TP n°3 : AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR NPN Laboratoire d’Electronique

TP D’ELECTRONIQUE N° 3

AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR NPN

MONTAGE EMETTEUR COMMUN
I- OBJECTIF:
On se propose dans cette manipulation de réaliser un amplificateur émetteur commun à base de
transistor NPN.

II- PREPARATION :
Le montage émetteur commun est le plus souvent utilisé car il permet d'obtenir une forte
amplification (maximum de puissance en sortie), et présente l'écart le plus faible entre la résistance
d'entrée et celle de sortie.
Un tel montage est représenté par la figure suivante:

15 V

R R
C
C +
+ T
Fig.1

Ru VS
e(t) R RE +
C

On utilise le transistor NPN du type 2N1711 pour réaliser cet amplificateur.

II.1- Polarisation :
Les éléments du montage sont les suivants :
R1 = 33 k R 2 = 15 k R C = 1,5 k R E = 1 k.
Pour le transistor, on prendra la valeur la plus défavorable  = 100 et VBE = 0,6V.
On fixe IC = 2 mA.
Placer les potentiels aux bornes des résistances ainsi que les différents courants.

En déduire VCE et la tension du collecteur par rapport à la masse.

En régime variable quelle excursion pourra-t-on espérer obtenir avant déformation ?

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II.2- Etude du régime variable :

Le modèle adopté pour le transistor est :
ib
B C

rbe ib

Fig.2

II.2.1- Etude à vide

: Ru enlevée
a- Fournir le modèle équivalent au montage en régime variable.
b- Déterminer les expressions des paramètres fondamentaux du montage : Av , Re et Rs.
Rappeler la définition de la résistance de sortie. Interpréter le signe de A v .
Proposer un modèle équivalent au montage faisant apparaître ces paramètres fondamentaux. Quel
est l’intérêt de ce modèle ?

II.2.2- Etude en charge : On place u=R 3,3 k

Montrer que l’amplification en tension en charge s’écrit : A vc = A v.At.
Avec A t est exprimé en fonction des paramètres du montage.

III- MESURES DES PARAMETRE DE L'AMPLIFICATEUR :

III.1- Résistance d'entrée : Méthode de la ½ déviation
Le schéma de montage est le suivant :
R A C

Rg
K Ve Re Oscilloscope
eg

B D

Fig.3
On réalise une attaque en tension lorsque R g << Re.

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Soit Veo la tension aux bornes de R e lorsque l'interrupteur K est ouvert, et V ef la tension aux bornes
de R e quand l'interrupteur K est fermé. Le courant qui circule dans la maille d'entrée quand K est
fermé est :
eg R e eg
I soit Vef 
Re  Rg Re  Rg
Quand K est ouvert, le courant I' est égale à :
eg R e eg
I soit V eo =
Re  Rg  R eg++R
RR
R e eg
Si Rg << Re, alors Vef  eg et Veo 
Re  R
Si de plus R = Re alors V eo = eg /2 = Vef /2

La technique de mesure consiste donc à appliquer au montage une tension sinusoïdale lorsque K
est fermé de telle sorte que cette tension donne un signal de sortie non écrêté, ni distordu. Soit V ef
la tension aux bornes de R e, on ouvre l'interrupteur K, et on ajuste la résistance R de telle sorte que
la tension aux bornes de Re, Veo soit égale à V ef /2, et on a alors R = R e.

III.2- Résistance de sortie : Méthode de la ½ déviation :

Le schéma de montage est le suivant :

A C
K
Rg
Ve Vs R
eg

B D

Fig.4

Soit VSO, la tension entre les bornes C et D de l'amplificateur lorsque l'interrupteur K est ouvert.
Soit VSf, la tension entre les bornes C et D de l'amplificateur lorsque l'interrupteur K est fermé.
R
On a : VSO = A V Ve, alors VSf = A V Ve

R RS
Si R = RS, alors V Sf = (AV/2) Ve = VSO/2.
La technique de la mesure consiste à appliquer à l'entrée du montage une tension sinusoïdale de
telle sorte que la tension de sortie ne soit ni écrêtée, ni distordue. On mesure la tension V SO quand
K est ouvert, on ferme K et on ajuste R de telle façon que V Sf = (VSO /2). On a alors R S = R.

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III.3- Mesure du gain en tension :

Le schéma de montage est le suivant :

Y1 Y2

A C

Rg
Ve Vs RU
eg

B D

Fig.5

On applique à l'entrée du montage une tension sinusoïdale de telle sorte que la tension de sortie ne
soit ni écrêtée, ni distordue.
Soit Ve = V em sin t et V s = Vsm sin (t + ).
Les tensions de sortie et d'entrée sont visualisées sur les voies Y 1 et Y 2 de l'oscilloscope. On peut
mesurer alors: A V  Vsm
Vem

III.4- Mesure du gain en courant

:
Le schéma de montage est le suivant :

Ie A C IS

Rg
Ve Vs RU
eg

B D

Fig.6

On applique à l'entrée du montage une tension sinusoïdale de telle sorte que la tension de sortie ne
soit ni écrêtée, ni distordue.
Is
On mesure les courants I e et IS. Soit alors : Ai 
Ie

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IV- MANIPIULATION :
On se propose de réaliser un amplificateur basses fréquences à base de transistor NPN et de
déterminer sa bande passante. Soit le montage amplificateur de la figure 1.

IV.1- Etude statique :

Le transistor utilisé est de type 2N1711 Silicium.
Les éléments du montage sont les suivants :
RC = 1 k R E = 200  Vcc = 15 V.
Pour le transistor, on prendra la valeur la plus défavorable  = 100 et VBE = 0,6V.
On fixe le point de repos Q par V CE = 7,5 V, Calculer R 1 et R 2 si l'on fixe comme courant de
polarisation du pont Ip = 10 IB.
Tracer la droite de charge Dc pour le régime statique.
Vérifier expérimentalement le point de repos.

Remarque:
Mesurer au multimètre les résistances utilisées.

IV.2- Etude dynamique :

Pour les condensateurs de liaison on prend C = 10 F .
Pour le condensateur qui découple l’émetteur on prend C = 100F .
Ainsi à la fréquence de travail du montage, ils présentent une impédance qui sera considérée
comme nulle.

1°- Mesure de l’amplification en tension A s’effectue avec Ru enlevée .

v : Elle
Régler ue = 10 mVcàc à f = 5kHz, forme sinusoïdale. On mesure en fait ug.
Mesurer la valeur crête à crête de la tension de sortie.
En déduire le module de Av. Quel est le déphasage entre us et ue ?

2°- Influence de la charge sur l’amplification :

On fixe Ru = 3,3 k. Procéder à la mesure directe de Avc .
On a vu que Avc = A v.At , calculer At.
Déduire de cette mesure la résistance de sortie Rs de l’amplificateur puis le paramètre rce (1/ h22e)
du transistor. Précision sur la détermination de rce ?
Mesurer le gain en courant Ai.

3°- Mesure de la résistance d’entrée Re :

Proposer une méthode de mesure.
De la valeur trouvée déduire le paramètre rbe du transistor.

4°- Conclusion :
Préciser la spécificité de ce montage.
Fournir les paramètres du montage amplificateur : Av , Re et Rs.
Pour la charge particulière de 3,3 k donner la valeur de Avc .
Fournir les paramètres du transistor valables autour du point de repos considéré :, rbe et rce .
On rappelle que la jonction BE présente en dynamique une résistance qui vérifie la
relation :
rbe = nVT / IB0 où VT = 26 mV.
En déduire la valeur de n pour le transistor 2N1711 pour cette polarisation.

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