INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ESTUDIOS SUPERIORES

DE ZAMORA

Ingeniería Electrónica

Resumen U3

Transistor unipolar. (FET, MOSFET).

Integrantes:
*Delrio Domínguez Ernesto
*García Becerril Gerardo
*García Gutiérrez Alberto
*Medina Cuevas Víctor Antonio

Diodos y transistores

Asesor: Ing. José Jorge Rodríguez Hernández

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Contenido
INTRODUCCIÓN; ................................................................................................... 3

DESARROLLO; ....................................................................................................... 4

TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO .................................................................. 4

CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. . 4

ECUACIONES DEL FET ...................................................................................... 5

EL JFET ............................................................................................................... 6

PRINCIPIO DE OPERACIÓN DEL JFET (CANAL N) .......................................... 7

ZONA LINEAL ...................................................................................................... 7

ZONA DE SATURACIÓN ..................................................................................... 8

ZONA DE CORTE................................................................................................ 8

MOSFET .............................................................................................................. 9

CURVAS CARACTERÍSTICAS.......................................................................... 10

PRINCIPIO DE OPERACIÓN DEL MOSFET (CANAL N) .................................. 10

ZONA LINEAL .................................................................................................... 11

ZONA DE SATURACIÓN ................................................................................... 11

ZONA DE CORTE.............................................................................................. 11

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA ................................................... 11

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN ................................................. 12

CONCLUSIONES;................................................................................................. 13

REFERENCIAS; .................................................................................................... 14

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INTRODUCCIÓN;

El siguiente componente que vamos a estudiar es el transistor unipolar o FET (field

effect transistor). El FET de unión fue descrito por primera vez en 1952 por Shockley
y se llamó FET de unión o JFET. Más adelante se desarrolló el FET de puerta
aislada (insulated gate FET) o MOSFET (metal-oxide-semiconductor FET). Este ha
sido el artífice de los circuitos digitales de alta velocidad y bajo consumo.

Probablemente no existirían microprocesadores con las prestaciones actuales si no

se hubiera desarrollado la tecnología MOS. Los avances se han sucedido y en la
actualidad se dispone de transistores de metal semiconductor (MESFET) y de
arseniuro de Galio (GASFET) para aplicaciones de muy alta frecuencia. De igual
manera para aplicaciones de potencia nació el FET de estructura vertical o VMOS.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material
p o n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unión p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas

respectivamente Drenaje (d-drain) y Fuente (s-source), más una conexión llamada
Compuerta (g-gate) en el collar.

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DESARROLLO;

TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

El transistor de efecto de campo (FET) es un transistor que se basa en un campo
eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal de un
tipo de portador de carga en un semiconductor material. Los FETs son a veces
llamados
transistores unipolares
para contrastar su único portador tipo de operación con la operación de doble
portadora del tipo de trastorno bipolar (salida) de transistores(BJT). El
concepto
de la FET es anterior a la BJT, aunque no se llevó a cabo físicamente hasta
después de
los BJT debido a las limitaciones de los materiales semiconductores y la relativa
facilidad de los BJT de fabricación en comparación con FET en el momento.

CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los
𝑣
transistores JFET. En primer lugar, en la representación 𝐼𝐷 𝑠 𝑉𝐺𝑆 para un 𝑉𝐷𝑆 dado,

se aprecia claramente el paso de la región de corte a la región de saturación. En la

práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que, en el
primero, 𝑉𝐺𝑆 positiva hace crecer rápidamente a 𝐼𝐺 como se muestra en el grafico 1.

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En la característica VDS v/s ID del JFET canal N, se observa la diferencia entre las
regiones lineal y de saturación. En la región lineal, para un determinado valor de
VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión V DS. Sin embargo, este
crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo. Se alcanza el valor de saturación
cuando ID sólo depende de VGS.

ECUACIONES DEL FET

El desempeño del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W.
Shockley, en 1952. De ahí el nombre que rige la ecuación de este tipo de
transistores; la llamada "ECUACIÓN DE SHOCKLEY".
Esta expresión dice lo siguiente:

DONDE:
ID = Corriente de Drenaje
IDSS = Corriente de Drenaje de Saturación
VGS = Voltaje Puerta-Fuente
VP = Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

El FET se divide en JFET y MOSFET.

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 EL JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español

transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un
dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según
unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores
de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas,
en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este
valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación
como se muestra en el grafico 2.

Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de

canal P".

En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje

entre la compuerta y el surtidor como se muestra en el grafico 4.

Al comparar el JFET con el BJT se aprecia que el drenaje (D) es análogo al colector,
en tanto que el surtidor (S) es análogo al emisor y la compuerta (G), es análogo a
la base.

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 PRINCIPIO DE OPERACIÓN DEL JFET (CANAL N)

El FET tiene tres regiones de operación. Estas regiones son:

 Zona Lineal.

 Zona de Saturación.

 Zona de Corte.

ZONA LINEAL

Si en la estructura del grafico 4 se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá
una corriente circulando en el sentido del drenaje al surtidor, corriente que
llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal
N de conducción. En este caso pueden distinguirse dos situaciones, según sea V DS
grande o pequeña en comparación con VDS.

Es decir, el FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la

tensión, ya sea para valores pequeños como se muestra a continuación:

7
 ZONA DE SATURACIÓN

Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto en donde el espesor del canal en

el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se
mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensión provocan
un mayor estrechamiento del canal con lo que la resistencia global aumenta como
se muestra a continuación:

ZONA DE CORTE

Fijemos nuestra atención en el Grafico 8. La zona de tipo P, conectada a la puerta

forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma
una unión PN aparecen en los bordes de la misma zona de deplexión en la que no
hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la
polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha,
proporcionalmente a la tensión aplicada. Aplicando una tensión V GS negativa
aumentamos la anchura de la zona de deplexión, con lo que disminuye la anchura
del canal N de conducción.

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 MOSFET

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad
de los procesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Existen cuatro tipos de transistores MOSFET, como se muestra en la figura 9:

 Enriquecimiento de canal N
 Enriquecimiento de canal P
 Empobrecimiento de canal N
 Empobrecimiento de canal P

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 CURVAS CARACTERÍSTICAS

Con los transistores MOSFET se manejan dos tipos de gráficas: la característica

VGS - ID, con VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante. A continuación, se
muestra las curvas características de los MOSFET de enriquecimiento tipo N
(grafico 11) y tipo P (grafico 12), y de empobrecimiento tipo N (grafico 13) y tipo P
(grafico 14).

PRINCIPIO DE OPERACIÓN DEL MOSFET (CANAL N)

El FET tiene tres regiones de operación. Estas regiones son:

 Zona Lineal.

 Zona de Saturación.

 Zona de Corte.

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 ZONA LINEAL
Al polarizarse la puerta con una tensión con una puerta negativa (nMOS) o positiva
(pMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el
drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán los portadores minoritarios
(electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la región de deplexión que darán lugar
a un canal de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre la fuente
y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensión de puerta.

ZONA DE SATURACIÓN
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador
y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que, debido
al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.
ZONA DE CORTE
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en
estado de no conducción: ninguna corriente entre fuente y drenador. También se
llama MOSFET a los aislados de juntura de dos componentes.

CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

Es una de las pocas configuraciones que pueden resolverse directamente tanto con
un método matemático como uno gráfico. El grafico 15 muestra la configuración
respectiva del circuito.

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 CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN
La configuración de autopolarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El
volteje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el volteje a través
del Resistor R, que se conecta en la terminal de la fuente de configuración como se
muestra en el grafico 16.

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CONCLUSIONES;
 Delrio Domínguez Ernesto.

Los transistores FET realizan la función de control de la corriente, común a todos

los transistores por ser característica básica, mediante una tensión aplicada en uno
de sus terminales.

 García Becerril Gerardo.

Fue necesario el estudio de las curvas de jfet para la elaboración de las prácticas,
y se comprende que es necesaria la lectura para lograr comprender el
funcionamiento, pero en tiempos de elaboración cambiaron los valores por las
tolerancias de los valores resistido

 García Gutiérrez Alberto.

Al variar el valor de la fuente VDD la curva del circuito ya sea de polarización fija y
autopolarización la curva de transferencia cambia. En el circuito de autopolarización
el voltaje VG=0 [v] debido a que la impedancia es extremadamente alta. En el circuito
de polarización fija el voltaje VS=0 [v].

 Medina Cuevas Víctor Antonio.

Este transistor es capaz de controlar un flujo de corriente. Este compuesto de una

parte de silicio tipo N, a la cual se adicionan dos regiones con impurezas tipo P. Al
igual q el bjt constando tres pines, pero en este son diferentes aun q de igual manera
la ubicación de cada pin depende del transistor que se maneje. Uno de los pines se
llama; Gate o compuerta, el otro es Drain o drenado y por último el tercero que es
Source o surtidor. Para ver el funcionamiento de este igual se realizó una práctica
similar a la del BJT.

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REFERENCIAS;

https://www.uv.es/=esanchis/cef/pdf/Temas/A_T3.pdf

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo

http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_6_-
_transistores_unipolares.pdf

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