SISTEMAS ELECTRÓNICOS Y SEÑALES

La electrónica, estudia el comportamiento de los electrones en los diversos medios. El objetivo

es aplicar nuestros conocimientos para conseguir que “los electrones hagan lo que nosotros
queramos”. Un sistema electrónico, es cualquier disposición de componentes electrónicos con
un conjunto definido de entradas y salidas. Uno de los grandes retos del hombre, es el de:
manipular, almacenar, recuperar y transportar la información que tenemos del mundo en el que
vivimos. Gracias a la Electrónica, las capacidades anteriores han crecido exponencialmente, lo
que nos convierte, según los sociólogos, en lo que denominan “Sociedad de la información”.

Componentes
Un componente electrónico, puede definirse como un elemento indivisible que forma parte de
un circuito electrónico. Se suelen encapsular generalmente en un material cerámico, metálico o
plástico y terminar en dos o más terminales (patillas metálicas).
De acuerdo con el criterio que se elija podemos obtener distintas clasificaciones:

1. Según su estructura física:

• Discretos: son aquellos que están encapsulados uno a uno, como es el caso de
las resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc.
o Resistencias: Componente que ofrece una oposición al paso de la
corriente eléctrica, ya sea corriente alterna o continua. Produce una
disipación de energía en forma de calor. Se mide en Ohmios (Ω).
o Condensadores: Dispositivos utilizados para almacenar la carga eléctrica.
Su comportamiento es diferente según la corriente sea alterna o
continua. No disipa calor y se mide en Faradios. Constituidos por dos
placas conductoras o armaduras y entre ellas un aislante o dieléctrico. Al
ser sometidas a una diferencia de potencial, adquieren una determinada
carga eléctrica, positiva en una de ellas y negativa en la otra
o Bobinas o inductores: Dispositivos formados por una serie de espiras
arrolladas, utilizados para almacenar energía en forma de campo
magnético. Se oponen a los cambios bruscos de corriente. Su unidad de
medida es el Henrio (H). Su valor depende de, número de espiras,
diámetro, longitud del hilo y naturaleza y del material.
• Integrados: forman conjuntos más complejos, como por ejemplo un amplificador
operacional o una puerta lógica, que pueden contener desde unos pocos
componentes discretos hasta millones de ellos. Son los denominados circuitos
integrados

2. Según el tipo de encapsulado:
• Montaje convencional THD (Through-Hole Technology): En esta tecnología,
basada en agujeros pasantes, también conocida como de inserción o
convencional, se insertan los componente electrónicos en los agujeros
perforados en las tarjetas de circuitos impresos (PCB). La inserción de los
terminales del componente en los agujeros proporciona, además de la conexión
eléctrica una vez soldados, una sujeción mecánica del componente a la placa.
• Montaje superficial SMD (Surface Mounting Devices): el tamaño de los
terminales suele ser mucho más pequeño y se montan (sueldan) sobre la
superficie de la placa de circuito impreso sin necesidad del taladrado.

1
 3. Según su funcionamiento:
• Pasivos: no se realiza un control sobre el sentido de la corriente. Son los
encargados de la conexión entre los diferentes componentes activos,
asegurando la transmisión de las señales eléctricas o modificando su nivel. -
RESISTENCIAS. - CONDENSADORES. - BOBINAS.
• Activos: se realiza un control sobre el sentido de la corriente (son esencialmente
dispositivos semiconductores). - DIODOS - TRANSISTORES - CIRCUITOS
INTEGRADOS
4. Según el material base de fabricación:
• No Semiconductores.
• Semiconductores. Materiales que poseen un nivel de conductividad (ρ)
intermedio entre un aislante y un conductor.
COBRE: ρ = 10-6Ω-cm (Conductor)
MICA: ρ = 1012Ω-cm (Aislante)
SILICIO: ρ = 50 x 103Ω-cm (Semiconductor)
GERMANIO: ρ = 50 Ω-cm (Semiconductor)

Sistemas electrónicos
Un sistema electrónico, es un conjunto de circuitos que interactúan entre sí para obtener un
resultado. Una forma de analizar los sistemas electrónicos consiste en dividirlos en partes:
1. Entradas o Inputs – Sensores (o transductores) electrónicos o mecánicos que toman las
señales (en forma de temperatura, presión, etc.) del mundo físico y las convierten en
señales de corriente o voltaje. Ejemplo: El termopar, la foto resistencia para medir la
intensidad de la luz, etc.
2. Unidades de procesamiento – Dispositivos electrónicos dedicados a leer, manipular,
interpretar y transformar las señales provenientes de los transductores.
3. Salidas u Outputs – Actuadores u otros dispositivos (también transductores) que
convierten las señales de corriente o voltaje en señales físicamente útiles. Por ejemplo:
un display que nos indique la temperatura, un foco o sistema de luces que se encienda
automáticamente cuando este oscureciendo, etc.
Básicamente existen dos tipos de sistemas electrónicos, los de lazo abierto y los de lazo cerrado.
• Los sistemas de lazo abierto son aquellos en los que la salida no tiene efecto
sobre la acción de control, es decir, que la señal de salida no tiene influencia en
la señal de entrada. (No hay realimentación)
• Los sistemas de lazo cerrado son aquellos en los que hay realimentación. La
salida tiene efecto sobre la acción de control, es decir, que la señal de salida tiene
influencia en la señal de entrada.

Señales analógicas y digitales
En electrónica, una de las principales divisiones que se realiza es entre señales analógicas y
digitales.
1. Señales Analógicas: Variables eléctricas, que evolucionan de forma continua en el tiempo
de forma análoga a alguna variable física. Pueden ser tensiones (voltajes), corrientes,
temperaturas,... son muy sensibles al ruido.
2. Señales Digitales: Variables eléctricas con dos niveles bien diferenciados que se alternan
en el tiempo, transmitiendo información según un código previamente acordado. Cada
nivel representa uno de dos símbolos: 0 ó 1, H ó L, etc. Presentan gran inmunidad al
ruido.

2

Una señal analógica puede tener muchos valores (+ y -), mientras que la señal digital sólo tiene
dos valores posibles ( 1 – 0 ).

Distorsión y ruido
Se define la distorsión de una señal, como la "deformación" que sufre tras su paso por un sistema.
Las deformaciones son debidas a las limitaciones del sistema en cuanto a la amplitud y frecuencia
de las señales que procesa.
Se define el ruido, como cualquier señal indeseable en un sistema electrónico. El ruido es un
fenómeno natural, inevitable y generalmente incontrolable. El ruido siempre estará presente en
cualquier sistema electrónico y contribuirá, en mayor o menor medida, al deterioro de la señal.
El ruido es esencialmente aleatorio, tanto en amplitud, como en fase.
Cuando diseñamos un equipo electrónico, normalmente concebimos y diseñamos la circuitería
para que funcione en base a tensiones y corrientes, siguiendo la Teoría de Circuitos. Sin embargo,
los componentes electrónicos no se comportan de forma ideal, sino que presentan multitud de

3
efectos parásitos. Los circuitos electrónicos trabajan con señales eléctricas, que son a su vez
señales electromagnéticas. El propio equipo, es generador de señales electromagnéticas, que
además de afectar a otros circuitos de su entorno, pueden afectarle a sí mismo. Por eso, es
importante concebir los circuitos electrónicos considerando no sólo la Teoría de Circuitos, sino
también la Teoría de Campos. Se llama ruido eléctrico a toda perturbación electromagnética que
afecta al circuito y en el caso de un circuito digital puede producir errores al modificar los valores
booleanos correctos que debería tener el mismo.

Sensores y actuadores
Se denomina sensor a un dispositivo que es capaz de convertir una magnitud física (presión,
temperatura, caudal) en una señal eléctrica. Los sensores pueden clasificarse de múltiples
formas, atendiendo por ejemplo a la naturaleza de la señal en su salida, al ámbito de aplicación,
etc.
Según la naturaleza de la señal de salida:
• Analógica: señal continua en el tiempo. Estos sensores solo transforman la magnitud
física a medir en una variación eléctrica, que es proporcional en todo momento a la
magnitud física. La información de la variable medida se encuentra en la amplitud de la
señal de salida; por ello, este tipo de sensores son los más afectados por el ruido y las
interferencias eléctricas. Pueden ser activos o pasivos, según necesiten o no
alimentación. Las características del cable que los une al sistema de adquisición puede
alterar la medida, requiriendo para su lectura de un CA/D.
• Digital: señal discreta en el tiempo. Estos sensores incorporan un conversor analógico-
digital (CA/D) y su señal de salida es digital. Otra ventaja que poseen es que presentan
mayor fidelidad y fiabilidad y muchas veces mayor exactitud.
Según el ámbito de aplicación: Industrial, doméstico, seguridad, sanitario, automoción,…

Un actuador es un dispositivo capaz de intervenir en el proceso que pretendemos controlar. Los
actuadores más comunes en entornos industriales son: relés, contactores, electroválvulas,
motores eléctricos, resistencias eléctricas…

SEMICONDUCTORES
Todos los cuerpos o elementos químicos existentes en la naturaleza poseen características
diferentes, agrupadas todas en la denominada “Tabla de Elementos Químicos”. Desde el punto
de vista eléctrico, todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos elementos se
pueden dividir en tres amplias categorías:
• Conductores
• Aislantes
• Semiconductores

La teoría de bandas está basada en la mecánica cuántica. En esta teoría, desaparecen los orbitales
atómicos y se forman orbitales moleculares con energías muy parecidas, tan próximas entre ellas,
que todos en conjunto ocupan lo que se denomina una “banda de energía”.

4
Aunque los electrones van llenando los orbitales moleculares en orden creciente
de energía, estas son tan próximas que pueden ocupar cualquier posición dentro
de la banda. La banda ocupada por los orbitales moleculares con los electrones de
valencia se llama banda de valencia, mientras que la banda formada por los
orbitales moleculares vacíos se llama banda de conducción.
A veces, ambas bandas se solapan energéticamente hablando.
Este modelo
explica bastante bien el comportamiento eléctrico no solo de las sustancias
conductoras, sino también de las semiconductoras y las aislantes.
En los conductores, la banda de valencia se solapa energéticamente con la banda
de conducción que está vacía, disponiendo de orbitales moleculares vacíos que
pueden ocupar con un mínimo aporte de energía, es decir, que los electrones
están casi libres pudiendo conducir la corriente eléctrica.
En los semiconductores y en los aislantes, la banda de valencia no se solapa con
la de conducción. Hay una zona intermedia llamada banda prohibida.
En los
semiconductores, como el Silicio o el Germanio, la anchura de la banda prohibida
no es muy grande y los electrones con suficiente energía cinética pueden pasar a
la banda de conducción, por esa razón, los semiconductores conducen la
electricidad mejor en caliente.
Sin embargo, en los aislantes, la banda prohibida es tan ancha que ningún electrón
puede saltarla. La banda de conducción está siempre vacía.
Los materiales conductores ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente
eléctrica, por ejemplo el cobre (A).
Los semiconductores se encuentran a medio
camino entre los conductores y los aislantes, pues en unos casos permiten la
circulación de la corriente eléctrica y en otros no.

Semiconductores
Son elementos, como el Germanio y el Silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a
medida que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinadas impurezas son
conductores. Su importancia en electrónica es inmensa, permitiendo la fabricación de
transistores, circuitos integrados, etc...
Bajo determinadas condiciones permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido,
pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar
señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o
puertas utilizadas en electrónica digital, etc.
Estos semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en órbita exterior ó de valencia.
Los conductores tienen 1 electrón de valencia, los semiconductores 4 y los aislantes 8 electrones
de valencia.

5
Al combinarse los átomos de Silicio para formar un
sólido, lo hacen formando una estructura ordenada
llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes",
que son las uniones entre átomos que se hacen
compartiendo electrones adyacentes, de tal forma que
se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos
los átomos de Silicio.
Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones de
valencia con los átomos vecinos, de tal manera que
tiene 8 electrones en la órbita de valencia (en rojo).
Normalmente no permiten que la corriente eléctrica
fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una
diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas
condiciones, al no presentar conductividad eléctrica
alguna, se comportan de forma similar a un material
aislante.

La mayor o menor conductividad eléctrica que
pueden presentar los materiales semiconductores,
depende en gran medida de su temperatura. En el
caso de los metales, a medida que la temperatura
aumenta, la resistencia al paso de la corriente
también aumenta, disminuyendo la conductividad.
Todo lo contrario ocurre con los elementos
semiconductores, pues mientras su temperatura
aumenta, la conductividad también aumenta. El
aumento de la temperatura hace que los átomos en
un cristal de silicio vibren dentro de él, a mayor
temperatura mayor será la vibración. Con lo que un
electrón se puede liberar de su órbita, dejando un
hueco que a su vez atraerá otro electrón, etc...


La conductividad eléctrica (σ) de los materiales,
La conductividad de un elemento constituye la capacidad que tienen de conducir la
semiconductor se puede modificar, corriente eléctrica. La fórmula matemática para
aplicando uno de los siguientes métodos: hallar la conductividad es la siguiente:
• Elevación de su temperatura

• Introducción de impurezas
(dopaje) dentro de su estructura
cristalina

• Incrementando la iluminación.
Con relación a este último punto, algunos
tipos de semiconductores como el Cadmio,
permiten construir resistencias En esa fórmula, se puede observar que la resistencia
dependientes de la luz (LDR – Light- (R) es inversamente proporcional a (σ), por lo que,
dependant resistors), que varían su a menor resistencia en Ω de un cuerpo, la
conductividad de acuerdo con la cantidad conductividad resultante será mayor.
de luz que reciben.

6

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

Intrínsecos
Un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene
ninguna impureza ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual
a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.
A temperatura ambiente se comportan como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones
libres y huecos debidos a la energía térmica.
Cuando se eleva la temperatura, algunos de los
enlaces covalentes se rompen y varios
electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el
núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de
conducción y allí funcionan como “electrones
de conducción”, pudiéndose desplazar
libremente de un átomo a otro dentro de la
propia estructura cristalina, siempre que el
elemento semiconductor se estimule con el
paso de una corriente eléctrica.

Extrínsecos
Para aumentar la conductividad de un semiconductor intrínseco, se le dopa con impurezas,
convirtiéndolo en un semiconductor extrínseco.
Generalmente los átomos de las impurezas corresponden también a elementos semiconductores
que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita como el galio (Ga) o el indio
(In), o que poseen cinco electrones también en su última órbita como el antimonio (Sb) o el
arsénico (As).
Los átomos de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que
contengan en su última órbita, tratan siempre de completarla con un máximo de ocho, ya sea
donándolos o aceptándolos, según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en
específico.
La conductividad que presente finalmente un semiconductor “dopado” dependerá de la cantidad
de impurezas que contenga en su estructura cristalina.
Cuando se añaden impurezas de valencia 5 como el As, los nuevos átomos tienen un electrón
más que el semiconductor original, a temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por
ejemplo), el 5o electrón se hace electrón libre.
A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras".

7

Existen dos tipos de semiconductores extrínsecos:

• Tipo n: Cuando los electrones superan a los huecos en un semiconductor, se dice que es
tipo n. Los electrones reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a
los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor, los electrones libres dentro del semiconductor
se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Los electrones van
desde donde hay más (polo negativo de
la pila) a donde hay menos (polo positivo
de la pila) Cuando se añaden impurezas
de valencia 3 como el Ga, los nuevos
átomos tienen un electrón menos que el
semiconductor original, falta un electrón
en el enlace, con lo que se origina un
“hueco” (ausencia de electrón).
A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como
impurezas de valencia 3.

• Tipo p: Cuando los huecos superan a los electrones en un semiconductor, se dice que es
tipo p. Los huecos reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los
electrones se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor (figura), los huecos libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la derecha y los electrones lo hacen hacia la izquierda.

8
 EL DIODO
Es un componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido.
La flecha de la representación simbólica, muestra la dirección en la que fluye la corriente
(contraria como hemos visto, a la de los portadores).

En la actualidad, la práctica totalidad de los equipos y dispositivos electrónicos que utilizamos

cotidianamente, incluyen en sus circuitos varios tipos diferentes de “semiconductores”, entre los
que se encuentran los “diodos”, elementos imprescindibles para que todos esos equipos puedan
funcionar.
Sin embargo, antes del uso masivo de esos pequeños elementos tal como lo conocemos hoy en
día, durante la primera mitad y principios de la segunda mitad del siglo pasado era muy común
emplear “válvulas electrónicas de vacío” en los circuitos electrónicos de radios, televisores y otros
dispositivos domésticos e industriales.

El Diodo semiconductor
Los semiconductores tipo P y tipo N separados no
tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa de
tal forma que una mitad sea tipo N y la otra mitad
de tipo P, esa unión PN tiene unas propiedades muy
útiles y entre otras cosas forman los Diodos.
A la estructura creada se le añaden dos terminales
metálicos para la conexión con el resto del circuito.
En la siguiente figura se presenta el esquema de los
dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el
diodo vertical y el plano.

Formación de la unión PN
En un cristal de silicio puro, supongamos dos zonas con una frontera nítida, definida por un plano.
Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N. La zona P tiene un exceso de huecos
y se obtiene introduciendo átomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona
N dispone de electrones en exceso, procedentes de átomos del grupo V (fósforo).
En el momento mismo de crear las dos zonas, la carga total es neutra: por cada electrón hay un
ion positivo y por cada hueco un ion negativo, es decir, no
existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos
internos. Pero al ser la concentración de portadores distinta
en las dos zonas, entra en juego el mecanismo de la
difusión. Este fenómeno tiende a llevar partículas de donde
hay más a donde hay menos. El efecto es que los electrones
y los huecos cercanos a la unión de las dos zonas, la cruzan
y se instalan en la zona contraria:
Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

9

El movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto.
1. El electrón ( ) que pasa la unión se recombina con un
hueco ( ) . Aparece una carga negativa , ya que
antes de que llegara el electrón la carga total era
nula. 

2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un
defecto de carga positiva en la zona P, con lo que
aparece una carga positiva.
En consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando
una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa
en la zona P.

Barrera de potencial
La distribución de cargas formada en la región de la unión
provoca un campo eléctrico E desde la zona N a la zona P. El campo eléctrico E es equivalente a
Este campo eléctrico se opone al movimiento de portadores una diferencia de potencial llamada
según la difusión y va creciendo conforme pasan más cargas "Barrera de Potencial" que a 25ºC
a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del 0,3 V para diodos de Ge
campo eléctrico se equilibran y cesa el trasiego de
0,7 V para diodos de Si
portadores.
Polarización directa
Se ha creado la zona de deplexión (zona de carga espacial,
o zona de vaciamiento) que no es conductora.

Polarización directa
Si se aplica una tensión positiva a la zona P (ánodo = A) y negativa a la zona N (cátodo = K), estamos
en Polarización Directa. Se generará un campo eléctrico que "empujará" a los huecos y a los
electrones, hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de deplexión. Sin embargo,
mientras ésta exista no será posible la conducción.

V debe ser superior

a 0,7. Si no, no pasa
corriente por el
diodo.

Si la tensión aplicada es superior a la de barrera (0,3V para el Ge y 0,7V para el Si), el diodo entra
en conducción. Los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir
hacia el terminal positivo. El sentido de la corriente I lo tomaremos siempre contrario al del
electrón.

10








Polarización inversa
Si se aplica una tensión negativa a la zona P y positiva a la zona N, estamos en Polarización Inversa.
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones
libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y la zona de deplexión aumenta.
A mayor anchura de la zona de deplexión mayor diferencia de potencial. La zona de deplexión
deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada (V),
entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unión.

Con polarización
inversa, el diodo
nunca va a conducir.
(salvo en los diodos
zéner).

En ambas zonas hay portadores minoritarios, por lo que un diodo polarizado en inversa lo está
en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos
portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior a la obtenida en polarización
directa para los mismos niveles de tensión.
Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de
deplexión, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado
que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio,
originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva
necesariamente la destrucción del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se
mantenga en niveles admisibles).

Curva característica V-I
Para el análisis de circuitos eléctricos (cálculo de tensiones y corrientes), se hace necesario
sustituir los componentes electrónicos por modelos equivalentes compuestos por una
combinación de elementos ideales (resistencia, condensador, inductor, fuente de tensión, de
corriente,... ).
Para el diodo semiconductor haremos 3 aproximaciones o simplificaciones de la curva real

11
(modelo de Shockley). En la 1a aproximación se sustituye el diodo por un interruptor (caso ideal),
en la 2a se añade a la anterior una fuente de tensión y en la 3a se añade a la anterior una
resistencia .
El análisis se hará en un circuito básico compuesto por una resistencia de carga RL y una
alimentación VS.
1ª aproximación: Diodo ideal. (Rf = 0, Rr → ∞, Vγ = 0)
La curva del diodo se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de
coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad. Consideramos el diodo como un
interruptor.

• Polarización directa: se sustituye el diodo por un interruptor cerrado.

VD es la tensión en el diodo

• Polarización inversa: Se sustituye el diodo por un interruptor abierto.

12









2ª aproximación: (Rf = 0, Rr → ∞, Vγ ≠ 0)
La curva del diodo se aproxima a una recta horizontal y a una vertical que pasa por 0,7V
(este valor es el de la tensión umbral Vγ para el silicio, si fuera de germanio se tomaría el
valor de 0,3 V). Consideramos al diodo como un interruptor + una tensión en serie de
0,7V.

• Polarización directa: se sustituye el diodo por un interruptor cerrado más una
tensión de 0,7 V.

• Polarización inversa: se sustituye el diodo por un interruptor abierto. Pasa lo
mismo que en la primera aproximación.

13
 3ª aproximación: (Rf ≠ 0, Rr → ∞, Vγ ≠ 0)
La curva del diodo se aproxima a una recta horizontal y a una vertical que pasa por 0,7V
(Vγ) y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna Rf. La Rr es la
resistencia en inversa que no la vamos a considerar. Para esta aproximación se considera
al diodo como un interruptor, una fuente de tensión y una resistencia en serie.

• Polarización directa: se sustituye el diodo por un interruptor cerrado, una tensión
de 0’7V (para el caso del silicio) y una resistencia Rf.

• Polarización inversa: igual que en las aproximaciones anteriores.

Esta tercera aproximación no merece la pena usarla porque el error que se comete, con respecto
a la segunda aproximación, es mínimo. Por ello usaremos la segunda aproximación en lugar de la
tercera excepto en algún caso especial. También usaremos siempre como Vbarrera= 0,7 V

Tipos de diodos:
• Diodos rectificadores, indicados para el manejo de tensiones y corrientes elevadas.
• Diodos de señal, utilizados en el tratamiento de señal de baja potencia. 

• Diodos de conmutación, para señales de tipos cuadrada o de pulso, con 
tiempos de
recuperación (tr) muy pequeños. 

• Diodos de alta frecuencia, utilizados en circuitos donde la frecuencia de la señal es
elevada, (1 GHz). Tienen capacidad de difusión (Cd) pequeña. 

• Diodos zéner, especializados en el trabajo con polarización inversa. Se utilizan en
aplicaciones donde se requiera una referencia de tensión estable.
• Diodos especiales: varicap, túnel, LED.

14
 DIODOS ZÉNER
Son diodos diseñados para trabajar en la zona de ruptura. Deben trabajar con polarización
inversa. En la región Zéner el diodo mantiene una tensión casi constante (Vz) para un amplio
rango de corrientes.
La utilidad de estos diodos es
mantener la tensión constante en
sus extremos.
Este diodo, a diferencia de un diodo
semiconductor de propósito
general, trabaja en la región de
polarización inversa. La dirección de
la conducción es opuesta a la de la
flecha sobre el símbolo.

Variando los niveles de dopado, se pueden lograr
voltajes Zéner desde 1.8 V hasta 200 V, con rangos de
potencia de ¼ W hasta 50 W.

El siguiente circuito de aplicación permite mantener en la carga RL una tensión estabilizada, dada
por la tensión del Zéner. La resistencia RZ absorbe las diferencias de tensión no regulada en VS,
al ser VZ constante.

Todo circuito que hagamos con un diodo zéner obligatoriamente debe llevar una Resistencia Rz
asociada. En muchos problemas se consideran como resistencia interna, pero normalmente la
veremos como externa (pues utilizamos el caso número 2 de aproximaciones).

15
 DIODOS LED
El LED, acrónimo de “Light Emitting Diode”, o diodo emisor de luz constituye un tipo especial de
semiconductor, cuya característica principal es convertir en luz la corriente eléctrica de bajo
voltaje que lo atraviesa, cuando es polarizado de forma directa.
En la construcción de los diodos Ledes, no se emplea cristales de silicio (Si) como elemento
semiconductor, sino una combinación de otros tipos de materiales, igualmente semiconductores,
pero que poseen la propiedad de emitir fotones de luz de diferentes colores cuando lo recorre
una corriente eléctrica.
La emisión de luz en un LED se produce por la denominada teoría de bandas, por la cual, al aplicar
una tensión a la unión PN del diodo polarizada directamente, los electrones son cargados de
energía de modo que estos llegan a romper la barrera de la unión que separa las regiones P y N.
Los electrones al dispersarse por esta barrera lo hacen en forma de fotón, lo cual produce el
efecto lumínico del LED.

Los LED funcionan por la corriente que los atraviesa, por lo tanto su conexión siempre debe
estar precedida por una resistencia limitadora (en serie).

El cálculo de la resistencia limitadora se hace en función del tipo de LED y de la intensidad lumínica
que se desee. La fuente de alimentación debe suministrar una tensión superior a su tensión
umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la corriente que circula por el LED no exceda los
límites admisibles, lo que lo dañaría irreversiblemente. En términos generales, pueden
considerarse de forma aproximada los siguientes valores para la tensión de umbral (la tensión
que hay que superar para que funcione) en función del color:
• Rojo = 1,8 a 2,2 voltios.
• Anaranjado = 2,1 a 2,2 voltios.
• Amarillo = 2,1 a 2,4 voltios.
• Verde = 2 a 3,5 voltios.
• Azul = 3,5 a 3,8 voltios.
• Blanco = 3,6 voltios.

Mediante la ley de Ohm, puede calcularse la
resistencia R adecuada para la tensión de la fuente
Vfuente que utilicemos. El término I en la fórmula
se refiere al valor de corriente para la intensidad
luminosa que necesitamos. Lo común es de 10 mA
para LEDs de baja luminosidad y 20 mA para LEDs
de alta luminosidad; un valor superior puede
inutilizar el LED o reducir de manera considerable
su tiempo de vida.


La pata más larga siempre va a ser el ánodo. En el lado
del cátodo, la base del LED tiene un borde plano.

16
CIRCUITOS CON DIODOS RECTIFICADORES
La aplicación de este tipo de diodos, se encuentra en los Circuitos Rectificadores que, a su vez,
forman parte de los denominados Circuitos Convertidores AC-DC (no controlados) o Fuentes de
Alimentación (lineales).
Su función consiste en convertir una señal alterna AC (generalmente periódica sinusoidal
procedente de la red: 240 - 400V / 50 Hz) en otra de tipo continua DC.

Transformador

17
Rectificador
El proceso de rectificación, convierte una señal que pasa alternativamente por valores positivos
y negativos (alterna), en una tensión que será solo positiva (la más común) o solo negativa. A la
señal obtenida se le llama tensión continua.
El circuito que convierte una señal alterna en continua (solo positiva o solo negativa), se llama
rectificador y se diseña empleando diodos.

Dos tipos de rectificadores:

1. Rectificador de media onda
Este rectificador se caracteriza por emplear un solo diodo (D). Dependiendo de cómo se
coloque el diodo, la tensión en la carga (RL) será positiva o negativa.

Tensión media
de la carga

Para obtener la forma de onda de la tensión de
salida, debemos analizar el circuito en dos tramos:
con polarización directa (conducción en rojo) y con
polarización inversa (corte en azul) al diodo.
En la salida habrá tensión siempre que haya
corriente que atraviese el diodo (polarización
directa +).

18


1.1 Voltaje de pico inverso PIV
Se define como el valor de la tensión de pico máximo que el
diodo debe aguantar cuando está polarizado en inversa


2. Rectificador de onda completa (dos tipos):

2.2. Diseño con 2 diodos y un transformador con toma media.
En el semiciclo positivo sólo conduce el diodo D1, mientras
que en el semiciclo negativo solo conduce el diodo D2.











19
















2.3. Diseño con 4 diodos, denominado rectificador en puente (de Graetz). 

En el semiciclo positivo sólo conducen los diodos D2 y D4, mientras que en el semiciclo
negativo solo conducen los D1 y D3.





















¡La frecuencia de salida es el doble que la de entrada!

20

















Filtro
Para mejorar la señal continua (pulsatoria) en la salida
de la etapa rectificadora, se añade un condensador
conectado en paralelo con la carga.
La capacidad de almacenamiento de energía del
condensador, la podemos utilizar como filtro para
“alisar” la señal que obtenemos en la salida.
El condensador es un dispositivo que almacena energía
y se opone a las variaciones bruscas de la tensión que
se le aplica. Se representa con la letra C y su unidad es
el Faradio (F).
Lo que se pretende, es que sea el condensador el que
alimente a la carga cuando no pueda hacerlo el
transformador.
El análisis gráfico lo haremos sobre el rectificador de media onda y consideraremos el diodo ideal.

21










Con el condensador se quiere disminuir al máximo la Vr . A primera vista parece que a mayor
capacidad, mejores prestaciones, pero hay que tener en cuenta que el condensador se carga y
descarga a una frecuencia determinada (50Hz red eléctrica), por lo que si elegimos una capacidad
muy grande, no llegara a cargarse totalmente. También entra en juego la RL, un valor bajo hará
que el condensador se descargue muy rápido, aumentando Vr.
Los cálculos para determinar la tensión de rizado en función de la frecuencia y la capacidad, son
laboriosos. La siguiente expresión ha sido optimizada para la frecuencia de la red eléctrica (50Hz).







Regulador
Una vez generada la tensión continua (V2) y disminuido al máximo el rizado (V3), hay que
estabilizar/regular la tensión (VS). Este paso se hace necesario, ya que si la tensión alterna a la
entrada del transformador aumenta o disminuye, esta variación se verá reflejada en el valor de
la tensión continua (V3).
Los reguladores van a tratar de mantener un valor fijo, en la tensión de salida. Encontramos
básicamente dos métodos:
1. Reguladores en paralelo con la carga de salida.

22
 En un regulador paralelo, donde se emplea un diodo zéner, las variaciones de la tensión de
entrada VS son absorbidas (no reguladas) por la resistencia RZ. La tensión de salida será la
tensión del diodo zéner. Se emplea en pequeñas fuentes o como tensión de referencia.
(Recordar que el zéner se polariza en inversa).
Para el cálculo se toma el valor nominal de la tensión del zéner y se considera fija (sin
variación).
Teniendo en cuenta esta última consideración, puede comprobarse que cualquier variación
en la tensión de entrada o en la corriente de carga, se traduce en una
variación de corriente por el zéner:
Izmínima < Izéner < Izmáxima









Procedimiento de cálculo:
1. Se tienen que definir las condiciones de funcionamiento:
• Variación prevista de tensión de entrada:
VSmin y VSmáx
NOTA: VSmin siempre debe ser mayor que VZ
• Variación prevista de corriente en la carga:
ILmin e ILmáx
• Tensión de salida estabilizada.

2. Elección del zéner: buscar el valor normalizado
de tensión nominal de zéner (VZ), que corresponda al valor de tensión de salida
estabilizada (datasheets).
Del datasheets del zéner extraemos los siguientes datos:
• Tensión nominal: VZ
• Potencia nominal: PZ

De la relación entre PZ y VZ calculamos el valor de la corriente máxima que puede circular
por el zéner: Izmax

3. Cálculo de RZ para garantizar que el zéner trabaje dentro de la zona de la curva elegida:
Elegimos un valor para IZmínima: normalmente 5 mA, aunque posteriormente se puede
ajustar.

2. Reguladores en serie con la carga de salida.
El regulador, se conecta en serie con la carga y para regular la salida debe absorber parte de
la tensión que le entra.
Se emplean circuitos de tres terminales expresamente diseñados
para la tarea de regulación, a una tensión y corriente determinadas. Estos circuitos están

23
 protegidos contra cortocircuitos en la carga. Encontramos tanto reguladores para tensiones
positivas, como negativas.

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

En temas anteriores hemos estudiado el diodo de unión y sus aplicaciones. Siguiendo con el
estudio de los dispositivos electrónicos semiconductores, vamos a estudiar un dispositivo
semiconductor formado por la unión de tres semiconductores: npn o pnp, dotando a cada tipo
de semiconductor de un terminal, es decir, estamos ante un dispositivo de tres terminales: El
transistor.
Sin ninguna duda, estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado un punto de
inflexión en la historia de la humanidad, como en su día lo fueron el descubrimiento del fuego, la
invención de la rueda o la máquina de vapor entre otros.
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) fue inventado
en Diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la
dirección de William Shockley. Se buscaba un conmutador de estado sólido para ser utilizado en
telefonía y para reemplazar tanto a los relés como a los sistemas de barras. Luego se contempla
la posibilidad de obtener el reemplazo de la válvula (o tubo) de vacío.
Se le denomina bipolar, porque como veremos, la corriente está compuesta por portadores
mayoritarios y minoritarios.

Estructura

24
El transistor es un dispositivo semiconductor formado por dos capas
de material tipo n (ó p) y una capa entre ellas de material tipo p (ó
n). Existen transistores npn y pnp. Son dispositivos de 3 terminales:
Emisor (E), Base (B) y Colector (C).
No es simétrico: la concentración de portadores en el (E), es
bastante mayor que en el (C) (tanto en el npn como en el pnp). El
tamaño del (C) es mayor que el del (E).
La región central (B) es estrecha y menos dopada que el (E).
Para el
análisis, podemos considerar el transistor como la unión de dos
diodos (DBC y DBE). Sólo 2 tensiones y 2 corrientes independientes.

Principio de funcionamiento del transistor bipolar NPN

25
El transistor PNP se comporta de forma equivalente al transistor NPN, salvo que la corriente se
debe mayoritariamente al movimiento de huecos.

Características de entrada y salida
1. Entrada
Entre Base y Emisor el transistor se comporta como un diodo. La característica de este diodo
depende de VCE , pero la variación es pequeña.

26
 2. Salida
La corriente que circula por el Colector (IC ), se controla mediante la corriente de Base (IB ).

Regiones de operación.
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una polarización directa a la unión Base-
Emisor y una polarización inversa a la unión Base-Colector, configurándolo para la zona “Activa –
Directa”.
También se pueden dar otras combinaciones, lo que origina las regiones de operación (trabajo)
del transistor. Quedan resumidas en la siguiente tabla:

27


28
Límites de Operación
Para cada transistor, existe una zona de
operación (SOAR Safe Operating Area),
dentro de la cual debe trabajar para tener
una distorsión mínima. Los límites de esta
zona vienen dados por:
• ICmax.ðdatasheet del BJT

• VCEmax ð datasheet del BJT (VCEO)
• PTOT ð datasheet del BJT (PC)
















Circuitos de polarización
Los circuitos de polarización se utilizan para hacer circular
por el BJT las corrientes necesarias para situar el Punto de
Operación/Trabajo (Q), en una de las zonas o regiones de
operación del transistor: ACTIVA, SATURACIÓN o CORTE. Hay
varios métodos para establecer el punto Q de polarización
DC. El éxito de la posterior amplificación para incrementar la
amplitud de la señal ac sin alterarla, dependerá de una
polarización correcta.

RECTA DE CARGA
El Punto de Trabajo (Q) de un transistor, es el punto de la recta de carga que determina el valor
de la tensión de Colector/Emisor y de las corrientes de Colector y Base.
Recta que pasa por los puntos IC y VCE en la gráfica de salida del transistor. Sobre ella estará situado
el punto de trabajo Q.
Consiste en situar el Punto Q en la región característica (zona activa) donde el transistor responde
con mayor linealidad, de manera que cualquier cambio en la entrada tenga una respuesta
proporcional a la salida.

29
El comportamiento del transistor puede verse afectado por la temperatura (modifica la corriente
inversa en la unión pn polarizada inversamente). El valor de β no se mantiene constante, pues
puede no coincidir entre transistores del mismo tipo (margen dado por los fabricantes). Los
circuitos de polarización deben de insensibilizar al transistor frente a variaciones de β.

1. Activa
El BJT se polariza en la zona Activa, cuando se busca la amplificación de la señal de entrada.

2. Saturación y Corte
El BJT se polariza en las zonas de Saturación (ON) y Corte (OFF), cuando se busca el
comportamiento como un interruptor (ON - OFF). Ejemplo con un PNP.
CORTE:
• En corte la corriente de Base IB es cero. 

• La corriente de Colector IC es igual a la de fugas: (prácticamente cero) 

• La tensión ente Colector y Emisor VCE es la de alimentación VCC si se desprecia la
caída producida por la corriente de fugas. 

• El BJT se comporta como un interruptor abierto (OFF). 

SATURACIÓN: 

• En esta zona la tensión VCE es aproximadamente de 0,2 voltios.
• La corriente IC es aproximadamente igual a la tensión VCC dividida por la suma de
resistencias en la malla de Colector – Emisor.
• El BJT se comporta como un interruptor cerrado (ON).

30
El análisis de una red de polarización tiene dos objetivos:
1. Calcular el valor de los parámetros que definen el punto de trabajo (Q) del transistor: VCEQ y
ICQ
2. Determinar el estado del transistor (zona de trabajo) en función de los valores de (VCEQ y
ICQ):
ACTIVA, SATURACIÓN, CORTE
Para ello, los valores de la tensión de alimentación VCC y de las resistencias deben ser
conocidos.
La polarización con doble fuente no se suele utilizar, por ser cara y complicada de
utilizar.

Procedimiento para el análisis de redes de polarización.
• Cálculo del punto de trabajo.
Comprobar que la fuente de tensión polariza correctamente al transistor (NPN o PNP):
NPN: positivo de la fuente al COLECTOR
PNP: negativo de la fuente al COLECTOR
• Considerar inicialmente que el transistor está trabajando en la zona activa (¡hay que
verificarlo!):
VBE = 0,7 V
IC =β·IB

EL BJT COMO AMPLIFICADOR

Impedancias
Para el análisis de los parámetros que distinguen a los amplificadores, imaginémoslos como
dispositivos (caja negra) con dos terminales de entrada y dos de salida.

31
Ganancias











Para el análisis de los parámetros que distinguen a los amplificadores, imaginémoslos como
dispositivos (caja negra) con dos terminales de entrada y dos de salida. Así básicamente
encontramos :

32
Convenio

33