ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ÁREA DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS

INFORME X TRABAJO PREPARATORIO

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Práctica #: 02 Tema: DISEÑO DE AMPLIFICADOR MONO ETAPA CON

AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y ANÁLISIS DE FETS

Realizado por:

Alumno (s): FREDDY RAMÓN Grupo:

RICARDO URBINA

(Espacio Reservado)
Fecha de entrega: 2018 / MAYO / f. ______________________
año mes día Recibido por:

Sanción: ________________________________________________

Semestre: OCT - MAR _______

ABR - SEP ___X___ 2018
TEMA: DISEÑO DE AMPLIFICADOR MONO ETAPA CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL Y ANÁLISIS
DE FETS
OBJETIVO:

• Diseñar, implementar y comprobar el funcionamiento de los amplificadores mono etapa

con amplificadores operacionales.
• Analizar e implementar un amplificador usando JFET.
INFORME:
1. Cuestionario:

• Consultar las características técnicas del amplificador LM741, dibujar la distribución de pines
y explicar la función de cada uno de ellos.
1) Se conecta si se desea tener un offset.
2) Entrada del Operacional Inversa.
3) Entrada del Operacional No Inversa.
4) Voltaje de polarización negativo.
5) Se conecta si se desea tener un offset.
6) Salida del Operacional.
7) Voltaje de polarización positivo.
8) No se conecta.
• Esquematice las diferentes configuraciones utilizando el circuito LM741 (no inversor,
inversor, sumador, integrador y derivador).
➢ No Inversor
La señal de salida sale en fase con la señal de entrada.

➢ Inversor

La señal de salida sale desfasada 180 grados de la señal de

entrada.
 ➢ Sumador
La señal de salida es la suma de las 3 señales de entrada
multiplicadas por la relación de Rn con R, además se invierte la
señal.

➢ Integrador
La señal de salida es la integral de la señal de entrada.

➢ Derivador
La señal de salida es la derivada de la señal de entrada.

• Consultar las principales características de los transistores de efecto de campo y presentar un

cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo de transistores y los de juntura bipolar.
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias
aplicaciones que coinciden con las del transistor BJT; el FET se controla mediante un voltaje entre
compuerta y fuente.

Característica Transistor de Unión Bipolar TBJ Transistor de Efecto Campo FET

Control Mediante Corriente Mediante Voltaje
Impedancia de Menor al FET Alta impedancia de Entrada
entrada
Estabilidad Térmica Menos Estable Más Estable
Ganancia AC Más que el FET Menos que el BJT
Tamaño Más grandes que el FET Más pequeños que BJT
Costo Más económicos Más costosos
• Revisar las hojas de datos de los transistores de efecto de campo 2SK170, 2SK304 presentar
un cuadro con los valores de los parámetros más importantes (Se sugiere utilizar estos
transistores para la implementación del circuito del numeral 3.4 del trabajo preparatorio).
➢ ANEXO 1

2. Diseñar un amplificador inversor y un amplificador no inversor utilizando el amplificador

operacional LM741 para que cumpla con las siguientes condiciones:

Frecuencia = 1 [KHz], para todos los días.

Vin=250mv Vpp, para todos los días.

➢ NO INVERSOR
𝑅2
25 = 𝐺 = 1 +
𝑅1
𝑆𝑖 𝑅1 = 220 Ω
𝑅2 = 24 ∗ 220 = 5280 = 5100 + 180 Ω
 ➢ INVERSOR
𝑅2
30 = 𝐺 =
𝑅1
𝑆𝑖 𝑅1 = 220 Ω
𝑅2 = 30 ∗ 220 = 6600 = 5100 + 1500 Ω

3. Se tiene un circuito sumador en el cual el Vin1 es una señal triangular de 4 KHz y amplitud 4
Voltios, y el Vin2 es una señal cuadrada, de 5 Voltios con una frecuencia de 1 KHz (Para la
práctica, esta señal se la obtendrá por medio de la señal de prueba del osciloscopio),
implemente este circuito utilizando el LM741 y dibuje la señal resultante en una hoja de papel
milimetrado.

➢ ANEXO 2
4. Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar los voltajes de salida:
𝑉𝑔𝑠 = −𝐼𝑑 ∗ 1000
𝑆𝑖: 𝐼𝑑𝑠𝑠 = 20 𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝑝 = −10 𝑉

𝑉𝑔𝑠 2
𝐼𝑑 = 𝐼𝑑𝑠𝑠 ∗ (1 − )
𝑉𝑝
𝐼𝑑 = 2.49 𝐴 ó 4 𝑚𝐴 ; 𝑠𝑒 𝑒𝑠𝑐𝑜𝑔𝑒 𝐼𝑑
= 4 𝑚𝐴.
𝑉𝑔𝑠 = −4 𝑉
−2 ∗ 𝐼𝑑𝑠𝑠 𝑉𝑔𝑠
𝑔𝑚 = ∗ (1 − ) = 2.4 𝑚𝑆
𝑉𝑝 𝑉𝑝
∆𝑣 = −𝑔𝑚 ∗ 𝑅1||𝑅2 = 2.18
=

BIBLIOGRAFÍA:

➢ ROBERT L. BOYLESTAD & LOUIS NASHELSKY. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos. México: PEARSON EDUCACIÓN.
➢ Thomas L. Floyd. (2008). Amplificadores basados en FET. Dispositivos Electrónicos (436 -
480). MÉXICO: PEARSON EDUCACIÓN.
➢ Toshiba. (1997). 2SK170. 06/05/2018, de DataSheet Sitio web:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/30581/TOSHIBA/2SK170.html
➢ Sanyo. (2001). 2SK304. 06/05/2018, de DataSheet Sitio web:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/39477/SANYO/2SK304.html
➢ ANEXO 1