Laboratorio de Electrónica

Facultad de Ingeniería mecánica

Universidad del Atlántico

CURVA CARACTERISTICA DE LOS TRANSISTORES

Ochoa Sebastián1; Sandoval R. María1; Silva G. Javier1;

Rodríguez O. José1; Galet V. Richard1; Álvarez Juan Carlos2
marysandovalrodriguez@hotmail.com

1: Estudiantes de la facultad de Ingenieria Mecanica

2: Profesor de Electrónica

Fecha de entrega: 06/05/15

RESUMEN

Con la realización de esta experiencia se buscó analizar e identificar el comportamiento del

transistor, representándolo en una serie de curvas por medio de diferentes mediciones de voltaje y
otros parámetros presentes en un circuito que se explicará detalladamente a lo largo del presente
informe.

Palabras claves: Transistores, bipolar, ganancia del transistor, transistor de base positiva..

1. INTRODUCCIÓN mientras que el Colector posee una

El transistor está compuesto por tres zonas de
dopado, como se ve en la figura:
impurificación intermedia.
Un transistor es similar a dos diodos, el
transistor tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base forman uno de los
diodos, mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son
denominados: "Diodo de emisor" (el de la
izquierda en este caso) y "Diodo de colector"
(el de la derecha en este caso).

Figura 1. Partes de un transistor
La zona superior es el "Colector", la zona
central es la "Base" y la zona inferior es el
"Emisor". El Emisor está muy impurificado, la
Base tiene una impurificación muy baja,
2. MARCO TEORICO
El transistor bipolar es un dispositivo de tres
terminales -emisor, colector y base-, que,
atendiendo a su fabricación, puede ser de dos
tipos: NPN y PNP. En la figura 2 se
encuentran los símbolos de circuito y
nomenclatura de sus terminales. La forma de
distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP
es observando la flecha del ter-minal de
emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia
fuera del transistor; en un PNP la flecha
apunta hacia dentro. Además, en
funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el
emisor del transistor.
Figura 2. Simbología y nomenclatura de un
transistor.
Gracias a este dispositivo es posible controlar
una gran potencia a partir de una pequeña. En
la figura 3 se puede ver un ejemplo cualitativo
del funcionamiento del mismo. Entre los
terminales de colector (C) y emisor (E) se
aplica la potencia a regular, y en el terminal de
base (B) se aplica la señal de control gracias a
la que controlamos la potencia. Con pequeñas
variaciones de corriente a través del terminal
de base, se consiguen grandes variaciones a
través de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede
convertir esta variación de corriente en
variaciones de tensión según sea necesario.
Figura 3. Principio de funcionamiento.
En resumidas cuentas, un transistor se puede
considerar como un diodo en directa (unión
emisor-base) por el que circula una corriente
elevada, y un diodo en inversa (unión base-
colector), por el que, en principio, no debe-ría
circular corriente, pero que actúa como una
estructura que recoge gran parte de la
corriente que circula por emisor-base.
El montaje básico que se realiza para estudiar
el comportamiento de un transistor NPN es el
que se ilustra en la figura 4.
Figura 4. Circuito básico.
Del circuito anterior se pueden obtener las
siguientes ecuaciones, que posteriormente
ayudarán a hacer una comparación
significativa con el montaje experimental y los
resultados que este arroje. Asumiendo que el
transistor es un nodo, se aplica la ley de las
corrientes de Kirchhoff LCK, arrojando como
resultado:
��=��+�� (1)
De igual forma, aplicando la ley de las
tensiones de Kirchhoff (LTK) sobre el
transistor, se obtiene:
���+���+���=0 (2)
Ahora, si se estudia la tensión que hay en
cada nodo del transistor (ver figura 4), los
valores de la ecuación 2 se pueden obtener de
la siguiente manera:

Figura 5. Tensiones en el transistor.
Para el montaje de emisor común (EC) la
tensión VE es cero, por ende, las ecuaciones
quedan reescritas de la siguiente manera:
{���=��
���=��−��
���=��} (3)
Cuando se está trabajando bajo la conexión
de emisor común, se debe introducir un factor
β denominado ganancia de corriente de
emisor común. Este factor es una pro-piedad
de cada transistor y por lo general opta en un
valor en el rango de 50 a 1000.
En base al factor de ganancia de emisor
común, es posible obtener una ecuación que
relacione las corrientes que pasan por el
transistor. Esta ecuación es la que se muestra
a continuación:
I C =β I B
(4)
Con base a la ecuación anterior, es posible
entender por qué con una pequeña corriente
de base se produce una corriente mucho
mayor de colector.
Al igual que en el análisis de diodos, en los
transistores se plantean dos aproximaciones
del potencial emisor-base. La primera
aproximación considera a un transistor ideal,
por ende dice que la diferencia de potencial de
la base-emisor es cero (VBE = 0). Esta
aproximación es usada con el fin de agilizar
cálculos, pero no es recomendable cuando se
tienen fuentes de base muy pequeñas; de ahí
a que se considere la segunda aproximación,
la cual recomienda que VBE = 0,7 para
transistores de silicio y VBE = 0,3 para
transistores de germanio.
2.1. Curvas características del
transistor
Existen varias curvas características del
transistor que nos ayudan a graficar sus
parámetros, entre esas curvas tenemos:
2.1.1. Curva característica VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los
efectos que producen las variaciones de la
tensión de polarización VBE sobre la corriente
de base IB. Estas gráficas reciben el nombre
de curvas características de transferencia. Las
curvas que se obtienen son muy similares a la
de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente
constantes, por lo que serán de gran ayuda
para localizar averías en circuitos con
transistores.
La función que liga VBE con IB es la
característica de un diodo, y puede aplicarse
dado que la unión base - emisor, es una pn
normal, igual que la de diodo, y al polarizarla,
seguirá el mismo comportamiento que aquel.
Figura 6. Curva característica VBE-IB
La curva representada en la figura sigue la
expresión:
2.1.2. Curva característica VCE-IC
Esta curva característica también es conocida
como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensión e intensidad del
colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para
diferentes valores constantes de la corriente
base.
Figura 7. Curva característica VCE-IC
Idealmente, en la Región Activa, la corriente
de colector depende exclusivamente de la de
base, a través de la relación IC=β+IB. Por lo
tanto, en el plano VCE-IC la representación
estará formada por rectas horizontales
(independientes de VCE) para los diversos
valores de IB (en este caso se ha representado
Para IB=0, la corriente de colector también
debe ser nula. La región de corte está
representada por el eje de abscisas. Por
contra, para VCE=0 el transistor entra en
saturación, luego esta región queda
representada por el eje de ordenadas.
Hasta aquí se presenta la característica ideal,
pero como era de esperar, la realidad es un
poco más compleja, y las curvas quedarán
como representa la siguiente figura:
Figura 8. Curva real VCE-IC
En la Región Activa la corriente del colector no
es totalmente independiente de la tensión
colector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia
interna del transistor.
La región de saturación no aparece
bruscamente para VCE=0, sino que hay una
transición gradual. Típicamente se suele
considerar una tensión de saturación
comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la
forma de funcionamiento del transistor. Se
puede comprobar que, para una tensión
constante de colector-emisor, si se producen
pequeñas variaciones de la corriente de base
(del orden de µA) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho
más elevadas (del orden de mA), de lo cual se
deduce la capacidad del transistor para
amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas,
la tensión VCE afecta muy poco a la corriente
de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado
(por encima de VCEO), la unión del colector
entra en la región de ruptura y éste puede
llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión
VCE es muy pequeña (por debajo de los 0.7V),
la corriente de colector será muy débil,
obteniéndose una ganancia de corriente muy
baja. En conclusión, para conseguir que el
transistor trabaje como amplificador de
corriente, la tensión de polarización inversa
VCE debe mantenerse por encima de 0.7V y
por debajo de la tensión de ruptura.

2.1.3. Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del

transistor trabajando con una determinada
resistencia de carga y averiguar el punto de
funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos
la recta de carga del transistor en las curvas
de colector para poder determinar los puntos
de funcionamiento.

Para determinar la corriente que circula por el

colector (emisor común), podemos aplicar la
ley de Ohm entre los extremos de la
resistencia de carga RL. La tensión aplicada a Figura 9. Recta de carga de un transistor
esta resistencia se corresponderá con la
El punto de corte es donde la línea de carga
tensión total aplicada por la fuente V CC menos
corta a la curva correspondiente a la corriente
la caída de tensión que se produce entre el
de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa
colector y el emisor VCE. De esta forma
polarización directa a que queda sometido el
obtendremos la siguiente expresión, que se
diodo de emisor-base, la corriente que
corresponderá con la ecuación de la recta de
aparece por el colector es prácticamente nula
carga:
(sólo circula una pequeñísima corriente de
fuga ICEO). Haciendo una aproximación, se
puede decir, sin equivocarse mucho, que el
punto de corte se da en la intersección de la
Para dibujar esta recta sobre la curva recta de carga con el eje horizontal, es decir
característica, lo primero que hay que hacer cuando VCecorte=VCC.
es encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).

Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva

característica de colector, obtendremos la
recta de carga para una determinada
resistencia de carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir
tres partes fundamentales: puntos de corte,
punto de saturación, punto de trabajo.
Figura 10. Zona de trabajo de un transistor.
El punto de saturación aparece donde la
línea de carga corta a la intensidad de base de
saturación. En este punto, la corriente de
colector es la máxima que se puede dar para
la operación de transistor, dentro de los límites
de la recta de carga. Haciendo una
aproximación, se puede decir que el punto de
saturación aparece en la intersección de la
recta de carga con el eje vertical, es decir,
cuando:
Para corrientes de base superiores a la de
saturación se produce también el efecto de
saturación en el transistor.
El punto de trabajo es aquél donde el
transistor trabaja de una forma normal y que,
normalmente, se encuentra entre la zona de
corte de saturación. Para determinar el punto
de trabajo (Q) de transistor para una
determinada corriente de base (IB), se busca el
punto de intersección de la recta de carga con
la curva correspondiente a dicha corriente de
base.
2.1.4. Obtención de la Ganancia a
partir de las curvas
características
Figura 11. Ganancia de un transistor
La ganancia en corriente de un transistor se
definía como la relación que se da entre la
variación de la corriente del colector y la
variación de corriente de base. Para
determinar dicha ganancia se puede recurrir a
las características del colector.
Como ejemplo, supongamos que las curvas
características del transistor ensayado es la
que se muestra en la figura de la izquierda.
Para un punto de funcionamiento situado en
VCE=20V, la intensidad de colector variará
entre IC=28mA e IC=43mA, mientras que la
intensidad de base lo hará entre IB=0.10mA e
IB=0.15mA. La ganancia se calcula así:
Hemos de tener en cuenta que punto de
funcionamiento se encuentra trabajando el
transistor, es decir, la tensión que se le está
aplicando al mismo, y con ello, la ganancia
calculada, será para esa tensión de trabajo,
siendo para otra, otra ganancia diferente de la
calculada en otro punto.
3. METODOLOGÍA
Los elementos electrónicos que se usaron en
esta experiencia fueron los siguientes:
- 2 resistencias de 1KΩ.
- 1 transistor 2N3904.
- 1 Fuente.
- 1 Multímetro.
El montaje que se realizó es el que se ilustra a
continuación:
 0,61 0,61 0,0016 0,265 9,66
0,62 0,62 0,0024 0,399 9,6
0,63 0,63 0,0031 0,562 9,43
0,64 0,64 0,0048 0,901 9,1
0,65 0,65 0,007 1,354 8,68
0,66 0,66 0,0092 1,881 8,12
0,68 0,67 0,0148 1,955 7,01
10 0,7 0,68 0,025 4,82 5,11
0,71 0,69 0,0382 7,36 2,7
0,71
0,715 5 0,055 9,59 0,442
0,73 0,73 1,03 9,79 0,052
0,74
0,75 5 2,94 9,86 0,068
0,765 0,76 5,41 9,92 0,06
0,5 0,5 0 0,0045 10
0,5 0,5 0 0,0046 14,93
0,55 0,55 0 0,028 14,91
0,6 0,6 0,0013 0,202 14,71
0,61 0,61 0,0015 0,276 14,65
0,62 0,62 0,0026 0,399 14,59
0,63 0,63 0,0034 0,621 14,29
Figura 12. Montaje del circuito usado. 0,64 0,64 0,0052 0,947 13,97
0,65 0,65 0,0082 1,625 13,27
Paso seguido, se ajustó la fuente del colector. 0,65
0,655 5 0,015 3,478 11,4
Luego, se hizo variar la fuente de base de 0V 14,93 0,67 0,67 0,0235 4,89 9,97
hasta 0,9V y se tomaron los voltajes. Lo 0,68 0,68 0,0335 6,83 8
0,69 0,69 0,0488 9,55 5,33
anterior se repitió para diferentes voltajes de 0,7 0,7 0,0625 11,95 2,95
fuente de colector, donde también se variaron 0,72
0,729 5 0,1 14,59 0,359
los rangos de voltaje de la fuente de base. Los 0,74
datos obtenidos en las mediciones se 0,748 5 1,26 14,77 0,106
0,75
muestran tabulados en la tabla 1. 0,757 5 2,633 14,78 0,087
0,76
0,767 5 4,7 14,79 0,0765
0,803 0,8 14,04 14,79 0,066
Tabla 1. Resultados obtenidos de la práctica.
4. RESULTADOS Y ANALISIS
Como primer resultado experimental, se
Los valores obtenidos para los valores de
determinará cuál es la ganancia promedio de
voltaje en cada punto del circuito se presentan
un transistor, luego este valor será comparado
en la tabla a continuación.
con el valor que se midió con ayuda del
V CC VB V BE V RB V RC V CE multímetro el cual fue β=202 .
0,5 0,5 0 0,0037 5
0,55 0,55 0,0003 0,022 4,99 Para determinar la ganancia, nos basamos en
0,60
0,601 1 0,0012 0,178 4,83 la ecuación 4 mostrada en el marco teórico,
0,61 0,61 0,0017 0,251 4,76 primero se calculan las corrientes que circulan
0,62 0,62 0,0023 0,365 4,65
0,62 por las resistencias base y colector, luego se
0,626 6 0,003 0,459 4,55 hace la división correspondiente y se obtiene
0,63 0,63 0,0032 0,535 4,47
0,64 0,64 0,0045 0,804 4,21 el valor promedio de ganancia.
5 0,65 0,65 0,0063 1,17 3,83
0,66 0,66 0,0093 1,753 3,267
0,67 0,67 0,0123 2,357 2,668 I C =β I B
0,68 0,68 0,0182 3,466 1,56
0,69 0,69 0,0252 4,65 0,361
0,7 0,7 0,232 4,9 0,104
0,71 0,71 0,814 4,94 0,0717 V
0,72 0,72 1,659 4,95 0,0578 V =IR , luego I=
0,73 0,73 4,04 4,96 0,0465 R ; Entonces:
0,5 0,5 0 0,0045 10
0,55 0,55 0 0,0291 9,98
0,598 0,59 0,0012 0,196 9,9
8
 V RC V RB 0
IC = Y I B=
Rc Rb , finalmente 0
tenemos 0

IC 0
β=
I B , donde la ganancia total será 0
0
n
β 0
∑ ni
i=1 0
0 f(x) = 0 exp( 53.03 x )
La ganancia promedio del capacitor es
entonces: 0
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75
V CC V BE IC IB β
Gráfica 1. Curva característica experimental
0,6 0,000202 0,0000013 155,384615 del transistor VBE-IB para 5V.
0,61 0,000276 0,0000015 184 0.01
0,000399 0,0000026 153,461538
0,62
14,93 0,63 0,000621 0,0000034 182,647059 0.01
0,64 0,000947 0,0000052 182,115385
0,65 0,001625 0,0000082 198,170732 0
0,655 0,003478 0,000015 231,866667
0,67 0,00489 0,0000235 208,085106 0
0,68 0,00683 0,0000335 203,880597
0,69 0,00955 0,0000488 195,696721 f(x) = 0 exp( 52.1 x )
0,7 0,01195 0,0000625 191,2 0
0,725 0,01459 0,0001 145,9
n
β 0
∑ ni 186,03
i=1
0
Tabla 2. Valor de ganancia experimental del 0.56 0.61 0.66 0.71 0.76 0.81
transistor.
Gráfica 2. Curva característica experimental
β Teórico β Experimental de error del transistor VBE-IB para 10V.

202 186,03 7,904

Tabla 3. Comparación entre los valores de
ganancia teóricos y experimentales.

Se puede observar que el valor de la ganancia

obtenido por los datos experimentales nos da
muy cercano al valor de ganancia propio del
transistor, con un valor menor al 8%.

Hallando la curva característica del transistor

VBE-IB, tenemos:
0.02
0.01
0.01 f(x) = 0 exp( 48.5 x )
0.01
0.01
0.01
0
0
0
0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85

Gráfica 3. Curva característica experimental

del transistor VBE-IB para 14,93V.
Figura 13. Circuito simulado en Multisim para
5V.
Mediante esta curva podemos determinar los
efectos que producen las variaciones de la
0
tensión de polarización VBE sobre la corriente
de base IB. Conocidas como curvas 0
características de transferencia. Las curvas
0
que se obtienen son muy similares a la de un
diodo cuando se polariza directamente. 0

Debido a que el multímetro que se utilizó para 0

f(x) = 0 exp( 14.95 x )
la experiencia estaba bajo de batería, este 0
tomó una referencia diferente, por lo cual los
0
valores tomados se encontraban desfasados
de los reales, sin embargo al calcular el 0
desfase probando con otro multimetro, se
0
modificaron los datos, estos sirven para
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
ilustrarnos la forma de esta gráfica. En las
figuras 1-3 se aprecia el cambio transicional
(casi asintótico) del transistor; en este caso en Gráfica 4. Curva característica teórica del
valores después de 0,7V debido a lo que se transistor VBE-IB para 5V.
mencionó anteriormente.

Esta experiencia se simulo para obtener las

curvas características teóricas del transistor,
se simuló en el programa Multisim, puesto
que en este se puede variar la ganancia, lo
que nos permite obtener resultados más
cercanos y exactos al de la experiencia de
laboratorio.

Los resultados obtenidos de la simulación, se

presentan a continuación.
Figura 14. Circuito simulado en Multisim para 0
10V.
0
0 0
0 f(x) = 0 exp( 21.21 x )
0
0
0 0
f(x) = 0 exp( 21.99 x )
0 0
0 0
0
0
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
0
0 Gráfica 6. Curva característica teórica del
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 transistor VBE-IB para 14,93V.

Gráfica 5. Curva característica teórica del En las gráficas teóricas, obviamente, se

transistor VBE-IB para 10V. aprecia de una manera más clara, la forma de
esta curva característica, asintótica al llegar a
0,7V como en una gráfica para un diodo.

Comparando las gráficas teóricas y

experimentales, obtenemos:

0
Figura 15. Circuito simulado en Multisim para
14,93V. 0

0
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75

Gráfica 7. Curva característica teórica del

transistor VBE-IB para 5V. Curva azul-
Experimental, Curva roja-Teórica.
0
Como se puede observar, los valores de la
0
curva experimental discrepan ligeramente de
0 la curva teórica, lo que nos permite concluir
que la experiencia para la obtención de la
0 curva se realizó en buenas condiciones.

0 En esta práctica se pudo determinar otra curva

característica, la cual nos permitió a qué valor
0 mínimo de IB comenzaba la conducción en el
0 transistor.

0
Ib vs Ic (5V)
0.01
0
0.560.58 0.6 0.620.640.660.68 0.7 0.720.74 0.01

0
Gráfica 8. Curva característica teórica del
transistor VBE-IB para 10V. Curva azul- 0
Experimental, Curva roja-Teórica.
0
0 0

0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 Gráfica 10. Curva característica experimental

del transistor IB-IC para 5V.

0
Ib vs Ic (10V)
0.01
0
0.01

0 0.01

0.01
0
0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0

Gráfica 9. Curva característica teórica del 0

transistor VBE-IB para 14,93V. Curva azul-
Experimental, Curva roja-Teórica. 0
0 0 0 0 0 0 0
Gráfica 11. Curva característica experimental Las curvas IB-IC teóricas se muestran a
del transistor IB-IC para 10V. continuación.

Ib vs Ic (14,93V) IB-IC (5V)

0.02 0.01

0.02 0
0
0.01
0

0.01 0
0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0
Gráfica 13. Curva característica teórica del
Gráfica 12. Curva característica experimental transistor IB-IC para 5V.
del transistor IB-IC para 14,93V.

Como se puede apreciar, el transistor no

conduce para cualquier valor de IB, la línea
IB-IC (10V)
que se aprecia relativamente vertical, muestra 0.01
la zona de corte del transistor y la curva que
se aprecia horizontal muestra la zona de 0.01
conducción del transistor. Si se hubiese
0.01
tomado mayor número de datos, se podría
haber conseguido la zona de saturación para
0
el transistor, donde el valor de I C no variaría
por más que se aumentase IB, obteniendo así, 0
otra curva vertical para valores diferentes de I B
y un valor aproximadamente constante para I C. 0
Las curvas realmente no son verticales, 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
realmente son una función lineal entre I B-IC, al
ser valores muy pequeños los de I C no Gráfica 14. Curva característica teórica del
apreciamos esta relación lineal. Si calculamos transistor IB-IC para 10V.
los valores de pendiente para la zona de corte
en cada gráfico, obtenemos:
IB-IC (14,93V)
Gráfico 1 1773340,27
0.02
Gráfico 2 172503,02
Gráfico 3 111819,30 0.01
Tabla 3. Valores de pendiente para cada 0.01
gráfico. 0.01
0.01
Notamos que dicha relación tiende a infinito 0.01
(un valor demasiado elevado), lo que explica 0
el porqué de la verticalidad aparente de 0
nuestra curva. 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0
Gráfica 15. Curva característica teórica del
transistor IB-IC para 14,93V.
En la gráfica para IB-IC teórica se aprecia de
una manera más clara lo que se planteó
anteriormente, en la zona de corte del
transistor, existe una relación lineal entre la
corriente de base y la corriente del colector,
que graficado con las demás zonas del
transistor se aprecia como una curva más
vertical, dado a los valores de corriente de
colector del orden de los micro-amperios. En
las gráficas teóricas no se ilustra la zona de
conducción del transistor dado que el
programa en que se simuló nuestro circuito,
no arrojaba voltajes mayores a los
presentados, pero nos deja aclarar muchos
puntos explicados.
Si calculamos de igual forma la pendiente para
la zona de corte en cada gráfico teórico,
obtenemos:
Gráfico 1 130395,097
Gráfico 2 112777,715
Gráfico 3 107250,107
Tabla 3. Valores de pendiente para cada
gráfico.
Se concluye al igual que las gráficas teóricas,
que su valor de pendiente tiende a infinito, lo
que explica la verticalidad aparente de
nuestras gráficas, en las teóricas no se
aprecia dicha verticalidad, puesto que solo se
muestra la zona de corte, y por tal nos
muestra mejor la relación lineal entre la
corriente de base y la del colector.
En está practica no se pudo calcular la curva
real VCE-IC puesto que para trazarla se hacía
necesario el empleo de dos fuentes, en donde
pudiéramos variar los valores de VCC
manteniendo una IB constante (VBB constante).
Teóricamente se conoce la forma de esta
curva, tal como se muestra en el marco
teórico, pero habría sido más ilustrativo
realizar una comparación teórica-experimental
de esta curva, con fines académicos.
5. CONCLUSIONES
Aunque los transistores pueden tener igual
referencias en el mercado, sus propiedades
constructivas acarrean cambios exagerados
en su funcionamiento y en su comportamiento,
por lo que puede decirse, que la curva para
cada transistor es diferente, de igual forma,
pero valores únicos para cada transistor. Se
logró apreciar la estrecha relación que este
dispositivo guarda con respecto a un montaje
equivalente de diodos y sus semejanzas en el
comportamiento que estos ilustran en sus
curvas características.
Fue importante durante la experiencia verificar
los terminales del transistor, aunque cada
encapsulado nos dice de qué manera van
organizados los terminales, es importante
verificarlos, esto se hace de una manera muy
sencilla para un BJT NPN:
- Se ubica la punta positiva en el primer
terminal, la negativa se coloca en los
demás puertos, se mira en donde
marca o donde no.
- Se coloca el negativo donde marcó y
se coloca el positivo en los otros dos
terminales, se mira donde marca, y se
repite el paso 1.
- Se verifica que marque en los dos
otros terminales.
- Donde marca mayor es el emisor.
- Donde marca menor es el colector.
- El punto en común es la base.
De esta manera se evita caer en el error de
confiar en la configuración de fábrica, ya que
pueden existir transistores defectuosos.
BIBLIOGRAFÍA
I. Sedra, A. Smith, K. (2006). Circuitos
micro electrónicos. 5 Ed. Mc Graw Hill.
México.
II. Malvino Albert, Bates David.
Principios de electrónica, España,
 McGraw-Hill/Interamericana de México, McGraw-Hill/Inter-americana
España, 1999, p. 1099. Editores, 2004, p. 1051
III. Alexander Charles, Sadikus Matthew.
Fundamento de Circuitos Eléctricos,