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c) RB
d) VCE
3) Dada as curvas características do BJT, como mostradas abaixo:
a) Desenhe uma reta de carga sobre as curvas, determinada por E=21V e Rc=3k, para um circuito
de polarização fixa.
b) Escolha um ponto de operação no meio do caminho entre o corte e a saturação e determine o
valor de RB que estabelece o ponto de operação escolhido.
c) Quais os valores resultantes de ICQ e VCEQ?
d) Qual é o valor de no ponto de operação?
e) Qual é a corrente de saturação (considerando VCE=0) do projeto?
f) Faça o desenho (circuito) da configuração resultante
g) Qual é a potencia dissipada no BJT no ponto de operação (VCE x IC)?
VBE=0,7V
d) VC
e) VB
f) VE
VBE=0,7V
7) Dada a informação fornecida na figura abaixo, determine:
a) IC
b) VE
c) VCC
d) VCE
e) VB
f) R1
VBE=0,7V
* Utilize em todos os exercícios o modelo híbrido simplificado para o BJT (despreze a resistência
de saída dos transistores (ro))
12V
R1 R2
Io
470k 3k Vo
Ii
C1 C2
Q1
+
Vi(t) Zo
Zi
-
9) Considerando o circuito abaixo, calcule os valores de :
a) zi
b) zo
c) Av
d) Ai
Dados: VBE = 0,7V e =hfe= = 180
12V
R1 R3
Io
68k 2,2k Vo
Ii
C1
Q1
Zo
+ R2
Vi(t) R4
Zi 12k Ce
- 1,2k
12V
R1 R2
Io
470k 3k Vo
Rs
Ii 300 C1 C2
Q1
+ RL
Vs(t) Zo
Zi 4k
-
11) Para o circuito abaixo, determinar:
a) Zi e Zo
b) Av e Avs
12V
R1 R3
Io
39k 10k Vo
Rs
Ii 300 C1 C2
Q1
+ Zo RL
Vs(t) R2 RE
Zi C3 10k
- 3,9k 1,5k
3ª PARTE – CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO DO FET
12) Calcule os valores de VGSQ, IDQ e VDSQ, para os circuitos de polarização do FET
mostrados abaixo.
a) b)
c)
4ª PARTE – ANÁLISE AC DO FET – CIRCUITOS AMPLIFICADORES
* Utilize em todos os exercícios o modelo híbrido simplificado para o FET (despreze a resistência
de saída dos transistores (rd))
2 I DSS VGS
gm 1
VP VP