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Oscilador GUNN

El diodo gunn, presenta la característica de oscilar cuando se alcanza una


determinada intensidad del campo eléctrico. Esta región de alta intensidad de
campo se mueve en el camino catodo-ánodo, donde desaparece generándose
inmediatamente otra similar en el catodo y así sucesivamente.
Dimensiones menores en el camino darán lugar a menores tiempos de
oscilación, o lo que es lo mismo mayores frecuencias. Para mantener estable la
oscilación se debe acoplar el diodo a una cavidad resonante que será en ultima
instancia la que determine la frecuencia de resonancia del conjunto. Se puede
generar así un amplio rango de frecuencias, entre 1 y mas de 100 GHz, con
potencias de emisión entre 5 y 800 mW.

Ventajas y desventajas

Existen dispositivos amplificadores basados en el esquema de las válvulas


termoiónicas, modulando el haz de electrones con un fuerte campo magnético
y el diodo gunn es un dispositivo de estado sólido utilizado para la modulación
por impulsos en alta frecuencia pero no es amplificador.
Diodo de IMPATT

Diodo de IMPATT (IMPionización del acto Avalanche Transit-Tel ime) es una


forma de alta energía, utilizado en electrónica de alta frecuencia y dispositivos
microonda. Se hacen típicamente con carburo del silicio debido a sus altos
campos de la interrupción.
Funcionan con frecuencias entre de 3 y 100 GHz o más. Una ventaja principal
es su capacidad de la alta energía. Estos diodos se utilizan en una variedad de
usos de baja potencia en sistemas de radar. Una desventaja importante de
usar los diodos de IMPATT es la de alto nivel del ruido de la fase que generan.
Esto resulta de la naturaleza estadística del proceso de la avalancha. Sin
embargo estos diodos hacen los generadores excelentes de la microonda para
muchos usos.