UNIVERSIDAD DE SAN CARLOS DE GUATEMALA

FACULTADA DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA MECÁNICA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA 2
AUX. DIEGO GUZMÁN

Material de apoyo No. 3 – Semiconductores (Diodo

rectificador y amplificador operacional)
Los semiconductores son una de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor
y la de un aislante. Pero sus características eléctricas pueden ser modificadas debido a una fuerza externa
que se le brinde a este. En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un
solo cristal y compuesto. Los tres semiconductores más utilizados en la construcción de dispositivos
electrónicos son Ge, Si y GaAs

Niveles de energía
Las bandas energéticas de un átomo marcan los lugares donde es posible que se encuentren los electrones.
Las bandas más próximas al átomo se llaman bandas de valencia y en ellas los átomos están fuertemente
ligados al núcleo por fuerzas eléctricas. En el exterior la fuerza eléctrica es menor y además se tiene la
repulsión eléctrica de los electrones de la capa de valencia, por lo que en esta banda los electrones están
débilmente ligados al átomo. Esta capa se denomina capa de conducción. En medio puede existir una banda
denominada de energía prohibida, donde si hubiese un electrón inevitablemente caería a la capa de valencia
(en caso de estar incompleta) o sería expulsado a la capa de conducción.
En los conductores, especialmente en los metales, no existe capa de energía prohibida, por lo que es
necesaria muy poca energía para liberar un electrón de la capa de valencia y que sea expulsado a la capa de
conducción. En un semiconductor y en un aislante si que existen, pero es menor en un semiconductor.
Un semiconductor es una estructura cristalina con enlaces covalentes, muy estables, y que en un principio
no poseen ningún electrón en las bandas energéticas de conducción.

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

 Intrínsecos
 Extrínsecos

SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS"
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene
ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que
dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de
electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.

SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS"
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración, esos
elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección.
Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de
germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas".

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"

Como ya conocemos, ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan
electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente eléctrica, por tanto, se
comportan como materiales aislantes. Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos
semiconductores la dopamos añadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de
un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb), con cinco electrones en su última órbita o banda de
valencia), estos átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco electrones
con otros cuatro pertenecientes a los átomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrón
restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá mover libremente dentro de toda la estructura cristalina.
De esa forma se crea un semiconductor extrínseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres
existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.
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Los átomos de silicio (con cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia) se unen formando
enlaces covalentes con los átomos de antimonio (con cinco en su última órbita banda de valencia). En esa
unión quedará un electrón libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada átomo de antimonio
que se haya añadido. De esa forma el cristal. de silicio se convierte en material semiconductor tipo-N
(negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Si en lugar de introducir átomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos añadiéndoles

átomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) con tres electrones en su última órbita o banda de
valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los átomos de silicio quedará un hueco o agujero,
debido a que faltará un electrón en cada uno de sus átomos para completar los ocho en su última órbita. En
este caso, el átomo de galio tendrá que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarán los
átomos de silicio, como una forma de compensar las cargas eléctricas. De esa forma el material adquiere
propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrínseco dopado tipo-P (positivo), o
aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros
que quedan en su estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio (Si). que forman, como en el caso anterior, una celosía,
dopada. ahora con átomos de galio (Ga) para formar un semiconductor “extrínseco”. Como se puede
observar en. la. ilustración, los átomos de silicio (con cuatro electrones en. la. última órbita o banda de
valencia) se unen formando enlaces covalentes con los átomos de galio (con tres. electrones en su banda de
valencia). En esas condiciones. quedará un hueco con defecto de electrones en la estructura. cristalina de
silicio, convirtiéndolo en un. semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el defecto de. electrones en la
estructura.

UNION P-N
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas
corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes
denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o
empobrecimiento, de depleción, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su anchura
profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos
en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones
libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de
electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta
diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
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DIODO RECTIFICADOR COMÚN

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en un solo sentido.

PARTES DE UN DIODO

Los diodos están compuestos por dos zonas de material semiconductor (silicio, germanio)
formando lo que se denominada unión P-N. En otras palabras constan de dos partes o zonas
bien diferenciadas:

La zona P se caracteriza por poseer una escasez de electrones y corresponde a la parte del
ánodo (positivo).
La zona N presenta un exceso de electrones y corresponde a la parte del cátodo (negativo).

Polarización directa
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso
de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad. Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería
al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen
hacia la unión p-n. El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los
bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unión p-n. Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona
p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en
electrón de valencia.

Polarización inversa
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de
la batería, tal y como se explica a continuación:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que
estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso
es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, convirtiéndose así en iones
negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
eléctrico que la batería, en esta situación el diodo no debería conducir la corriente

Rectificador de onda completa

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El circuito rectificador de onda completa es el tipo más empleado en las fuentes de alimentación de los
equipos, debido a que con él se obtiene una corriente continua muy parecida a la que proporcionan las pilas
o las baterías.

Este rectificador es uno de los más usados en las fuentes de alimentación, tanto si está formado por cuatro
diodos individuales como en su versión integrada. Estos últimos son más fáciles de manejar, puesto que
disponen de cuatro patillas, dos para su conexión al transformador, y otras dos para la conexión hacia la
carga.

fig. Rectificador de onda completa con puente de diodos

La salida tiene la forma de una onda rectificada completa. Esta salida es pulsante y para “aplanarla” se pone
un condensador (capacitor) en paralelo con la carga. Este capacitor se carga a la tensión máxima y se
descargará por RL mientras que la tensión de salida del secundario del transformador disminuye a cero
(“0”) voltios, y el ciclo se repite.

Fig. Voltaje en el bobinado secundario

fig. voltaje debido al rectificador de onda completa

Durante el periodo T= 0 para T/2 la polaridad de la entrada es como se muestra en la figura A. Las
polaridades resultantes a través de los diodos ideales también se muestran en la figura 4 para revelar que
D2 y D3 están conduciendo, mientras que D1 y D4 están “apagados”. El resultado neto es la configuración
de la figura 6 con su corriente y polaridad indicadas a través de R. Como los diodos son ideales, el voltaje
de carga es VRL= vi, como se muestra en la misma figura.

fig.A estado diodos 2 y 3 con respecto a la mitad del periodo

En la región negativa de la entrada los diodos que conducen son D1 y D4 y la configuración es la que se
muestra en la figura 7. El resultado importante es que la polaridad a través del resistor de carga RL es la
misma de la figura del rectificador, por lo que se establece un segundo pulso positivo, como se muestra en
la figura B.

figB estado diodos 1 y 4 con respecto a la otra mitad del periodo

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El voltaje de salida se puede obtener por medio de una integral al ser una función en el tiempo, se obtiene
un valor medio siendo este igual al voltaje Vdc, integrando con respecto a la figura 5.

Vdc = voltaje medio

1 𝑇
Vdc = ∫0 sin(𝑤𝑡)
𝑇

1 𝜋
Vdc = 𝜋 [∫0 Vmax ∗ sin(𝑤𝑡)]

𝑉𝑚𝑎𝑥
Vdc = ∗ [− cos 𝑤𝑡]𝜋0
𝜋

2𝑉𝑚𝑎𝑥
Vdc = 𝜋

Voltaje de Rizado
Al buscar que la tensión en la carga sea unidireccional continua (constante). El problema se soluciona con
el empleo de filtros (capacitores). Este capacitor se carga a la tensión máxima y se descargará por RL
mientras que la tensión de salida del secundario del transformador disminuye a cero (“0”) voltios, y el ciclo
se repite.

A la variación del voltaje (∆v) en los terminales del condensador / capacitor debido a la descarga de este
en la resistencia de carga se le llama tensión de rizado. La magnitud de este rizado dependerá del valor de
la resistencia de carga y al valor del capacitor. Si se comparar este diagrama con su correspondiente de
rectificación de 1/2 onda, se puede ver que este circuito tiene un rizado de mayor frecuencia (el doble), pero
es menor. Ver ∆V en el rectificador de 1/2 onda

Grafica del voltaje de rizado

En cada semiciclo el transformador entrega corriente (a través de los diodos D1 y D2) al condensador C y
a la resistencia RL, Esto sucede mientras las ondas aumentan su valor hasta llegar a su valor pico (valor
máximo), pero cuando este valor desciende es el condensador el que entrega la corriente a la carga (se
descarga).

Si el capacitor es grande significa menos rizado, pero aun cumpliéndose esta condición, el rizado podría
ser grande si la resistencia de carga es muy pequeña (corriente en la carga es grande).

Nota: Hay que tomar en cuenta que el voltaje máximo que se podrá obtener dependerá del voltaje que haya
entre uno de los terminales del secundario del transformador. El voltaje de salida o voltaje medio se puede
obtener de los valores de voltaje pico y el voltaje de rizado.

Vdc= voltaje medio

Vp= voltaje pico
Vr= voltaje de rizado
𝑉𝑟
Vdc = 𝑉𝑝 − 2

𝑉𝑝
Vr = 𝑓𝐶𝑅
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Amplificador Operacional

Un amplificador operacional, o amp-op, es un amplificador diferencial de muy alta ganancia con alta
impedancia de entrada y baja impedancia de salida. Los usos típicos del amplificador operacional son
proporcionar cambios en la amplitud del voltaje (amplitud y polaridad), en osciladores, en circuitos de
filtrado y en muchos tipos de circuitos de instrumentación. Un amplificador operacional contiene varias
etapas de amplificadores diferenciales para alcanzar una muy alta ganancia de voltaje.
El amplificador operacional tiene dos entradas. En la primera etapa se amplifica levemente la diferencia de
las mismas. Esto se suele expresar también diciendo que se amplifica el modo diferencial de las señales.
Para que este dispositivo pueda funcionar es obvio que necesitará una fuente de alimentación que polarice
sus transistores internos. Habitualmente se emplean dos fuentes de alimentación, una positiva y otra
negativa. De este modo se permite que la salida sea de uno u otro signo. Evidentemente, la tensión de salida
nunca podrá superar los límites que marquen las alimentaciones
El símbolo del amplificador operacional es el que se muestra, junto con el equivalente circuito ideal.

El operacional tiene cinco terminales:

Entrada no inversora (V+)
Entrada inversora (V-)
Alimentación positiva (ECC)
Alimentación negativa (-ECC)
Salida (VOUT)

Comparador con AO

Un circuito comparador es aquel circuito que compara dos voltajes, uno que normalmente estará fijo y
llamaremos voltaje de referencia y uno que variará a razón de un sensor generalmente. Dependiendo cual
de los dos voltajes sea mayor en la salida tendremos Vcc o -Vcc:

Este circuito que ya vimos anteriormente sería la forma mas simple de comparador su funcionamiento es
el siguiente, cuando el voltaje en la entrada inversora(Vd), formado por el divisor de tensión, es mayor el
introducido por la entrada no inversora(Vi), la salida Vo es -Vcc. Por el contrario si el voltaje introducido
por la entrada no inversora(Vi) es mayor que el voltaje introducido por la entrada inversora(Vd), la salida
Vo es Vcc. Dicho matemáticamente:

Esta configuración tiene un gran inconveniente con sistemas en los que Vi varíe lentamente, ya que en el
intervalo de cambio de un estado a otro se pueden producir un gran número de falsos cambios de estado a
consecuencia del ruido.
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Anexo

Tl082

Potenciómetro