UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

EXTENSIÓN LATACUNGA

INGENIERÍA AUTOMOTRIZ

INFORME DE LABORATORIO
DIODO SEMICONDUCTOR

ELECTRÓNICA GENERAL

Docente:
Ing. PAOLA MARITZA VELASCO SANCHEZ

Nombres:
Alvarado Paul
Chamorro Edwin
Díaz Jefferson
Iza Alexander

OCTUBRE – FEBRERO

LATACUNGA – ECUADOR
Tema
Diodos semiconductores.

Objetivo General
Determinar el funcionamiento del diodo semiconductor.

Objetivos Específicos
- Aprender a utilizar los diferentes equipos del laboratorio.
- Medir los valores de los diferentes diodos.
- Comparar los valores realizados en cálculos y los datos de la medición.
Marco teórico
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de
la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente
circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica, sino
que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una a
favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización
inversa).

Figura Nº1: Estructura del diodo semiconductor.

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor

tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando una tensión positiva se
aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al
lado P y los electrones fluyen a través del material P más allá de los límites del
semiconductor.

De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al
lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado
P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son
empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en
consecuencia no hay corriente. El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

 Polarización Directa
 Polarización Inversa
Los semiconductores más comunes de sólo un elemento son el silicio, el germanio y el
carbón. Los semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio (GaAs) y el
fosfuro de indio, también son de uso común. Los semiconductores de un solo elemento
están caracterizados por átomos con cuatro electrones de valencia.

Los diodos solo permiten que la corriente fluya en una dirección, y siempre son
polarizados. Un diodo tiene dos terminales. El lado positivo se llama ánodo y el lado
negativo se llama cátodo.

Figura Nº2: Polaridad del diodo semiconductor.

La corriente en un diodo solo puede ir del ánodo al cátodo, lo cual explica porque es
importante que un diodo esté conectado en el sentido correcto. Cada diodo debe tener
algún tipo de indicación física ya sea en el pin del ánodo o en el pin del cátodo.
Generalmente, el diodo tiene una línea cerca del pin del cátodo, la cual es parecida a la
línea vertical en el símbolo del diodo.
 Materiales y equipo
MATERIALES CARACTERÍSTICAS CANTIDAD GRÁFICO
Multímetro Es un instrumento eléctrico portátil 1
para medir directamente
magnitudes eléctricas activas,
como corrientes y potenciales
(tensiones).
Fuente de alimentación Ayuda en el trabajo para colocar el 1
CD voltaje e intensidad que
necesitamos.

Protoboard es empleada para realizar pruebas 1

de circuitos electrónicos,
insertando en ella componentes
electrónicos y cables como puente.
INSUMOS CARACTERÍSTICAS CANTIDAD GRÁFICO
Diodo de Silicio Semiconductor de silicio voltaje de 2
0.7 v

Diodo de Germanio Semicinductor de germanio voltaje 1

de 0.3 v

Diodo led (rojo) 1.8 a 2.2 v 1

Resistencias 680 Ω, 2.2 𝐾Ω, 1𝐾Ω, 0.33𝐾Ω 1

Instrucciones
- Verifique que cuenta con todos los materiales indicados en la guía de
laboratorio.
- Verifique el funcionamiento de los equipos a utilizar en la práctica.
- Mantenga el orden en su mesa de trabajo.

Práctica
Arme el circuito que se muestra en la figura y determine
1)

Voltaje en el diodo de silicio: 0.658 [V]

Voltaje en el diodo de germanio: 0.2773[V]
Voltaje Vo: 9.773[V]
Corriente I: 969.56μA

2)
Voltaje en el diodo led: 2.0604[V]
Voltaje Vo: 9.317[V]
Corriente ID: 13.655mA
Corriente IR: 0.021mA

Voltaje en el diodo de silicio: 0.683[V]

 3)

Voltaje en el diodo de germanio:

0.2655[V]
Voltaje Vo: 4.7847[V]
Corriente en la resistencia IR: 0.43μA
Corriente en los diodos ID: Si: 8.93 μA
Ge: 404.11 μA

Voltaje en el diodo de silicio: 0.6459[V]

Datos obtenidos mediante formulas

Practica 1

Voltaje en el diodo de silicio: 0.658 [V]

Voltaje en el diodo de germanio: 0.2773 [V]
Voltaje Vo: 9.773[V]
Corriente I: 969.56μA
 𝑉𝐷𝐺𝑒 = 0.3𝑉
𝑣0 = 10 − 0.3𝑉

𝑣0 = 9.7 𝑉

𝑉
𝐼=
𝑅
9.7 𝑉
𝐼=
1 𝐾Ω

𝐼 = 970 μA

Practica 2

Voltaje en el diodo led: 2.0604[V]

Voltaje Vo: 9.317[V]
Corriente ID: 13.655mA
Corriente IR: 0.021mA
Voltaje en el diodo de silicio: 0.683[V]

𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑠𝑖 − 𝑉𝑙𝑒𝑑

𝐼𝑅 =
𝑅
4.7𝑉 − 0.7𝑉 − 1.8𝑉
𝐼𝑅 =
680Ω
𝐼𝑅 = 0.0139𝐴
𝑉𝑜 = 𝐼𝑅 ∗ R
𝑉𝑜 = 0.0139𝐴 ∗ 680Ω
𝑉𝑜 = 9.45𝑉
 1.8𝑉
𝐼𝐷 =
680𝐾Ω
𝐼𝐷 = 2.6470𝑚𝐴

Practica 3

Voltaje en el diodo de germanio: 0.2655[V]

Voltaje Vo: 4.7847[V]
Corriente en la resistencia IR: 0.43μA
Corriente en los diodos ID: Si: 8.93 μA
Ge: 404.11 μA
Voltaje en el diodo de silicio: 0.6459[V]

MALLA 1

𝑉𝐷𝑆𝑖 = 0.7𝑉
𝑉𝐷𝐺𝑒 = 0𝑉

MALLA 2

𝑉𝐷𝐺𝑒 = 0.3𝑉

𝑉𝑜 = 𝑉 − 𝑉𝐷𝐺𝑒
𝑉𝑜 = 5𝑉 − 0.3𝑉
𝑉𝑜 = 4.7𝑉

𝑉𝑜
𝐼𝑅 =
𝑅
 4.7𝑉
𝐼𝑅 =
2.2𝐾Ω
𝐼𝑅 = 2.1363𝑚𝐴

0.7𝑉
𝐼𝐷𝑆𝑖 =
2.2𝐾Ω
𝐼𝐷𝑆𝑖 = 0.31818𝜇𝐴

0.3𝑉
𝐼𝐷𝐺𝑒 =
2.2𝐾Ω
𝐼𝐷𝐺𝑒 = 0.1363𝜇𝐴

Tabla comparativa entre datos obtenidos y datos calculados

Practica 1
Parámetro Valor Obtenido Cálculo Comparación
𝑉𝐷𝑆𝑖 0.658[V] 0.7𝑉 En el rango de
tolerancia
𝑉𝐷𝐺𝑒 0.2773 [V] 0.3𝑉 En el rango de
tolerancia
𝐼𝑜 969561μA 970𝜇𝐴 En el rango de
tolerancia
𝑉𝑜 9.773[V] 9.7𝑉 En el rango de
tolerancia

Practica 2
Parámetro Valor Obtenido Cálculos Comparación
𝑉𝐷𝐿𝑒𝑑 2.0604[V] 1.8𝑉 En el rango de
tolerancia
𝑉𝐷𝑆𝑖 0.683[V] 0.7𝑉 En el rango de
tolerancia
𝐼𝐷 13,655mA 2.6470𝑚𝐴 El valor obtenido es
mayor al calculado.
𝐼𝑅 0.021mA 0.0139𝐴 En el rango de
tolerancia
𝑉𝑜 9.317[V] 9.45𝑉 En el rango de
tolerancia
Practica 3
Parámetro Valor Obtenido Cálculos Comparación
𝑉𝐷𝐺𝑒 0.2655[V] 0.3𝑉 En el rango de
tolerancia
𝑉𝐷𝑆𝑖 0.6459[V] 0.7𝑉 En el rango de
tolerancia
𝐼𝐷 Si: 8.93 μA 0.31818𝜇𝐴 El valor obtenido es
Ge: 404.11 μA 0.1363𝜇𝐴 diferente al calculado.

𝑉𝑜 4.7847[V] 4.7𝑉 En el rango de

tolerancia
𝐼𝑅 0.43μA 2.1363𝑚𝐴 El valor obtenido es
diferente al calculado..

Conclusiones
 Se concluye que los valores obtenidos de los diodos tienen una cierta diferencia
con los obtenidos en la práctica.
 Los valores de los voltajes son bastante similares a los de los cálculos y los de las
prácticas.
 Los valores de las resistencias varían en relación de los obtenidos con los de la
práctica

Recomendaciones
 Tener en cuenta la polaridad de los diferentes diodos
 Conectar de una manera correcta los circuitos en el protoboard
 Tener precaución con el uso del multímetro y de la fuente de alimentación para
una correcta medición.
 Trabajar con los diferentes cables en orden para su correcto funcionamiento.

Bibliografía
1. ROBERT L. BOYLESTAD LOUIS NASHELSKY, Electrónica: teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos, Décima Edición, Ed. Pearson
2. Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrónicos, Octava Edición, Ed. Pearson
Anexos