UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

ELC-215

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN Y

AMPLIFICADOR CASCODO BJT
José Ramos López

MODELO DEL TRANSISTOR

La figura 1 muestra el modelo general del transistor BJT en alta frecuencia

Figura 1. Modelo híbrido-pi del transistor BJT en alta frecuencia.

Los parámetros del 2N2222 se calculan de la manera siguiente

El cálculo de parámetros se basa en la hoja de datos del 2N2222A, de la cual se muestra detalles a
continuación. Específicamente se han aplicado los valores de Capacitancia de salida (Cobo @ VCB
= 10 V), ganancia de corriente en pequeñas señales (IC = 10 mA), Admitancia de salida (IC = 10

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mA) y Constante de Tiempo Colector base. Se asume VT = 26 mV. La hoja de especificaciones
proporciona un valor máximo de 150 ps para la constante de tiempo base colector:

Figura 2. Modelo híbrido – pi para el 2N2222 con ICQ = 10 mA y VCEQ = 10V. Para estos valores
hFE = 225.

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EMISOR COMÚN

Considere el amplificador emisor común mostrado en la figura 3. Inicialmente asumimos que RE1 =
0. Puede demostrarse que el punto Q se encuentra aproximadamente en ICQ = 10 mA y VCEQ = 10V.
Utilice el teorema de Miller para encontrar un valor aproximado de la frecuencia de corte superior fH.
Calcular también la ganancia en la banda media, AM. Verificar con PSpice o TINA. Repetir los
cálculos y simulación para RE1 = 24 ohmios. Seleccionar CC1, CC2 y CE para fL = 100 Hz. Presentar
sus cálculos al instructor.

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 Figura 3. Circuito emisor común para la primera parte del laboratorio de respuesta en frecuencia

Montar el circuito en el laboratorio y determinar experimentalmente fH, fL y la ganancia en la banda

media para ambos casos (RE1 = 0 y RE1 = 24 ohmios). Reportar sus resultados al instructor.

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RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR CASCODO BJT

Figura 4. Amplificador cascodo BJT

En este caso para aplicar directamente el modelo desarrollado para ICQ = 10 mA, se procede a
seleccionar valores de RE, R1 y R2 para establecer dicho punto de operación a condición de que la
caída de voltaje total entre los dos transistores sea de 20 V. Con esta condición, la caída de voltaje
en extremos de RE es de 4.9 V

RE = 4.9 V / 10 mA = 490 ohm

El valor estándar más próximo es RE = 510 ohm

Asumiendo VBE = 0.7 V, entonces VB1 = (-15 + 5.1 +0.7)V = -9.2 V

Seleccionando R2 = 10 kohm

IR2 = 9,2 V / 10 kohm = 0.92 mA

La corriente circulando a través de R1 es

IR1 = IR2 – IB1 = 0.92 mA – 10 mA/225 = 0.92 mA -0.044 mA = 0.876 mA

R1 = VR1/IR1 = 5.8 V/0.876 mA = 6.6 kohm

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El valor estándar más próximo es R1 = 6.8 kohm

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TAREAS ETAPA CASCODO BJT

Repetir las tareas de análisis, simulación y prueba realizadas para la etapa emisor común, para el
amplificador cascodo mostrado en la figura 4. En este caso se espera un desempeño superior de la
respuesta en frecuencia, de manera que es bastante probable que el límite de fH sea difícil de observar
directamente con el equipo de laboratorio de la EIE. El estudiante deberá investigar métodos
alternativos de prueba para determinar fH en el laboratorio. Por ejemplo, la medición del tiempo de
subida tr (rise time).

BIBLIOGRAFÍA

1- Sedra & Smith. Circuitos Microelectrónicos, 5ª edición. McGraw Hill.

2- Hambley. Electrónica, 2ª edición. Prentice Hall, 2001.
3- Motorola. Semiconductor Technical Data. P2N2222A/D.

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ANEXO A. DATOS TÉCNICOS 2N2222 (Data Sheet Motorola)

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