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• Transistores Bipolares
O termo bipolar vem do fato de que buracos e elétrons participam do
processo de injeção no material opostamente polarizado.

Ø Símbolo

NPN PNP

Ø Função – Controlar a corrente elétrica que passa por ele.

IC função de IB
IC
C
B

IB
E

Ø Construção
0,15’’

0,0001’’

C
E
N+ P- N-

VEE VCC
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Ø Operação do transistor
• O transistor PNP operando com a região BE diretamente polarizada e com coletor aberto.

Obs: A operação do transistor NPN é exatamente a mesma, se as funções dos elétrons e

buracos fossem trocadas.

+ Portadores majoritários

C
E
P + N- P
-

VEE

ü A região de depleção BE foi reduzida em largura devido à tensão aplicada, resultando em um

fluxo denso de portadores majoritários do material tipo P para o material tipo N.

• O transistor PNP operando com a região CE reversamente polarizada e com emissor

aberto.

+ Portadores minoritários

C
E
P+ N- P-

VCC

ü A região de depleção BE foi aumentada em largura devido à tensão aplicada, resultando em um

pequeno fluxo de portadores minoritários do material tipo N para o material tipo P.
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• O transistor PNP operando com a região BE diretamente polarizada e com a região CE

reversamente polarizada.
+ Portadores minoritários (IC0) + Portadores majoritários (ICmaj.)

E P+ N- P- C

IC

IE B
IB IC = ICmaj. + IC0

VEE VCC
IE = IC + IB

ü A componente de portadores minoritários IC0 é chamada de corrente de fuga (corrente IC com

terminal do emissor aberto).
ü I C é da ordem de miliampères, enquanto I C0 é medido em microampères ou nanoampères.
ü I C0 dobra de valor para cada 10°C de aumenta na temperatura.

Ø Parâmetros α (alfa) e β (Beta)

• Na análise DC, os valores de IC e IE devidos aos portadores majoritários são relacionados por
um parâmetro denominado α (alfa) e definido pela equação:

I Cmaj
α DC =
IE

IC = ICmaj. + IC0 IC = αIE + IC0

IC = α(IC +IB) + IC0 IC = αIB/ (1- α) + IC0 /(1- α)

Para I B = 0A ⇒ IC = ICE0 = IC0 /(1- α)

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• Na análise AC, as variações nos valores de IC e IE são relacionadas por um parâmetro
denominado α (alfa) e definido pela equação:

∆I Cmaj
α AC =
∆I E VCB = constante

• Na análise DC, os valores de IC e IB são relacionados por um parâmetro denominado β

(beta) e definido pela equação:

IC
β DC =
IB

IE = IC + IB IE = IB (β + 1)

IC /α = IC + IC /β 1/ α = 1 + 1 /β

β = α/(1- α) α = β/(β +1)

ICE0 = IC0 / (1- α) ICE0 ≈ βIC0

• Na análise AC, os valores de IC e I B são relacionados por um parâmetro denominado β (beta) e

definido pela equação:

∆I C
β AC =
∆I B
VC E = constante

Obs: Se a dependência da corrente IC com VCE fosse nula (impedância de saída na

configuração emissor comum infinita), o β AC seria igual ao β DC.
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Ø Curvas Características (EC)
• Curva característica ICE versus VCE parametrizada com IB

IC

I B= 80 µA
20mA

18mA I B= 70 µA
Região ativa
16mA IB= 60 µA

14mA
I B= 50 µA
12mA
I B= 40 µ A
10mA
IB= 30 µA
8mA
I B= 20 µA
4mA
I B= 10 µA
I CE0 ≈ βIC 0
2mA
IB= 0 µA

4V 8V 12V 16V 20V VCE

VCE(sat) Região de saturação Região de corte

Curva característica ICE versus VCE parametrizada com IB

µ A)
IB (µ
80
VCE = 1V
70
VCE = 10V
60

50
VCE = 20V

40
30

20

10

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 VBE (V)

Curva característica IB versus VBE parametrizada com VCE

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Ø Polarização
O termo polarização significa a aplicação de tensões DC em um circuito para
estabelecer valores fixos de corrente e tensão.
O Ponto de polarização (ponto quiescente) deve ser localizado na região ativa e dentro
dos valores máximos permitido.

• Equações importantes no projeto do circuito de polarização.

α≈ 1 IE ≈ IC

IC = β IB

VBE = 0,7 V

• Para a polarização do TBJ em uma sua região linear (ativa), as seguintes condições devem
ser satisfeitas:

1. A junção base-emissor deve ser diretamente polarizada, com uma tensão resultante de
polarização de mais ou menos 0,6 a 0,7V.
2. A junção base-coletor deve ser reversamente polarizada, com a tensão reversa de
polarização situando-se dentro dos limites máximos do dispositivo.

Observações:

• A tensão direta VBE para polarização direta é praticamente, para fins de cálculo de
polarização DC, constante e igual a 0,7 V para silício e 0,3V para germânio .
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Ø Circuitos de Polarização

• Tipos mais comuns

1. Circuito com polarização fixa (na prática não é utilizado)

VCC

RC
RB IC C2

IB Vo
C1
VCE
Vi
VBE

Para análise DC, XC1 = XC2 ∝

Da malha base-emissor temos

VCC - RB IB - VBE = 0 IB = (VCC - VBE )/ RB

IC = ICq = β IB

Da malha coletor-emissor temos

VCC - RCI C - VCEq = 0 VCEq = VCC - RCI C

VCEq , ICq
Ponto Quiescente ⇒ Pobre estabilidade
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• Exercício
V CC = 12V

RC
RB 2,2kΩ
IC C2
240kΩ

IB V0
C1
V CE
Vi
VBE β 1 = 50
β 2 =100

Solução

µA
I B = (VCC - VBE )/RB = (12V - 0,7V)/240kΩ = 47,08µ

a) Para β 1 = 50

I Cq = β1 IB = (50)(47,08µA) = 2,35mA

VCEq = VCC - RC IC = 12V – (2,2kΩ)(2,35mA) = 6,83V

b) Para β 2 = 100

I Cq = β1 IB = (100)(47,08µA) = 4,71mA

VCEq = VCC - RC IC = 12V – (2,2kΩ)(2,35mA) = 1,64V

Comentário: Uma variação de 100% em β produz a mesma quantidade de

variação em ICEq.
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• Escolhendo o ponto quiescente (ponto Q)

Reta de Carga e obtenção de um modelo AC (incremental)

VCE = VCC - RC IC I C = (VCC - VCE )/ RC

IC
∆ VCE /∆
∆ IC = v CE /i C = r0
Q(2,35mA, 6,83V) Com ∆ IB = i B =0 ⇒ vBE = 0
7mA
I B= 120 µA

6mA
IB= 100 µA
Vcc /Rc
5mA
I B= 80 µA
β = 50 4mA

I B= 60 µA
3mA
Q
I B= 40 µA
2mA
I B= 20 µA
1mA

3V 6V 9V Vcc =12V
IB 100µA VCE

∆ IC = i C = f (v CE, v BE)
δ ∆
0,7V ≅
δ ∆

VBE
(V)
∆ VBE/∆
∆ IB = v BE/i B = rπ ∆ IC = v BE/iC = v BE/β i B = rπ /β
∆ VBE/∆

Trans...
∆ IC = 1/g m = re = rπ /β
∆ VBE/∆

Com ∆ VCE = v CE = 0