ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Fecha de presentación del proyecto: 25-06-2018

Proyecto Segundo Bimestre

IGBT
Sánchez Pico Jorge Jahir
Jsanchezp10@est.ups.edu.ec
Quinte Caiza Christian Fernando
cquinte@est.ups.edu.ec
Cevallos Granja Ricardo David
rcevallosg@est.ups.edu.ec

Resumen: En el presente informe se detalla de una estructura de puerta semiconductora de

forma teórica, la estructura y el funcionamiento
del IGBT, así como sus aplicaciones, como su
operación en serie y paralelo, limitaciones por
𝑑𝑖⁄ y 𝑑𝑣⁄ .
𝑑𝑡 𝑑𝑡
Abstract: The present report details the
theoretical form, the structure and the operation
of the IGBT as well as its applications, such as its
operation in series and in parallel, limitations by
di / dt and dv / dt.
Palabras clave: IGBT, monofásico, trifásico,
cuadrante.
1. OBJETIVOS
óxido metálico (MOS). Son transistores de
potencia de voltaje controlado, ofrecen
características muy superiores de activación y de
salida que las de los BJT. [1] Un IGBT tiene alta
impedancia de entrada, como los MOSFET, y
pocas pérdidas por conducción en estado activo,
como los BJT. [2] [3]No tiene problema con
segunda AVALANCHA que es un fenómeno
destructivo, se debe al flujo de corriente por una
pequeña porción de la base, que produce puntos
calientes localizados. Si la energía de esos
puntos calientes es suficiente, el calentamiento
localizado excesivo puede dañar al transistor.
SIMBOLOGIA DEL IGBT

Objetivo general

Entender el principio de funcionamiento de forma

teórica y la estructura del IGBT

Objetivos específicos
Fig. 1. Representación Simbólica del transistor IGBT.
• Comprender las aplicaciones para las [1]
cuales sirven los IGBT´S .

• Identificar las curvas características de Es un componente de tres terminales que se

los transistores de potencia IGBT.
• Comparar las características de los
transistores de potencia BJT,
MOSFET E IGBT.
denomina GATE(G) o puerta, COLECTOR(C) Y
EMISOR (E), y su símbolo corresponde a la
figura1
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL IGBT

El IGBT tiene la salida de conmutación y de

2. MARCO TEÓRICO
2.1. DEFINICIÓN DE IGBT (transistor bipolar
de puerta aislada)
El IGBT es un dispositivo semiconductor con
cuatro capas alternas (P-N-P-N) controladas por
conducción con las características de los
transistores bipolares, pero es controlado por
tensión como un MOSFET. Tiene una
impedancia de entrada elevada como los
MOSFET, alta capacidad de corriente, caída de
tensión directa (voltaje colector-emisor de
saturación) muy baja así como la facilidad de
comando gracias a la compuerta aislada que
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ofrece la tecnología MOSFET. Además de las

bajas pérdidas en conmutación como los BJT,
puesto que la energía aplicada en la puerta que ESTRUCTURA
activa el dispositivo es pequeña, con corrientes
de orden de nano amperios y tensiones de
control de unos 15V, haciendo posible su control
mediante circuitos integrados.
Otro de los posibles problemas con algunos tipos
de IGBT es el coeficiente de temperatura
negativo que poseen, que podría conducir al
dispositivo a una deriva térmica muy difícil de
controlar. [3] Lo que significa que tiene un
comportamiento dependiente de la temperatura.
Por supuesto, estas desventajas quedan
eclipsadas cuando reconocemos la capacidad de
un IGBT de poder trabajar con varios miles de
Voltios y corrientes tan elevadas que permiten
hablar de cientos de Kilovatios de potencia
controlada.
un IGBT cuenta con una caída de tensión
significativamente menor en comparación con un |
MOSFET convencional en dispositivos con
clasificación más alta de tensión de bloqueo, Fig. 2 Estructura de un IGBT y Circuito equivalente. [3]
aunque las pérdidas en conmutación son
mayores.
En la figura 2 se muestra la sección transversal
A diferencia de un MOSFET, el IGBT no puede
de la estructura de silicio de un IGBT, que es
conducir en la dirección inversa. Es capaz de
idéntica a la de un MOSFET, a excepción del
bloquear tensiones Vce negativas, al contrario
sustrato p+, y en la figura1b se muestra el circuito
que el MOSFET, que no puede debido a su diodo
equivalente de un IGBT.
parásito.
El rendimiento de un IGBT se parece más al de
Los IGBT son una nueva tecnología que superará
un BJT que al de un MOSFET, esto se debe al
a los MOSFET por encima de los 300 Voltios y
sustrato p+, causante de los portadores
los 100 Amperios, pero estos últimos continúan
minoritarios de la región n
teniendo un crecimiento muy dinámico en el área
Como en un MOSFET, para el encendido se hace
de la automoción y la electrónica de consumo, lo
positiva la compuerta con respecto al emisor, los
que hará que su decadencia no resulte tan
portadores n son atraídos al canal p cerca de la
sencilla.
región de la compuerta; esto produce una
Estos dispositivos semiconductores de potencia
se utilizan en convertidores CC/CA, en polarización en directa de la base del transistor
maquinaria, robots industriales, compresores de npn, que con ello se enciende. [3] Un IGBT sólo
equipos de aire acondicionado, equipos de se enciende aplicándole un voltaje de compuerta
fabricación de semiconductores, unidades de positivo, para que los portadores n formen el
control de motores en automóviles y vehículos canal, y se apaga eliminando el voltaje de
eléctricos híbridos, equipos de soldadura. compuerta, para que el canal desaparezca.
Requiere un circuito de control muy simple. Tiene
menores pérdidas de conmutación y de
conducción, y al mismo tiempo comparte muchas
de las propiedades adecuadas de los MOSFET
de potencia, como la facilidad de excitación de
compuerta, corriente pico, buenas características
y robustez. En forma inherente, un IGBT es más
rápido que un BJT. Sin embargo, la velocidad de
conmutación de los IGBT es menor que la de los
MOSFET.

Los IGBT tienen dos estructuras: de perforación

(PT, de punch-through) y de no perforación (NPT,
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de non-punch-through). En la estructura IGBT En la figura3 se muestra las curvas

PT, el tiempo de conmutación se reduce usando
una capa de acoplamiento n muy dopada, en la
región de corrimiento cerca del colector. En la
estructura NPT los portadores tienen una vida
mayor que en una estructura PT, lo que causa
modulación de conductividad de la región de
corrimiento y reduce la caída de voltaje en estado
de encendido.
características de salidas típicas, de ic en función
de Vce, se muestran para diversos voltajes Vce
de la compuerta del emisor. Las especificaciones
de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta
los 1200 (v), 400 (A), y la frecuencia de
conmutación puede llegar hasta 20khz.
FUNCIONAMIENTO

APLICACIONES

• Control de motores, sistemas de alimentación

ininterrumpida, sistemas de soldadura,
iluminación de baja frecuencia y alta potencia.
Están presentes en la circuitería de los
automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones
y barcos pero también de los electrodomésticos
del hogar mediante la interconexión de diversos
IGBT que controlan los motores eléctricos.
• Generalmente es utilizado en sistemas o
aparatos que requieren circuitos de electrónica
realmente potentes y con velocidades de
conmutación de hasta 20KHz. Los IGBT’S han
estado todo momento con nosotros y han sido
claves en el desarrollo de la electrónica de
potencia.
• Algunos fabricantes de tecnología de consumo
ya están utilizando para mejorar sus dispositivos
o darles nuevas capacidades. Por ejemplo estos
transistores han permitidos ser integrados en
teléfonos móviles para dotar cámaras de un flash
de xenón realmente potente.
• Otro ejemplo de esta tecnología es su utilización
para activar o desactivar los pixeles en las
pantallas táctiles de nueva generación, sistemas
de iluminación de edificios o centrales de
conmutación telefónica. Incluso ya existen
algunos desfibriladores que incorporan IGBTs.
CURVAS CARACTERISTICAS DEL IGBT
Fig. 3 Características típicas de salidas y de
transferencia de los IGBT. [2]
Fig. 4 Curva Característica estática de un
transistor IGBT de canal. [4]
Consideremos que el IBGT se encuentra
bloqueado inicialmente según la figura4. Esto
significa que no existe ningún voltaje aplicado al
gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el
IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID
es conducida y el voltaje VDS se va desde el
valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID
persiste para el tiempo ON en el que la señal en
el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada
positivamente con respecto a la terminal S. LA
señal de encendido es un voltaje positivo VG que
es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado
como un pulso de magnitud aproximada de 15 V,
puede causar que el tiempo de encendido sea
menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
drain iD es igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez encendido,
el dispositivo se mantiene así por una señal de
voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del
control de voltaje la disipación de potencia en el
gate es muy baja. EL IGBT se apaga
simplemente removiendo la señal de voltaje VG
de la terminal gate. La transición del estado de
conducción al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la
frecuencia de conmutación puede estar en el
rango de los 50 kHz.
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COMPARACIONES DE TRANSISTORES.

Tipos Variable Frecuencia Max. Max.Is -OPERACIÓN EN PARALELO

de control (conmutación) Vs
BJT Corriente Media,20kHz 1.5 1 kA Este tipo de operación se usa cuando un
kV dispositivo no puede manejar la demanda de
corriente de la carga. Para compartir corrientes
MOSFET Voltaje Muy alta 1 kV 150 A iguales los transistores deben estar pareados es
decir igualados en ganancia, trasnductancia,
IGBT Voltaje Alta 3.5 2kA voltaje de saturación, tiempo de encendido y
kV tiempo de apagado, estas características
deberían ser ideales, pero en la práctica no se
cumplen dando así como resultado una partición
de corriente entre el (45 a 55% con dos
Tabla 1 Comparaciones de Transistores. [3] transistores) conectando resistores en serie con
las terminales de emisor como se muestra en la
CARACTERISTICAS figura 6, estas resistencias ayudan a compartir la
corriente bajo condiciones de estado
-OPERACIÓN EN SERIE permanente.

Los transistores funcionan en serie, para

aumentar así su capacidad en el manejo de
voltaje, tomando en cuenta que los transistores
se enciendan y apague simultáneamente.
En caso de no darse esta condición, el transistor
más lento en el encendido y el más rápido en
apagado pueden quedar sujetos al voltaje total
del circuito entre el colector y emisor lo que
comúnmente se denomina de drenaje a fuente;
estos dispositivos pueden llegar a destruirse por Fig. 6 Operación en Paralelo [3]
el trabajo a alto voltaje.
Los transistores deben cumplir con las siguientes En la figura 6 se observa la conexión en paralelo
condiciones: deben estar pareados, igualados, de dos transistores donde se conecta los
en ganancia, transustancia, voltaje de umbral, emisores a las resistencias y se conectan
voltaje en estado activo, tiempo de encendido y también los colectores
tiempo de apagado, hasta deben compartir las
características de excitación de la compuerta y
base deben ser idénticas. OPERACIÓN EN ESTADO ACTIVO

Cuando la tensión de compuerta-fuente excede

Figura 5. Operación en Serie [1]
En la figura 5 podemos observar la conexión en
serie de dos transistores donde se conecta el
emisor de un transistor a la base del otro
el umbral, se forma una capa de inversión debajo
de la compuerta del IGBT. Esta capa de inversión
pone en cortocircuito a la región de arrastre n- de
la zona de fuente n+, igual que en el MOSFET.
Una corriente de electrones fluye a través de esta
capa de inversión, como se diagrama en la figura
7, lo que a su vez causa una inyección sustancial
de huecos desde la capa de contacto del drenaje
p+ hasta la región de arrastre n.
Los huecos inyectados se mueven a través de la
región de arrastre tanto por derivación como por
difusión, por una multitud de rutas, como se
indica en la figura 7, y llegan a la zona del cuerpo
de tipo p que rodea a la zona de fuente n+. Tan
pronto los huecos llegan a la zona del cuerpo de
tipo p, su carga espacial atrae electrones de la
metalización de la fuente que hace contacto con
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la zona del cuerpo, y los huecos excedentes se

recombinan rápidamente.
La unión formada por la zona del cuerpo de tipo
p y la región de arrastre n “recoge” los huecos de
difusión y por tanto funciona como colector de un
transistor de base espesa pnp. Este transistor,
diagramado en la figura 8, tiene la capa de
drenaje de contacto como emisor, una base
compuesta por la región de arrastre n y un
colector formado por la zona de cuerpo del tipo p.
A partir de esta descripción se puede desarrollar Fig. 7 sección transversal vertical de un IGBT
un circuito equivalente para modelar la operación
del IGBT, lo que se muestra en la figura 8. Este En la figura 7 se puede apreciar a) las rutas de
flujo de corrientes en estado activo y las partes
circuito modela el IGBT como un circuito
operativas efectivas de la estructura del MOSFET
Darlington con el transistor pnp como transistor y del BJT
principal y el MOSFET como dispositivo de
accionamiento.
La parte del MOSFET del circuito equivalente
también se diagrama en la figura 8, junto con la
parte del BJT. La resistencia entre la base pnp y
el drenaje del MOSFET representa la resistencia
de la región de arrastre n. A diferencia del circuito
Darlington convencional, el MOSFET de
accionamiento en el circuito equivalente del IGBT
lleva la mayor parte de la corriente total de
terminal. Esta división desigual del flujo de la
corriente total es deseable por razones que Fig.8 Circuitos Equivalentes para el IGBT
tienen que ver con el encendido potencial del
tiristor parásito, tema que abordaremos en breve. Se muestra a) circuito equivalente aproximado
En esta situación, el voltaje de estado para condiciones normales de operación; b)
activo 𝑉𝐷𝑆(𝑒𝑛𝑐) , con el circuito equivalente de la circuito equivalente más completo que muestra
figura 4, se expresa como: los transistores que componen el tiristor
parasítico.
𝑉𝐷𝑆(𝑒𝑛𝑐) = 𝑉𝑗1 + 𝑉𝑑𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎 + 𝐼𝐷 𝑅𝑐𝑎𝑛𝑎𝑙 (1)
OPERACIÓN EN ESTADO DE BLOQUEO
La caída de tensión a través de la unión J1 es una
caída de tensión de polarización directa normal a Como el IGBT es básicamente un MOSFET, la
través de una unión pn, la cual depende en forma tensión de compuerta-fuente controla el estado
exponencial de la corriente y en cuyo primer del dispositivo. Cuando 𝑉𝐺𝑆 es menor que𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ)
orden tiene un valor constante aproximado de 0.7 no se crea ninguna capa de inversión para
a 1.0 V. La caída a través de la región de arrastre conectar el drenaje a la fuente, y por ende el
se parece a la que se desarrolla a través de la dispositivo está en estado pasivo.
región de arrastre en una unión pn de alta La tensión de drenaje-fuente aplicada disminuye
potencia. a través de la unión marcada J2, y sólo fluye una
La tensión 𝑉𝐷𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎 es mucho menor en el IGBT corriente de disipación muy pequeña. Esta
que en el MOSFET debido a la modulación por operación en estado de bloqueo es en esencia
conducción de la región de arrastre, y esto hace idéntica a la del MOSFET. La zona de
que la tensión general en estado activo del IGBT degradación o de agotamiento de la unión J2 se
sea mucho menor que la de un MOSFET de extiende sobre todo a la región de arrastre n,
potencia comparable. El uso de la estructura de pues la zona del cuerpo de tipo p se dopa a
perforación también ayuda a mantener a 𝑉𝐷𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎 propósito de modo mucho más grave que la
pequeño. La caída de tensión a través del canal región de arrastre. El espesor de la región de
se debe a la resistencia óhmica del canal y se arrastre es lo bastante grande para acomodar la
asemeja a la caída comparable en el MOSFET capa de degradación, de modo que el límite de la
de potencia. capa de degradación no toca a la capa de
inyección p+.
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Este tipo de IGBT a veces se llama IGBT
simétrico o IGBT de no perforación, y bloquea
tensiones inversas de una magnitud tan grande
como las tensiones directas para cuyo bloqueo
está diseñado. Esta capacidad de bloqueo
inverso es útil en algunas aplicaciones de circuito
de CA. Sin embargo, es posible reducir el
espesor requerido de la región de arrastre por un
factor aproximado de 2 si se usa una estructura
llamada de perforación. En esta geometría se
permite que la capa de despoblación se extienda
por toda la región de arrastre con tensiones
significativamente menores al límite deseado de
tensión de ruptura. La penetración de la capa de
degradación a la capa p+ se impide mediante la
inserción de una capa de compensación n- entre
la zona de arrastre y la zona p+. Este tipo de
estructura del IGBT se llama a veces IGBT
asimétrica o de perforación. La longitud más
corta de la región de arrastre significa pérdidas
más bajas en estado activo, pero la presencia de
la capa de compensación significa que la
capacidad de bloqueo inverso de esta geometría
de perforación será muy baja (unas cuantas
decenas de voltios) y por tanto inexistente en
cuanto se refiere a aplicaciones de circuito.
EFECTO LATCHUP
CAUSAS DEL LATCHUP
Las rutas que recorren los huecos inyectados en
la región de arrastre (o transistor pnp) son
cruciales para la operación del IGBT. Un
componente de la corriente de huecos viaja por
rutas de líneas muy rectas directamente a la
metalización de la fuente. Sin embargo, la
mayoría de los huecos es atraída a la cercanía
de la capa de inversión por la carga negativa de
los electrones en la capa. Esto produce un
componente de la corriente de huecos que viaja
lateralmente a través de la capa del cuerpo de
tipo p, como se diagrama en la figura 8. Este flujo
de corriente lateral desarrolla una caída de
tensión lateral en la resistencia óhmica de la capa
del cuerpo (modelado como la resistencia de
extensión en la figura 8), como se indica en la
figura. Esto tiende a polarizar en forma directa la
unión n+p (marcada como J3 en la figura 8), en
que la tensión más grande a través de la unión se
presenta donde la capa de inversión se junta con
la fuente n+.
Si el voltaje es lo bastante grande, ocurre una
inyección sustancial de electrones desde la
fuente hasta la zona del cuerpo, y se enciende el
transistor parásito npn de la figura 8. Si esto
ocurre, se encienden tanto el transistor npn como
el pnp, y por ende se enclava el tiristor parásito y
se presenta el latchup. Para un IGBT dado con
una geometría especificada hay un valor crítico
de corriente de drenaje que causa una caída de
tensión lateral lo bastante grande para activar el
tiristor. Por esta razón, el fabricante del
dispositivo especifica la corriente de drenaje pico
permisible IDN que fluye sin que se presente el
latchup. También existe un voltaje de compuerta-
fuente correspondiente que permite que esta
corriente fluya y que no se debe exceder. Una
vez que el IGBT está en latchup, la compuerta ya
no tiene control alguno de la corriente de drenaje.
La única forma de apagar el IGBT en esta
situación es por medio de la conmutación forzada
de la corriente, exactamente igual que para un
tiristor convencional. Si el latchup no se termina
rápido, el IGBT se destruye por la excesiva
disipación de potencia. Un circuito equivalente
más completo que incluye el transistor parasítico
npn y la resistencia de extensión de la capa del
cuerpo se muestra en la figura 8.
La descripción del latchup que acabamos de
presentar es el llamado modo de latchup estático,
porque ocurre cuando el estado activo continuo
excede un valor crítico. Por desgracia, en
condiciones dinámicas, cuando el IGBT conmuta
de encendido a apagado, puede enclavarse en
valores de corriente de drenaje menores que el
valor de corriente estática. Consideremos el
IGBT incorporado en el circuito de un convertidor
reductor. Cuando se apaga el IGBT, la parte de
MOSFET del dispositivo se apaga rápidamente,
y la parte de la corriente total del dispositivo que
lleva se va a cero. Hay una acumulación rápida
de tensión de drenaje-fuente correspondiente,
como describiremos en detalle en la siguiente
sección, que se debe soportar a través de la
unión de deriva-cuerpo J2. Esto genera una
expansión rápida de la zona de degradación
debido a su bajo dopaje. Esto incrementa al
factor de transporte pnp del transistor pnp, lo que
significa que una fracción mayor de los huecos
inyectados a la región de arrastre sobrevive la
travesía de la región de arrastre y se recolecta
por la unión J2.
Aumenta la magnitud del flujo de la corriente
lateral de huecos, y por tanto, también la tensión
lateral. Como consecuencia, se cumplirán las
condiciones para el latchup a pesar de que la
corriente de estado activo antes del inicio de la
desconexión haya sido inferior al valor estático
necesario para el latchup. El valor de IDM
especificado por el fabricante del dispositivo
suele referirse al modo de trabado dinámico.
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CÓMO EVITAR EL LATCHUP geometría es muy eficaz para elevar el umbral de

trabado, pero a expensas de reducir la
Hay varias medidas con las que el usuario del trasconductancia del IGBT, pues el ancho
dispositivo puede evitar el latchup y el fabricante efectivo de la compuerta se reduce por la pérdida
puede incrementar la corriente crítica necesaria de la segunda zona de fuente en la celda básica.
para iniciar el latchup. El usuario tiene la Con estas acciones, el problema del latchup
responsabilidad de diseñar circuitos que
reduzcan la posibilidad de sobrecorrientes en
exceso de IDM. Sin embargo, es imposible
eliminar esta posibilidad por completo. Otra
medida es desacelerar el IGBT en la desconexión
de modo que también se desacelere la velocidad
de crecimiento de la zona de degradación hacia
la región de arrastre y los huecos presentes en la
región de arrastre tengan más tiempo para la
recombinación, lo que reduce el flujo de corriente
lateral en la zona del cuerpo de tipo p durante la
desconexión.
El incremento del tiempo de desconexión se logra
fácilmente mediante un mayor valor de
resistencia de compuerta en serie Rg, como
explicaremos en la siguiente sección. El
fabricante del dispositivo pretende incrementar el
umbral de la corriente de latchup IDM por medio
de la disminución de la resistencia de extensión
del cuerpo en el circuito equivalente de la figura
5. Esto se hace de diferentes formas.
Primero, el ancho lateral de las zonas de fuente, Fig. 10 Zonas de cuerpo-fuente del IGBT
marcado Ls en la figura 5, se mantiene en el
absoluto mínimo consistente con otros requisitos. En la figura 5 podemos apreciar que modificadas
En segundo término, la región del cuerpo de tipo para disminuir la resistencia de expansión de
p a menudo se encuentra particionada en dos modo que se incremente el umbral de corriente
zonas separadas de niveles diferentes de de drenaje para el latchup: a) modificación de la
densidad de dopaje de aceptores, como se ilustra zona del cuerpo mediante un dopaje más fuerte
en la figura 5. La zona del canal donde se forma y mayor profundidad para bajar la resistencia de
la capa de inversión está dopada de manera expansión; b) IGBT modificado con una
moderada, es decir, en el orden de 1016 cm3 , y estructura de bypass de la corriente de huecos
la profundidad de la zona p no es mayor que la para reducir la resistencia de expansión.
zona de fuente n .La otra parte de la capa del
cuerpo debajo de las zonas de fuente n se dopa 3. LIMITACION POR 𝒅𝒊⁄𝒅𝒕 Y POR 𝒅𝒗⁄𝒅𝒕
de manera mucho más fuerte, en el orden de
1019 cm3 , y se hace mucho más espesa (o, de Los transistores requieren ciertos tiempos de
manera equivalente, más profunda). Esto hace encendido y apagado . Si no se tiene encuentra
que la resistencia lateral sea mucho más el tiempo de retardo 𝑡𝑑 y el tiempo de
pequeña, debido tanto a la mayor área de almacenamiento 𝑡𝑠, las formas típicas de onde
sección transversal como a la mayor voltaje y de corriente de un BJT se ven en la
conductividad. Otra posible modificación de la figura 11.
capa del cuerpo se muestra en la figura 5, donde
se elimina una de las zonas de fuente de la celda
básica del IGBT. Esto permite que la corriente de
huecos se recoja por el lado completo de la celda
donde se retiró la fuente. Esta estructura de
huecos, llamada de bypass, en efecto
proporciona una ruta alterna para el componente
de corriente de huecos que no tiene que fluir
lateralmente debajo de la zona de fuente. Esta
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𝑽𝒔𝒕𝒓
𝑳𝒔 = (5)
𝑰𝑳

Fig.11 Formas de onda Corriente y Voltaje [3]

Durante el encendido , la corriente en el colector Fig. 12 Interruptor de transistor con protección por medio
aumenta y la tasa 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 es : de la tasa 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 y 𝑑𝑣⁄𝑑𝑡 [3]

𝒅𝒊 𝑰𝑳 𝑰𝒆𝒔
= = (2)
𝒅𝒕 𝒕𝒓 𝒕𝒓

Durante el apagado , el voltaje de colector a

emisor debe aumentar en relación con la caída
de la corriente , y la tasa de 𝑑𝑣⁄𝑑𝑡 es: Fig.13 Circuito equivalente [3]

𝒅𝒗
=
𝑽𝒔
=
𝑽𝒆𝒔
(3)
𝒅𝒕 𝒕𝒇 𝒕𝒇
Las condiciones de la tasa de 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 y de la tasa
𝑑𝑣⁄
𝑑𝑡 en las ecuaciones (2) y (3) , están
establecidas por las características de
conmutación de los transistores , y deben
satisfacerse durante el encendido y apagado. En
el caso normal se requieren circuitos de
protección para mantener a las tasas 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 y
𝑑𝑣⁄
𝑑𝑡 de operación dentro de los límites
admisibles del transistor . Un interruptor típico de
transistor , con protección por 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 y 𝑑𝑣⁄𝑑𝑡 , se
ve en la figura 12 y sus formas de onda en la
figura N.-12b . La red RC a través del transistor
se llama circuito amortiguador o amortiguador , y
limita la tasa 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 . Al inductor 𝐿𝑠, que limita la
𝑑𝑖⁄ , se lo llama a veces amortiguador en serie.
𝑑𝑡
Suponga que bajo las condiciones especiales la
corriente de la carga 𝐼𝐿 tiene corriente libre a
través de diodo 𝐷𝑚 cuyo tiempo de recuperación
inversa es despreciable. Cuando se enciende el
transistor 𝑄1, la corriente del colector sube y la
corriente del diodo 𝐷𝑚 cae, porque 𝐷𝑚 se
comporta como si estuviese en cortocircuito. En
la figura N.-11 se ve el circuito equivalente
durante el encendido y la 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 de encendido es:
𝒅𝒊 𝑽𝒔
= (4)
𝒅𝒕 𝑰𝑳
Igualando las ecuaciones (2) y (4), se obtiene el
valor de 𝐿𝑠
Durante el apagado , el capacitor 𝐶𝑠 se apaga por
la corriente de la carga, y en la figura N.-13b se
muestra el circuito equivalente. El voltaje del
capacitor aparece a través del transistor , y la
𝑑𝑣⁄ es:
𝑑𝑡
𝑰𝑳𝒕𝒇
𝑪𝒔 = (5)
𝑽𝒔
Una vez cargado el capacitor hasta 𝑉𝑠 , el diodo
de corriente libre se activa. Debido a la energía
almacenada en 𝐿𝑠 , hay un circuito resonante
amortiguado, como en la figura N.-13c.
4. CONCLUSIONES
• Para lograr una conexión optima en
serie o paralelo entre los transistores
estos deben cumplir las mismas
características, ya que si esto no se
cumple los transistores pueden causar
errores y hasta destruirse por un alto
voltaje que pasa de colector a emisor
cuando estos no cumplen condiciones
similares.
• -En la Operación en paralelo idealmente
se requiere que los transistores
compartan las mismas características,
al no ser así se produce una partición de
corriente del 45 al 55% entre estos
• Los transistores IGBT, son dispositivos
híbridos que comparten ventajas tanto
de los transistores BJT y MOSFET, los
cual hace que su tecnología sea más
eficiente y con mayor rendimiento.
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• Los IGBT son una nueva tecnología que

superará a los MOSFET por encima de 2. ¿Los transistores IGBT son dispositivos
los 300 Voltios y los 100 Amperios, pero controlados por?
estos últimos continúan teniendo un a) Corriente
crecimiento muy dinámico en el área de b) Voltaje
c) Voltaje, Corriente
la automoción y la electrónica de
d) Corriente, voltaje
consumo, lo que hará que su
decadencia no resulte tan sencilla. 3. ¿Los transistores IGBT son transistores
• En casos normales para los tiempos de híbridos que comparten ventajas de los
encendido y apagado se requieren transistores:
circuitos de protección para mantener la a) BJT Y MOSFET
tasa de 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 y 𝑑𝑣⁄𝑑𝑡 dentro de los b) BJT Y SIT
c) MOSFET Y SIT
limites admisibles por el transistor.
d) COOLMOS Y BJT

• La red RC a través del transistor se 4. ¿Los IGBT pueden conducir corrientes

llama circuito amortiguador o y voltajes inversas?
𝑑𝑖
amortiguador , y limita la tasa ⁄𝑑𝑡. a) VERDADERO
b) FALSO

5. ¿Una de las aplicaciones de los IGBT

5. REFERENCIAS
no es la utilización para activar y
desactivar los pixeles en las pantallas
[1] N. MOHAN, T. UNDERLAND y W. ROBBINS, ELECTRONICA DE
POTENCIA,CONVERTIDORES,APLICACIONES Y DISEÑO, tercera táctiles?
edicion ed., México, D. F.: McGRAW-HILL/INTERAMERICANA a) verdadero
EDITORES, S.A. DE C.V., 2009, pp. 22-25.
b) falso

Preguntas de Verdadero y Falso

[2] D. W. Hart, Electrónica de Potencia, Madrid: Person Education, 2001, pp.
4-5.
1) En la operación en paralelo si no tienen
[3]
características similares se obtiene una
M. H. RASHID, ELECTRÓNICA DE POTENCIA , CIRCUITOS,
DISPOSITIVOS Y APLICACIONES, TERCERA EDICION ed., méxico: partición del 30 al 35%
PRETINCE HALL, 2009, pp. 547-553.
(V) ,(F)

[4 L. Branko, «Power Electronics,» 2015. [En línea]. Available: https:// link. 2) En la operación en paralelo se
] springer.com/book/10.1007/978-3-319-09402-1 . conectan resistencias en los terminales
del emisor para compartir corriente
[5] N. Patin, Power Electronics Applied to Industrial Systems and Transports, (V), (F)
France: Banja Luka,, 2015.

3) En casos normales para los tiempos de

[6] ,. T. M. U. ,. a. W. P. R. Ned Mohan, «Electrónica de potencia
convertidores, aplicaciones y diseño.,» [En línea]. Available:
encendido y apagado se requieren
https://bibliotecavirtual.ups.edu.ec:2708/lib/bibliotecaupssp/reader.action? circuitos de protección para mantener
docID=4586428&ppg=8.
la tasa de 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡 y 𝑑𝑣⁄𝑑𝑡 dentro de los
limites admisibles por el transistor
(V),(F)

6. ANEXOS 4) La red RC a través del transistor se

llama circuito amortiguador o
PREGUNTAS TIPOS RACTIVOS Y amortiguador , y limita la tasa 𝑑𝑖⁄𝑑𝑡
VERDADERO /FALSO
(V),(F)
Preguntas Tipo Reactivo 5) Los IGBT son una nueva tecnología
que no superará a los MOSFET
1. En la operación en serie se busca: (V),(F)
a) Aumentar la capacidad en el manejo
de corriente
b) controlar la partición de corriente
c) Aumentar la capacidad en el manejo
de voltaje
d) controlar la partición de voltaje