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Halbleiterheterostrukturen

Vortrag von Alexej Klushyn

Hauptseminar Nanophysik 07.05.2013


Übersicht
• Einführung in die Halbleiterphysik

• Physikalische Grundlagen der Halbleiter-


heterostrukturen

• Anwendungsmöglichkeiten der Halbleiter-


heterostrukturen

Hauptseminar Nanophysik 07.05.2013


Einführung - Halbleiter
• Coulombpotentiale der einzelnen Atomrümpfe
überlagern sich

• Welche Auswirkung
auf Energieniveaus?

• Kann ein solches


Gitter Strom leiten?

Potentiallandschaft eines Atomgitters

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Einführung - Halbleiter
• Auffächerung der Energieniveaus in Abhängigkeit des
Abstandes zum Kern → Energiebänder

• Bei T=0K sind alle


Energieniveaus bis EF
besetzt

• Uns interessiert das


höchste besetzte
Energieband
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Einführung - Halbleiter
• Tiefste nicht besetzte Energieband → Leitungsband
• Höchste besetzte Energieband → Valenzband

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Einführung - Halbleiter
• n-Dotierung

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Einführung - Halbleiter
• p-Dotierung

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Einführung - Halbleiter
• Elektrische Felder verursachen eine lineare
Bandverbiegung

Beispiel: Es wird eine


negative Spannung angelegt

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Einführung - Halbleiter
“Kroemer’s Lemma of Proven Ignorance:

If, in discussing a semiconductor problem, you cannot draw an


Energy-Band-Diagram, this shows that you don’t know what
you are talking about.

With the corollary:

If you can draw one, but don’t, then your audience won’t
know what you are talking about.”

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Heterostrukturen
Definition:

• Schichtfolge verschiedener
Halbleitermaterialien

• Epitaxisch aufgewachsen

→ Gemeinsame Kristallstruktur
Aufnahme mit TEM ( ≈ 8nm)

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Heterostrukturen
• Herstellung mit Hilfe von Molekularstrahlepitaxie
und metallorganischer Gasphasenepitaxie

• Voraussetzung:

→ ähnliche
Gitterparameter

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Heterostrukturen
Beispiel einer typischen Halbleiterheterostruktur

Halbleiter A → stark n-dotiert & große Bandlücke


Halbleiter B → schwach n-dotiert & kleine Bandlücke

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Heterostrukturen
Fester Wert für Ferminiveau im gesamten Halbleiter

→ Bandverbiegung
→ Elektronengas (schwarze Fläche)

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Heterostrukturen
Führt man diese Heterostruktur periodisch fort
entsteht ein Kompositionsübergitter

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Heterostrukturen
Bandverlauf in einem Kompositionsübergitter

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Heterostrukturen
Halbleiter A → n-dotiert
Halbleiter B → p-dotiert } Dotierungsübergitter

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Heterostrukturen
Bandverlauf in einem Dotierungsübergitter

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Anwendungen
High Electron Mobility Transistor (HEMT)

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Anwendungen

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Anwendungen
High Electron Mobility Transistor (HEMT)

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Anwendungen
Stromkreis offen → Stromkreis geschlossen
UG = 0 UG < 0

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Anwendungen
• Leitfähigkeit:
σ ∝ µ ⋅ ne
• Bei 2DEG wird die
höchste Beweglichkeit
erzielt

• Ladungsträgerdichte
proportional zu E F

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Anwendungen
Vor- & Nachteile des HEMT:

• Geeignet für extrem hohe Frequenzen (20 - 100 GHz)

• Besonders schnell und rauscharm

• Sehr teuer → Satellitenkommunikation

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Anwendungen
Halbleiterlaser (Laserdiode)

• Idee: Durch Rekombination von Elektronen auf LB


und Löchern auf VB entstehen Photonen

• Bedingung: E Fn − E Fp > E L − EV = E g

• Verwirklichung: Durch Doppelheterostrukturen

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Anwendungen
Halbleiterlaser (Laserdiode)

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Anwendungen
Vorteile des Halbleiterlasers

• Extrem kleine Abmessung (Kantenlänge < 1mm)

• Sehr guter Wirkungsgrad (bis über 50%)

• Geringe Herstellungskosten

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Quellen
• S. Hunklinger - Festkörperphysik
• H. Ibach, H. Lüth - Festkörperphysik
• T. Ihn - Semiconductor Nanostructures

• H. Krömer - Nobel Lecture: Quasielectric fields and band offsets: teaching electrons new
tricks
• H. Krömer - Theory of an Wide-Gap Emitter for Transitors
• S. I. Alferov - Nobel Lecture: The double heterostructure concept and its applications in
physics, electronics, and technology

• de.wikipedia.org/wiki/Valenzband
• de.wikipedia.org/wiki/Halbleiter
• de.wikipedia.org/wiki/Laserdiode
• www.pit.physik.uni-tuebingen.de/PIT-II/teaching/ExPhys-V_WS03-04/ExP-V(3)-Kap1_7-
Halbleiter-Heterostrukturen.pdf
• www.prevor.com/DE/sante/RisqueChimique/articles/halbleiter/Chemisches-Risiko-in-der-
Halbleiter-Industrie.php
• www.pcgameshardware.com/&menu=browser&image_id=1132682&article_id=684941&pag
e=3&show=original

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