LÍMITES DE GRANO EN SÓLIDO POLICRISTALINO BIFÁSICOS

Introducción:
En este informe analizaremos los límites entre fases sólidas diferentes; es decir, la unión de
dos cristales que pueden tener diferente estructura cristalina y/o composición.
Los límites entre estas fases sólidas pueden ser divididos basados en su estructura atómica,
dentro de 3 clases: coherente, semicoherente e incoherente.
A. Interfase coherente:
Una interfase coherente surge cuando los dos cristales encajan perfectamente en el
plano de interfase, de manera que, las redes serán continuas, mostrado en la
siguiente imagen. Esto puede sólo alcanzado si, desatendiendo las especies
químicas, el plano de interfase tiene la misma configuración atómica en ambas fases
y esto requiere que los dos cristales estén relativamente entre sí en una orientación
particular.

Figura N° 1: Superficie de Límite de grano

coherente

Por ejemplo: Una interfase de este tipo es formado en aleaciones Cu-Si, entre la
fase k rica en silicio HCP y la matriz α rica en cobre FCC. El parámetro de red de
estas dos fases son tal que el plano (111) FCC, es idéntico al plano (0001)HCP.
Ambos planos sonde empaquetamiento compacto mostrado en la imagen N° 2, y en
este caso particular las distancias interatómicas son también idénticas. Por
consiguiente, cuando los dos cristales están unidos a los largos de sus planos
compactos y con las direcciones compactas paralelas, la interfase resultante es
completamente coherente.

(111) // (0001)k
[110] // [1120]k

Figura N° 2: Planos de empaquetamiento compacto y direcciones en

la estructuras FCC y HCP.

Sin embargo, en la interfase existe generalmente un cambio en la composición

química de manera que cada átomo es en cierto modo unido al vecino equivocado, a
través de interfase. Esto incrementa la energía de los átomos en la interfase y
permite una contribución química en la energía de interfase γq. Para una interfase
coherente de este tipo, la γq es la única contribución, es decir,

γ(coherente) = γq
En el caso de la interfase α/k, en aleaciones Cu-Si, la energía de interfase ha sido
estimado ser tan baja como un 1mJ/m2. En general la energía de interfase coherente
oscila hasta 200 1mJ/m2.
En el caso de una interfase HCP/FCC hay sólo un plano que puede formar una
interfase coherente, ningún otro plano es idéntico en ambas estructuras; sin
embargo si las dos fases contiguas tienen las misma estructura cristalina y
parámetro de red muy similares, entonces, a parte de la diferencia en composición
todos los plano de red son idénticas.
Cuando la distancia entre los átomos en la interfase no es idéntica, es posible aún
mantener la coherencia por deformación de una o ambas redes mostrado en la
figura 1(b). La red resultante es conocida como coherencia deformada.
B. Interfase semicoherente:
La deformación asociada con una coherente eleva la energía total del sistema, y en
ciertos casos llega a ser energéticamente más favorable, reemplazar la interfase
coherente con una interfase semicoherente. En la figura 3 muestra una interfase
semicoherente, donde dos redes están tocándose en su respectivo plano (001).

Figura N° 3: Límite de grano semicoherente.

Para el ejemplo de la figura 3: Los parámetros de la red se toman de modo que

aα˂aβ. Como se puede observar en esta figura se produce un desajuste de la red
perfecta cada cierto espaciamiento de la red α. Nótese también que cada siete
espaciamientos se obtiene un plano α situado directamente entre los dos planos β
inferiores. En los cristales reales, las interfases se relajan bajo la opción de las
fuerzas que hay entre los átomos de las posiciones de las líneas interrumpidas y esto
da una dislocación de borde en el punto donde el plano α se sitúa simétricamente
entre dos planos β. De aquí las dislocaciones de borde se obtiene periódicamente
con un espaciamiento D, que para este ejemplo D=7. Por consiguiente, se puede
considerar un límite semicoherente consistente de regiones coherencia y regiones de
no coherencia como se muestra en la figura anterior.
En este tipo de interfase se puede definir un término denominado discrepancia, δ,
como:
a α − aβ
δ=
aα
 aα y aβ son los espaciamientos interplanares sin deformación. Además el
espaciamiento entre las dislocaciones, D, está relacionado con la discrepancia
según:
aβ
D=
δ
o, aproximadamente para δ pequeño:
b
D=
δ
Donde
a α + aβ
b=
2
es el vector de Burgers de las dislocaciones.
La energía superficial de una interfase semicoherente puede ser aproximadamente
considerada como la suma de dos partes:
a) Una contribución química, γq , como para una interfase completamente
coherente , y,
b) Una contribución estructural, γst , la cual es una energía extra debido a la
distorsión estructural causada por las dislocaciones, es decir:
γ(semicoherente) = γq + γst
Las energías de interfases semicoherente son generalmente en el rango de
200-500 mJm2. Cuando a δ >0.25, es decir, una dislocación cada 4
espaciamientos interplanares, las regiones de ajuste deficiente alrededor del
núcleo de la dislocación se superpone y la interfase no puede ser considerada
como coherente, es decir, son incoherentes.
C. Interfase incoherente:
La interfase incoherente se da cuando el plano interfacial las dos fases contiguas
tienen una configuración atómica muy diferente, por lo que no existe posibilidad de
un buen ajuste a través de la interfase. La configuración de los átomos puede ser
muy distinta en las dos fases o, si estas son similares, la distancia interatómica,
puede diferir por más del 25%. En ambos casos se dice que la interfase es
incoherente. En general, las interfases incoherentes resultan cuando dos cristales
orientados aleatoriamente son unidos a través de un plano interfacial, como lo
muestra en la figura 4. Sin embargo, la interfase incoherente puede darse también
entre cristales con una relación de orientación sien la interfase ambos cristales tiene
estructuras diferentes. Poco se conoce acerca de la estructura atómica de una
interface incoherente, pero presenta rasgos comunes con los límites de grano de alto
ángulo. Por ejemplo, que son caracterizados por una alta energía de 500-1000
mJ/m2, probablemente tengan una estructura atómica desordenada.

Figura N° 4: Interfase incoherente.

Límite de grano de alto ángulo
Cuando el ángulo >10°, el límite de grano es conocido como límite
de grano de alto ángulo.
La figura muestra un modelo para caracterizar este tipo de límite, donde
cristales casi perfectos se extienden uno hasta el otro y se tocan en
puntos irregulares. El límite contiene átomos que pertenecen a ambos
cristales (D) y átomos que no pertenecen a ningún cristal (A); contiene
zonas de compresión (B), y zonas de tracción (C). En general se asume
que la amplitud de los límites de grano de alto ángulo es bastante
estrecha en el orden de los nanómetros.

Las dislocaciones están definidas por el vector de Burgers, el cual permite pasar de un punto
de la red al obtenido tras aplicar la dislocación al mismo. Las dislocaciones suceden con
mayor probabilidad en las direcciones compactas de un cristal y son sumamente importantes
para explicar el comportamiento elástico de los metales, así como sumaleabilidad, puesto que
la deformación plástica puede ocurrir por desplazamiento de dislocaciones.
Defectos de línea (Dislocaciones)
Es un defecto lineal o unidimensional en torno a algunos átomos desalineados.

Dislocación de arista o de borde: Un semiplano extra de

átomos se inserta en la estructura cristalina

Dislocación helicoidal o de tornillo: Los planos atómicos trazan un

camino espiral o helicoidal al redor de la línea de dislocación.

Línea de dislocación: línea que va a lo largo de aquel borde de plano extra de átomos que
termina dentro del cristal

Plano de deslizamiento: plano definido por la línea de dislocación y el vector de

deslizamiento. Si la dislocación se mueve en la dirección del vector de deslizamiento, se dice
que se mueve propiamente por deslizamiento y la línea de dislocación se mueve a lo largo del
plano de deslizamiento.

Símbolo: las dislocaciones de borde se simbolizan con un signo de perpendicular, ┴. Cuando

el signo apunta hacia arriba, el plano extra de átomos está sobre el plano de deslizamiento y
la dislocación se le llama positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, ┬, el plano extra de
átomos está bajo el plano de deslizamiento y la dislocación es negativa.

Vector de Burgers

Se define como aquel vector de la red, necesario para cerrar un circuito de Burgers que
encierra una línea de dislocación. Suponiendo que se traza un camino en una red atómica
cristalina que recorra el mismo número de átomos en una dirección. En caso de que el cristal
sea perfecto entonces el camino se cerrará por sí mismo. En cambio, si el camino encierra en
su interior una línea de dislocación, será necesario incluir un vector adicional para poder
cerrarlo. Este vector es el vector de Burgers.

El vector de Burgers es característico de la estructura cristalina y no depende de la posición u

orientación de línea de dislocación.