1.

Cuanto protones contiene el núcleo de un átomos de cobre

A. 1
B. 4
C. 18
D. 29
2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es
A. O
B. 1
C. -1
D. 4
3. Si un átomo de cobre se le extrae su electrón de valencia ,la carga resultante vale
A. 0
B. 1
C. -1
D. 4
4. La atracción que experimenta hacia el núcleo el electrón de valencia de un átomo de
cobre es
1. Ninguna
2. Débil
3. Fuerte
4. Imposible
5. Cuantos electrones de valencia tiene un átomo de silicio
A. O
B. 1
C. 2
D. 4
6. El semiconductor más empleado es
A. Cobre
B. Germanio
C. Silicio
D. Ninguno de los anteriores
7. Que numero de protones posee un átomo de silicio
A. 4
B. 14
C. 29
D. 32
8. Los átomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre
de
A. Enlace covalente
B. Cristal
C. Semiconductor
D. Orbital de valencia
9. Un semiconductor intrinseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente
causados por
A. El dopaje
 B. Electrones libres
C. Energía térmica
D. Electrones de valencia

10. Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un

A. enlace covalente
B. electrón libre
C. hueco
D. recombinación
11. la unión de un electrón libre en un hueco recibe el nombre de
A. enlace covalente
B. tiempo de vida
C. recombinación
D. energía térmica
12. a temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como
A. una batería
B. un conductor
C. un aislante
D. un hilo de cobre
13. el tiempo que trascurre entre la creación de un hueco y su desaparición se conoce
A. dopaje
B. tiempo de vida
C. recombinación
D. valencia
14. al electrón de valencia de un conductor es le denomina también
A. electrón ligado
B. electrón libre
C. Nucleo
D. Proton
15. Cuantos tipos de flujo de portadores presenta un conductor
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
16. Cuantos tipos de flujos de portadores presenta un semiconductor
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
17. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor ,los huecos circulan
A. Distancia del potencial negativo
B. Hacia el potencial positivo
C. En el circuito externo
D. Ninguna de las anteriores
18. Cuantos huecos presenta un conductor
 A. MUCHOS
B. NINGUNO
C. SOLO LOS PRODUCIDOS POR LA ENERGIA TERMICA
D. EL MISMO NUMERO QUE DE ELECTRONES LIBRES
19. en un semiconductor intrínseco el número de electrones libres es
A. igual al número de huecos
B. mayor al número de huecos
C. menos que le número de hueco
D. ninguna de las anteriores
20. la temperatura de cero absoluto es igual a
A. =273 c
B. O c
C. 25 c
D. 50 c
21. A temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco presenta
A. Pocos electrones libres
B. Muchos huecos
C. Muchos electrones libres
D. Ni huecos ni electrones libres
22. A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene
A. algunos electrones libres y huecos
B. muchos huecos
C. muchos electrones libres
D. ningún hueco
23. el números de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrinseco aumenta
cuando la temperatura
A. disminuye
B. aumenta
C. se mantiene constante
D. ninguna de las anteriores
24. el flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan
hacia
A. la izquierda
B. Derecha
C. En cualquier dirección
D. Ninguna de las anteriores
25. Los huecos se comportan como
A. átomos
B. cristales
C. cargas negativas
D. cargas positivas
26. cuantos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes
A. 1
B. 3
C. 4
 D. 5
27. Que numero de electrones de valencia tiene un átomo donador
1. 1
2. 3
28. Si quisieras producir un semiconductor tipo p que emplearias
A. Átomos aceptadores
B. Átomos donadores
C. Impurezas pentavalente
D. Silicio
29. Los huecos son minoritarios de un semiconductor tipo
A. Extrínseco
B. Intrínseco
C. Tipo n
D. Tipo p
30. Cuantos electrones libres contiene un semiconductor tipo p
A. Muchos
B. Ninguno
C. Solo los producidos por la energía térmica
D. El mismo número de hueco
31. La plata es el mejor conductor .cual es el número de electrones de valencia que tiene
A. 1
B. 4
C. 18
D. 29
32. Si un semiconductor intrinseco tiene un billón de electrones libres a temperatura
ambiente .cuantos presentara a temperatura de 75 grados c
A. Menos de un billón
B. Un billón
C. Más de un billón
D. Imposible de contar
33. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductor tipo p .si el extremo izquierdo
del cristal es positivo. en qué sentido circulan los portadores mayoritarios
A. Hacia la izquierda
B. Derecha
C. En ninguna dirección
D. Imposible de contestar
34. Cuál de los siguientes conceptos esta menos relacionados con los otros tres
A. Conductor
B. Semiconductor
C. Cuatro electrones de valencia
D. Estructura cristalina
35. Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura
ambiente
A. O GRADO C
B. 25 GRADO C
 C. 50 GRADO C
D. 75 GRADO C
36. Cuantos electrones hay en una orbital de valencia de un atomo de silicio dentro de un
cristal
37. Los iones positivos son átomos que
A- han ganado un protón
B- han perdido un protón
C- han ganado un electrón
D- han perdido un electrón
38. cual de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n
A. neutro
B. cargado positivo
C. cargado negativo
D. tiene muchos huecos
39. un semiconductor tipo p contiene huecos y
A. iones positivos
B. iones negativos
C. átomos pentavalentes
D. átomos donadores
40. cual de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p
A. neutro
B. Cargado positivamente
C. Cargado negativamente
D. Tiene muchos electrones libres
41. Cuales de los siguientes elementos no se puede mover
A. Huecos
B. Electrones libres
C. Iones
D. Portadores mayoritarios
42. A que se debe la zona de deplexion
A. Al dopaje
B. A la recombinación
C. A la barrera de potencial
D. A los iones
43. la barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de
A. 0,3 v
B. 0,7 v
C. 1 v
D. 2 mv por grado
44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa la tensión
aplicada debe superar
A. 0 v
B. 0,3 v
C. 0,7 v
D. 1 v
Aleatorización. Consiste en hacer las corridas experimentales en orden aleatorio

(al azar) y con material también seleccionado aleatoriamente. Este principio aumen-

ta la probabilidad de que el supuesto de independencia de los errores se cumpla, lo

cual es un requisito para la validez de las pruebas de estadísticas que se realizan.

También es una manera de asegurar que las pequeñas diferencias provocadas por

materiales, equipo y todos los factores no controlados, se repartan de manera homo-

génea en todos los tratamientos. Por ejemplo, una evidencia de incumplimiento o

violación de este principio se manifiesta cuando el resultado obtenido en una prueba

está muy influenciado por la prueba inmediata anterior.

Repetición. Es correr más de una vez un tratamiento o una combinación de facto res.

Es preciso no confundir este principio con medir varias veces el mismo resultado expe-

rimental. Repetir es volver a realizar un tratamiento, pero no inmediatamente después

de haber corrido el mismo tratamiento, sino cuando corresponda de acuerdo con la alea-

torización. Las repeticiones permiten distinguir mejor qué parte de la variabilidad total

de los datos se debe al error aleatorio y cuál a los factores. Cuando no se hacen repeti-

ciones no hay manera de estimar la variabilidad natural o el error aleatorio, y esto difi-

culta la construcción de estadísticas realistas en el análisis de los datos.