3.
Amplificadores y respuesta en frecuencia de los amplificadores
3.1 Se requiere un amplificador de tensión para am-
plificar la señal de salida que proviene de un recep-
tor de comunicación que produce una señal de tensión
vs = 20 mV con una resistencia interna rs = 1,5 kΩ. El
amplificador no debe consumir más de 1 µA del recep-
tor y la tensión de salida deseada debe ser vo > 10 V.
La resistencia de carga del amplificador es RL = 15 kΩ.
La variación de la tensión de salida cuando la carga es
desconectada debe ser menor que 0,5 %. Determinar los
parámetros AV 0 , Ri y Ro del amplificador.
son AI0 = 250, Ri = 50 Ω y Ro = 1 kΩ. Calcular los va-
lores de los parámetros de los amplificadores de tensión,
transconductancia y transimpedancia equivalentes.
Resultado: AV 0 = 5000, Gm0 = 5 A/V, Zm0 = 2,5 ·
105 V/A.
3.3 Se dispone de una fuente de tensión con impe-
dancia de salida rs = 2 kΩ, tres amplificadores iguales
con Ri = 1,5 kΩ, AV 0 = 80 y Ro = 200 Ω, y una carga
RL = 1,5 kΩ, que se conectan en cascada. Calcular la
Resultado: Ri ≥ 18,5 kΩ, Ro ≤ 75,4 Ω, AV 0 ≥ 543. ganancia de tensión total con salida a circuito abierto
AV 0 = vvoi  , la ganancia de tensión total AV0 = vo/vs

RL →∞
3.2 Una fuente de corriente con is = 5 mA y rs = y la ganancia de corriente AI = io/ii .
1,5 kΩ, y una carga RL = 10 Ω, se encuentran conec- Resultado: AV 0 = 3,98 · 105 , AV0 = 1,5 · 105 , AI = 3,52 ·
tadas a un amplificador de corriente cuyos parámetros 105 .

3.4 Razonar cuál de los dos amplificadores tiene un mayor ancho de banda y cuál de ellos es mejor amplificador de
tensión.

a)

rs + Ro2 +
C
vs vi Ri2 vo RL
AV 02 vi
− −

b)

rs + Ro1 + Ro2 +
C
vs vi Ri1 vi2 Ri2 vo RL
AV 01 vi AV 02 vi2
− − −

Datos: rs = 500 Ω, Ri1 = 100 kΩ, AV 01 = 0,95, Ro1 = 100 Ω, Ri2 = 1 kΩ, AV 02 = 200, Ro2 = 100 Ω, C = 1 pF,
RL = 10 kΩ.

3.5 Diseñar un amplificador en emisor común con
resistencia de emisor parcialmete desacoplada con
un transistor 2N3904 y las siguientes características:
|AV 0 | = 20, Ro = 2 kΩ. Se dispone de una fuente de ten-
sión de 9 V.
3.6 Diseñar un amplificador en colector común con
una impedancia de entrada mínima de 50 kΩ. Se dispo-
ne de un transistor 2N3904 y una fuente de tensión de
9 V.
3.7 Diseñar un amplificador en base común con
una ganancia AV 0 = 100. Se dispone de un transistor
2N3904 y una fuente de tensión de 9 V.
3.8 Diseñar un amplificador en fuente común con re-
sistencia de fuente parcialmente desacoplada con un
JFET 2N3819 y las siguientes características: |AV 0 | =
10 y Ri = 100 kΩ. Se dispone de una fuente de tensión
de 24 V.
3.9 Calcular el punto de trabajo de los transistores y
la ganancia de tensión del amplificador de la figura. La
etapa en colector común tras el emisor común hace la

1
ganancia de tensión menos dependiente de la carga. Ex- VCC
plicar la razón.
VCC
RC C2
R1 vo
rs vi CX
RC1 RE2 Q1
R1
vo C1
C1 RL
rs vi vs R2
Q1 Q2 C2 RE CE

R2 RL
vs RE1 RC2 Datos: β = 80, gm = 57,14 mA/V, rπ = 1,4 kΩ, Cπ =
15 pF, Cµ = 1 pF, rs = 200 Ω, R1 = 7 kΩ, R2 = 4,3 kΩ,
RE = 330 Ω, RC = 5 kΩ, RL = 5 kΩ.
Resultado: CE = 57,4 µF, C1 = 9,5 µF, C2 = 2,1 µF, Cx =
10 pF.
Datos: VCC = 12 V, R1 = 89KΩ, R2 = 11KΩ, RC1 =
10KΩ, RE1 = 1KΩ, RC2 = 1KΩ, RE2 = 2KΩ, RL = 3.12 Diseñar el valor de los condensadores de un am-
100KΩ; Utilizar la aproximación β → ∞ para los cálcu- plificador en base común para tener una frecuencia de
los en continua y β = 100 para los cálculos en pequeña corte inferior de 3 dB en fL = 150 Hz. Calcular la fre-
señal. cuencia de corte superior de 3 dB.
Resultado: IC1 = 0,62 mA, VCE1 = 5,2 V, IC2 = 2,8 mA, VCC
VEC2 = 3,8 V, AV = 9,1.
RC C2
R1 vo
3.10 Calcular la ganancia de tensión y la impedancia C3
de entrada del amplificador de la figura. Q1 C1
vi rs
RL
R2
RE vs
VCC

Datos: β = 80, gm = 57,14 mA/V, rπ = 1,4 kΩ, Cπ =

RC2 15 pF, Cµ = 1 pF, rs = 200 Ω, R1 = 7 kΩ, R2 = 4,3 kΩ,
RC1 R1 vo
RE = 330 Ω, RC = 5 kΩ, RL = 5 kΩ.
RB C2 Resultado: C1 = 4,9 µF, CB = 4,9 µF, C2 = 12 µF, fH =
Q2
58,3 MHz.
rs vi C1 R2
Q1 RL
3.13 Diseñar un amplificador con un transistor MOS-
vs RE FET en fuente común para tener una frecuencia de corte
inferior de 3 dB en fL = 150 Hz y una frecuencia de cor-
te superior de 3dB de fH = 2 MHz. Utilizar el teorema
de Miller para verificar el diseño de la frecuencia de cor-
te superior.
Datos: β = 100, rπ = 1 kΩ, RB = 220 kΩ, RC1 = 4,7 kΩ, VDD
R1 = R2 = 12 kΩ, RC2 = 1,5 kΩ, RE = 1 kΩ, RL =
10 kΩ.
Resultado: AV = 410,5, Ri = 405 Ω. RD C2
R1 vo
rs vi
M1
3.11 Calcular el valor de los condensadores de un am- C1
RL
plificador en emisor común con resistencia de emisor vs R2
RS CS
completamente desacoplada para tener una frecuencia
de corte inferior de 3 dB en fL = 150 Hz y una frecuen-
cia de corte superior de 3 dB en fH = 250 kHz. Datos: Cgd = 2 pF, Cgs = 5 pF, rs = 200 Ω, gm =

2
10 mA/V, RS = 2 kΩ, RD = RL = 5 kΩ, R1 = R2 = VCC
200 kΩ.
Resultado: CS = 11,1 µF, C2 = 1,06 µF, C1 = 0,21 µF,
RC C3
Cx = 8,2 pF. R1 vo
C2
3.14 Calcular la ecuación de la frecuencia de corte Q2 RL
inferiorde 3dB del amplificador en emisor común con
la resistencia de emisor parcialmente desacoplada asu- R2
miendo que existe un polo dominante.
rs C1
VCC
J1
vi
vs RG
RC C2
R1 vo RS CS
rs vi
Q1
C1 Datos: VCC = 15 V, rs = 50 Ω, RC = 1 kΩ, RS = 150 Ω,
RE1 RL R1 = 7 kΩ, R2 = 3 kΩ, RG = 1 MΩ, RL = 10 kΩ; para
vs R2 el BJT, β = 100, Cπ = 78 pF, Cµ = 2 pF; para el JFET,
IDSS = 12 mA, Vp = −3 V, Cgs = 2 pF, Cgd = 1 pF.
RE2 CE
Resultado: IC = ID = 5,9 mA, VGS = −0,89 V, VDS =
2,8 V, VCE = 5,4 V, AV = −5,1, Ri = 1 MΩ, Ro = 1 kΩ,
Resultado: fH = 46 MHz.
RC1 = rs + RB k[rπ + (β + 1)RE1 ]
RC2 = RC + R 3.17 Calcular el punto de trabajo de los transistores
L 
rπ + rs kRB del amplificador de la figura. Calcular la ganancia de
RCE = RE2 R
E1 + tensión, impedandia de entrada y de salida teniendo en
β +1
1 1 1 cuenta la impedancia de salida de los transitores, ro .
ωL = + + Calcular la frecuencia de corte superior de 3 dB:
C1 RC1 C2 RC2 CE RCE
+VSS
3.15 Calcular la capacidad de los condensadores C1 y
C2 para que el amplificador tenga una frecuencia de cor- M1
te inferior fL = 20 Hz. rs vi C1 R1 C2 v
o
VCC
vs M2 RL
RC
RB C2 vo
−VSS
rs vi C1
Q1 Datos: VSS = 5 V, rs = 100 Ω, R1 = 1 MΩ, RL = 10 kΩ;
RL para los MOSFETs Vt = 2 V, kn = k p = 100 µA/V2 ,
vs VA = 200 V, Cgs = Cgd = 1 pF.
ID = 0,9 mA, VSG1 = VSD1 = VGS2 = VDS2 = 5 V

3.18 Dado el amplificador de la figura, determinar la

Datos: rπ = 5 kΩ, gm = 40 mA/V, RC = 3,9 kΩ, RB = frecuencia de corte inferior y superior de 3 dB.
220 kΩ, RL = 10 kΩ, rs = 50 Ω. VCC
Resultado: C1 = 6,8 µF, C2 = 8 µF.

3.16 Calcular el punto de trabajo de los transistores, la RD C2

ganancia de tensión, impedancia de entrada y salida, y vo
rs vi C1
frecuencia de corte superior de 3 dB del siguiente ampli- M1 M2
ficador. Razonar si es un buen amplificador de tensión
desde el punto de vista de las impedancias de entrada y RG RL
vs RS1 RS2 CS
salida. ¿Hay reducción de la frecuencia de corte supe-
rior por efecto Miller en el transistor J1 ? ¿Por qué?

3
Datos: RG = 50 kΩ, RS1 = 250 Ω, RD = 5 kΩ, RS2 = VDD VDD
150 Ω, rs = 200 Ω, RL = 10 kΩ, C1 = 1 µF, C2 = 10 µF,
CS2 = 5,3 µF, gm1 = gm2 = 10 mA/V, Cgd1 = Cgd2 = 2 pF, RD RD
Cgs1 = Cgs2 = 5 pF. vo1 vo2
Resultado: fL = 502 Hz, fH = 12,3 MHz.

3.19 Calcular la tensión de salida del amplificador di- vid /2 M1 M2 −vid /2

ferencial de la figura en los siguienes casos:

a) Tomada entre el nodo vo1 y vo2 en abierto. I

b) Definida como la tensión en el nodo vo2 en abierto.
−VDD
c) Entre los terminales de una resistencia de carga
Datos: VDD = 12 V, I = 4 mA, RD = 5 kΩ, kn = 2 mA/V2 ,
RL = 8 kΩ conectada entre los nodos vo1 y vo2 .
Vt = 1,1 V.
d) Entre los terminales de una resistencia de carga
RL = 10 kΩ conectada entre la tierra y el nodo vo1 .