UNIVERSIDAD NACIONAL

DE SAN AGUSTÍN
ESCUELA DE PREGRADO
INGENIERÍA ELECTRONICA
FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

ELECTRÓNICA ANÁLOGA 1

FET UTILIZADOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS

Alumno:
Helberth Héctor Quispe Cary
Cui:
20160400

0
 ÍNDICE

1. Introducción………………………………………………………………………………………………..…..2
2. Concepto……………………………………………………………………………………………………….…3
2.1 Un poco de historia….………………………………………………………………………………...3
3. Ventajas…………………………………………………………………………………………………………...4
4. Clasificación de los circuitos integrados…………………………………………………………...4
4.1 Según el tipo de dispositivos activos utilizados…………………………….…………....4
5. Familias de circuitos integrados MOS……………………………………………………………....5
5.1.1 Ventajas de utilizar la tecnología MOS……….……………………….………..….…..6
5.1.2 Circuitos C-MOS…………………………………………………………………………………….….6
5.2.1 Clasificación de C-MOS……………………………………………………………………..7
5.2.2 Principales Características…………………………………………………………………7
5.2.3 Ventajas y desventajas de las compuertas CMOS y NMOS………………..8
6. Diferencia entre familias C-MOS y TTL……………………………………………………………..9
7. Conclusiones…………………………………………………………………………………………….……10
8. Bibliografía……………………………………………………………………………………….…………...11

1
1. INTRODUCCIÓN
Un universo en el que se conectan todos los elementos como nuevos materiales, procesos de
miniaturización y la nanotecnología, es el llamado circuito integrado .Este componente está
invadiendo nuestra vida cotidiana, ya que encontramos en muchos aparatos tecnológicos ya
sean celulares o equipos de sonido, relojes o calculadoras; es con mucha certeza una de las
contribuciones más importantes que se dio al mundo.

Con la aparición de los circuitos integrados al finalizar la década de los cincuenta se ha

producido un cambio total en la forma de fabricar los circuitos electrónicos. La contribución
más importante que se ha obtenido es la reducción considerable en tamaño de los ya
mencionados. Gracias a esta ventaja, a traído como consecuencia la reducción de todos los
aparatos electrónicos.

Es por ello, que en este trabajo presentaremos un estudio de los circuitos integrados
conjuntamente con los circuitos FET, que si bien ya se estudió la parte teórica en calases;
ahora veremos las aplicaciones de estos mismo y como nos beneficia en nuestra rama de
ingeniería electrónica.

2
 Circuitos integrados
2. CONCEPTO
Un circuito integrado, también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas
dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de
superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía .
Este está formado por elementos interconectados. Esos elementos son diodos, transistores, resistencias
y condensadores, cada uno de los cuáles tiene una función en el circuito. Los elementos se disponen en
una pastilla de silicio, de algunos milímetros cuadrados de área, y el conjunto realiza una función única,
por lo que no es posible separar los elementos.

El encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre el circuito integrado
y un circuito impreso.

Muchos de los circuitos integrados se pueden encontrar en casi cualquier dispositivo electrónico.
Funcionan como temporizadores, amplificadores y unidades lógicas, contadores, calculadoras, sensores
de temperatura, receptores de radio, etcétera.

2.1 Un poco de historia

El primer Circuito Integrado fue desarrollado en 1958 por el Ingeniero Jack St. Clair Kilby, justo meses
después de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Los elementos más comunes de los
equipos electrónicos de la época eran los llamados “tubos de vacío”, las lámparas usadas en radio y
televisión y el transistor de germanio (Ge). En el verano de 1958 Jack Kilby se propuso cambiar las cosas.
Entonces concibió el primer circuito electrónico cuyos componentes, tanto los activos como los pasivos,
estuviesen dispuestos en un solo pedazo de material, semiconductor, que ocupaba la mitad de espacio
de un clip para sujetar papeles.

El 12 de Septiembre de 1958, el invento de Jack Kilby se probó con éxito. El circuito estaba fabricado
sobre una pastilla cuadrada de germanio (Ge), un elemento químico metálico y cristalino, que medía
seis milímetros por lado y contenía apenas un transistor, tres resistencias y un condensador. El éxito de
Kilby supuso la entrada del mundo en la microelectrónica. El aspecto del circuito integrado era tan
nimio, que se ganó el apodo inglés que se le da a las astillas, las briznas, los pedacitos de algo: chip.

En el año 2000 Jack Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Física por la contribución de su
invento al desarrollo de la tecnología de la información. Los circuitos integrados fueron posibles gracias
a descubrimientos experimentales que demostraron que los semiconductores pueden realizar las
funciones de los tubos de vacío o circuitos de varios transistores. La integración de grandes cantidades
de diminutos transistores en pequeños chips fue un enorme avance sobre la ensamblaje manual de los
tubos de vacío (válvulas) y circuitos utilizando componentes discretos. La capacidad de producción
masiva de circuitos integrados, con fiabilidad y facilidad de agregarles complejidad, impuso la
estandarización de los circuitos integrados en lugar de diseños utilizando transistores que pronto
dejaron obsoletas a las válvulas o tubos de vacío.

Entre los circuitos integrados más complejos y avanzados se encuentran los microprocesadores, que
controlan numerosos aparatos, desde teléfonos móviles y horno de microondas hasta computadoras.
Los chips de memorias digitales son otra familia de circuitos integrados, de importancia crucial para la
moderna sociedad de la información. Mientras que el costo de diseñar y desarrollar un circuito
integrado complejo es bastante alto, cuando se reparte entre millones de unidades de producción, el
costo individual de los CI por lo general se reduce al mínimo. La eficiencia de los CI es alta debido a que
el pequeño tamaño de los chips permite cortas conexiones que posibilitan la utilización de lógica de bajo
consumo (como es el caso de CMOS), y con altas velocidades de conmutación.

3
Las estructuras de los microchips se volvieron más y más pequeñas. Los fabricantes tuvieron éxito al
duplicar el número de transistores en un chip cada 18 meses, tal como lo predijo la ley de Moore. Sin
embargo, a medida que los tamaños se han reducido a escalas de átomos, los fabricantes se están
acercando cada vez más a los límites de la miniaturización. Ha llegado el tiempo de probar
acercamientos completamente nuevos. Para esto, los investigadores están actualmente buscando
soluciones tales como el uso de pequeños “mini tubos de grafeno”, los cuales esperan utilizar en los
microchips del futuro. Tan sólo ha pasado medio siglo desde el inicio de su desarrollo y ya se han vuelto
ubicuos. De hecho, muchos académicos creen que la revolución digital impulsada por los circuitos
integrados es una de los sucesos más destacados de la historia de la humanidad.
3. Ventajas:
Los CI tienen dos principales ventajas sobre los circuitos discretos: costo y rendimiento. El bajo costo es
debido a los chips; ya que posee todos sus componentes impresos en una unidad de fotolitografía en
lugar de ser construidos un transistor a la vez. Más aún, los CI empaquetados usan mucho menos
material que los circuitos discretos. El rendimiento es alto ya que los componentes de los CI cambian
rápidamente y consumen poco poder (comparado sus contrapartes discretas) como resultado de su
pequeño tamaño y proximidad de todos sus componentes. Desde 2012, el intervalo de área de chips
típicos es desde unos pocos milímetros cuadrados a alrededor de 450 mm2, con hasta 9 millones de
transistores por mm2.

4. Clasificación de los circuitos integrados:

Existe un sinfín de variedades de circuitos integrados así como también clasificarlos, pero según el
criterio que se tome, aquí presentamos algunos:

 Según el tipo de señal que manejan

 Según la construcción interna
 Según el material del sustrato
 Según el número de transistores
 Según la resolución utilizada en el diseño de las puertas
 Según la metodología de diseño
 Según el tipo de dispositivo activos utilizado
 Según la forma de construir las puertas digitales

En cuanto a las funciones integradas, existen dos clasificaciones fundamentales de circuitos integrados
(IC):

-Circuitos integrados analógicos: Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin
unión entre ellos, hasta dispositivos completos como amplificadores, osciladores o incluso receptores de
radio completos.

-Circuitos integrados digitales: Pueden ser desde básicas puertas lógicas hasta los más complicados
microprocesadores. Éstos son diseñados y fabricados para cumplir una función específica dentro de un
sistema. En general, la fabricación de los circuitos integrados es compleja ya que tienen una alta
integración de componentes en un espacio muy reducido de forma que llegan a ser microscópicos. Sin
embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto a los antiguos circuitos, además de un
montaje más rápido.

4.1 Según el tipo de dispositivos activos utilizados

Los circuitos integrados también se clasifican en función de los dispositivos que se utilizan en su
construcción. Suele ser complicado fabricar circuitos con diferentes tipos de transistores Así que para
evitar problemas o efectos indeseables estos se fabrican con una determinado tipo de transistores. Aquí
presentamos los siguientes:

4
  Tecnología Bipolar: Cuando se utilizan exclusivamente transistores bipolares tales como BJT o
Schottky.
 Tecnoligías MOS: Cuando se utilizan transistores MOS exclusivamente de un solo tipo, canal P o
canal N. Usualmente son para circuitos integrados digitales.
 Tecnologías CMOS: Cuando se utilizan transistores MOS tanto canal N como canal P.
 Tecnología BiCMOS: Cuando se utilizan transistores tanto bipolares como MOS.
 Tecnología BiFET: Cuando se utilizan transistores tanto tipo bipolar como tipo FET .Por lo
general se utiliza para circuitos integrados analógicos.

5. Familias de circuitos integrados MOS.

Solemos encontrar a los transistores MOS siendo miembros de familias de circuitos integrados (CI). Una
familia de CI representa una clase específica de tecnología de fabricación, que dicta los tipos de
componentes que se pueden utilizar en un circuito y también limita atributos fundamentales, como la
densidad de integración, disipación de potencia y velocidad. La primera familia importante de CI MOS
fue el de MOS de canal p (PMOS). El elemento clave es un transistor con la fuente y el drenador
fabricados por difusión de impurezas aceptadoras en un sustrato de tipo n. La puerta consiste en
aluminio depositado sobre un dieléctrico de SiO2. Su simplicidad estructural ofrecía bajos costes de
fabricación, altas densidades de integración y un alto porcentaje de circuitos utilizables. MOSFET de
empobrecimiento de canal p. MOSFET de empobrecimiento de canal n. Los primeros circuitos LSI
(integrado a gran escala) y la primera generación de microprocesadores se construyeron en la
tecnología PMOS. A finales de los años setenta, la tecnología MOS de canal n (NMOS) se convirtió en la
dominante para los circuitos LSI. El transistor NMOS es más rápido que la de su predecesor PMOS
porque la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos. Entre las ventajas de los NMOS son
la baja disipación de potencia, los menores márgenes de ruido en los circuitos digitales y las resistencias
con valores entre 50 Ω y 50 M Ω son posibles utilizando polisilicio ligeramente dopado. NMOS y PMOS
tienen su mayor aplicación en lógica digital y memorias. A finales de años setenta, la base de CMOS es el
par complementario de transistores decanal n y p. Los transistores de canal n comparten el mismo
sustrato de tipo p, mientras que los transistores de canal p se fabrican en un pozo individual de tipo n,
con todos los pozos de canal n conectados al punto más positivo del circuito para mantener
polarizaciones inversas. CMOS es comparable en densidad a NMOS pero se caracteriza por tener menos
disipación de potencia. No sólo es adecuada para los circuitos digitales, sino que también se usa a
menudo en muchos circuitos analógicos importantes como amplificadores operacionales,
multiplexadores analógicos, convertidores digital-analógicos y analógico-digitales y filtros.

En los ochenta, otra nueva tecnología atrajo la atención general. Una combinación de la bipolar y la
CMOS, llamada BiCMOS, ofrece alta densidad de integración y velocidad, además de mejorar en gran
medida la flexibilidad del diseño. La estructura más sencilla de los BiCMOS se constituye al añadir un
transistor npn a los elementos básicos de fabricación de la tecnología CMOS. Con BiCMOS es factible
combinar el procesado de señales analógicas y digitales en el mismo circuito integrado.

5
 Inversor

5.1.1 Ventajas de utilizar la tecnología MOS

La tecnología MOS surge a fin de hacer circuitos integrados cada vez más fiables e inmunes al ruido, y a
la necesidad de reducir el tamaño de los circuitos integrados digitales. Algunas de sus ventajas frente a
otras tecnologías son:

 Muy baja disipación de potencia. Su bajo consumo hacen que se pierda poca potencia.
 Amplios márgenes de ruido y salto lógico. El ruido son las variaciones de tensión que se
producen en las señales debido a interferencias electromagnéticas, que pueden venir de
aparatos eléctricos, antenas, nuestras manos, e incluso del espacio exterior.

Estas interferencias pueden provocar que una puerta lógica cambie de estado y dé un valor de salida
erróneo.

5.1.2 Circuitos C-MOS

Como en todo desarrollo tecnológico, existe un estudio previo para poder aplicar una tecnología
determinada y sacar un máximo provecho de la arquitectura predefinida, y es por ello que en esta
ocasión hablaremos de una de las que se aplica sobre el corazón de todo equipo, el Procesador, que
tiene como premisa fundamental el menor consumo energético posible.

6
Esta tecnología lleva el nombre en inglés de Complementary Metal Oxide Semiconductor, y es
mayormente conocido gracias a su acrónimo, CMOS, estando presente no solo en este campo de la
informática sino también en la fabricación de los distintos Circuitos Electrónicos Integrados, conocidos
popularmente como Chip o Microchip.

Se usan conjuntamente MOSFET (MOS Field-Effect transistor, transistor de efecto campo MOS) de canal
n (NMOS) y de canal p (PMOS) en el mismo circuito, para obtener varias ventajas sobre las familias P-
MOS y N-MOS. La tecnología CMOS es ahora la dominante debido a que es más rápida y consume aún
menos potencia que las otras familias MOS. Estas ventajas son opacadas un poco por la elevada
complejidad del proceso de fabricación del CI y una menor densidad de integración.

5.2.1 Clasificación de C-MOS

a) Series 4000/14000 Las primeras series CMOS fueron la serie 4000, que fue introducida por RCA y la
serie 14000 por Motorola. La serie original es la 4000 A; la 4000 B representa mejora con respecto a la
primera y tiene mayor capacidad de corriente en sus salidas

b) Serie 74C Esta serie CMOS su característica principal es que es compatible terminal por terminal y
función por función, con los dispositivos TTL que tienen el mismo número

c) Serie 74HC (CMOS de alta velocidad) Esta es una versión mejor de la serie 74C. La principal mejora
radica en un aumento de diez veces en la velocidad de conmutación

d) Serie 74HCT Esta serie también es una serie CMOS de alta velocidad, y está diseñada para ser
compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL

5.2.2 Principales Características

a) Inmunidad al ruido: Se denomina ruido a “cualquier perturbación involuntaria que puede originar un
cambio no deseado en la salida del circuito.” El ruido puede generarse externamente por la presencia de
escobillas en motores o interruptores, por acoplo por conexiones o líneas de tensión cercanas o por
picos de la corriente de alimentación. Los circuitos tienen cierta inmunidad al ruido

b) Disipación de potencia La potencia disipada, es la media de potencia disipada a nivel alto y bajo. Se
traduce en la potencia media que la puerta va a consumir.

Cuando un circuito lógico CMOS se encuentra en estático (sin cambiar) o en reposo, su disipación de
potencia es extremadamente baja, aumentando conforme aumenta la velocidad de conmutación.

c) Entradas CMOS Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, ya que son muy sensibles a
la electricidad estática y al ruido, los cuales pueden fácilmente activar los canales MOSFET P y N en el
estado conductor, produciendo una mayor disipación de potencia y posible sobrecalentamiento.

d) Factor de carga Al igual que N-MOS y P-MOS, los CMOS tienen una resistencia de entrada
extremadamente grande (10*12Ω) que casi no consume corriente de la fuente de señales, cada entrada
CMOS representa comúnmente una carga a tierra de 5 pF. Debido a su capacitancia de entrada se limita
el número de entradas CMOS que se pueden manejar con una sola salida CMOS. Así pues, el factor de
carga de CMOS depende del máximo retardo permisible en la propagación. Comúnmente este factor de
carga es de 50 para bajas frecuencias (<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias, el factor de carga
disminuye. La salida CMOS tiene que cargar y descargar la combinación en paralelo de cada capacitancia
de entrada, de manera que el tiempo de conmutación de salida aumente en proporción al número de
cargas conducidas, cada carga CMOS aumenta el retardo en la conducción de la propagación del circuito
por 3 ns. Así podemos llegar a la conclusión de que el factor de carga de CMOS depende del máximo
retardo permisible en la propagación.

e) Velocidad de conmutación Los CMOS, al igual que N-MOS y P-MOS, tiene que conducir capacitancias
de carga relativamente grandes, su velocidad de conmutación es más rápida debido a su baja resistencia

7
de salida en cada estado. Recordemos que una salida N-MOS tiene que cargar la capacitancia de carga a
través de una resistencia relativamente grande (100 k Ω). En el circuito CMOS, la resistencia de salida en
el estado ALTO es el valor R-ON del P-MOSFET, el cual es generalmente de 1 k Ω o menor. Esto permite
una carga más rápida de la capacitancia de carga. Los valores de velocidad de conmutación dependen
del voltaje de alimentación que se emplee, mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias
más elevadas. Por supuesto, mientras más grande sea VDD se producirá una mayor disipación de
potencia.

f) Voltaje de alimentación Los circuitos CMOS permiten un rango de alimentación mayor, de +2 a +6

volts para las series HC y AC, y de +3 a +15 volts para las series 4000 y 74CXX. Sin embargo, existen dos
series CMOS, la HCT y la ACT, que han sido diseñadas para ser compatibles con los circuitos TTL y por lo
tanto requieren una alimentación de +5 volts.

Niveles de entrada y salida

5.2.3 Ventajas y desventajas de las compuertas CMOS y NMOS:

 El voltaje de salida de una compuerta CMOS es el voltaje de entrada total, sin la caída debida al
voltaje de umbral, como en el caso de las compuertas NMOS.
 Para llevar a cabo las mismas funciones lógicas, la compuerta CMOS requiere más transistores
que la compuerta NMOS.
 Las compuertas CMOS consumen muy poca energía; por lo tanto permiten una integración a
muy grande escala (VLSI). Las compuertas NMOS consumen más energía que las CMOS, y
tienen limitaciones térmicas que las hacen menos atractivas para la VLSI.
 Las compuertas CMOS producen picos de corriente durante la transición de un estado a otro;
los picos de corriente ocurren cuando los transistores NMOS y PMOS están en saturación.
 Las compuertas CMOS ocupan un área más grande y tienen capacitancias mayores que las
compuertas NMOS

8
6. Diferencias entre las familias CMOS y TTL
Las diferencias más importantes entre ambas familias son:

a) En la fabricación de los circuitos integrados se usan transistores bipolares par el TTL y

transistores MOSFET para la tecnología CMOS
b) Los CMOS requieren de mucho menos espacio (área en el CI) debido a lo compacto de los
transistores MOSFET. Además debido a su alta densidad de integración, los CMOS están
superando a los CI bipolares en el área de integración a gran escala, en LSI - memorias grandes,
CI de calculadora, microprocesadores-, así como VLSI.
c) Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de potencia que los TTL.
d) Los CMOS son más lentos en cuanto a velocidad de operación que los TTL.
e) Los CMOS tienen una mayor inmunidad al ruido que los TTL. f) Los CMOS presenta un mayor
intervalo de voltaje y un factor de carga más elevado que los TTL.

9
7. CONCLUSIONES

Los circuitos integrados han contribuido en gran parte a la reducción e innovación de los aparatos
electrónicos, ya que con la nanotecnología que ya se está desarrollando el mundo de la innovación
tecnológica cada vez con más auge.

Por otro lado, haciendo un análisis a la tecnología TTL y CMOS; se puede sintetizar que la primera fue
diseñada para una alta velocidad y la segunda para un bajo consumo.

Actualmente dentro de estas dos familias se han creado otras, que intentan conseguir lo mejor de
ambas: un bajo consumo y una alta velocidad. La familia lógica ECL se encuentra a caballo entre la TTL y
la CMOS. Esta familia nació como un intento de conseguir la rapidez de TTL y el bajo consumo de CMOS,
pero en raras ocasiones es empleada.

8. BIBLIOGRAFÍA

(1) FLOYD, T.L., " FUNDAMENTOS DE SISTEMAS DIGITALES " Novena Edición, Madrid, 2006,
995p. p.882-917. Cap. 14.
(2) BOYLESTAD, R.L., " ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS " Sexta Edición, México, 1997,
943p. p.607-627. Cap. 13.
(3) https://es.scribd.com/document/148087695/Familias-de-Circuitos-Integrados-MOS
(4) https://electronicaradical.blogspot.com/2011/02/logica-mos-tecnologia-cmos.html
(5) http://es.clasificacion-de-circuitos.wikia.com/wiki/Circuitos_MOS_y_C-MOS

10