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TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4
EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC
EconoPACK™+modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC

VCES = 1200V
IC nom = 450A / ICRM = 900A

TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Aufzugstechnik • Elevators
• Hochleistungsumrichter • HighPowerConverters
• Hybrid-Nutzfahrzeuge • CommercialAgricultureVehicles
• Motorantriebe • MotorDrives
• SolarAnwendungen • SolarApplications
• USV-Systeme • UPSSystems

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
Kurzschlussstrom CircuitCurrent
• SehrgroßeRobustheit • UnbeatableRobustness
• TrenchIGBT4 • TrenchIGBT4
• Tvjop=150°C • Tvjop=150°C
• hoheStoßstromfestigkeit • Highsurgecurrentcapability

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• HohemechanischeRobustheit • Highmechanicalrobustness
• IntegrierterNTCTemperaturSensor • IntegratedNTCtemperaturesensor
• IsolierteBodenplatte • IsolatedBasePlate
• PressFITVerbindungstechnik • PressFITContactTechnology
• RoHSkonform • RoHScompliant

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

preparedby:CU dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR revision:3.2 ULapproved(E83335)

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom 450 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 660 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  900  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  2250  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,75 2,10 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,00 V
IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,05 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  3,30  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  1,7  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  28,0  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  1,55  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   3,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,19 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,22  µs
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C 0,22 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,06 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,06  µs
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C 0,07 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,44 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,55  µs
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C 0,57 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,06 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,10  µs
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C 0,11 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 25,0 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 6300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon  40,5  mJ
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C 44,0 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 37,0 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff  56,5  mJ
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C 63,0 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 1800 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC   0,067 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  0,042 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  450  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  900  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 30000 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 27500 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Durchlassspannung IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,10 V
Forwardvoltage IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,65 V
IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 450 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 415 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM  470  A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 505 A
Sperrverzögerungsladung IF = 450 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 48,0 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr  89,0  µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 105 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 450 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 22,5 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec  39,5  mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 45,5 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC   0,10 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  0,046 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TC = 25°C R25  5,00  kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5  5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25   20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  3411  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  3433  K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  Al2O3  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 18,5
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 12,6
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 16,0
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 200  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
 LsCE  20  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'  1,10  mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,0 - 6,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
 G  924  g
Weight

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

900 900
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
750 750 VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V

600 600
IC [A]

IC [A]
450 450

300 300

150 150

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VCE=600V

900 140
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C
Tvj = 150°C 120 Eoff, Tvj = 125°C
750 Eoff, Tvj = 150°C

100
600

80
E [mJ]
IC [A]

450

60

300
40

150
20

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 150 300 450 600 750 900
VGE [V] IC [A]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=450A,VCE=600V

180 0,1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eon, Tvj = 150°C
160 Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
140

120

ZthJC [K/W]
100
E [mJ]

0,01
80

60

40

i: 1 2 3 4
20 ri[K/W]: 0,0037 0,0071 0,047 0,0093
τi[s]: 0,0004 0,0083 0,0471 0,9

0 0,001
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1Ω,Tvj=150°C
1000 900
IC, Modul Tvj = 25°C
900 IC, Chip Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
750
800

700
600
600
IC [A]

IF [A]

500 450

400
300
300

200
150
100

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=1Ω,VCE=600V IF=450A,VCE=600V

60 60
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C

50 50

40 40
E [mJ]

E [mJ]
30 30

20 20

10 10

0 0
0 150 300 450 600 750 900 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
ZthJC=f(t) R=f(T)

1 100000
ZthJC : Diode Rtyp

0,1 10000
ZthJC [K/W]

R[Ω]

0,01 1000

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0118 0,0685 0,0173 0,0033
τi[s]: 0,0011 0,0354 0,538 0,9

0,001 100
0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160
t [s] TC [°C]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12OE4

Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

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