Práctica 1
Commented [Cag1]: Buen informe, hay que tener cuidado
Repaso amplificadores BJT y JFET
Electrónica II
Fecha de entrega: 22 de Febrero de 2017.
Resumen- El presente documento explicará el
funcionamiento de un amplificador BJT en
configuración emisor común, analizando la corriente
que pasa por la base del colector como el voltaje entre
el colector y el emisor del transistor, así como también
para un amplificador jfet en fuente común, realizando
un análisis Dc, Ac, pequeña señal, Frecuencias bajas,
Potencia en la carga, potencia en la fuente y
eficiencia.
I. INTRODUCCIÓN
A l poseer un entendimiento claro y oportuno
acerca del comportamiento físico que
describen los elementos semiconductores, se
puede tener una base suficiente para dar paso al
estudio de los transistores, en cuanto a sus
características, funcionamiento y utilidades o
aplicaciones, y determinar los diversos elementos
que se pueden encontrar en el mercado.
Estos elementos tienen muchas utilidades, razón
por la cual han influido directamente en los
avances y/o evolución de la tecnología basada en
el uso de componentes electrónicos. En ese
sentido es de vital importancia reconocer el
comportamiento de cada uno, al situarlos en un
circuito que se puede observar por medio de los
modelos matemáticos más efectivos para tal fin,
dependiendo de la clase de transistor.
En el presente informe de laboratorio se
realizaran dichos análisis, al hacer uso de un
transistor BJT y JFET, los cuales se posicionan
sobre un circuito amplificador en configuración
de emisor común y auto polarización
respectivamente para que, por medio del mismo,
con la redacción. Y con algunos aspectos de la presentación
del informe. Ustedes realizaron un análisis muy completo, y
eso se vio reflejado en la discusión de los resultados y las
conclusiones.
Nota Informe: 4.7 (40%)
sea posible observar las cualidades y/o Pre informe: 4.3 (20%)
características más relevantes que describen a Sustentación (40%):
estos dispositivos y, de igual modo, se logre
poseer un entendimiento claro que justifique la Jesus Alberto: 4.0
Andres Felipe: 4.0
importancia de dicho elemento en la electrónica. Andres Fernando: 3.5
Así mismo mediante el análisis de ambos
transistores, se determinará las características
más resaltables de cada uno de ellos y los campos
a los cuales se pueden involucrar su uso.
Con estos resultados se pretende realizar una
comparación con respecto a los valores que se
obtendrán mediante la elaboración de
simulaciones y determinar los factores que
podrían inferir en la diferencia de estos mismos.
El software que se emplearán para realizar tales
comparaciones comprende principalmente
Proteus, y Multisim que concederán tales
resultados del circuito y Matlab como programa
que realizará la representación de las rectas de
carga que domina el circuito.
La organización del presente informe comprende
como punto de partida el resumen, la introducción
y los métodos e instrumentos que se manejaron
para desarrollar la práctica, seguido de los
resultados que se obtuvieron del amplificador
BJT y JFET respectivamente, así mismo contiene
los análisis de resultados más característicos de
ambos amplificadores que se adquirieron
mediante el estudio de su comportamiento. Las
conclusiones de la práctica y las referencias
bibliográficas ostentan la parte final del
laboratorio.
II. MÉTODOS E INSTRUMENTOS
La realización de esta práctica tuvo un enfoque
teórico, marcada por una serie de procedimientos
propios para resolver tanto un circuito con un  Para calcular el valor de la potencia en la
transistor bjt en configuración emisor común, carga es necesario conocer el valor de Commented [Cag2]: Al ser siglas, se suelen utilizar en
como un transistor jfet en configuración de fuente mayúscula
voltaje a la salida esto se logra
común, con la respectiva comparación a través de realizando la recta ACDC y conociendo
la plataforma de simulación multisim, dichos el punto de operación, a través de una
procedimientos se enuncian a continuación en
sustracción. Para el caso de la potencia
orden simultaneo:
en la fuente es necesario hallar la
corriente en el punto de operación que se
 Análisis Dc y Ac para un circuito Emisor
hizo en el primer literal y en un producto
común, realizando recta de carga que
con el voltaje de la fuente arrojan el
permita determinar el punto de
valor buscado.
operación a través de la obtención de los
valores de la corriente en el colector y el
voltaje colector emisor, es de tener en  Por ultimo para terminar con el análisis
cuenta que en Ac dichos valores son Transistor bjt es necesario encontrar la
eficiencia, ya que este valor nos permite Commented [Cag3]: Redacción se realiza en tercera
obtenidos por superposición. persona
determinar si en verdad se realizó un
circuito que garantiza la máxima
 Desarrollar el análisis y la verificación
potencia de la entrada con respecto a la
de resultados para pequeña señal, dentro
salida y si el amplificador si está
de esta técnica de amplificadores
cumpliendo su función.
potencia lineales, se determina la
ganancia propia de un circuito tanto en
Seguido del análisis de amplificador bjt, se pasa
voltaje como en ganancia, a través de
al análisis del jfet, un amplificador de efecto de
una disposición que se conoce como
campo que de acuerdo a su configuración se
modelos híbridos.
determinó que era una configuración de canal n,
para la cual se asume desde un principio de
 Para abordar las frecuencias bajas
acuerdo a la ecuación de shockley, que el voltaje
presentes en los condensadores de
es la variable de control. Debemos empezar por
acople y paso, la fuente debe ser
determinar que el valor IDss es la corriente del
apagada, para poder ver el
drenaje a la fuente con una conexión de
comportamiento propio de cada
cortocircuito, y es la máxima que puede circular
condensador es necesario apagar los
por el transistor, por su parte vp es el valor
demás elementos almacenadores de
máximo de voltaje que puede alcanzar el
energia que no van a ser analizados.
transistor es el que determina cuando se alcanza
la región de corte por parte del transistor. Commented [Cag4]: Redacción
 Es necesario determinar los valores
tanto en Ac como en Dc para determinar
 Como segunda instancia se realiza un
los máximos valores en el dominio del
análisis Dc en el cual existe un método
tiempo, asumiendo que el pico de la
matemático, como la ecuación lo indica
señal es el valor Ac y que el un Dc el de
este comportamiento no es lineal, por lo
partida.
cual se debe resolver la ecuación
 cuadrática, sin embargo, existe un
método grafico que no garantiza
números exacto sin embargo los valores
encontradas con el mismo no llegan a ser
los mismos para diferencias mínimas,
con lo cual se ve que es una técnica
rápida y efectiva. Figura 2: Figura de componente que representa la
oposición de un material a los electrones. Es un
componente que se encuentran dentro de los
Después de realizar el análisis Dc, los pasos son elementos pasivos, ya que está dado por la
iguales que los declarados para el bjt. condición del efecto joule. [4]

Para esta práctica se empleó el uso de los

siguientes materiales: Multímetro, Resistencias,
transistor 2n222, transistor jfet 3822, Generador
de señal, condensadores, osciloscopio,
vatímetro, Graficador de bode.

El respectivo diagrama de dichos componentes

se muestra a continuación:

Figura 3: Transistor Bipolar NPN, que sirve para

la amplificación de una entrada, su variable de
control es la corriente en la base. [5].

Figura 1: Diagrama de un componente, por medio

del cual se permite la obtención de valores para
ciertos fenómenos físicos, en el caso de esta
práctica para la obtención de los valores digitales Figura 4: Dispositivo que permite determinar el
de la corriente y voltaje. [3] comportamiento en frecuencia de un circuito. [6]
 Figura 7: condensador electrolítico. Es un
elemento almacenador de energía, que de acuerdo
a el valor de su constante eléctrica determina un
nivel de voltaje permitido y un valor propios del
mismo cuya unidad es el faradio. [10]

Figura 5: Generador de funciones, instrumento

por medio del cual se genera una serie de ondas,
las cuales pueden ser variadas en amplitud,
frecuencia etc.[7]

Figura 8: Transistor de efecto de campo tipo n, de

acuerdo a las especificaciones técnicas del
fabricante con un IDss de 10mA y un vp de -
5v.[7]

Figura 6: Instrumento que está en la capacidad de

establecer el comportamiento del voltaje con
respecto al tiempo. [7]
Figura 9: Fuente de polarización Dc, es un
dispositivo capaz de convertir la corriente
alterna en corriente directa, su función es
suministrar una diferencia de potencial a un
circuito especifico.[7]

III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

Amplificador BJT
Para la figura 1 se tienen los siguientes datos:

Fig.10 Circuito equivalente en análisis Dc

Hallamos el circuito equivalente asi:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = (1)
𝑅1 + 𝑅2

𝑅1 ∗ 𝑅2
𝑅𝐵 = (2)
𝑅1 + 𝑅2

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (3)

Luego redibujamos:
Fig.1 amplificador BJT [1]

Análisis DC:
Los condensadores quedan en circuito abierto ya
que no hay frecuencia. En este análisis se
determina el punto de operación (Q) y la recta DC
redibujando obtenemos el circuito de la figura
10.

Fig.11 Circuito equivalente en análisis Dc

Reemplazando en la ecuación 1 y 2 se tiene que: Reemplazando valores del circuito dado y el valor
hallado en la ecuación [I] tenemos:
18𝑉 ∗ 1,8𝐾Ω
𝑉𝐵𝐵 =
1,8𝐾Ω + 22𝐾Ω 𝑉𝐶𝐸𝑄 =18V-(5,144mA)(2kΩ+120Ω)= 7,094V

𝑉𝐵𝐵 = 1,36𝑉 Los valores hallados de 𝐼𝐶𝑄 y 𝑉𝐶𝐸𝑄 son las

coordenadas del punto de operación (Q), ahora se
encontrará la recta DC, teniendo en cuenta la
1,8𝐾Ω ∗ 22𝐾Ω ecuación de la recta de carga:
𝑅𝐵 =
1,8𝐾Ω + 22𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 18𝑉
Si 𝑉𝐶𝐸 = 0V  𝐼𝐶𝑄 =  𝐼𝐶𝑄 = =
𝑅𝐵 = 1,66𝐾Ω 𝑅𝐶 +𝑅𝐸 2,12𝐾Ω
8,49mA
Malla de entrada:
Si 𝐼𝐶𝑄 = 0 A  𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶  𝑉𝐶𝐸 =18V
Se debe tener en cuenta que 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 entonces:
Análisis AC:
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸 Los condensadores son un corto circuito,
quedando el equivalente como se observa en la
figura 12.
Reemplazando a 𝐼𝐵 (ecuación 3) se tiene:
𝐼𝐶 𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 = + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐸
𝛽

Despejando a 𝐼𝐶 (𝐼𝐶𝑄 ):
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅𝐵
+ 𝑅𝐸
𝛽

Reemplazando los valores

1,36𝑉−0,7𝑉
𝐼𝐶𝑄 = 1,6𝐾Ω = 5,144𝑚𝐴 [I]
+120Ω
200

Malla de salida:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝐸  Ecuación de la

recta de carga. Fig.12 Circuito equivalente en análisis Ac

Despejando a 𝑉𝐶𝐸 se tiene: La fuente DC se aterriza y redibujamos el

circuito:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 −𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
 Fig.13 Circuito equivalente en análisis Ac

Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene:

𝑅𝐶 𝑅𝐿
𝑣𝑐𝑒 = −𝑖𝑐 ( ) + 𝑅𝐸 (5)
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿

𝑉𝐶𝐸 = 𝑣𝑐𝑒 + 𝑉𝐷𝐶 (4) Fig.14 Recta de carga DC, AC y punto de operación (Q)

Teniendo en cuenta la ecuación 13, se despeja 𝑣𝑐𝑒 Modelo Híbrido:

y se reemplaza en la ecuación 4

𝑅𝐶 𝑅𝐿
𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐷𝐶 = −(𝑖𝑐 − 𝐼𝐷𝐶 ) [( ) + 𝑅𝐸 ]
𝑅𝐶 +𝑅𝐿
La Ecuación que acabamos de hallar es la
Ecuación de la recta de carga.

𝑅 𝑅
𝑅𝑎𝑐 = (𝑅 𝐶+𝑅𝐿 ) + 𝑅𝐸
𝐶 𝐿

Ahora se traza la recta de carga en Ac:

𝑉𝐶𝐸𝑄
Si 𝑉𝐶𝐸 = 0V  𝑖𝑐 = 𝑅𝑎𝑐
+ 𝐼𝐶𝑄 =11,47mA
Fig.15. Circuito del Modelo Híbrido
Si 𝑖𝐶 = 0𝐴  𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 𝑅𝑎𝑐 = 12,85V
Por leyes de Kirchhoff se tiene:
En la figura 12 se puede evidenciar que
efectivamente el cruce de las rectas Dc y Ac da en 𝑅𝐶 𝑅𝐿
𝑣0 = −𝛽𝑖𝑏 ( )
el punto de operación calculado 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
matemáticamente.

𝑉𝑖 = 𝑖𝑏 (𝑟𝜋 + 𝛽𝑅𝐸 )
 𝑅𝐶 𝑅𝐿 Fig.16 Circuito del Modelo Híbrido con capacitores
𝑣𝑜 𝛽 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )
𝐴𝑣 = = Para C1 se deja en corto el capacitor 2 (C2) y se
𝑣𝑖 𝑟𝜋 + 𝛽𝑅𝐸
tiene:

𝑅𝐶 𝑅𝐿
=1
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿

Reemplazando cada variable de la ganancia de

voltaje:

200
𝐴𝑣 = = −7,9
𝑟𝜋 + 200(120Ω)

Analizando la figura 13 se pueden sacar los

siguientes datos:

𝑣𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 5,7 𝑉 Máxima señal de

Fig.17 Circuito con el capacitor 2 en corto circuito
la salida que se puede tener en el dispositivo
Hallamos la resistencia equivalente para el
𝐼𝑐𝑚á𝑥 = 𝐼𝐶𝑄 = 5,1 𝑚𝐴 capacitor 1:
𝑅 (𝑅𝜋+𝛽𝑅𝐿 )
𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝑅𝑒𝑞1= 𝐵 = 1,556 𝐾Ω
𝑅𝐵 +(𝑅𝜋+𝛽𝑅𝐿 )
𝑣𝑜𝑚á𝑥 = −𝐼𝑐𝑚á𝑥 ( ) = 5,1𝑉 Entonces la frecuencia es:
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
1
𝑓1 = = 2,045 Hz
𝑣𝑜𝑚á𝑥 5,1𝑉 2𝜋𝑅𝑒𝑞1 𝑐1
𝑣𝑖𝑚á𝑥 = = = 645𝑚𝑉
𝐴𝑣 7,9
Para C2 se deja en corto el capacitor 1 (C1) y se
Análisis en baja frecuencia: tiene:

Fig.18 Circuito con el capacitor 1 en corto

 𝑣𝑜𝑚𝑎𝑥
𝑣𝑖𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑣
= 638 𝑚𝑣
𝑅𝑒𝑞2 =𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 = 4 𝐾Ω
Ahora podemos hallar la potencia en la carga:
1
𝑓2 = =3,97 Hz 1 𝑣𝑜𝑚á𝑥
2𝜋𝑅𝑒𝑞2 𝑐2 𝑃𝐿 = = 6,502𝑚𝑊
Ya que esta frecuencia es la más alta, indica que 2 𝑅𝐿
es la frecuencia de corte bajo.
Suministrada por la fuente:
Si al amplificador se le ingresa una señal de
entrada determinada por: vg=0.005sinwt , la señal 𝑝𝑐𝑐 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶𝑄 = 92,59 𝑚𝑊
de salida estará determinada por el producto de la
ganancia de voltaje por la señal de entrada de este Eficiencia:
modo :
𝑃𝐿𝐴𝐶
vg = 0.005sinwt ∗ (−7.99) 𝜂= = 𝑂, 𝑂70  7%
𝑃𝐶𝐶
𝑉𝑜 = −0.039 sinwt
Y de manera gráfica esta señal se observará como
en la gráfica 19. Simulación primer amplificador:

Fig. 20. Simulación para el BJT en Multisim.

Fig. 19. Señal a la salida observada por parte del Análisis DC

amplificador.
Se realizó el montaje propio del circuito a través
Potencia: de una serie de indicadores en multisim,
obteniendo valores muy aproximados a los
En la carga: realizados en la parte teórica, la figura 21 muestra
𝑣𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝑖𝐶 (𝑅𝑐 ||𝑅𝐿 ) los valores concernientes a IcQ y VceQ, que se
marcan como “V(dc)” e “I(cd)”.
En este tipo de configuración 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐶𝑄 ya que
si su pera el valor de 𝐼𝐶𝑄 se produciría saturación.
Entonces remplazamos el valor de 𝐼𝐶𝑄 =
5,14 𝑚𝐴 y 𝑅𝑐 ||𝑅𝐿 = 1 𝐾Ω asi:

𝑣𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 (𝑅𝑐 ||𝑅𝐿 ) = 5,14 𝑣

Al hallar el 𝑣𝑜𝑚𝑎𝑥 podemos hallar el voltaje

máximo a la entrada:
Figura 21: Resultados gráficos para los valores de IcQ y
VceQ a través de los indicadores de multisim.

Determinación práctica de las ganancias

La ganancia de voltaje se determinó
estableciendo la relación entre el voltaje a la
salida con respecto a la entrada, para ello se
trabajó con los valores rms de las
correspondientes señales, de acuerdo a la figura
21, la ganancia de voltaje obtenida es
aproximadamente 7.59.

Figura 22: Representación de la señal de entrada en la parte
superior y la señal de salida en la parte inferior.
A su vez la figura 23, también permite determinar
la correspondiente ganancia de voltaje de las
señales de entrada y salida, con un valor
aproximado de 7.95.
Figura 23: Ganancia de voltaje con relación de la entrada y
la salida.
La ganancia de corriente está dada por la misma
relación que la de voltaje, por lo cual de la figura
11
22, a través de los valores de I(rms) es posible
realizar el cociente entre la corriente de salida y la
de entrada y se obtiene un valor de 5.72.
De acuerdo al diagrama de bode, presentado en la
figura 24 y desarrollado en la simulación las
frecuencias bajas van en un rango de entre 1Hz y
9Hz, las cuales son generadas por los capacitores
de acople presente en el circuito.
Figura 24: Representación del rango de frecuencias bajas
presentes en el circuito.
Si la señal de entrada es vg=0.005sinwt , la
amplitud de la señal varia como lo muestra la
figura 25, sin embargo la ganancia de voltaje se
mantiene.
 12

Figura 25: Salida correspondiente del circuito, con una

entrada de 0.005sinwt.

La potencia entregada por la carga depende

teóricamente del valor de Vomax y del valor de la
resistencia de la carga, asumiendo esto la figura
26, nos muestra que existe una corriente que
circula por dicha resistencia y un voltaje propio
por la misma vo que es quien marca en gran parte
la pauta para la eficiencia del transistor.
Fig. 27. Graficas en el tiempo de Ic (arriba) y Vo(abajo).

Fig. 28. Grafica en el tiempo de Vce

2° Punto:

Figure 26: Valor de la potencia de la carga.

Graficas en el tiempo de 𝑽𝒄𝒆 𝑰𝒄 𝑽𝒐

Fig. 29. Amplificador con Transistor JFET configuración

Fuente Común.
 13

Análisis DC:
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) (7)
A partir de los parámetros establecidos en la 𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
realización y debido desarrollo de un JFET en este
caso con una polarización de tipo auto Con la ecuación 7 se procede a tabular una serie
polarización, se establece que la corriente que de puntos que nos permitan obtener de manera
circula por el drenaje es igual a la corriente que gráfica el valor de 𝐼𝐷𝑄 y de 𝑉𝐺𝑆 . [2]
pasa por la fuente; así mismo se determina que la
corriente que fluye por la compuerta es igual a Estos valores están contenidos en la tabla 1.
cero debido a que la impedancia de entrada es
considerablemente grande y por lo tanto la Tabla 1. Valores obtenidos a partir de la ecuación 21.
corriente en este punto disminuye tendiendo a 𝑽𝑮𝑺 (v) 𝑰𝑫 (mA)
cero. [1] 0 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴
El circuito resultante se observa en la figura 30. 𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 = −2.5 𝐼𝐷 = 2.5 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 =-5 0

De igual modo se comienza a evaluar la ecuación

1 obtenida anteriormente a partir de los valores
máximos que pueden tener 𝐼𝐷 y 𝑉𝐺𝑆 , del siguiente
modo.

Si 𝐼𝐷 = 0𝐴 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉
Si 𝑉𝐺𝑆 = −1𝑉 𝐼𝐷 = 2.5𝑚𝐴

Con los valores obtenidos anteriormente se

procede a graficar la curva característica que se
obtienen mediante la ecuación de Shockley.

Fig. 30. Circuito en DC.

Se obtiene una ecuación que determinará más

tarde la recta de carga en D, para ello se realiza
una malla entre los elementos presentes en la
compuerta y la fuente. Así.
𝑉𝑅𝐺 + 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑅𝑆 = 0
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 (6)

La ecuación 7 conocida como la ecuación de

Shockley, genera una curva característica,
conocida como la curva de transferencia, esta
curva interceptada con la recta de entrada permite
conocer algunos parámetros importantes en el
amplificador.
 14

Figura. 31. Curva de transferencia interceptada por la recta 𝑉𝐷𝑆 = −𝐼𝐷 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
de entrada. 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = −(𝐼𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 ) (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) (4)
De manera gráfica es posible obtener los valores
de 𝐼𝐷𝑄 = 4.22 𝑚𝐴 y de 𝑉𝐺𝑆 = −1.75 𝑣 Con la ecuación 4 se procede a calcular una serie
de puntos que determinen el lugar del punto de
Obtenidos 𝐼𝐷 y 𝑉𝐺𝑆 se calcula el valor de 𝑉𝐷𝑆𝑄 , a
operación.
partir de la malla de salida del circuito de la figura
21. Si 𝑉𝐷𝑆 = 0 𝑉 𝐼𝐷 = 17.57 𝑚𝐴
Si 𝐼𝐷 = 0 𝐴 𝑉𝐷𝑆 = 10.23 𝑉
𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) (8) La grafica 24 representa las rectas en DC y AC del
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 12𝑉 − (4.22𝑚𝐴)(1𝑘Ω) amplificador.
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 7.78 𝑣

Con la ecuación 3 se procede a tabular una serie

de puntos que permitan determinar a manera
gráfica el punto de operación del amplificador.

Si 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 0 𝑉 𝐼𝐷 = 12 𝑚𝐴
Si 𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴 𝑉𝐷𝑆 = 12 𝑉

Análisis AC:
Mediante este análisis se comprobará la veracidad
y correcto cálculo del punto de operación del
amplificador, así mismo se determinara de manera
Fig. 33. Rectas de carga del amplificador.
gráfica los valores máximos de 𝑖𝐷 y 𝑉𝐷𝑆 .
Análisis en pequeña Señal:

Fig. 34. Análisis en pequeña señal del amplificador

2
𝑑𝐼𝐷 𝑑 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = | || = (𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) )|
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
𝑄 𝑄
Fig. 32. Circuito resultante en el análisis AC.
2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝑜 = −𝐼𝐷𝑄 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) 𝑔𝑚 = (1 − )
|𝑉𝑝 | 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
𝑉𝑜 = 𝑉𝑠
 15

2(10𝑚𝐴) −1.75𝑉 individual y haciendo que los demás

𝑔𝑚 = (1 − ) condensadores actúen como corto circuito. Se
| − 5𝑉| −5𝑉
𝑔𝑚 = 2.6𝑚 ʊ (𝑆𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠) iniciará con el cálculo de la frecuencia del
capacitor 𝐶1 . El Capacitor
𝐶𝑠 𝑦 𝐶2 se ponen en corto.
De la fig. 34 se pueden determinar las impedancias En la figura 36 se aprecia el circuito equivalente
de entrada y salida que se obtienen por parte del que se obtiene cuando los capacitores
amplificador, las cuales se aprecian a 𝐶𝑠 𝑦 𝐶2 se ponen en corto.
continuación.

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺 = 1𝑀Ω
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐷 = 600Ω

Posteriormente al cálculo de impedancias se

determina las ganancias de voltaje propias de este
amplificador en su configuración establecida.
𝑉𝑖 = 𝑉𝐺𝑆
−𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) Fig. 36. Representación del circuito con 𝐶𝑠 𝑦 𝐶2 en corto.
𝐴𝑣 =
𝑉𝐺𝑆
𝐴𝑣 = −(2.6𝑚ʊ)(582.52Ω) Se determina la resistencia equivalente asociada a
𝐴𝑣 = −1.51 la conexión que presenta el capacitor con el resto
del circuito.
Con los valores comunes de los análisis en 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐺1 = 1MΩ
pequeña señal obtenidos, se procede a realizar el
cálculo de las frecuencias bajas que dominan el De este modo se obtiene la frecuencia inscrita a
circuito. este condensador.

Bajas frecuencias: 1 1
𝐹𝐶1 = = = 7.95 𝐻𝑧
2𝜋𝑅𝑒𝑞 𝐶1 2𝜋(1MΩ)(0.02𝜇𝐹)

De igual modo se realiza el mismo procedimiento

para el capacitor 𝐶2 . Los capacitores
𝐶1 𝑦 𝐶𝑠 se cambian por un corto. Por esto
último, el voltaje de entrada
𝑉𝑖 es de cero voltios esto ocasiona que la fuente
se cancele debido al corto que presenta el
capacitor a la entrada, como se observa en la figura
37.
Fig. 35. Análisis en bajas frecuencias.

Para iniciar con el cálculo de la frecuencia de corte

bajo del amplificador, se ubican los capacitores de
acople y de paso con el cual se diseñó el circuito
para observar el impacto que genera cada uno
dentro del funcionamiento del dispositivo; es por
ello que este comportamiento se estudia de manera
 16

Fig. 37. Representación del circuito con 𝐶𝑠 𝑦 𝐶3 en corto.

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐷1 + 𝑅𝐿 = 20.6kΩ
La frecuencia por parte del capacitor 𝐶2 es:
1
𝑓𝑐2 =
2𝜋(𝑅𝑒𝑞 )𝐶2
1
𝑓𝑐2 =
2𝜋(20.6𝑘Ω)(0.1𝜇F)

𝑓𝐶2 = 77.25 Hz
Y como última frecuencia baja se determina la
correspondiente al capacitor 𝐶𝑠 , la cual se puede
apreciar en la figura 38.

Fig. 39. Graficas en el tiempo de VDS ID y Vo

respectivamente.

Posteriormente al cálculo de la frecuencia de corte

Fig.38. Representación del circuito con 𝐶2 𝑦 𝐶3 en corto. bajo del amplificador se realiza el cálculo de las
diferentes potencias determinadas para el
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑠 = 400Ω amplificador, y la eficiencia que este posee a partir
1 1 de su configuración y valores de trabajo.
𝑓𝑐𝑠 = = = 18.08𝐻𝑧
2𝜋𝑅𝑒𝑞 𝐶𝑠 2𝜋(400Ω)(22𝜇F)
𝑉𝑜𝑚á𝑥 = −𝑖𝐷 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )
La frecuencia de corte bajo se determina como la 𝑉𝑜𝑚á𝑥 = | − (4.22mA)(20𝑘Ω||600Ω)|
frecuencia más grande en magnitud a la hora de 𝑉𝑜𝑚á𝑥 = 2.45 𝑉
realizar el cálculo con los capacitores que posee el |𝐴𝑉 | = 1.51
circuito para su funcionamiento, por lo tanto en 𝑉𝑜𝑚á𝑥
este ejercicio se aprecia que la frecuencia más 𝑉𝑖𝑚á𝑥 = = 1.62𝑉
grande la genera el capacitor 𝐶2 = 77.25 Hz 𝐴𝑉

En las figuras 39 se aprecia las señales en el Potencia media en la carga:

tiempo de VDS ID y Vo respectivamente. 1 𝑉𝑜𝑚á𝑥 2
𝑃𝐿𝐴𝐶 = = 0.15mW
2 𝑅𝐿
Potencia suministrada por la fuente
 17

𝑃𝑐𝑐 = 𝑉𝐷𝐷 𝐼𝐷𝑄 = 50.64mW Figura 41. Valores propios para el Id y el VdsQ dentro del
circuito.
Eficiencia del amplificador:
𝑃𝐿 Análisis de la ganancia de voltaje
𝑛 = 𝐴𝐶 = 0.002 ó 2% La figura 42, muestra un valor de ganancia de
𝑃𝐶𝐶 voltaje de 1.18v, muy aproximado a lo obtenido
en la parte teórica, sin embargo los cálculos
Simulaciones: hechos en el
Simulador tienen en cuenta más parámetros.

Figura 40: Diagrama de un transistor con fuente común.

Análisis Dc
Este tipo de jfet presenta una configuración de
polarización fija de tipo n, se llama así ya que se
utiliza una fuente de voltaje externo que garantice Figura 42: Diagrama de ganancia de voltaje para transistor
un vgs<0.
jfet en configuración de fuente común. Commented [Cag5]: En esta figura se evidencia que no
esteban trabajando con una frecuencia de la señal de entrada
Para el análisis de la figura 40, se modificó ciertos adecuada.
Análisis Baja Frecuencia
parámetros de jfet en el simulador, sin embargo,
Cuando se analiza el diagrama de bode,
no eran los suficientes ya que para garantizar el
representado en la figura 43, se obtiene
cambio en Vp y el IDss, se debe crear un
aproximadamente una frecuencia de corte de
componente, cuando se le daba la asignación el
86Hz, lo que nos indica que los valores anteriores
componente creado no funcionaba.
a esta son frecuencias bajas, dentro de las cuales
El valor de Id=4.35mA está muy cercano al valor
se encuentra las frecuencias teóricas obtenidas.
teórico, para el caso de vgs=9.39v el valor no es
tan cercano como lo muestra la figura 41, sin
embargo, el error es del 17%, debido a la no
asignación precisa de los parámetros del
simulador.

Figura 43: Frecuencia de corte aproximada para el

circuito.
Potencia
La potencia en la carga está dada por un valor muy
pequeño, como lo muestra la figura 44, debido a
la resistencia tan grande y al Vomax..
 18

recomienda errores en un rango del 0% al 5 %, ya

que de acuerdo a experiencias pasadas los
montajes se acercan mucho tanto teóricamente
como en forma práctica.
La potencia en la carga es tema clave ya que esta
nos indica si verdaderamente el diseño del circuito
es efectivo, y junto con la potencia de la fuente
Figura 44: Potencia de la carga en el circuito. permite establecer una relación que indica la
efectividad o eficiencia del circuito, en este caso
el valor de dicha eficiencia es del 7%, este es un
Discusión de resultados: valor muy pequeño porque el máximo porcentaje
es del 25%, lo cual indica que el circuito se debe
rediseñar.
Tabla 2: Porcentajes de error de los valores más importantes
y de los cuales se puede obtener una medida tanto en la
-Dados los valores teóricos para el circuito del jfet
plataforma de simulación como en los cálculos teóricos.
Valores Valor Valor Porcentaje en fuente común, se encontró que aunque las
hallados en Experimental Teórico de error especificaciones(datasheet) 2n3971 eran las
amplificador buscadas, el margen de error era del
BJT 30%(“Corresponde a la comparación entre el
Corriente del 0,00538 0,00514 4,6692607 voltaje teórico dc y el simulado”) por lo cual se
colector(IcQ)
7,1 7,21 1,525658807
optó por buscar un amplificador que redujera al Commented [Cag6]: Un amplificador o un transistor?
Voltaje
Colector máximo dicho porcentaje, por lo tanto se buscó
Emisor uno que aumentara un poco la región del voltaje
Ganancia 7,99 7,64 4,581151832 de estrangulamiento y que mantuviera la mismas
Voltaje IDss(“Corriente de saturación”),(“Cuando se
Ganancia de 5,98 5,77 3,639514731
habla de un poco es un rango que fue de-5v a -6v”)
corriente
Potencia en 0,00677 0,0065 4,153846154 llegando a reducirse en un 17% el porcentaje de
la carga error.

Tabla 3. Porcentajes de error de los valores más importantes

del amplificador JFET.
La corriente en el colector y el voltaje en el
Valores Valor Valor Porcentaje
Colector-Emisor, se deben en gran parte a la hallados en Experimental Teórico de error
configuración del amplificador y los elementos amplificador (%)
asociados, es decir, cuando se incluye una BJT
resistencia en el emisor, los valores tanto de la Corriente de 0.0043 0.0042 2.32
corriente como del voltaje se ven asociados por drenaje (IDQ)
Voltaje -1.74 -1.75 0.57
esta resistencia ya que es la única que se encuentra Compuerta
tanto en la malla de salida como la de entrada, de Fuente (VGS)
ahí el nombre de emisor común. Ganancia -1.20 -1.51 18.54
La ganancia es un tema muy importante y es una Voltaje
de las razones que muestran que el amplificador si
está cumpliendo su tarea, debido a esto se hace Es posible observar a partir de los resultados más
necesario sostener porcentajes de error bajos en representativos que presenta el amplificador
este sentido, ya que a la hora de realizar montajes JFET, como los valores de corriente de drenaje y
prácticos se encuentran ciertos patrones como el voltaje entre compuerta y fuente no varían de
desgaste, valores no exactos etc, para lo cual se manera abrupta, y este factor se puede deber en

gran parte a los parámetros internos que
determinan dichos valores, como el valor de 𝛽
entre otros. Aunque la ganancia de voltaje
presentó un gran porcentaje de error, esto puede
ser justificable a razón del elemento que produce
el voltaje de entrada, en este caso el generador.
Este último posee un gran porcentaje de error en
el voltaje que suministra al circuito, ya que
mediante medidores de voltaje fue posible
observar que aunque el generador provee una
tensión determinada, a la salida de este elemento
no presenta el voltaje que asegura proporcionar.
Este factor sumado con el hecho de que la salida
también estará afectada por este inconveniente
justificaría el error infranqueable que se observa
en la ganancia de voltaje.
Así mismo es apreciable el hecho de que el
amplificador JFET durante el estudio de su
modelo híbrido posee un parámetro que relaciona
la corriente de drenaje (𝐼𝐷 ) y el voltaje presente
entre la compuerta y la fuente (𝑉𝐺𝑠 ) llamado tras
conductancia. Esta propiedad permite calcular
otras características del amplificador como la
ganancia entre otros.
Como punto de observación, es también
apreciable el hecho de que en este tipo de
amplificadores el valor de 𝑉𝐷𝑆𝑄 debe ser menor al
valor de 𝑉𝐷𝐷 para asegurar que el JFET se ubique
en la zona de saturación y que los picos de la señal
no se recorten, en este caso
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 7.78 𝑣 y 𝑉𝐷𝐷 = 12𝑣.
Una característica importante en esta clase de
amplificadores es la alta impedancia que presenta
estos dispositivos a la entrada del circuito, es por
ello que se establecía en el análisis DC del mismo,
que la corriente de Compuerta 𝐼𝐺 = 0A, para este
caso la 𝑍𝑖𝑛 = 1MΩ, aunque teóricamente se
espera que sea infinita.
Es posible observar la semejanza de los modelos
híbridos de ambos amplificadores (BJT y JFET)
aunque en el amplificador JFET es apreciable el
19
hecho de que 𝑟𝜋 es infinito, debido a que la
corriente de compuerta es cero.
IV. CONCLUSIONES
 Mediante el posterior desarrollo y culminación
de la primer práctica de laboratorio y las
observaciones más pertinentes sobre los datos
obtenidos, destacando el comportamiento del
amplificador BJT y JFET es posible determinar
como principal hecho, las diferentes
propiedades o características que posee cada
amplificador en su modo particular de
funcionamiento, y a partir de estas últimas,
determinar el mejor uso o la mejor aplicación
que se puede realizar con este elemento.
 -Para los transistores BJT en este caso el
2n2222, se caracterizan por controlar una
corriente de salida con respecto a una de
entrada, en favor de la amplificación de
corriente, ya que la corriente de una unión
afecta la de otra unión.
 -Cuando el transistor entra en saturación,
la relación de amplificación 𝐼𝑐 = 𝛽Ib no
se cumple y por lo tanto Ic=Ie, tampoco,
esto depende de la entrada de voltaje.
 -La disposición del transistor cuando entra
en saturación o en el modo de corte se
puede convertir en conmutador
(Interruptor), recordando que en modo
activo se comporta como amplificador.
 -El punto de operación es un factor clave,
que indica si está aprovechando al máximo
la capacidad del transistor, un punto ideal
se generaría en la parte central en la recta
 20

de carga, influenciado por la relación Ac, como un elemento almacenador de

Dc del circuito.
 -De acuerdo a los análisis realizados, se
podría decir que el transistor BJT, es como
una fuente de corriente controlada por
corriente, por lo tanto, la ganancia de
corriente es la más importante en este tipo
de componentes electrónicos.
 -Un transistor jfet es parecido a una llave
de un tanque, existe un regulador que
controla el flujo de líquido (llave) esto en
el transistor está en la compuerta la cual
por medio del control de la tensión hace
que fluya o no corriente entre la fuente y el
drenado.
 -Al ser controlado por voltaje el transistor
jfet, hace que la gran mayoría de los
electrones circule por el drenaje, lo que
hace que se cumpla que la corriente en el
drenaje sea igual a la corriente en la fuente
(ID=IS).
 La corriente presente en la compuerta es
del orden de los nanoamperios, por eso se
habla de Ig=0, ya que existe una tensión
que polariza inversamente dicha parte del
transistor, debido a que el transistor es un
diodo, cuando un diodo es polarizado por
la región inversa, su conducción es
mínima, por lo que se dice que la relación
entre el voltaje de la compuerta y su
corriente forma una resistencia con un
máximo valor.
energía, debido a que este conserva carga
en un tiempo determinado.
V. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] C. J. Savant “Diseño electrónico: circuitos y
sistemas” 2da ed. Vol. 1, Addison Wesley,
México, 1992
[2 ]R. L. Boylestad “Electronica: Teoria de
Circuitos y Dispositivos Electrónicos” 8va ed.
Vol. 1, Pearson education, Mexico, 2009.
[3]
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/common
s/thumb/d/d8/RE50G_Range_Digital_Mutilmeter
%2C_professional_Mutilmeter.jpg/320pxE50G_
Range_Digital_Mutilmeter%2C_professional_M
utilmeter.jpg”.
[4] Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos,
Robert L,Pearson Education .Boylestad,Mexico
2003.
[5]http://www.prometec.net/wp-
content/uploads/2015/01/1k-resistor.jpg.
[6]”http://tostratonic.com/store/48-
thickbox_default/transistor-2n2222.jpg”.
[7] Multisim,National Instruments.

 Así mismo es notable y resaltable la forma

particular en la que opera el amplificador
JFET en su modo de ejecución, dado que
su configuración y su alta impedancia de
entrada, que es una propiedad particular de
él, permite que de cierto modo se comporte