UNIVERSIDAD PEDAGÓGICA Y TECNOLÓGICA DE COLOMBIA

PRUEBAS DESTRUCTIVAS DE DIODOS

SEMICONDUCTORES
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Ingeniería Electrónica
Área Potencia
Presentado Al ingeniero: Josie Estiben Rodríguez

ABSTRACT 𝑉𝑠 𝑟𝑚𝑠 = 48𝑉(2)

This practice became different tests diodes as a Ya que se cuenta con unos transformadores que
half-wave rectifier, 3 circuits which have brindan este voltaje. Antes de realizar el diseño se
different connections of diodes, these circuits debe tener en cuenta las características del diodo
you will be looking for a diode that meets some 1n4148 mostradas en la Fig. 1. Se trabaja con este
proposed requirements were implemented. In the diodo ya que el propuesto por la guía no se logró
first circuit a diode in series with the load, as obtener, por esto se tuvo que modificar algunos
half-wave rectifier, this rectifier design is parámetros de diseño.
performed to fulfill some requirements for
optimum performance and one that is damaged
by peak inverse voltages shown. In the second
circuit configuration we have a diode in series,
where he also performed the design to function
properly, the strategy of this circuit is to handle
Fig. 1. Datasheet del diodo 1n4148
very high voltages one diode can not stand,
because the voltage is divided in several diodes Con estos parámetros límites que coloca el
and finally in the third circuit a circuit with datasheet, se puede observar que para que
diodes in parallel for high current, where the funcione correctamente el diseño se elige una
strategy of this is very similar to the series circuit corriente pico de (3), donde la corriente DC o
and which is also responsible for protecting the promedio seria (4) y la corriente rms se obtendría
diode is proposed and current It is divided into de la siguiente manera (5).
different branches. If you handle more current
than driving a diode be damaged by burning
element design precautions were taken in each
𝐼𝑝 = 400𝑚𝐴 (3)
case and what can happen if not taken into
account to explain. 400𝑚𝐴
𝐼0 = = 127.324𝑚𝐴 (4)
ANALISIS DE RESULTADOS 𝜋
𝐼𝑝 400 𝑚𝐴
1. PRUEBA DE RUPTURA POR VOLTAJE 𝐼𝑟𝑚𝑠 = = (5)
2 2
INVERSO
𝐼𝑟𝑚𝑠 = 200 𝑚𝐴
Se realiza el diseño de un rectificador monofásico
de media onda con la especificación de que la Para completar el diseño se procede a hallar la
corriente promedio a través de la 𝑅𝐿 sea de resistencia con la ecuación (6)
500mA, con un funcionamiento normal del diodo
𝑉𝑆𝑃 = 48𝑉 ∗ √2
a) En el diseño se identifican los valores de
corriente DC, RMS y voltaje de pico inverso en el 𝑉𝑆𝑃 = 67.88 𝑉
diodo. Se modifica el valor propuesto de la fuente
−𝑉𝑠 + 𝑉𝑑 + 𝑉𝑜 = 0
de (1) a (2)
−𝑉𝑠 + 𝑉𝑑 + 𝑉𝑜 = 0
𝑉𝑠1 𝑟𝑚𝑠 = 26𝑉 (1)
𝐼𝑝 𝑅 = 𝑉𝑠 − 𝑉𝑑
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𝑉𝑠 − 𝑉𝑑
𝑅= (6)
𝐼𝑝

67.88 𝑉 − 0.7𝑉
𝑅=
400 𝑚𝐴
𝑅 = 167.95 Ω

Al realizar el diseño se procede a simular el

circuito como se observa en la Fig. 2 en ORCAD,
donde se realizara una simulación para comprobar
los datos obtenidos. La Fig. 3 muestra la corriente
pico que circula por el rectificador monofásico Fig. 4. Voltaje en R1 del circuito.
comprobando que efectivamente están los 400mA 40V

que se plantearon en el diseño, en la Fig. 4 Se

observa que el voltaje en la resistencia es el
mismo de la fuente en cada semiciclo positivo ya 0V

que en este el diodo queda polarizado en directo y

se comporta como un corto circuito, cuando hay
un semiciclo negativo el diodo se comporta un -40V

circuito abierto es decir el voltaje en el diodo

estaría representado por los semiciclos positivos
del voltaje de entrada como se ve en la Fig. 5. -80V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
V(D1:AN,D1:CAT)
Time

Fig. 5. Voltaje del diodo en el rectificador

monofásico

Al hacer las simulaciones se procede a

implementar el circuito de la Fig. 2 y con la ayuda
de los osciloscopios Tecktonix y los multímetros
Fig. 2. Retificador monofásico de media onda se obtienen los valores experimentales, donde en
400mA
la Fig. 6 se puede observar el voltaje en la carga
del circuito monofásico y en la Fig. 7 el voltaje de
300mA
pico inverso, el comportamiento es similar al
obtenido en la simulación realizada anteriormente
200mA
donde el diodo conduce en el semiciclo positivo y
en el semiciclo negativo se puede observar el
100mA
voltaje de pico inverso en el diodo.

0A
En la tabla que se observa en la Fig. 8 se detalla la
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
I(D1:AN)
Time
corriente DC y el voltaje experimental al igual que
Fig. 3. Corriente pico del circuito monofásico sus valores teóricos, el error experimental de la
corriente es de un 10%, este error se puede
presentar ya que las resistencias no son de
precisión, y además de esto el voltaje tomado del
transformador vario hasta 3 voltios del valor que
se había tomado en los cálculos el error del voltaje
pico experimental y teórico fue de un 6%, esto
también se debe a que el voltaje en el diodo es
mayor a los 0.7 que se maneja
convencionalmente.
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presenta una atenuación del elemento, donde esta

es la forma en la que representa orcad que el diodo
no está funcionando en sus parámetros
correspondientes, en este caso se está
sobrepasando el voltaje de pico inverso del diodo.

En la fig. 10 se observa el voltaje en la carga

donde efectivamente se observan picos en la parte
de la onda negativa que se rectifica, confirmando
Fig. 6 Voltaje en la carga del circuito monofásico nuevamente que no son los parámetros adecuados
(osciloscopio Tecktonix). para el correcto funcionamiento del circuito.

Fig. 9. Circuito monofásico con un nuevo voltaje

Fig. 7. Voltaje en el diodo rectificador monofásico
de 105vrms
o voltaje de pico inverso, con Osciloscopio
Tecktonix 160V

100V

0V

Fig. 8. Error porcentual con las corrientes y

voltajes experimentales en el circuito monofásico -50V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
V(R1:2)
Time

b). se cambia el valor de la fuente a 105Vrms y se

modifica la resistencia para que siga pasando una Fig. 10. Voltaje en la carga del circuito de la Fig.
corriente pico de 400mA 9
40V

𝑉𝑠 𝑟𝑚𝑠 = 105𝑉, 𝑉𝑃 = 155.56𝑉

𝐼𝑜𝑝 = 400𝑚𝐴 -0V

Con la ecuación (6) se puede hallar la resistencia

donde -50V

155.56 𝑉 − 0.7𝑉
𝑅=
400 𝑚𝐴 -100V

𝑅 = 390.65 Ω
-140V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms

La nueva resistencia para el circuito es de 390.65 V(V1:+,R1:2)

Time

Ω.
Fig. 11. Voltaje de pico inverso en el circuito
Se puede observar en la Fig 11. Que el circuito no monofásico.
está rectificando correctamente, en la simulación
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El diodo al ser implementado se observa que polariza de la siguiente manera 𝑉1 = 110 𝑉𝑟𝑚𝑠 =
aunque se encuentre con una corriente apropiada, 155.56 𝑉, en la Figura xx se tiene el circuito
si se sobrepasa el voltaje pico se presenta un daño equivalente a implementar.
en el elemento dividiéndose en dos ya que si GAP
aumenta demasiado hasta causar este daño. El Como se debe de garantizar que la corriente de
voltaje máximo de pico inverso que soporta el carga sea de 500 mA, se utiliza la fórmula de la
diodo es de 75V, y se le suministraron 155.56V corriente promedio, y se analiza el
pico en inverso. comportamiento de los diodos tanto en el semi-
ciclo positivo cuyo periodo va desde 0 hasta π,
c). En los resultados obtenidos al comparar los donde el diodo se comporta como corto circuito y
circuitos de los puntos a y b; fig. 2 y fig. 9 va a quedar la resistencia de carga con la fuente, y
respectivamente, se encontró que en el primer en el negativo que va desde π hasta 2π, donde el
circuito (fig 2) el voltaje en el semi-ciclo positivo diodo se comporta como circuito abierto y el
es rectificado totalmente y que el diodo trabaja en circuito equivalente será la fuente en serie con las
condiciones normales, por el contrario en el resistencias, se realiza el procedimiento
circuito de la fig. 9 al aumentar el voltaje de la matemático con el fin de hallar el valor de la
fuente, el voltaje pico inverso del circuito aumenta resistencia de carga utilizando la ecuación
hasta tal punto que el diodo se daña y no permite
un buen funcionamiento del circuito, ya que el 500 𝑚𝐴
diodo solo soporta un voltaje pico inverso de 75 y 1 𝑉𝑚 𝜋
= ( ∫ sin(𝑤𝑡) 𝑑𝑤𝑡
la fuente está dando un voltaje de 155.56V, al 2𝜋 𝑅𝐿 0
2𝜋
ocurrir esto podemos observar en la Fig. 12 un 𝑉𝑚
+ ∫ sin(𝑤𝑡) 𝑑𝑤𝑡 ) (7)
pico inverso superior al recomendado para nuestro 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + 𝑅𝐿 𝜋
diodo, y el voltaje es atenuado ya que el diodo no
está en su óptimo funcionamiento; generando 1 2 𝑉𝑚 2𝑉𝑚
500 𝑚𝐴 = ( − )
daños al diodo. 2𝜋 𝑅𝐿 660 𝐾Ω + 𝑅𝐿

d). Ahora se quiere implementar el circuito de la 𝑉𝑚 𝑉𝑚

500 𝑚𝐴 = ( − ) (8)
Fig. 13, en donde se debe de analizar la cantidad 𝜋𝑅𝐿 𝜋(660 𝐾Ω + 𝑅𝐿 )
adecuada de diodos en serie para que este
funcione correctamente, para esto se determina el De esta ecuación (8) se despeja 𝑅𝐿 , obteniendo
número de resistencias que se van a emplear y la una ecuación de segundo grado, de la cual se
resistencia de carga para que la corriente despejan los 2 posibles valores de 𝑅𝐿
promedio sea de 500 mA. 𝑅𝐿 (1) = −600099 Ω

𝑅𝐿 (2) = 99.01 Ω

Se asume el valor de 𝑅𝐿 (1) ya que es un valor de

resistencia positivo y el otro es negativo,
conociendo el valor de la resistencia de carga se
realiza la simulación del circuito equivalente con
el fin de tener un acercamiento del
Fig. 13. Circuito en serie con distribución de comportamiento que va a adoptar el circuito al
voltaje momento de ser implementado, en la Fig. 14 se
observa el circuito implementado en orcad.
Para facilitar el proceso se hace que el voltaje que
cae sobre cada diodo sea el mismo, para esto se
dejan que los valores de las 3 resistencias sean los
mismos, 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 200 𝐾Ω, se escogen
los diodos 1N4148 ya que estos, poseen una
corriente máxima y un voltaje en inverso máximo
que permiten trabajar sin que estos se dañen y
funcionen correctamente, para este circuito se
Fig. 14. Circuito equivalente simulado en orcad.
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Se da una señal de entrada de 155.56 voltios, tal y comportamiento del sistema, inicialmente se verá
como se puede ver en la Fig. 15 en donde la señal la respuesta que toman los 3 diodos del circuito
de color verde representa la señal de entrada del ante la señal de entrada, en la Fig. 18, se tiene el
sistema, y la señal de color rojo representa el comportamiento del diodo 1, en la Fig. 19 el del
voltaje que se ve sobre la resistencia de carga, diodo 2, y en la Fig. 20 Se tiene el
como se observa se obtiene un rectificador de comportamiento del diodo 3, como se observa
media honda en el semi-ciclo positivo, y cuando la tienen un comportamiento similar, ya que las
señal de entrada se encuentra en el semi-ciclo resistencias son iguales y se presenta una
negativo el valor en la salida es de cero. distribución igual de voltaje, donde en la señal de
200V entrada está en el ciclo positivo los diodos
100V muestran el valor del voltaje al cual trabaja, en
0V estas 3 figuras se observa el comportamiento de
-100V
los 3 diodos y los valores a los que están
-200V
0s
V(R3:1)
20ms
V(R1:2)
40ms 60ms 80ms 100ms 120ms 140ms 160ms 180ms 200ms trabajando.
Time

Fig. 15. Señal de entrada (línea verde), señal en

la carga (línea roja).

En la Fig. 16 se tiene la señal en la carga por

aparte en donde se tiene un mayor acercamiento,
en donde se ve claramente que solo los diodos
conducen solo en el ciclo positivo de la señal de
entrada y en el negativo vale cero.
200V

100V
Fig. 18. Comportamiento del diodo 1.
0V

-100V
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms 120ms 140ms 160ms 180ms 200ms
V(R1:2)
Time

Fig. 16. Señal en la carga.

Teniendo un acercamiento del comportamiento

del circuito gracias a las gráficas arrojadas por la
simulación, se procede a implementar el circuito
para observar el comportamiento del circuito
como tal, primero se toma la Fig. 17 en donde se
tiene la onda de entrada y los valores que esta
Fig. 19. Comportamiento del diodo 2.
tiene.

Fig. 17. Señal de entrada del sistema. En el Fig. 20. Comportamiento del diodo 3.
osciloscopio
Conociendo el comportamiento de cada uno de los
Se aplica la señal de entrada del sistema en el diodos por separado, se pasa a conocer el
montaje de la Fig. 14, para observar el comportamiento de los 3 diodos al mismo tiempo,
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como se observa en la Fig. 21 siguen actuando en
la zona positiva de la señal de entrada, mientras
que en el ciclo negativo de la señal de entrada vale
cero, además se observa que el valor resultante es
la suma de los valores de los valores de cada
diodo como se puede ver en la siguiente figura.
Fig. 21 Señal de los 3 diodos
Conociendo el comportamiento de los 3 diodos
del sistema, es bueno saber cuál es la respuesta
que hay sobre la carga del circuito, en la Fig. 22 se
ve que el comportamiento de la señal es el mismo
comportamiento que la señal de los diodos con la
diferencia de que los valores incrementan esto
debido a que se suma el valor del voltaje que cae
sobre la carga.
Fig. 22. Señal de la carga del circuito
Por último se mide la corriente del circuito
obteniendo un valor de 0.444 A como se puede
ver en la Fig. 23, en donde este valor está muy
cercano a los 500 mA que se pedían al inicio del
ejercicio, este desfase puede ser ocasionado por la
tolerancia de las resistencias.
Fig. 23. Medición de la corriente del circuito.
2. PRUEBA DE RUPTURA POR SOBRE
CORRIENTE
a). Este circuito se diseñó con la finalidad de que
la corriente de carga fuera igual a 1A, sin embargo
en el datasheet la corriente recomendada es de
450 mA lo que ocasiona daños en el diodo, ya que
sobrepasa a la corriente recomendada, esto quiere
decir que aunque el voltaje de pico inverso sea
controlado de acuerdo a los parámetros, una
corriente muy alta puede ocasionar daños en el
diodo, es necesario tener en cuenta estos
parámetros en el momento de diseñar
Para esta prueba se realizó el diseño adecuado de
tal manera que a través del circuito pasara una
corriente de 1A ya que el reóstato que se utilizara
soporta una corriente menor a la que se plantea en
la guía, se utiliza con el fin de que soporte grandes
potencias, para esto se halló la resistencia con la
ecuación (6) quedando una de
𝑅𝐿 = 18.56 Ω
Manejando un voltaje en la fuente de
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 44 𝑉
Para que el diodo no sufra daños por voltajes de
pico inverso
En la Fig. 24 no se observa la ruptura de corriente
ya que ORCAD no cuenta con estos parámetros,
pero se puede comprobar que está fluyendo un
voltaje pico adecuado y una corriente de 1A.
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𝐼𝑟𝑚𝑠 = 1.57 𝐴

Se busca un número de diodos en paralelo

teniendo presente que la corriente máxima del
diodo es de 450 mA. Tomando una cantidad de 8
diodos como se observa en los cálculos (9) a
continuación.
𝐼𝑝 3.1416 𝐴
𝐼𝐷𝑝 = = (9)
Fig. 24. Circuito monofásico para que fluya una 8 8
corriente de 1A 𝐼𝐷𝑝 = 392.7 𝑚𝐴
60

Se toman resistencias de 10 Ω ya que con esta

cantidad de resistencias y este valor se puede
utilizar los 8 diodos propuestos anteriormente. Se
40 halla el voltaje del diodo con la ecuación (10)

𝑅 = 10 Ω

20
𝑉𝐷𝑝 = 𝑅 ∗ 𝐼𝐷𝑝 (10)

𝑉𝐷𝑃 = 10 Ω ∗ 392.7 𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑝 = 3.92 𝑉 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑝𝑖𝑐𝑜

0
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms
I(D1:AN) V(R1:2)
Time
𝑉𝐷𝑜 = 1.25 𝑉 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜
Fig. 25. Voltaje y corriente del nuevo diseño para 𝑉𝐷 𝑟𝑚𝑠 = 5.554 𝑉
que pase una corriente de 1ª
Con la diferencia entre el voltaje pico y el del
Al implementar el circuito de la Fig 23. Se diodo (10), en la carga se está dejando pasar
observa que el diodo sufre daño produciendo una 58.29V
ruptura en su empaquetadura, dividiéndose en dos
con una pequeña explosión, esto se debe a que 𝑉𝑅𝐿𝑝 = 𝑉𝑃 − 𝑉𝐷𝑝 (1)
como ya se había mencionado anteriormente la
corriente suministrada por el diodo era superior a 𝑉𝑅𝐿𝑝 = 62.22 𝑉 − 3.92 𝑉
la que se proponía como máxima en el datasheet
𝑉𝑅𝐿𝑝 = 58.29 𝑉
b).
Y la resistencia a utilizar para el diseño es de
Se realiza un diseño con diodos en paralelo para 18.56 Ω, donde se halla con la ecuación (10)
que el circuito funcione correctamente con una
𝑉𝑅𝐿𝑝
corriente en la carga de 1A, se reduce la corriente 𝑅𝐿 = (10)
propuesta ya que con 2A se aumenta la cantidad 𝐼𝑝
de diodos. 58.293 𝑉
𝑅𝐿 =
𝐼0 = 1𝐴, 𝐼𝑝 = 3.1416 𝐴 3.1416 𝐴
𝑅𝐿 = 18.56 Ω
𝑉𝑠 𝑟𝑚𝑠 = 44𝑉
Como se observa en la Fig. 26 se simula el
𝑉𝑆𝑃 = 44𝑉 ∗ √2 circuito en ORCAD para observar su
𝑉𝑆𝑃 = 62.22 𝑉 comportamiento teórico.

𝐼𝑝 3.1416 𝐴
𝐼𝑟𝑚𝑠 = =
2 2
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Fig. 26. Conexión de diodos en paralelo en un
rectificador monofásico
Al realizar la simulación se obtienen las gráficas
de la Fig. 27 Donde esta muestra la corriente pico
que pasa por la carga que es de 3.1416
cumpliendo con los parámetros de diseño, se
observa que se presentan solo semiciclos ya que
estas se presentan cuando el diodo esta en directo,
la corriente en el diodo es de 392.7mA, esta es
adecuada ya que es menor de la que soporta el
diodo.
En la Fig. 28 se observa el voltaje de los diodos y
el voltaje en la carga, en esta grafica se puede
observar claramente que cuando conduce el diodo
se observa un voltaje en la carga y cuando no
conduce en el semiciclo negativo el diodo se
comporta como circuito abierto, soportando el
voltaje.
Este circuito se utiliza con el fin de rectificar una
señal con corrientes altas, siendo una estrategia
dividir la corriente por los diferentes diodos.
4.0A
3.0A
2.0A
1.0A
0A
0s
I(R10)
10ms
I(D3:AN)
20ms 30ms 40ms
Time
Fig. 27. Corriente en los diodos (grafica roja) y
corriente en la carga (grafica azul)
80V
40V
0V
-40V
-80V
0s
V(R4:1)
10ms
V(D2:AN,R2:2)
20ms 30ms
Time
40ms 50ms 60ms
Fig. 28. Voltaje en los diodos (grafica azul)
voltaje en la carga (grafica roja)
PREGUNTAS:
 ¿Cuáles son los problemas que se
generan al conectar diodos en paralelo o
en serie, y cuáles son las soluciones
posibles?
Un solo diodo conectado en serie no
puede dar la especificación de un circuito
de alto voltaje ya que no soportan el
voltaje requerido, para evitar esto se hace
necesario conectar más diodos en serie,
por su parte se realizan montajes de
diodos en paralelo para aumentar la
capacidad de conducción de corriente, a
fin de llenar las especificaciones de
corriente deseadas.
 ¿Qué desventaja tiene el circuito de la
figura 3 de la guía de laboratorio?
La desventaja que tiene el circuito de la
Figura 3 de la guía de laboratorio es que
al estar conectados en paralelo pueden
garantizar la condición de tener 2I pero al
estar en paralelo las cargas hacen que el
voltaje se divida y la corriente se dividirá
50ms 60ms
en el número de diodos además que al
estar en paralelo no permite realizar la
prueba de destrucción.
 Si los diodos están conectados en serie
con igual repartición de voltaje, ¿Por qué
difieren las corrientes de fuga de los
diodos?
La corriente de fuga en serie difieren en
los diodos debido a la resistencia interna
de los diodos ocasiona que las corrientes
difieran además los diodos al soportar
bajas corrientes se almacena la corriente
tota en los diodos del circuito.
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CONCLUSIONES

 El diodo conduce cuando se encuentra

polarizado en directa, y en inversa se
comporte como un circuito abierto
soportando el voltaje de este.
 Al realizar un diseño de cualquier
circuito es primordial tener en cuenta la
hoja de especificaciones de los elementos
a usar para limitar los parámetros de
funcionamiento y así los elementos
funcionen correctamente.
 Un circuito en paralelo se da uso cuando
se quiere rectificar una señal, que maneja
corrientes muy elevadas, la estrategia
consiste en dividir la corriente por cada
una de las ramificaciones
 En un circuito en serie se garantiza que la
caída de voltaje se divida entre los diodos
asegurando un buen rendimiento del
circuito ya que el voltaje de entrada se
divide en el número de diodos, es utiliza
esta estrategia para manejar voltajes
elevados que no soporten los diodos.
 Conocer la potencia a la cual trabajan los
elementos del circuito garantiza un
óptimo funcionamiento ya que algunos
elementos trabajan a potencias muy
elevadas