DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Introducción a Tiristores. Materiales semiconductores

El término “semiconductor” revela por sí mismo una idea de sus características. El prefijo “semi”
suele aplicarse a un rango de niveles situados a la mitad de dos límites. El término conductor se
aplica a cualquier material que permite un gran flujo de carga, cuando una fuente de voltaje de
magnitud limitada se aplica a través de sus terminales.
Un aislante o dieléctrico es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la
presión de una fuente de voltaje aplicada.
Un semiconductor, es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los
extremos de un dieléctrico y un conductor.
Inversamente relacionada con la conductividad de un material, se encuentra la resistencia al flujo
de la carga o corriente. Esto es, mientras más alto es el nivel de conductividad, menor es el nivel
de resistencia.

El germanio y el silicio han recibido la atención que tienen por varias razones. Una consideración
muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy alto grado de pureza. De
hecho, los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el material puro a una parte
por cada 10 mil millones.
Se preguntará si son necesarios estos niveles de impureza. Sí, si se considera que la adición de
una parte de impurezas (del tipo adecuado) por millón, en una oblea de silicio puede cambiar
dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen conductor de electricidad. La
habilidad de cambiar las características del material en forma significativa a través de este
proceso, se conoce como “dopado”, qué es otra de las razones por las que el Ge y el Si han
recibido mayor atención.
Otras razones incluyen el hecho de que sus características pueden ser alteradas de forma
importante mediante la aplicación de luz o calor.
Algunas de esas características son consecuencia de su estructura atómica.
Los átomos del Ge y del Si organizan un patrón bien definido que por naturaleza es periódico,
esto es, se repite continuamente; a este patrón se le llama cristal y al arreglo periódico se le llama
red. Ambos materiales presentan una estructura tridimensional. Si dichas estructuras cristalinas
son del mismo tipo se les conoce como estructura mono cristal. Además, se ha observado que la
estructura de estos materiales no se altera demasiado al aplicársele impurezas.
En la Figura 1 se muestran los modelos de Bohr para el Ge y el Si, como se puede observar, en
ambos casos se tienen 4 electrones en la capa exterior (de valencia). El potencial que se requiere
(potencial de ionización) para sacar de la estructura a cualquiera de los 4 electrones de valencia
es menor que el que se requiere para sacar cualquier otro electrón de la estructura.

En el caso de un cristal puro de Ge o Si, los 4 electrones de valencia se enlazan con 4 átomos
adyacentes como se muestra en la Figura 2. Tanto el Ge como el Si se denominan átomos
tetravalentes porque cada uno de ellos mantiene 4 electrones de valencia.
A la unión de átomos mediante electrones de valencia compartidos se le llama enlace covalente.
Si bien el enlace covalente es un vínculo fuerte entre los electrones de valencia y su átomo, es
posible que adquieran la suficiente energía cinética de forma natural para poder romper el enlace
y asumir un estado “libre”. Las causas naturales pueden ser energía luminosa en forma de
fotones o energía térmica proveniente del entorno.
A temperatura ambiente, hay alrededor de 1.5 x 1010 electrones libres (conocidos como
portadores libres) en un cm3 de material intrínseco de Si.

Material intrínseco. Es aquel que se ha refinado cuidadosamente con el objetivo de reducir las
impurezas hasta un nivel muy bajo, mediante la actual tecnología.

Figura 1. Estructura atómica de: a) Ge, b) Si Figura 2. Enlace covalente del Si

Un incremento en la temperatura del semiconductor puede ocasionar un incremento
sustancial del número de portadores libres en el material.
Los materiales semiconductores como el Si y el Ge que presentan una reducción en la
resistencia cuando se incrementa la temperatura se dice que tienen un coeficiente de
temperatura negativo.
En un conductor no se incrementa de forma importante el número de portadores libres al
incrementar la temperatura y, por otro lado, su patrón de vibración con respecto a una posición
fija dificulta cada vez más el paso de los electrones. Por lo tanto, un incremento de temperatura
causa el incremento de la resistencia, así que tiene un coeficiente de temperatura positivo.
Materiales Extrínsecos tipo n y tipo p
Las características de los materiales semiconductores pueden alterarse de forma importante
mediante la adición de ciertos átomos, llamados de impureza, al semiconductor prácticamente
puro. Aunque estas impurezas se añaden en proporción de una parte por cada 107, pueden alterar
la estructura de las bandas de energía lo suficiente para modificar las propiedades eléctricas del
material por completo.
Material extrínseco. Es aquel semiconductor al que se le realiza un proceso de aplicación de
impurezas (dopado).
Hay dos tipos de materiales extrínsecos, el tipo n y el tipo p.
Material tipo n
El material tipo n se forma mediante la adición de un número predeterminado de átomos de
impureza (Ge o Si) que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio,
arsénico o fósforo. En la Figura 4 se muestra el efecto de estos elementos de impureza sobre una
base de Si.

Figura 4. Impureza de Antimonio (Sb) que convierte al Si en un material tipo n

Observe que permanecen presentes los 4 enlaces covalentes; sin embargo, hay un quinto electrón
adicional que proviene del átomo de impureza, el cual no interviene en ningún enlace covalente.
Este electrón “sobrante”, que tiene un enlace débil con su átomo (Sb), está relativamente libre
para moverse dentro del material semiconductor.
Las impurezas, difundidas en un semiconductor, que cuentan con cinco electrones de valencia
se conocen como átomos donadores.
Es muy importante notar que aunque se ha establecido un gran número de portadores “libres” en
el semiconductor, éste permanece con carga eléctrica neutra; ya que el número de protones y de
electrones en la estructura, es el mismo.
Material tipo p
El material tipo p se forma mediante la adición de un número predeterminado de átomos de
impureza (Ge o Si) que poseen tres electrones de valencia (trivalentes), como el boro, galio o
indio. En la Figura 5 se muestra el efecto de estos elementos de impureza sobre una base de Si.

Figura 5. Impureza de Boro (B) que convierte al Si en un material tipo p

Observe que esta impureza aporta un número insuficiente de electrones para completar los
enlaces covalentes de la red. A la vacante en la red se le llama hueco. Dado que la vacante
aceptará fácilmente un electrón libre:
Las impurezas, difundidas en un semiconductor, que cuentan con tres electrones de valencia
se conocen como átomos aceptores.
Al igual que el material tipo n, el material tipo p también es eléctricamente neutro.
Flujo de electrones contra flujo de huecos
Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y
llena el vacío creado por un hueco, entonces, se crea un hueco en el enlace covalente que liberó al
electrón. Por lo tanto, existirá una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones a la
derecha, como se ve en la Figura 6.

Figura 6. Flujo de electrones contra flujo de huecos

Portadores mayoritarios y portadores minoritarios
En un material intrínseco el número de electrones libres, en Ge o Si, únicamente se debe a los
pocos electrones en la banda de valencia que adquirieron energía de fuentes térmicas o luminosas
para romper el enlace covalente, o a las escasas impurezas que no se pudieron eliminar. Las
vacantes que quedan en la estructura de enlace covalente representan el limitado suministro de
huecos.
En un material tipo n, el número de huecos no cambia de forma importante. Por lo tanto, el
resultado total es que el número de electrones excede por mucho el número de huecos.
En un material tipo n, el electrón es el portador mayoritario y el hueco el portador minoritario.
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el portador minoritario.
En un material tipo n, se inyectan átomos que tienen cinco electrones en su orbita más externa, al
liberarse el quinto electrón por alguna causa, el átomo de impureza queda con una carga neta
positiva (se indica con un circulo con signo + interno) y se le conoce como ión donador. En un
material tipo p, se inyectan átomos con tres electrones en su orbita más externa, si por alguna
razón los átomos de impureza ganan un electrón, se les llama iones aceptores (se muestran como
círculos con un signo menos interno).

Figura 7. Material: a) tipo n, b) tipo p

 EL DIODO SEMICONDUCTOR
El Diodo semiconductor se forma al unir un semiconductor tipo n con uno tipo p (construidos en
la misma base, Ge o Si). En el momento en que se unen, se combinan los huecos y los electrones
en la región de la unión, y como consecuencia se origina una carencia de portadores libres en la
región cercana a la unión.
La región de la unión en donde se combinan los huecos y los electrones se conoce como región
de agotamiento, ya que prácticamente deja de haber portadores de carga libres.
Como el diodo consta de dos terminales, se tienen tres opciones con relación a la aplicación de
potencial externo: a) Sin polarización (VD = 0 v), polarización directa (VD > 0 v) y polarización
inversa (VD < 0 v).
Sin aplicación de polarización (VD = 0 v)
Bajo estas condiciones, tanto los portadores minoritarios como los mayoritarios de ambos lados
de la unión tenderán a cruzar la unión combinándose con los iones correspondientes de la región
opuesta.
Se observa que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales, que el flujo neto en
cualquier dirección es cero. Dicha cancelación se indica mediante las líneas cruzadas, Figura 8.
La longitud del vector del flujo de huecos se dibuja mayor que la del flujo de electrones para
demostrar que la magnitud de cada uno no tiene que ser la misma para que se puedan cancelar y
que además, los niveles de impurezas de cada material pueden ocasionar un flujo desigual de
huecos y electrones. Así que:
En ausencia de voltaje de polarización en el diodo, el flujo neto de carga en cualquier
dirección es cero.

Figura 8. Diodo sin polarización externa

Con polarización inversa (VD < 0)
Debido al tipo de polarización aplicado el número de iones (átomo que carecen de un electrón o
bien tienen un excedente de un electrón) en cada región de agotamiento de la unión se
incrementará debido al flujo de portadores mayoritarios atraídos por el potencial aplicado en su
región. El efecto neto es el crecimiento de la región de agotamiento, con lo que se establecerá
una barrera que detendrá el paso de los portadores mayoritarios, lo que da como resultado una
reducción a cero del flujo de éstos como se ve en la Figura 9.

Figura 9. Diodo polarizado inversamente

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran en la región de agotamiento no
cambia, con lo que resultan vectores de flujo de portadores minoritarios que tienen la misma
magnitud, como se ve en la Figura 9, sin voltaje aplicado.
La corriente que se forma bajo una situación de polarización inversa se conoce como corriente
de saturación inversa y se representa con IS.
La corriente IS rara vez es mayor a unos cuantos micro amperes excepto para el caso de
dispositivos de alta potencia. El nombre de saturación se debe a que rápidamente alcanza su
máximo nivel y a que no cambia de forma importante con incrementos del potencial de
polarización, como se muestra en la Figura 9, cuando VD < 0. Observe en la Figura 10 que la
dirección de IS es contraria a la flecha del símbolo del diodo.

Figura 10. Situación de polarización inversa para un diodo semiconductor

Polarización directa (VD > 0)
Un diodo se encuentra polarizado directamente cuando se establece una asociación material tipo
p con terminal positiva de la fuente y material tipo n con terminal negativa de la fuente.

Figura 11. Diodo polarizado directamente

La polarización directa causa que los portadores mayoritarios de ambas regiones se recombinen
con los iones cercanos a la unión, lo que reduce el ancho de la región de agotamiento. El flujo de
portadores minoritarios a través de la unión no varía significativamente ya que depende del nivel
de impurezas del material; sin embargo, la reducción del ancho de la región de agotamiento
provoca un alto incremento del flujo de portadores mayoritarios a través de la unión. Conforme
se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, continua reduciéndose la región de
agotamiento, hasta que los portadores mayoritarios cruzando la unión crece exponencialmente.
La ecuación que expresa la corriente a través de la unión es:
ID = IS(𝑒 𝑘𝑉𝐷/𝑇𝐾 - 1)
Donde IS, es la corriente de saturación inversa
k es 11, 600 /η; donde η = 1 para Ge y η = 2 para Si, para niveles de corriente de diodo
relativamente bajos (en o abajo del punto de inflexión de la curva) y η= 1 para Ge y si para
niveles de corriente de diodo mayores (para la sección de crecimiento rápido de la curva).
TK = TC + 273°
Para explicar mejor los componentes de cada región, la ecuación se puede escribir de la forma
siguiente:
ID = IS𝑒 𝑘𝑉𝐷/𝑇𝐾 - IS
Para VD > 0. El primer término de la ecuación crecerá rápidamente y sobrepasará el efecto
contrario del segundo término.
Para VD = 0. La ecuación queda ID = IS(𝑒 0 - 1) = IS(1- 1) = 0 mA.
Para VD < 0. El primer término de la ecuación rápidamente cae a niveles inferiores a IS, por lo
que ID = - IS, lo que se representa con la línea horizontal de la Figura 12.
 Figura 12. Curva característica del diodo semiconductor de Silicio
En la Figura 12 se puede ver que la curva del dispositivo real está ligeramente desplazada a la
derecha con una magnitud de algunas décimas de volt. Esto se debe a la resistencia interna del
“cuerpo” del diodo y a la resistencia externa del “contacto” mismo. Cada resistencia contribuye
a obtener un voltaje adicional con el mismo nivel de corriente como lo determina la Ley de Ohm.
Observe que para polarización directa la dirección de la conducción es la misma que la que indica
la flecha del símbolo.

Figura 13. Polarización directa del diodo Figura 14. Región Zener
Región Zener
Cuando un diodo se polariza inversamente, únicamente circula (inversa a la normal) la corriente
de saturación inversa, así que para situaciones prácticas se considera que no conduce; sin
embargo si el voltaje de polarización inversa se incrementa, se llegara a un voltaje en el cual la
corriente a través del diodo se incrementará rápidamente en la dirección opuesta a cuando se
polariza directamente. El potencial de polarización inversa que provoca este incremento de
corriente se conoce como Potencial Zener y se designa como VZ. Los diversos voltajes asociados
con esa corriente inversa son conocidos como región Zener. Figura 14.
La situación antes descrita se presenta por una de dos causas:
 a) Ruptura Zener. Cuando el diodo se polariza inversamente la región alrededor de la
unión queda prácticamente sin portadores libres de carga y al mismo tiempo se acumulan
iones aceptores y donadores que forman un campo eléctrico que es más intenso a medida
que se incrementa el voltaje de polarización inversa de tal forma que puede llegar a
alcanzar un valor tal en donde es capaz de proporcionar la energía suficiente para que se
liberen electrones de sus enlaces, generándose así portadores de carga. Este mecanismo
se presenta a bajos niveles de voltaje de polarización inversa (alrededor de 5 v).
b) Ruptura por avalancha. Al incrementar el voltaje de polarización inversa, se incrementa
también la velocidad de los portadores minoritarios de carga (que forman la corriente de
1
saturación inversa IS). Si su velocidad y su energía cinética asociada (WK = 2 mv2) son
los suficientemente grandes, al presentarse colisiones con estructuras atómicas lograrán
liberar electrones, provocando un proceso de ionización. Estos portadores liberados
también pueden incrementar su energía cinética y provocarán que se incremente el
proceso de ionización por colisión; a este proceso se le conoce como ruptura en
avalancha. La magnitud del voltaje de polarización inversa en que se presenta la ruptura
de avalancha se puede disminuir incrementando los niveles de impurezas aplicados tanto
al material tipo p como al material tipo n. Sin embargo, si se incrementan lo suficiente las
impurezas, la magnitud del voltaje disminuye por debajo de 5 volts y el efecto que se
presentará es el de la ruptura Zener.
Los diodos que funcionan en la región Zener son conocidos como diodos Zener.
Para un diodo que NO se diseña para funcionar como diodo Zener, el voltaje máximo de
polarización inversa que puede aplicarse antes de ingresar en la región de ruptura por avalancha,
se conoce como voltaje pico inverso (PIV) o bien PRV (Peak Reverse Voltage). Por lo tanto el
voltaje máximo de polarización inversa en diodos que no se desea que conduzcan en sentido
inverso debe ser menor al PIV.
CAPACITANCIA DE TRANSICIÓN (CT) Y DE DIFUSIÓN (CD)
En el diodo semiconductor hay dos efectos capacitivos. Ambos se presentan en polarización
directa y en polarización inversa, pero solo una sobresale en cada región.
En polarización inversa se presenta la capacitancia de transición (CT) o de región de agotamiento,
mientras que en polarización directa prevalece la capacitancia de difusión (CD) o de
almacenamiento.
𝜖𝐴
La ecuación básica del condensador es: C = 𝑑 ; donde:
є es la permitividad del dieléctrico entre las placas del condensador
A es el área de las placas
d es la distancia entre las placas
Capacitancia de transición (CT)
Cuando un diodo se polariza inversamente se forma en la zona de la unión una región de
agotamiento (libre de portadores de carga), la cual se comporta como un dieléctrico entre las
capas de iones. Dado que la región de agotamiento (d) se incrementa al incrementar el voltaje de
polarización inversa, la capacitancia de transición disminuye como se muestra en la Figura 19.
Este efecto de dependencia de la capacitancia respecto del voltaje de polarización inversa tiene
una extensa aplicación en sistemas electrónicos.

Figura 19. Capacitancias de transición (CT) y de difusión (CD) en función de la polarización

aplicada a un diodo de Si
Capacitancia de difusión (CD)
Cuando el diodo se polariza directamente, se presenta la capacitancia de difusión, la cual depende
de la velocidad a la que se inyectan cargas en las regiones justo fuera de la región de
agotamiento; niveles crecientes de corriente (ya que va desapareciendo la región de agotamiento)
provocan niveles crecientes de capacitancia. Sin embargo, a niveles crecientes de corriente, la
resistencia interna disminuye y la constante de tiempo resultante (τ= rdCD) no crece
excesivamente.
Tiempo de recuperación inverso
La corriente en un diodo polarizado directamente es una combinación del flujo de portadores
mayoritarios y de portadores minoritarios. Cuando se invierte la polarización del diodo o bien se
deja de aplicar voltaje de polarización, la corriente a través del diodo no es igual a cero, sino que,
debido a los portadores minoritarios que se encuentran en la región de la unión y los que se
encuentran en el cuerpo del semiconductor habrá una corriente a través del diodo pero que fluye
en sentido inverso. Para que se reduzca a cero dicha corriente los portadores minoritarios de
carga deben recombinarse con cargas opuestas, lo cual requiere cierto tiempo. Este tiempo es
conocido como tiempo de recuperación inverso (tRR) del diodo. En la Figura 20 se muestran dos
características de recuperación inversa de diodos. El tipo de recuperación suave es el más
común. El tiempo de recuperación inverso (tRR) se mide desde el cruce por cero de la corriente a
través del diodo, hasta el 25% del máximo de la corriente inversa IRR. El tRR consiste de dos
componentes, ta y tb. El tiempo ta se conoce como tiempo de almacenamiento y es el tiempo que
tardan los portadores minoritarios almacenados en la región de agotamiento en recombinarse con
cargas opuestas. El tiempo tb es conocido como tiempo de transición y es el tiempo que tardan
los portadores minoritarios que se encuentran en el cuerpo del semiconductor en combinarse con
cargas opuestas. Algunas veces a la razón tb/ta se le llama Factor de Suavidad (SF).
𝑑𝑖
La corriente de recuperación inversa se puede expresar como: IRR = ta 𝑑𝑡

Figura 20. Características de recuperación inversa

El tiempo de recuperación inverso (tRR) se puede definir como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente pasa a través de cero durante el cambio de conducción en sentido
directo a la condición de bloqueo inverso y el momento en que la corriente inversa ha caído al
25% de su valor pico inverso IRR. La variable tRR es dependiente de la temperatura de la unión, la
razón de caída de la corriente directa y de la corriente directa (IF) antes de la conmutación.
Carga de recombinación inversa, QRR
Es la cantidad de portadores de carga que fluye a través del diodo en la dirección inversa debido
al cambio de la conducción en sentido directo a la condición de bloqueo inverso. Su valor se
puede determinar a partir del área encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperación
inversa.
La carga almacena, la cual es el área encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperación
inversa, es aproximadamente:
2𝑄𝑅𝑅
QRR = ½ IRRta + ½ IRRtb = ½ IRRtRR => IRR = 𝑇𝑅𝑅
 2𝑄𝑅𝑅
Combinando las dos ecuaciones de IRR, se obtiene: tRRta = 𝑑𝑖
𝑑𝑡

2𝑄𝑅𝑅
Si tb es muy pequeño comparado con ta se tiene tRR ≈√𝑑𝑖/𝑑𝑡 e IRR = √2𝑄RR 𝑑𝑖/𝑑𝑡

De las dos ecuaciones anteriores se observa que el tiempo de recuperación inverso tRR y la
corriente de recuperación inversa IRR dependen de la carga almacenada QRR y de la variación de
la corriente inversa o reaplicada di/dt.
La carga almacenada depende de la corriente en polarización directa IF.
Ejemplo. Calcular la corriente de recuperación inversa IRR de un diodo cuyo tiempo de
recuperación inversa es tRR = 3 µs y la razón de cambio de la corriente a través del diodo es di/dt
= 30 A/µs.
QRR = ½ di/dt t2RR = 0.5 x 30 A/µs x (3 x 10-6)2 = 135 µC

IRR = √2𝑄RR 𝑑𝑖/𝑑𝑡 = √2 𝑥 135µ𝑥30𝑥106 = 90 A

HOJAS DE DATOS DE DIODOS
 TIRISTORES
El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en régimen de
conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una
secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables), esto es,
conducción (ON) y corte o bloqueo (OFF).
La conmutación del estado de corte al de conducción normalmente se realiza mediante una señal
de control externa. La conmutación de conducción a corte se produce cuando la corriente por el
tiristor es más pequeña que un determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, IH,
(“holding current”), específica para cada tiristor.
Dentro de la familia de los tiristores destacan el SCR (tiristor unidireccional), el DIAC (tiristor
bidireccional) y el TRIAC (tiristor bidireccional).
SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
Del inglés “Silicon Controlled Rectifier”, es el dispositivo más conocido de la familia de los
tiristores.
El SCR es uno de los dispositivos más antiguos dentro de la Electrónica de Potencia (data de
finales de los años 50); no obstante, continua siendo el que tiene mayor capacidad para controlar
potencia (soporta mayores voltajes inversos entre sus terminales y mayor flujo de corriente).
El SCR está formado por cuatro capas semiconductoras alternadas P-N-P-N, consta de 3
terminales: ánodo (A), cátodo (K), por las que circula la corriente principal, y compuerta (G) que,
cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido ánodo –
cátodo. En la Fig. 1 se ilustra una estructura simplificada del dispositivo.

Figura 1. Estructura simplificada y símbolo del SCR

Si al ánodo se le aplica voltaje positivo y al cátodo voltaje negativo, las uniones J1 y J3 se
polarizan directamente, mientras que la unión J2 se polariza inversamente. Si el voltaje aplicado
se aumenta, también aumenta lentamente la corriente, hasta que, al llegar a un valor conocido
como voltaje de rompimiento, VBR, la corriente aumenta bruscamente, y la caída de voltaje
disminuye rápidamente. En este punto de arranque el SCR pasa de corte a conducción.
Al aumentar el voltaje aplicado al dispositivo, la corriente se incrementa debido al efecto de
multiplicación por avalancha en la unión con polarización inversa.

Multiplicación por avalancha. La estructura de un semiconductor esta formada por enlaces. Al

aplicar voltaje, los electrones libres adquieren una cierta cantidad de energía, que al irse
incrementando, logran hacer que otros electrones se separen de sus enlaces, con lo cual se forma
más pares de iones en la unión J2, lo que incrementa el campo eléctrico con lo cual se tiene más
energía para lograr la generación de más pares, ayudado esto además por el incremento del
voltaje aplicado externamente.
Por otro lado, si se aplica polarización directa al SCR pero sin alcanzar el valor de V BR, y se
aplica un voltaje VGK positivo, circulará una corriente a través de J3, con portadores negativos
yendo del cátodo hacia la compuerta. Como la capa P donde se conecta la compuerta es muy
estrecha algunos de los electrones que atraviesan J3 tienen energía cinética suficiente para vencer
la barrera de potencial existente en J2, siendo entonces atraídos por el ánodo.
Así, en la unión inversamente polarizada, J2, se establece una corriente entre ánodo y cátodo, que
podrá persistir aún sin la corriente de compuerta.
Cuando el voltaje VAK es negativo, J1 y J3 quedan inversamente polarizadas, mientras que J2
queda directamente polarizada. Dado que la unión J3 está entre dos regiones con un alto grado de
impurezas, no es capaz de bloquear voltajes elevados, de modo que es la unión J1 la que
mantiene el estado de bloqueo del componente.
Características voltaje-corriente
En la Fig. 3 se muestra la curva característica estática de un SCR. En el estado de corte, puede
bloquear un voltaje directo y no conducir corriente. Y mientras no se aplique señal a la
compuerta, permanece en corte independientemente del signo del voltaje VAK. El tiristor se
dispara (cambia a conducción) aplicando un pulso de corriente positiva en la compuerta, durante
un pequeño intervalo de tiempo. El voltaje de ánodo a cátodo cuando el SCR conduce es de
pocos volts (1-3 V).
Una vez que el SCR es disparado, permanece en conducción aunque la corriente de compuerta
desaparezca y no cambia a corte por pulso de compuerta.
Únicamente cuando la corriente del ánodo es inferior al valor de mantenimiento, IH, el SCR
pasará a estado de corte.

Figura 3. Curva característica principal de los SCRs

En régimen estático, dependiendo del voltaje aplicado entre ánodo y cátodo, se distinguen tres
regiones de funcionamiento:
1. Zona de bloqueo inverso (VAK < 0): Ésta condición corresponde al estado de corte en
polarización inversa.
2. Zona de bloqueo directo (VAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito
abierto hasta alcanzar el voltaje de ruptura directo.
3. Zona de conducción (VAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor
cerrado, si una vez ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a la de
enclavamiento, IL. Una vez en conducción, se mantiene en dicho estado si el valor de la corriente
IAK ánodo a cátodo es superior a la corriente de mantenimiento, IH.
En la Fig. 4 se muestra la curva característica en donde se puede ver cómo, dependiendo de la
corriente de compuerta (IG), varía el voltaje de bloqueo directo.

Figura 4. Variación del voltaje de bloqueo en función de la corriente de puerta.

En la Fig. 5 se presenta la curva característica del SCR considerando la aplicación de un voltaje
que contiene picos negativos y positivos de voltaje e indicando los valores máximos permitidos y
su nomenclatura.

Figura 5. Curva característica del SCR con indicación de parámetros de señal aplicada
− VDRM = Valor máximo de voltaje repetitivo directo.
− VRRM = Valor máximo de voltaje repetitivo inverso.
− VT = Caída de voltaje de trabajo.
− IT = Corriente directa de trabajo.
− IH = Corriente de mantenimiento en estado de conducción.
− IL = Corriente de enclavamiento (en donde inicia conducción).
− IDRM = Intensidad directa en estado de bloqueo.
− IRRM = Intensidad inversa en estado de bloqueo.

Activación o disparo de los SCR

Para que se produzca el disparo de un tiristor, la unión ánodo – cátodo debe polarizarse en
sentido directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para
permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que la corriente de enganche
(enclavamiento), IL, necesaria para permitir que el SCR permanezca en conducción.
Para que el tiristor, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberá circular a
través de él una corriente mayor a la corriente de mantenimiento, IH, que limita el estado de
conducción y el estado de bloqueo directo.
Las formas de hacer que el SCR entre en conducción, son:
a) Disparo por voltaje excesivo
Cuando está polarizado directamente, en el estado de bloqueo, el voltaje se aplica sobre la unión
J2 (Fig. 1). El aumento de VAK causa el incremento de la región de agotamiento tanto para el
interior de la capa de la compuerta como para la capa N adyacente. Aún sin corriente de
compuerta, por efecto térmico, siempre existirán cargas libres que penetren en la región de
agotamiento (en este caso, electrones), las cuales son aceleradas por el campo eléctrico presente
en J2.
En valores elevados de voltaje (y por tanto de campo eléctrico), se presenta el proceso de
multiplicación por avalancha. Tal fenómeno, desde el punto de vista del comportamiento del
flujo de cargas por la unión J2, tiene el efecto similar al de una inyección de corriente por la
compuerta, de modo que, si al iniciar la circulación de corriente se alcanza el límite I L, el
dispositivo se mantendrá en conducción (Fig. 4). Más que un método, es un inconveniente por lo
que se debe mantener VAKMáx < VDRM.
b) Disparo por impulso de corriente de compuerta
Es el método más conveniente de disparo del SCR, es importante el conocimiento de los límites
máximos y mínimos del voltaje VGK y la corriente IG, como se muestra en la Fig. 6.
Figura 6. Curvas con las condiciones para disparo de un SCR a través de control de compuerta y
circuito de disparo reducido a su equivalente Thévenin.

El valor VGmin indica el voltaje mínimo de compuerta que asegura la conducción de todos los
componentes de un tipo determinado, para la mínima temperatura especificada.
El valor VGmax es el máximo voltaje de compuerta que asegura que ningún componente de un tipo
determinado entrará en conducción, para la máxima temperatura de operación.
La corriente IGmin es la mínima necesaria para asegurar la entrada en conducción de cualquier
dispositivo de un cierto tipo, a la mínima temperatura.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thevenin (Fig. 6) para determinar la recta
de carga sobre las curvas características VGK – IG. Para el ejemplo de la Fig. 6, la recta de carga
cortará los ejes en los puntos 6 V (voltaje en vacío de corriente de disparo) y 6 V / 12 Ω = 0.5 A
(intensidad de cortocircuito). Para asegurar la operación correcta del componente, la recta de
carga del circuito debe asegurar que superará los límites VGmin e IGmin, sin exceder los demás
límites (voltaje, corriente y potencia máxima).
Dispositivos de Electrónica de Potencia
c) Disparo por derivada de voltaje
Si a un SCR se le aplica un escalón de voltaje positivo entre ánodo y cátodo con tiempo de subida
muy corto, del orden de microsegundos, los portadores sufren un desplazamiento infinitesimal
para hacer frente al voltaje exterior aplicado.

Si la capacidad parásita de la unión J2 se carga a un valor tal, que si la intensidad de fugas

alcanza el valor suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor entrará en
conducción estable y permanecerá así una vez pasado el escalón de voltaje que lo disparó.
El valor de la derivada de voltaje dv/dt depende del voltaje final y de la temperatura, tanto menor
cuanto mayores son éstas. Esta forma, más que un método, también es un inconveniente.
d) Disparo por temperatura
En altas temperaturas, la corriente de fuga en una unión P-N inversamente polarizada
aproximadamente se duplica con el aumento de 8º C. Así, el aumento de temperatura puede llevar
a una corriente a través de J2 suficiente para llevar el SCR al estado de conducción. Esta forma,
más que un método, también es un inconveniente.
e) Disparo por luz
La acción combinada del voltaje ánodo - cátodo, temperatura y radiación electromagnética de
longitud de onda apropiada puede provocar también la elevación de la corriente de fuga del
dispositivo por encima del valor crítico y obligar al disparo.
Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles LASCR
(“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia y permiten un aislamiento óptico entre
el circuito de control y el circuito de potencia.
Modos de funcionamiento del SCR
Todo o nada
Para una señal de entrada (Fig. 7.a), el SCR suprime algunos semiperíodos suministrando a la
carga paquetes de semiperíodos (Fig. 7.b).

a) Señal de entrada

b) Señal de salida con control todo o nada

c) Señal de salida con control por ángulo de

fase
Figura 7. Modos de funcionamiento del SCR
Ángulo de fase
Para una señal de entrada (Fig. 7.a), se mantienen todos los semiperíodos, se suprime parte de
cada uno de ellos (ángulo de bloqueo) y el resto se transmite a la carga (ángulo de conducción).
(Fig. 7.c).
Ángulo de conducción
La corriente y voltaje medios de un SCR dependen del ángulo de conducción.
A mayor ángulo de conducción, se obtiene a la salida mayor potencia.
Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de conducción.
Ángulo de conducción = 180º − Ángulo de bloqueo o disparo
Conociendo la variación de la potencia disipada en función de los diferentes ángulos de
conducción se pueden calcular las protecciones necesarias.
 Figura 8. Ángulo de bloqueo y ángulo de conducción de un tiristor
Características generales del SCR
• Interruptor casi ideal.
• Soporta altos voltajes.
• Es capaz de controlar grandes potencias.
• Fácil control.
• Relativa rapidez.

Características estáticas
Corresponden a la región ánodo-cátodo. Son aquellos valores que determinan las posibilidades
máximas de un determinado SCR. Estos datos son:
− Voltaje inverso de pico de trabajo.............................................. VRWM
− Voltaje directo de pico repetitivo............................................... VDRM
− Voltaje directo............................................................................. VT
− Corriente directa media................................................................ ITAV
− Corriente directa eficaz................................................................ ITRMS
− Corriente directa de fuga…........................................................... IDRM
− Corriente inversa de fuga….......................................................... IRRM
− Corriente de mantenimiento.......................................................... IH
Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:
− Temperatura de la unión.............................................................. Tj
− Temperatura de almacenamiento................................................. Tstg
− Resistencia térmica contenedor-disipador................................... Rc-d
− Resistencia térmica unión-contenedor......................................... Rj-c
− Resistencia térmica unión-ambiente............................................ Rj-a
− Impedancia térmica unión-contenedor......................................... Rj-c
Características de control
Corresponden a la región compuerta – cátodo y determinan las propiedades del circuito de
mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes
características:
− Voltaje directo máxima............................................................... VGFM
− Voltaje inverso máxima............................................................... VGRM
− Corriente máxima......................................................................... IGM
− Potencia máxima.......................................................................... PGM
− Potencia media............................................................................. PGAV
− Voltaje compuerta – cátodo para el encendido........................... VGT
− Voltaje residual máximo que no enciende ningún elemento...... VGNT
− Corriente de compuerta para el encendido.................................. IGT
− Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento... IGNT
Área de disparo seguro
En esta área (Fig. 9) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Los voltajes y corrientes
admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas:
• Curva A y B: límite superior e inferior del voltaje compuerta – cátodo en función de la
corriente positiva de compuerta, para una corriente nula de ánodo.
• Curva C: voltaje pico directo admisible VGF.
• Curva D: hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no se debe sobrepasar.

Figura 9. Curva característica de compuerta de un tiristor

Características dinámicas
• Voltajes transitorios:
− Son valores de voltajes superpuestos a la señal de la fuente de alimentación.
− Son de corta duración y de gran amplitud.
− El voltaje pico inverso no repetitivo (VRSM) debe estar dentro de esos valores.
• Impulsos de corriente:
− Para cada tiristor el fabricante publica curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales
puede tolerarse una corriente de pico determinada. (Fig. 10).
− A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
− El tiempo máximo de cada impulso está limitado por la temperatura media de la unión.

Figura 10. Curva de limitación de impulsos de corriente

Características de conmutación
Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a
conducción y viceversa.
Tiempo de encendido (tON): tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conducción.
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 %
de su valor final hasta que la corriente de ánodo alcanza el 10 % de su valor máximo.
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de ánodo pase del 10 % al 90 % de
su valor máximo, que es igual al paso de la caída de voltaje en el tiristor del 90 % al 10 % de su
valor inicial.

Figura 11. Representación gráfica del tiempo de encendido (tON) del tiristor
Tiempo de apagado (tOFF): tiempo que tarda el tiristor en pasar de conducción a corte.
Tiempo de recuperación inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conducción
del SCR, por polarización inversa de este, se eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperación de compuerta (tgr): tiempo en el que, en un número bajo, las restantes
cargas acumuladas se recombinan por difusión, permitiendo que la compuerta recupere su
capacidad de gobierno.

Figura 12. Representación gráfica del tiempo de apagado (tOFF) del tiristor
Disparo por compuerta
Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicación en la
compuerta de un impulso positivo de corriente, mediante la conexión de un generador adecuado
entre los terminales de compuerta y cátodo a la vez que se mantiene un voltaje positivo entre
ánodo y cátodo.
Cuando se aplica un voltaje VG, se consigue bajar el voltaje (VAK) necesario para disparar al
tiristor, hasta un valor inferior al de VAK aplicado en ese momento.

Figura 13. Circuito de control por compuerta

En el SCR, una vez disparado el dispositivo, se pierde el control por compuerta. En estas
condiciones, si se quiere bloquear al elemento, se debe hacer que VAK sea menor que el voltaje de
mantenimiento VH y que IA (corriente de ánodo), sea menor que IH (corriente de mantenimiento).
Al disparar el elemento se debe tener presente que el producto entre los valores de corriente y
voltaje, entre compuerta y cátodo, deben estar dentro de la zona de disparo seguro y no exceder
los límites de disipación de potencia de compuerta.
Para poder asegurar que se está dentro de ésta zona, se arma el circuito de la Figura 13. El valor
de la resistencia R, es determinado por la pendiente de la recta tangente a la curva de máxima
disipación de potencia de la curva característica de compuerta del tiristor; su valor corresponde a
la expresión:

Una vez delimitado el valor máximo que resulta apropiado para el disparo, se debe tener en
cuenta que existe un nivel mínimo por debajo del cual el disparo resulta inseguro, puesto que no
se alcanzaría el mínimo número de portadores, necesarios para producir la activación del tiristor y
por tanto su paso a conducción.

Ejemplo
Para el circuito de potencia que utiliza un tiristor como elemento de control de una carga resistiva
de la Fig. 14, determinar el valor de V necesario para producir el disparo del tiristor. Suponiendo
que se abre el interruptor, una vez disparado el tiristor, calcular el valor mínimo de voltaje, VE,
que provoca el apagado del mismo.
Datos: VE = 300V, R = 500Ω, RL = 20Ω;
SCR: VH = 2V, IH = 100mA, VG = 0.7, IG = 10 mA
Solución:
Aplicando las leyes de Kirchoff a la malla de compuerta del circuito de la Fig. 14, se obtiene el
siguiente valor para el voltaje de la fuente

Figura 14. Circuito de encendido de tiristor

Cuando el tiristor se dispara, el voltaje ánodo – cátodo (VAK) no será nulo (conmutador ideal),
sino que hay una caída de voltaje dada por VH = 2V
La corriente que circula por la carga una vez que ha sido disparado el tiristor será

Esta corriente debe ser menor que la corriente de mantenimiento para que el tiristor conmute a
apagado, por lo tanto

Resumen
Disparo
• Voltaje de polarización, positivo ánodo – cátodo. (Ánodo positivo respecto a cátodo).
• El electrodo de control (compuerta), en el momento en que se desee provocar el disparo, debe
recibir un pulso positivo (respecto a la polarización que en ese momento exista en el cátodo)
durante un tiempo suficiente como para que IA sea mayor que la corriente de enganche, IL.
Corte
En el momento en que el tiristor se dispara, se pierde el control por compuerta. Para desactivarlo
se deberá realizar uno de los siguientes procesos:
• Anular el voltaje que se tiene aplicado entre ánodo y cátodo.
• Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de ánodo sea inferior a la corriente de
mantenimiento, IH o forzar de alguna otra manera que IA < IH.

Limitaciones del Tiristor

Las limitaciones más importantes de los tiristores se deben a la frecuencia de funcionamiento, a
la pendiente de voltaje (dv/dt), a la pendiente de corriente (di/dt) y a la temperatura.
Limitación por la Frecuencia de funcionamiento
Dependiendo del tiempo de apertura, los tiristores se pueden clasificar en dos grupos: Tiristores
de corto tiempo de apertura (tiristores rápidos) y tiristores que no exigen, por sus condiciones de
utilización, características especiales de apertura. El tiempo de apertura puede superar los 100 μs.
A estos tiristores se les define como tiristores lentos.
Incluso si se trabaja con tiristores rápidos, no se pueden superar ciertos valores de frecuencia.
Estos valores límite son impuestos por la duración del proceso de apertura y cierre del
dispositivo, condiciones intrínsecas imputables al dispositivo. Así la frecuencia, rara vez, podrá
superar los 10 KHz. El hecho de trabajar a frecuencias altas, impone al tiristor restricciones de
di/dt.
Esto es debido a la imposibilidad del elemento semiconductor para poder disipar el exceso de
calor producido en su interior, a causa de la rápida variación de la corriente.
Por todo lo expuesto anteriormente, se puede afirmar que para valores muy altos de di/dt y con
frecuencias crecientes, se denota una fuerte disminución de la capacidad de conducción del
elemento.

Figura 15. a) Respuesta de la temperatura de la unión a un pulso de corriente

b) Aumento de la temperatura de la unión por una frecuencia de trabajo elevada
Protección contra di/dt
En general, un dispositivo semiconductor requiere de un tiempo mínimo para que la corriente a
través del cuerpo mismo sea uniforme.
Si es muy alta la rapidez de aumento de la corriente de ánodo, (diak/dt), en comparación con el
tiempo que requiere la distribución uniforme de los portadores de carga a través del
semiconductor, puede presentarse un calentamiento localizado o “punto caliente” debido a la alta
densidad de portadores de carga en algunas zonas de las capas semiconductoras del dispositivo.
En la práctica, di/dt se limita agregando una inductancia LS en serie con la carga, donde:
𝑑𝑖 𝑣𝑠
=
𝑑𝑡 𝐿
𝑠
Donde LS incluye las inductancias parásitas del circuito y las inductancias de la carga.

Limitación por el Gradiente de voltaje, dv/dt

En general, los picos transitorios de voltaje que aparecen a través de un semiconductor son de
corta duración, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
Una velocidad excesiva del crecimiento del voltaje aplicado entre ánodo y cátodo, dv/dt, puede
provocar el disparo indeseado del tiristor, anteriormente bloqueado, en ausencia de señal de
compuerta. Esto se debe a que en la unión J2, polarizada inversamente, se tiene una capacitancia
parásita (C) debida a los iones aceptores y donadores que hay alrededor de dicha unión y a que la
corriente a través de C es iC = C*dv/dt, así que si dv/dt es grande, iC puede llegar a ser mayor a al
límite, IL, lo que provocaría la activación o disparo del SCR.
Entre las principales causas que pueden provocar el aumento del gradiente de voltaje, destacan
tres:
• La conmutación de los contactores existentes entre la fuente de alimentación y el equipo.
• La conmutación de otros tiristores cercanos.
• La fuente de alimentación principal.
Cuando el equipo esté alimentado mediante un transformador, éste actúa como un filtro respecto
a los ruidos eléctricos que se producen en la red de alimentación. Sin embargo, se presenta el
inconveniente de tener que anular los transitorios introducidos por el propio transformador.
Protecciones contra dv/dt
El buen funcionamiento de los equipos no sólo depende de la calidad de los tiristores elegidos,
sino también de las precauciones tomadas para proteger a estos dispositivos de situaciones
desfavorables presentadas durante el funcionamiento. El diseño de las redes de protección
depende en gran medida de los límites de los semiconductores, así como de los fenómenos
permanentes y transitorios a los que estén sometidos.
En circuitos donde el gradiente de voltaje, dv/dt, sea superior al valor dado por el fabricante, se
pueden utilizar circuitos supresores de transitorios para evitar la activación de los tiristores del
por dv/dt, estos circuitos se conectan en bornes de la alimentación, en paralelo con el
semiconductor o en paralelo con la carga.
Los circuitos supresores de transitorios, básicamente, se clasifican en dos grupos:
• Grupos RC o grupos L, Redes de amortiguamiento (Red Snubber)
• Resistencias no lineales
Una solución muy utilizada en la práctica es la que se muestra en la Fig. 16. Se trata de conectar
en paralelo con el tiristor un circuito serie RC, conocido como “Red de amortiguamiento” (Red
SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de voltaje en los extremos del dispositivo
semiconductor.
Este procedimiento puede presentar el inconveniente de que la energía disipada en la resistencia
de la red SNUBBER sea de magnitud considerable.

Figura 16. Estructura, símbolo de circuito y fotografía de SVS

En la Fig. 16, también se puede ver la protección del SCR con un elemento supresor de voltaje
SVS y una red RC en paralelo.
El supresor de voltaje hace el efecto de dos diodos Zener conectados en anti paralelo, entrando en
conducción si se supera el voltaje límite, protegiendo los dispositivos contra sobre voltajes.
Cálculo de los elementos de protección
Para determinar los valores de los elementos que forman la red RC existen diversos métodos
entre los que destacan dos:
• Método de la constante de tiempo. El más utilizado.
• Método resonante.
Método de la constante de tiempo
Con éste método se trata de buscar el valor mínimo de la constante de tiempo,
τ de la dv/dt del dispositivo. Fig. 17. El valor de la constante de tiempo se
calcula con la expresión:

Donde τ = Constante de tiempo

VDRM = Voltaje pico directo repetitivo

Figura 17. Gráfica para determinar el valor de la constante de tiempo

NOTA. Consulte el método de cálculo de la constante de tiempo en los apuntes realizados en clase.
Protección contra sobrecarga de larga duración (Cortocircuito)
Ante un cortocircuito, al tratarse de un mal funcionamiento, debe detenerse la operación del dispositivo
hasta que se repare la causa.
Se utilizan fusibles rápidos y disyuntores.
Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en cuenta lo siguiente:
1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del dispositivo
2. El valor de la energía permitida del fusible (i2tc) debe ser menor que la del dispositivo que se pretende
proteger.
3. El fusible debe ser capaz de soportar todo el voltaje una vez que se haya extinguido el arco
4. El voltaje que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que el voltaje pico del dispositivo.

Figura 18. Protección con fusible

Limitación de la temperatura
En los semiconductores de potencia, se producen pérdidas durante el funcionamiento que se traducen en
un calentamiento del dispositivo.
Si los períodos de bloqueo y de conducción en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada en un
tiristor será:

La potencia disipada en los tiristores durante el tiempo de conducción, es mucho mayor que la potencia
disipada durante el tiempo que está bloqueado y que la potencia disipada en la unión compuerta - cátodo.
Por tanto se puede decir que las pérdidas en un dispositivo semiconductor, con un voltaje de alimentación
dado y una carga fija, aumentan con el ángulo de conducción.
Apagado del Tiristor. Tipos de conmutación
Se entiende por apagado del tiristor, el proceso mediante el cual se obliga al tiristor en conducción a pasar
al estado de corte. Recuerde que en el momento en que un tiristor empieza a conducir, se pierde
completamente el control sobre el mismo.
Existen diversas formas de conmutar a corte un tiristor, sin embargo se pueden agrupar en dos grandes
grupos: conmutación natural y conmutación forzada.
1. Conmutación Natural
Se realiza a través de la energía proporcionada por la fuente de entrada. Ejemplo: El rectificador de
corriente alterna.

Figura 19. Circuito de conmutación libre y sus formas de onda

La fuente de voltaje es alterna y la carga resistiva pura, por lo que no se produce desfase alguno entre
voltaje y corriente. En la Fig. 19 se observan las formas de onda correspondientes a este circuito.
Para un tiempo wt >π, la corriente que circula por la carga se anula, al mismo tiempo que la caída de
voltaje en T1 comienza a ser negativa produciendo la conmutación del mismo.
Para un tiempo wt = π +α, comienza a conducir T2, hasta que para un tiempo wt = 2π se produce la
conmutación del mismo. En este instante se repite de nuevo el ciclo descrito anteriormente.
2. Conmutación Forzada
En algunos circuitos con tiristores, el voltaje de entrada es directo (VCD), por lo tanto el tiristor no podrá
pasar a corte de forma natural, siendo necesario recurrir a un circuito auxiliar para así provocar la
conmutación del tiristor.
Para provocar la conmutación del tiristor, será necesario anular la corriente IAK durante un tiempo
suficiente para que el tiristor pueda pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia,
puesto que si su duración es inferior a un valor determinado por toff no tendrá lugar la conmutación del
dispositivo.
Entre las formas que se tienen para forzar el apagado del tiristor se tienen las siguientes.
a) Contacto Mecánico
El SCR se lleva a corte interrumpiendo el circuito mediante un cortocircuito (Fig.20 a-b) o,
introduciendo una corriente inversa usando una fuente auxiliar (Fig.20 c) o un condensador cargado
(Fig.20 d-e).

Figura 20. Formas de extinción por contacto mecánico

b) Carga de Condensador
RL LED1

R C

+
E1 SCR1
S2 RG SCR
S1

R1

Figura 21. Circuito para provocar el cambio de conducción a corte mediante la carga de un condensador
El circuito consta de dos partes:
• Circuito de potencia constituido por la fuente E, el SCR, el LED y la carga RL (resistiva pura)
• Circuito auxiliar de bloqueo formado por la resistencia R, el condensador C y el interruptor S1.
En t = 0 no conduce el tiristor, en este momento se oprime S2 y se activa el SCR1 estableciéndose
en la malla de potencia, una corriente IAK.
Al activarse el SCR también se establece una trayectoria que permite que se cargue el
condensador C. Posteriormente se oprime S1 con lo que C se conecta en paralelo con SCR y lo polariza
inversamente, provocando que deje de conducir.
c) Tiristor Auxiliar

Figura 22. Circuito para provocar el cambio de conducción a corte mediante Tiristor Auxiliar
En este circuito se distinguen dos partes:
• El circuito de potencia constituido por la fuente E, el tiristor T1 y la carga Ro (resistiva pura)
• El circuito auxiliar de bloqueo formado por la resistencia R, el condensador C y un tiristor T2 auxiliar.
El circuito de la Fig. 22 se puede considerar biestable asimétrico de potencia, en el que los
tiristores conducen alternadamente. Nunca conducirán ni estarán en corte al mismo tiempo. De ello se
encarga C. La principal ventaja de este circuito, es que el valor del tiempo Ton no está sujeto, como en los
casos anteriores, a los parámetros intrínsecos del sistema, sino que puede variar según se precise. Solo
dependerá del instante en el que se produzca el disparo del segundo tiristor.
T1 en conducción y T2 en corte (0 < t < Ton)
Se supone que en t = 0 no conduce ninguno de los tiristores, en este momento se dispara el tiristor
T1 estableciéndose en la malla principal formada por la fuente E, el tiristor T1 y la resistencia Ro, una
corriente de valor Io = E/Ro.
El condensador C se carga a través de la resistencia R hasta un valor de voltaje E dado por la
fuente de entrada. Para que el circuito presente un funcionamiento correcto, el condensador debe disponer
de un tiempo hasta alcanzar el 100% del valor de carga antes comentado.

La corriente por la resistencia R, después del primer ciclo cumplirá la siguiente expresión:

Por tanto, el voltaje en el condensador se puede expresar como:

Observando la Fig. 23 se pueden comprender mejor los conceptos y el funcionamiento para el

circuito conmutador por carga de condensador.
 Figura 23. Circuito equivalente para 0 < t < TON

T1 al corte y T2 en conducción. Ton < t < T

Un instante posterior a Ton se dispara T2 pasando a conducir. Como consecuencia de la carga alcanzada
anteriormente por el condensador, el cátodo de T1 se hace más positivo con respecto al ánodo, provocando
la conmutación del mismo. En este momento es la resistencia R la que estará conectada a la batería,
mientras que a través de Ro se produce la nueva carga del condensador hasta un valor de -E.

Figura 24. Circuito equivalente para TON < t < T

Figura 3.24. Formas de onda del circuito de conmutación por carga de condensador
Los valores respectivos de la corriente en la carga, así como el voltaje en el condensador son los
siguientes:

Para que durante este intervalo de tiempo, Ton < t < T, el condensador disponga del tiempo necesario para
la carga del mismo a un voltaje vC = -E, se debe cumplir que:

Por otro lado, para conseguir una perfecta conmutación del tiristor T1, el intervalo de tiempo tq durante el
cual el voltaje VAK a través de T1 es negativo debe superar el tiempo de apagado del mismo, toff , de lo
contrario se provocaría un auto disparo del tiristor, permaneciendo éste en estado de conducción.
A pesar de que ya se ha efectuado con anterioridad, a continuación se va a calcular el valor de tq ya que el
conocimiento de este parámetro reviste de una gran importancia en la elección del tiristor apropiado.
El voltaje VAK de T1 será:

En t = tq el voltaje en el tiristor será nulo, VT1 = 0. Por tanto, se puede calcular tq a partir de la expresión
anterior

Como R0 = E/I0, siendo I0 la corriente media de carga:

Para que tq resulte mayor que toff se debe colocar un condensador de conmutación que cumpla que

En la elección del condensador deberá tenerse en cuenta la máxima corriente de carga.

Al cumplirse el período del circuito de conmutación para t = T, se dispara de nuevo a T1, mientras que T2
conmutará debido al voltaje inverso del condensador, iniciándose un nuevo ciclo igual al anteriormente
descrito.
Tipos de Tiristores

En el estudio de la electrónica se pueden encontrar un amplio número de semiconductores genéricamente

llamados tiristores, pero con rasgos característicos que diferencian a unos de otros.
En este apartado se comentarán algunos de ellos: TRIAC, GTO, MCT y SITH.

Bibliografía

1. Electrónica, Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos

Boylestad, Nashelsky

2. Tiristores
Universidad de Jaén
Juan Domingo Aguilar Peña