x) ist in Drain-Nähe kleiner als in Source-Nähe
Der Stromkanal ist in Drain-Nähe eingeschnürt
Raumladungs-
Zonen
Abbildung 13-3
Kanaleinschnürung durch UDS
b(x)
S D
G
- +
UDS
- Ab einer bestimmten Spannung UDSsat = -Up geht die Kanalbreite in Drain-Nähe gegen 0
„Kanalabschnürung“
Der Kanalstrom nimmt bei weiter steigendem UDS nicht mehr zu
(Ende des ohmschen Kennlinienbereiches)
229
Der Feldeffekttransistor
2
U
Der Sättigungsstrom nimmt ab I Dsat ≈ I DSS ⋅ 1 − GS
Up
Für U GS ≥ U p ist der Stromkanal unabhängig von UDS auf jeden Fall gesperrt
(UP = „pinch-off“-Spannung)
230
Der Feldeffekttransistor
UGS=UP/2
UGS=3UP/4
0 -UP UDS
- Durch die Gate-Source-Spannung lässt sich der Kanalwiderstand bei kleinen UDS
steuern.
Für kleine UDS ist der Sperrschicht-FET ein regelbarer Widerstand
ID 0
UP/4 UGS
Abbildung 13-8 UP/2
Sperrschicht-FET 3UP/4
als steuerbarer Widerstand
UP UDS
-0,5V 0,5V
0,5
UP 1,0
1,5
UGS/V -2 -1 0 0 2 4 6 UDS/V
(24)
Im Sättigungsbereich weichen die tatsächlichen Kennlinien von dem hier gezeichneten
Idealverlauf ab, sie steigen mit zunehmender Drain-Source-Spannung wegen Verkürzung des
Stromkanales leicht an.
Die Steigung ist so, dass sich die Verlängerungen des Sättigungsteils aller Kennlinien im
Punkt -UA (Early-Spannung) schneiden.
231
Der Feldeffekttransistor
ID -UGS/V
0
Arbeits-Spannungs-
Steuerkennlinie für
0,25
UDS = f(RD+RS)
0,5
RD+RS
0,75
1
UP
1,5
UGS/V UDS/V
-2 -1 0 0 2 4 6
13.3.1 Anreicherungstyp
13.3.1.1 Aufbau
Abbildung 13-11 Prinzipieller Aufbau des IG-FET (z.B. n-Kanal-MOS-FET)
isoliertes
Source Gate Drain
SiO2-
Isolation
n+ n+
eindiffundierte
Raumladungszonen Source- und Drain-
der pn-Übergänge p Zonen
Bulk p-Substrat
232
Der Feldeffekttransistor
Der Aufbau des IG-FET vom Anreicherungstyp wird am Beispiel eines n-Kanal-FET
erläutert:
- In eine dünne p-dotierte Halbleiterscheibe werden von einer Seite zwei n+-Zonen
eindiffundiert
- Die beiden n+-Zonen werden mit Anschlussdrähten versehen und bilden Source und
Drain des FET
- Die restliche Kristalloberfläche wird mit einer dünnen elektrisch isolierenden Schicht
(Oxid-Schicht) abgedeckt.
- Zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen wird -durch die dünne Oxidschicht vom
p-leitenden Kristall isoliert- eine flächige Gate-Elektrode angebracht.
- Das p-leitende Substrat wird (z.B. auf der Unterseite des Kristalls) elektrisch kontaktiert
(sog. bulk-Anschluss) und (meistens) mit dem Source-Anschluss verbunden.
13.3.1.2 Funktionsweise
- Die beiden eindiffundierten n+-Zonen bilden mit dem p-leitenden Kristall zwei pn-
Übergänge, an denen sich jeweils eine Raumladungszone ausbildet (Abbildung 13-11).
- Legt man eine positive Spannung an die Gate-Source-Strecke, so werden die Löcher
(Majoritätsträger) im p-dotierten Substrat von der isolierten Gate-Elektrode abgestoßen
und ins Kristallinnere zurückgedrängt
Unmittelbar unter der Gate-Elektrode bildet sich eine Zone weitgehend ohne
Majoritätsträger (Verarmungszone/Raumladungszone)
Es hat sich damit eine durchgehende Raumladungszone von Source bis Drain
gebildet (Abbildung 13-12).
UGS
S G D
- +
Abbildung 13-12 n+ n+
Verarmungszone unter dem Gate
p
- Wegen der fehlenden Majoritätsträger (Löcher) können die aus der Eigenleitung
stammenden Minoritätsträger (Elektronen) nicht rekombinieren. Ihre Konzentration in der
Raumladungszone unter dem Gate steigt daher stark an.
- Durch das positive Potenzial am Gate-Anschluss werden die Elektronen vom Gate
angezogen; wegen der isolierenden Oxidschicht zwischen Gateelektrode und
Halbleiterkristall können sie jedoch nicht zum Gate abfließen und sammeln sich
unmittelbar unter der Oxidschicht
Innerhalb der von Source bis Drain durchgehenden Verarmungszone bildet sich eine
Anreicherung freier Elektronen, also ein leitfähiger Kanal. Dieser verbindet die n-
leitenden Source- und Drain-Zonen miteinander (Abbildung 13-13).
Da sich ein Kanal mit freien Elektronen (n-Kanal) im p-dotierten Halbleitermaterial
gebildet hat, spricht man vom Inversionskanal.
233
Der Feldeffekttransistor
UGS
Inversionskanal
- +
Raumladungszone
p durch Ladungstrennung
- Durch die Größe der Spannung UGS lässt sich die Konzentration der Elektronen im
Inversionskanal steuern
Mit dem von UGS erzeugten Querfeld wird also die Leitfähigkeit des Stromkanals
gesteuert.
- Da der beschriebene Transistor ohne Gatespannung nicht leitet, spricht man von einem
selbstsperrenden Typ
- Da zur Erreichung der Leitfähigkeit erst Ladungsträger in einem Kanal angesammelt
werden müssen, spricht man vom Anreicherungstyp.
UGS/V
5
UT0 4
3
0 2 4 6 8 UGS 0 4 8 12 UDS/V
234
Der Feldeffekttransistor
- Aus der Steuerkennlinie (Abbildung 13-15, links) ist ersichtlich, dass sich ein
ausreichender Inversionskanal und damit der Stromfluss erst oberhalb einer
Einsatzspannung UT0 (trash over voltage) einstellen.
- Die Ausgangskennlinien zeigen einen starken Anstieg für UDS < UGS – UT0.
In diesem Bereich reicht der Inversionskanal von der n-dotierten Source-Zone bis zur n-
dotierten Drain-Zone. Der Strom ist annähernd proportional zur Spannung UDS. Der
Inversionskanal zeigt annähernd ohmsches Verhalten.
- Die positive Spannung UDS schwächt die Potenzialdifferenz zwischen Gate und p-
dotiertem Substrat in Drainnähe. Für UDS = UGS – UT0 reicht diese Potenzialdifferenz
gerade nicht mehr aus, um den Inversionskanal in Drain Nähe aufrecht zu erhalten.
- Ein weiteres Ansteigen von UDS führt daher nicht zu einer steigenden Spannung über der
Inversionszone sondern zum Aufbau einer Sperrspannung (Sperrschicht) zwischen dem
Ende des Inversionskanals und der Drain-Zone.
- Wegen der nicht mehr ansteigenden Spannung über dem Inversionskanal steigt der
Drainstrom bei weiter wachsendem UDS nicht mehr an, er hat vielmehr einen
Sättigungswert erreicht.
- Die Sperrspannung zwischen Inversionskanal und Drainzone saugt alle durch den
Inversionskanal ankommenden Elektronen (Minoritätsträger) zum Drainanschluss ab.
Die Ausgangskennlinien zeigen daher für UDS > UGS – UT0 einen annähernd horizontalen
Verlauf.
- Ein begrenzter Anstieg im Sättigungsbereich der Ausgangskennlinien beruht auf dem
Early-Effekt. Steigt UDS auf größere Werte als zur Sättigung notwendig, so führt das zu
einer größeren Ausdehnung der Sperrschicht zwischen Inversionskanal und Drainzone.
Die daraus folgende Verkürzung der Inversionszone (= Reduzierung des Widerstandes)
hat einen weiteren Anstieg des Sättigungsstromes zur Folge.
UGS
-UA
UDS
Im Sättigungsbereich ist die Steigung der Ausgangskennlinien so, als gingen sie alle von
einem einzigen Punkt auf der Spannungsachse (Early-Spannung -UA) aus.
Abbildung 13-17 D D
B B
Schaltzeichen des G S G S
selbstsperrenden IG-FET
n-Kanal-FET p-Kanal-FET
235
Der Feldeffekttransistor
13.3.2 Verarmungstyp
- Durch geeignete Herstellungstechnologie (z.B. Phosphor-Implantation ins Kanalgebiet
oder Implantation von positiv geladenen Ionen in die Isolationsschicht unter dem Gate
jeweils beim n-Kanal-MOS-FET) wird erreicht, dass sich ein Stromkanal bereits ohne
anliegende Gatespannung bildet.
- Ein solcher Transistor leitet bei einer Gate-Source-Spannung UGS = 0.
Durch eine negative Gate-Source-Spannung UGS lässt sich die Konzentration der
Elektronen im Stromkanal reduzieren und damit die Größe des Drainstromes steuern.
(Durch positive Gatespannungen lässt sich dieser Transistor noch leitfähiger machen,
doch ist diese Betriebsart weniger üblich).
- Da der beschriebene Transistor ohne Gatespannung leitet, spricht man vom
selbstleitenden Typ
- Da die Ladungsträger zur Steuerung des Drainstromes aus dem Stromkanal verdrängt
werden müssen, spricht man vom Verarmungstyp.
ID ID
Abbildung 13-19 D D
Schaltzeichen des B B
G S G S
selbstleitenden IG-FET
n-Kanal-FET p-Kanal-FET
236
Der Feldeffekttransistor
FET
Verarmungstypen Anreicherungstypen
D D
D D D D
G G B B B B
G S G S G S G S
S S
S t e u e r k e n n l i n i e n
A u s g a n g s k e n n l i n i e n
237
Der Feldeffekttransistor
238
Der Feldeffekttransistor
Da der FET keine Schwellspannung besitzt und auch bei kleinsten Werten von UDS
leitfähig ist, eignet er sich hervorragend als Analogschalter.
Beim Betrieb als Schalter werden die zwei Zustände „leitend“ (EIN, ON) und „gesperrt“
(AUS, OFF) benötigt. Zwischenzustände sollen nicht auftreten.
Um den J-FET zu sperren, muss zwischen der Gate-Zone und dem Stromkanal an allen
Stellen eine Sperrspannung anliegen, die betragsmäßig größer als die pinch-off-Spannung
Up ist. Dies ist nur dann sichergestellt, wenn sowohl |uGS| als auch |uGD| größer als |Up| sind.
FET gesperrt für |uGS| > |Up| UND |uGD| > |Up|
Um den J-FET leitend zu machen, muss die Spannung zwischen Gatezone und Stromkanal
an einem Ende des Stromkanals gleich 0 (oder größer 0, d.h. Flusspolung) sein. Dies
kann sowohl am source- wie auch am drain-seitigen Ende des Stromkanals sein.
FET leitend für uGS = 0 ODER uGD = 0 (ODER Flusspolung einer der Spannungen)
Abbildung 13-20
Grundschaltung eines RiG
FET-Analogschalters RG RL
uI uQ
uG
ust
uG
t
ust
t
uQ
t
Der FET verbindet die Signalquelle (Spannung uI) mit einer Last (Lastspannung uQ).
Mit Hilfe des Steuersignales ust kann der FET leitend oder gesperrt werden.
Beispiel
Schaltungsdaten: -10V ≤ uI ≤ +10V RiG = 100 Ω
RL = 10 kΩ
RG = 100 kΩ
Up = -4V rDSon = 50 Ω
239
Der Feldeffekttransistor
Fehlerrechnung
a) Fehler durch den Gatestrom:
Für die Fehlerrechnung wird vereinfachend davon ausgegangen, dass der Fehlerstrom
(= Gatestrom) am source-seitigen Ende der Gate-Kanal-Sperrschicht eingespeist wird.
iG
Abbildung 13-21
rDSon
Ersatzschaltung zur Berechnung
der Fehlerspannung durch iG RiG
uI uQ RL
uG
240
Der Feldeffekttransistor
RL 10kΩ
U Q F max = U I F max ⋅ ≈ 24,16mV ⋅ = 24,04mV
R L + rDS on 10kΩ + 50Ω
Nimmt man an, dass der Gatestrom am drain-seitigen Ende des Stromkanals eingespeist
wird, so ergibt sich ein maximaler Fehler der Ausgangsspannung zu:
U Q F max = I G max ⋅ [(R iG + rDSon ) // R L ] = 244µA ⋅ [(100Ω + 50Ω) // 10kΩ] ≈ 36mV
Da der Gatestrom irgendwo zwischen source- und drain-seitigem Ende des Stromkanals
einfließt, wird der tatsächliche maximale Fehler zwischen diesen beiden Werten liegen.
RL rDSon
Der relative Fehler f beträgt: f= −1= −
R L + rDSon R L + rDSon
rDSon
Für RL >> rDSon gilt f ≈−
RL
rDSon 50Ω
z.B. f ≈− =− = − 0,5%
RL 10kΩ
RiG RiG
RG RG
uI uQ RL uI uQ RL
uG A uG
ust ust B
241
Der Feldeffekttransistor
Sperren des Analogschalters: Die negative Steuerspannung wird über eine Diode an das
Gate des FET geführt. Es gilt uGS = ust + uF - uI mit uF = Durchlassspannung
der Diode. Über den hochohmigen Widerstand RG wird am Eingang (Variante
A) oder am Ausgang (Variante B) ein kleiner Strom entnommen.
Öffnen des Analogschalters: Bei positiver Steuerspannung trennt die Diode den FET von
der Steuerspannung. Das Gate wird über den Widerstand RG stromlos auf
Sourcepotenzial (Variante A) oder auf Drainpotenzial (Variante B) gezogen.
Im EIN-Zustand des FET werden weder Eingangs- noch Ausgangssignal durch die
Steuerspannung verfälscht.
Die Verfälschung des Ausgangssignals durch den Widerstand rDSon berechnet sich ebenso
wie bei der Grundschaltung nach Abschnitt 13.6.2.
Nachteil von Schaltungsvariante A:
Im AUS-Zustand des Analogschalters wird das Eingangssignal uI durch den über RG
zur Steuerspannung fließenden Strom iG verfälscht.
u R G u I − u F − u st
Es gilt u IF = i G ⋅ R iG mit iG = =
RG RG
Eine Verfälschung von ui bei offenem Analogschalter stört allerdings häufig nicht.
Nachteil von Schaltungsvariante B:
Im AUS-Zustand des Analogschalters wird das Ausgangssignal uQ durch den über RG
zur Steuerspannung fließenden Strom verfälscht.
uRG −u F − u st
Es gilt u QF = i G ⋅ R L mit iG = =
RG RG + RL
Eine Verfälschung von uQ bei offenem Analogschalter stört häufig, z.B. beim FET-
Analogschalter in einer sample-hold-Schaltung.
Schaltungsvariante B ist daher in der Regel nicht zu empfehlen.
13.6.4 Gegentakt-FET-Analogschalter
Mit zwei komplementären FET (ein n-Kanal-FET und ein p-Kanal-FET) lässt sich ein
Gegentakt-Analogschalter aufbauen.
FET1
242
Der Feldeffekttransistor
* Schaltung I
UV
UGS UDS
UGS= -UV
Es gilt UGS = -UV.
Es stellt sich der Strom ID = f(UGS) = f(-UV) ein; seine Größe ergibt sich aus der
Steuerkennlinie.
Die Stabilität des Arbeitspunktes ist gering.
Abbildung 13-24 zeigt den großen Unterschied im Arbeitspunkt für zwei J-FET-
Exemplare mit unterschiedlichen Steuerkennlinien.
* Schaltung II
Der Drainstrom wird durch Stromgegenkopplung mittels Source-Widerstand eingestellt.
243
Der Feldeffekttransistor
Ein Vergleich von Abbildung 13-25 mit Abbildung 13-24 zeigt, dass die Arbeitspunkt-
Stabilität besser ist als bei Schaltung I.
* Schaltung III
- Einstellung der GS-Steuerspannung mittels Spannungsteiler und
- Stromgegenkopplung.
J-FET AP1
RS
UGS US0
UG0 UGS
R2 RS UDS
UGS UG0
US0
R2
Am Gate stellt sich die Spannung U G0 = US ⋅ ein.
R1 + R 2
Die Spannung UGS für einen gewünschten Strom ID entnimmt man der Steuerkennlinie.
Damit wird US0 = U R S = UG0 - UGS
U S0 U G 0 − U GS
und RS = =
ID ID
U S0 U G 0 − U GS
oder ID = =
RS RS
244
Der Feldeffekttransistor
RD
Ck2
Ck1
Abbildung 13-27
J-FET als WS-Verstärker CS uq RL
ui RG RS
Der Arbeitspunkt des FET wird über die Widerstände RS und RD eingestellt
− U GS
ID = (siehe Abschnitt 13.7) und UDS = US - ID⋅(RS+RD)
RS
Das WS-Eingangssignal wird über Ck1 am Gate eingekoppelt, das WS-Ausgangssignal
über Ck2 am Drain-Anschluss ausgekoppelt.
Der Gleichstrom-Gegenkopplungswiderstand RS wird mit CS wechselstrommäßig
kurzgeschlossen.
Für Wechselstrombetrieb mit kleiner Aussteuerung kann der FET als linearer Vierpol
betrachtet werden.
ig ≈ 0 G S⋅ugs D id
Abbildung 13-28
WS-Ersatzschaltbild des ugs rds uds
J-FET in Source-Schaltung
S
Berechnung der Vierpol-Parameter:
i1 = y11⋅u1 + y12⋅u2 ig = y11⋅ugs + y12⋅uds ≈ 0
i2 = y21⋅u1 + y22⋅u2 id = y21⋅ugs + y22⋅uds id = S⋅ugs + (1/rds)⋅uds
Der Sperrstrom über den pn-Übergang zwischen Gate und Kanal ist vernachlässigbar
gering (ig → 0).
Demzufolge sind Eingangsleitwert y11 und Rückwirkungsleitwert y12 annähernd 0
y12 ≈ 0
245
Der Feldeffekttransistor
id d (i D )
y 21 = S = = Die Vorwärtssteilheit S entspricht der Steigung
u gs d (u GS ) u = konst der Spannungs-Steuerkennlinie im Arbeitspunkt
u ds =0 DS
Abbildung 13-29
ui RG ugs rds uds RD uq RL
Wechselstrom-Ersatzschaltbild
des Verstärkers
S
Rein∼ Raus∼
Eingangswiderstand
Rein∼ = RG
Ausgangswiderstand
Raus∼ = RD // rds
Leerlauf-Spannungsverstärkung
u q0 − S ⋅ u gs ⋅ ( rds // R D )
VU 0 = =
ui u gs
VU 0 = −S ⋅ ( rds // R D )
Spannungsverstärkung belastet
VU = −S ⋅ ( rds // R D // R L )
Stromverstärkung
iq uq RL RG
VI = = = VU ⋅
ii ui RG RL
Leistungsverstärkung
VP = VU⋅VI
246
Der Feldeffekttransistor
13.9 CMOS-Technik
Mit Hilfe komplementärer MOS-Transistoren vom Anreicherungstyp (selbstsperrende
MOS-FET) werden digitale Schaltungen realisiert.
13.9.1 CMOS-Inverter
Der Inverter ist das Grundelement der CMOS-Verknüpfungsglieder.
US
S
G p-Kanal-FET
Abbildung 13-30
D
Der CMOS-Inverter
D UQ
UI n-Kanal-FET
G
S
Gnd
UI n-Kanal-FET p-Kanal-FET UQ
0V „low“ sperrt leitet US „high“
US „high“ leitet sperrt 0V „low“
Ist die Eingangsspannung der Inverterstufe UI = 0V bzw. UI = US, so ist einer der
komplementären FET gesperrt, der andere leitend; es besteht also keine leitende
Verbindung zwischen Gnd und US.
Liegt UI (bei US > 5V) etwa in der Mitte des Versorgungsspannungsbereiches, so sind
beide komplementären Transistoren leitend und es besteht eine sehr niederohmige
Verbindung zwischen Gnd und US.
Es ist darauf zu achten, dass solche Zwischenpegel an den Eingängen (außer kurzzeitig
beim Umschalten) nicht auftreten, da dies zur Zerstörung des Bauelements führen kann.
Aus diesem Grunde dürfen CMOS-Gatter auch nicht mit offenem Eingang betrieben
werden.
13.9.2 CMOS-NOR-Gatter E1 US
T1
E2 2x p-Kanal-FET
Abbildung 13-31
2-fach NOR-Gatter T2
Q
UI1 UI2
T3 T4 UQ 2x n-Kanal-FET
Gnd
247
Der Feldeffekttransistor
Elektrische Verhältnisse
UI1 UI2 T1 T2 T3 T4 UQ
0V 0V leitet leitet sperrt sperrt US
0V US leitet sperrt sperrt leitet 0V
US 0V sperrt (leitet) leitet sperrt 0V
US US sperrt sperrt leitet leitet 0V
Wahrheitstabelle
E1 E2 Q
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
13.9.3 CMOS-NAND-Gatter E2 US
T2 T1 2x p-Kanal-FET
UI2 Q
Abbildung 13-32
E1 T3
2-fach NAND-Gatter
UQ 2x n-Kanal-FET
UI1 T4
UI1 UI2 T1 T2 T3 T4 UQ
0V 0V leitet leitet sperrt sperrt US
0V US leitet sperrt sperrt leitet US
US 0V sperrt leitet (leitet) sperrt US
US US sperrt sperrt leitet leitet 0V
Wahrheitstabelle
E1 E2 Q
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
248
Der Feldeffekttransistor
13.9.4 CMOS-Übertragungsgatter
Das CMOS-Übertragungsgatter ermöglicht eine bidirektionale Übertragung analoger oder
binärer Signale. Das Gatter kann gesperrt oder freigegeben werden. Im leitenden Zustand
beträgt der Durchgangswiderstand rDSon ≈ 50 . . . 500 Ω. Im gesperrten Zustand kann mit
einem Widerstand von 109 . . . . 1012 Ω gerechnet werden.
In digitalen Systemen kann mit dem Übertragungsgatter ein Tri-State-Verhalten realisiert
werden (High, Low, hochohmig).
E A
T2
249
Der Feldeffekttransistor
UB RL UB = 15 V
RS = 222 Ω
FET: BF 245
(a) Zeichne die Arbeitsgerade der Schaltung für RL = 0 ins Ausgangskennlinienfeld des
FET
(b) Zeichne die Arbeitssteuerkennlinie für RL = 0
(c) Ermittle den Strom ID und UDS für RL = 0
(d) Bis zu welchem Lastwiderstand RLmax liegt Konstantstrom vor ?
(e) Zeichne die Arbeitssteuerkennlinie der Schaltung für RL = 7278 Ω
(f) Ermittle den Strom ID und UDS für RL = 7278 Ω
ID /mA
4 UGS = 0
BF 245 A
- 0,25 V
3
- 0,5 V
2
- 0,75 V
1 - 1,0 V
-1,5 V
0
-3 UGS /V -2 -1 0 5 10 UDS /V 15
250
Der Feldeffekttransistor
UN US US US
US = 20 V
R1 RL R1 RL RL UN = -10 V
A 2N4858 B 2N4858 C 2N4858 R1 = 11 kΩ
R2 R2 RS RS R2 = 1,5 kΩ
RL ≤ 3 kΩ
-3 -2 -1 0 1 2 UGS/V
251
Der Feldeffekttransistor
RS C FET: 2N4858
ug ui R2 S RL
ωgu << ω << ωgo
Gnd
(a) Ermittle grafisch die Größe von ID und UDS (Werte angeben) im Arbeitspunkt unter
Verwendung der Gleichstrom-Arbeits-Spannungssteuerkennlinie.
(b) Zeichne das Wechselstromersatzschaltbild des Verstärkers
(c) Ermittle die Vierpolparameter des FET und berechne die Verstärkung des Verstärkers
im Leerlauf und mit RL = 2 kΩ
0 -0,7 -0,75 UGS /V
6
ID -0,8
mA 2N4858
5 -0,85
-0,9
4
-0,95
-1,0
3
-1,05
-1,1
2
-1,15
-1,2
1 -1,25
-1,3
-1,4
0
-3 -2 -1 0 0 5 10 15 UDS/V 20
UGS/V
252
Der Feldeffekttransistor
In dem Stromlaufplan sind die Potentiale an den Kollektoren der Transistoren eingetragen
(Gleichspannung ohne Wechselaussteuerung; arithmetischer Mittelwert bei Aussteuerung)
253
Der Feldeffekttransistor
5 -0,95
-1,0
4
-1,05
-1,1
3
-1,15
-1,2
2
-1,25
-1,3
1 -1,35
-1,4
-1,5
0
-3 -2 -1 0 0 5 10 15 UDS/V 20
UGS/V
(b) Ermittle aus den Kennlinien des FET die Vierpolparameter gfs (= S) und rds für den
Arbeitspunkt ID = 3mA, UDS = 8V
254
Der Feldeffekttransistor
US = 10 V
E2
T4
E1
T3
Q
T2 T1
Gnd
255
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
Im folgenden soll der interne Aufbau des weit verbreiteten Universalverstärkers 741
schrittweise hergeleitet und erklärt werden. Grundelemente dieses Verstärkers kommen
auch in vielen anderen Operationsverstärkern vor.
256
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
14.2.1 Eingangsstufe
RE
Es gilt: -US
u Ip + u In
Eingangs-Gleichtaktspannung u IC =
2
Eingangs-Differenzspannung u ID = u Ip − u In
Arbeitspunkte:
u RE
Die beiden Transistoren werden von dem Strom − i E ges = i R E = durchflossen.
RE
u IC − u BE + U S
Für uID << uBE beträgt er i R E ≈ . Er teilt sich auf die beiden
RE
Transistoren auf.
Für identische Transistordaten und uID = 0 sind die Ströme iE1 und iE2 bzw. iC1 und iC2
durch die beiden Transistoren gleich groß; an beiden Kollektorwiderständen fällt die
Ruhespannung uQ0 ab.
u Q0 = u R C1 = u R C 2 (für RC1 = RC2)
Verstärker-Betrieb:
Die Verstärkerstufe verstärkt die zwischen den Basisanschlüssen der Transistoren liegende
Differenzspannung uID und überlagert der Ruhespannung uQ0 an den Kollektorwiderstän-
den eine von uID abhängige Ausgangsspannung.
(25)
Die Offsetspannung ist jene Eingangsspannung, bei der der Verstärker 0V am Ausgang abgibt. Der
Offsetstrom ist die Differenz der Eingangsströme
257
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
-US
Der Arbeitspunkt (Kollektorstrom) der Eingangstransistoren wird unabhängig von der
Eingangs-Gleichtaktspannung u Q0 = U Q0 ≠ f (u IC )
Ikonst
T3 T4
-US
258
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
T5 T6 uQu
Abbildung 14-7
Eingangsdifferenzstufe mit
großer Spannungsverstärkung
T1 T2
uID Rk
T4 T3
-US
Um eine hohe Spannungsverstärkung und einen hohen Eingangswiderstand der
Eingangsstufe zu erreichen, müssen die Eingangstransistoren eine hohe Stromverstärkung
besitzen. Dies erfordert eine hohe Emitterdotierung. Eine hohe Emitterdotierung zieht
jedoch eine niedrige Durchbruchspannung der Basis-Emitter-Strecke der
Eingangstransistoren nach sich. Aus diesem Grunde sind an der Eingangsstufe nach
Abbildung 14-7 nur niedrige Eingangsdifferenz-Spannungen zulässig (uIDmax < 7 . . . 8V).
Da die Eingangstransistoren T1 und T2 in Emitterschaltung betrieben werden, bewirken die
Kollektor-Basis-Kapazitäten (Millerkapazitäten) schon bei relativ geringen Frequenzen
eine starke Gegenkopplung. Die Eingangsstufe hat daher eine niedrige obere
Grenzfrequenz. Dieser Nachteil entfällt bei der im nächsten Abschnitt vorgestellten
Umstrukturierung der Gesamtschaltung.
259
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
uID
T1 T2 Rk
Abbildung 14-9
Offsetspannungs-Kompensation T7 T8
durch Verstellung der
Ruheströme durch die
Eingangstransistoren
T5 T6 T3 T4 u Qu
RE5 RE6
-US
260
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
14.2.2 Koppelstufe
Die Koppelstufe hat folgende Aufgaben:
- Anpassung des Ausgangs der Eingangsstufe an den Eingang der Endstufe (z.B.
Differenzausgang einer Eingangsstufe an unsymmetrischen Eingang der Endstufe
anpassen)
- hohe Eigenverstärkung
Die in Abschnitt 14.2.1.5 beschriebene Eingangsstufe besitzt einen unsymmetrischen
Ausgang. Aus diesem Grunde kann eine sehr einfache Koppelstufe folgen.
US
Abbildung 14-10
Einfache Koppelstufe Ik
mit hoher Verstärkung uout
T9
uQu
-US
Das Ausgangssignal u Q u der Eingangsstufe wird der Basis des Transistors T9
(in Emitterschaltung) zugeführt. T9 wird aus einem Stromspiegel mit konstantem
Kollektorstrom versorgt; dadurch ergibt sich eine hohe Spannungsverstärkung der
Koppelstufe.
14.2.3 Ausgangsstufe
Aufgaben der Ausgangsstufe sind:
- hohe Ausgangsleistung bereitstellen
- niedriger Innenwiderstand (Ausgangswiderstand)
- niedrige interne Verlustleistung
- Kurzschlussfestigkeit
14.2.3.1 Gegentakt-Ausgangsstufe (Prinzipschaltung)
Abbildung 14-11 zeigt eine Gegentakt-Ausgangsstufe aus den komplementären
Transistoren T10 und T11 (beide in Kollektorschaltung), die unmittelbar an den Ausgang
der Koppelstufe angeschlossen sind. US
Abbildung 14-11 Ik
Koppelstufe und einfache T10
Gegentakt-Ausgangsstufe
T11 uQ RL
T9
u Qu
-US
Steigt das Eingangssignal uQu, so wird T9 stärker leitend und zieht das gemeinsame
Potenzial an der Basis der komplementären Transistoren T10 und T11 ins Negative. Am
Ausgang wird die Spannung uQ negativ. Wird die Spannung uQu kleiner, so wird T9
hochohmiger und die Spannung an der Basis der Transistoren T10 und T11 steigt ins
Positive. Am Ausgang erscheint eine positive Spannung uQ.
261
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
Ik
T10
Abbildung 14-12
Einstellung der Basis-Vorspannung RE10
durch Konstantstrom und Widerstand
ca. 1,2 V RB
RE11
T11
T9
u Qu
-US
In Abbildung 14-12 wird der von dem konstanten Strom Ik an dem Widerstand RB
erzeugte Spannungsabfall zur Einstellung der Arbeitspunkte von T10 und T11
herangezogen.
US
Ik
Abbildung 14-13 T10
Querstromstabilisierung RE10
RB1
mit UBE-Vervielfacher
T12
RB2 RE11
T11
T9
u Qu
-US
Abbildung 14-13 zeigt eine verbesserte Stabilisierung durch Verwendung des sog.
UBE-Vervielfachers (T12, RB1 und RB2).
262
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
Bei nicht zu hochohmiger Dimensionierung der Widerstände RB1 und RB2 stellt sich an T12
die Spannung UCE ≈ UBE ⋅ (RB1 + RB2)/RB2 ein. Mit dieser Schaltung wird (bei guter
thermischer Kopplung der Transistoren T10 und T11 mit T12) die Temperaturabhängigkeit
der Ausgangsstufe minimiert.
14.2.3.3 Kurzschlussfestigkeit des Ausganges
In der Regel ist der Ausgang eines Operationsverstärkers kurzschlussfest. Die
Kurzschlussfestigkeit wird dabei durch Strombegrenzung erreicht.
Für positive und negative Ausgangsströme müssen hierbei getrennte Schutzmaßnahmen
vorgesehen werden.
Begrenzung für positive Ausgangsströme
Zur Strombegrenzung wird der vom Ausgangsstrom am Emitterwiderstand RE10
verursachte Spannungsabfall als Steuerspannung dem Transistor T13 zugeführt. Erreicht
der Ausgangsstrom eine voreingestellte Grenze, so wird T13 leitend und begrenzt den
Basisstrom von Transistor T10. US
Ik IB10
Abbildung 14-14 T10
Begrenzung des positiven
Ausgangsstromes T13
RE10
IQ
Begrenzung für negative Ausgangsströme
Operationsverstärker beinhalten hauptsächlich npn-Transistoren und sind daher in
n-leitendes Halbleitermaterial integriert. Die zusätzlich erforderlichen pnp-Transistoren (T7
und T8 in der Eingangsstufe und T11 in der Ausgangsstufe) werden als Lateraltransistoren
(horizontale statt vertikale Schichtenfolge) hergestellt und besitzen nur eine geringe Strom-
verstärkung. Demzufolge fließt ein großer Teil des negativen Ausgangsstromes nicht über
den Kollektorstrom des pnp-Transistor T11, sondern über den ansteuernden Transistor T9.
Aus diesem Grunde greift der Transistor T14 IQ
zur Begrenzung negativer Ausgangsströme
nicht am Lateraltransistor T11, sondern an RE11
der Basis des Transistors T9 ein.
T11
Abbildung 14-15 T9
Begrenzung negativer Ausgangsströme
T14
u Qu
RE9
-US
Hier fließen die Funktionen von Koppelstufe und Ausgangsstufe ineinander.
Um den Eingangsstrom der Koppelstufe/Ausgangsstufe klein zu halten, wird anstelle des
einfachen Transistors T9 eine Darlingtonschaltung eingesetzt (T9 und T15 in Abbildung
14-16).
263
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
10µA
16µA 10µA 28µA
264
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
UQ
VU 0 = (z.B. VU0 = 105 . . . 106)
U ID
UQ
UQM+
Abbildung 14-18
Statische Übertragungskennlinie
des Operationsverstärkers
UID/mV
- 0,1 0,1
UQM-
UQ U Ip + U In
VC = (mit U IC = )
U IC 2
bzw. eine hohe Gleichtakt-Unterdrückung (Idealer Verstärker CMRR → ∞)
V
CMRR = 20 ⋅ log Udiff (z.B. 80 . . 120 dB)
VC
265
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
* sehr kleine Eingangsströme (z.B. 10-12 . . . 10-6 A). (Idealer Verstärker: IIB = 0)
Dem entsprechen ein sehr hoher Eingangswiderstand ZID zwischen den
Eingangsklemmen Ep und En sowie sehr hohe Eingangswiderstände ZIp und ZIn
zwischen den Eingängen und Masse (z.B. ZID = 105 . . . 107 . . . 1012 Ω, ZIp ≈ ZIn =
107 . . . 109 . . . 1014 Ω).
* niedriger Ausgangswiderstand (z.B. ZQ = 20 . . 200 Ω) (Idealer Verstärker: ZQ = 0)
* großer Frequenzbereich (z.B. 0 . . 1 MHz . . 100 MHz) (Idealer Verstärker 0 . . ∞)
-40
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
0°
-90°
-180°
ϕU0
Abbildung 14-19 zeigt Verstärkungs- und Phasengang eines frequenzgang-kompensier-
ten Operationsverstärkers. Hier fällt die Verstärkung oberhalb der Grenzfrequenz f0 mit
-20dB/Dekade ab, bis sie bei der sog. Transitfrequenz fT den Wert 1 (= 0 dB) erreicht.
Im Bereich des -20dB-Abfalls ist das maximal erreichbare Produkt aus Verstärkung und
Bandbreite (Verstärkungs-Bandbreiteprodukt) immer gleich fT.
* eine mehr oder weniger große maximale Änderungsgeschwindigkeit der
Ausgangsspannung (slew rate)
Der in Abbildung 14-19 beispielhaft gezeigte Frequenzgang für Kleinsignalaussteuerung
gilt, solange eine bestimmte maximale Änderungsgeschwindigkeit S = (dU/dt)max des
Ausgangssignals (slew rate) nicht überschritten wird. Die durch interne Kapazitäten
bestimmte slew rate beträgt z.B. S = 1V/µs (bei schnellen Verstärkern bis einige
kV/µs). Die durch die slew rate begrenzte Großsignalbandbreite (z.B. 10 ...100 kHz) ist
immer wesentlich kleiner als die für Kleinsignalaussteuerung gültige Transitfrequenz.
* große Temperaturstabilität
266
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
Die folgende Tabelle zeigt wichtige Daten von Operationsverstärkern, wie sie in Datenblättern
ausgewiesen werden. Beispielhaft sind typische Daten des Universalverstärkers µA741, des
Verstärkers LF411 (Motorola) sowie eines sehr schnellen Verstärkers OPA655 (Burr Brown)
angegeben.
Tabelle 14-1 Daten verschiedener Operationsverstärker
Bezeichnung Bezeichnung Formel- Typische Werte
deutsch englisch zeichen
µA741 LF411 OPA655
Leerlaufverstärkung bzw. open loop voltage VU0 200 000 80 000 1000
Gleichspannungsverstärkung gain
Transitfrequenz unity gain fT 1 MHz 8 MHz 400 MHz
frequency
Anstiegsgeschwindigkeit slew rate dUa/dt 0,5 V/µs 25 V/µs 300 V/µs
Eingangswiderstand input resistance Rin 2 MΩ 1015 Ω 1012 Ω
Eingangs-Offsetspannung input offset UI0 1 mV 0,5 mV 1 mV
voltage
Temperaturkoeffizient der T.C. of input 3 µV/°C 10 µV/°C 10 µV/°C
Offsetspannung offset voltage
Offsetspannungs-Drift offset voltage drift 60 µV/h
Eingangs-Ruhestrom input bias current IIB 80 nA 60 pA 90 pA
Eingangs-Offsetstrom input offset II0 20 nA 20 pA 30 pA
current
Temperaturkoeffizient des T.C. of input 375 pA/°C 3 pA/°C
Eingangs-Offsetstromes offset current
Versorgungsspannung supply voltage VCC;VEE ± 15 V ± 15 V ±5V
Betriebsspannungs- supply voltage PSRR 30 µV/V 70 dB
unterdrückung rejection ratio
Eingangsspannungsbereich input voltage VIN ± 13 V ± 15 V ±3V
range
Gleichtaktunterdrückung common mode CMRR 90 dB 90 dB 70 dB
rejection ratio
Ausgangsspannungshub output voltage Vout ± 14 V +13,9 V ±3V
-14,7 V
Ausgangs-Kurzschlussstrom output short- ISC 25 mA 75 mA
circuit current
Ausgangswiderstand open loop output Rout 75 Ω 15 Ω
impedance
Arbeitstemperatur operating ambient TA -55 to 125 0 to 70 °C -40 to 85 °C
temperature range °C
Wärmewiderstand thermal resistance Rth 100 °C/W 120 °C/W
267
Aufbau und Funktionsweise eines Operationsverstärkers
268
Operationsverstärker-Grundschaltungen
15 Operationsverstärker - Grundschaltungen
15.1 Anwendungsbeispiele ohne Rückkopplung oder mit Mitkopplung
Bei Schaltungen ohne Rückkopplung oder mit Mitkopplung treten am Ausgang des
Operationsverstärkers wegen seiner hohen Leerlaufverstärkung praktisch nur die zwei der
vollen Aussteuerung entsprechenden Spannungen UQM+ ≈ +US und UQM- ≈ -US auf.
15.1.1 Komparator
Der Komparator ist ein Operationsverstärker ohne Rückkopplung. Er kann invertierend
oder nicht invertierend beschaltet werden.
Abbildung 15-1 Der Komparator (invertierend)
(a) Schaltung (b) Übertragungsverhalten
uQ
UQM+
uI
uQ URef
URef 0 uI
UQM-
Mit dem Komparator lässt sich feststellen, ob eine Spannung u1 größer oder kleiner
(positiver oder negativer) als eine Referenzspannung URef ist (URef kann auch 0 sein).
Für uI < URef (d.h. uID > 0) gibt der Komparator eine Spannung von uQ = UQM+ ≈ +US
ab, für uI > URef (d.h. uID < 0) ist die Ausgangsspannung uQ = UQM- ≈ - US.
Liegt uI in dem kleinen Intervall URef ± ε (mit ε = UQM /VU0), so treten Zwischenwerte
der Ausgangsspannung auf. uQ
UQM+
Abbildung 15-2
Übertragungsverhalten des URef
Komparators für uI ≈ URef 0 uI
UQM-
ε ε
Ist dieses Verhalten unerwünscht, so setzt man einen Schmitt-Trigger (siehe Abschnitt
15.1.2) anstelle des einfachen Komparators ein.
Spezielle, als Komparatoren ausgelegte Operationsverstärker besitzen eine hohe Slew Rate,
wodurch sehr schnelle Umschaltzeiten des Ausgangssignals (z.B. im ns-Bereich) erreicht
werden.
Um den Komparatoreingang vor zu hohen Differenzspannungen zu schützen, können zwei
anti-parallele Dioden zwischen die Verstärkereingangsklemmen geschaltet werden.
Abbildung 15-3 uI
Schutzbeschaltung uQ
des Komparatoreinganges URef
269
Operationsverstärker-Grundschaltungen
15.1.2 Schmitt-Trigger
Der Schmitt-Trigger ist ein Schwellwertschalter mit Hysterese. Er kann sowohl
invertierend als auch nicht-invertierend beschaltet werden.
Wie beim Komparator schaltet der Verstärkerausgang zwischen UQM+ und UQM- um,
wenn das Potenzial uIn am invertierenden Eingang die am nicht-invertierenden Eingang
eingestellte Schaltschwelle uIp durchläuft, d.h. wenn die Polarität von uID sich ändert.
Durch eine teilweise Rückkopplung des Ausgangssignals auf den nicht-invertierenden
Eingang (= Mitkopplung) ergibt sich in jedem Falle ein sprunghaftes Umschalten der
Ausgangsspannung; Werte der Ausgangsspannung zwischen UQM+ und UQM- sind nicht
möglich. uIn
uID
uI
Abbildung 15-4 uIp
Schmitt-Trigger (invertierend) uQ
R1 R2
Uref
Durch die Mitkopplung ergeben sich unterschiedliche Schaltschwellen für steigendes bzw.
fallendes Eingangs- bzw. Ausgangssignal (= Hysterese).
2 ⋅ R1
∆U Hyst = U S1 − U S2 = U QM ⋅
R1 + R 2
270
Operationsverstärker-Grundschaltungen
uQ
∆Uhyst
Die Abbildung 15-6 zeigt Signalverläufe am Schmitt-Trigger bei langsam sich änderndem
Eingangssignal ui. u Q
UQM-
uI uIp
US1
U´ref ∆Uhyst
US2 t
uID
Die Abbildung zeigt, dass der Nulldurchgang der Eingangsdifferenzspannung uID durch
die Mitkopplung sprunghaft erfolgt. Damit tritt auch bei langsam sich ändernden
Eingangssignalen ein sprunghaftes Schalten des Ausgangs auf.
271
Operationsverstärker-Grundschaltungen
80
VUF =100
60
40 VUF =10
20 fT
0
-20
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
272
Operationsverstärker-Grundschaltungen
Der Operationsverstärker stellt seine Ausgangsspannung UQ so ein, dass der aus UI über
R1 zum Verstärkereingang fließende Strom I1 über den Rückkopplungswiderstand
abgeleitet wird (IF) und sich am Differenzeingang des Operationsverstärkers eine der
Ausgangsspannung entsprechende Differenzspannung UID = UQ/VU0 einstellt. Bei
hinreichend großer Leerlaufverstärkung des Operationsverstärkers wird diese
Differenzspannung UID ≈ 0.
Ist der nicht-invertierende Eingang mit Masse verbunden, so liegt auch der invertierende
Eingang auf Massepotenzial. Man spricht von einem „virtuellen Nullpunkt“ bzw. von einer
„virtuellen Masse“.
Berechnung der Ausgangsspannung:
Knotengleichung
I1 - IF - IIn = 0 Mit IIn ≈ 0 wird daraus I1 ≈ IF (1)
Maschengleichungen
UI + UID − I1⋅R1 = 0 Mit UID ≈ 0 wird daraus I1 ≈ UI / R1 (2)
UQ + UID + IF⋅RF = 0 Mit UID ≈ 0 wird daraus IF ≈ − UQ / RF (3)
Durch Einsetzen der Gleichungen (2) und (3) in Gleichung (1) ergibt sich
RF
U Q ≈ −U I ⋅
R1
273
Operationsverstärker-Grundschaltungen
UID
Abbildung 15-9
Der nicht-invertierende Verstärker I1
UQ
UI
R1
RF
U Q ≈ U I ⋅ (1 + )
R1
UQ RF
VUF = ≈ 1+
UI R1
Der nicht invertierende Verstärker (Ep als Eingang verwendet) besitzt einen sehr hohen
Eingangswiderstand Rein = ZIp .
Sonderfall
R1 → ∞ und / oder RF = 0
0
VUF ≈ 1 + =1 Die Verstärkung ist gleich 1
∞
Abbildung 15-10
Spannungsfolger,
Impedanzwandler
UQ
UI
Für eine Verstärkung VUF < 1 muss die Eingangsspannung vor dem Verstärker (z.B. mit
einem Spannungsteiler) heruntergeteilt werden.
274
Operationsverstärker-Grundschaltungen
RF
VUF ≈ −
RI
275
Operationsverstärker-Grundschaltungen
R3
UIn
R1
U1 UID
Sonderfall (= Normalfall)
Normalerweise wählt man R1 = R2 = RI und R3 = R4 = RF
Dann gilt:
RF
U Q ≈ ( U 2 − U1 ) ⋅
RI
RF
U1 RI
Abbildung 15-13
Differenzverstärker U2 RI UQ
RF
276
Operationsverstärker-Grundschaltungen
15.2.5 Integration
uC
iC C
uR
iR iIn
Abbildung 15-14
Integrator R uID
uI
uQ
1
R ⋅C E
uQ ≈ − ⋅ u I ⋅ dt
Abbildung 15-15 t
Integration einer
konstanten Gleichspannung
uQ
UQ0
t
0
277
Operationsverstärker-Grundschaltungen
ûQ 1
VUF = ≈ = f (ω)
ûI ωC ⋅ R
15.2.6 Differentiation uR
uC iF R
iC iIn
Abbildung 15-16
Differentiation C uID
uI
uQ
d(u I )
u Q ≈ −R ⋅ C ⋅
dt
uQ = − ω⋅C⋅R ⋅ ûI ⋅ cos(ωt)
ûQ
VUF = ≈ ω ⋅ C ⋅ R = f (ω)
ûI
278
Operationsverstärker-Grundschaltungen
Z
U Q ≈ −U I ⋅ F
Z1
1 RF
Mit ZF = = und Z1 = R1
1 1 + jω ⋅ C F ⋅ R F
+ j⋅ ω ⋅ CF
RF
RF 1
wird daraus U Q ≈ −U I ⋅ ⋅
R1 1 + j ⋅ ω ⋅ C F ⋅ R F
1 ω
Führt man die Grenzfrequenz ω g = und die normierte Frequenz Ω=
R F ⋅ CF ωg
RF 1 R 1 − jΩ
ein, so ergibt sich U Q ≈ −U I ⋅ ⋅ = −U I ⋅ F ⋅
R 1 1 + jΩ R1 1 + Ω 2
UQ RF 1
Mit den Verstärkungen VUF (ω) = ≈ ⋅
UI R1 1 + Ω2
RF
und VUF (0) ≈ (Verstärkung für Gleichspannung)
R1
ergibt sich für die auf Gleichspannung bezogene relative Verstärkung
VUF (ω) 1
=
VUF (0) 1 + Ω2
279
Operationsverstärker-Grundschaltungen
VU (ω)
VU (0) -3dB
0
10
-20dB/Dekade
Abbildung 15-18 10-1
Amplitudengang des Tiefpasses
10-2
10-3
10-4
10-2 10-1 100 101 102 103 104 Ω
Im(U Q )
b) Phasengang ϕ = arctan ϕ = arctan(−Ω)
Re( U Q )
ϕ
Abbildung 15-19 0°
Phasengang des Tiefpasses
-45°
-90°
10-2 10-1 100 101 102 103 104 Ω
Berechnung im Zeitbereich:
uI uQ du Q
i1 + iF + iC ≈ 0 + + CF ⋅ ≈0
R1 R F dt
du Q 1 uI
Differenzialgleichung: + ⋅ uQ ≈ −
dt R F ⋅ CF R1 ⋅ C F
t
−
R
Lösung der Diff.Gl.: u Q ( t ) ≈ − U I ⋅ F ⋅ (1 − e τ F ) mit τF = CF ⋅ RF
R1
uI
Abbildung 15-20 t
Spannungssprung am Tiefpass
uQ
t
280
Operationsverstärker-Grundschaltungen
15.2.8 Hochpass
RF
R1 C1
Abbildung 15-21
Hochpass UI
UQ
RF 1
ergibt sich U Q ≈ −U I ⋅ ⋅
R 1 1 − j ⋅ (1 Ω)
VUF (ω) 1
Die auf VUF(ω → ∞) bezogene Verstärkung ist =
VUF (∞) 1 + (1 Ω) 2
VU(ω)
VU (∞)
-3dB
100
Abbildung 15-22
10-1
Amplitudengang des Hochpasses
10-2
20dB/Dekade
10-3
10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 Ω
ϕ
b) Phasengang
ϕ = arctan(ωg ω) = arctan(1 Ω) 90°
45°
Abbildung 15-23
Phasengang des Hochpasses
0°
10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 Ω
281
Operationsverstärker-Grundschaltungen
CF
15.2.9 Bandpass
RF
Abbildung 15-24 R1 C1
Bandpass UI UQ
Z Z ⋅ e j⋅ϕz j⋅ϕ
U Q ≈ −U I ⋅ F UI = UI (reell) U Q ≈ −U I ⋅ F = UQ ⋅ e Q
Z1 Z1 ⋅ e j⋅ϕ1
1 1 ω 1
Z1 = R 1 + = R 1 ⋅ (1 − j ⋅ ) = R 1 ⋅ (1 − j ⋅ u ) mit ω u =
j ⋅ ω ⋅ C1 ω ⋅ C1 ⋅ R 1 ω R 1 ⋅ C1
1 RF RF 1
ZF = = = mit ωo =
(1 R F ) + j ⋅ ω ⋅ C F 1 + j ⋅ ω ⋅ C F ⋅ R F ω R F ⋅ CF
1+ j⋅
ωo
RF F ω 2 ω F
Damit errechnet sich UQ ≈ UI ⋅ ⋅ 1 [1 + ( ) ] ⋅ [1 + ( u ) 2 ]
R1 F ωo ω F
ω ω
und ϕ Q = arctan( u ) − arctan( )
ω ωo
a) Amplitudengang
UQ RF F ω 2 ω F RF
Es gilt VUF (ω) = ≈ ⋅ 1 [1 + ( ) ] ⋅ [1 + ( u ) 2 ] und VUFmax ≈
UI R1 F ωo ω F R1
VU (ω)
VUmax
-3dB -3dB
0
10
Hochpass Tiefpass
Abbildung 15-25
10-1
Amplitudengang
des Bandpasses 10-2
(ωu << ωo) ω
10-3
ωu ωu ωu ωo 10 ω o 3
10 ω o
ωu 10 ω u
ωo 2
1000 100 10 10 10 ω o
b) Phasengang ϕ
90°
45° Hochpass
Abbildung 15-26 ωo 10 ω o 3
10 ω o
ωo 2
10 10 ω o
Phasengang 0° ω
des Bandpasses ωu ωu
ωu 10 ω u
100 10
-45° Tiefpass
-90°
282
Operationsverstärker-Grundschaltungen
RF 1
Komplexe Verstärkung: V UF ≈ − +j
R1 ω ⋅ C F ⋅ R1
∆U1 ∆U2
t
Abbildung 15-28
Konstantspannungspuls uQ
t
am PI-Regler ∆U1 ∆U2
∆U2 ∆U1
283
Operationsverstärker-Grundschaltungen
15.3 Fehler-Rechnung
Bei den bisherigen Berechnungen gegengekoppelter Operationsverstärker wurde verein-
fachend angenommen, dass die Eingangsströme IIp und IIn sowie die Eingangsdifferenz-
spannung UID am Operationsverstärker gleich 0 sind.
In der Realität fließen jedoch geringe Eingangsströme und es tritt eine Eingangsdifferenz-
spannung UID ≠ 0 auf.
Diese Eingangsströme und die Eingangsdifferenzspannung führen zu Fehlern in der Aus-
gangsspannung. Diese Fehler sowie Möglichkeiten für ihre Kompensation sollen im
folgenden betrachtet werden.
15.3.1 Fehler durch Eingangs-Offset-Spannung
Wegen Unsymmetrien in der Eingangsschaltung des Operationsverstärkers tritt die Aus-
gangsspannung UQ = 0 nicht exakt für UID = 0 auf. Man nennt die Spannung UID, bei der
sich die Ausgangsspannung UQ = 0 einstellt, die Eingangs-Offsetspannung UI0. Die
Eingangs-Offsetspannung kann einige mV betragen.
Berechnung des Fehlers durch die Eingangs-Offsetspannung:
IF
RF
Abbildung 15-29 I1
Invertierender Verstärker
mit Eingangs-Offsetspannung R1 UI0
UI
UQ
Knotengleichung
I1 + IF = 0 I1 = - IF
Maschengleichungen
U I + U I0
UI + UI0 - I1⋅R1 = 0 I1 =
R1
UQ + UI0 - IF⋅RF = 0
Daraus ergibt sich
RF R
U Q = −U I ⋅ − U I0 ⋅ (1 + F )
R1 R1
RF
U QF = − U I0 ⋅ (1 + ) Fehleranteil der Ausgangsspannung
R1
RF
z.B. UI0 = +2mV = 100
R1
RF
U Q F = − U I0 ⋅ (1 + ) = −2mV ⋅ (1 + 100) = −202mV
R1
Bei hohen Genauigkeitsanforderungen kann der Eingangs-Offsetspannungs-Fehler mittels
Widerstandsbeschaltung (z.B. Potentiometer) an dafür vorgesehenen Anschlüssen des
Operationsverstärkers kompensiert werden.
284
Operationsverstärker-Grundschaltungen
RF
IIn
Abbildung 15-31 R1
IIp
Kompensation des
Eingangsstrom-Fehlers UQ
UI
UIp
R+
285
Operationsverstärker-Grundschaltungen
R1 ⋅ R F
R+ =
R1 + R F
Die erforderliche Größe von R+ entspricht der Parallelschaltung von Eingangs- und
Rückkopplungswiderstand.
RF
U Q = −U I ⋅ − I In ⋅ R F + U komp
R1
RF R
U Q = −U I ⋅ − I In ⋅ R F + I Ip ⋅ R + ⋅ (1 + F )
R1 R1
RF R
U Q = −U I ⋅ + (I Ip − I In ) ⋅ R F = − U I ⋅ F + I I0 ⋅ R F
R1 R1
286
Operationsverstärker-Grundschaltungen
-40
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
0°
-90°
-180°
fkrit
-270°
ϕU0
* Zusammen mit der Phasendrehung von -180° bei Rückkopplung des Ausgangssignals
auf den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers kann daher eine
Phasendrehung von -360° und mehr zwischen Eingangs- und rückgekoppeltem
Ausgangssignal entstehen. Aus der vorgesehenen Gegenkopplung wird dann bei hohen
Frequenzen eine Mitkopplung.
287
Operationsverstärker-Grundschaltungen
ZF ZF
uI = 0
uQ uQ
Z1 uID uS Z1
Der Rückkopplungsfaktor K entspricht dem Kehrwert der Verstärkung VUF der Schaltung:
1 Z1 + Z F ZF
VUF = = = 1+
K Z1 Z1
288
Operationsverstärker-Grundschaltungen
-270°
-360°
Phasen-Reserve fkrit
-450° bei VUF = 1000
ϕS
Es ist erkennbar, dass die Schaltung für Verstärkungen von ca. VUF < 102 bei hohen
Frequenzen eine Schleifenverstärkung VS ≥ 1 bei einer Phasendrehung ϕS ≥ -360°
aufweist und daher selbsterregt schwingen wird. Erst für Verstärkungen von mehr als
VUF ≈ 103 wird die für einen stabilen Betrieb erforderliche Phasenreserve von mindestens
45° erreicht. Unter der Phasenreserve α = 360° - ϕSB versteht man den Abstand von ϕS
von der kritischen Phasendrehung von -360° bei VS = 1.
15.4.3 Frequenzgangkorrektur
289
Operationsverstärker-Grundschaltungen
Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker
Bei vielen Operationsverstärkern wird die Korrektur des Frequenzganges durch eine bei der
Herstellung intern eingebaute Kapazität erreicht. Meist liegt diese Kapazität zwischen
Ausgang der Eingangsstufe und Eingang der Ausgangsstufe des Verstärkers. Dadurch wird
eine kapazitive Gegenkopplung an der dazwischen liegenden Verstärkerstufe/Koppelstufe
bewirkt („Miller-Effekt-Schaltung“). Hierbei werden die beiden unteren Pole
(Grenzfrequenzen) des Operationsverstärkers verschoben, ohne dass ein neuer Pol entsteht.
Der niederfrequente Pol wird zu niedrigen, der höherfrequente zweite Pol zu höheren
Frequenzen verschoben. Meist wird dabei die niedrigste Grenzfrequenz (f0) des Verstärkers
(der dominante Pol der Übertragungsfunktion) auf einen so niedrigen Wert abgesenkt, dass
die Leerlaufverstärkung bis zur nächsten wirksamen Grenzfrequenz (oder auch schon
darunter) auf VU0 ≤ 1 abgesunken ist (Dominant-Pol-Kompensation). Die Phasenreserve
bei der Transitfrequenz beträgt dann mindestens 45°. Der Phasenbeitrag dieser
Korrekturmaßnahme ist nacheilend (negativer Winkel). Man bezeichnet dies daher als
Korrektur mit nacheilender Phase (sog. Lag-Kompensation).
Intern frequenzkorrigierte Operationsverstärker neigen nicht zum selbsterregten
Schwingen, sind jedoch relativ langsam bzw. besitzen nur eine begrenzte Bandbreite
(Verstärkungs-Bandbreite-Produkt meist ca. 1 MHz, z.B. beim µA741).
Bei manchen Operationsverstärkertypen (z.B. µA748 und LM101A) ist keine interne
Korrekturkapazität eingebaut, statt dessen sind die entsprechenden Anschlusspunkte nach
außen geführt, so dass eine an die jeweilige Anwendung angepasste Kapazität für die
Festlegung des dominanten Pols extern angeschlossen werden kann. Hierbei lässt sich eine
zum Teil wesentlich größere Bandbreite erreichen.
VU0 dB f0 (f1)
Frequenzgang
100 nicht korrigiert
80 C0 = 3 pF f2
60
Abbildung 15-35 C0 = 30 pF
40 f3
Korrektur des
Frequenzgangs des 20 VUF = 20 dB
Operationsverstärkers 0 VUF = 0
mit nacheilender Phase dB
-20
(Lag-Kompensation)
-40
1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
0°
C0 = 3 pF
Frequenzgang
-90° C0 = 30 pF nicht korrigiert
-180°
Phasen-Reserve
-270°
ϕU0
Abbildung 15-35 zeigt die Wirkung der Dominant-Pol-Korrektur für zwei unterschiedliche
Korrekturkapazitäten. Mit einer Korrekturkapazität von C0 = 30 pF ergibt sich ein stabiler
Betrieb für jede beliebige Betriebsverstärkung (30 pF entspricht der Größe der beim µA741
290
Operationsverstärker-Grundschaltungen
intern eingebauten Kapazität). Selbst bei der Verstärkung VUF = 1 beträgt die
Phasenreserve noch mehr als 45°.
Wird eine Korrekturkapazität von nur C0 = 3 pF vorgesehen (z.B. beim µA748 oder
LM101A extern anschließbar), dann liegt die obere Grenzfrequenz der Leerlaufverstärkung
um den Faktor 10 höher und es ergibt sich bei allen Verstärkungen eine um den Faktor 10
höhere Bandbreite. Allerdings sind jetzt Betriebsverstärkungen von ca. VUF < 10 dB nicht
mehr zulässig, weil sonst bei der Schleifentransitfrequenz keine ausreichende
Phasenreserve mehr vorhanden wäre und die Schaltung instabil arbeiten und unkontrolliert
schwingen würde.
In vielen Fällen kann auch eine Frequenzgangkorrektur mit voreilender Phase am
Operationsverstärker vorgenommen werden. Hierzu muss allerdings der Ausgang der
Eingangsstufe über einen Anschluss von außen zugänglich sein, wie dies z.B. beim µA748
und beim LM101A der Fall ist. Dann kann mittels eines hinzuzuschaltenden kleinen
Kondensators die Eingangsstufe des Operationsverstärkers für hohe Frequenzen überbrückt
und damit ihr Tiefpassverhalten mit Verstärkungsabfall und Phasendrehung unwirksam
gemacht werden. Auf diese Weise lässt sich die Phasendrehung des Operationsverstärkers
bei hohen Frequenzen um bis zu 90° reduzieren und damit eine höhere nutzbare Bandbreite
erreichen. Der Phasenbeitrag dieser Maßnahme ist positiv (also voreilend; feed forward
compensation bzw. Lead-Kompensation).
(a) Lag-Kompensation (b) Lead-Kompensation
Abbildung 15-36
R1 R2 R1 R2
Korrektur des 2 2
Frequenzgangs des 6 6
LM101A LM101 LM101
3 8 3 8
R1 1 1
(K = )
R1 + R 2
C > K⋅30pF 150 pF
291
Operationsverstärker-Grundschaltungen
CK 40 f3 1/K=V ohne
RK RF UF
Kompensation
0
R1
LM101 1 101 102 103 104 105 106 107 108 f/Hz
-180°
45°
-360°
ϕS
Wird allerdings die Kompensation nicht sehr genau eingestellt, so kann sie unwirksam
werden oder gar die Neigung zur Instabilität erhöhen.
292
Operationsverstärker-Grundschaltungen
RF
Abbildung 15-39
Frequenzkompensation CF
bei kapazitiver Last R2
R1 µA741
RL
CL
Abbildung 15-40
Frequenzkompensation
beim Differenzierer µA741
293
Operationsverstärker-Grundschaltungen
(b) Wie lange dauert es, bis nach einem Spannungssprung von uI = 0V auf uI(0) = -1V eine
Ausgangsspannung von uQ(t) = +5 V erreicht wird ?
294
Operationsverstärker-Grundschaltungen
R1 = 5k
ui
UIn
uQ UQM = ± 15V
UIp UP = 15 V
R2 = 6k
UP
R4 = 3k
R3 = 2k
UQ/V
15
-15
R1 R3
R1 = 10 kΩ
R2 = 20 kΩ
u1 R2
R3 = 40 kΩ
U2 uQ
UQM = 14 V
u1 = Û1 ⋅ sinωt
U2 = konst.
(a) Die Ausgangsspannung uQ zeigt folgenden zeitlichen Verlauf :
uq = 6V – 4V⋅sinωt
Wie groß sind U2 und die Amplitude von u1 ?
(c) Wie groß darf die Amplitude der Spannung u1 maximal werden, ohne dass das
Ausgangssignal durch UQM begrenzt wird ?
295
Operationsverstärker-Grundschaltungen
uI uI
uQ
A
B uQ
0V +2V
C -2V
uQ
uI D uQ
uI
+15
-15V +15V
u
uI
uQ
F
uI
E
UQ
UI
UQ
UQ
UI
UI
UQ
UI
UQ
UQ
UI
UI
UQ
UI
UQ
UQ
UI
UI
296
Operationsverstärker-Grundschaltungen
RF UI0
UI0
UI
RF UQ
UI A UQ
R1 R1 B
(a) Leite mit Hilfe der Kirchhoffschen Regeln eine Gleichung für die Größe des von UI0
verursachten Fehleranteils UQF der Ausgangsspannung UQ ab und berechne UQF
(Vorschlag: Verwende die Darstellung B)
(b) Wie groß wäre der Fehleranteil UQF beim invertierenden Verstärker?
RF =
R1 =
II- 5k
UI = 2V 1k
UQ
II+
UP = +15
V R2 =
5k
R3 =1k
297
Operationsverstärker-Grundschaltungen
RF 10-2
10-3 ω
ωu ωu ωu ωo 10 ω o 3
R1 C1 ω u 10 ω u
ωo 2 10 ω o
1000 100 10 10 10 ω o
UI UQ ϕ
90°
45°
0°
-45°
-90°
(a) Skizzieren sie möglichst genau Amplitudengang und Phasengang für den Sonderfall
mit ωu = ωo = ωg
(b) Wie groß ist die Verstärkung in diesem Fall bei der Frequenz ωg mit R1 = RF ?
(c) Wie müßten die Widerstände und Kondensatoren für VUmax = 1 dimensioniert werden ?
298
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
UA
UC
OP1
R4 R6
R1
UR2 R2 OP3 UE
R3 (=R1)
R5 R7
OP2
UB UD
Die beiden gegengekoppelten Verstärker OP1 und OP2 halten jeweils ihre Eingangsdiffe-
renzspannung UID gleich Null. Damit stellen sie am Widerstand R2 eine Spannung ein, die
gleich der Differenz der Eingangsspannungen UA und UB ist.
UR2 = UA - UB
Der Strom IR2 = (UA - UB) / R2 durch den Widerstand R2 wird über den Widerstand R1
vom Ausgang des OP1 geliefert und fließt über R3 zum Ausgang von OP2 ab.
Zwischen den beiden Operationsverstärkerausgängen ergibt sich daher die Spannung
R1 + R 2 + R 3
U C − U D = I R2 ⋅ (R 1 + R 2 + R 3 ) = (U A − U B ) ⋅
R2
Mit R3 = R1 wird daraus
2 ⋅ R1
U C − U D = (U A − U B ) ⋅ (1 + )
R2
Der Differenzverstärker OP3 erzeugt eine zu (UD - UC) proportionale Spannung UE.
Meist sind die Widerstände R4 bis R7 gleich groß. Dann wird
2 ⋅ R1
U E = ( U B − U A ) ⋅ (1 + )
R2
299
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
16.2 Präzisionsgleichrichter
n⋅R
R
C
R (zur Glättung)
Abbildung 16-2
Präzisionsgleichrichter R OP1
R/2 OP2
uI
uQ1 uQ2
R/2 R/4
Einweggleichrichter
Zweiweggleichrichter
Für die Gleichrichtung von Spannungen im mV-Bereich dürfen die Widerstände in der
Schaltung nur geringe Toleranzen besitzen. Es sind Operationsverstärker mit geringen
Offsetwerten einzusetzen. Zudem ist ein sorgfältiger Offsetabgleich erforderlich.
16.3 Logarithmieren
Zum Logarithmieren setzt man Bauelemente mit logarithmischer Kennlinie im Rückkopp-
lungszweig eines Operationsverstärkers ein. Prinzipiell könnten dies Dioden sein
(Schaltung a in Abbildung 16-3).
In der Praxis verwendet man jedoch die Kollektor-Emitter-Strecke von an der
Sättigungsgrenze betriebenen Transistoren (UCE = UBE) (Schaltung b in Abbildung 16-3),
da deren Kennlinien über eine größere Anzahl (6 – 9) von Dekaden exakt logarithmisch
verläuft, als die von Dioden (2-3).
300
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
R1
UID
UI UI
UQ UQ
U BE U T
Je nach Polarität von UI ist einer der Transistoren leitend I C = I S1 ⋅ (e − 1)
Löst man diese Gleichung nach U Q auf und berücksichtigt die invertierende Arbeitsweise
der Schaltung so ergibt sich
UI UI
UQ ≈ − ⋅ U T ⋅ ln +1
UI R 1 ⋅ I S1
Für Eingangsströme IR ≈ UI/R, die deutlich größer sind als der Sperrsättigungsstrom IS1 der
Basis-Emitter-Dioden gilt
UI UI
UQ ≈ − ⋅ U T ⋅ ln
UI R 1 ⋅ I S1
16.4 Delogarithmieren
Eine logarithmische Spannung Uln kann mit folgender Schaltung delogarithmiert werden:
I3 R3
Abbildung 16-4 UBE IC
Delogarithmierer
Uln
UQ
301
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
U BE U BE
UT UT
I C = I S3 ⋅ ( e − 1) ≈ I S3 ⋅ e
Mit U BE = U ln
U ln
I3 ≈ IC = − ⋅ IC
U ln
UQ ≈ I3⋅R3
U ln
UQ = − ⋅ IC ⋅ R 3
U ln
U ln
U UT
wird UQ ≈ − ln ⋅ R 3 ⋅ I S3 ⋅ e
U ln
Zahlenbeispiel: Uln UQ
T = 300 K 120 mV - 0,01 V
IS3 = 10-10 A 180 mV - 0,1 V
UT = 26 mV
240 mV -1V
R3 = 1 MΩ
300 mV - 10 V
16.5 Multiplizierer
Die Multiplikation zweier Spannungen mit Operationsverstärkern wird auf die Addition
der Logarithmen zurückgeführt. Die Abbildung 16-5 zeigt das Funktionsprinzip:
Abbildung 16-5 Prinzipschaltbild für die Multiplikation zweier Spannungen
Logarithmierer 1 U Q1
U1 U Q1 ≈ U T ⋅ ln
U1
R 1 ⋅ IS1
302
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
FE2
uQ AD-
uA uC Wandler
uI
∼ Signal-
C
Quelle FE1 FE3
uSt
303
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Das Abtast-Halte-Glied besteht aus einem Impedanzwandler (FE1), mit dem das analoge
Eingangssignal uI hochohmig gemessen und niederohmig (uA) der eigentlichen Abtast-
und Halteschaltung (FE2) zugeführt wird. Soll ein niederohmiges Analogsignal uI ausge-
wertet werden, so kann u.U. der erste Impedanzwandler (FE1) entfallen.
Die Abtast- und Halte-Schaltung besteht aus einem FET als Analogschalter und einem
Speicherkondensator. Der FET wird durch ein Steuersignal uSt ein oder ausgeschaltet. Bei
leitendem Transistor folgt die Spannung uC am Speicherkondensator der Spannung uA und
damit dem Eingangssignal uI. Wird der FET gesperrt, so speichert der Kondensator den
zum Zeitpunkt des Sperrens anliegenden Augenblickswert der Eingangsspannung. Die
Spannung uC wird über einen zweiten Impedanzwandler (FE3) hochohmig gemessen und
niederohmig zur Weiterverarbeitung ausgegeben (uQ).
Damit uC (und uQ) schnellen Eingangssignalen uI folgen bzw. sich schnell an uI angleichen
können, wählt man schnelle Verstärker, einen Speicherkondensator mit geringer Kapazität
und einen FET mit niedrigem Widerstand rDSon. Damit der Kondensator in der Hold-Phase
nicht zu schnell entladen wird, muss der angeschlossene Impedanzwandler (FE3) einen
hinreichend großen Eingangswiderstand besitzen. Weiterhin muss ein FET gewählt
werden, der im gesperrten Zustand einen möglichst kleinen Strom IDoff besitzt.
Für besonders schnelle Abtast-Halteglieder verwendet man eine geschaltete Diodenbrücke
anstelle des FET-Schalters. Mit ultraschnellen Dioden und einer entsprechend schnellen
Ansteuerschaltung erreicht man Schaltzeiten von unter 1 ns.
Abbildung 16-7 Abtast-Halte-Schaltung +US
mit Diodenring als Analogschalter
(Prinzip-Darstellung)
uSt
uC uQ
uA
uI
uSt –uSt C
sample
hold
–US
Man unterscheidet zwei Betriebsweisen von Abtast-Halte-Gliedern. Beim Track&Hold-
Modus (T&H) wird über eine relativ lange Zeit das Ausgangssignal dem Eingangssignal
nachgeführt (Track-Modus), ehe in den Hold-Modus (Speichern des letzten Augenblicks-
wertes) umgeschaltet wird. Der T&H-Modus wird z.B. gewählt, wenn nur ein einzelner,
bei einem bestimmten Triggerereignis vorliegender Augenblickswert gemessen werden
soll.
Der Sample&Hold-Modus (S&H) wird gewählt, wenn ein analoges Signal quasi-
kontinuierlich erfasst und digital ausgewertet werden soll. Beim S&H-Modus treten daher
periodisch kurze Sample-Impulse für die Angleichung des Ausgangs- an das
Eingangssignal auf. Zwischen je zwei Sample-Phasen folgt eine Hold-Phase, die gerade so
lang ist, wie dies zur digitalen Auswertung notwendig ist.
Zwischen den beiden Betriebsweisen existiert ein fließender Übergang.
304
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Abbildung 16-8 Betriebsweise von Track & Hold - und Sample & Hold - Verstärker
uI uQ
u u uQ
uI
t t
Abbildung 16-9 zeigt, welche Probleme aufgrund der dynamischen Eigenschaften eines
Abtast-Haltegliedes auftreten. Der Übergang von der hold- zur sample- oder track-Phase
vollzieht sich immer mit einer bestimmten Zeitverzögerung (switching time delay). Der
anschließende Übergang zu einem neuen Signalwert erfolgt mit einer bestimmten
maximalen Änderungsgeschwindigkeit (slew rate). Der neue Signalwert wird erst nach
einem gewissen Einschwingvorgang (overshoot) hinreichend genau erreicht.
Zeitverzögerung, maximale Änderungsgeschwindigkeit und Einschwingvorgang ergeben
zusammen die sog. Einstellzeit (acquisition time). In der verbleibenden sample-Zeit folgt
die Ausgangsspannung der Eingangsspannung (Tracking). Das Umschalten in die hold-
Phase erfolgt wieder mit einer gewissen Zeitverzögerung (Aperture delay). Durch eine
nicht vermeidbare Ladungseinkopplung beim Schalten ergibt sich ein kleiner
Spannungssprung (hold step). Während der hold-Phase tritt wegen nicht vermeidbarer
Leckströme eine gewisse Spannungsdrift (Droop) auf. Während der hold-Phase können
starke Änderungen der Eingangsspannung auf den Ausgang übersprechen (feedthrough).
Abbildung 16-9 Dynamisches Verhalten eines Abtast-Haltegliedes
Overshoot
uI Settling time
Aperture delay
uQ/Soll
305
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
16.7 Fensterkomparatoren
Fensterkomparatoren zeigen an, ob ein elektrisches Signal innerhalb oder außerhalb eines
durch zwei Grenzen definierten Bereiches ("Fenster") liegt. Man benötigt dazu zwei
Komparatoren mit einer geeigneten Beschaltung zur Einstellung der Bereichsgrenzen
(Schaltschwellen der Komparatoren). Abbildung 16-10 zeigt eine einfache Schaltung eines
Fensterkomparators
uM
Uu Uo
306
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
uI R1 C1 D2 C2
uA
Komp
OP uQ
D1
Aus dem Eingangssignal uI(f) erzeugt ein Komparator ein Rechtecksignal uA(f) mit defi-
nierter Amplitude (z.B. uA= ± ûA = ± 14 V).
Ist uA positiv, so wird der Kondensator C1 über die Diode D1 auf + ûA aufgeladen.
Schaltet uA ins Negative um, so wird C1 bis auf - ûA umgeladen. Die zur Umladung
erforderliche Ladung wird dabei vom Ausgang des Operationsverstärkers OP über den
Kondensator C2 und die Diode D2 geliefert. Bei der nächsten Umschaltung von uA auf
+ ûA wird der Kondensator C1 wieder über D1 aufgeladen usw..
Im Prinzip arbeitet die Schaltung so, dass beim Übergang von uA von -ûA nach +ûA dem
Kondensator C1 die Ladung ∆Q = 2⋅ûA⋅C1 zugeführt, und diese Ladung beim Übergang
von +ûA nach -ûA an C2 weiter gepumpt wird.
Die Gesamtladung, die dem Kondensator C2 so pro Zeitintervall ∆t zugeführt wird, beträgt
Qzu = ∆Q ⋅ N = ∆Q ⋅ f ⋅ ∆t = 2⋅ûA⋅C1 ⋅ f ⋅ ∆t
307
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
uin(t)
K OP
uout
Ik
Beschaltung als f/U-Wandler M
T
C
UB
R
uin
i = uin/R OP K pull up
Beim Betrieb als f/U-Wandler wird nach jeder negativen Flanke des Eingangssignales ui
über den Monovibrator M für die definierte Zeit Ti ein konstanter Strom Ik (und damit eine
definierte Ladungsmenge ∆Q = Ti⋅Ik) in einen Kondensator C eingespeist.
Wie bei der Schaltung nach Abbildung 16-11 stellt sich auch hier über das Gleichgewicht
zwischen zugeführter und über einen Parallelwiderstand R abgeleiteter Ladung eine zur
Eingangsfrequenz f(t) proportionale Ausgangsspannung ein:
uout(t) = Ik⋅Ti⋅R ⋅ f(t) = Konstante ⋅ f(t)
Beim Betrieb als U/f-Wandler arbeitet der Operationsverstärker OP zusammen mit dem
Kondensator C als Integrator. Zu Beginn des Vorganges wird der Kondensator durch einen
Impuls der Dauer Ti aus dem Monovibrator M mit einem kräftigen Strom Ik auf eine
definierte Anfangsspannung aufgeladen. Danach erfolgt eine Entladung des Kondensators
über den Eingangsstrom i = uin/R. Erreicht die Kondensatorspannung den Wert 0, so wird
der Monovibrator M erneut gestartet und der Vorgang wiederholt sich. Je größer die
Eingangsspannung uin ist, umso schneller erfolgt die Kondensatorentladung und um so
häufiger treten Impulse des Monovibrators auf. Bei jedem Impuls des Monovibrators gibt
die Schaltung einen Ausgangsimpuls ab. Die Frequenz der Ausgangsimpulse ist
proportional zur Höhe der Eingangsspannung:
1
f (t) = ⋅ u in ( t ) = Konstante ⋅ u in ( t )
I k ⋅ Ti ⋅ R
308
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
16.9.1 Digital-Analog-Umsetzer
Die Aufgabe von Digital-Analog-Umsetzern (DAU) bzw. Digital-Analog-Convertern (DAC)
besteht darin, ein binäres Datenwort in eine analoge Größe umzuwandeln.
Viele DA-Converter arbeiten mit einem R-2R-Widerstandsnetzwerk, wie es in Abbildung
16-13 für einen n-Bit-DA-Wandler dargestellt ist.
Uref UB
d(n-1)
(n-1)
2R
R
Abbildung 16-13 d(n-2)
n-Bit-DA-Umsetzer (n-2)
mit R-2R-Netzwerk 2R
R
d2
(2)
2R
R
d1 Rf
(1)
2R
R
d0 iΣ
(0) uQ
2R
2R
Das R-2R-Widerstandsnetzwerk bildet einen Spannungsteiler, der eine von außen zuge-
führte Referenzspannung Uref in Teilspannungen unterteilt.
Der Spannungsteiler besteht aus einer Reihenschaltung von Widerständen mit dem
Widerstandswert R (2R bei dem letzten, mit Masse verbundenen Widerstand). Die Zahl der
(senkrecht gezeichneten) in Reihe geschalteten Widerstände entspricht der Zahl n der
binären Eingänge des DA-Wandlers. Jedem Binäreingang ist somit ein Knoten innerhalb
des Spannungsteilers zugeordnet (Knoten m = (0) bis m = (n-1)).
An jedem dieser Knoten zweigt (horizontal gezeichnet) ein Widerstand mit dem Wider-
standswert 2R ab, dessen zweites Ende über einen Umschalter (meist mit CMOS-FET
realisiert) entweder unmittelbar mit dem Masseanschluss der Schaltung oder mit dem in-
vertierenden Eingang eines extern angeschlossenen gegengekoppelten Operationsverstär-
kers (also mit einer "virtuellen Masse") verbunden wird. Die Belastung der Referenzspan-
nungsquelle Uref und die Spannungen und Ströme innerhalb des R-2R-Widerstandsnetz-
werkes sind daher immer gleich und unabhängig von den Schalterstellungen und damit
unabhängig von der digitalen Eingangsinformation.
Das Potenzial an den Knoten zwischen den in Reihe geschalteten Einzelwiderständen des
Spannungsteilers sinkt von oben nach unten jeweils um den Faktor zwei. Dies lässt sich
nachvollziehen, wenn man die Widerstandsverhältnisse innerhalb des Netzwerkes
analysiert.
309
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Beginnt man am unteren Ende, so findet man zwischen dem Knoten (0) und Masse zwei
parallele 2R-Widerstände mit dem Gesamtwiderstand R. Die Spannung an dieser Parallel-
schaltung sei Ux und wird zunächst als unbekannt betrachtet. Zu der Parallelschaltung von
2R-Widerständen wird ein Widerstand R in Reihe geschaltet, der vom gleichen Strom
durchflossen wird. Diese Reihenschaltung ergibt zwischen dem Knoten (1) und Masse
einen Summenwiderstand 2R, an dem folglich die Spannung 2⋅Ux liegt.
Parallel zu der genannten Reihenschaltung mit dem Summenwiderstand 2R liegt aber auch
der von vom Eingang d1 umschaltbare 2R-Widerstand, wodurch sich zwischen Knoten (1)
und Masse wiederum ein Gesamtwiderstand R ergibt. An dem nächsten in Reihe geschal-
teten (gleich großen) Widerstand R liegt die gleiche Spannung 2⋅Ux, so dass zwischen Kno-
ten (2) und Masse die Spannung 4⋅Ux existiert.
Diese Aufeinanderfolge von parallelen 2R-Widerständen mit anschließend in Reihe ge-
schaltetem Widerstand R und die damit verbundene Spannungsverdoppelung von Knoten
zu Knoten lassen sich fortsetzen, bis zum Knoten (n-1). Dort findet man dann die Ge-
samtspannung Uref = 2(n-1)⋅Ux
Die Spannung Ux errechnet sich damit zu Ux = Uref/2(n-1).
Die Spannungen an jedem der Knoten m = (0) bis (n-1) des Spannungsteilers errechnen
sich nach der Gleichung Um = Uref/2(n-1-m)
Von jedem Knoten zweigt ein 2R-Widerstand ab, über den ein Strom nach Massepotenzial
fließt. Die Größe der einzelnen Ströme ergibt sich zu Im = Um/2R. Die Umschalter in
Reihe zu den 2R-Widerständen entscheiden, wohin diese Ströme fließen. Die Umschalter
werden in Abhängigkeit vom Signalwert dm an den einzelnen Digitaleingängen d0, d1, d2
bis d(n-1) betätigt. Beim Signalwert dm = "0" wird der zugehörige 2R-Widerstand
unmittelbar mit dem Masseanschluss der Schaltung verbunden. Beim Signalwert dm = "1"
werden die entsprechenden Ströme zum Eingang des extern angeschlossenen
Operationsverstärkers geleitet, dort aufsummiert und in ein proportionales
Spannungssignal umgewandelt. Zum Ausgangssignal des Operationsverstärkers tragen
daher genau jene und nur jene Binäreingänge bei, die den Signalwert "1" besitzen.
Der Eingangsstrom des gegengekoppelten Operationsverstärkers beträgt
n −1 n −1
U ref U ref U ref n −1
iΣ = ( n −1− m )
⋅ d m = ( n − m)
⋅ d m = n
⋅ d m ⋅ 2m
m = 0 2R ⋅ 2 m =0 2 ⋅R 2 ⋅ R m =0
n −1
Mit D= d m ⋅ 2m = d 0 ⋅ 20 + d1 ⋅ 21 + d 2 ⋅ 22 + ⋅⋅⋅⋅ + d ( n −1) ⋅ 2n −1
m =0
U ref
ergibt sich iΣ = ⋅D (D = Wert des digitalen Eingangsdatums)
2n ⋅ R
U ref Rf
u Q = − iΣ ⋅ R f = − ⋅ ⋅D
2n R
310
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Da das digitale Eingangsdatum des DA-Wandlers nur ganzzahlige Werte annehmen kann,
hat der DA-Wandler keine stetige sondern eine stufenförmige Umsetzer-Kennlinie. Erhöht
sich der Wert D um 1, so vergrößert sich die Ausgangsspannung uQ sprunghaft um einen
Betrag ∆U = Uref/2n. Bei einem 10-Bit-ADU mit Uref = 10 V beträgt die Stufenhöhe
∆U = 10V/210 ≈ 9,77 mV.
Die Umsetzer-Kennlinie ist in Abbildung 16-14 am Beispiel eines 3-Bit-ADU gezeigt.
- uQ/V
10
Abbildung 16-14
Umsetzer-Kennlinie 7,5
∆U = Uref/23 =ˆ LSB
des 3-Bit-DA-Wandlers
(für Uref = 10 V) 5
0 D
0 1 0 1 0 1 0 1 LSB
0 0 1 1 0 0 1 1
0 0 0 0 1 1 1 1 MSB
Für eine exakte Digital-Analog-Wandlung muss eine sehr genaue Referenzspannung Uref
verwendet werden. Der Widerstandswert R muss bei allen Widerständen in dem R-2R-
Netzwerk sehr exakt gleich sein. Der Absolutwert von R hat keinen Einfluss auf die Größe
der Ausgangsspannung uQ und ist daher von geringer Bedeutung (Er darf große Abwei-
chungen von seinem Nennwert haben). Wichtig ist die Gleichheit des Widerstandswertes
bei allen Widerständen, damit die Eingangsbits des DA-Wandlers bei der Bildung der
Stromsumme am Eingang des Operationsverstärkers korrekt gewichtet werden.
DA-Wandler als Multiplizierer
Wegen der Produktbildung von Referenzspannung Uref und Datenwert D spricht man von
einem multiplizierenden DA-Wandler. Wählt man anstelle einer festen Referenzspannung
Uref eine beliebige Eingangsspannung uI, so lässt sich diese Spannung mit einem digitalen
Datenwert D multiplizieren zu einer Ausgangsspannung
1 Rf
uQ = − ⋅ ⋅ ( u I ⋅ D)
n R
2
Wegen D < 2n wird die Ausgangsspannung für Rf ≤ R immer kleiner als die
Eingangsspannung (Spannungsabschwächung).
DA-Wandler als Dividierer
Schließt man den externen Operationsverstärker so an, dass das R-2R-Netzwerk als Rück-
kopplungswiderstand RR2R dient (Verstärkerausgang mit dem Anschluss für Uref,
invertierender Verstärkereingang mit iΣ-Anschluss verbunden) und führt man dem
invertierenden Eingang eine Eingangsspannung uI über einen Widerstand Ri zu, so ergibt
R
sich: u Q = − u i ⋅ R 2R
Ri
311
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
U ref 2 n R uI
Mit R R 2R = = ⋅R wird daraus u Q = − 2n ⋅ ⋅
iΣ D Ri D
Die Eingangsspannung ui wird dabei durch den digitalen Datenwert D dividiert.
Wegen D < 2n wird die Ausgangsspannung mit Ri ≤ R immer größer als die
Eingangsspannung (Spannungsverstärkung).
16.9.2 Analog-Digital-Wandler
Ein Analog-Digital-Wandler hat die Aufgabe eine kontinuierlich veränderbare analoge
Spannung in einen Digitalwert, z.B. eine Dualzahl umzuwandeln. Zu diesem Zwecke muss
der gesamte mögliche Signalbereich UE der Analogspannung bei einem n-Bit-Umsetzer in
2n gleiche Teile ∆U = UE/2n unterteilt werden. Jedem Teilbereich mit der Breite ∆U kann
dann eine Digitalzahl zugeordnet werden. Erfolgt der erste Übergang vom Wert 0 zum
Wert 1 bereits bei einer Spannung von ∆U/2, so wird der nicht vermeidbare Quantisie-
rungsfehler nicht größer als ± ∆U/2.
Abbildung 16-15 Kennlinie eines 3-Bit-AD-Wandlers für UE = 10 V
D
1 1 1
1 1 0
1 0 1
1 0 0
0 1 1 ∆U
0 1 0
0 0 1
0 0 0
0 2,5 5 7,5 10 uI/V
∆U/2
312
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
16.9.2.1 Parallelumsetzer
Beim n-Bit-Parallelumsetzer werden aus einer Referenzspannung Uref mit einem Span-
nungsteiler aus 2n Widerständen gleichmäßig im Abstand von ∆U aufeinanderfolgende
Referenzspannungen für (2n-1) Komparatoren gebildet (siehe Abbildung 16-16).
Überschreitet die allen Komparatoren gleichzeitig zugeführte Eingangsspannung die
unterste Schwelle, so gibt der Komparator K1 ein H-Signal ab. Sofern auch die nächste
Schwelle überschritten wird, geben K1 und K2 ein H-Signal ab usw..
Die Komparatorausgangssignale werden in einer anschließenden Auswertelogik in eine
entsprechende Dualzahl D umgesetzt.
Da die Eingangsspannung von allen Komparatoren gleichzeitig ausgewertet wird, ist der
Parallelumsetzer sehr schnell. In der englischsprachigen Literatur wird er daher flash-con-
verter (Blitz-Konverter) genannt.
Uref
1,5 R
uI
K7
R
K6 K
R o
Abbildung 16-16
d
3-Bit-AD-Parallelumsetzer d2
K5 i
R e
r d1
K4 l
R
o
d0
g
K3 i
R
k
K2
R
K1
0,5 R
Nachteilig ist der hohe Schaltungsaufwand, der sich für größere Auflösungen exponentiell
erhöht (für einen 10-Bit-Parallelumsetzer wären 1023 Komparatoren erforderlich).
16.9.2.2 AD-Umsetzer nach dem Wägeverfahren (Sukzessive Approximation)
Der AD-Umsetzer nach dem Wägeverfahren beinhaltet einen vollständigen DA-Wandler,
dessen Ausgangssignal uV mit dem zu wandelnden analogen Eingangssignal uI verglichen
wird. Über einen Taktgeber und ein Schieberegister werden nacheinander die RS-Flip-
Flops, die den Binäreingängen des DA-Wandlers vorgeschaltet sind, gesetzt.
Zunächst werden alle Flip-Flops zurückgesetzt (Takt 0). Mit dem Taktimpuls 1 wird das
MSB-Flip-Flop gesetzt. Dieses erzeugt über den DA-Wandler eine Vergleichsspannung uV
in der Größe der Hälfte des Bereichsendwertes UE. Ist der Vergleichswert größer als die
Eingangsspannung (uV > uI), so wird über den Komparator das MSB-Flip-Flop beim
Taktimpuls 2 wieder zurückgesetzt. Andernfalls (uV < uI) bleibt es gesetzt.
313
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Beim Taktimpuls 3 wird das nächste Flip-Flop gesetzt und das Ergebnis der DA-Wandlung
mit uI verglichen. Abhängig vom Ergebnis wird beim Impuls 4 dieses zuletzt gesetzte Flip-
Flop belassen oder zurückgesetzt. Dieses Verfahren wird fortgesetzt bis alle n Bits eines n-
Bit-AD-Wandlers abgeprüft sind. Der Dualwert D, der durch die Stellung der Flip-Flops
am Ende des Vorganges erreicht wurde, entspricht der Größe der analogen
Eingangsspannung.
314
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Beim AD-Wandler nach dem Zählverfahren läuft ein Dualzähler von 0 beginnend hoch.
Die hochlaufende Dualzahl wird über einen DA-Wandler in eine analoge Vergleichsspan-
nung uV umgesetzt und mittels Komparator mit dem analogen Eingangssignal uI vergli-
chen. Sobald die ansteigende Vergleichsspannung die Eingangsspannung überschreitet,
wird der Zähler gestoppt. Der erreichte Zählerinhalt gibt die Größe der Eingangsspannung
an.
d0 d(n-1)
Abbildung 16-19 Freigabe/reset
. . . .
Einrampenumsetzer Steuerwerk n-Bit-Dualzähler
(Prinzipschaltung)
G &
f
0 tx
R C
Uref uV
H für uI > uV
K L für uI < uV
uI
Am Ende der Integrationszeit beträgt die Vergleichsspannung uV
I R ⋅ t x U ref ⋅ t x
uV = =
C R ⋅C
D
Mit tx = D ⋅T =
f
R ⋅C u u
wird daraus D = uV ⋅ ⋅f = V ≈ I
U ref ∆U ∆U
U ref
mit der Stufen- bzw. Schrittspannung ∆U =
R ⋅C⋅f
Die Ergebnis-Dualzahl D ist proportional zur Eingangsspannung uI, unter der Voraus-
setzung, dass die Werte für R, C, Uref und f konstant sind. Ändern sich eine oder mehrere
dieser Größen (z.B. durch Langzeitdrift), so führt dieselbe Eingangsspannung zu unter-
schiedlichen Wandlungsergebnissen.
Weniger kritisch in Bezug auf die genannten Größen ist das Zweirampenverfahren.
315
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Die Spannung uint erreicht bei der Integration der Eingangsspannung den (negativen)
Maximalwert
u u n
û int = I ⋅ t 1 = I ⋅ 1
R ⋅C R ⋅C f
Während der anschließend in der Zeit (t2 - t1) = D/f stattfindenden Abintegration wird die
Spannung uint wieder genau um diesen Betrag bis auf den Wert 0 reduziert
U ref U D
û int = ⋅ ( t 2 − t 1 ) = ref ⋅
R ⋅C R ⋅C f
Durch Gleichsetzen erhält man
uI
D = n1 ⋅
U ref
In dieses Ergebnis gehen R, C und f nicht ein. Diese Größen müssen nur innerhalb der
Wandlungszeit konstant sein. Langzeitdrift ist unkritisch.
316
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
T0
uI f
U/f-Wandler
317
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
sample-and-hold-Verstärker
FE4
FE2
uQ AD-
FE0 uA uC
uI Wandler
∼ Signal- C
Quelle FE1 FE3
uSt
a) Welche Aufgabe erfüllen die drei Funktionseinheiten FE1, FE2 und FE3 im Rahmen
der Gesamtaufgabe?
[Gib die Aufgabe jeweils im Hinblick auf die davor und dahinter angeordneten FE an ]
b) Wie groß muß die Kapazität des Kondensators C sein, wenn sich die Eingangsspannung
des AD-Wandlers während der Wandlungszeit von 20 ms (hold-Phase; uSt = -15V) nur
um maximal ∆uQ = 1mV ändern darf? (Für einen Kondensator gilt Q = I⋅t = C⋅U)
c) Wieviel Zeit vergeht (in der sample-Phase; uSt = +15V) mit dem Kondensator aus b)
(ersatzweise 500 nF), bis nach einem Spannungssprung am Eingang ein auf 1% genaues
Ausgangssignal vorliegt? (5 Zeitkonstanten)
318
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
uQ AD-
FET 1 FET 2 OP 2 Wandler
uI OP 1
D1
∼ Signal-
Quelle
uSt uFr
In dem folgenden Diagramm sind die Eingangsspannung ui = f(t) sowie die Spannungen
uFr (= ± 15 V) und uSt (= ± 15 V) dargestellt.
Zeichne den Verlauf der Ausgangsspannung uQ = f(t)
uFr
Freigabe t
uSt
sample
hold hold t
uI
t
uQ
t
319
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
UP = -15 V R6
FE4
ü R1
R3
C
1k 14 k
100 nF
u1 R5
Uref OP1
R2 u2 150 k
OP2
1k R4 u3
u4
1k
FE2 FE3
FE1
320
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
0 1 0 1 0 1 0 1 R1 = 25 kΩ
iΣ
uI
R1 uQ
Am Knoten (3) innerhalb des Widerstandsnetzwerkes liegt die Spannung uQ, am Knoten (2)
die Spannung uQ/2, an Knoten (1) uQ/4 und am Knoten (0) uQ/8
(a) Welche Spannung stellt sich am invertierenden Eingang des gegengekoppelten
Operationsverstärkers ein ?
(b) Wie ändert sich der Strom durch einen 2R-Widerstand, wenn der zugehörige
Umschalter von Stellung 0 in Stellung 1 umgeschaltet wird ?
(c) Welche Spannung uQ stellt sich ein für das digitale Eingangsdatum D = 0101 ein ?
(uI = 5 V)
(d) Welche Spannung uQ stellt sich ein, wenn der Wert des digitalen Eingangsdatums
verdreifacht wird (D = 1111) ? (uI = 5 V wie bei (c))
321
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
Schaltung
Uref A D
MSB d3
d2
d1
LSB d0
S R S R S R S R
≥1 ≥1 ≥1 ≥1
G Schieberegister
Takt 0 1 2 3 4 5 6 7 8
(a) Zeichne den zeitlichen Verlauf der Ausgangsspannung uV während des Wandlungs-
vorganges, wenn eine Eingangsspannung von uI = 5,2 V gewandelt werden soll.
(b) Erklären Sie die Abläufe in der Schaltung für die Takte 0 bis 8 durch Angabe der
Größe von uV (in V) und uk (binär H oder L) z.B. in Tabellenform.
322
Spezielle Schaltungsbeispiele mit Operationsverstärkern
UA = + 7 V R4 R6
OP1
1 kΩ 1 kΩ
R1
1 kΩ
UE
R2 OP3
2 kΩ
R8
R3 2 kΩ
1 kΩ R5 R7
OP2
UB = + 5 V 1 kΩ 1 kΩ
(a) Trage an allen 7 Knoten in der Schaltung die dort vorhandenen Potentiale (Spannungen)
mit Größe und Vorzeichen ein
(b) Trage bei jedem Widerstand den hindurchfließenden Strom mit Größe und Vorzeichen
ein (Richtungspfeile von oben nach unten bzw. von links nach rechts)
(c) Trage bei jedem Operationsverstärker die Größe des Ausgangsstromes mit Größe und
Vorzeichen ein (Richtungspfeil von links nach rechts)
323
Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren
17.2 Multivibratoren
Multivibratoren sind Schaltungen, die nur zwei Signalzustände (Ausgangsspannungen)
einnehmen können. Man unterscheidet:
- bistabile Multivibratoren (Flip-Flops),
- monostabile Multivibratoren (Zeitstufen),
- astabile Multivibratoren (Rechteckgeneratoren).
17.2.1 Bistabile Multivibratoren (Flip-Flops)
Bistabile Multivibratoren besitzen zwei stabile Schaltzustände, zwischen denen sie durch
externe Signale hin und her geschaltet werden. Abbildung 17-1 zeigt Flip-Flops, bei denen
Setzen und Rücksetzen über jeweils eigene Eingange erfolgen (RS-Flip-Flop). Bild (a) zeigt
ein Flip-Flop aus zwei NOR-Gattern, Bild (b) eine Realisierung mit Transistoren. Teil (c)
der Abbildung zeigt die Reaktion der Ausgänge Q und Q auf Steuersignale an Setzeingang
S bzw. Rücksetzeingang R. Mit einem 1-Signal am Setzeingang S wird der Ausgang Q
auf 1, der Ausgang Q auf 0-Signal gesetzt. 1-Signal am Rücksetzeingang R setzt Q auf 0 und
Q auf 1-Signal. Sofern sowohl S als auch R auf 1-Signal liegen, zeigen beide Ausgänge 0-
Signal.
Abbildung 17-1 RS-Flip-Flop US
R b
Q Q Q
a T1 T2
Q S R
S
Gnd
Q
c
S
324
Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren
E T2 Q
UBE2 t
T T
Abbildung 17-2 zeigt eine diskret aufgebaute Zeitstufe, deren Laufzeit durch eine negative
Schaltflanke am Eingang E gestartet werden kann. Durch den negativen Impuls wird
Transistor T2 gesperrt und schaltet Transistor T1 ein. Der aufgeladene Kondensator C1
bringt dadurch eine negative Spannung an die Basis von T2, der damit ausgeschaltet bleibt,
auch wenn der negative Eingangsimpunls vom Eingang bereits abgeklungen ist. Der
angeregte (instabile) Zustand bleibt so lange erhalten, bis C1 über R1 soweit entladen ist,
dass die Basis-Emitter-Strecke von T2 leitend wird. Dann schaltet T2 wieder ein und
schaltet T1 aus. Damit ist der stabile Zustand der Schaltung wieder erreicht.
Die Laufzeit beträgt etwa T ≈ 0,7⋅τ = 0,7 ⋅ R1⋅C1
325
Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren
UQ = UCE2
Abbildung 17-4:
Signalverläufe am US
Rechteckgenerator mit
0 t
Transistoren
UQ = UCE1
US
0 t
UBE1
US
0 t
-US
UBE2
US
0 t
-US
t1 t2
Über den Kondensator C1 wird dabei die Basis des Transistors T2 ins Negative geschaltet
(UBE2(t=0) ≈ -US). Die Basis-Emitterspannung von T2 wird damit negativ, der Transistor T2
wird vom Transistor T1 ausgeschaltet (UCE2 = US).
Der Zustand der Schaltungsausgänge ist nun:
UQ = US UQ = 0
Anschließend entlädt sich der Kondensator C1 über den Widerstand R1. Dadurch ändert
sich die Spannung UBE2 nach einer e-Funktion mit der Zeitkonstanten τ1 = R1⋅C1 von -US
in Richtung auf +US.
Nach ca. 0,7 Zeitkonstanten durchläuft UBE2 den Wert 0 und wird positiv. Damit beginnt
der Transistor T2 zu leiten. Die sinkende Spannung UCE2 = UQ bewirkt über den
Kondensator C2 ein Absinken der Spannung UBE1, wodurch der Transistor T1 zu sperren
beginnt. Damit setzt ein Mitkopplungseffekt ein. Die steigende Spannung UCE1 = UQ reißt
das Basispotential von T2 weiter in die Höhe, T2 wird stärker leitend und schaltet T1 noch
schneller aus. Beide Schaltungsausgänge ändern ihren Zustand sprunghaft.
Der Zustand der Schaltungsausgänge ändert sich daher nach Ablauf von t1 ≈ 0,7⋅τ1
sprunghaft in:
UQ = 0 UQ = US
Ab jetzt wiederholen sich die beschriebenen Vorgänge, wobei für das folgende Zeitintervall
t2 ≈ 0,7⋅τ2 anstelle von T1, C1, R1, τ1, UBE1 und UCE1 jeweils T2, C2, R2, τ2, UBE2 und UCE2
(und umgekehrt) zu setzen sind.
Nach Ablauf der Zeit t2 wiederholt sich der Gesamtablauf periodisch. An den
Schaltungsausgängen treten Rechtecksignale auf.
Die Periodendauer der Rechteckschwingung ergibt sich etwa zu
T ≈ 0,7⋅(R1⋅C1 + R2⋅C2)
326
Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren
RF
Abbildung 17-5 uIn
Rechteckgenerator mit uID
Operationsverstärker C
uIp
uQ
R1 R2
uIn
US1
t
US2
uID
327
Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren
Nach der Zeit tS = T/2 erreicht die Kondensatorspannung den Wert US1 = - US2
T
−
2⋅C⋅R F
u C ( t S ) = − U S2 = U S2 + ( U QM + − U S2 ) ⋅ (1 − e )
U QM+ − U S2
Daraus errechnet sich T = 2 ⋅ C ⋅ R F ⋅ ln
U QM + + U S2
R1 R1
Mit U S2 = U QM − ⋅ ≈ − U QM + ⋅
R1 + R 2 R1 + R 2
2 ⋅ R1
wird daraus T = 2 ⋅ C ⋅ R F ⋅ ln(1 + )
R2
Threshold 6
Abbildung 17-7 K2
Control R Q 3
Blockschaltbild des Timers 555 5 -1 Output
R
S Q
2 K1 7
Trigger Discharge
R
1
Gnd
328
Multivibratoren, Oszillatoren, Funktionsgeneratoren