TEMA 4: JFET y MOS-FET Electrónica General y Aplicada

1999

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO JFET y MOS-FET

Son componentes semiconductores, que se basan en el manejo de tensión y corriente

de salida bajo el control del Campo Eléctrico (V / mm), es decir, su entrada no toma
corriente, en la práctica esa corriente es extremadamente baja, comparable a la I de
fuga en un capacitor debido al dieléctrico.
La conducción en esta tecnología, depende únicamente del flujo de portadores
mayoritarios, por eso son unipolares, (un solo tipo de portadores N o P).

Ventajas con respecto al transistor bipolar

- Tiene muy alta impedancia de entrada

( JFET ≈ 108 Ω MOS-FET ≈ 1010 a 1015 Ω )
- Tiene muy buena inmunidad al ruido.
- No requiere tensión de umbral (arranque), que lo hace excelente en muy bajas
señales.

Desventajas

- Tiene menor producto Ganancia x Ancho de banda con respecto al transistor bipolar.
De fábrica cada amplificador tiene un producto
+- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - +
¦ Ganancia x Ancho de Banda = Cte. ¦
+- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - +

- Se requiere gran precaución en el manipuleo, porque las cargas electrostáticas lo

destruyen, aunque vienen con protección interna.

Terminología

Componente = dispositivo, cuando se agrega

Activo = Amplifica
Pasivo = R,L,C Es el Transitor de
JFET = FET = TEC Efecto de Campo de
Junction Field Effect Transistor. Juntura

MOST = MOSFET = IGFET

Metal Oxide Semi= INSULATED
Conductor transistor Gate Field
Effect Transistor.
Es el Transitor de
Efecto de Campo de
Compuerta Aislada.

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JFET y MOSFET son de silicio.

TRANSISTOR JFET

Figura:TR04_01.

Cómo trabaja ?
Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N y un
diodo NP para el canal P.
La tensión VGS se debe polarizar en forma inversa y en directa siempre y cuando en
forma no se sobrepase la tensión de arranque V (= 0,6V, Si). AL sobrepasar 0,6 V el
diodo conduce y se destruye, porque está fabricado para baja corriente directa.
En síntesis, es una barra de Si, con impurezas controladas, N si el canal es N, e
impurezas P para el de canal P, que tiene cierta resistencia
R canal = ρ L ρ = resistividad
S
Al polarizar al diodo Gs, en forma inversa, fundamenta la baja corriente de entrada
aprox. 10 nA ( en definitiva es la polarización inversa de un diodo cumún).

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Figura:TR04_02.
R canal = ρ L ρ = resistividad
S ⇐ ésta disminuye.

La interpretación de la característica de salida, tiene 3 zonas: V DS (aumenta)

1- Zona lineal. Ley de Ohm ⇒ ID= VDS

Rcanal (cte.)
2- Zona alineal o de codo.

3- Zona de saturación, es la utilización como amplificador

VDS = ID
Rcanal

Aqui ID = cte. Es interesante ver que las variaciones de

VDS no afectan a ID :

ID = VDS si V DS ⇑ Rcanal ⇑
Rcanal en igual proporción (esta es la llamativa )

Esto se mantiene hasta la ruptura, que si no se limita externamente a la corriente el

transistor se destruye.
Un circuito práctico:

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Figura:TR04_03.

TRANSISTOR MOST

La gran diferencia fundamental con el JFET, es que entre compuerta G y Fuente S hay
un material aislante (S i O2), que contiene una constante dieléctrica relativa (Rr), baja
pero
estable.
Podemos decir sin dudas, que entre G y S hay un dieléctrico por lo tanto es un
CAPACITOR.
Las corrientes de entradas IG = pA ( 1 pA= 10-12 A )
1000 veces o mas menores al JFET.
La rgs oscila 1010 a 1015 Ω.
Hay dos tipos de MOST: Acumulación y Deplexión.

MOST DE ACUMULACION

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Figura:TR04_04.

Este es el transistor de menor consumo, ideal para el uso en equipos portátiles.

Figura:TR04_05.

En algunos MOST, el terminal de substrato viene al exterior y se puede colocar a masa

o V DD.
Lo normal es en canal P a +V DD y para canal N a masa.
Curva característica de salida

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Figura:TR04_06.

Tiene las curvas con 3 zonas = JFET con sustrato

a +V DD ⇒ VGS ≤ 0V.

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Figura:TR04_07.

Curvas características de salidas del MOST de deplexión y Acumulación

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Figura:TR04_08.

Un MOST de deplexión tiene igual respuesta al JFET, pero con >> resistencia de
entrada y lo importante

Un MOST de Deplexión puede trabajar también en el

modo de Acumulación.

MOST Deplexión = MOSt Acumulación + JFET

Actualmente hay MOST de Potencia de 100 A y 1500 V o mas.

El transistor bipolar original (1948), era extrernamente un cilindro de aprox. 10x20 mm.
A comienzos de 1990, en un circuito integrado cada transistor se redujo a 1x1 um.
Ya se integran en 45 mm2 10.000.000 de transistores y se espera un límite tecnológico
y económico para el Si entre 50 y 100 millones .
La clave de los MOST para integrarse es su muy bajo consumo ⇒ bajo efecto Joule y
se pueden aproximar mas entre si, en los procesos de integración.

Resumen:

Extructura básica y funcionamiento de transitores bipolares.

El transitor bipolar fue desarrollado en 1948 en los laboratorios Bell en EE.UU y desde
entonces ha reemplazado casi totalmente a las válvulas electrónicas. Consta de tres
zonas situadas una detrás de otra con conductividad p y n por el orden p-n-p (transistor
PNP)o n-p-n (transistor NPN). Estas tres zonas se denominan emisor, base y colector.
(FIG: 12)

La tensión de trabajo se aplica a un transistor NPN del modo que el polo negativo se
halle en el emisor y el polo negativo en el colector. La base se conecta de forma que
es positiva respecto al emisor; sin embargo, esta tensión de base es mucho menor
que la tensión de colector.

Si sólo en el diodo de emisor hubiera tensión circularía una corriente elevada desde el
emisor a la base, porque una gran cantidad de electrones migran a la zona de base, o
bien de huecos o lagunas a la zona de emisor.

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Figura:TT04_09.

Figura:TR09_10.

Sin embargo, como en el colector está aplicado el polo positivo de toda la tensión, los
portadores de carga negativos (electrones), que bajo la influencia de la pequeña
tensión de base han pasado por el diodo emisor-base a la base, son atraídos a la
capa de bloqueo base-colector por la tensión de colector mucho más elevada, y
pueden migrar por la segunda zona a la conexión de colector. Por lo tanto la corriente

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procedente del emisor se ramifica: una pequeña parte pasa a la base, y una parte
mucho mayor, al colector.
En los transistores modernos, la corriente de base es sólo una centésima a una
milésima de la corriente del emisor. Pequeñas variaciones de la corriente de base
producen grandes variaciones de la corriente de colector (efecto amplificador).

Para que los electrones atraviesen la base y lleguen al colector es necesario que:
• El camino entre emisor y las zonas de colector sea muy corto (pequeña extensión
de base)
• La extructura cristalina sea perfectamente regular (monocristal)

Extructura básica y circuito del transistor MOS de efecto de campo.

Un transistor MOS consta de dos zonas conductoras p una al lado de la otra (“source” y
“drain”) en un cristal de silicio poco purificado n(transistor de canal p), o bien de dos
zonas conductoras n en un cristal poco impurificado p (transistor de canal n), con un
electrodo metálico de “gate” colocado aislado sobre la zona separadora. (FIG13)

En el transistor de canal n, una tensión positiva en el “gate” aislado hace que sean
extraídos electrones desde el metal de silicio hasta la superficie. Entre ambas zonas n
“source” y “drain”, se genera una delgada capa conductora n (canal n). Con la tensión
de “gate” se puede controlar el transistor sin uso de corriente, o en operación de
interruptor, conectarlo y desconectarlo (niveles lógicos 1 y 0 )

En el transistor de canal p, la polaridad de las tensiones aplicadas debe ser inversa.

Etapa de potencia lineal

Se llama etapa de potencia, a la última de Amplificación, donde el diseño se concentra

en lograr Ganancia de Potencia para entregar a la carga.
Se llama Lineal, cuando las señales de tensión y corriente de salida Amplificadora no
pierde la forma de la señal de entrada.
Es decir, no hay distorsión (deformación causada por la amplificación)
Otra forma de verlo , es decir, cuando la señal no toca en la recta de carga: ni corte; ni
saturación; ni ambas a la vez.
A la señal lineal, también se le llama señal débil.
Señales fuertes, se llaman aquella que incursionan entre corte y saturación. Son de
amplia aplicación en los circuitos de conmutación (fuentes switching, etc) y en los
circuitos digitales o binarios (saturación=0; corte=1)

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Conclusión:

Lo de fuerte o débil no se refiere a la magnitud, Ejemplo:

puede haber una señal débil de 20 Vpp (pico a pico)y en otra etapa una señal fuerte de
5 Vpp.
Etapa se llama a cada amplificador. La conexión de la salida de una etapa a la
entrada de otra etapa se llama conexión de cascada.

CLASE AB

El clase B, con 2 transistores en contrafase y ambos al corte, (en estado de reposo, es

decir, sin señal).
El clase AB, es con una pequeña conducción (en estado de reposo), es una corriente
de polarización no querida, pero en la práctica está presente.
Por ejemplo: en la simetría complementaria es necesaria para eliminar la distorsión de
cruce por cero.

Un clase B o AB es una conexión en

contrafase

2 transistores iguales (2NPN o 2PNP) la contrafase se realiza con trasformador.

2 transistores de características de fábrica iguales pero uno PNP y el otro NPN se dice
par complementario y la coneixón de ese par para lograr, un Clase B o AB, se llama
Simetría Complementaría
Lo de contrafase se refiere a la Amplificación de un hemiciclo (180°) cada transistor.
Veamos un clase B:

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Figura:04_11.

La distorsión de cruce, se produce porque faltó tensión de arranque Vg a las VBE de

Q1 y Q2.
Además de Vg, en la práctica los transistores no son rigurosamente iguales.
Cómo se evita esa distorsión ?
Polarizando a las bases con V BE iguales en Vg,y como esto hace circular una pequeña
IB y como consecuencia-->Ic y esto es:
Clase AB.

Figura:TR04_12.
Por qué se utiliza el clase AB y no otra ?

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1º Porque en clase A el máximo rendimiento n esperado es del 50%

n = Potencia c.a. en la carga x 100
Potencia c.c. suministrada

2º En el clase B o AB se alcanza n=78%

3º El clase AB es un amplificador lineal de banda ancha, audio, video, etc. a diferencia

del clase C, que es de banda angosta sintonizado o de conmutación.

MOST Complementario o CMOS ( Complementary MOS )

Figura:TR04_13.

Su máxima aplicación es en los circuitos digitales.

Hay otra versión HCMOS, que es fabricada para frecuencias > 5 Mhz.
H: High Speed.
Este tipo de configuración, es el origen de toda la electrónica de muy bajo consumo
(equipos portátiles, relojes, calculadoras con celdas solares, etc.)

Tiristor o RSC

Es un dispositivo unidireccional o rectificador controlado de Silicio (RSC)

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Figura:TR04_14.

Es un diodo, si la tensión Compuerta-Cátodo (VGK) tiene la tensión de arranque

Vg,aprox. 0,6V=V GK la IG es aprox. 0,1 a 70 mA depende de la Potencia que maneja, y
en esas condiciones comienza a crecer la V AK se comporta como un diodo común.

Constitución interna en bloques

Figura:TR04_15.

Para que se usa ?

La mas amplia aplicación es demorar (delay) la exitación de compuerta, con respecto

al crecimiento de la tensión
Anodo-Cátodo V AK

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Figura:TR04_16.

Una vez que la G se activó ya no ejerce ningún control.

Cómo se corta la conducción ?

O se abre el circuito Anodo-Cátodo o bien, cuando la tensión aplicada cae a cero o
toma valores negativos.

Curva característica de salida:

Figura:TR04_17.

Esta figura indica que a mayor corriente de compuerta G

I , se logra más rápido el
disparo y comienza la conducción del tiristor (IA).
Aplicación Típica:

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Figura:TR04_18.

El tiristor con la compuerta permanentemente exitada hace circular 1/2 onda por la
lámpara (180º).
Nota: Este mismo circuito, en lugar de aplicar tensión c.a., se alimenta con rectificación
de onda completa (sin capacitor de filtrado) funciona los 360°, es decir a lámpara
encendida a pleno o a un mínimo valor.
Pero, controlando la V GK puede reducir la conducción (hasta 90º).
El circuito R-C es un integrador (desplazador de fase), si la señal de entrada es
senoidal a la compuerta llega -cos ωt, lo
que hace retardar la exitación de compuerta.
Con osciloscópio, se observará

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Figura:TP04_19.

Por RL= cte. el formato de V RL es exactamente el formato de la onda de corriente IL.

Hay tiristores de potencia de 1500 V PI(pico inverso) y mas de 100A.

Triac

Es un dispositivo de Silicio bidereccional, controlado por compuerta.

Es equivalente a los tiristores trabajando en antiparalelo y sirve para c.a.

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Figura:TR04_20.
Curva característica

Figura:TR04_21.

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Observando la aplicación anterior

Figura:TR04_22.

El objetivo del DIAC es levantar el umbral de disparo de compuerta (0,6 a 1V), para
aumentar la inmunidad al ruido. Recordar que estos circuitos a veces trabajan de 200
a 1200 V.

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Figura:TR04_23.

Ahora podemos controlar a ambos hemiciclos.

El límite para c/hemiciclo es de 90º.

Diac

Es un semiconductor de Si bidireccional

Figura:TR04_24.

Curva Característica de Salida

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Figura:TR04_25.
Su respuesta se puede interpretar haciendo la analogía como un Zener para c.a., tiene
su equivalencia con la lámpara de Neón.
Tensiones de ignición: DIAC 27 a 37 V y es mucho mas estable que la del Neóm, ya
que la afectan las radiaciones y ruidos.

Figura:TR04_26.

Tensiones de ignición: Neón 50 a 100 V.

Optoelectronica

Es un término extremadamente amplio, abarca desde el origen de la emisión

fotoeléctrica hasta los fotoemisores laser.
Desde el punto de vista industrial, se describirán los de mayor uso, en el espectro del
Infrarrojo 820 a 940 nm=long. de onda que inclusive son los mas populares en las
fibras ópticas

Aplicación:

En todo tipo de transmisión y recepción sea lineal (analógica) o digital y se requiera

aislar una etapa de otra eléctricamente, esto se llama Aislación Galvánica
Vienen desde diodos emisores, fototransistores hasta circuitos integrados que
contienen diferentes dispositivos.

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Figura:TR04_27.
NC: No conexión

Estos son Optoacopladores que desde el punto de vista de la emisión son diodos
aptos para trabajar en estados ON-OFF.

Optoacoplamiento Lineal con Amplificación

FiguraTR04_28.

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Relé de estado solido

Es integrar en una unidad de cuatro terminales un circuito un diodo fotoemisor y

transistor fotoreceptor que ingresa a un comparador que detecta los cruces por cero
de la tensión aplicada y dispara a la compuerta del TRIAC, que también está
incorporado.

Figura:TR04_29.

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Figura:TR04_30.

LA GRAN VENTAJA: No incorpora ruido a las líneas de TV,Computadoras,

Tranceptores,etc.

♦♦ FIN TEMA 4 ♦♦

Corregido por Hernando Castillo, Ayudante de Segunda, año

1999
Revisado por Ingeniero Adolfo Gonzales, profesor titular año
1999

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