Teoria Semi

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores Electrónica
TEMA2: Fundamentos de Semiconductores
Contenidos del tema:
Modelos de enlace y de bandas de energía en sólidos: tipos de materiales
Portadores de carga en semiconductores
Concentración de portadores
Procesos de transporte en semiconductores
Ecuación de Continuidad
Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 1

Modelo de Enlace
Los dispositivos electrónicos de hoy en día usan meteriales semiconductores

Existen varios tipos de materiales semiconductores:
- simples : Si y Ge
- compuestos: GaAs, InAs, otros
La disposición de los átomos en los materiales influye en sus propiedades
La mayoría de semiconductores usados tienen una estructura cristalina (átomos

formando un conjunto ordenado)
Nos centraremos en el estudio del Silicio (Si) que cristaliza en una estructura
de diamante = cada átomo tiene cuatro átomos vecinos
5x1022átomos/cm3 a T ambiente
Cada átomo tiene 14 electrones
10 e- están ligados al núcleo y 4 tienen
Si un enlace más débil (electrones de valencia)
Cada átomo comparte sus e- de valencia con
sus 4 vecinos (enlace covalente)

Modelo de Enlace
ENLACE COVALENTE:
Los electrones juegan un papel local
Los electrones se mueven en función de T
Cada átomo puede contribuir con pocos electrones
La densidad de electrones libres (Tamb) es del orden de 106-1012/cm3
Resistividad depende de diversos factores
SEMICONDUCTORES
No es fácil forzar el paso de corriente
La descripción del movimiento de e-

tiene cierto carácter local
20x 1022 electrones de valencia/cm3

Modelo de enlace: portadores

Suministramos Energía
electrón (e-)
(Ionización)
Fenómenos cuánticos asociados
hueco
(h+)
q=1.6x10-19 coulomb

Modelo de Enlace: movimiento de e- y h+
Fenómenos cuánticos asociados
Descripción alternativa:
e- y h+, con una masa “eficaz”
para cada uno!

Semiconductores Puros
En un Semiconductor Intrínseco (=puro):
La conducción a T ordinaria puede tener lugar a través de dos
modos cuánticos distintos, describibles por medio de dos partículas
“clásicas”:
e de carga -q y masa eficaz me
h de carga +q y masa eficaz mh
Electrones y huecos se liberan por pares en un semiconductor

intrínseco.
Las masas eficaces no son, en general, iguales entre sí ni a la del

electrón aislado.
La localización de un h+ o de un e- puede calcularse a través de la

velocidad térmica y el principio de Heisenberg. Se localizan en un
radio dado por r = h/mvt, r = 3000 a 7000 radios atómicos
Valores de ionización típicos: 0,7 eV (Ge), 1,1 eV (Si)

Semiconductores Extrínsecos
Dopar = añadir átomos de impurezas para aumentar los e- o h+
Semiconductor extrínseco = semiconductor dopado
Tipo n
Átomo donador
Energía de Ionización de la impureza
(P, As, Sb) 0,03 eV (Ge) --- 0,1 eV (Si) (don.)
0,02 eV (Ge) --- 0,06 eV (Si) (acep.)
Tipo p
No se crea un par e-h Átomo aceptador

(B, Ga, In, Al)

Modelo de Bandas en Sólidos Cristalinos
Estados atómicos aislados Acoplos atómicos en cristales

Principio de exclusión de Pauli Principio de exclusión de Pauli
Niveles energéticos permitidos Niveles energéticos permitidos: desdoblamientos
Bandas de energía
Banda de Conducción
Energía
Banda de Conducción electrónica (vacía)
(parcialmente llena) Ec
Eg > 8 eV (aislante)
Ec Eg
Eg -- 1 eV (semiconductor)
Ev Ev
Banda de Valencia Banda de Valencia
Estados Internos
CONDUCTOR AISLANTE o SEMICONDUCTOR
Modelo de Bandas en Sólidos Cristalinos
Banda de Conducción Banda de Conducción

(vacía)
e-
Ec Ec
Eg Eg
Ev Ev
Banda de Valencia Banda de Valencia h+
ESTADO FUNDAMENTAL ESTADO EXCITADO

Impurezas en el Modelo de Bandas

(vacía) (vacía)
Ec Ec
Ed
Eg Eg
Ea
Ev Ev
SEMICONDUCTOR EXTRINSECO SEMICONDUCTOR EXTRINSECO

(Tipo p) (Tipo n)

Ge Si
Ec Li 0,01 ---
Li Ed 0,01 eV Sb 0,01 0,04
Eg 0,68 eV P 0,012 0,044
Ea 0,01 eV
B Ev As 0,013 0,049
Cu 0,26 0,52
Cu 0,32 0,37
Cu 0,04 0,24
Ed Au varios varios
Ec B 0,01 0,045
0,26 eV
Cu Al 0,01 0,057
Eg 0,68 eV
Cu 0,32 eV Ti 0,01 ---
0,04 eV
Ev Ga 0,011 0,065
Ea
In 0,011 0,16


(vacía)
Ec Ec
Ed
Eg Eg
Ea
Ev Ev
SEMICONDUCTOR EXTRINSECO SEMICONDUCTOR EXTRINSECO

(Tipo p) (Tipo n)
EXCITADOS

Estadística de Portadores
Situación de Equilibrio (= todo proceso equilibrado con su opuesto)

f = Función de Distribución (Fermi-Dirac) = Probabilidad de que E esté ocupado por un e-
Ef = Energía de Fermi
1
f ( E ) = -------------------------------
( E – Ef )
--------------------
kT
1+e
 1 para E < Ef ; Para T > 0ºK:

a T = 0ºK, f es  f(Ef) = 0,5
 0 para E > Ef ;
k = cte. de Boltzmann = 8.62x10-5 eV/ºK kT(T=300ºK) = 0,026eV
Ef va a ser un nivel cte. de referencia en el equilibrio

Energía de Fermi
Ef = Energía de Fermi = Energía que corresponde a un valor de la función de dis-

tribución de 1/2
f(E) 1
f ( E ) = --------------------------------
( E – Ef )
T1 = 0 K 1 Ef --------------------
kT
1+e
T2 > T1
T3 > T 2
0,5
E
1-f(E) representa la probabilidad de que E esté vacio

Concentraciones de Equilibrio
Densidades volumétricas:
ni = densidad de portadores en el material puro
no = densidad de electrones en un semiconductor extrínseco en equilibrio
po = densidad de huecos en un semiconductor extrínseco en equilibrio
Nd = densidad de impurezas donadoras
Nd += densidad de impurezas donadoras ionizadas
Na = densidad de impurezas aceptoras
-
Na = densidad de impurezas aceptoras ionizadas
+ –
Ecuación de Neutralidad de Carga po – no + Nd –Na = 0
A T ambiente todas las impurezas ionizadas: Na

-=N
a
Nd + = Nd

Concentraciones de Portadores
Concentración de electrones Concentración de huecos
n 0 = ∫∞ g C ( E )f ( E ) dE
E
p 0 = ∫ V g V ( E ) ( 1 – f ( E ) ) dE
E C –∞
g(E) = densidad de estados de energía
Resultado: E V + 3kT ≤ E f ≤ E C – 3kT Semiconductor no degenerado
–( Ec – Ef ) 3---
--------------------------
kT  2πm e kT 2
no = Nc e con N c ≡ 2  --------------------
 h2 
–( Ef – Ev ) 3---
--------------------------
kT  2πm h kT 2
po = Nv e con N v ≡ 2  --------------------
 h2 
–( Ec – Ev ) –E
---------------------------
g
----------
kT kT
Ley de acción de masas: pono = NvN e = NvN e
c c

Semiconductores Intrínsecos
Material intrínseco: densidad de h = densidad de e = ni (T)

no = po = ni no po = ni2 (T)
Nivel de Fermi de un semiconductor intrínseco:

–( Ec – Ei ) –( Ei – Ev )
-------------------------- --------------------------
kT kT
ni = Nc e = Nv e ; con Ei = nivel de Fermi intrínseco
1 kT N c 1--- 1
E i = --- ( E c + E v ) – ------ ln ------ ≈ ( E c + E v ) = E V + --- ( E c – E v )
2 2 N 2 2
v
Tomaremos Ei (mitad de la banda prohibida) como nivel de referencia

Valores Típicos
Densidad atómica:
5 x 1022 at/cm3 (Ge, Si)
Densidades típicas de impurezas (Nd ó Na):
1013 at/cm3 ------1016 at/cm3
Densidad de estados en las bandas (Si, 300ºK):
Nc = 2,8 x 1019/cm3
Nv = 1,04 x 1019/cm3
Densidad intrínseca de portadores (ni):
T (ºK) Ge (/cm3) Si(/cm3)

200 5. 109 0,5.108
300 1,8. 1013 1,1. 1010
400 1,2. 1015 1013
600 1,1. 1017 2. 1015

Semiconductor Extrínseco Tipo n
Aproximación: Nd + = Nd Na = 0
Concentración de Portadores Nivel de Fermi –( Ec – Ef )
--------------------------
no po = ni2 kT
no = Nc e
""
po – no + Nd = 0 no
E f = E c + kT ln ------
2 Nc
Nc
Nd 1 2 ni no ≅ N E f ≅ E c – kT ln -------
2
n o = ------- + --- N d + 4n i , p o = ------- d Nd
2 2 Nd
Nd
E f ≅ E i + kT ln -------
para Nd >> ni ni
no ≅ N Ec
d
2 Ef
ni n0 >> p0 Ei
p o = -------
Nd
tipo n Ev

Semiconductor Extrínseco Tipo p
Aproximación: Na -= Na Nd = 0
Concentración de Portadores Nivel de Fermi ( Ev – Ef )
----------------------
no po = ni2 kT
po = NV e
""
po – no – Na = 0 Na
E f ≅ E i – kT ln -------
2 ni
Na 1 2 ni
2
p o = ------- + --- N a + 4n i , n o = ------- Nv
2 2 Na
E f ≅ E v + kT ln -------
Na
para Na >> ni
po ≅ N Ec
a
2
ni p0 >> n0 Ei
n o = ------- Ef
Na
tipo p Ev

Dependencia con T
Semiconductor extrínseco
T1 T2
n0
-------
Nd
Región Extrínseca Semiconductor intrínseco

Congelación
1 n
------i-
Nd
Región Intrínseca
150ºK 450ºK T
T moderadas T altas
T bajas impurezas
impurezas completamente comportamiento
no ionizadas ionizadas intrínsecos (no=po=ni)
concentraciones ctes

Procesos de Recombinación-Generación
Definición general: generación = proceso por el cual se crean portadores (e- y h+)
recombinación = proceso por el cual se destruyen portadores
Ambos procesos se caracterizan por unas cantidades que se denominan velocidades
G: velocidad de generación R: velocidad de recombinación
(número de portadores generados (número de portadores eliminados
por unidad de tiempo y unidad de volumen) por unidad de tiempo y unidad de volumen)
U=R-G velocidad neta de recombinación
En equilibrio: R=G U=0 Directos o banda-a-banda

e e
En no equilibrio: R=G U=0 generación recombinación
Si no hay otros procesos: h h
dn Indirectos o basados en
= G – R = –U
dt centros de recombinación
dp
= G – R = –U
dt E : nivel de energía
t
Et permitido debido
Para saber G, R y U hay que distinguir
entre procesos directos o indirectos a ciertas impurezas

Procesos de Recombinación-Generación Directos
G sólo depende de T: G = g(T)

R depende de T y de la concentración de e- y h+ : R = r(T)n.p
En equilibrio: R=G
n = no g(T) = r(T)nopo
p = po
En no equilibrio: R=G
n = no + n’ U = r(T) [n.p - nopo] = r(T) [n’p’+ n’po+ p’no]
p = po+ p’
Caso particular de interés: Bajo nivel de inyección n’ y p’ mucho menor que no + po
Tipo n : po<< no Tipo p: no<< po

p' n'
U = r(T)p’no = ----- U = r(T)n’po = -----
τp τn
1 vida media de 1
τ p = -------- τ n = --------
rn o portadores minoritarios rp o

Procesos de Recombinación-Generación Indirectos
Estos procesos tienen su base en la existencia de un nivel de energía Et permitido

dentro de la BP debido a una concentración Nt de impurezas.
-
Cada par e- - h+ se recombina en Et en dos pasos: captura de un e
captura de un h+
Ec captura de un e- = un e- de la BC disminuye su energía a E t
Et
captura de un h+= un e- en Et disminuye su energía y va a la BV
Ev
La estadística asociada a estos procesos es compleja. Pero se puede demostrar que:
2
pn – n i donde τp y τn se definen ahora en función de unos
U = ---------------------------------------------------------
τn [ p + ni ] + τp [ n + ni ]
coeficientes de captura Ccp y Ccn
1 1 Para bajo nivel de inyección:
τ p = ---------------- τ n = ----------------
C cp N t C cn N t p' n'
U = ----- U = -----
tipo n τp tipo p τn
Valores típicos: τGaAs << τSi, Ge
1ns 1µ s

Fenómenos de Transporte en Semiconductores
En equilibrio térmico, el movimiento de portadores

de carga es aleatorio por lo que contribuyen a un promedio
de corriente eléctrica cero j = 0
En Semiconductores existen dos procesos de transporte que

producen corriente eléctrica j = 0
ARRASTRE DIFUSIÓN
Movimiento de portadores Movimiento de portadores
en respuesta a un campo eléctrico debido a un gradiente de concentración
ξ ξ
huecos electrones
a Movimiento de portadores tendiendo a ir
Movimiento aleatorio con componente neta desde regiones de alta concentración hacia
de velocidad a en dirección del campo ξ regiones de baja concentración

Fenómenos de Arrastre en Semiconductores
El ξ acelera a los portadores y sus colisiones Movimiento aleatorio con componente neta
con impurezas o con la estructura cristalina de velocidad a en dirección del campo ξ
Macroscópicamente: impulso entre colisiones = cantidad de movimiento

(fuerza x tiempo) (masa x velocidad)
– q ξ t col = m e v an qt col
para electrones Movilidades: µ n = -------------
me
para huecos q ξ t col = m h v ap
qt col
µ p = -------------
Velocidades de arrastre: v mh
an = – µ n ξ
v ap = µ p ξ La µ es una medida de la facilidad
de movimiento de los portadores
en el semiconductor
Valores de movilidad:
Un incremento de colisiones retarda
Silicio ;T=300K; dopado<1016cm-3 el movimiento y reduce la movilidad
µn=1417cm2/vXs µp=471cm2/vxs
La µ varia con la T, el dopado y el campo

Corrientes de Arrastre
ξ
Densidad de corriente = carga por unidad de tiempo
y de superficie que atraviesa un plano arbitrario
I A perpendicular a la dirección de flujo de portadores
ξ Carga que atraviesa A durante un tiempo ∆t: qpv ap A∆t

h
e j ap = qpv ap = qpµ p ξ
Densidades de corriente: huecos
jap
jan j an = – q nv an = qnµ n ξ electrones
Corriente Total de Arrastre:

j = j ap + j an = q ( pµ p + nµ n )ξ
Conductividad: σ = q ( pµ p + nµ n ) 1
Resistividad: ρ = ---
σ
Un mismo semiconductor puede tener distintos valores de σ control de las

propiedades eléctricas
con el dopado
Curvatura de Bandas en Semiconductores
La existencia de un campo eléctrico Ec Ec(x)

hace que las bandas de energía Curvatura de bandas
dependan de la posición Ev Ev(x)
Relación entre campo y curvatura:

x Con E > Eg se crean portadores móviles
dentro del semiconductor
Ec E - Ec = energía cinética de los e-

E Ev - E = energía cinética de los h+
Ev
Eref
Ec - Eref = energía potencial del e-
Para un potencial electrostático V: -q V = Ec - Eref
Como: ξ = – ∇V 1 d 1 d 1 d
ξ = --- (E c) = --- (E v) = --- (E i)
ξ = – d (V) q dx q dx q dx
dx
campo relacionado con la pendiente de Ec, Ev o Ei
Corrientes de Difusión
El movimiento de portadores de carga debido a la difusión da lugar a corrientes eléctricas
h e
jpdif jndif
Corrientes de Difusión:
j pdif = – qD p ∇p
Dp y Dn son las constantes de difusión ( cm2/s)
j ndif = qD n ∇n
Relación de Einstein: establece la relación entre la constante de difusión

y la movilidad de cada portador
Dp
------- = kT
------ Dn kT
µp q ------- = ------
µn q
Ecuación general de transporte: j p = qµ p pξ – qD p ∇p

j n = qµ n nξ + qD n ∇n

Ecuación de Continuidad
Dinámica de los portadores: efecto combinado de todos los procesos que originan
cambio de portadores con el tiempo
Arrastre
Generación/Recombinación de pares e-h
Difusión
∂n ∂n ∂n ∂n ∂n
= + + + para los e-
∂t ∂t ∂t ∂t ∂t
arrastre difusion R–G otros
∂ 1 ∂j p
Ec. de continuidad para huecos: p = – --- + GL – U
∂t q∂x
Ec. de continuidad para electrones: ∂ 1 ∂j n

n = --- + GL – U
∂t q∂x
∂ U = velocidad neta de generación-recombinación
donde, j p = qµ p pξ – qD p p
∂x térmica
∂
j n = qµ n nξ + qD n n GL = velocidad de generación-recombinación
∂x por iluminación

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TEMA2: Fundamentos de Semiconductores

Contenidos del tema:

Modelos de enlace y de bandas de energía en sólidos: tipos de materiales

Portadores de carga en semiconductores

Procesos de transporte en semiconductores

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 1

Los dispositivos electrónicos de hoy en día usan meteriales semiconductores

La mayoría de semiconductores usados tienen una estructura cristalina (átomos

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 2

La descripción del movimiento de e-

20x 1022 electrones de valencia/cm3

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 3

Modelo de enlace: portadores

Fenómenos cuánticos asociados

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 4

Modelo de Enlace: movimiento de e- y h+

Fenómenos cuánticos asociados

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 5

Electrones y huecos se liberan por pares en un semiconductor

Las masas eficaces no son, en general, iguales entre sí ni a la del

La localización de un h+ o de un e- puede calcularse a través de la

Valores de ionización típicos: 0,7 eV (Ge), 1,1 eV (Si)

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 6

No se crea un par e-h Átomo aceptador

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 7

Modelo de Bandas en Sólidos Cristalinos

Estados atómicos aislados Acoplos atómicos en cristales

Modelo de Bandas en Sólidos Cristalinos

Banda de Conducción Banda de Conducción

ESTADO FUNDAMENTAL ESTADO EXCITADO

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 9

Impurezas en el Modelo de Bandas

Banda de Conducción Banda de Conducción

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO SEMICONDUCTOR EXTRINSECO

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 10

Impurezas en el Modelo de Bandas

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 11

Impurezas en el Modelo de Bandas

Banda de Conducción Banda de Conducción

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO SEMICONDUCTOR EXTRINSECO

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 12

Situación de Equilibrio (= todo proceso equilibrado con su opuesto)

 1 para E < Ef ; Para T > 0ºK:

Ef va a ser un nivel cte. de referencia en el equilibrio

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 13

Ef = Energía de Fermi = Energía que corresponde a un valor de la función de dis-

1-f(E) representa la probabilidad de que E esté vacio

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A T ambiente todas las impurezas ionizadas: Na

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 15

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 16

Material intrínseco: densidad de h = densidad de e = ni (T)

Nivel de Fermi de un semiconductor intrínseco:

Tomaremos Ei (mitad de la banda prohibida) como nivel de referencia

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 17

T (ºK) Ge (/cm3) Si(/cm3)

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Semiconductor Extrínseco Tipo n

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Semiconductor Extrínseco Tipo p

Curso 2003-04 Departamento de Electrónica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla Tr. 20

Región Extrínseca Semiconductor intrínseco

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