ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Laboratorio de Electrónica de Potencia

Estudiante: Edgar Geovanny Pila Cárdenas

Fecha: 14/Diciembre/2018

PREPARATORIO N°5

TEMA

CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET

OBJETIVOS

Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia.

Conocer las características de conmutación de los MOSFET’s.

TRABAJO PREPARATORIO

1. Consultar la curva característica de funcionamiento de un MOSFET y en base a esta

determinar las zonas de operación en aplicaciones de electrónica de potencia. Indique las
condiciones para el encendido (Vth) y el apagado del MOSFET.

Fig. 1. Curvas características de un MOSFET

CONDICIONAMIENTO PARA ENCENDIDO Y APAGADO DE UN MOSFET

Debido al bajo voltaje y corriente que poseen los MOSFET, estos deben trabajar en la región lineal
de operaciones de conmutación.
Es necesario que exista un voltaje entre la compuerta y la fuente, debido a que el MOSFET es un
dispositivo electrónico que es controlado por voltaje, lo cual produce un flujo de corriente en el
drenaje. Para que el MOSFET se desactive, se debe aplicar un voltaje negativo o cortar el suministro
de voltaje al mismo.

Fig. 2. Características de transferencia del MOSFET de agotamiento.

Fig. 3. Características de transferencia.

2. Explique la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET. ¿En qué rango
debe estar la misma y por qué?

Fig. 4. Modelo equivalente de un MOSFET incluyendo los efectos parásitos.

La capacitancia de entrada es la que define el tiempo para la activación del MOSFET. Se conecta una
resistencia o muchas veces una carga RC para que el tiempo de activación de pueda reducir.

3. Diseñar y simular los circuitos de control PWM para frecuencias cercanas o iguales a 1 (KHz),
10 (KHz) y 30 (KHz), además debe variar la relación de trabajo entre 0.10.9.

Diseño de una onda PWM para una frecuencia de 1 (KHz).

Fig. 5. Muestra de una señal PWM de frecuencia 1 (KHz) y relación de trabajo de 0.1.
 Fig. 6. Muestra de una señal PWM de 1 (KHz) y una relación de trabajo de 0.9.

Fig. 7. Circuito generador de una onda PWM utilizando un integrado 555 y una frecuencia de 1 (KHz).

Diseño de una onda PWM para una frecuencia de 10 (KHz).

Fig. 8. Muestra de una señal PWM de 10 (KHz) y una relación de trabajo de 0.1.
 Fig. 9. Muestra de una señal PWM de 10 (KHz) y una relación de trabajo de 0.9.

Fig. 10. Circuito generador de una onda PWM utilizando un integrado 555 y una frecuencia de 10 (KHz).
Diseño de una onda PWM para una frecuencia de 30 (KHz).

Fig. 11. Muestra de una señal PWM de 30 (KHz) y una relación de trabajo de 0.1.
 Fig. 12. Muestra de una señal PWM de 30 (KHz) y una relación de trabajo de 0.9.

Fig. 13. Circuito generador de una onda PWM utilizando un integrado 555 y una frecuencia de 30 (KHz).

4. Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la FIG. 4. (potencia y control), para
un valor de voltaje de 40 VDC y la resistencia de carga es un foco de 120V/100W. Tomar en
cuenta que el Vth de estos elementos es mayor de 5 V. Indicar las formas de inda de voltaje
de compuerta, voltaje y corriente en los terminales DRAIN-SOURCE del MOSFET y el voltaje
de la carga.
Fig. 14. Circuito de potencia y control con carga R para activación del MOSFET.

Fig. 15. Circuito de potencia y control con carga RL para activación del MOSFET.
 Fig. 16. Forma de onda que se obtiene de R (GATE)

CIRCUITO CON CARGA RESISTIVA

Fig. 17. Onda del voltaje en la carga.

CIRCUITO CON CARGA RL

 Fig. 18. Onda de voltaje en la carga.

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS.

I. M. H. Rashid Electrónica de Potencia, 2nd ed, México: 1995.

II. Datasheet MOSFET Texas Instruments.
III. Apuntes de clase, Jorge Medina MSc. 2018 B.