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LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA.

GR5 1

Caracterización del Transistor Bipolar de Juntura


(Preparatorio)
Georginio Ananganó Alvarado
Escuela Politécnica Nacional

Caracterı́stica Valor
Resumen—En el presente preparatorio, se busca diseñar e Voltaje máximo colector-emisor 100 [V] a IC = 30[mA]
implementar el circuito de control para la activación de un tran- Ganancia de corriente mı́nima hF E = 10
sistor bipolar de juntura de potencia, Conocer las caracterı́sticas Corriente de colector máxima 6 [A]
de conmutación del transistor bipolar de juntura en circuitos Cuadro I
de potencia y Tomar medidas de voltaje, corriente y potencia C ARACTER ÍSTICAS B ÁSICAS DEL TIP-31
para observar el desempeño en las conmutaciones que realiza el
transistor bipolar de juntura.
Index Terms—Electrónica, potencia, disparo, tbj. Con esta consideración, se debe calcular la resistencia que
se conectará entre tierra de potencia y el colector del 4N25.
I. D ISPARO DE UN TRANSISTOR BIPOLAR CON UN Para hacerlo, se considera que circulará una corriente de
OPTOACOPLADOR 10[mA] en esta zona.

Primero se analiza la etapa de entrada. Los microcontrola- V


dores de propósito general, envı́an 5 voltios a la salida de sus R=
I
pines. Considerando que se usará un 4N25, se diseñará para 12
una corriente de entrada de 20 miliamperios. Ası́, la resistencia R=
10E − 3
que debe colocarse es:
R = 1200[Ω]
La resistencia debe estar entre los 1,2[kΩ]. Se escogerá, por
I ≤ 20 × 10−3 facilidad, una resistencia de 1[kΩ], ya que es bastante común.
I 20 × 10−3 Se sube un poco la corriente circulante en esta rama, pero se

V 5 gana en disponibilidad de elementos.
1 20 × 10−3 Para dimensionar la resistencia de base del transistor, se

R 5 trabajará con un transistor TIP-31, el cual posee las carac-
5 terı́sticas mencionadas en el cuadro I.
R≥
20 × 10−3 Considerando una carga totalmente resistiva, de un foco
R ≥ 250 de 100[W] a 120[VAC], se puede encontrar una resistencia
teórica de 144[Ω]. En este caso, se trabajará con una resistencia
La resistencia debe ser mayor a 250 ohmios. Por comodidad aún más baja, del 60 % del valor esperado. Ası́, tenemos una
se escogerá el valor de 330 ohmios, ya que es el usado en los resistencia de unos 86 ohmios, que se redondearán a 100.
LED, y por consiguiente su disponibilidad es amplia. Con un voltaje de fuente de unos 40 · 1,2 = 48 voltios, se
Respecto a la salida del 4N25, habrá un cambio a la procederá a calcular la resistencia téorica de base.
salida. La corriente máxima que puede manejar es de 60
miliamperios. No obstante, en esta aplicación se manejarán VCE 48
IC = = = 0,48[A]
de igual manera 10 miliamperios. Se desea usar resistencias RL 100
de cuarto de vatio. Para no operar en el lı́mite de operación, Como IB ≈ hIFCE , entonces se tiene que la corriente que
se considera que operarán a 0,125[W]. Con esto deseamos deberı́a pasar por base es de 48[mA].
encontrar el voltaje máximo para el disparo del optoacoplador. La resistencia se calcula por un simple método de malla, en
la que:
P =VI
VB − VBE
0,125[W] = V · 10[mA] RB =
IB
0,125W 12 − 0,7
V = RB =
10[mA] 48E − 3
V = 12,5[V] ; RB = 235[Ω]
Esto indica que podemos usar voltajes menores o iguales La resistencia de base deberı́a ser de unos 235 ohmios.
a 12,5[V] para disparar el optotransistor y cumplir con las Por comodidad, se usará una resistencia 40 % mayor, una de
especificaciones de potencia. En la práctica se usarán 12[V]. 330[Ω] con efecto de ganar en disponibilidad de elementos.
2 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA. GR5

II. C ONTROLADORES COMERCIALES int dutyinteger = 0;


Existen diversos controladores comerciales para el disparo float periodus = 0;
de semiconductores, no obstante aquı́ nos centraremos en el float duty = 0;
ISO5500, ya que es empleado en niveles superiores (control float timeon = 0;
float timeoff = 0;
con máquinas).
El ISO5500 es un controlador de compuerta para IGBT y unsigned int ton = 0;
MOSFET con capacidad de hasta 150 amperios de corriente unsigned int toff = 0;
de colector, con voltaje colector emisor de hasta 600 voltios. void setup() {
Usa lógica TTL, y puede funcionar hasta 520 kHz. Serial.begin(9600);
pinMode(PERIODUS,INPUT);
pinMode(DUTY,INPUT);
pinMode(TRIGGER,OUTPUT);
}

void loop() {
periodinteger = analogRead(PERIODUS);
dutyinteger = analogRead(DUTY);

periodus = 11.64*periodinteger + 90;


duty = (0.782*dutyinteger + 100)/1000;

timeon = (duty)*periodus;
timeoff = periodus - timeon;

ton = timeon;
toff = timeoff;

digitalWrite(TRIGGER,HIGH);
delayMicroseconds(ton);
digitalWrite(TRIGGER,LOW);
delayMicroseconds(toff);
}
Figura 1. Empaquetado del ISO5500
Se requieren dos potenciómetros: uno para calibrar la fre-
cuencia conectado al pin 8 y otro para el ciclo de trabajo en
el pin 9. La señal de salida sale por el pin 7.

IV. S IMULACI ÓN


En la figura 4 se puede apreciar el circuito simulado para
la práctica. Cabe mencionar que un elemento importantı́simo
para realizar la práctica es el diodo en antiparalelo con la
carga. Es especialmente importante para cargas RL ya que
impide que las variaciones bruscas que se producen por la
conmutación generen voltajes negativos que puedan destruir
el transistor.
La simulación se ha realizado en PROTEUS, ya que PSIM
no cuenta con una herramienta claramente usable para usar
Figura 2. Aplicación del ISO5500 en control de motores.
varias referencias, ventaja que sı́ tiene PROTEUS. Para la
simulación, se ha precisado una frecuencia de conmutación
de 5 kilociclos, al 50 % de ciclo de trabajo.
III. C ÓDIGO DE A RDUINO
En las figuras 5 y 6, se han usado resistores de 144 ohmios
Este método evita el uso de temporizadores con un costo: y en el caso que se considera la inductancia, se empleó una
aunque teóricamente se genera una señal PWM entre 1 a inductancia de 160 milihenrios. Es importante estudiar el caso
10 kHz entre el 10 al 90 %, en la práctica estos valores de la carga RL, y especialmente el caso de la carga RLE, pues
no podrı́an ser los reales a causa de los ciclos de máquina son modelos extensivamente usados para modelar y simular
en los que se realizan los cálculos necesarios para obtener motores.
los parámetros necesarios para prender y apagar el circuito. Es importante apreciar, que en la figura 6, correspondiente
Además, a causa de los potenciómetros, la señal no tendrá una a la carga RL, esperamos que se produzcan voltajes negativos
frecuencia estable, ya que el ruido afecta a las mediciones. en la carga, que no excedan el voltaje de protección del diodo.
#define PERIODUS 8 Además, la forma de corriente se asemeja bastante a la curva
#define DUTY 9 de carga y descarga de los circuitos ampliamente estudiados.
#define TRIGGER 7
En la figura 7, se aprecia el peligroso efecto que tiene no
int periodinteger = 0; conectar un diodo de conmutación. En la simulación, aparecen
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Inicio

Iniciar puertos

Leer dato analógico 1 Leer dato analógico 2 Figura 5. Formas de onda de voltaje en la carga y corriente de colector para
carga R.

Escalar dato
analógico a
frecuencia

Escalar dato
analógico 2 a ciclo de
trabajo

Determinar ton y toff

Figura 6. Formas de onda de voltaje en la carga y corriente de colector para


carga RL.
Crear retardos
forzados

Fin

Figura 3. Diagrama de flujo del proceso.

Vl+

R4
144

Figura 7. Formas de onda de voltaje en la carga y corriente de colector para


D1 L1 carga RL sin diodo flywheel.
1N4007 0.16H

U1
V_TRIG BAT1 [2] Fundamentals of Power Electronics, Erickson,R. Springer Science &
IC

Vl-
R1(1) R1 1 A
B
C
6
5
20V
Business Media, 2013.
330
R2 Q1 [3] Apuntes de Clase, Ortega, L. Escuela Politécnica Nacional, 2017.
2 4 NPN
K E
4N25 330

R3
GND_LOG 1k

GND_POT

Figura 4. Circuito propuesto para la práctica.

voltajes inversos de conmutación de hasta −2,5[kV], lo que


sin duda, excede los parámetros del transistor. No obstante, la
curva de corriente cambia significativamente.

R EFERENCIAS
[1] Fundamentals of Power Electronics, Rashid, M. IEEE, Pennsylvania
State University, 1996.