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 Poseen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores

nominales, de corriente y de potencia.


 Poseen un coeficiente positivo de temperatura que contrarrestará la
posibilidad de una avalancha térmica.
 Tiempos de conmutación más rápidos por lo niveles reducidos de
almacenamiento de carga.

Los FETs se caracterizan por su altísima impedancia, ya que tienen un canal muy angosto,
y la
corriente asi como la potencia que manejan es reducida. Para aumentar la potencia
controlada se han
desarrollado los VMOS-FETs(Fig. 3a), la forma en V del semiconductor aumenta el ancho
efectivo del
canal y disminuyendo su longitud, lográndose de este modo aumentar la capacidad de
corriente.


polarizacion

Curva caracteristica

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