Tema 4 – “Memoria interna. Tipos. Direccionamiento. Características y funciones.

TEMA 4 – “MEMORIA INTERNA. TIPOS.

DIRECCIONAMIENTO. CARACTERÍSTICAS Y
FUNCIONES.”

INDICE

1. INTRODUCCIÓN.

2. ELEMENTOS.
2.1. Medio o soporte.
2.2. Transductores.
2.3. Mecanismo de direccionamiento.
2.3.1. Direccionamiento cableado.

3. CARACTERÍSTICAS.
3.1. Duración de la información.
3.2. Modo de acceso.
3.3. Velocidad.
3.4. Capacidad o tamaño.
3.5. Unidad de transferencia.

4. JERARQUÍA DE MEMORIAS.
4.1. Memoria interna.

5. DISPOSITIVOS DE MEMORIAS ACTUALES.

5.1. Memorias de semiconductores.
5.1.1. RAM Estáticas (SRAM).
5.1.2. RAM Dinámicas.
5.1.3 ROM Y PROM
5.1.4 EPROM, EEPROM y Flash.
5.2. Memoria asociativa
5.3. Memoria caché o tampón.
5.4. Memoria virtual.

1. INTRODUCCIÓN.

La memoria es un elemento básico del ordenador, desde el punto de vista informático y en

su sentido más amplio, llamaremos memoria a todo dispositivo capaz de almacenar o retener
una información (datos e instrucciones) y suministrarla ante cualquier solicitud y en cualquier
momento.

Las operaciones básicas que permite la memoria son:

- Lectura: la memoria suministra la información almacenada de la dirección indicada.

- Escritura: la memoria almacena una información en la dirección indicada; además de la

dirección se debe suministrar la información a almacenar.

2. ELEMENTOS.

Para que un dispositivo pueda ser utilizado como elemento de memoria debe contar con
los elementos siguientes:

- Medio o soporte.

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- Transductor de lectura.
- Transductor de escritura.
- Mecanismo de direccionamiento.

2.1.MEDIO O SOPORTE.

El medio o soporte es el elemento físico que actúa de contenedor de la memoria,

pueden ser discretos o continuos.

- Discretos: se emplea un elemento individual para almacenar cada bit. Son más caros,
pero requieren unos transductores más sencillos, además el direccionamiento es más
rápido y simple.
- Continuos: se almacenan unos bits a continuación de otros, se necesita una señal de
reloj para distinguir cada bit. Se suele utilizar el término celda de bit para referirse al
punto de memoria.

2.2.TRANSDUCTORES.

Son los encargados de suministrar las magnitudes físicas (campo magnético, corriente,
tensión, calor, etc.) al punto de memoria para modificar su estado (transductores de escritura) o
para captar la magnitud física del punto de memoria (transductores de lectura).

Los transductores como son dispositivos costosos se tiende a reducir su número, pero
debe existir un compromiso entre el número de transductores y la velocidad de la memoria.

Según la conexión del transductor y el medio de las memorias pueden ser:

- Estáticas: el transductor está físicamente unido al medio, existiendo un cableado que

permite acceder al punto de memoria deseado.

- Dinámicas: el transductor es independiente del medio, la información debe moverse

para colocarse frente al transductor y realizar la operación requerida.

- Híbridas: el transductor está unido al medio, pero la información debe desplazarse

hacia él para realizar las operaciones requeridas.

2.3.MECANISMO DE DIRECCIONAMIENTO.

El mecanismo de direccionamiento tiene la función de seleccionar el punto de memoria

deseado con el que operar. Está muy relacionado con el tipo de transductor que se utiliza.

2.3.1. Direccionamiento cableado.

El direccionamiento cableado se emplea en las memorias estáticas, su construcción

permite, activando las señales adecuadas, especificar un único punto de memoria.

Presenta dos formas típicas, 2D y 3D:

- 2D: Los puntos de memoria que almacenan los bits de igual posición de cada palabra
(bits 0,1,..., n-1) están conectados a la misma pareja de transductores, uno para lectura
y otro para escritura (figura 1.). Este tipo de direccionamiento se utiliza para memorias
de tamaño reducido y de alta velocidad de acceso.

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Figura 1. Direccionamiento 2D.

-3D: Se suele utilizar cuando el número de líneas de dirección que se precisan es

elevado. Se establecen n planos de memoria, uno por cada bit de la palabra. Dentro de
cada plano, se selecciona el punto de memoria deseado por la coincidencia de las líneas
de selección X e Y. La dirección se divide en dos partes X e Y, cuyas longitudes son mx y
my, donde normalmente mx=my (figura 2.).

La ventaja que presenta el direccionamiento 3D, frente al 2D, es que es más

sencillo (y por tanto más económico) construir dos descodificadores de mx y my entradas
que uno de mx+my=m entradas. El inconveniente es que es más complejo su diseño lo que
produce un decremento de la velocidad de acceso.

El direccionamiento 3D se suele emplear en memorias con mayor tamaño y menor

velocidad de acceso que las que utilizan el 2D.

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Figura 2. Direccionamiento 3D.

3. CARACTERÍSTICAS.

Las características más importantes de las memorias son:

- Duración de la información.
- Modo de acceso.
- Velocidad.
- Capacidad o tamaño.
- Unidad de transferencia.

3.1. DURACIÓN DE LA INFORMACIÓN.

Depende del medio en que se basa la memoria y hace referencia al tiempo que la
información permanece en el medio. Puede clasificarse en:

- Duraderos o no volátiles: la información permanece en los puntos de memoria para

siempre, a no ser que se escriba sobre ellos otra información diferente.
- Volátiles: cuando no se suministra energía, es decir, se dejan de alimentar, la
información desaparece.
- Con refresco: aunque la memoria esté alimentada, su información se va degradando
paulatinamente, para que sean utilizables deben reescribirse periódicamente.
- De lectura destructiva: cada vez que se lee se destruye la información, se debe tener
que escribir la información después de cada lectura.
- Permanentes o de solo lectura: la información sólo se puede escribir una vez y no
puede borrarse. La información puede haberse grabado en el proceso de fabricación o
después.

3.2. MODO DE ACCESO.

Se entiende como modo de acceso, a la forma en que se puede disponer de una

determinada información contenida en la memoria. Los principales métodos son:

- Acceso aleatorio: se puede acceder a cualquier posición de la memoria en cualquier

orden. El tiempo de acceso es independiente de la posición a la que se accede.

- Acceso secuencial: se accede a la información secuencialmente, el tiempo de acceso

dependerá de la posición que ocupa la información.

- Acceso directo: para acceder a una información se determina el bloque al que

pertenece y después se la busca secuencialmente dentro del bloque. El tiempo de
acceso también depende de la dirección que ocupa la posición.

- Acceso asociativo: son memorias de acceso aleatorio, pero con la diferencia de que no
se pregunta por el contenido de una determinada dirección de memoria, si no si existe
una posición de memoria que contiene una palabra determinada.

3.3. VELOCIDAD.

La velocidad de una memoria viene definida por el tiempo que tarda en realizar una
operación de lectura o escritura. Para evaluar la velocidad se utilizan los siguientes parámetros:

- Tiempo de acceso (ta): tiempo que transcurre desde que se inicia la operación de L/E
hasta que finaliza con la obtención o almacenamiento de la información.

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- Tiempo de ciclo (tc): intervalo de tiempo entre dos operaciones consecutivas.

- Frecuencia de acceso (fa): mide la transferencia de la memoria, determina el número
de palabras que se pueden leer o escribir por unidad de tiempo.
1
fa =
tc

3.4. CAPACIDAD O TAMAÑO.

La capacidad de un dispositivo de memoria es la cantidad de información que puede

almacenar. Se suele expresar en bits, octetos (también llamado byte, conjunto de 8 bits) o
palabras (16 bits).

En la tabla 1. se enumeran los principales prefijos usados para expresar la capacidad

en múltiplos de bytes.

Nombre Nº Bytes

Kilobytes (KB) 210

Megabytes (MB) 220

Gigabytes (GB) 230

Terabytes (TB) 240

Tabla 1. Prefijos usados para indicar las capacidades de memoria.

3.5. UNIDAD DE TRANSFERENCIA.

Relacionado con la capacidad de la memoria podemos obtener la siguiente

clasificación:

- Acceso por palabra: se transfiere una única palabra cada vez.

- Acceso por bloque: se transfiere un bloque, es decir, un conjunto de palabras.

4. JERARQUÍA DE MEMORIAS.

Los principales criterios que se siguen en el diseño de la memoria son: coste por bit
almacenado, velocidad de acceso a la información y capacidad de almacenamiento.

La memoria se estructura en varios niveles a los que denominamos Jerarquía de Memoria

de un Ordenador, donde el nivel superior está constituido por memorias muy rápidas, pero de
pequeña capacidad y coste alto, y conforme bajamos de nivel las memorias serán más lentas,
con mayor capacidad y menor coste.

En cuanto a su funcionamiento, la información se ubicará dentro de la jerarquía, según su

probabilidad de uso, es decir, programas o archivos poco utilizados estarán almacenados en el
nivel inferior. Si en un momento determinado se necesitan, serán transferidos por el sistema a
nivel superior, si la información es modificada volverá a descender para su almacenamiento.

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Nivel Dispositivo Capacidad Tiempo Acceso Ancho de banda

de acceso MB/s
0 Registros CPU 8-128 bits 1-18ns Palabra 800-2000
1 Caché 101KB-101MB 2-30ns Palabra 400-2000
2 Principal 101MB-102GB 5-60ns Palabra 100-1000
3 Secundaria por Disco 102MB-102GB 5-20ms Pista/sector 1-102
4 Auxiliar 1,44MB-102GB >=100ms Pista/sector 0,1-101
Tabla 2. Jerarquía de memoria.

4.1. MEMORIA INTERNA.

Según la jerarquía de memoria la memoria interna se compone de los niveles 0-2

(figura 3.).

Figura 3. Jerarquía de memoria.

- Registros: en el nivel 0, es el más rápido y de menor capacidad, destacan los de uso

general incluidos en la Unidad Aritmético Lógica.

- Caché o Tampón: el nivel 1 corresponde a memorias más lentas que los registros y de
mayor capacidad. Son memorias de apoyo que se emplean para acelerar los accesos
de la CPU a la memoria principal.

- Principal o Central: usualmente en el nivel 2 (en un ordenador sin caché sería el 1). Es
la memoria donde residen los programas para ser ejecutados por la CPU y los datos
que están en uso en un momento determinado. Es más lenta y de mayor capacidad
que la memoria caché.

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5. DISPOSITIVOS DE MEMORIAS ACTUALES.

5.1. MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES.

Este tipo de memorias se basa en los materiales semiconductores, que son

componentes electrónicos capaces de diferenciar, al menos, dos estados según la presencia o
ausencia de corriente en sus entradas produce ausencia o presencia de corriente en su salida.

Dentro de las memorias de semiconductores podemos hacer la siguiente clasificación:

- De lectura y escritura.
 Estáticas (SRAM)
 Dinámicas asíncronas (DRAM)
 Dinámicas síncronas (SDRAM)

- De solo lectura
 Puras (ROM)
 Programables (PROM)
 Borrables y programables (EPROM)
 Borrables y programables eléctricamente (EEPROM y FLASH)

5.1.1. RAM Estáticas (SRAM).

Basadas en puntos de memoria de tipo biestable, por lo que mantienen la información

siempre que no se interrumpa la alimentación y no necesitan sincronización por reloj
independiente.

Sus propiedades principales son:

- Permiten operaciones de lectura y escritura.

- Son de direccionamiento aleatorio.
- Son volátiles pero no necesitan refresco.
- Son más caras y ocupan más espacio que las RAM dinámicas, pero son más
sencillas de usar.
- Se comercializan, típicamente, en pastillas de 256 Kb, 1 y 4 Mb, con tiempo de
acceso de orden de pocos ns, con bus de datos bidireccional, de 8 bits con salida
triestado.

5.1.2. RAM Dinámicas.

Denominadas DRAM (Dynamic Random Access Memory), constituidas por un transitor

y un condensador que tiende a descargarse, por lo que hay que refrescarlas para que
mantengan la información.

Sus principales propiedades son:

- Permiten operaciones de lectura y escritura.

- Direccionamiento aleatorio.
- Son volátiles y requieren refresco con unos intervalos de unas decenas de ms.
- Son más económicas que las estáticas, para memorias de tamaño medio/grande.
- Se comercializan, típicamente, en pastillas de 16, 32, 64 y 128 MB, con tiempos de
acceso de algunas decenas de ns, salida triestado, con bus de direcciones
multiplexado en el tiempo y ancho de palabra de hasta 128 bits.

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5.1.2.1. SDRAM.

La SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) tiene la principal característica de tener

velocidad superior. Utilizan una entrada de reloj para conseguir sincronizarse con el bus de
datos.
Tienen un modo de acceso de alta velocidad que se basa en el uso de un generador de
columnas interno. Una vez que se establece la dirección de una columna para el primer
acceso, las siguientes direcciones son generadas automáticamente por el contador interno de
columnas.

5.1.2.2. VRAM.

Son un tipo de memorias DRAM, especialmente diseñada para construir memorias de

refresco de terminales gráficas, de donde se deriva su nombre (Vídeo Random Access
Memory). Su peculiaridad más destacable es que pueden ser accedidas, simultáneamente, por
el monitor y por el hardware de la placa gráfica.
Una variante, relativamente reciente, de memoria de vídeo es la SGRAM con las
mismas características avanzadas que la SDRAM.

5.1.3. ROM y PROM.

Estas memorias sólo permiten la operación de lectura. Su uso principal es el de

almacenar el programa de arranque de los computadores.

Sus características principales son.

- Sólo permiten la lectura.

- De acceso aleatorio.
- Son permanentes.
- Se comercializan en pastillas de 64 K, 128 K, 256 K, 1 M y 4M, con tiempos de acceso
superiores a 100 ns y ancho de palabra de 8 y 16 bits.

5.1.4. EPROM, EEPROM y Flash.

Gozan de las mismas características que las memorias ROM y PROM, aportando una
característica adicional: se pueden borrar mediante un proceso especial, que será diferente
para cada clase:

 EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) mediante una radiación

ultravioleta. Se pueden borrar en su totalidad.
 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) mediante
elevadas corrientes eléctricas. Permiten el borrado selectivo.
 Flash, permiten ser programadas con los valores de tensión propios de los
ordenadores.

5.2. MEMORIA ASOCIATIVA.

Las memorias asociativas, también llamadas memorias direccionables por el contenido,

se utilizan para saber rápidamente si una información denominada descriptor, está en la
memoria y, en caso afirmativo, proporcionar una información asociada. Una memoria asociativa
se divide en dos partes: una primera parte M 1, en que todas las palabras son comparadas en
paralelo al descriptor D, y una segunda parte M 2, que entrega eventualmente a un registro A la
información asociada al descriptor D.

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Para su construcción se utilizan los semiconductores y se fabrican de capacidad

pequeña pero elevada velocidad. Su uso se limita a memorias de apoyo.
5.3. MEMORIA CACHÉ O TAMPÓN.

La memoria caché es una memoria rápida de tamaño menor que el de otra memoria
extensa, que puede ser la memoria principal, un disco duro, la memoria de vídeo, o cualquier
otro dispositivo que pueda almacenar información, y que se coloca entre éste y un procesador,
que puede ser la CPU, con el fin de acelerar el funcionamiento del acceso a la memoria
extensa.

El procesador, antes de usar un dato de la memoria extensa, consulta la caché y si el

dato está en ella lo utiliza; en caso contrario, se accede a la memoria extensa y se procede a la
actualización de la caché. Existen dos posibles métodos a seguir:

a) Actualización previa de caché y volcado posterior.

b) Actualización inmediata de la memoria extensa seguida de actualización de la
caché.

5.4. MEMORIA VIRTUAL.

El concepto de memoria virtual corresponde, más bien, a un tema de gestión de

memoria a cargo de un Sistema Operativo apoyado, en su caso, en los circuitos específicos de
la CPU que se encargan de la memoria virtual.

Se dice que un ordenador emplea memoria virtual, cuando las direcciones que generan
los programas en él ejecutados se refieren a un espacio de memoria que puede ser mayor que
el físicamente disponible en memoria principal.

En un principio, cuando un programa no podía alojarse completo en memoria principal,

el programador tenía que partirlo en parte principal, que residía permanentemente en memoria,
y varios overlays que se iban cargando alternativamente según iba siendo necesario.
Posteriormente, se consideró que estos procedimientos podían sustituirse con ventaja si se
conseguía que el sistema operativo recurriese a un esquema de alojamiento temporal de partes
de la memoria principal en la memoria secundaria en función de su mayor o menor grado de
uso.

Usando memoria virtual, los programas en curso pueden trabajar con un espacio de
direcciones muy superior al realmente disponible y, en entornos de multiprogramación, pueden
existir varios espacios de direcciones independientes. El inconveniente es un decremento
considerable de la velocidad de trabajo, ya que en el mejor de los casos, por cada acceso a la
memoria principal se generan dos accesos a ésta, uno para verificar que el dato buscado está
en memoria principal y otro para obtener la información.

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