Cours-Electricité Électronique PDF

Cours & TD Electricité‐Electronique
Wajdi
BELLIL
Faculté des Sciences de Gafsa
F ACULTE DES
S
CIENCES DE AFSA G LFSI1

Cours Electricité &
Electronique
LFSI 1
Wajdi BELLIL
2010

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LFSI1

Partie I : Le courant électrique

I- COURANT ELECTRIQUE ............................................................................................ 8

I.1- Définitions .................................................................................................................... 8
I.2- Loi des nœuds (1ère loi de Kirchhoff) ....................................................................... 10
II- TENSION ELECTRIQUE ........................................................................................... 11
II.1- Définitions ................................................................................................................ 11
II.2- Loi des branches (2nd loi de Kirchhoff) ................................................................... 12
III- RELATION ENTRE COURANT ET TENSION .................................................... 14
III.1- Loi d’Ohm ............................................................................................................... 14
III.2- Résistance électrique d’un conducteur ohmique ..................................................... 15
IV- PUISSANCE ET ENERGIE ELECTRIQUE ........................................................... 16
IV.1- Puissance électrique ................................................................................................ 16
IV.2- Energie électrique .................................................................................................... 17
IV.3- Effet Joule................................................................................................................ 17
IV.4- Loi de Joule ............................................................................................................. 18
Partie II : Régime continu

I- DIPOLES PASSIFS ........................................................................................................ 19

I.1- Dipôle passif non linéaire........................................................................................... 20
I.2- Dipôle passif linéaire.................................................................................................. 20
I.2-1- Association de dipôles passifs linéaires .......................................................... 21
I.2-2- Diviseur de tension .......................................................................................... 23
I.2-3- Diviseur de courant.......................................................................................... 24
I.2-4- Théorème de Millman ..................................................................................... 25
II- DIPOLES ACTIFS ....................................................................................................... 26
II.1- Dipôle actif non linéaire............................................................................................ 26
II.2- Dipôle actif linéaire................................................................................................... 27
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Partie III : La Diode à jonction

I - INTRODUCTION : ....................................................................................................... 31
II- PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT : .................................................................... 31
II.1- La jonction : .............................................................................................................. 31
a- Équilibre sans générateur : .................................................................................... 31
a.1- Au voisinage de la jonction : ................................................... 32
a.2 -Avec un générateur en sens direct : ......................................... 32
a.3 -Avec un générateur en sens inverse ......................................... 33
III- CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES : ............................................................. 33
III.1- Caractéristique courant/tension : ............................................................................. 33
a- Caractéristique globale : ........................................................................................ 33
III.2- Schéma équivalent : ................................................................................................. 36
a- Diode idéale :......................................................................................................... 36
b- Diode avec seuil : .................................................................................................. 37
c- Diode avec seuil et résistance :.............................................................................. 37
IV- DIODE DE REDRESSEMENT : ............................................................................... 38
IV.1- Redressement simple alternance : ........................................................................... 38
IV.2- Redressement double alternance : ........................................................................... 39
V- FILTRAGE : .................................................................................................................. 42
Partie IV : Le transistor à jonctions bipolaire

I- INTRODUCTION : ........................................................................................................ 51
II- PRINCIPE ET CARACTERISTIQUES .................................................................... 51
II.1 Introduction à l’effet transistor :................................................................................. 51
II.2 Le transistor réel :....................................................................................................... 52
a- Principe de fonctionnement : ............................................................................. 52
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b- Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor :................................... 53
c- Courants de fuite : ................................................................................................. 54
d- Symboles, tensions et courants : ........................................................................... 54
II.3 Caractéristiques électriques :...................................................................................... 55
III MONTAGES DE BASE : ............................................................................................. 56
III.2 Schéma de mesure des caractéristiques : .................................................................. 56
a- Caractéristique d'entrée : ....................................................................................... 57
b- Caractéristique de transfert : ................................................................................. 57
c- Caractéristique de sortie : ...................................................................................... 58
d- Limites d'utilisation : ............................................................................................. 59
III- MONTAGES DE BASE : ........................................................................................... 61
III.1- Mise en œuvre du transistor : .................................................................................. 61
a- Alimentation : ........................................................................................................ 61
b- Polarisation :.......................................................................................................... 61
c- Conversion courant/tension : ................................................................................. 61
d- Liaisons : ............................................................................................................... 61
e- Insensibilité du montage aux paramètres du transistor : ....................................... 62
III.2-Méthodologie de calcul : .......................................................................................... 62
a- Schéma équivalent alternatif petits signaux du transistor : Paramètres hybrides .. 62
III.3 - Montage émetteur commun : .................................................................................. 65
a- Polarisation : Point de fonctionnement : ............................................................... 65
a.1- Polarisation par une résistance :............................................... 65
a.2- Polarisation par pont de base : ................................................. 68
b- Fonctionnement en petits signaux alternatifs : ...................................................... 70
b.1- Gain en tension : ...................................................................... 71
b.2- Schéma équivalent de l'étage amplificateur :........................... 74
b.3- Impédance d'entrée : ................................................................ 74
b.4- Impédance de sortie : ............................................................... 75
b.5- Gain de l'étage en charge : ....................................................... 75
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c- Bilan : Utilisation du montage :............................................................................. 76
III.4- Montage collecteur commun : ................................................................................. 77
a- Polarisation: Point de fonctionnement .................................................................. 77
b.1- Gain en tension : ...................................................................... 78
b.2- Impédance d'entrée : ................................................................ 79
b.3- Impédance de sortie : ............................................................... 80
c- Bilan. Utilisation du montage :.............................................................................. 81
III.5- Montage base commune : ........................................................................................ 82
a- Polarisation : Point de fonctionnement ................................................................. 82
c- Gain en tension : .................................................................................................... 83
d- Impédance d'entrée : .............................................................................................. 84
e- Impédance de sortie : ............................................................................................. 85
f- Bilan. Utilisation du montage : .............................................................................. 85
TD 1 Le courant électrique

EXERCICE 1 : .................................................................................................................... 87
EXERCICE 2 : .................................................................................................................... 87
EXERCICE 3 : .................................................................................................................... 87
EXERCICE 4 : .................................................................................................................... 88
EXERCICE 5 : .................................................................................................................... 88
EXERCICE 6 : .................................................................................................................... 89
EXERCICE 7 ...................................................................................................................... 89
EXERCICE 8 : .................................................................................................................... 90
TD 2 Diode
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EXERCICE 1 ...................................................................................................................... 91
EXERCICE 2 ...................................................................................................................... 91
EXERCICE 3 ...................................................................................................................... 92
EXERCICE 4 ...................................................................................................................... 93
TD 3 Transistor bipolaire

EXERCICE 1 ...................................................................................................................... 95
EXERCICE 2 ...................................................................................................................... 96
EXERCICE 3 ...................................................................................................................... 96
EXERCICE 4 ...................................................................................................................... 97
EXERCICE 5 ...................................................................................................................... 97
EXERCICE 6 ...................................................................................................................... 98
EXERCICE 7 ...................................................................................................................... 98
CORRIGE DES EXERCICES TD 1

EXERCICE 1 .................................................................................................................... 100

EXERCICE 2 .................................................................................................................... 100
EXERCICE 3 .................................................................................................................... 101
EXERCICE 4 .................................................................................................................... 102
EXERCICE 5 .................................................................................................................... 103
EXERCICE 6 .................................................................................................................... 103
EXERCICE 7 .................................................................................................................... 103
EXERCICE 8 : .................................................................................................................. 105
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EXERCICE 1 .................................................................................................................... 108

EXERCICE 2 .................................................................................................................... 109
EXERCICE 3 .................................................................................................................... 110
EXERCICE 4 .................................................................................................................... 112
EXERCICE 5 .................................................................................................................... 114

EXERCICE 1 .................................................................................................................... 115

EXERCICE 2 .................................................................................................................... 116
EXERCICE 3 .................................................................................................................... 118
EXERCICE 4 .................................................................................................................... 119
EXERCICE 5 .................................................................................................................... 119
EXERCICE 6 .................................................................................................................... 120
EXERCICE 7 .................................................................................................................... 120
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Partie I : Le courant électrique
L’Electrocinétique est la partie de l’Electricité qui étudie les courants électriques.
I- Courant électrique
I.1- Définitions
• Définition : un courant électrique est un mouvement d’ensemble de porteurs de charges

électriques.
Métaux (cuivre, aluminium …) : électrons libres.
Charge électrique de l’électron : q = -e ≈ -1,6×10-19 coulomb (C).
Solutions liquides (électrolytes) : ions (cations et anions).
• Définition : le sens conventionnel du courant électrique est le sens du mouvement des

porteurs de charges positives.
Le sens conventionnel du courant est donc le sens inverse du mouvement des électrons (q <
0) :
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• Définition : L’intensité du courant électrique i est la quantité d’électricité transportée
par unité de temps.
dq est la quantité d’électricité qui traverse la section du conducteur pendant la durée dt.
• Le courant électrique est symbolisé par une flèche :
Le courant est positif quand on oriente la flèche du courant dans le sens conventionnel.
Le signe du courant change quand on inverse l’orientation :
• Un ampèremètre mesure le courant qui le traverse. Il est donc branché en série :
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Rmq. : un ampèremètre se comporte comme un fil. Attention au court-circuit !
I.2- Loi des nœuds (1ère loi de Kirchhoff)
Un nœud est un point de jonction de plusieurs conducteurs électriques :
La somme des intensités des courants arrivant à un nœud est égale à la somme des
intensités des courants sortant du nœud :
i1 + i2 = i3 + i4
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II- Tension électrique
II.1- Définitions
• Une tension électrique est une différence de potentiel électrique (ou d.d.p.) :
uAB = vA - vB
uAB (en V) : tension électrique entre les points A et B
vA (en V) : potentiel électrique du point A
vB : potentiel électrique du point B
• Le potentiel électrique est défini à une constante près.
La référence des potentiels électriques est la « masse électrique ». C’est le « 0 V » :
Remarque : ne pas confondre masse et terre
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• La tension est une grandeur algébrique : uAB = -uBA
• Un voltmètre mesure la tension présente à ses bornes.
Il est donc branché en dérivation :
II.2- Loi des branches (2nd loi de Kirchhoff)
• La tension totale entre deux points d’un circuit électrique est égale à la somme des
tensions intermédiaires.
uPN = uPA + uAB + uBC + uCN
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• Exemple :
Une pile de fem 9 V alimente une ampoule de 6 V à travers une résistance :
Calculer la tension aux bornes de la résistance.
uAB= 9 – 6 = +3 V
A noter que la tension aux bornes d’un fil électrique est pratiquement nulle :
uPA ≈ uCN ≈ 0 V
• On place la masse au point N.
Calculer le potentiel électrique aux points P, A, B et C.
vC = v N = 0 V
vB = +6 V
vP = vA = +9 V
• Cas particulier d’une maille
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Une maille est une branche refermée sur elle-même.
uNP + uPA + uAB + uBC + uCN = 0 : c’est la loi des mailles.
III- Relation entre courant et tension
III.1- Loi d’Ohm
Dans une résistance électrique, tension et courant sont proportionnels.
- Loi d’Ohm en convention récepteur
On parle de convention récepteur quand les orientations du courant et de la tension relatives

à un dipôle sont en sens inverse :
u = +Ri [V]=[Ω] [A]
R est la résistance électrique (en ohm).
- Loi d’Ohm en convention générateur
Les orientations du courant et de la tension sont dans le même sens :
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III.2- Résistance électrique d’un conducteur ohmique
L : longueur (en m)
S : section (en m²)
ρ : résistivité électrique du conducteur (en Ω⋅m)
R : résistance (en Ω)
La résistivité dépend de la nature du conducteur et de sa température :
ρ(T) = ρT0 (1 + α (T - T0))
Tableau 1
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A.N. Calculer la résistance d’un câble en cuivre de 2 mètres, de section 1 mm² à 20 °C, puis
à 60 °C.
- à 20 °C : R = 1,7.10-8.2/(1.10-6) = 34 mΩ
- à 60 °C : R = 34.(1 +4.10-3(60 - 20)) = 39 mΩ
Remarque : généralement, on peut négliger la chute de tension dans un câble.
IV- Puissance et énergie électrique
IV.1- Puissance électrique
• La puissance électrique mise en jeu dans un dipôle est :
p = u i [W]=[V] [A]
• Dipôle générateur et dipôle récepteur (de puissance)
Un dipôle générateur est un dipôle qui fournit de la puissance électrique.
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Cette puissance est consommée par les dipôles récepteurs.
Exemple :
La puissance que fournit la pile est : p = ui = 6 W
La puissance que consomme l’ampoule est : 6 W
IV.2- Energie électrique
La puissance dérive de l’énergie :
[W] = [J] / [s]
dE est l’énergie mise en jeu pendant la durée dt.
L’énergie électrique s’écrit donc :
dE = ui⋅dt
Remarque : les compteurs d’énergie mesurent l’énergie électrique
en kilowatt-heure (kWh).
1 kWh = 3,6.106 J
IV.3- Effet Joule
Un conducteur parcouru par un courant électrique dégage de la chaleur.
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Plus généralement, l’effet Joule se traduit par la conversion d’énergie électrique en énergie
thermique (chaleur).
Dans le cas des conducteurs ohmiques et des résistances, l’énergie électrique consommée
est entièrement transformée en chaleur.
IV.4- Loi de Joule
La puissance électrique consommée par une résistance est :
p = ui
avec u = Ri
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Partie II : Régime continu
En régime continu, les courants et les tensions sont constants dans le temps.
• Dipôle passif, dipôle actif
Un dipôle passif est un dipôle qui consomme de l’énergie électrique et qui transforme toute
cette énergie en chaleur.
Exemple : résistance, ampoule …
Autrement, on parle de dipôle actif.
Exemple : pile, moteur électrique à courant continu …
• Classification des dipôles en régime continu
I- Dipôles passifs
Un dipôle passif est un dipôle récepteur de puissance.
La caractéristique tension - courant U(I) passe par l’origine :
U=0VI=0A
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I.1- Dipôle passif non linéaire
La caractéristique U(I) n’est pas une droite.
- dipôle passif non linéaire symétrique
La courbe U(I) est symétrique par rapport à l’origine :
- dipôle passif non symétrique
La courbe U(I) n’est pas symétrique par rapport à l’origine.
Remarque : le comportement d’un dipôle non symétrique dépend de son sens de

branchement :
I.2- Dipôle passif linéaire
U(I) est une droite qui passe par l’origine :
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Une droite est caractérisée par sa pente. On retrouve la résistance :
Les dipôles passifs linéaires sont donc les résistances et les conducteurs ohmiques :
Remarque : la conductance est l’inverse de la résistance :
-1
Unité : ou siemens (S).
I.2-1- Association de dipôles passifs linéaires
Une association de dipôles passifs linéaires se comporte comme un dipôle passif linéaire de
résistance équivalente Réq.
• Association en série
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Loi des branches : U = U1 + U2 + U3
Loi d’Ohm : U1 = R1I, U2 = R2I et U3 = R3I
Il vient : U = (R1 + R2 + R3)I = RéqI
En série, les résistances s’additionnent :
• Association en parallèle
En parallèle, les conductances s’additionnent :
Cas particulier de deux résistances :
• A.N. R1 = 1 k , R2 = 2,2 k et R3 = 10 k .
Calculer RAB :
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I.2-2- Diviseur de tension
Le montage diviseur de tension permet de diviser une tension U en autant de tensions Ui

qu’il y a de résistances en série Ri :
U1 = R1I
U2 = R2I
U = U1 + U2 = (R1+R2)I
La tension est proportionnelle à la résistance.
d’où :
Formule générale :
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• A.N. Calculer la tension E :
I.2-3- Diviseur de courant
Le diviseur de courant divise un courant I en autant de courants Ii qu’il y a de résistances

en parallèle Ri :
- Cas particulier de deux résistances :
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I.2-4- Théorème de Millman
Le théorème de Millman est une traduction de la loi des nœuds.
V1, V2, V3 et VA désignent les potentiels électriques aux points considérés.
Loi des nœuds au point A :
On peut aussi utiliser des tensions, à condition de les référencer par rapport au même
potentiel (généralement la masse) :
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• A.N. calculer la tension U :
II- Dipôles actifs
La caractéristique U(I) ne passe pas par l’origine.
Un dipôle actif n’est pas symétrique et il faut distinguer ses deux bornes : il y a une
polarité.
• Exemples :
- pile, photopile, dynamo (dipôles générateurs)
- batterie en phase de recharge, moteur à courant continu (dipôles récepteurs)
II.1- Dipôle actif non linéaire
La caractéristique U(I) n’est pas une droite.
• Exemple : pile
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A vide (I = 0 A) : U = E ( 0 V)
E est appelée tension à vide ou fem (force électromotrice).
En court-circuit (U = 0 V) : I = Icc
Icc est le courant de court-circuit :
II.2- Dipôle actif linéaire
La caractéristique U(I) est une droite qui ne passe pas par l’origine.
En convention générateur :
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• Résistance « interne »
L’équation de la droite est :
avec R la résistance interne :
Autre écriture : I = Icc – U/R
• Modèle équivalent de Thévenin (modèle série)
Un dipôle actif linéaire peut être modélisé par une source de tension continue parfaite E en
série avec une résistance interne R :
• Modèle équivalent de Norton (modèle parallèle)
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Un dipôle actif linéaire peut être modélisé par une source de courant continu parfaite Icc en
parallèle avec une résistance interne R :
• Equivalence entre le modèle de Thévenin et le modèle de Norton Le passage d’un modèle

à l’autre se fait par les relations :
E = R Icc ou Icc = E / R
A.N.
1- Déterminer le MET, le MEN et la caractéristique U(I) du dipôle suivant :
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2- I = +1 A. Calculer U.
U = E – RI = 7 V
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P
Partie III : La
L Dioode à joncti
j on
I - In
ntroduction
n:
La diodee est le sem

mi-conducteuur de base: on ne peut pas combinner du siliciium dopé
plus simplemennt. Son fonctionnem
fo ment macrooscopique est assimillable à ceelui d'un
interrrupteur com
mmandé quii ne laisse passer le couurant que daans un seul ssens.
Cette proopriété lui ouvre

o un ch
hamp d'appllications assez vaste enn électroniq
que. C'est
la diode qui va permettre de redresseer le courannt alternatiff issu du seecteur et au
utoriser la
fabrication d'aliimentations stabiliséess qui sont oobligatoires dans la pllupart des montages
m
électtroniques. O
On conçoiit donc quue si ce composant est basiqque, ainsi que son
foncttionnement,, il n'en n'esst pas moinss fondamenttal !
II- Principe
P de fonctionneement :
II.1- La jonction :
Si on doppe une partiie d'un semii conducteuur intrinsèquue avec des atomes à 5 électrons
péripphériques (le semi condducteur devvient extrinssèque de typpe N) et l'auutre avec dees atomes
à 3 électrons
é pérriphériques (extrinsèqu
ue de type P
P), on crée une
u jonctionn, qui est la limite de
séparration entre les deux paarties.
Nous avoons fabriquéé une diodee à jonction..
a- Équillibre sans générateur

g :
Fig. 1. Équuilibre au niiveau de la jonction

j
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@ieee.org
31

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a.1- Au voisinage de la jonction :
Les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N (il y a
diffusion des charges). Ce phénomène va s'arrêter quand le champ électrique Eint créé par
les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va
être suffisant pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrière
de potentiel pour les porteurs majoritaires. Par contre, cette barrière de potentiel va favoriser
le passage des porteurs minoritaires (conduction électrique).
Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des

minoritaires) s'équilibrent et leur somme est nulle en régime permanent et en l'absence de
champ électrique extérieur.
a.2 -Avec un générateur en sens direct :
La barrière de potentiel interne empêche donc toute circulation de courant. Si on

applique un champ externe à l'aide d'un générateur en branchant le pôle + sur la zone P et le
pôle - sur la zone N, on peut annuler les effets du champ interne et permettre au courant de
circuler : le phénomène d'attraction des électrons libres de la partie N par les trous de la
partie P (diffusion) n'est plus contrarié, et le générateur va pouvoir injecter des électrons
dans la zone N et les repomper par la zone P.
Le courant de conduction constitué par les porteurs minoritaires prend une valeur If
indépendante du champ extérieur.
Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct
dû aux porteurs majoritaires dès que la tension atteint la centaine de mV.
La diode est alors polarisée dans le sens direct, et un courant relativement intense
peut circuler : de quelques dizaines de milliampères pour des diodes de signal à quelques
ampères pour des diodes de redressement standard, voire à des centaines d'ampères pour des
diodes industrielles de très forte puissance.
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a.3 -Avec un générateur en sens inverse
Si on branche le générateur dans le sens inverse du cas précédent, on renforce le

champ électrique interne, et on empêche le passage des porteurs majoritaires : les électrons
libres sont repoussés dans la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la séparation
des charges (zone de déplétion).
Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et électrons libres pour la
zone P) peuvent traverser la jonction et reboucler par le générateur : ils forment le courant
inverse If qui dépend essentiellement de la température.
Le champ extérieur repousse les charges qui vont se trouver à une distance
sensiblement proportionnelle à |V|, créant ainsi une capacité proportionnelle à cette
distance, donc à |V|.
Cette capacité est inhérente à toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la

principale limitation (en régime linéaire tout du moins) au fonctionnement à haute
fréquence des composants électroniques (diodes, transistors et circuits intégrés les
employant).
III- Caractéristiques électriques :
III.1- Caractéristique courant/tension :
a- Caractéristique globale :
On a vu précédemment que le courant était négligeable pour une tension Vd = Vp-Vn

négative (ceci est vrai jusqu'à une tension Vc dite tension de claquage). Au dessus d'un
certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct croit très rapidement avec Vd. Le
seuil Vo (barrière de potentiel) dépend du semi conducteur intrinsèque de base utilisé. Il est
d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium.
La caractéristique a la forme suivante :
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Fig. 2. Caractérisstique compplète.
C
Caractéris
stique direecte (Vd > 0)
Fig. 3. Caractéristiquee directe d'uune diode.
Sur ce tyype de diod

de au silicium, le couraant croit asssez rapidem
ment au delà de 0,7V.
C'estt une diode de redressement suppoortant 1A enn direct et 6000V en tenssion inversee.
Autoour de zérro
La caracctéristique passe
p par l'oorigine. Pour Vd négaatif, le courrant tend raapidement
vers la limite -If (courant de
d fuite) , caar le courannt de diffusiion dû aux pporteurs maajoritaires
va s'aannuler.
wajdi.bellil@
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Caractééristique inverse
i (V
Vd < 0). Phénnomène de claquage.
c
Quand laa tension apppliquée déépasse la vaaleur spéciffiée par le ffabricant, lee courant
décrooît (attention : il est déjjà négatif !)) très rapideement. S'il n'est
n mité par des éléments
pas lim
exterrnes, il y a destruction
n rapide dee la diode. Deux phénnomènes soont à l'origiine de ce
résulltat :
9 phénomèène d'avalannche: quandd le champ électrique au

a niveau de la jonction devient
trop inteense, les électrons acccélérés peuvvent ioniserr les atomees par choccs, ce qui
libère d'autres
d élecctrons qui sont à leuur tour acccélérés Il y a diverggence du
phénomèène, et le coourant devieent importannt.
9 phénomèène Zéner: les électronns sont arracchés aux atomes directtement par le champ
électriquue dans la zone
z de traansition et ccréent un courant qui devient vitte intense
d tension Zéner.
quand laa tension Vd atteint une valeur Vz dite
Si on coonstruit la diode
d pour que
q le phénnomène Zénner l'emportte sur le phhénomène
d'avaalanche (en s'arrangeannt pour que la zone de ttransition sooit étroite), on obtient une
u diode
Zéneer. On utilisse alors cettte diode en polarisationn inverse. L'effet
L Zéneer n'est pas destructif
d
dans ce cas. Cess diodes sonnt très utiliséées pour la régulation de
d tension.
Fig. 4. Linééarité de Loog (I) fonctiion de V.
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La courbbe Fig. 2. (à l'exceptiion de la zone
z de claquage) répoond assez bien
b à la
form
mule suivantee, expliquéee par la therrmodynamiqque statistiqque :
où :
If est le courant
c de fuite
f
q la charrge de l'électron = 1,6E

E-19C
k constannte de Boltzzman = 1,388E-23 J/K
T tempérrature absollue
La loi logarithmiq
l que [1] estt bien illusstrée par les
l figures 3 et 4. Laa courbe
expérimentale s'éloigne touutefois de laa théorie auux forts courrants, où le modèle n'aa pas tenu
comppte d'autres phénomènees dont les chutes
c de teension ohmiiques dans le
l semi condducteur.
A noter que sur la

l figure 4, le courannt maxi repprésenté esst égal au 1/10ème
admiissible par cette
c diode.
III.2- Scchéma équiivalent :
d la diode par sa loi logarithmiqque est un peu compllexe pour

La repréésentation de
l'empploi de tous les jours. Plusieurs
P schhémas équivvalents simpplifiés sont proposés :
a- Diodee idéale :
Dans ce cas, on néglige la tennsion de seuuil et la réssistance inteerne de la diode.

d La
caracctéristique est
e alors celle de la figu
ure 6.
Ce schém
ma est utilee pour des pré
p calculs, surtout si les
l diodes ssont employyées dans
des circuits
c où les
l tensionss sont élevéées (plusieuurs dizaines de volts) : la tension de coude
est allors négligeeable.
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Fig. 6. Caractéristiq
C que idéale.
b- Diodee avec seuill :
On peut continuer à négliger la

l résistancee interne, mais
m tenir coompte du seeuil de la
diodee. La caracttéristique deevient :
Fig. 7. Caractéristiq
C que avec seeuil.
Ce scchéma est lee plus utilisé pour les calculs.

c
c- Diodee avec seuil et résistan

nce :
Ici, on prend en com

mpte la résiistance de laa diode. Ceeci peut êtree utile si on utilise la
diodee en petits signaux
s alteernatifs et quu'on a besoiin de sa résiistance dynaamique.
Fig. 8. Caractériistique avecc seuil et réssistance.
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ntion: danss ce cas, on considère que
Atten q la résisttance dynam
mique est coonstante, cee qui n'est
vrai que si la vaariation du signal alternnatif est trèès petite auttour du poinnt de polariisation en
contiinu.
IV- Diode
D de reedressemen
nt :
Une dess principalees applicatiions de la diode est le redresseement de laa tension

alternnative du seecteur pour faire des géénérateurs de
d tension continue
c desstinés à alim
menter les
monttages électrooniques (enntre autres).
Il y a deuux types prrincipaux dee diodes de redressemeent : les dioodes standarrd pour le
redreessement secteur classique, et les diodes
d rapiddes pour les alimentatioons à décou
upage.
Les dioddes de redreessement staandard sontt les moins sophistiquéées, et ne foont l'objet
d'auccun traitemeent particuliier, les condditions d'utillisations étaant peu conttraignantes.
Elles ontt des tensioons VR com

mprises entrre 50 et 10000V enviroon, et les co
ourants IF
vont de 1A à pluusieurs centtaines d'amppères.
ment, on a prresque toujoours un transformateur qui sert à

Avant le système dee redressem
abaissser la tenssion secteuur (les monntages électroniques fonctionnen
f nt souvent sous des
tensions de polaarisation alllant de queelques voltss à quelquess dizaines dde volts), et qui sert
aussii à isoler less montages du secteur (220V,
( ça peut
p faire trèès mal !).
IV.1- Reedressemen
nt simple allternance :
C'est le redressemeent le plus simple quui soit : quand la tenssion aux bornes
b du
transsformateur Vt dépasse la
l tension de
d seuil de lla diode, celle-ci conduuit, laissant passer le
couraant direct dans
d la charrge. La tennsion aux boornes de laa charge Vr est alors égale
é à la
tension aux bornnes du transsformateur moins
m la tennsion directee VF de la ddiode.
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Fig. 9. Reedressemennt avec une diode.

d
Quand laa tension aux

a bornes du transforrmateur devvient inférieeure à la teension de
seuill, la diode est
e bloquéee ; il ne subbsiste que le courant de
d fuite, quui est néglig
geable en
compparaison duu courant dirrect.
La tensiion aux bornes de la diode eest alors égale

é à ceelle aux bo
ornes du
transsformateur : il faudra choisir
c une diode avecc une tension VR au m
minimum égale
é à la
tension crête du secondaire du transforrmateur.
IV.2- Reedressemen
nt double allternance :
9 A
Avec transfoo double enrroulement :
Fig. 10. Redresssement avecc transfo double sortie.
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Le monttage précédeent présentee l'inconvénnient de ne laisser passer que la moitié
m du
couraant que peut délivreer le transsformateur. Pour rem
médier à celà,
c on utilise
u un
transsformateur avec
a deux enroulemennts secondaaires que l'oon câble de manière à ce qu'ils
délivvrent des tennsions en oppposition dee phase sur les diodes.
On noterra la chute de tension dans les diiodes : elle devient nonn négligeab
ble quand
les teensions alteernatives sont faibles (44V crête daans l'exempple ci-dessuss). Dans ce cas, tout
se paasse commee si on avaiit deux monntages identtiques à celuui de la Figg. 9 qui fon
nctionnent
l'un pour
p l'alternnance positiive, l'autre pour
p l'alternnance négattive. On vérrifie bien (F
Fig. 11 et
12) que
q le couraant dans la charge
c est tooujours orieenté dans le même senss.
Fig. 11. Alternaance positivee.
Fig. 12. Alternaance négativve.
Les dioddes sont pluus sollicitéess que pour le montagee simple alteernance : enn effet, la
diodee qui ne connduit pas deevra supporrter en plus de la tensioon aux bornees de son seecondaire
de transformateuur, la tensioon aux bornnes de la réssistance. Auu total, elle devra supp
porter une
tension VR doubble de cellee requise daans le monttage à simpple alternannce, soit deu
ux fois la
tension crête préésente sur chacun des secondaires.
s .
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9 A
Avec pont de
d Grætz.
F
Fig.13. Redrressement aavec pont dee diodes.
Il existee une autrre manière de faire du redresssement douuble altern

nance, ne
nécessitant pas un transforrmateur à double
d enrooulement : on
o utilise 4 diodes moontées en
pont.. Des pontss tous faitss sont dispoonibles danns le comm
merce, perm
mettant de réduire
r le
nombbre de compposants du montage.
m
Lorsque la tension aux bornes du transforrmateur est positive, D

D1 et D4 co
onduisent,
et quuand elle estt négative, D2
D et D3 coonduisent (F
Fig. 14 et 155).
Fig. 14.
1 Alternannce positivee.
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Fig.15. Alternannce négativee.
Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tennsion crêtee du secon

ndaire du
transsformateur (contre
( deux fois pourr le montagee précédentt), mais en rrevanche, on
o a deux
tensions directes de diode en série. Laa puissancee totale dissipée dans lees diodes est double
par rapport à la solution préécédente.
Quellle solution choisir ?
Quand oon en aura la possibiliité, on préfè

fèrera la sollution à traansfo à poin
nt milieu,
pour plusieurs raaisons :
Le transffo n'est pass plus cher que celui à secondairee simple. A

Avec un trannsfo à un
seul secondaire, on ne peuut pas fairee d'alimentation doublle symétriqque en redrressement
doubble alternancce. Ce type de transfo est
e moins unniversel.
Le fait que
q les diod
des aient à teenir une tennsion doublle n'est pas uun problèm
me dans la
plupaart des cas,, car les tennsions redreessées sont très souvennt bien inféérieures aux
x tensions
VR minimum
m dees diodes diisponibles dans
d le comm
merce. Danns le montagge en pont, la charge
est fllottante par rapport au transformat
t teur, ce qui peut être gêênant dans ccertains cas.
V- Filtrage
F :
Les monntages précéédents délivvrent des tennsions redreessées mais non continuues. Pour
obtennir une tenssion (quasi)) continue, il suffit dee mettre un gros condeensateur en parallèle
avec la charge.
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9 R
Redressemennt simple allternance :
Ici, la ccharge est absolument

a t quelconquue, et peut être un m
montage élecctronique
compplexe ayant une consom
mmation enn courant alééatoire.
Fig. 16. Redresssement simpple alternannce et filtragge.
Sur le grraphique duu bas de la Fig. 16, onn voit en pointillé la tennsion redressée telle
qu'ellle serait saans condenssateur. En traits pleinss épais, onn voit la tennsion filtréee. Sur ce
graphhe, le couraant de déchaarge du conndensateur eest linéaire : il correspoond à l'hypo
othèse de
déchharge à courant constan
nt.
Le foncttionnement est simple : quand la tension aux bornes duu transform

mateur est
supérrieure à la tension auxx bornes du
u condensateeur additionnnée de la tension
t direecte de la
diodee, la diode conduit. Lee transformaateur doit alors
a fournirr le courantt qui va alim
menter la
chargge et le courrant de rechharge du conndensateur.
Quand laa tension duu transformaateur deviennt inférieuree à celle du condensateur plus la
tension de coudde de la diode, la diodee se bloquee. L'ensemble condensaateur / charrge forme
alorss une bouclee isolée du transformate
t eur.
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Le condeensateur se comporte comme
c un ggénérateur de
d tension, eet il restituee l'énergie
accum
mulée dans la phase prrécédente.
A noter que manence voisine de la

q la tensioon aux bornnes du conddensateur étaant en perm
ur, lorsque ccelui-ci fourrnit la tensioon de crête négative,
tension crête positive du traansformateu
la dio
ode doit suppporter deuux fois la tennsion crête délivrée paar le transfoormateur : on
o perd le
seul avantage (hhormis la sim
mplicité) duu montage à redressemeent simple aalternance.
9 C
Calcul du coondensateurr:
Dans la littérature, on trouve classiquem

ment le callcul du conndensateur pour
p une
chargge résistive.. La déchargge est alors exponentieelle et le calccul inutilem
ment compliiqué.
Ce calcuul est assez éloigné des besoins réels : enn général, on ne fait pas des
alimeentations coontinues pou
ur les faire débiter
d danss des résistaances !
Très souuvent, ces allimentations redressées et filtrées sont suiviees d'un régu
ulateur de
tension. La chaarge est frréquemmennt un monttage compllexe ayant une consoommation
variaable au courrs du temps..
Pour faiire le calcu o prendra donc une décharge à courant

ul du condensateur, on
consttant, le couurant servannt au calcuul étant le maximum (moyenné sur une péériode du
secteeur) consom
mmé par la charge.
c
Le critèrre de choix ne sera paas un taux d'ondulation

d n qui n'a soouvent aucu
une utilité
pratiqque, mais uune chute dee tension maaxi autoriséée sur le conndensateur pour
p que le montage
connnecté en avaal fonctionnee correctem
ment.
Avec ces hypothèsees, le calcul du condennsateur devvient très sim

mple : On considère
c
que le
l condensaateur C se décharge
d à courant Im
max constantt pendant uun temps T et que la
chutee de sa tensiion est inférrieure à V.
On a alors la rellation :
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Le tempps T choisii va être approximé
a à la périod
de du secteeur. En praatique, le
conddensateur vaa se décharrger moins longtemps (Fig. 16), on
o va doncc le surdimeensionner
légèrrement.
L'erreur commise esst en fait trèès faible coomparée à laa dispersionn que l'on au
ura sur le
résulltat de par les
l tolérancees des compposants, et notammentt des condennsateurs de filtrage :
on uttilise des coondensateurrs chimiquees qui ont des
d tolérances très larges (-20% / +80% en
général) et qui n'existent souvent
s quee dans la séérie E6 (1 ; 1,5 ; 2,2 ; 3,3 ; 4,7 ; 6,8). Les
transsformateurs sont eux aussi
a assez dispersés, cce qui fait qu'au
q final, mieux vau
ut prévoir
largee pour éviterr les mauvaaises surprisses !
Pour un redressemeent simple alternance, on aura unn T de 20m

ms, qui corrrespond à
l'inveerse de la frréquence seccteur 50Hz.. La valeur du
d condensateur est aloors :
Il faudraa veiller à choisir

c un condensateu
c ur supportannt au moinss la tension
n crête du
transsformateur à vide (la tension
t seraa plus faiblee en chargee du fait des chutes dee tensions
diverrses (résistaance du tran
nsfo, diode)..
9 R
Redressemennt double allternance :
Les hypoothèses sero

ont les mêm
mes que préccédemment.. La seule ddifférence viiendra du
tempps T ; vu quu'on a un reedressementt double altternance, laa fréquence du courantt redressé
est double de ceelle du secteeur. La form
mule de calcuul du condeensateur devvient donc :
mule [4], F est la fréqueence secteuur (50Hz en France).

Comme dans la form
A chute de tension égale, le coondensateurr sera donc deux fois plus

p petit quue pour le
redreessement siimple alternnance, ce qui est inttéressant, vu
v la taille importante de ces
compposants.
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La diiode aura à tenir deux fois
f la tension crête déllivrée par chhaque enrouulement du
transsformateur.
Fig. 17. Redresssement doubble alternannce et filtragge.
9 F
Fonctionn
nement dees diodes :
On peut remarquer Fig. 16 ett 17 que les diodes nee conduisennt pas pend
dant toute
l'alteernance du secteur, mais
m seulement pendannt un tempss très courtt vis à vis de cette
alternnance. L'énnergie qui est restituée par le conddensateur dans
d la phasse de roue libre doit
être au
a préalablee stockée peendant ce coourt temps dde conduction des dioddes.
La consééquence de ceci, c'est que pour assurer

a un certain couurant moyen
n dans la
chargge, l'ensem
mble transfoo plus diode devra déébiter un coourant de ccrête beauccoup plus
intennse que le ccourant moy
yen lors dess phases de conductionn des diodess (environ 15
1 fois le
couraant moyen).
La chutee de tensionn dans les diodes seraa alors importante (pluus près d'1V
V que de
0,6V
V) ainsi que la chute de tension dan
ns les résistaances du traansformateuur.
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Il ne faudra pas perdre ces considérations de vue quand on voudra calculer
l'alimentation au plus juste !
L'autre conséquence est le démarrage de l'alimentation : lorsqu'on branche le

transformateur sur le secteur, on peut se trouver au maximum de tension de l'alternance
secteur. La charge du transformateur, principalement constituée du condensateur de filtrage,
sera l'équivalent d'un court-circuit. Le courant d'appel sera alors uniquement limité par la
résistance interne du transformateur (quelques dixièmes d'ohms à quelques ohms), et il sera
très intense : les diodes devront supporter ce courant (paramètre IFSM)
On rappelle que le facteur de forme F d’une grandeur ondulée I est le rapport de la

valeur efficace de la grandeur et la valeur moyenne pendant une période.
F= Ieff
Imoy
On rappelle que taux d’ondulation τ d’une grandeur ondulée I est égale au rapport
de la valeur efficace de l’ondulation à la valeur moyenne de la grandeur ondulée.
τ = Iond
Imoy
On rappelle que la valeur moyenne d’une grandeur I est :
T
I moy = 1 ∫ I ( t ) dt
T 0
On rappelle que la valeur efficace d’une grandeur I est :
2 T
I eff = 1 ∫ I (2t)dt
T0
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9 A
Alimentatiions doubbles symétrriques :
Si on annalyse le fonnctionnemennt du redressseur doublle alternancce à transforrmateur à

pointt milieu, onn s'aperçoit que chaquee secondairee débite du courant seuulement pen
ndant une
alternnance. L'auttre alternan
nce serait susceptible dee fournir unn courant négatif.
Partant dde cette connstatation, on

o peut imaaginer facilement une alimentatioon double
syméétrique, aveec 4 diodess disposée en
e pont : deux
d diodess vont condduire les altternances
posittives des seccondaires duu transform
mateur, et less deux autrees les alternances négattives.
Le point milieu du transformate

t eur sera le ppotentiel commun des ddeux alimenntations.
Fig. 18. Alimentation douuble positivee et négativee.
On peutt bien éviddemment mettre

m un condensateuur aux bornnes de chacune des
chargges pour filttrer les tenssions redresssées obtenuues.
Ces alim
mentations sont inconttournables dans les montages
m syymétriques où il est
nécessaire d'am mment danns les montages à
mplifier dees tensions continuess, et notam
ampllificateurs oopérationnells
9 D
Doubleur de tension
n:
Dans cerrtaines appllications, onn peut avoirr besoin de tensions coontinues trèès élevées
(quellques millieers de volts)). On pourrrait les obteenir avec unn transformaateur élévatteur et un
redreessement / filtrage
f classsique.
Il existe une solutioon moins on

néreuse faisaable avec dees diodes ett des conden
nsateurs :
c'est le doubleurr de tensionn.
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Le monttage de la Fig.
F 19. se décomposee en deux : redressem
ment / filtrag
ge par la
celluule D1 / C1, puis détectteur de crêtee D2 / C2.
F 19. Douubleur de teension de Scchenkel.

Fig.
Aux borrnes du conndensateur C1, si la charge est infinie, laa tension Vc restera
consttante et égaale à la tensiion crête duu transformaateur.
La diodee D1 verra à ses bornees la tensionn Vt + Vc, dont la valeeur crête esst égale à
deuxx fois la teension crêtee du transfformateur. Tout se passe
p me si la tension du
comm
transsformateur aavait été trannslatée d'unne fois la vaaleur de la teension crêtee.
Il suffit aalors de filttrer cette teension à sa vvaleur de crête avec D

D2 et C2 : on
o obtient
une tension
t conttinue égale à deux fois la tension ccrête du trannsformateurr.
Il est possible
p de continuer ce raisonnnement, et en ajoutaant d'autress cellules
semb
blables à cellle du doublleur, on peuut tripler, quuadrupler ouu plus les teensions.
Ces montages sont

s utiliséss entre autrees pour génnérer les tennsions d'acccélération des
d tubes
d'osccilloscopes (2 à 5 kV
V). On remarquera qu'ils ne peuvent pas ddébiter beau
ucoup de
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courant (les tensions mises en jeu ne permettent pas d'utiliser des condensateurs de forte
valeur), et donc, ils sont plutôt destinés à des applications quasi statiques.
50

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Partie IV : Le transistor à jonctions bipolaire
I- Introduction :
En électronique, le transistor bipolaire, permet d'amplifier un signal, et de

commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc ) avec des
signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de
pression,).
Le transistor à jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en

électronique. Son domaine d'action est donc particulièrement vaste. A noter qu'avant le
transistor, cette fonction était remplie par des tubes à vide (triodes entre autres).
L'avènement du transistor n'a donc pas apporté la fonction miracle en elle même,
mais une commodité d'utilisation, l'encombrement réduit (les tubes à vide ont besoin d'un
système d'alimentation complexe avec des tension relativement élevée, et nécessitent une
adaptation d'impédance en sortie (transformateur)), et plus tard, la fiabilité, le faible coût
II- Principe et caractéristiques
II.1 Introduction à l’effet transistor :
Nous avons déjà vu à propos de la diode que si celle-ci est polarisée en inverse, les
porteurs minoritaires (électrons de la zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation
thermique) traversent sans problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur.
On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps à se recombiner
avec les porteurs opposés. Partant des deux remarques précédentes, on peut déduire que si
on injecte dans la zone N d'une jonction NP polarisée en inverse beaucoup de trous (qui
seront dans cette zone des porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent
pas avec les électrons de la zone N, ils vont traverser la jonction et créer un courant dans le
circuit extérieur.
51

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Figg. 1. Injection de trous dans une zoone N.
La figurre 1 illustrre ce propoos : il y auura des reccombinaisons (charges + et -

encerrclées), maais limitées,, et la plup
part des troous iront daans la zonee P et form
meront le
couraant I2. A noter que les recombinais
r sons corresppondent au courant I1-II2.
II.2 Le transistor
t r :
réel
Ce que nous
n venonns de décrirre n'est ni plus
p ni moiins que l'efffet transisto
or : il ne
manqque que le moyen d'innjecter des trous danss la zone N et de faiire en sortee que les
recom
mbinaisons soient faiblles, pour quue la majoritté des trous passent danns la zone P.
P
a- Principe de fon
nctionnemeent :
Dans le transistor rééel, on va apporter

a les trous en crréant une joonction PN,, que l'on
va poolariser en ddirect. On rajoute
r pourr ce faire unne zone P su
ur la zone N du montag
ge Fig. 1.
Cettee zone P quui injecte less trous est alors
a l'émettteur, et la zone
z N, faibblement doppée est la
base. Comme ddans le schhéma de la Fig. 1., la jonction NP
N est polarrisée en inv
verse. La
deuxxième zone P est le colllecteur (voiir Fig. 2.).
Fig. 2. Schém
ma de princippe d'un trannsistor.
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Les trouus injectés dans la baase par l'ém
metteur ontt une faible probabiliité de se
recom
mbiner avecc les électroons de la basse pour deuux raisons :
9 l porteurs majoritairees (électron

la baase est faibblement doppée, donc, les ns) seront
peu nombreux.
n
9 la baase est étrooite, et doncc les trous éémis sont happés

h par le champ électrique
é
colleecteur-base avant d'avooir pu se reecombiner (la
( largeur de la base est petite devant
d la
longuueur de difffusion des porteurs minoritaires
m s injectés par
p l'émetteeur, qui son
nt ici les
trouss).
mière approoximation, le nombre de trous passant

En prem p danns le colleccteur est
propoortionnel auu nombre d''électrons innjectés danss la base.
Ce rappoort de propoortionnalité est un paraamètre intrinnsèque au trransistor et s'appelle

ain en courrant. Il ne dépend quue des caracctéristiques physiques du transisto
le ga or : il ne
dépend ni de la tension invverse colleccteur base, nni du couraant circulannt dans le coollecteur.
(Ceci n'est qu'uune approxim
mation, maais dans les hypothèsess de petits signaux, c'est assez
bien vérifié.)
On a les relations suuivantes :
b- Consttitution et caractéristi
c iques physiiques d'un transistor :
Un transsistor bipolaaire est doncc constitué de trois zonnes de silicium alternaativement

dopéées N et P, fformant deuux jonctions PN.
Le transiistor décrit au paragrapphe précédeent comportte deux zonnes P et unee zone N.

C'estt une des deeux façons d'agencer
d les jonctions pour fabriqquer un transsistor :
9 soit une zone P, unee N et une P : le transisstor est dit PNP.

P
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9 soit une zone N, unee P et une N : le transisstor est dit NPN.
N
D
Dans les deux cas, la zone
z centraale (base) est très étroiite vis à vis de la longueur de
diffuusion des poorteurs minooritaires issus de la zonne adjacentte (l'émetteuur). La basee possède
en ouutre la caracctéristique d'être
d très faaiblement doopée en com
mparaison dde l'émetteurr.
c- Couraants de fuitte :
La relation [1] n'estt qu'imparfaaitement vérrifiée pour une

u autre raaison : si on
n reprend
le scchéma Fig. 2. et qu'on
n coupe la connexion de la base (Ib = 0), oon s'aperço
oit que le
couraant circulannt dans le coollecteur n'eest pas nul, dû à des poorteurs minoritaires qu
ui passent
de laa base dans le mé ICEO. La relation [1]] devient do
l collecteuur. Ce courannt est nomm onc :
En pratiqque, aux tem

mpératures ordinaires, ce courant de fuite serra négligé. On verra
par la
l suite qu'oon s'arrangeera pour pollariser les montages
m de telle mannière que le point de
polarrisation soitt quasiment indépendannt du courannt de fuite.
d- Symb
boles, tensioons et courants :
u transistorr (figures 3 et 4), une flèche désiigne l'émettteur ainsi

Dans le symbole du
que le
l sens de ccirculation du
d courant d'émetteur
d ; c'est le senns de cette flèche
f qui va
v repérer
le typ
pe de transiistor : NPN pour un coourant d'émeetteur sortannt du transiistor, et PNP
P dans le
cas in
nverse.
La base est représenntée par unne barre parallèle à l'axxe collecteuur-émetteur. D'autres
symbboles existent, mais cellui-ci est le plus usité.
Les transistors sontt des compoosants polarrisés : les courants

c inddiqués sont les seuls
possiibles pour un fonctionnnement coorrect. En cconséquence, il faudraa choisir lee type de
transsistor adaptéé au besoin (NPN ou PN
NP) et fairee attention au
a sens de bbranchementt.
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54

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9 T
Transistorr NPN
Fig. 3. Courants
C et tensions suur un NPN.
Dans ce type de traansistor, les courants dee base et dee collecteur sont rentraants, et le
couraant d'émetteeur est sortaant. Les tenssions VBE ett VCE sont ici
i positivess.
9 T
Transistorr PNP
Dans ce type de traansistor, les courants de

d base et de
d collecteurr sont sortaants, et le
couraant d'émetteeur est rentrrant. Les ten
nsions VBE et
e VCE sont ici négativees.
Fig. 4. Courants
C et tensions suur un PNP.
II.3 Carractéristiqu
ues électriqu
ues :
Pour ce paragraphee, nous alloons étudier les caractééristiques ddes transistoors NPN.
Cellees des transsistors PNP
P sont les mêmes
m aux rréserves dee signes déccrites au paaragraphe
précéédent.
Les transsistors NPN

N sont plus répandus ccar ils ont de
d meilleurees performaances que
les PNP
P (la connductibilité du
d silicium N est meillleure que celle
c du siliccium P, ainnsi que la
tenuee en tensionn).
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III Montages
M d
de base :
Quand on branche un
u transistorr, si on s'arrrange pour qu'il
q y ait unne patte com
mmune à
l'entrrée et à la soortie du monntage, il y a 3 manièress fondamen
ntales de proocéder :
9 laa patte com

mmune est l'émetteur
l : on parle dee montage émetteur
é c
commun.
L
L'entrée est la
l base et laa sortie le coollecteur.
9 L
La patte coommune esst la base : on parle de montagge base coommune.
L
L'entrée est l'émetteur
l e la sortie lee collecteurr.
et
9 L
La patte coommune esst le colleccteur : on parle de m
montage co
ollecteur
ccommun. L''entrée est la base et la sortie l'émeetteur.
III.2 Sch
héma de meesure des caractéristi
c ques :
Les carractéristiqu
ues qui suiivent sont données pour un montage émetteur
é
mun. Le schéma le pluus simple esst le suivantt :
comm
Fig. 5. Montage
M de bbase émetteur communn.
Dans ce schéma, laa base est polarisée

p enn direct paar la résistaance de basse Rb : le
potenntiel de la base
b est aloors de 0,7V
V environ, car masse et la jonction
c l'émetteuur est à la m
base émetteur est
e l'équivallent d'une diode
d passaante. Le coollecteur estt lui polarissé par la
résisttance de coollecteur Rc de telle maanière que laa tension duu collecteurr soit supériieure à la
tension de la baase : la joncction base collecteur
c e alors polarisée en iinverse. On
est n polarise
doncc convenabllement le transistor aveec une simpple alimentaation et deuux résistancces. Dans
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56

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ce montage,
m l'enntrée est la base
b et la so
ortie est le collecteur.
c L
L'entrée estt caractériséée par les
deuxx grandeurs IB et VBE, et
e la sortie par
p les granddeurs IC et VCE, soit 4 vvariables.
a- Caracctéristique d'entrée :
La caracctéristique d'entrée
d du transistor
t esst donnée paar la relationn IB = f (VBE
B ) à VCE
= ctee. En fait, lee circuit d'enntrée est la jonction

j base émetteurr du transisttor, soit unee jonction
diodee. Cette carractéristiquee va dépenddre très peuu de la tenssion collectteur émetteur: on la
donnne en généraal pour une seule valeuur de VCE. La courbe est la suivantee :
Fig. 6. Caractéristiquee d'entrée duu transistor.
La tensiion VBE estt d'environn 0,7V pouur une polaarisation noormale du transistor
t
(courrant de basee inférieur au
a mA). Cettte valeur esst donc légèèrement suppérieure à ceelle d'une
joncttion de diodde.
b- Caracctéristique de transferrt :
La caractéristique de
d transfert est
e définie par
p la relatioon IC = f (IB) à VCE = ctte.
Nous avons déjà ditt que le couurant d'émeetteur est prroportionnell au courantt de base
(form
mule [1]).
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Fig. 7.
7 Caractériistique de trransfert du transistor.
t
La caracctéristique de
d transfert est
e donc unne droite ; lee transistor est un généérateur de
couraant commaandé par un
u courantt. Si on considère
c l courant de fuite ICEO, la
le
caracctéristique ne
n passe pass par l'originne, car IC = ICEO pour IB = 0.
c- Caracctéristique de sortie :
d sortie duu transistorr est définie par la reelation IC = f (VCE)

La caracctéristique de
à IB = cte. En pratique,
p onn donne un réseau
r de caaractéristiquues pour pluusieurs valeu
urs de IB.
Fig. 8. Caractérristiques de sortie du transistor.
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Sur ces caractéristiques (Fig. 8.), on distingue deux zones :
9 Une zone importante où le courant IC dépend très peu de VCE à IB donné : cette
caractéristique est celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en
récepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette résistance est très
grande : en première approche, on considérera que la sortie de ce montage à
transistor est un générateur de courant parfait.
9 La zone des faibles tensions VCE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est
différente. C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur
diminue pour devenir très faible, la jonction collecteur-base cesse d'être polarisée
en inverse, et l'effet transistor décroît alors très rapidement. A la limite, la jonction
collecteur-base devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un transistor, mais
l'équivalent de deux diodes en parallèle. On a une caractéristique ohmique
déterminée principalement par la résistivité du silicium du collecteur. Les tensions
de saturation sont toujours définies à un courant collecteur donné : elles varient de
50mV pour des transistors de signal à des courants d'environ 10mA, à 500mV
pour les mêmes transistors utilisés au maximum de leurs possibilités (100 à 300
mA), et atteignent 1 à 3V pour des transistors de puissance à des courants de
l'ordre de 10A.
d- Limites d'utilisation :
Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation

bien déterminé. Ce domaine sera limité par trois paramètres :
9 le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement n'est pas immédiatement

destructif, mais le gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu
intéressant dans cette zone.
9 la tension de claquage VCEMax : au delà de cette tension, le courant de collecteur

croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.
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9 la puissance maxii que peut supporter
s lee transistor,, et qui va être représeentée par
perbole sur le graphiqu
une hyp ue, car on a la relation :
Fig. 9. Limittes d'utilisattion du transsistor.
Toute la zone hachu

urée sur la caractéristiq
c que de sortiee du transisttor (Fig. 9.) est donc
interd
dite.
En bref Ce qu'il faut

f retenirr d'essentieel dans le transistor, c'est que c'est un
d courant:: c'est un géénérateur d
amplificateur de urant (en ssortie) piloté par un
de (fort) cou
ble) courantt (en entrée).
(faib
Paraamètres esssentiels des transistorss.
Le choixx d'un transsistor (au premier

p ord
dre) se fera en considéérant les paaramètres
suivaants :
9 Le
L VCEMax qu
ue peut supporter le traansistor.
9 Le
L courant de
d collecteurr maxi ICMaxx.
9 La
L puissancee maxi que le transistorr aura à disssiper Le gaiin en couran
nt.
S on utilisee le transistor en com

Si mmutation, la
l tension de
d saturatioon VCEsatmaxx sera un
critèrre de choix essentiel.
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60

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III- Montages de base :
III.1- Mise en œuvre du transistor :
On a vu que le transistor était un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser pour

amplifier des signaux issus de sources diverses. Il va falloir pour cela mettre en œuvre tout
un montage autour du transistor pour plusieurs raisons :
a- Alimentation :
Le transistor, tout en étant classifié dans les composants actifs, ne fournit pas
d'énergie : il faudra donc que cette énergie vienne de quelque part ! C'est le rôle de
l'alimentation qui va servir à apporter les tensions de polarisation et l'énergie que le
montage sera susceptible de fournir en sortie.
b- Polarisation :
Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le
polariser pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est à dire superposer au courant
alternatif un courant continu suffisamment grand pour que le courant total (continu +
alternatif) circule toujours dans le même sens. Il faudra en plus que la composante
alternative du courant soit suffisamment petite devant la composante continue pour que la
linéarisation faite dans le cadre de l'hypothèse des petits signaux soit justifiée.
c- Conversion courant/tension :
Le transistor est un générateur de courant. Comme il est plus commode de

manipuler des tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le faire
simplement en mettant des résistances dans des endroits judicieusement choisis du
montage.
d- Liaisons :
Une fois le transistor polarisé, il va falloir prévoir le branchement de la source

alternative d'entrée sur le montage. En règle générale, ceci se fera par l'intermédiaire d'un
condensateur de liaison placé entre la source et le point d'entrée du montage à transistor
61

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(base pour montages émetteur et collecteur commun, émetteur pour montage base
commune). De la même manière, pour éviter que la charge du montage à transistor (le
dispositif situé en aval et qui va utiliser le signal amplifié) ne perturbe sa polarisation, on va
aussi l'isoler par un condensateur de liaison. Ces condensateurs vont aussi éviter qu'un
courant continu ne circule dans la source et dans la charge, ce qui peut leur être
dommageable.
e- Insensibilité du montage aux paramètres du transistor :
Dans la mesure du possible, la polarisation devra rendre le montage insensible aux

dérives thermiques du transistor et elle devra être indépendante de ses caractéristiques
(notamment le gain), ceci pour que le montage soit universel, et ne fonctionne pas
uniquement avec le transistor dont on dispose pour réaliser la maquette. Cela permet aussi
de changer le transistor sur le montage sans se poser de questions en cas de panne.
III.2-Méthodologie de calcul :
Nous avons déjà vu qu'il convenait pour des raisons de simplification des calculs de
séparer l'étude de la polarisation de l'étude en alternatif petits signaux. La polarisation est
calculée dans un premier temps ; on fait alors un schéma équivalent du montage pour le
continu. Le calcul se fait simplement avec la loi d'Ohm et les principaux théorèmes de
l'électricité. Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linéariser les
caractéristiques du transistor au point de fonctionnement défini par la polarisation. Il faut
donc définir les paramètres à linéariser et en déduire un schéma équivalent du transistor. La
solution globale (celle correspondant à ce qui est physiquement constaté et mesuré sur le
montage) est la somme des deux solutions continue et alternative définies ci-dessus.
a- Schéma équivalent alternatif petits signaux du transistor : Paramètres

hybrides
En pratique, pour simplifier l'exposé, nous allons d'abord donner le schéma

équivalent et les équations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces éléments à l'aide des
caractéristiques des transistors. Le transistor est considéré comme un quadripôle ; il a deux
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bornes d'entrée et deux bo
ornes de sorrtie (une paatte sera alo
ors communne à l'entréée et à la
sortiee) et va êtrre défini paar 4 signaux
x : courant et tension d'entrée, coourant et teension de
sortiee. Ces variaables ont déjà
d été déffinies (Fig.5
5) pour le montage
m ém
metteur com
mmun : il
s'agitt du courannt IB et de la
l tension VBE pour l'eentrée, du courant
c IC eet de la tension VCE
pour la sortie. E
En fait, ces signaux
s se décomposen
d nt en deux parties
p : les tensions et courants
contiinus de polarisation no
otés IBo, VBEo s petites vaariations alternatives
B , ICo, et VCEo, et les
autou
ur du point de repos qu
ui sont respeectivement ib, vbe, ic, et vce.
ons les équaations :

Nous avo
Ce sont les petites variations qui vont nous

n intéresser pour lee schéma éq
quivalent
altern
natif qui estt le suivant :
ma équivalennt du transisstor NPN.

Fig. 10. Schém
héma, bien que dérivé du montage émetteur commun

Il convieent de noterr que ce sch
(l'ém
metteur est bien
b ici la borne com
mmune entree l'entrée ett la sortie) est intrinssèque au
transistor et poourra être utilisé
u danss tous les caas de figuree: il suffira de l'intégrer tel quel
au scchéma équiivalent du reste
r du mo
ontage en ffaisant bien attention aux
a connecttions des
trois pattes du ttransistor E, B et C. L'appellation
L n schéma éq u montage émetteur
quivalent du
mun provien
comm nt de la défi
finition des variables
v d'entrée et dee sortie qui sont
s celle de
d ce type
de montage.
m
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Attentioon !!! : Le schéma de la Fig. 10 correspond
c à un transsistor NPN (courant
rentrrant dans le collecteur).. Pour un traansistor PN
NP, il faudraa inverser lees sens de ib, ic, et du
générateur comm
mandé h21e ib. Les tensiions vbe et vce seront alors négativees.
Dans ce schéma, no
ous avons les relations suivantes
s :
L'indice e sur les paaramètres hije

i (qu'on appelle param
mètres de traansfert) indiique qu'il
s'agitt des param
mètres émettteur comm l système [10] sous la forme
mun. On peeut mettre le
matriicielle suivaante :
Nous noous contenteerons ici dee voir que ça existe, et

e d'ajouter que ce forrmalisme
matriiciel permet de simpliffier les calcculs quand on
o associe plusieurs
p quuadripôles (en
( série,
en paarallèle, en cascade ). Nous
N n'utilisserons pas ces
c caractéristiques dan
ns ce cours.
Si on anaalyse la preemière équaation du système [10], on y voit l'eexpression de vbe en

foncttion de ib ett vce. On a:
9 h11e = vbe/ib à vce = 0 . Si on

n se rappellle que vbe et
e ib sont dees petites variations
v
autour duu point de repos
r (VBEo,IBo) et que la caractériistique d'enttrée du tran
nsistor est
la courbee IB = f(VBE) à VCE = cte (d
donc vce = 0),
0 alors, onn voit que h11e est la
que de la joonction basse-émetteurr .
résistance dynamiq
9 h12e = vbe
b /vce à ib = 0 . Ce par
ramètre est en fait la réaction
r de la sortie su
ur l'entrée
dans la tthéorie des quadripôless. Lors de l''étude du prrincipe du trransistor, ill a été dit
que cettee réaction était
é négligeeable. Danss toute la su
uite de l'expposé, il ne sera plus
fait menttion de ce paramètre.
p
La deuxiième équation nous don

nne :
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9 h21e = ic/ib à vce = 0 . Ce parramètre estt le gain en
n courant en fonction
nnement
que du trransistor. Il peut êêtre légèrem
dynamiq ment difféérent du gain en
fonctionnnement staatique déjà mentionné, car il a été dit quee la linéariité de ce
paramètrre n'est pas rigoureusem
ment vérifiéée.
9 h21e = ic/v
/ ce à ib = 0 . Ce param
mètre a la diimension d'une admittaance : c'est l'inverse
de la réssistance du générateur de couran
nt de sortiee du transisstor.
En pratiq e élevée), et sauf mo

que, sa valeeur est faiblle (donc la résistance est ontage un
peu pointu,
p on le négligerra, car son influence sera
s modéréée vis à viss de l'impéd
dance de
charg
ge du monttage. On vo
oit qu'en faiit, les param
mètres de trransfert issu
us de la thééorie des
quad
dripôles colllent bien aux
x caractérisstiques physsiques du traansistor :
9 une entrrée résistivve (la résisttance différrentielle de la jonctionn base-émeetteur), la

réaction de la sortie sur l'entréee étant négliigeable.
9 une sorttie équivaleente à un générateurr de couraant proporttionnel au courant

d'entréee, ce générrateur étant imparfait, donc avecc une résisstance inteerne non
nulle.
III.3 - Montage
M ém
metteur com
mmun :
a- Polarrisation : Pooint de foncctionnemen

nt :
a.1- Polarisationn par une résistance

r e:
Le montaage le plus élémentairee tout en étaant fonction

nnel est le suuivant :
Fig. 11.
1 Polarisaation par réssistance de base.
b
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Le fonctionnement est simple : le courant de base IBoo est fixé paar Rb, ce quii entraîne
un courant de collecteur
c ICo égal à IBo. Le couurant collecteur étant ffixé, la ten
nsion aux
bornes de Rc va être égale à Rc ICo. Le montage esst entièremeent détermin
né. Pour callculer les
ment Rb et Rc, on va pro
élém océder à l'en
nvers : on vaa partir de ce
c qu'on déssire (le courrant ICo et
la ten
nsion VCEo), et remonteer la chaîne :
9 On se fixxe un courrant collecteur de repo

os ICo (c'est le courant de polarisaation). Ce
courant sera choisi en fonction
n de l'appliccation, et variera
v entree une dizain
ne de µA
(applicattions très faaible bruit),, et une dizzaine de mA
A (meilleurres perform
mances en
haute frééquence, soiit quelques MHz).
9 On se fixxe une tenssion de collecteur VCEo, qu'on preend en générral égale à E/2,
E pour
que la ttension du collecteur puisse varrier autant vers le haaut que verrs le bas
lorsqu'onn appliqueraa le signal alternatif.
a
9 La résisstance de collecteur
c u polarissation correcte de la
Rc , en pluss d'assurer une
vertit le coourant colllecteur (et ses variattions) en
jonction base-colleecteur, conv
tension. Elle est détterminée parr la formulee :
posé par les caractérisstiques de gain en co

le couraant IBo est alors imp ourant du
transsistor. On noote ici qu'il est impérattif de le connnaître (doncc de le mesuurer) :
La résisttance de baase Rb est allors calculée à l'aide dee la formulee :
Pour ce faire,
f on preendra VBEo = 0,7V, carr un calcul plus
p précis ((il faudrait connaître
c
la caaractéristiqu
ue IB = f (VBE
B ) pour le faire
f !) ne servirait à rien. On peutt résumer to
oute cette
étapee de polarisaation sur un
n seul graph
hique :
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Fig. 12. Polarisaation du tran

nsistor.
On reconnnaîtra ici les trois caaractéristiqu

ues du transistor (entrée, transferrt, sortie)
jointes sur le mêême graphiq
que.
ntion: il fauut bien remaarquer que les

Atten nt différentss de part et dd'autre du zéro !
l axes son
n vues précéédemment: il est correctement

Ce monttage assure les diversees fonction
alimeenté, polariisé (jonction
n base-émeetteur en diirect, jonctiion base coollecteur en
n inverse,
couraants dans le
l bon senss), et il posssède des condensateu
c urs de liaison. Ce montage ne
garan
ntit pas du tout la fo
onction de robustesse
r vis à vis de
d la dérivve thermiqu
ue et des
caracctéristiques du transisto
or. En effet,, on peut rem
marquer quee :
9 si ICEO (lle courant de

d fuite) aug
gmente souss l'effet de la
l températu
ure, rien nee va venir
compensser cette vaariation : VCEo va aug
gmenter et le point dee polarisatio
on va se
déplacerr.
9 Si on veeut changer le transisto

or par un auutre dont le gain soit trrès différentt, vu que
mposé par E et Rb, ICo = β IBo n'aaura pas la bonne
IBo est im b valeuur, et VCEo non
n plus.
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Et il ne s'en faut paas de quelqu
ues %, car ppour une même
m référeence de tran
nsistor, le
ut varier d'u
gain peu un facteur 1,5
1 à 5 ou pplus ! On peut
p donc se retrouverr avec un
montagee dont le trransistor serrait saturé, donc inutiilisable pouur l'amplificcation de
petits sig
gnaux.
C
Comme il esst impensab
ble de mesurrer chaque transistor
t vant de l'utiiliser, on ne peut pas
av
en prratique explloiter le mon
ntage décritt Fig.11. Cee montage n'a
n qu'un intérêt pédago
ogique, et
pour des montagges réels, on
n va lui préfférer le mon
ntage à polaarisation parr pont de baase.
a.2- Polarisationn par pont de base :
Ce schém
ma est un peeu plus com
mplexe que le précéden
nt. Nous alloons d'abord analyser
les différences, et
e ensuite, nous
n suivron
ns pas à pass la méthodee de calcul de la polarisation.
Fig. 13. Polarisattion par pon

nt de base.
Par rapport au schém

ma Fig.11, on note quee la base est polarisée à l'aide d'un
n pont de
résisttances Rb1 et
e Rb2. Le rôle
r de ces résistances
r sera de fixeer le potenttiel de base.. Comme
la ten
nsion VBE est
e voisine de
d 0,7V, ceci impose de
d mettre un
ne résistancce entre l'ém
metteur et
la masse. Cette résistance est découplée par le condensateu
c ur CDE, qui va être l'éq
quivalent
d'un court-circuiit en alternaatif.
A quoi servent ces

c nts ? Pour raisonner, on va faaire abstracction du
élémen
cond
densateur CDE
D , qui est un
u circuit ou
uvert pour le
l régime continu. Less résistancess du pont
de baase vont êtrre choisies de telle maanière que le
l courant circulant
c daans ce pontt soit très
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supérrieur au cou
urant rentraant dans la base
b (au mo
oins 10 foiss plus grandd), ceci afin
n que des
petitees variation
ns du couraant de base ne modifieent pas le potentiel
p de la base, qu
ui restera
doncc fixe. Le po metteur va être égal auu potentiel de base mooins environ
otentiel d'ém n 0,7V et
sera lui aussi fix
xe, à couraant de base donné. Danns ce cas, laa tension auux bornes de
d RE est
déterrminée. Le courant d'éémetteur seera alors fix
xé par la valeur de la résistance RE et la
tension du pontt de base. Le courantt collecteurr étant défin
ni, on choiisit la résisstance de
colleecteur pour avoir
a VCEo au
a milieu dee la plage de
d tension uttilisable.
Quel est l'avantage de ce monttage ? Supp

posons que le courant ICEO augmeente sous
l'effeet de la tem
mpérature. La tension aux bornees de RE vaa alors auggmenter. Co
omme le
ntiel de base est fixé par
poten p le pont Rb1/Rb2, la tension
t VBEE va diminueer. Cette dim
minution
va en
ntraîner unee baisse du courant dee base, doncc du couran
nt de collecteur. Cet efffet vient
doncc s'opposer à l'augmen
ntation du courant
c colllecteur dû à l'augmentation du co
ourant de
fuite ICEO. Le m
montage s'au
uto-stabilisee. L'autre av
vantage, c'eest que le coourant de collecteur
c
est fiixé par le pont
p de basee et par la résistance d''émetteur. Ces
C élémentts sont conn
nus à 5%
près en général,, donc, d'un
n montage à un autre, on aura peeu de disperrsions, et su
urtout, le
couraant collecteeur sera indéépendant du
u gain du traansistor. On
n a dit à cet effet que lee pont de
base est calculéé de manièrre à ce que le potentieel de base soit
s indépenndant du co
ourant de
base : ce potenntiel ne déépendra paas du transsistor, et le
l courant de base s'ajustera
s
autom
matiquemennt en fonctio
on du gain du
d transisto
or sans pertu
urber le ponnt de base.
On fera
fe les calcu
uls dans l'orrdre suivantt :
On fixe le courant collecteur de repos ICo. A noterr que le couurant d'émettteur sera
quasiiment le mêême car IC = IE - IB # IE.
On fixe le ur VEo (au m

l potentiell d'émetteu maximum à E/3, et en pratique, un
ne valeur
plus faible : 1 à 2V est unee valeur asssurant une aassez bonnee compensaation thermiique sans
trop diminuer laa dynamiquee de sortie).. On calculee alors la résistance RE par la form
mule :
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On se fixxe la tensioon collecteu
ur émetteurr VCEo: en général,
g on lla prendra égale
é à la
moitiié de la tension dispon
nible qui estt égale non plus à E, mais
m à E - VEo. On en déduit
d la
résisstance Rc :
On fixe le
l courant du
d pont dee base
On calcu
ule Rb2 (en règle
r générale, on pren
ndra VBEo ég
gal à 0,7V) :
On en dééduit Rb1:
Le pointt de repos du
d montagee étant déteerminé, on va
v passer aau comporteement en
altern
natif.
b- Foncttionnementt en petits signaux

s alternatifs :
Fig. 14. Schéma

S équuivalent en alternatif.
a
u, car elle est shuntée par le

On noteera que la résistance d'émetteurr a disparu
cond
densateur dee découplage CDE.
En quoi vva consisterr l'étude en alternatif ?
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Wajdi
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Tout d'abord, on va évaluer la capacité du montage à amplifier le signal d'entrée.
La caractéristique représentative de cette fonction est le gain en tension Av, qui est le
rapport entre les tensions de sortie et d'entrée. Ensuite, il faut regarder en quoi le montage
peut s'interfacer avec la source d'entrée sans la perturber ; il doit rester le plus neutre
possible vis à vis de cette source, surtout s'il s'agit d'un capteur de mesure ! La grandeur
représentative est l'impédance d’entrée :
Même chose vis à vis de la charge branchée en sortie du montage, qui va utiliser le
signal amplifié : il va falloir regarder dans quelle mesure l'étage à transistor n'est pas
perturbé par cette charge. La grandeur représentative est l'impédance de sortie.
Nous allons calculer ces trois paramètres. On pourrait y rajouter le gain en courant
Ai qui est le rapport des courants de sortie et d'entrée, et aussi le gain en puissance. En
amplification petits signaux, ces paramètres sont peu utilisés, nous n'en parlerons donc pas.
b.1- Gain en tension :
Le gain en tension peut être défini de deux manières :
9 le gain à vide, c'est à dire sans charge connectée en sortie du montage.
9 le gain en charge, avec la charge connectée.
Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de l'étage à vide. Nous verrons
ensuite qu'il est simple de calculer le gain en charge à postériori. On va d'abord procéder à
quelques simplifications dans le schéma :
9 les deux résistances du pont de base sont en parallèle du point de vue alternatif.
Nous allons donc les remplacer par une seule résistance Rp dont la valeur sera égale
à Rb1 // Rb2.
9 la résistance de sortie 1/h22e du transistor est grande (plusieurs dizaines de kΩ ).

Pour une alimentation E de 12V, un courant ICo de 2mA et une tension VCEo de 5V,
on aura Rc = 2500 kΩ, soit environ le dixième de 1/h22e. On va donc négliger ce
71

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dernier tterme. On notera
n que lorsque
l la ttension d'alimentation est élevée et que le
courant de
d collecteu
ur est faiblee, cette simp
plification est
e moins ju
ustifiée. on supprime
s
la chargee Ru (hypoth c hypothèses, le schéma devient :
hèse de calccul). Avec ces
Fig. 15. Schéma éqquivalent sim

mplifié.
On a les équations suivantes

s :
ose h21e = β (le gain

Si on po n dynamiquue est égal au gain sttatique), on
n obtient
l'expression du gain
g en tenssion :
Cette exxpression montre

m que le gain dee l'étage déépend de ddeux param
mètres du
transsistor : le gaain en couraant et la résiistance dynamique d'en
ntrée h11e .
Pourr augmenterr ce gain, on

n pourrait see dire qu'il suffit
s d'augm
menter Rc ((donc de dim
minuer le
couraant ICo pou
ur garder un
u VCEo con
nstant). Ce serait une grave erreeur : en efffet, si on
dimin
nue ICo, on diminue au
ussi forcémeent IBo, et en
e conséqueence, la résiistance difféérentielle
de laa jonction base émetteu
ur augmentee : le gain risque
r donc de ne pas trop
t augmeenter. Les
param
mètres de ceette formulee sont donc liés : ils ne sont pas in
ndépendantss, et on ne faait pas ce
qu'on
n veut.
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Nous alllons essayer de trouveer une form
mulation meettant en œuuvre des paaramètres
indép
pendants. Nous
N avons déjà dit qu
ue la joncttion base-ém
metteur étaiit l'équivaleent d'une
diodee. Elle satissfait notamm
ment aux mêmes
m form
mulations mathématique
m es. Dans lee chapitre
relatiif à la diod
de, l’équatio
on [2] donnait la résisttance différeentielle en fonction du
u courant
dans la diode :
Pour le ttransistor, on
o a la mêm
me chose en remplaçantt Id par le coourant de baase IBo et
rd paar h11e. Le teerme kT/q est
e homogèn
ne à une ten
nsion et vau
ut environ 26mV
2 à tem
mpérature
naire. La rellation simpllifiée entre h11e et IBo (hh11e est en Ω et IBo en A
ordin A) devient alors
a :
Si on
n réinjecte cette relatiion dans laa formule [24]
[ en ten
nant comptee du fait que
q ICo =
(β+1)IBo, on obttient :
u point de poolarisation ICo. C'est

Le termee 38,5 ICo reeprésente laa pente du trransistor au
le rap
pport IC / VBE en ce po
oint. Il ne déépend pas duu transistor : c'est un pparamètre in
ntéressant
qui permet
p de calculer
c le gain d'un étage
é indép
pendammentt du compoosant choisii pour le
réalisser.
Cette forrmulation du
d gain est beaucoup
b pllus satisfaissante que la précédentee, car elle
ne dépend
d pluss des caractéristiques du transistor, et notam
mment de son gain (attention
(
touteefois au factteur 38,5 qu
ui est le term
me q/kT : il dépend dee la tempéraature !). Elle montre
aussii que le gaiin est relatiivement fig
gé si on garrde pour règ
gle une tension de pollarisation
VCEoo égale à la moitié de la tension d'alimentati
d ion (moins la tension d'émetteur)
d . Le seul
moyeen de l'augm
menter est d'accroître
d la
l tension d'alimentatio
d on ; on pouurra alors au
ugmenter
le terrme RcICo qui
q est la ch
hute de tenssion dans laa résistancee de collecteeur. A tire indicatif,
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pour un montag
ge polarisé sous
s 12V av
vec une ten
nsion VEo dee 2V et VCEEo de 5V, on
n aura Rc
ICo ég
gal à 5V, ett un gain en tension Av
v égal à 190.
b.2- Schhéma équiivalent de l'étage am

mplificateuur :
Le schééma équivaalent du montage

m am
mplificateur émetteur commun peut
p être
repréésenté sous la forme donnée
d figu
ure 16. En entrée, on
n y trouve l'impédancee Ze (on
i n'y a pas d'autres com
négliige la réactiion de la sorrtie sur l'enttrée, donc, il mposants) En
E sortie,
on a un générateeur de tensiion comman
ndé (la tension de sortiie est égale à la tension
n d'entrée
multiipliée par lee gain Av de
d l'étage à vide) avec sa résistancce interne qqui sera la résistance
de so
ortie de l'étaage. On nottera que la représentattion de la so
ortie est cellle du générateur de
Thév
venin équivaalent
Fig. 16. Schémaa équivalentt de l'étage amplificateur.
On pourr
rra voir ici une
u contrad
diction avecc notre mon
ntage émetteeur commu
un qui est
doté en sortie dd'un génératteur de cou
urant. Cette objection est
e balayée par les deu
ux points
suivaants :
9 on veut calculer le gain en teension de l''étage! On considère ddonc notre montage

comme uun générateur de tensio
on avec sa réésistance in
nterne, si graande soit-ellle.
9 la transfformation Norton
N / Thévenin nou
us permet dee passer d'uune représentation à
l'autre siimplement. Ce schémaa va nous peermettre de définir les iimpédancess d'entrée
et de sorrtie de notree étage.
b.3- Imppédance d'entrée

d :
Par défin n se référant au schéma Fig. 16., l'impédance dd'entrée est égale à :
nition, et en
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74

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Ici, le schéma est simple, le générateurr d'entrée débite

d sur ddeux résistaances en
paralllèle. On a donc
d :
On voit qu'on
q n'a paas intérêt à prendre
p un pont de basse avec des valeurs trop
p faibles.
Il fau
udra donc fa
faire un com
mpromis aveec la condition de polaarisation (Ip >> IBo). En
n général,
h11e sera
s petit (1
1 kΩ pour IBo = 26µA
A), donc cettte impédan
nce sera bien inférieuree à Rp, et
très souvent, ellle sera inssuffisante pour
p qu'on puisse inteerfacer des sources dee tension
(captteurs notam
mment) direcctement sur un étage ém
metteur com
mmun.
b.4- Imppédance de
d sortie :
on Norton / Thévenin.
Fig. 17. Trransformatio
ge Fig.15 en celle du schémaa Fig.16

Si on ttransforme la sortie du montag
(tran
nsformation Norton / Thévenin),
T o obtient lee schéma dee la figure 17. La résisstance Rc
on
qui était
é en paraallèle sur le générateur de courant h21e ib devieent la résistaance en sériie avec le
générateur de teension. L'im
mpédance dee sortie est ddonc ici trèss simple à iddentifier :
Cette valleur est assez élevée, et

e souvent, on ne pourrra pas conn
necter le mo
ontage tel
quel sur une chaarge.
b.5- Gaain de l'étaage en chaarge :
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Il y a deuux manièress de voir la chose :
9 O
On reprend le schéma équivalent
é dde la Fig.15
5 et on rajooute Rch en parallèle
aavec Rc. La formule du gain deviennt alors :
9 O
On connaît l'impédance
l e la charge. D'après lee schéma Fig.16, ces
e de sortie et
ddeux résistan nt un pont diviseur qu
nces formen ui atténue laa tension dee sortie à
vvide. Le gain
n devient :
On vérifi
fiera que si on
o développ
pe Rc // Rch dans la form
mule [31], oon tombe biien sur la
form
mule [32].
c- Bilan : Utilisatioon du monttage :
Au final,, le montagee émetteur commun

c estt un montag
ge ayant :
9 u on en tension (de l'ord

une bonne amplificatio
a dre de plusieeurs centain
nes).
9 u ment faiblee (égale à h111e, soit de l'ordre

une impédaance d'entréée relativem l de
Ω ), variablle en fonctiion de la polarisation (plus ICo est faible,
pplusieurs kΩ
pplus l'impédance d'entréée est élevéee).
9 u
une impédaance de sorrtie assez éllevée Rc qu
ui va aussi ddépendre du
u courant
dde polarisatiion ICo.
Ce monttage est l'am

mplificateur de base à ttransistor ett sera donc uutilisé comm
me sous-
p compleexes (discretts, ou intégrrés comme dans l'amplificateur
foncttion dans dees circuits plus
opéraationnel). P
Par contre, il
i sera souv
vent inexplo
oitable seull, et il fauddra lui adjoiindre des
étagees adaptateu
urs d'impédaance.
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III.4- M
Montage colllecteur com
mmun :
Dans ce montage, l'entrée est laa base et la sortie l'émeetteur. C'estt le collecteu
ur qui est
le po
oint communn entre l'enttrée et la so
ortie. On nottera que c'est faux pouur la polarisaation, car
le co
ollecteur est relié au +E
E et l'entrée se fait entrre base et masse,
m et la ssortie entre émetteur
et masse.
m En ffait, le collecteur est bien commun en allternatif, caar le générrateur de
polarrisation +E est un courtt circuit pou
ur ce régimee, et donc, le
l collecteurr va se retro
ouver à la
massse alternativve : ce sera donc
d bien laa patte comm
mune entréee sortie.
a- Polarrisation: Pooint de foncctionnemen

nt
Comme pour le mo
ontage émettteur commuun, il y a moyen
m de poolariser le transistor
t
avec une seule résistance de base, cee qui entraîîne exactem
ment les mêêmes incon
nvénients.
Nouss passerons donc directtement à la polarisationn par pont de
d base, quui est la pluss utilisée.
Le scchéma com
mplet est don
nné sur la figure
f 18. Par
P rapport au
a montagee émetteur commun,
c
on reemarque quee la résistan
nce de collecteur a dispparu. Le con
ndensateur dde découplaage de RE
aussii, ce qui estt normal, caar ici, la sorttie est l'émeetteur : il n'eest donc pas question de
d mettre
la sortie à la masse en altern
natif !
Fig. 18. Montag

ge collecteurr commun.
Pour la ppolarisation ortera au paaragraphe équivalent ddu montage émetteur

n, on se repo
comm
mun, et on prendra
p en compte
c les différences
d suivantes :
9 E
En général, on fixera lee potentiel dde repos dee l'émetteurr à E/2 pourr avoir la
m
même dynam
mique pour les alternan
nces positives et négativves.
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9 O
On n'a pas à se préoccu
uper du poteentiel de colllecteur ni dde sa polarissation car
ccette broche est à +E.

s alternatifs :
Nous avvons ici faiit les mêmees simplificcations de schéma quue pour le montage
émettteur comm oit bien surr le schémaa résultant que le colllecteur est le point
mun. On vo
comm
mun entrée / sortie.
F 19. Sch
Fig. héma équivaalent collectteur commuun.
On pourrra remarqu
uer que (en
n le réarran
ngeant) le schéma éq
quivalent in
nterne du
transsistor est le même quee pour le montage
m ém
metteur com
mmun. Par rrapport à cee dernier
monttage, on a rajouté
r la réésistance intterne du gén
nérateur d'aattaque. En effet, on vo
oit qu'ici,
l'entrrée et la ssortie ne so
ont pas sép
parés, et ddonc, la ch
harge va avvoir un im
mpact sur
l'imp
pédance d'enntrée et l'im
mpédance intterne du génnérateur d'aattaque influuera sur l'im
mpédance
de so
ortie.
b.1- Gaain en tenssion :
Si on appplique la lo
oi des nœud
ds au niveaau de l'émeetteur (Fig. 19.), on vo
oit que le
couraant circulannt dans RE est β+1) ib et va
e égal à (β v de l'émettteur vers le collecteur. On peut
alorss poser les ééquations su
uivantes :
On remaarquera au passage
p en analysant l'équation
l [
[33] que vuu de la basee, tout se
passee comme si la résistancce RE était multipliée
m par le gain en
n courant.
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On dédu
uit le gain à vide
v des équ
uations [33] et [34] :
Ce gain est
e légèrem
ment inférieu
ur à 1, et c'est normal, car
c la tensioon de sortie est égale
à la tension
t d'enntrée multip
pliée par le pont diviseeur formé par β+1)RE. En
p h11e et (β n général,
RE esst du mêmee ordre de grandeur
g quee h11e, ce qu
ui fait que le
l terme (β+
+1) RE est beaucoup
b
plus grand que h11e. A queelques centiièmes près,, le gain seera quasim
ment égal à l'unité .
Pourr cette raison
n, et aussi pour
p ce qui a été dit daans la rubriq
que fonctionnnement inttuitif , on
appelle ce monttage émetteeur suiveur , car le ppotentiel d'éémetteur suuit celui imp
posé à la
base..
Quand l''étage est chargé

c sur Rch, il conv mplacer RE par RE // Rch dans
vient de rem
l'équ
uation [35], ce qui chan
nge très peu
u le résultatt, même si Rch est égaale ou mêm
me un peu
inférrieure à RE ((dans les mêêmes condittions, le gaiin de l'étagee émetteur ccommun aurrait chuté
d'un facteur supérieur ou ég
gal à 2 !).
b.2- Imppédance d'entrée

d :
Le couraant ie est égaal à ib augm

menté du cou
urant circulaant dans Rp.
L'impédaance d'entréée va donc être égale à Rp//(ve/ib). On peutt tirer cette dernière
ur de l'équattion [33] :
valeu
On en dééduit la valeeur de l'impédance d'enntrée :
On rem mier terme est une valeur trèès élevée, et que

marque quee le prem
malh
heureusemen
nt, la valeurr du pont dee base vientt diminuer cette
c impédance d'un faacteur 10
envirron. C'est do
onc la valeu
ur de Rp quii va détermiiner l'impéd
dance d'entrée. Cette im
mpédance
est quand
q mêm
me au moin
ns 10 fois supérieure à celle dee l'émetteurr commun. On voit
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touteefois que làà encore, la polarisatio
on ne fait paas bon mén
nage avec le régime allternatif :
tout sera une afffaire de com
mpromis, co
omme bien souvent en électroniquue. Il n'y aurra jamais
la bonne
b soluttion, mais une soluttion interm
médiaire qu
ui sera la mieux adaaptée au
foncttionnement désiré. Il faut
f aussi remarquer
r q vu de la base, les impédancees situées
que
dans le circuit dd'émetteur sont
s pliées par lee gain β du transistor. C'est une remarque
multip r
très importante qui est toujours vraiie. L'impéd
dance d'entrrée a été icci calculée pour un
monttage fonctioonnant à viide. Si on le charge paar Rch, cettee résistancee vient se mettre
m en
paralllèle sur RE dans la fo
ormule [37]. Dans le cas général, l'impédannce d'entréee dépend
ge. Cette déépendance sera faible taant qu'on au
doncc de la charg ura une polaarisation par pont de
base,, car on a vu
v que Rp est
e le termee prépondérrant. Il existe néanmoiins des astu
uces pour
ntage bootstrap ou cou
élimiiner l'effet du pont dee base (mon uplage direcct de deux étages à
transsistor), et daans ce cas, il faudra ten
nir compte dde la charge.
b.3- Imppédance de
d sortie :
Le calcu
ul va être plu
us compliqu
ué que pourr l'émetteur commun. O
On remarqueera qu'ici
la so
ortie n'est paas séparée de l'entrée, ce qui faitt que tout lee circuit d'eentrée va in
nfluer sur
pédance de sortie, y co
l'imp ompris la réésistance in
nterne du géénérateur d''attaque Rg. Comme
dans le cas génééral cette im
mpédance n''est pas nullle, nous l'av
vons faite fiigurer sur lee schéma
Fig.1
19.
Là aussi,, il faut calcculer les carractéristiquees du généraateur de Théévenin équiivalent.
On peut écrire les éq

quations suiivantes :
Si on con
nsidère le générateur
g d Thévenin
de n équivalentt au générateeur d'entréee plus Rp,
on peeut écrire :
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Si on posse :
en injecttant [40] et [41]

[ dans [3
39], on obtieent :
En remplaçant ib parr cette valeu

ur dans [38]], on a :
Après un
n développeement laborrieux, on peut mettre Vs
V sous la foorme A eg + Zsis : ce
u générateurr de Thévennin de sortie de l'étagee. Le terme Zs est le
sont les caractérristiques du
suivaant :
RE , Rg et
e h11e étant du même ordre
o de graandeur, le teerme divisé par (β+1) va
v être le
plus petit, et RE va avoir un effet néégligeable. On pourra aussi souv
vent négligeer Rp par
ort à Rg. Zs devient :
rappo
Cettee impédancee de sortie est

e relativem
ment faible : le montag
ge pourra teenir des charrges plus
faibles que le montage
m émeetteur comm
mun.
On peut faire une remarque

r siimilaire à ccelle qui a été
é dite danns le paragrraphe sur
pédance d'enntrée : vu de la sortie, l'impédancee du montag
l'imp ge est égalee à tout ce qui
q est en
amon
nt de l'émettteur divisé par
p le gain en
e courant.
c- Bilan.. Utilisation
n du montaage :
Un monttage collecteeur commun présente ddonc les carractéristiquees suivantess :
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9 ggain en tenssion quasim
ment égal à l'unité.
9 im
mpédance d'entrée élevée:
é enviiron (β+1) fois plus grande
g que celle de
l''émetteur co
ommun si on
o ne consiidère pas lee pont de bbase (on verrra qu'on
ppeut l'éviterr). La valeeur typique est de pllusieurs dizzaines à plusieurs
p
ccentaines dee kΩ en fon
nction du mo
ontage.
9 im
mpédance de sortie faible (diivisée par (β+1) envviron par rapport à
l''émetteur co
ommun). Saa valeur est de l'ordre de
d quelquess dizaines d'Ω
d .
Ce mon
ntage ne seera donc pas
p utilisé pour ampllifier un siignal, maiss comme
adaptateur d'imp
pédance, situé en amo
ont ou en aval
a d'un mo
ontage émeetteur comm
mun, qui,
nous l'avons vu
u, n'a pas de bonnes caractéristtiques d'enttrée / sortiie. On pou
urra donc
interccaler un teel montage entre un capteur
c dance de soortie et un montage
à haaute impéd
émettteur comm
mun sans qu
ue celui-ci ne
n perturbe le capteur. On pourraa aussi le mettre
m en
sortiee d'un mon un que l'on doit interfaacer avec uune faible charge, et
ntage émetteeur commu
ceci, sans écrouller le gain en
e tension de
d l'étage.
III.5- M
Montage basse commun
ne :
a- Polarrisation : Pooint de foncctionnemen

nt
Fig. 20. Montage bbase commu

une.
Le monttage commeence à nouss être familiier : en effeet, mis à paart l'emplaceement du

ui est ici siitué sur la base, le
générateur d'atttaque et le condensateeur de découplage qu
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monttage est le même qu
ue celui de l'émetteur commun. La procéddure de callculs des
élém
ments de pollarisation esst donc iden
ntique, car sseuls les élééments liés au régime alternatif
chan
ngent. La raiison en est simple : l'am
mplification
n est basée sur
s une auggmentation de
d IC due
à unee augmentattion de VBEE. Pour augm
menter VBE, on a le cho
oix entre deuux solutionss :
9 soit on augm
mente la ten
nsion de basse à potentiiel d'émetteuur constant : c'est le
m
montage ém
metteur comm
mun.
9 soit on abaiisse la tensiion d'émetteur à poten

ntiel de basse constant : c'est le
m
montage basse communee.

s alternatifs :
On va do
onc étudier ici le montaage base com
mmune. On
n voit tout de
d suite le dééfaut que
va prrésenter ce montage : vu
v qu'on atttaque côté émetteur, ill faudra fairre varier un
n courant
impo
ortant, doncc, l'impédaance d'entréée sera sû
ûrement beaaucoup plu
us faible que
q pour
l'émeetteur comm
mun, qui n'éétait déjà paas brillant ssur ce pointt. En fait, cce montage sera peu
utilissé, sauf dans des appliccations hauttes fréquencces où il trou
uvera son seeul avantage.
ma équivaleent est le suiivant :

Le schém
Fig. 21. Schéma équivalennt base comm

mune.
Le pont Rb1 / Rb2 disparait caar il est shuunté en altternatif par le condenssateur de
découplage CDBB. La base est bien lee potentiel commun
c en
ntrée / sortiie, et le schéma du
transsistor est le même
m que pour
p l'émettteur commu
un.
c- Gain en tension :
Du schém
ma Fig. 21.,, on tire les équations suivantes
s :
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83

Wajdi Co
BELLIL
de Gafsa
LFSI1

D'où l'exxpression du
u gain en ten
nsion à videe :
Ce gain (au signe prrès) est le même

m que pour l'émetteeur communn, ce qui estt normal,
vu qu
ue le fonctiionnement est identiqu
ue. On peutt bien enten
ndu faire les mêmes reemarques
que pour
p l'émettteur commu
un et mettree le gain sou
us la forme donnée danns l'équation
n [27], au
signee près. Pou
ur le gain en
e charge, rien de différent non
n plus, Rch vient se mettre
m ne
mule du gain à vide.
paralllèle sur Rc dans la form
d- Impéd
dance d'en
ntrée :
Du circu
uit d'entrée, on tire l'équ
uation suivaante :
Si on tirre ib de l'éq 7] et qu'on le remplacce par sa vvaleur dans [49], on

quation [47
obtieent :
On en tirre l'impédan
nce d'entréee :
RE étant du même ordre

o de graandeur que h11e, le term
me prépondéérant est h11ee / (β+1).
Cettee impédancce d'entrée est très faaible, envirron (β+1) fois plus ffaible que celle de
l'émeetteur comm
mun : ce mo
ontage, sauff cas très sp
pécial, est inexploitabl
i le tel quel, il faudra
un étage
é adaptaateur d'impédance en entrée pou
ur l'utiliser. On peut rremarquer que
q cette
impéédance d'enttrée est quasiment la même
m que l'iimpédance de
d sortie duu montage collecteur
c
mun : si on se rappelle de ce qui a été dit à cee propos, l'im
comm mpédance vvue de l'émeetteur est
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84

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égalee à tout ce qui
q est en am
mont diviséé par le gainn en courantt : c'est exacctement le cas
c ici, et
on au
urait donc ppu prévoir faacilement laa valeur de l'impédance
l e d'entrée saans calculs.
e- Impéd
dance de soortie :
Pour éviiter de long

gs calculs in
nutiles, on ne
n tiendra pas
p comptee de la résisstance du
générateur d'attaaque Rg. Du
u circuit de sortie,
s on peeut tirer l'éq
quation suivvante :
L'équatioon [47] nou

us donne ib en fonctio
on de Ve ; en
e le rempllaçant par sa
s valeur
dans [52], on obbtient :
C'est l'éq
quation du générateur
g d Thévenin
de n de sortie : on en dédu
uit que Zs = Rc.
Si on faait le calcull en tenant compte du

u générateurr d'entrée, oon démontrre que le
résulltat reste le même, seu
ul le terme multiplicati
m f de eg va changer
c danns l'expression de la
tension de sortiee du génératteur de Thév
venin, et le terme multtiplicatif de is reste Rc.
On a don
nc :
On auraiit pu prévoirr ce résultatt, car l'entréée est séparéée de la sorttie par un géénérateur
de co
ourant qui présente un
ne impédan
nce infinie (en pratiqu
ue égale à 1/h22e, quii est très
grand
d) : du poin
nt de vue des impédances, on se rettrouve avecc l'entrée sépparée de la sortie.
f- Bilan.. Utilisation
n du montaage :
Les caracctéristiques sont donc les

l suivantees :
9 m
même gain en tension que pour l'émetteur commun
c (pplusieurs cen
ntaines).
9 im
mpédance d'entrée trrès faible: quelques
q dizzaines d'Ω.
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85

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9 impédance de sortie moyenne: quelques kΩ, la même que pour l'émetteur
commun.
En pratique, ce montage sera très peu utilisé, sauf en haute fréquence où il va

présenter une bande passante supérieure à celle du montage émetteur commun.
IV- Remarques fondamentales :
Il faudra garder à l'esprit ces deux remarques fondamentales, qui permettront

d'évaluer grossièrement mais sans calculs les impédances des montages à transistors :
9 tout ce qui est vu de la base et situé en aval de l'émetteur est multiplié

par le gain en courant.
9 tout ce qui est vu de l'émetteur et situé en amont de celui-ci est divisé par
le gain en courant.
Ces remarques sont fondamentales par le fait qu'on peut évaluer très rapidement les
potentialités d'un montage sans faire de calculs sur le schéma alternatif petits signaux, qui,
on l'a vu, sont particulièrement pénibles, et ne donnent pas beaucoup plus de précision que
ce que l'on peut déterminer très simplement. Cette façon d'appréhender les choses permet à
l'électronicien de bâtir un schéma rapidement sans se noyer dans les calculs, et aussi,
permettent de mieux comprendre le fonctionnement d'un étage à transistor, autrement que
par le biais d'équations.
86

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TD 1 Le courant électrique
Exercice 1 :
Déterminer la résistance équivalente du dipôle AB :
Exercice 2 :
Calculer I1, I2 et I3 :
Application numérique :
E = 6 V, R1 = 270 W,
R2 = 470 W et R3 = 220 W.
Exercice 3 :
Une boîte noire contient trois dipôles E, R1 et R2.
E = 6 V ; R1 et R2 sont inconnues.
Avec le voltmètre on mesure 4,00 V.
87

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Avec l’ampèremètre on mesure 0,50 A.
En déduire R1 et R2.
Exercice 4 :
Déterminer la puissance P consommée par RC (en fonction de E, RC et R) :
Pour quelle valeur de RC la puissance consommée est-elle maximale ?
Que vaut alors P max ?
Exercice 5 :
Chercher les modèles de Thévenin et de Norton des circuits suivants :
88

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Les batteries d’accumulateurs sont identiques (f.e.m. 12 V et résistance interne 15 mW).
Exercice 6 :
Déterminer les modèles de Thévenin et de Norton du circuit suivant :
A.N. E = 12 V, I1 = 3 mA, RA = 1,5 kW, RB = 1 kW et RC = 3 kW.
Exercice 7
Calculer l’intensité du courant dans la branche AB en appliquant :
- les lois de Kirchhoff
89

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- le théorème de Millman
- le théorème de superposition
Exercice 8 :
Pont de Wheatstone
Déterminer le modèle de Thévenin du dipôle AB.
A quelle condition sur R a-t-on UAB = 0 V ?
A.N :
UAB s’annule pour R = 8,75 kW.
En déduire X : la valeur de la résistance inconnue.
90

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TD
D 2 Diode
Exerrcice 1
On raappelle le modèle
m expo
onentiel de la
l caractérisstique couraant-tension de la diode :
- Rep
présentez ceette caractérristique.
- Rep
présentez laa caractéristiique simpliffiée corresppondant au modèle
m suivvant :
Exerrcice 2
Soit le circuit à diode suivaant :
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On veut
v imposerr un couran
nt I0 = 1 mA
A à partir d’uune source U0 = 2 V.
- En utilisant le modèle exp

ponentiel dee la diode, calculez
c
a) la chute de tennsion aux bornes

b de la diode
b) la résistance R nécessairre pour impo

oser le courrant I0
c) la résistance ddynamique de la diode au point dee fonctionneement
- En utilisant lee modèle sim

mplifié de la
l diode (U
UD = Uj = 0..7 V), calcu
ulez le courrant I0 en
prenaant la mêmee résistance que celle trrouvée préccédemment.
Exerrcice 3
La diode
d Zener présente un
n comportem
ment similaaire à la dio
ode normalee en sens diirect. Par
contrre en sens inverse le courant ne
n passe prratiquementt pas jusqu
u'à une tenssion dite
"Zen
ner", puis à partir de cette valeu
ur de tensio posant préssente une résistance
on, le comp
dynaamique pratiiquement nu
ulle.
- Rep
présentez cee comportem
ment sur un
n graphique courant-ten
nsion.
En utilisant
u le m
modèle simp
plifié des diiodes et dess diodes Zen
ner (chute dde tension constante
c
de Uj = 0.7 V dans
d le senss direct et, pour
p les dioodes Zener,, chute de ttension consstante Uz
dans le sens iinverse), éttudiez le comporteme
c ent des cirrcuits suivaants en traaçant un
diagrramme de laa tension dee sortie en fonction
fo du temps.
t
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v1 : signal
s triang
gulaire sym
métrique ±5 V
Exerrcice 4
Circu
uit d'alimenntation : la tension
t 220 V du réseaau alimente un transforrmateur assu
urant une
conv
version de niveau.
n La diode
d D supp
prime l'alterrnance négaative et le coondensateurr C, avec
la ch La diode Zeener DZ asssure, dans certaines
harge qu'il "voit" ont un effet dee filtrage. L
limittes, une stabbilisation dee la tension de sortie V0.
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V1eff = 12 V, Uz= 10 V, Izm
min = 5 mA, IL = 0 à 50 mA.
- Desssinez l'allu
ure de V1, V2 et V0 indiiqués dans lla figure, en
n supposant que le courrant IZ ne
s’ann
nule jamais et que les diodes
d D et DZ ont une résistance différentiell
d le nulle.
- En admettant qque V2 ne descend

d pas en dessous de 14 V, caalculez R poour que le courant
c IZ
ne deescende jam
mais au-desssous du min
nimum spécifié.
- Callculez la cappacité de fiiltrage pour assurer quee la tension

n V2 ne desccend pas au
u-dessous
de 14
4 V.
- Dééterminez lees condition

ns de charg
ge qui entraaînent un courant
c IZ m
maximum. Calculez
IZmaxx et en déduire la puissance moyenne
m m
maximum d
dissipée danns la diodee Zener.
Exerrcice 5
On propose
p le montage
m suiv
vant :
VIN = 7sin ( ) Uj = 0.7V et VZ = 4.3V
Tracez sur un même

m graphee VIN et VOUUT en fonctiion du temp
ps.
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TD 3 Traansistoor bipoolaire
Exerrcice 1
a)
Une mesure surr un transisstor bipolaire NPN, faaite avec lee circuit ci-dessus, a donné
d les
résulltats suivantts :
pour Vcc = 3 V eet IB = 12 µA

A => IC = 2 mA et VBEE = 0.675 V
Danss quel modee de fonction

nnement se trouvait le transistor ?
Déterminer les pparamètres IS et ß de cee transistor.
Quell courant dee base faud

drait-il impo
oser pour av urant de colllecteur de 10 mA ?
voir un cou
Quellle serait alors la tensiion base-ém
metteur ? Dans
D ces con uelle est la variation
nditions qu
relatiive du couraant de colleecteur si la source
s ourant de baase varie de ±2% ?
de co
b)
Avecc le même transistor qu’au

q pointt a) mis daans le circu
uit de mesu
ure ci-dessu
us, quelle
tension base-ém
metteur faut--il imposer pour
p avoir le
l même co
ourant de coollecteur de 10 mA ?
Quell est le couraant de base correspond
dant ?
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Danss ces condittions quellee est la variaation relativ
ve du couraant de colleccteur si la source
s de
tension VBE variie de ±2% ?
Exerrcice 2
Introoduction à l'amplificateeur. Soit le montage

m su
uivant :
UB0 = 2.9 V Uj =0.7 V RC = 4..7 kΩ Ω

RE = 2.2 kΩ
ß = 200
2 Vcc
c = 15 V
Calcculer le poinnt de repos c.à.d. les co

ourants IB0, IE0 et IC0, ainsi
a que less tensions UE0 et UC0
que ΔUB = 0.
lorsq 0
Quell est le modee de fonctio

onnement du
u transistor ?
Décrivez le fon
nctionnemen
nt du montaage
Exerrcice 3
Soit le montagee à transistor bipolaire de la figuree suivante. Sachant quee UBE = Uj, calculer
ourants IB, IE et IC, ainssi que les teensions UE eet UC.
les co
Quellle est le moode de foncttionnement du transistoor ?
Valeurs numériqques : U = 3.4

3 V Uj = 0.7 V R1 = 4.7 kΩ R2 =2.7 kΩ
k
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ß = 200
2 Vcc =10 V
Exerrcice 4
Soit le montage représenté à la figure suivante. Sachant que UBE = Uj, ccalculer les courants
IB et IC, ainsi qu
ue les tensions UB et UC.
Valeurs numériqques : U = 3.4

3 V Uj = 0.7 V R1 = 4.7
4 kΩ
R2 =2
2.7 kΩ ß = 200 Vcc = 10 V
Exercice 5
On considère
c le montage su
uivant :
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β = 100
1 Uj = 0.7V I2max = 100 mA
Déterminez R1 eet R2 pour que

q le montaage fournissse une tensiion de sortiee V2 stabilissée à 6V.
Exerrcice 6
Décrrire qualitatiivement le fonctionnem

f ment du tran
nsistor suivaant:
Exerrcice 7
Com
mmentez le fonctionnem
f ment de l'inv
verseur à traansistor bip
polaire et inddiquez ses points
p de
foncttionnement..
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_____________
Exercice 1
Entre A et B, nous avons les résistances 3,9 kW et 1 kW en parallèle, en série avec les
résistances 1,5 kW et 3,3 kW en parallèle.
RAB = (3 ,9 kW // 1 kW) + (1,5 kW // 3,3 kW) = 1,827 kW
Exercice 2
Notons R la résistance équivalente à l’association en parallèle de R2 et R3 :
R = R2//R3 ≈150 Ω.
Appliquons la loi d’Ohm : E = (R1+R) I1
A.N. I1 = 14,29 mA
Appliquons maintenant la formule du diviseur de courant :
A.N. I2 = 4,56 mA
Loi des nœuds : I3 = I1 - I2 = 9,73 mA
100

Wajdi
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Exercice 3
Un ampèremètre (parfait) se comporte comme un court-circuit (résistance interne nulle):
Loi d’Ohm : E = R1 I
A.N. R1 = 12 Ω.
Un voltmètre (parfait) ne consomme pas de courant (résistance interne infinie):
On reconnaît un diviseur de tension :
D’où :
A.N. R2 = 24 Ω.
101

Wajdi
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Exercice 4
P = UI
Formule du diviseur de tension :
Loi d’Ohm : E = (R+RC) I
D’où :
Notons P’(RC) la dérivée de P par rapport à RC.
P est maximum quand la dérivée est nulle.
102

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Exercice 5
En résumé :
Exercice 6
Exercice 7
a) Lois de Kirchhoff
103

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Commençons par définir les courants dans chaque branche I1, I2 et I :
Loi des noeuds : I + I1 = I2 (1)
Loi des mailles : 4 – 16 I1 + 6 I = 0 (2)
Loi des mailles : -6 I – 4 I2 + 24 = 0 (3)
Nous avons donc un système de 3 équations à 3 inconnues.
Après résolution, on obtient : I = +2 A.
b) Théorème de Millman
L’application du théorème de Millman permet de calculer directement la tension UBA :
Loi d’Ohm : UBA= -6 I
A.N. I = +2A.
c) Théorème de superposition
104

Wajdi
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Le théorème de superposition indique que : I = I’ + I’’
- Calcul de I’ :
Commençons par calculer I’2 :
Loi d’Ohm : 24 V = [(16 Ω // 6 Ω) + 4 Ω] I’2
A.N. I’2 = +2,870 A
Formule du diviseur de courant :
- Calcul de I’’ :
Commençons par calculer I’’1 :
Loi d’Ohm : 4 V = [(4 Ω // 6 Ω) + 16 Ω] I’’1
A.N. I’’1 = +0,217 A
Formule du diviseur de courant :
En définitive : I = I’ + I’’= +2 A.
Exercice 8 :
- Calcul de la tension à vide U0 :
105

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U0 = UAC - UBC
Formule du diviseur de tension :
- Calcul de la résistance interne :
On éteint la source de tension E (on remplace par un fil) et on détermine la résistance vue
des
bornes A et B :
R = (X // R) + (P // Q)
106

Wajdi
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Modèle de Thévenin :
UAB = 0 V si U0 = 0 V soit :
A.N. X = 875 Ω.
107

Wajdi
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LFSI1


_____________
Exercice 1
Représentation de la caractéristique courant-tension statique :
Rq: les échelles ne sont pas respectées.

Représentation simplifiée : linéaire par morceaux.
En direct, on considère que la barrière de potentiel peut être modélisée par une source de
tension avec en série une résistance modélisant les pertes joule.
108

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En in
nverse, on cconsidère le courant de fuite IS com
mme négligeeable. La diiode se com
mporte
doncc en circuit oouvert.
Exeercice 2
1.1 a)
a De l'équattion de la diiode o obtient
on
UD = UD = 0.72
0 V
b) Co
omme UD = U0 - RI0, on
o obtient po
our R :
R=
8 kΩ
R = 1.28
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109

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c) Réésistance dy
ynamique : rd = rd = 39 Ω
• 1.2 Avec le modèle simplifié

s de la diode, Ud = 0.7V
=
=> I0 = = 1.0
016 mA.
ssoit une diffférence de 1.6% au résuultat donné par le modèèle exponen

ntiel.
Exerrcice 3
Mod
des de fonctiionnement de
d la diode Zener :
2.1 On
O déduit lee diagrammee v2(t) suivaant :
2.2 On
O se ramèn
ne au premieer cas (2.1) grâce au th
héorème de Thévenin :
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• A = la diode Zener n’estt jamais

Application numérique : V1crête/2 = 5 V < Uz =>
een mode de conduction inverse. Alllure de V2 en fonctionn du temps :
• 22.3 Cas sem

mblable à 2.2
2, sauf que lla diode D élimine
é les aalternances
nnégatives dee la source V1.
v1(t) < 0.7 V => D est bloquée

b => ID = 0 => V2 = 0
00.7 V ≤ v1(t)) => D cond

duit
=
=> V2 = (V1-0.7) = 0.99 (V nt que V2 < Uz
V1 - 0.7) tan
V2 = Uz = 6 V dès que la ner conduit en mode innverse

l diode Zen
• 2.4 Si au départ
d vC(0)) = 0 et V1 = 0 :
0 ≤ t ≤ T/2 : v1(t) ≥ 0 =>

> D est bloqquée => I = 0, C ne se ccharge pas
=> vC(t) = 0 => v2(t) = v1(t) - vC(t) = v1(t)

=
T/2 ≤ t ≤ 3T
T T/4 : dès quee v1(t) ≤ -0.77 V D conduit
=
=> v2(t) = -0
0.7 V et vC(tt) = v1(t) + 0.7 V.
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D ne conduiit que dans un

u sens donnc tant que = < 0 ett donc
ju
usqu’à la crrête négative du trianglle. A cet insstant VCmin = V1min - 0.7
7V=-
44.3 V
t > 3T/4 : D se bloque dès

d que la pente de v1(tt) s’inverse => i(t) = iC(t)
( =0
=
=> vC(t) = csst = VCmin =>
= v2(t) = v1(t) - VCmin = v1(t) + 4.33 V
Exeercice 4
a) Alllure de V2, V1 et V0 en
n fonction du
d temps :
b) Calcul de R :
ble, Iz ne doiit jamais êtrre inférieur à Izmin danss les conditions les
Pourr que V0 = Uz reste stab
plus défavorablees, soit :
V2 =V2min = 14 V et IL = ILm
max = 50mA
A
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IR = IZ + IL = 55
5 mA => Rmax
m = 2.7 Ω
= 72
6 Ω
En valeur normaalisée on prrendra R = 68
c) Caalcul de la capacité minimum

m :
Lorsq
que la diodee est bloquéée, la capaciité est déchaargée par lee courant IR.
=> iR(t) = =
=> v2(t) est une exponentielle décroisssante avec une

u constantte de temps RC.
Pourr simplifier, on considère que v2(t) décroît linééairement durant

d en tem
mps
T’ ≈ T = 20 ms.
Apprroximation linéaire => Δ QC = C••Δ V2 = T·IRRmoyen
avec: V2max = V1eff - Uj = 16.3 V et V2min

2 = 14 V
=> Δ V2 = V2maxx -V2min = 2.3 V
=> IRmoy
R = = 76 mA
A.
=> Cmin = = 650 µF

µ
En valeur normaalisée on prrendra 680 µF.

µ
d) Calcul de la puissance maximum dissipée daans la diodee Zener :
IZ = IR - IL est m
maximum lorsque IL = ILmin = 0
=> IZmax
Z = IR
La co
onstante de temps therm
mique d’une diode Zen néralement plus grandee que la
ner étant gén
ode T on s’intéresse à la puissancee moyenne sur
pério s une période :
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PZmaxx = V0·IRmoyy = = 760 mW

W
Exerrcice 5
On propose
p le montage
m suiv
vant :
VIN = 7sin (ωt), Uj = 0.7V et

e VZ = 4.3V
V
Les deux
d diodess ne peuvent conduire que
q lorsque VOUT = VZ + Uj = 5 V
V.
- Lorrsque VIN esst inférieur à 5V, VOUTT suit parfaittement VIN.
des limitent VOUT à 5V.

- Lorrsque VIN déépasse cettee tension, lees deux diod
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CO
ORRIG
GE DEES EXXERCIICES TD 3
________________
Exerrcice 1
c = VCE = 3 V et VBE ≈ Uj = 0.7 V

a) Vcc
VCB = VCE - VBEE ≈ 2.3 V > 0 => mode normal
IC= ß·I
ß B => ß = = 167
=> = IS= 10.6 fA

=> f
pour avoir IC = 10
1 mA, il faaut imposerr IB = = 60 µA
ui donne la vvaleur exaccte VBE =

ce qu = 0.717 V
Com
mme IC = ß·IB, si IB variee de ±2%, IC varie de ±2%.
±
b) Po
our avoir IC = 10 mA,
il fau
ut imposer : VBE = = 0.717 V
et le courant de base vaut : IB = = 60 µA
Si VBE
B varie de ±2%, IC var
rie de 5.78 mA
m à 17.433 mA, soit de
d -42% à +774% !
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Le trransistor estt donc beau
ucoup plus sensible à des variatio
ons de la teension VBE qu’à des
variaations du co
ourant IB, ce qui est gênant pour faire des mesures
m stattiques, maiss devient
intéressant pourr faire un am
mplificateur.
Exerrcice 2
a) Δ UB = 0 UE0 = UB0 - Uj = 2.2 V
IE0 = = 1 mA IC0 = IE0 ≈ IE0 = 1 mA

A
IB0 = =5µ
µA UC0 = Vcc - RC IC0 = 10.3 V
UBC00 = UB0 - UC0

C = -7.4 V =>
= mode no
ormal
b) gm = = 3.85.10-2
3 A gbe =
A/V = 192 µA
A/V
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116

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c) Δ UE = RE(Δ IC + ΔIB) = RE(gm + gbe

b )Δ UBE
Δ UC = -RCΔ IC = -gmRCΔ UBE
Δ UB = Δ UE+ Δ UBE= (RE(g

( m + gbe)+1
1)Δ UBE
comm
me ß >> 1 on
o peut adm gm + gbe) ≈ gm
mettre que (g
d’où : et
>>1 c.a.d si REIC0 ≈ UE0

si de plus gmRE > E >> UT = 26
2 mV
alorss et
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Appllication num
mérique : UE0
E = 2.2 V >>
> 26 mV
=> e
et
Exerrcice 3
UE = U - Uj = 2,,7 V
IE = = 1 mA
m
Si le transistor T fonctionnee en mode Normal

N Direect, alors :
ß IB IE = (ßß+1) IB ≅ IC
IC = ß.
=> IB = 5 µA IC
C = 1 mA
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doncc UC = VCC - R1 IC = 10
0V - 4,7V = 5,3 V
La jo
onction BC est bloquée (VBC = U-U
U C = 3.4V
V - 5.3V= - 1.9V), donnc le transistor T se
trouv
ve bien en m
mode Normaal Direct.
Exercice 4
Soit UR2 la diffférence de potentiel au

ux bornes de
d R2 (défiinie dans lee même sen
ns que le
couraant IB).
-U + UR2 + Uj = 0 UR2 = U - Uj = 2,7 V
IB= =1m
mA
Poso
ons comme hypothèse
h : T en modee Normal Diirect, alors :
IC= ß. +1) IB≅ IC

ß IBIE = (ß+
IC= 200
2 mA UC = 10V - 0,2
2 . 4700 = - ... kV !
Ceci est impossible : T se trouve

t doncc en saturatiion, la joncttion BC connduit, UBC = 0,7V et
UC =U
= CE= 0V. Il
I faut recalcculer le cou
urant IC.
IC = = 2,1 mA
IE = IC +IB = 3.11mA
Exerrcice 5
VCC - Uj = V2
= 0.5
56 = 0.7
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Le co
ourant danss les 2 résisttances du po
ont diviseurr de tension
n doit être suupérieur à 10
1 fois le
couraant de base maximum du
d transisto
or.
IBmaxx = I2max/ß = 1mA
R1 + R2 < VCC/(10.IBmax) R1 + R2< 1.2K

KΩ
mple: R2 = 5570Ω
Exem Ω
R1 = 450Ω
Exercice 6
Décrrire qualitatiivement le fonctionnem

f ment du tran
nsistor suivaant:
Lorsq
que la tensiion Vin est suffisammeent élevée ppour contreecarrer la teension de seeuil de la
joncttion base-ém
metteur (env
virons 0.7 V),
V un couraant Ib circulle dans la baase du transsistor. Ce
couraant de base commandee un couran
nt de collectteur, pour au
utant bien ssûr qu'une source
s de
tension soit disp
ponible du côté
c du colllecteur. Lorrsque le cou
urant de colllecteur augm
mente, la
tension de sortiee du montag
ge diminue.
Exerrcice 7
Com
mmentez le fonctionnem
f ment de l'inv
verseur à traansistor bip
polaire et inddiquez ses points
p de
foncttionnement..
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Si laa tension d'eentrée Vin est

e nulle ou
u faible, auccun courantt ne circule dans la baase et par
conséquent dans le collecteur. La ten ntage est auu niveau de celle de
nsion de sorrtie du mon
mentation. O
l'alim On parle de blocage. Po
oint de fonctionnementt: en bas à droite
d sur le graphe.
Si la tension d'eentrée Vin esst suffisamm

ment grandee ou maxim
mum, un couurant de basse circule
ommande un
et co n courant de
d collecteurr maximum
m. Dans ce cas
c dit de saturation, laa tension
de so
ortie est prattiquement nulle.
n Point de fonctionnnement: en
n haut à gaucche.
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Cours & TD Electricité‐Electronique

I- COURANT ELECTRIQUE ............................................................................................ 8

Partie II : Régime continu

I- DIPOLES PASSIFS ........................................................................................................ 19

Partie III : La Diode à jonction

Partie IV : Le transistor à jonctions bipolaire

CORRIGE DES EXERCICES TD 1

EXERCICE 1 .................................................................................................................... 100

CORRIGE DES EXERCICES TD 2

EXERCICE 1 .................................................................................................................... 108

CORRIGE DES EXERCICES TD 3

EXERCICE 1 .................................................................................................................... 115

Partie I : Le courant électrique

L’Electrocinétique est la partie de l’Electricité qui étudie les courants électriques.

• Définition : un courant électrique est un mouvement d’ensemble de porteurs de charges

Métaux (cuivre, aluminium …) : électrons libres.

Charge électrique de l’électron : q = -e ≈ -1,6×10-19 coulomb (C).

Solutions liquides (électrolytes) : ions (cations et anions).

• Définition : le sens conventionnel du courant électrique est le sens du mouvement des

• Le courant électrique est symbolisé par une flèche :

Le signe du courant change quand on inverse l’orientation :

• Un ampèremètre mesure le courant qui le traverse. Il est donc branché en série :

Rmq. : un ampèremètre se comporte comme un fil. Attention au court-circuit !

I.2- Loi des nœuds (1ère loi de Kirchhoff)

Un nœud est un point de jonction de plusieurs conducteurs électriques :

uAB (en V) : tension électrique entre les points A et B

vA (en V) : potentiel électrique du point A

vB : potentiel électrique du point B

• Le potentiel électrique est défini à une constante près.

La référence des potentiels électriques est la « masse électrique ». C’est le « 0 V » :

Remarque : ne pas confondre masse et terre

• Un voltmètre mesure la tension présente à ses bornes.

Il est donc branché en dérivation :

II.2- Loi des branches (2nd loi de Kirchhoff)

uPN = uPA + uAB + uBC + uCN

Une pile de fem 9 V alimente une ampoule de 6 V à travers une résistance :

Calculer la tension aux bornes de la résistance.

• On place la masse au point N.

Calculer le potentiel électrique aux points P, A, B et C.

• Cas particulier d’une maille

uNP + uPA + uAB + uBC + uCN = 0 : c’est la loi des mailles.

III- Relation entre courant et tension

III.1- Loi d’Ohm

Dans une résistance électrique, tension et courant sont proportionnels.

- Loi d’Ohm en convention récepteur

On parle de convention récepteur quand les orientations du courant et de la tension relatives

u = +Ri [V]=[Ω] [A]

R est la résistance électrique (en ohm).

- Loi d’Ohm en convention générateur

Les orientations du courant et de la tension sont dans le même sens :

III.2- Résistance électrique d’un conducteur ohmique

S : section (en m²)

ρ : résistivité électrique du conducteur (en Ω⋅m)

La résistivité dépend de la nature du conducteur et de sa température :

ρ(T) = ρT0 (1 + α (T - T0))

- à 60 °C : R = 34.(1 +4.10-3(60 - 20)) = 39 mΩ

Remarque : généralement, on peut négliger la chute de tension dans un câble.

IV- Puissance et énergie électrique

IV.1- Puissance électrique

• La puissance électrique mise en jeu dans un dipôle est :

• Dipôle générateur et dipôle récepteur (de puissance)

Un dipôle générateur est un dipôle qui fournit de la puissance électrique.

La puissance que fournit la pile est : p = ui = 6 W