Universidad Tecnológica de la Mixteca

Instituto de Electrónica y Mecatrónica

Electrónica Analógica
Grupo 514
Noviembre 2018
Prof. Alejandro E. Ramı́rez González

Para esta práctica utilizaremos el JFET de canal-n 2N3819.

Primero deberán simular todos los circuitos en Multisim antes de intentar ar-
marlos.

PROCEDIMIENTO

1. Conecte el transistor como se indica en la figura siguiente. Observe que se está utilizando
un amperı́metro en el drenador y una fuente de voltaje cd (VDD ). Vaya incrementando
el valor del voltaje en la fuente y observe que la corriente en el drenador va cambiando.
Cuando ID deje de cambiar, anote el valor de ID y ese valor será IDSS .

A
D
ID
G 2N3819
S
VDD

2. Ahora conecte el transistor como se indica en la figura siguiente. Observe que además del
amperı́metro en el colector, ahora existe un voltı́metro entre compuerta (G) y referencia.
La fuente VDD ahora tiene un valor constante y se colocó una fuente VGG variable. Vaya
incrementando el valor del voltaje en la fuente VGG y observe como varı́a la corriente
en el drenador. Cuando ID llegue a cero, el valor de la fuente VGG será el valor de
estrangulamiento Vp .

A
D
ID
G 2N3819
S
12V
VGG
V

3. Ahora que conoce los valores de IDSS y Vp , analice teóricamente el siguiente circuito y
calcule VG , VS , VD , VGSQ , IDQ , VDSQ . Compruebe los valores con los simulados.
 12V

3.3 kΩ

2N3819

1 MΩ
560 Ω

4. Finalmente, analice el siguiente circuito. Se deberá utilizar un generador de funciones

configurado como se indica y un osciloscopio. En el canal uno (CH1) del osciloscopio se
conectará la señal del generador, y en el canal dos (CH2) la salida del circuito.

12V

3.3 kΩ 2.2 µF
CH1
CH2
+ −
VC2 +
− VC1 + 2N3819

2.2 µF 10 kΩ Vo
+
0.2Vp−p −
1 MΩ
560 Ω VC 10µF
f=10kHz
−

Todo esto se deberá traer simulado la próxima semana junto con la hoja de especificación
del transistor.

En el laboratorio armarán el circuito. Los valores de los capacitores y resistores deberán

ser los más exactos posibles.