Unidad III.

Materiales Semiconductores.

Tema 1. Estructura Cristalina de los Materiales

Semiconductores
Semiconductores.
Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace su resistencia, entre los
conductores y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas difícilmente conducen la
corriente eléctrica y más bien se comportan como aislantes, pero al elevar su
temperatura o al ser sometidos a un campo eléctrico externo, su comportamiento
cambia al de los conductores.

Semiconductores intrínsecos
En los semiconductores puros (intrínsecos) la conducción tiene lugar por medio de
electrones que están presentes solo a causa del material cristalino puro (Ge o Si) y no a
causa de elementos extraños, esto mediante un campo eléctrico suficientemente fuerte
como para sacar un electrón desde un par electrónico del enlace covalente del cristal.
Así tal electrón pasa desde la banda de valencia a la banda de conducción, quedando un
hueco positivo.

Semiconductores extrínsecos.
Cuando se agregan impurezas (átomos diferentes aceptadores de electrones) en
cantidades minúsculas, los semiconductores presentan una conductividad mayor, esta
operación recibe el nombre de dopaje. Así las propiedades eléctricas pueden cambiar
drásticamente por la adición de pequeñas concentraciones de impurezas.
Tipo N.
En el caso de dopar el elemento base con un elemento de valencia 5 pentavalente (Sb,
Pb, As, P), esté electrón está en un nivel de energía llamado nivel donor, cada impureza
aporta un e- libre a la banda de conducción, razón por la cual se le llama tipo n (por
negativo).

Tipo P.
En el caso de dopar el elemento base con elementos de valencia 3 trivalente (B, In, Al,
Ga), quedando asociado una vacancia o hueco positivo, situada en un nivel llamado
aceptor, por lo que predomina el mecanismo de huecos positivos porque falta un e-, y
se dice que es tipo p (por positivos).
 Monocrsitalino
Policristalino
Amorfo

Silicio FCC (0.543 nm)

Configuración
electrónica:
1s 2s2 2p6 3s2 3p2
2
 Transistores y foto
detectores.

Germanio FCC (0.566 nm)

Configuración
electrónica: 1s2 2s2 2p6
3s2 3p6 3d10 4s2 4p2
Teoría de Bandas.
En física del estado sólido, describe la estructura electrónica de un material como una
estructura de bandas electrónicas, o simplemente estructura de bandas de energía.
La teoría se basa en el hecho de que en una molécula los orbitales de un átomo se
solapan produciendo un número discreto de orbitales moleculares.
Cuando una gran cantidad de átomos se unen, como en las estructuras sólidas, el
número de orbitales es tan grande y la diferencia de energía entre cada uno de ellos tan
pequeña que se puede considerar como si los niveles de energía conjunta formaran
bandas continuas más que niveles discretos de energía.

Banda de valencia.
Está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, es decir, aquellos electrones
que se encuentran en la última capa o nivel energético de los átomos. Los electrones de
valencia son los que forman los enlaces entre los átomos, pero no intervienen en la
conducción eléctrica.
Banda de conducción.
Está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han desligado de sus
átomos y pueden moverse fácilmente. Estos electrones son los responsables de
conducir la corriente eléctrica. En consecuencia, para que un material sea buen
conductor de la corriente eléctrica debe tener electrones en la banda de conducción.
Cuando la banda esté vacía, el material se comportará como un aislante. Entre la banda
de valencia y la de conducción existe una zona denominada banda prohibida o gap, que
separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los electrones.

Tema 2. Propiedades de los materiales semiconductores

Unión semiconductora PN
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos
comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores.
Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, Cuando los materiales de tipo p
y tipo n se colocan en contacto uno con otro, la unión se comporta de manera muy
diferente a como lo hacen cada uno de los materiales por si solos.
Específicamente, la corriente fluirá fácilmente en una dirección (polarización directa)
pero no en la otra (polarización inversa), creando un diodo básico. Este comportamiento
no reversible, surge de la naturaleza del proceso de transporte de carga en los dos tipos
de materiales.
Estructuras básicas de uniones PN.
(Región de Depleción o agotamiento)
Cuando se forma una unión p-n, algunos de los electrones libres en la región n, se
difunden a través de la unión y se combinan con los huecos para formar iones negativos.
De esta manera dejan detrás iones positivos en los lugares donantes de impurezas.

1) En la región de tipo p hay huecos en las impurezas aceptadoras y en la región de tipo

n hay electrones adicionales.

2) Cuando se forma la unión p-n, algunos electrones de la región n que han alcanzado
la banda de conducción están libres para difundirse a través de la unión y se combinan
con agujeros.
3) Al llenar un agujero se crea un ion negativo y deja tras de sí un ion positivo en el lado
n. Con ello se acumula una carga espacial, creando una región de depleción, la cual
impide más transferencia de electrones a menos que sea ayudado por medio de
una polarización directa sobre la unión.

Uniones NPN y PNP.

Son componentes semiconductores que tienen tres terminales; BASE (b), EMISOR (e),
COLECTOR (c); internamente está formado por un cristal que contiene una región P
entre dos N (transistor NPN); o una región N entre dos P (transistor NPN). La diferencia
que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad de sus electrodos.
Las letras “N” y “P” se refiere a la mayoría de portadores de carga dentro de las
diferentes regiones del transistor. Estos componentes son conocidos como transistores
de unión bipolar BJT (del inglés bipolar junction transistor).
Transistores JFET, MOSFET (unión Al, SiO2, P).
JFET.
El JFET es un dispositivo de tres terminales, estas son la compuerta (G), drenaje (D) y
fuente (S). Un transistor JFET está formado por el semiconductor que se conecta a las
terminales de fuente y drenaje.

MOSFET.
En un transistor Canal N, el sustrato es de semiconductor tipo p, este se conecta de
manera interna a la terminal de la fuente. La fuente y drenaje, están conectadas a un
material tipo n a través de un contacto metálico, sin embargo, en este caso no tenemos
un canal que conecte estas terminales. La compuerta, sigue conectada a una placa
metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio, con propiedades
dieléctricas.
Tiristores.
Se denomina tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos estados
estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentación regenerativa de una
estructura PNPN. Existen varios tipos dentro de esta familia, de los cuales el más
empleado con mucha diferencia es el rectificador controlado de silicio (SCR).

Tema 3. Estructura cristalina de los materiales

superconductores.
Es un material que tiene una resistencia eléctrica igual a cero bajos ciertas condiciones
y rechaza completamente un campo magnético (es decir, un superconductor es también
un perfecto diamagneto). Esto se conoce como efecto Meissner.
El origen de la superconductividad está relacionado con el acoplamiento electrón-fonón
y la formación resultante de parejas de electrones de conducción conocidos como pares
Cooper; que explica la superconductividad en superconductores metálicos.
La superconductividad desaparece por encima de una cierta temperatura, conocida
como la temperatura crítica (Tc). El cambio de conducción normal a superconducción
ocurre de manera abrupta a esta Tc.
Aproximadamente la mitad de los metales se vuelven superconductores si disminuye su
temperatura por debajo de 10 K.

Tipos de superconductores.
Los superconductores tipo I, el campo magnético en su interior ha de ser siempre nulo.
En los superconductores tipo II, existen dos campos críticos Hc1 y Hc2 que marcan los
límites de un cambio en el estado superconductor:
• Cuando el campo es inferior al Hc1 el estado es el Meissner.
• Entre Hc1 y Hc2 permiten la entrada de flujo. En el interior del material hay ahora
una parte normal y otra superconductora
• Cuando el campo alcanza Hc2 el flujo penetra en todo el material y se destruye el
estado superconductor.
Estructura Cristalina de los Superconductores.
Una de las estructuras más representativas de los materiales superconductores es la
estructura Perovskita de la forma (ABX3), que forman celdas “tetragonal y
ortorrombica”.

Cationes A (Ca) (más voluminoso): entre octaedros

Cationes B (Ti): dentro octaedros de Oxigeno