MECATRONICA AREA AUTOMATIZACION.

ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES.

TEMA:
MATERIALES SEMICONDUCTORES

TSU. FRANCISCO JAVIER PEDRAZA CORTEZ.

GRUPO:
4A3M

ING. TEODULO RAMIREZ PRADO.

Contenido
I. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES ........................................................................... 1
a) CONCEPTO DE SEMICONDUCTOR ............................................................................................................................... 1
TIPOS DE SEMICONDUCTORES Y DESCRIPCION DE SU COMPORTAMIENTO .................................................................. 2
a) SEMICONDUCTOR TIPO N ........................................................................................................................................... 2
b) SEMICONDUCTOR TIPO P............................................................................................................................................ 3
c) SEMICONDUCTOR TIPO UNION PN ............................................................................................................................. 5
ESTRUCTURA ATOMICAS DE SEMICONDCUTORES ELEMENTALES ................................................................................. 7
a) SILICIO ......................................................................................................................................................................... 7
b) GERMANIO .................................................................................................................................................................. 7
c) BORO ........................................................................................................................................................................... 8
d) GALIO .......................................................................................................................................................................... 8
e) FOSFORO ..................................................................................................................................................................... 9
f) CARBONO .................................................................................................................................................................... 9
CARACTERISTICAS BASICAS DE SEMICONDUCTORES INTRINSECOS ............................................................................... 9
a) MATERIAL INTRINSECO ............................................................................................................................................... 9
b) SEMICONDUCTOR INTRINSECO ................................................................................................................................ 10
c) CONDUCTIVIDAD ELECTRICA DE SEMICONDUCTORES INTRINSECOS....................................................................... 11
CARACTERISTICAS BASICAS DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS............................................................................. 11
a) CONCEPTO DE DOPAJE.............................................................................................................................................. 11
b) MATERIAL EXTRINSECO............................................................................................................................................. 12
c) SEMICONDUCTOR EXTRINSECO ................................................................................................................................ 12
d) CONDUCTIVIDAD ELECTRICA DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS ...................................................................... 13
II. PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES ............................................................................................ 14
a) DESCRIBIR LAS PROPIEDADES BASICAS DE LOS SEMICONDUCTORES Y SUS UNIONES PN ....................................... 14
III. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES ................................................................... 15
a) CONCEPTO DE SUPERCONDUCTIVIDAD .................................................................................................................... 15
b) TIPOS Y CARACTERISTICAS FISICAS Y ELECTRICAS DE LOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES .............................. 16
c) ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES ................................................................... 18
 I. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
a) CONCEPTO DE SEMICONDUCTOR

Una definición a prioridad de lo que se entiende por un semiconductor no es simple. Si bien, la

diferencia entre conductores (o metales) y aislantes se basa simplemente en el concepto de facilidad
de conducción eléctrica que los localiza en los extremos de la escala de resistividad eléctrica, un
semiconductor no puede ser simplemente definido como los metales con resistividad intermedia. Tan
sutil ha resultado tal definición simplista que:

Mas tarde ha sido necesario acuñar

denominaciones como las de semimetal y
semiaislante para designar materiales que no
ajustan exactamente a lo que se entiende por los
tres tipos anteriores.

Un material puede cambiar de un tipo a otro, ya

que la resistividad cambia con la temperatura.

Un material originalmente clasificado como

aislante puede disminuir por muchos ordenes
magnitud su resistividad y medianamente
conducir, debido al efecto de ciertos atomos,
impurezas o defectos estrucutrales.

Un punto de partida interesante en el desarrollo del concepto de semiconductor lo proporciona el

estudio de las bandas de energía de los solidos, ya que el numero de electrones disponibles para la
conducción eléctrica-base de la conductividad eléctrica, y de ahí de las clasificaciones de los
materiales eléctricos- es evidenciado por la forma y estructura de las bandas de energía. La banda de
energía prohibida es una característica propia de cada tipo de material. Un semiconductor puede
definirse como un material cuya banda de energía prohibida se encuentra entre 0 y el 3 eV de ancho.
El valor cero corresponde a los metales, mientras valores mayores que 3 eV corresponden a materiales
aislantes. Sin embargo, esta definición tiene sus excepciones, ya que por ejemplo el diamante presenta
características semiconductoras, pero su banda de energía prohibida es de 6eV.
El valor cero del ancho de energía prohibida significa que las bandas de conducción y de valencia se
traslapan, formando en apariencia, una banda muy ancha con un numero relativamente
grande(comparado al caso de aislantes y semiconductores ) de electrones (~10^23 electrones/cm^3)
y de estados permitidos de energía. En tal caso, la conducción eléctrica en respuesta a un campo
eléctrico aplicado es grande y la resistividad muy pequeña. El material es entonces un metal o
conductor.
En el caso de las banda de conducción y valencia no se traslapen existen variantes que van desde el
carácter conductor hasta el aislador. El carácter conductor ocurres si la banda de conducción esta

1
parcialmente llena con los electrones de la ultima orbita. Bajo un campo eléctrico aplicado, estos
electrones se pueden mover fácilmente y la resistividad del material es baja.

TIPOS DE SEMICONDUCTORES Y DESCRIPCION DE SU COMPORTAMIENTO

a) SEMICONDUCTOR TIPO N

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso

de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor
para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en
este caso negativos o electrones).

Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más

débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es también conocido como material donante, ya
que da algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.

Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los
átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con
cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla periódica —p. ej., fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb), se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro
enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de
"electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que
"dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está
lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
eléctrica neta final de cero. Un semiconductor de tipo N tiene un exceso de electrones libres en su
estructura atómica. Este exceso de electrones se debe al proceso de dopado a que ha sido sometido
el semiconductor intrínseco mediante la adición de sustancias pentavalentes como el arsénico, fósforo,
bismuto o antimonio.

Para ver esto con detalle, fíjate en la ilustración que hemos desarrollado. Vemos en ella como el cristal
semiconductor acepta en su estructura al átomo de arsénico (por ejemplo) mediante los enlaces
covalentes de cuatro de sus electrones de valencia, quedando un electrón libre por cada átomo de la
impureza.

Este electrón extra, debido a la debilidad de su unión a la estructura de enlaces covalentes del
semiconductor (algo parecido al electrón de conducción del átomo de cobre), llega a convertirse en un
electrón libre dentro del cristal ya que no interviene en los enlaces mencionados.
Al ceder un electrón a la estructura atómica del semiconductor, a este tipo de impurezas pentavalentes
se les conoce como impurezas donadoras, y a sus átomos como átomos donadores. Este electrón

2
libre creado artificialmente no produce ningún hueco en los enlaces del cristal, ya que todos los que
podrían ser huecos en la estructura están ocupados con sus respectivos electrones.

La cantidad de electrones libres que nos interese crear en la pieza del cristal semiconductor
intrínseco podemos controlarla ajustando el número de átomos de la impureza que vayamos a
agregarle.

Hemos de recordar que aunque el cristal sea de tipo N, debido a la energía térmica a que estará
sometido se seguirán produciendo huecos, un hueco por cada par electrón-hueco generado por este
motivo, aunque a temperatura ambiente y de forma muy contrastada en mucha menor cantidad que
los electrones libres creados mediante el dopado.

Al haber muchos más electrones que huecos en un semiconductor de tipo N, a los primeros
(electrones) se les llama portadores de carga mayoritarios y a los segundos (huecos) portadores de
carga minoritarios.

Este detalle, el hecho de que en un semiconductor de tipo N sigan existiendo algunos huecos,
deberemos de tenerlo muy en cuenta en lo sucesivo. Cuanto mayor sea la temperatura, mayor será el
número de huecos que se creen en el cristal, y esto debemos controlarlo para que no se nos vaya de
las manos.

b) SEMICONDUCTOR TIPO P
Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor
para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en
este caso positivos o huecos).

Cuando se añade el material dopante libera los electrones más

débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este
agente dopante es también conocido como material aceptor y los
átomos del semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo
tetravalente (típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de
valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un
hueco producido que se encontrará en condición de aceptar un electrón libre.

Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un
protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como
una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos
superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro(B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

3
Un semiconductor de tipo P sería idéntico a uno de tipo N si no fuera porque la impureza agregada no
es pentavalente sino trivalente. Es decir, el semiconductor de tipo P tiene un exceso de huecos debido
a la contaminación por boro, galio o indio, elementos que solo tienen tres electrones en su órbita de
valencia.

También aquí hemos adjuntado una ilustración para que lo veas claro. Observa en ella como en este
caso el semiconductor intrínseco acepta en su estructura al átomo de galio (por ejemplo) mediante
tres enlaces covalentes. Sin embargo, uno de los electrones de un átomo del semiconductor se queda
"cojo" (valga la expresión) y no llega a enlazarse, por lo que se crea un hueco en su estructura debido
a la impureza agregada.
El hueco vacante creado genera una tremenda atracción de aquellos electrones cercanos a él, para
así alcanzar la estabilidad y poder completar el enlace covalente de la estructura cristalina. Por este
motivo, se considera a los huecos como portadores con carga positiva.

Como los átomos de los elementos trivalentes generan huecos ávidos por captar electrones, a este
tipo de impurezas se le conoce como impurezas receptoras, y a sus átomos como átomos receptores.

El hecho de haber creado artificialmente huecos en la estructura cristalina del semiconductor no

implica que se hayan creado también electrones libres, es decir, que mediante este proceso se crean
solo huecos y ni un solo electrón libre.

Tal y como ocurre en el cristal de tipo N, podemos controlar el número de huecos generados ajustando
la cantidad de impurezas añadidas a la estructura del semiconductor intrínseco, obteniendo de esta
manera el nivel de dopado que más nos interese.

También en este caso, la energía térmica influye en el semiconductor de tipo P produciendo pares
electrón-hueco, por lo que siempre existirán en él algunos electrones libres, aunque en comparación
con los huecos creados por el dopado y a temperatura ambiente su cantidad es insignificante, por lo
que en un principio no suponen un problema.

No obstante, como ya hemos advertido en el caso del semicondutor

de tipo N, cuanto mayor sea la temperatura mayor será el número de
electrones creados, uno por cada par electrón-hueco, por lo que es
importante tener esto presente a la hora de usar elementos
semiconductores.

Por razones obvias, en el caso de los semiconductores de tipo P, a

los huecos se les conoce como portadores de carga mayoritarios,
mientras que los electrones ejercen el papel de portadores de carga
minoritarios.

4
 c) SEMICONDUCTOR TIPO UNION PN

Para comprender la conducción de corrientes en los semiconductores, debemos entender primero

como funciona la unión P-N, es decir la unión de un semiconductor tipo P donde hay huecos libres y
un semiconductor tipo N donde hay electrones libres.
La unión P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unión P-N los electrones
y los huecos se mueven respectivamente hacia la unión de los dos materiales porque polaridades del
mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica al material tipo P repele los huecos y estos
cruzan la unión hacia el material tipo N, y así cada hueco encuentra un electrón y de esta forma las
cargas se neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unión hacia el material tipo P y sucede lo
mismo, los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que
entran en la unión P-N. Entonces si se aplica el voltaje positivo al material tipo P y el voltaje negativo
al tipo N la corriente fluye y es lo que nosotros llamamos polarización directa. Cuando invertimos este
voltaje los huecos y electrones son
atraídos a cada terminal y se alejan de
la unión, lo que hace que las
partículas cargadas no puedan pasar
la unión y de esta forma el flujo de
corriente se anula, esto es lo que
conocemos como polarización
inversa. Esta propiedad de dejar
pasar o bloquear la corriente en un
semiconductor de unión P-N no solo
se usa en los diodos sino también en los transistores.

Supongamos que conectamos un trozo de material semiconductor extrínseco a una batería. La

corriente en cada tipo de semiconductor (N o P) se establece mediante mecanismos distintos, tal y
como hemos visto antes en el caso del semiconductor intrínseco solo que a niveles mucho más
elevados dado el mayor número de portadores de carga.

Por ejemplo, en el semiconductor de tipo N la corriente obtenida es fruto casi exclusivamente del
movimiento de los electrones libres en la banda de conducción, ya que dichos electrones son
los portadores mayoritarios en ese tipo de cristal. En este caso los huecos practicamente no
intervienen, o mejor dicho, lo hacen en una proporción insignificante.

Algo parecido, pero mediante portadores de carga distintos, ocurre en el caso del semiconductor de
tipo P. En este tipo de cristal la corriente se establece casi de manera única por el desplazamiento
relativo de huecos en la banda de valencia. Recordemos que lo que en realidad establece la corriente
aquí son los electrones de valencia al desplazarse de átomo en átomo (no como electrones libres), lo
que se asimila como un "desplazamiento de huecos". En este último caso prácticamente no existe
corriente de electrones libres en la banda de conducción.

5
Ahora supongamos que cogemos un trozo rectangular de cristal puro y mediante técnicas
especiales lo dopamos, mitad con impurezas donadoras y la otra mitad con impurezas receptoras.
Obtenemos de esta manera un trozo de semiconductor extrínseco mitad tipo N y la otra mitad de tipo
P. Mira la ilustración para que te quede claro lo que decimos.

En el momento en que ambos tipos de impurezas entran en contacto en el interior del semiconductor
ocurre algo muy singular. Los electrones libres del cristal tipo N se difunden (se dispersan) hacia el
cristal tipo P atraidos por los huecos positivos de este, y comienzan a ocupar dichos huecos nada más
entrar en el cristal. Tenemos que entender que cuando un electrón libre de la región N penetra en la
región P se convierte en un portador minoritario que de pronto se encuentra rodeado de huecos por
todos lados. Ese electrón no va a tardar mucho en recombinarse con uno de esos huecos (portadores
mayoritarios en la región P). Es como si
soltáramos un ratón en un criadero de
gatos ¿cuanto tardaría el roedor en caer en la
boca de alguno de los felinos? Debido a esta
difusión comienzan a aparecer iones positivos
en la parte N, ya que muchos átomos se
quedan con un electrón de menos. Pero
también aparecen iones negativos en la parte
P debido a la llegada de electrones
procedentes de la parte N, los cuales ocupan
huecos vacantes en los átomos cercanos a la unión.

Pero esta "fuga" de electrones va perdiendo intensidad, ya que los iones creados en ambas partes del
cristal establecen una diferencia de potencial interna que poco a poco va imponiendo su ley,
presentando una oposición creciente al proceso de difusión por efecto del campo eléctrico generado.

Con cada electrón que cruza de la zona N a la zona P, el campo eléctrico va aumentando y cada vez
empuja más a los electrones para que permanezcan en la región N de origen, hasta que por fín llega
el equilibrio y el proceso finaliza. El campo eléctrico creado por los ionesen ambas partes de la
unión ha detenido la difusión de electrones.

Este campo eléctrico produce una diferencia de potencial interna en el cristal llamada "potencial de
barrera". Con temperatura ambiente normal, el potencial de barrera creado es de aproximadamente
0,3 voltios para uniones de germanio y de 0,7 voltios para uniones de silicio.

La región próxima a la unión se queda prácticamente sin portadores de carga, ya que a causa de
las contínuas recombinaciones casi no existen en ella ni electrones libres ni huecos. En contrapartida,
predominan los iones positivos en la región N y los negativos en la región P. Debido a esto, esta zona
se conoce como "región de empobrecimiento" o "zona de deplexión".

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ESTRUCTURA ATOMICAS DE SEMICONDCUTORES ELEMENTALES
a) SILICIO
El silicio es el segundo elemento del planeta más abundante, el primero es el oxígeno. Pertenece a la
familia de los carbonoideos en la tabla periódica. Tiene 14 electrones y 14 protones, pero en términos
de interés, solo nos interesan los 4 electrones que dispone en su
zona de valencia. Se presenta en la naturaleza de dos formas
distintas, una amorfa y otra cristalizada. En su forma amorfa tiene
un color marrón, en su variante cristalizada tiene forma de
octaedros de color azul grisáceo. Es más activo en su forma
amorfa que en su forma cristalizada.
Se utiliza para cerámicas, vidrios, esmaltados, semiconductor
electrónico, ladrillos, y en general, para muchos tipos de aleación
en la industria de la fundición. Otros usos derivados del silicio es
para fabricar siliconas, materiales abrasivos, láser y material
fertilizante. Como se puede observar, el silicio y sus derivados se
utilizan para casi todo. Entendemos como derivado, el carburo de
silicio, dióxido de silicio, etc. El silicio se presenta en la naturaleza
como arena, amatista, pedernal, jaspe, ágata, cuarzo, etc, esto en
lo referente al óxido de silicio. Como un silicato lo encontraremos
en el granito, arcilla, feldespato, entre otros.
Es resistente a los ácidos, pero reacciona bien con otros
elementos, los alcalinos.
Para poderlo utilizar, hay que calentarlo en un horno eléctrico con temperaturas superiores a los
3000°C. Aunque su pureza por este método es del 99%, cuando se necesita utilizar en componentes
electrónicos y placas fotovoltaicas, se tiene que realizar otro proceso adicional, nos referimos a un
tratamiento químico

b) GERMANIO
El germanio es un elemento químico. Su símbolo es Ge y su número atómico es el 32. Se usa para
construir amplificadores de guitarras eléctricas

Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso,

quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma
estructura cristalina que el diamante y resiste a los ácidos y álcalis.
Forma gran número de compuestos organometálicos y es un
importante material semiconductor utilizado en transistores y fotodetectores. A
diferencia de la mayoría de semiconductores, el germanio tiene una pequeña banda
prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiación infrarroja y
puede usarse en amplificadores de baja intensidad.

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 c) BORO
El boro es un elemento químico. Su símbolo es B y su número atómico es el 5. Este metaloide es un
elemento que no abunda en la naturaleza. La mayor fuente de boro son los boratos de depósitos
evaporíticos, como el bórax.

El boro es un elemento con vacantes electrónicas en el orbital; por ello presenta una acusada
apetencia de electrones, de modo que sus compuestos se comportan a menudo como ácidos de
Lewis, reaccionando con rapidez con sustancias ricas en electrones. Entre las características ópticas
de este elemento, se incluye la transmisión de radiación infrarroja. A temperatura ambiente, su
conductividad eléctrica es pequeña, pero es buen conductor de la electricidad a alta temperatura.

El nitruro de boro, un aislante eléctrico que conduce el calor tan bien como
los metales, se emplea en la obtención de materiales tan duros como
el diamante. El boro tiene además cualidades lubricantes similares al grafito y
comparte con el carbono la capacidad de formar redes moleculares mediante
enlaces covalentes estables.

d) GALIO
El galio es un elemento químico. Su símbolo es Ga y su número atómico es
el 31. Principalmente se emplea para la construcción de circuitos integrados y dispositivos
optoelectrónicos como diodos láser y LED.

El galio es un metal blando, grisáceo en estado líquido y plateado brillante al

solidificar, sólido deleznable a bajas temperaturas que funde a temperaturas
cercanas a la de la ambiente (como cesio, mercurio y rubidio) e incluso cuando se lo
agarra con la mano por su bajo punto de fusión (28,56 °C). El rango de temperatura
en el que permanece líquido es uno de los más altos de los metales (2174%nbsp;°C
separan sus punto de fusión y ebullición) y la presión de vapor es baja incluso a altas
temperaturas. El metal se expande un 3,1% al solidificar y flota en el líquido al igual
que el hielo en el agua.

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 e) FOSFORO
El fósforo es un elemento químico. Su símbolo es P y su número atómico es el 15. El fósforo es
importante para la agricultura, ya que forma los fosfatos empleados en la
producción de fertilizantes.

Es un no metal multivalente perteneciente al grupo del nitrógeno, que se encuentra en

la naturaleza combinado en fosfatos inorgánicos y en organismos vivos pero nunca en
estado nativo. Es muy reactivo y se oxida espontáneamente en contacto con
el oxígeno atmosférico emitiendo luz, dando nombre al fenómeno de
la fosforescencia.

Debido a su reactividad, el fósforo no se encuentra nativo en la naturaleza, pero

forma parte de numerosos minerales. La apatita es una importante fuente de fósforo,
existiendo importantes yacimientos en Marruecos, Rusia, los Estados Unidos y otros países.

f) CARBONO
El carbono es un elemento químico. Su símbolo es C y su número atómico es el 6. Es el elemento
fundamental de la química orgánica, se conocen cerca de 16 millones de compuestos de carbono,
aumentando este número en unos 500.000 compuestos por año. Dependiendo de las condiciones de
formación, puede encontrarse en la naturaleza en distintas formas alotrópicas, carbono amorfo y
cristalino en forma de grafito o diamante.

El principal uso industrial del carbono es como componente de hidrocarburos,

especialmente los combustibles fósiles (petróleo y gas natural). Del primero se
obtienen, por destilación en las refinerías, gasolinas, keroseno y aceites, siendo además
la materia prima empleada en la obtención de plásticos. El segundo se está imponiendo
como fuente de energía por su combustión más limpia.

CARACTERISTICAS BASICAS DE SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

a) MATERIAL INTRINSECO
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene
unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica.

En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se producen los electrones
libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la
corriente total es cero.

La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal
negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
En este applet podemos ver mediante una animación en que dirección se mueven los electrones y los
huecos en un semiconductor intrínseco. Cuando los electrones libres llegan la extremo derecho del
cristal, entran al conductor externo (normalmente un hilo de cobre) y circulan hacia el terminal positivo

9
de la batería. Por otro lado, los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirían hacia el
extremos izquierdo del cristal. Así entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al
extremo izquierdo del cristal. Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del
semiconductor.

b) SEMICONDUCTOR INTRINSECO
Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se
denomina semiconductor intrínseco. Los más empleados históricamente
son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo éste último el más empleado
(por ser mucho más abundante y poder trabajar a temperaturas mayores
que el germanio).
Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa
(electrones de valencia), que comparte con los átomos adyacentes
formando 4 enlaces covalentes. De esta manera cada átomo posee 8
electrones en su capa más externa., formando una red cristalina, en la
que la unión entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por
consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente, y el material en
circunstancias normales se comporta como un aislante.
Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que algunos
pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta manera, la
resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad aumenta). A
temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica
para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, se les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo
de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal
de silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga
positiva.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica a través
de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga negativa) y de los
huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un generador. Si se somete
el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas: una debida al
movimiento de los electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al desplazamiento
de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos,
originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo positivo de la
pila (cátodo), mientras que los huecos pueden considerarse como portadores de carga positiva
y se dirigen hacia el polo negativo de la pila, llamado ánodo (hay que considerar que por el
conductor exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos
sólo existen en el seno del cristal semiconductor).

10
 c) CONDUCTIVIDAD ELECTRICA DE SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
El interés del dopado es establecer un mejor control de la conductividad con la temperatura, de manera
que permita el diseño de dispositivos electrónicos en los que se puedan mantener las señales
eléctricas en un margen de temperaturas aceptables para los equipos electrónicos. La Ingeniería
Electrónica se sirve de los semiconductores intrínsecos, convirtiéndoles en extrínsecos por dopado
con impurezas, los cuales son utilizados como componentes sencillos: diodos, transistores, varistores,
células fotovoltaicas, células fotosensibles, emisores-receptores láser o circuitos integrados.
Los parámetros que influyen en la capacidad conductora de los semiconductores extrínsecos
comprobaremos que la temperatura es importante, pero está matizada por la concentración de agente
dopante

Intrínseco, en el que por efectos de agitación térmica, se incrementa la cantidad de nuevos pares
electrón-hueco. Este responde a mayores temperaturas.

Extrínseco, por el cual existe una concentración de portadores de carga libre mayoritarios
proporcionado por las impurezas al ionizarse. Este mecanismo es propio de temperaturas bajas y
ambientales Por analogía con lo desarrollado en cuestiones anteriores, la conductividad total será la
suma de las contribuciones intrínsecas y extrínsecas, ya que los portadores de carga libre pueden
provenir de la ionización de lo dopantes o los propios átomos del semiconductor. La conductividad
total será:

(8.42)

en la que los subíndices I y E hacen referencia a los mecanismos intrínsecos y extrínseco. Antes
debemos tener en cuenta que el material se encuentra en equilibrio térmico y también su población
de portadores de carga libre. La neutralidad de la carga en un semiconductor en equilibrio térmico
viene dada por la relación:

(8.43)

en la que ND, NA son las concentraciones de impurezas donantes y aceptoras respectivamente, de

manera que cuando se ionizan actúan de centros de carga fija, mientras que n y p representan las
concentraciones de portadores de carga libre. La otra ecuación de equilibrio es la de acción de masas.

CARACTERISTICAS BASICAS DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

a) CONCEPTO DE DOPAJE
En la producción de semiconductores, se denomina dopajeal proceso intencional de agregar
impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido
como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen
del tipo de semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un
semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es
llamado degenerado.

11
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras
de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes
(en el orden de 1 cada 100 000 000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero.
Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos) entonces se dice que
el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material
de tipo N, o P+ para material de tipo P.

El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras trabajaba para la Sperry
Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial. La demanda de su trabajo sobre el radar
durante la guerra no le permitió desarrollar más profundamente la investigación sobre el dopaje, pero
durante la posguerra se generó una gran demanda iniciada por la compañía Sperry Rand, al conocerse
su importante aplicación en la fabricación de transistores.

b) MATERIAL EXTRINSECO
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene
unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica.

En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se producen los electrones
libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la
corriente total es cero.

La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular hacia la derecha (del terminal
negativo de la pila al positivo) y a los huecos hacia la izquierda.

En este applet podemos ver mediante una animación en que dirección se mueven los electrones y los
huecos en un semiconductor intrínseco.

Cuando los electrones libres llegan la extremo derecho del cristal, entran al conductor externo
(normalmente un hilo de cobre) y circulan hacia el terminal positivo de la batería. Por otro lado, los
electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirían hacia el extremos izquierdo del cristal.
Así entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo izquierdo del cristal. Se
produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.

c) SEMICONDUCTOR EXTRINSECO
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de impurificación
(llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros elementos con el fin de aumentar su
conductividad. El semiconductor obtenido se denominará semiconductor extrínseco. Según la
impureza (llamada dopante) distinguimos:

12
Semiconductor tipo P : se emplean elementos trivalentes (3 electrones
de valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes.
Puesto que no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los
4 enlaces covalentes, en la red cristalina éstos átomos presentarán
un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa
manera se originan huecos que aceptan el paso de electrones que no
pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo P también se le
denomina donador de huecos (o
aceptador de electrones).

Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos

pentavalentes (con 5 electrones de valencia) como el Fósforo (P), el
Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en
exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se moverán fácilmente
por la red cristalina aumentando su conductividad. De ese modo, el
material tipo N se denomina también donador de electrones.

d) CONDUCTIVIDAD ELECTRICA DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

El interés del dopado es establecer un mejor control de la conductividad con la temperatura, de manera
que permita el diseño de dispositivos electrónicos en los que se puedan mantener las señales
eléctricas en un margen de temperaturas aceptables para los equipos electrónicos. La Ingeniería
Electrónica se sirve de los semiconductores intrínsecos, convirtiéndoles en extrínsecos por dopado
con impurezas, los cuales son utilizados como componentes sencillos: diodos, transistores, varistores,
células fotovoltaicas, células fotosensibles, emisores-receptores láser o circuitos integrados.
Los parámetros que influyen en la capacidad conductora de los semiconductores extrínsecos
comprobaremos que la temperatura es importante, pero está matizada por la concentración de agente
dopante.
Al examinar la figura 8.26, en la que se representa conductividad frente a temperatura,
observamos que en los semiconductores extrínsecos
se da un doble mecanismo conductor:

13
Extrínseco, por el cual existe una concentración de portadores de carga libre mayoritarios
proporcionado por las impurezas al ionizarse. Este mecanismo es propio de temperaturas bajas y
ambientales Por analogía con lo desarrollado en cuestiones anteriores, la conductividad total será
la suma de las contribuciones intrínsecas y extrínsecas, ya que los portadores de carga libre
pueden provenir de la ionización de lo dopantes o los propios átomos del semiconductor. La
conductividad total será:

(8.42)
en la que los subíndices I y E hacen referencia a los mecanismos intrínsecos y extrínseco. Antes
debemos tener en cuenta que el material se encuentra en equilibrio térmico y también su
población de portadores de carga libre. La neutralidad de la carga en un semiconductor en
equilibrio térmico viene dada por la relación:
(8.43)
en la que ND, NA son las concentraciones de impurezas donantes y aceptoras respectivamente, de
manera que cuando se ionizan actúan de centros de carga fija, mientras que n y p representan las
concentraciones de portadores de carga libre. La otra ecuación de equilibrio es la de acción de
masas.

II. PROPIEDADES DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

a) DESCRIBIR LAS PROPIEDADES BASICAS DE LOS SEMICONDUCTORES Y
SUS UNIONES PN
Los primeros dispositivos electrónicos activos que estudiamos en la asignatura de 4º ESO son
los diodos los cuales permiten el paso de corriente en un sentido, impidiéndolo en el otro. Dichos
dispositivos están formados por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una zona sea tipo
P (dopada con átomos con 3 electrones de valencia) y la otra de tipo N (dopados con átomos
pentavalentes). Las dos zonas semiconductoras están en contacto a través de la llamada unión PN.
Dicha unión PN es la base del funcionamiento de los diodos, transistores y tiristores, pero ¿como
funciona una unión PN? Os dejo aquí una animación del funcionamiento de un diodo de la página de
Absorb Electronics, donde podéis ver qué pasa al poner en contacto las dos zonas semiconductoras
(unión PN no polarizada), y al polarizar dicha unión (al
conectar sus terminales a una fuente de tensión).
Unión PN no polarizada

Para comprender el funcionamiento de la unión PN

debemos recordar que tanto el material P como el material
N, son neutros (tienen el mismo número de electrones que
de protones). Al unir un semiconductor tipo N con uno tipo

14
P se origina un flujo de electrones a través de la unión PN. Los electrones libres (del semiconductor
N) se unen a los hueco (del cristal P) formándose un ión positivo en N y uno negativo en P. Esto origina
una tensión de difusión que se opone al flujo de electrones a través de la unión. Esta tensión irá
aumentando con el paso de más electrones de N hacia P, hasta llegar un punto que imposibilita el
paso de más electrones. Al valor de la tensión en este momento se le llama barrera de potencial o
tensión umbral, (aproximadamente 0,7 V para diodos de Silicio, y de 0,3 V para diodos de Ge). En la
zona próxima a la unión PN aparece la llamada zona de deplexión, en la cual no existen portadores
de carga libres libres.
Unión PN polarizada
Las uniones PN pueden conectarse de 2 maneras a la fuente de alimentación, es decir existen dos
modos de polarizar la unión NP:

Polarización directa: conectando el borne positivo (cátodo) de la fuente a la zona P, y el borne negativo
(ánodo) a la zona N. Al aplicar tensión directa, se reduce la barrera de potencial de la unión, ya que la
tensión aplicada impulsa a los electrones de N y huecos de P hacia la unión (estrechando la zona de
deplexión). Por tanto, los electrones tienden a cruzar la unión de N a P y los huecos en sentido
opuesto. Si la tensión de la fuente es mayor que la tensión umbral, el diodo conducirá la electricidad a
su través.

Polarización inversa: conectando el

borne positivo (cátodo) de la fuente a la
zona N y el borne negativo (ánodo) a la
zona P. Debido a la polarización de la
batería, los electrones y los huecos se encuentran atraídos hacia los extremos del diodo, alejados de
la unión PN, de manera que se ensancha la zona de deplexión. Así los electrones y huecos encuentran
mayor dificultad para pasar a través de la unión. Por consiguiente, el diodo no permitirá el paso de la
corriente a su través comportándose como un interruptor abierto.

III. ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES

a) CONCEPTO DE SUPERCONDUCTIVIDAD
Se denomina superconductividad a la capacidad intrínseca que poseen ciertos materiales para
conducir corriente eléctrica sin resistencia ni pérdida de energía en determinadas condiciones. Fue
descubierto por el físico neerlandés Heike Kamerlingh Onnes el 8 de abril de 1911 en Leiden.

La resistividad eléctrica de un conductor metálico disminuye gradualmente a medida que

la temperatura se reduce. Sin embargo, en los conductores ordinarios, como el cobre y la plata, las
impurezas y otros defectos producen un valor límite. Incluso cerca de cero absoluto una muestra de
cobre muestra una resistencia no nula. La resistencia de un superconductor, en cambio, desciende
bruscamente a cero cuando el material se enfría por debajo de su temperatura crítica. Una corriente

15
eléctrica que fluye en una espiral de cable superconductor puede persistir indefinidamente sin fuente
de alimentación. Al igual que el ferromagnetismo y las líneas espectrales atómicas, la
superconductividad es un fenómeno de la mecánica cuántica.

La superconductividad ocurre en una gran variedad de materiales, incluyendo elementos simples como
el estaño y el aluminio, diversas aleaciones metálicas y
algunos semiconductores fuertemente dopados. La
superconductividad, normalmente, no ocurre
en metales nobles como el cobre y la plata, ni en la
mayoría de los metales ferromagnéticos. Pero en
ciertos casos, el oro se clasifica como
superconductor; por sus funciones y los
mecanismos aplicados. La superconductividad es
una tecnología en constante desarrollo que está
destinada a jugar un importante papel en nuestras
vidas hacia el siglo XXI. Naturalmente el logro de
mayores temperaturas críticas está ligado al
descubrimiento de nuevos materiales. Se prevé que
el impacto que pueda causar en la sociedad mundial será semejante, sino mayor, al que tuvo la
utilización del transistor. Los gobiernos de los países industrializados tienen plena conciencia de la
relevancia de invertir importantes sumas de dinero en investigación en esta área, dada la ventaja
estratégica y competitiva que puede llegar a brindar el hecho de estar a la vanguardia en la fabricación
y utilización de la superconductividad en las diferentes áreas en las que es factible su aplicación, por
lo que cada vez es más clara la competencia existente entre laboratorios, empresas y países. La
superconductividad es una propiedad de algunos compuestos que no oponen resistencia alguna al
paso de corriente ya que los electrones se desplazan sin colisiones y en zigzag a través de los cristales
del átomo, es decir materiales con resistencia nula con los cuales se puede ahorrar la energía que se
disipa en forma de calor en los otros conductores, debido a la colisión de los electrones entre sí y con
los átomos del material. Además de lo anterior tienen otra característica muy importante que consiste
en que expulsan de su interior los campos magnéticos mientras estos no sobrepasen un valor límite

b) TIPOS Y CARACTERISTICAS FISICAS Y ELECTRICAS DE LOS MATERIALES

SUPERCONDUCTORES
Los superconductores son un tipo especial de materiales que pueden conducir la corriente eléctrica
casi sin ofrecer resistencia, y, por tanto, sin que se produzca una “pérdida” energética. Es decir, los
metales son buenos conductores, tanto térmicos como eléctricos, pero estos se calientan al conducir
un flujo de electrones, porque los átomos del metal vibran y chocan contra estos. Ofrecen resistencia
y se pierde energía en forma de calor. Esto no es rentable en algunas ocasiones.

Hay varias teorías, modelos que ayudan a comprender mejor este fenómeno, pero son de gran
complejidad.

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Al disminuirla temperatura, también lo hace la resistencia del metal a la corriente eléctrica, por lo que,
a temperaturas en torno al 0 K, algunos materiales se convierten en superconductores. Pueden ser
diversos metales, si se enfrían lo suficiente (algunas aleaciones, o, incluso, compuestos de carbono).

Los materiales se suelen enfriar con helio líquido, lo que es bastante costoso. Por tanto, se está
investigando con superconductores de “alta temperatura”, que superconducen a temperaturas tan
“elevadas” como 77 K, pudiendo ser enfriados con nitrógeno líquido, mucho más barato.
Clasificación

Los superconductores, se pueden clasificar atendiendo a varios aspectos, como los materiales que los
componen (puros o aleaciones, estructuras de carbono); la temperatura a la que son superconductores
(temperatura crítica), en superconductores de alta o baja temperatura. La clasificación más utilizada
es según su comportamiento físico.
Se distinguen dos tipos de superconductores:

Superconductores de tipo I, que impiden que los campos magnéticos penetren en ellos, es decir, los
apantallan (efecto Meissner). Son elementos puros con una temperatura crítica muy baja.

Superconductores de tipo II, son supercondiuctores "imperfectos" que permiten que que los campos
magnéticos penetren en su interior, pasando gradualmente del estado superconductor al normal. Entre
ellos se encuentran aleaciones, sustancias cerámicas.
APLICACIONES:

Las aplicaciones de los superconductores son muy diversas, y, como estos materiales aún están
siendo investigados, cada vez se van ampliando sus utilidades. Las líneas de investigación se centran
en cómo conseguir disminuir la resistencia de los metales al paso de la corriente eléctrica, a la
temperatura más elevada posible, para rentabilizar su obtención
Por tanto, se está tratando de encontrar nuevos materiales.

Las principales aplicaciones se encuentran relacionadas con sus propiedades magnéticas, siendo
utilizados en campos tan dispares como el transporte o la medicina. Al ser enfriados y sometidos a un
campo magnético,pueden llegar a levitar. Así, se trata de emplear en trenes de alta velocidad,
en países como Japón, pues esta levitación evita el roce con las vías y permite un aumento de
velocidad (¡¡¡hasta 550km/h!!!). Este es el caso del tren Maglev de Shangai.
Se utilizan en medicina, para las resonancias magnéticas nucleares.

También, en Sistemas de Transporte de energía. Al ser casi nula la resistencia que ejercen, permitirían
transportan electricidad a grandes distancias sin que ésta se disipe en el entorno en forma de calor.

Incluso se está tratando de trabajar con ellos para el almacenamiento de energía. Además pueden ser
utilizados en medicina, para resonancias magnéticas nucleares, o en el estudio de moléculas
(espectroscopia de resonancia magnética nuclear).

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Como ocurre casi con todo en la ciencia actual, se trata de un mundo prometedor que está en
expansión y que casi acaba de comenzar, por lo que sus aplicaciones podrían llegar hasta límites casi
insospechados, si la investigación es la adecuada.
Además, llegan a ser utilizados en aceleradores de partículas

c) ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES SUPERCONDUCTORES

Su estructura cristalina natural, comparada con la de la mayoría de superconductores clásicos, que
son generalmente metales elementales o aleaciones metálicas, es compleja. Esta formada por un
apilamiento de capas de átomos de distinta naturaleza. Para comprender mejor el papel de estas
capas, los investigadores empezaron a manipular dichos óxidos y a fabricar unas estructuras
artificiales, las superredes superconductoras. Estas superredes están formadas por capas delgadas
del superconductor a estudiar, alternando con capas de otros materiales, cuya composición y cuyo
espesor se hacen variar a voluntad.

Para comprender mejor los nuevos materiales que han ido apareciendo en los últimos años hay que
dilucidar la relación entre su estructura cristalina y su superconductividad. Ahí es donde ha resultado
muy útil la fabricación "a medida " de apilamientos de
finas capas de tales superconductores : las
superredes. ¿que son las superredes?. Partiendo de
la idea de que los óxidos superconductores de alta
temperatura cristalina por si mismos en l estructura en
capas, era tentador para el experimentador invertir en
la formación de dichas capas, modificar su
apilamiento natural y su composición química, a fin de
construir toda una panoplia de materiales, las
superredes, auténticos híbridos que ayudarían a forjar
los conceptos importantes.

Estas estructuras artificiales están formadas por

superposición de capas ultradelgadas de uno o mas
compuestos, superconductores o no. Cada capa
consta de un numero variable de planos atómicos,
que puede estar comprendido entre uno y varias
decenas. Cuando una capa es lo bastante gruesa, los planos atómicos se disponen por si mismos
como en el material masivo, y se esta en presencia de una doble periodicidad en la dirección
perpendicular a las capas. La periodicidad creada artificialmente, de Ahí el nombre de superred.

Las superredes de óxidos superconductores fueron realizadas por primera vez en la Universidad de
Ginebra en 1989 y luego muy rápidamente al año siguiente en Estados Unidos.

La temperatura critica disminuye rápidamente al aumentar la distancia entre capas superconductoras

sucesivas. Esta explosión de actividades esta ligada a las sorprendentes posibilidades que ofrecen las
técnicas de punta de posición de capas delgadas, con la epitaxis por pulverización catódica o por

18
chorros moleculares. Esta ultima técnica debe sus rápidos progresos a las exigencias de la fabricación
de las superredes semiconductoras.

¿ De que se trata? Es un recinto a vacío, se dirigen uno o varios chorros de átomos o de moléculas
sobre un substrato en el que se depositan. A medida que los átomos van llegando, se va construyendo
el cristal, que puede formarse sin ningún defecto si el proceso se lleva cabo cuidadosamente. Para
formar las superredes de óxidos superconductores, los chorros contienen una mezcla de los átomos
necesarios en proporciones calculadas de antemano. El amontonamiento de losa tomos puede
detenerse en todo momento tras el deposito de un cierto numero de planos atómicos, para proceder
luego al deposito de otra capa de distinta composición. Aplicando tales técnicas a los óxidos
superconductores, cabe pensar en fabricar estructuras dentro de las cuales se ha modificado el
numero de planos CuO2 de una malla elemental (en los materiales masivos, la temperatura critica
depende del numero de planos de CuO2 por malla elemental). También se puede cambiar la secuencia
de apilamiento entre los grupos de planos de CuO2 y luego observar como estos cambios estructurales
modifican la temperatura critica.

Los primeros resultados de los experimentos, en la

Universidad de Ginebra 1989, superaron las
previsiones mas optimistas. El examen por rayos
X demostró que las superredes preparadas por
pulverización catodia tienen una calidad cristalina
superior a la de las capas simples. Se llega incluso
a depositar las capas malla elemental por malla
elemental, lo cual corresponde a espesores
extremadamente débiles, del orden de 12
angströms, el compuesto mas utilizado en estos
experimentos ha sido, YBaCuO.

Por medio de estas superredes, en las que

alternan capas de YBaCuO y de PrBaCuO se ha
estudiado la evolución de las propiedades superconductoras con el espesor de las capas. En 1990 se
demuetra que la temperatura critica decrece rápidamente cuando aumenta la distancia entre los
grupos de planos de CuO2.

La superconductividad aparece pues a una temperatura mucho mas baja en una capa formada por
una malla aislada de YBaCuO que en una capa gruesa cuya temperatura es de 90ºK. para obtener
una elevada temperatura critica parece importante apilar las mallas lo cual sugiere que las mallas no
se comportan independientemente unas de otras.
Se produce un nuevo fenómeno que es un "ensanchamiento" de la transición, el material no pasa
bruscamente el estado superconductor a una temperatura dada sino que va perdiendo paulatinamente
su resistencia al disminuir la temperatura.
La interpretación de estos resultados es objeto todavía de muchas investigaciones. En cambio de la
temperatura de transición superconductora al separarse los planos de CuO2 indica que el
acoplamiento entre planos contribuye a aumentar esta temperatura. No obstante, todavía no se ha

19
descubierto la manera de como el acoplamiento modifica la temperatura critica. El ensanchamiento de
las transición esta vinculado a la aparición espontanea de "vórtices" de corriente en los
superconductores de dos dimensiones.

Pero ¿que es un vórtice? Se trata de un torbellino de corrientes eléctricas espontaneas, las

supercorrientes, que pueden aparecer en el superconductor en ausencia de tensión aplicada. En los
superconductores convencionales, los vórtices solo aparecen en presencia de campo magnético y
pueden visualizarse como largos torbellinos de corriente que atraviesen el material.

En los óxidos superconductores, sin embargo, la situación es distinta. Ante todo, en las capas
cuasidimensionales como las que aquí nos interesan, los vórtices pueden aparecer espontáneamente
en ausencia de campo magnético.}

Los vórtices nacen por pares y cada vórtice esta

ligado a un antivortice en el que la corriente
circula en sentido contrario. Como la energía de
un vórtice es proporcional a su longitud, cuanto
mas delgadas son las capas, mas fácil es crear
estos pares vórtice/antivortice. A baja
temperatura, ambos están ligados. Al aumentar la
temperatura es de esperar que estos pares se
disocien a una cierta temperatura característica.
El punto crucial es que estos vórtices se volverán
independientes, unos de otros, por encima de
esta temperatura. Dicho movimiento consume
energía y todo ocurre como si en el material
apreciase una resistencia eléctrica. La temperatura a la que se disocian los vórtices es pues la
temperatura de transición del sistema ya que, por encima de ella, la resistencia deja de ser nula. Lo
esencial es que esa temperatura de transición es mas baja que la temperatura critica del material
grueso. Cuanto mas delgada es la capa, mas se reduce la temperatura critica. Así, el intervalo de
temperatura en el que se encuentran los vórtices libres aumenta: es el "ensanchamiento" observado
por los investigadores. Esta transición, llamada BKT, encierra todavía muchos misterios. Las
superredes claro esta, son los instrumentos idóneos para resolver la controversia, ya que permiten
relacionar de un modo continuo la malla única y el superconductor masivo. magnéticos de los iones
de Cobre.

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