UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS “ESPE”

Integrantes: Obando Saúl, Pazmiño Yozef, Radrigán Ludwig

Introducción emisor a través de la carga. Si

consideramos una corriente de 5mA a
Los microcontroladores son dispositivos través de R1 y una ganancia en Q1 de
muy importantes en la mayoría de 110, la corriente de colector puede llegar
equipos actuales, no pueden manejar a los 550mA dependiendo de la carga.
tensiones e intensidades más allá de los Cuanto mayor sea la ganancia del
5V y 50mA, aproximadamente. Es tan transistor bipolar, tanto mayor será la
cierto como que, cuando el sistema que corriente colector-emisor.
controla dicho micro, requiere de una
potencia mediana a gran potencia, a
todos nos recuerda la necesidad de
disponer de un elemento, driver o
manejador de potencia para mover el
sistema bajo control.

DRIVER
La mayoría de dispositivos eléctricos y
electrónicos requieren tensiones y
corrientes que destruirán los circuitos
digitales, por tanto, en términos
generales, debemos confiar dicha labor Fig 1. TRANSISTOR BIPOLAR
a los llamados circuitos controladores o
drivers. Además, si utilizamos un transistor
Darlington, que tienen una ganancia
Normalmente una salida de un muy alta y por tanto requieren menor
microcontrolador, puede tener tres corriente de base. Gracias a su mayor b
estados (alto, bajo y alta impedancia), (beta). Si cada transistor (del Darlington)
naturalmente al proyectar un driver tiene una ganancia de 100, la ganancia
tenemos que tener en cuenta este total sería de 100 X 100 = 10000, con
detalle. De modo que, en primer lugar, esto obtendremos una mayor corriente
se debe proteger la patilla de salida del de colector-emisor.
microcontrolador, mediante una
resistencia, limitando la corriente que
circulará por dicha patilla.
El circuito conductor más común para
controlar una carga, se compone de un
transistor NPN bipolar, en el cual
uniremos la masa analógica y la masa
digital.
En la siguiente figura, tenemos una
entrada alta, procedente de un
dispositivo digital, mediante R1
limitaremos la corriente (normalmente Fig 2. TRANSISTOR BIPOLAR DARLINGTON
entre 1K y 5KΩ) que, atacará la base del
transistor Q1, entre base-emisor del
transistor Q1, provoca un flujo de
corriente en el circuito de colector-
 UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS “ESPE”

Integrantes: Obando Saúl, Pazmiño Yozef, Radrigán Ludwig

Problema 1 30
𝑤𝑡 = 72,8° + 𝑠𝑖𝑛−1 ( ) = 92°
99.8
UN DIAC con una tensión de ruptura de ± 30V se
utiliza en un circuito de atenuación de luz como se b) El rango de potencia de salida controlable con una
muestra en la figura. Si R es variable de 1kΩ a 22kΩ y resistencia de carga de 10Ω
C = 47nF, ¿cuáles son los retrasos máximos y
(𝑉)2 2𝛼 − 𝑠𝑒𝑛(2𝛼)
mínimos de disparo? ¿Cuál es el rango de potencia 𝑃𝑂 = {1 − }
𝑅 2𝜋
de salida controlable con una resistencia de carga de
10Ω? Potencia mínima 𝛼 = 92° = 1.6⁡𝑟𝑎𝑑⁡

Solución 2402 2 × 1,6 − 𝑠𝑒𝑛(2 × 1.6°)

𝑃𝑂 = {1 − }
10Ω 2𝜋
El voltaje del capacitor Vc = 2862𝑊
𝑗
− Potencia máxima 𝛼 = 13,5° = 0,24⁡𝑟𝑎𝑑⁡
𝑉𝑐 = 𝑤𝐶 × 240 < 0°
𝑗
𝑅−
𝑤𝐶 2402 2 × 0,24 − 𝑠𝑒𝑛(2 × 0,24)
𝑃𝑂 = {1 − }
10Ω 2𝜋
1
𝑉𝑐 = × 240 < 0°
1 + 𝑗𝑤𝐶𝑅 𝑃𝑜 = 5536𝑊

Para una resistencia de R=1K Ω Problema 2

𝑉𝑐 = 237,36 < −8,4° CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIÓN EN PARALELO.

Acoplamiento DC. Unipolares
Voltaje máximo es
Suponer datos para lo necesario.
𝑉𝑐 = 237,36 × √2 < −8,4°

𝑉𝑐 = 335,38 × sin⁡(𝑤𝑡 − 8.4°)

El diac conduce cuando el Vc=30 V

Por lo cual el mínimo desfase sería igual a

𝑑𝑒𝑠𝑓𝑎𝑐𝑒⁡𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜

30 𝑅2 =?
𝑤𝑡 = 8.4° + 𝑠𝑖𝑛−1 ( ) = 13.5°
335.8
𝑅1 =?
𝐼1 =?
𝑉𝐵𝐸𝑎𝑙𝑚𝑎𝑐𝑒𝑛𝑎𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜
• 𝑅2 = 𝐼𝐵𝑎𝑙𝑎𝑚𝑐𝑒𝑛𝑎𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜
(1)
𝑉𝐵𝐸𝑜𝑛 (𝑇𝐴 )
• 𝐼𝐵𝑜𝑛 = 𝐼1 − 𝑅2
Para una resistencia de R=22K Ω (2)

𝑉𝑐 = 70,6 < −72,8, ° • 𝑉𝐵𝐵 = −𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 (𝑇𝐵 ) + 𝑅1 ∗ 𝐼1 +

Voltaje máximo es 𝑉𝐵𝐸𝑜𝑛 (𝑇𝐴 ) (3)

𝑉𝑐 = 70,6 × √2 < −72,8, °

𝑉𝑐 = 99,8 × sin⁡(𝑤𝑡 − 72,8°)

El diac conduce cuando el Vc=30 V

Por lo cual el mínimo desfase sería igual a

Desfase mínimo