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PERÚ
FACULTAD DE INGENIERIÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA
1. OBJETIVO GENERAL
2. MARCO TEÓRICO
𝑄𝑐
𝑄𝑐 = 𝑄 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑐𝑐𝑖ó𝑛
𝑄𝑖 𝑄𝑖 = 𝑄 𝑖𝑛𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙
𝑄𝑐 = 𝑄 𝑓𝑖𝑛𝑎𝑙
𝑄𝑓
𝜑𝑖 𝜑𝑓
Figura 2.1
1
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𝑄𝑖 = 𝑃 tan 𝜑𝑖
𝑄𝑓 = 𝑃 tan 𝜑𝑓
𝑄𝑐 = 𝑄𝑖 − 𝑄𝑓
𝑄𝑓 = 𝑃 (tan 𝜑𝑖 − tan 𝜑𝑓 )
𝑉2
𝑄𝑐 =
𝑋𝑐
1
𝐶=
2𝜋𝑓𝑋𝑐
Teniendo en cuenta que cada L≅236mH y Rfrio=100Ω, calcule el capacitor que permite
corregir el factor de potencia hasta 0.98 atrasado para el circuito de la Figura 2.2 (recuerde
hacer el cálculo con la R en caliente).
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3. EQUIPOS Y MATERIALES
4. PROCEDIMIENTO
𝑽𝑭 𝑽𝑹 𝑽𝑳 𝑰𝑭 𝑺𝑻 𝑷𝑻 𝑸𝑻
FP
(V) (V) (V) (A) (kVA) (kW) (kVAr)
116 41.2 108.5 0.412 0.047 0.02 0.043 0.42
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𝑄𝑖 = 0.043 𝑘𝑉𝐴𝑟
𝑽𝑭 𝑽𝑹 𝑽𝑳 𝑽𝑪 𝑰𝑭 𝑺𝑻 𝑷𝑻 𝑸𝑻
FP
(V) (V) (V) (V) (A) (VA) (W) (VAr)
116 41 106 116 0.196 0.022 0.02 0.009 0.91
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En la tabla 4.1. se puede observar que las caídas de tensión que hay en la
resistencia y en la bobina no es igual al de la fuente, esto se debe a que las tensiones
que hay en la resistencia y en la bobina respectivamente están desfasadas un
ángulo de 90°
0.9 0.91
0.8
0.7
0.6 0.6
CORRIENTE
0.5
0.4
0.3 0.314
0.2 0.196
0.1
0
7 μF 14 μF 21 μF 28 μF
Corriente 0.196 0.314 0.6 0.91
CAPACITANCIA
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0.9 0.91
0.8
FACTOR DE POTENCIA
0.7
0.6 0.602
0.5
0.4
0.3 0.3
0.2 0.2
0.1
0
7 μF 14 μF 21 μF 28 μF
FP 0.91 0.602 0.3 0.2
CAPACITANCIA